CN112309834B - 一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于芯片金凸块制作技术领域，公开了一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法，包括如下步骤：S1.预处理：S11.取一带有偏移金凸块的问题晶圆，并在问题晶圆上表面形成一层光刻胶层，所述光刻胶层覆盖问题晶圆上表面和偏移金凸块上表面；S12.采用干法蚀刻工艺对光刻胶层进行表面蚀刻，露出部分偏移金凸块；S2.蚀刻处理：S21.将预处理后的问题晶圆放入金蚀刻液中进行蚀刻，完全除去所述偏移金凸块；S22.使用胶液洗去剩余光刻胶层；S23.采用双氧水去除所述偏移金凸块底部的金属化层，且金属化层为溅镀钛钨层；S3.对蚀刻处理后的所述问题晶圆进行金凸块生长的重新作业；综上，能有效去除问题晶圆中的偏移金凸块，并不损伤其中的铝。

Description

一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法
技术领域
本发明属于芯片金凸块制作技术领域，具体涉及一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法。
背景技术
目前，随着京东方的崛起，显示面板产业链目前在逐渐向中国大陆转移，而基于显示面板驱动的像素点较多、电流较大的特性，其对应的面板驱动芯片主要由金凸块制作。
在进行驱动芯片的大批量生产过程中，因晶圆背面有particle(颗粒)或者校准偏移的问题，容易导致曝光偏移，进而导致后续电镀时金凸块出现生长偏移，由此使得芯片底部的铝(Al)裸露出来，使得产品可靠性会大幅降低，并且后续上面板时还会有校准偏差的风险。
在现有技术中，对于上述出现金凸块偏移的驱动芯片，大多采用返工处理，并通过返工处理去除偏移的金凸块，然后重新执行金凸块的准确生长。但是，金是一种非常稳定的金属，因此在进行偏移金凸块的蚀刻时极易对其所暴露的铝造成损伤，从而造成返工处理失败。
发明内容
鉴于此，为解决上述背景技术中所提出的在蚀刻偏移金凸块时会对驱动芯片中的铝层造成损伤的问题，本发明的目的在于提供一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法，包括如下步骤：
S1.取一带有偏移金凸块的问题晶圆，并对所述问题晶圆进行预处理：
S11.取一带有偏移金凸块的问题晶圆，并在所述问题晶圆上表面形成一层光刻胶层，所述光刻胶层覆盖问题晶圆上表面和偏移金凸块上表面；
S12.采用干法蚀刻工艺对光刻胶层进行表面蚀刻，露出部分偏移金凸块；
S2.对预处理后的所述问题晶圆进行蚀刻处理：
S21.将预处理后的问题晶圆放入金蚀刻液中进行蚀刻，完全除去所述偏移金凸块；
S22.使用胶液洗去剩余光刻胶层；
S23.采用双氧水去除所述偏移金凸块底部的金属化层，且所述金属化层为溅镀钛钨层；
S3.对蚀刻处理后的所述问题晶圆进行金凸块生长的重新作业。
优选的，在所述步骤S11中，所述光刻胶层覆盖偏移金凸块上表面的覆盖厚度控制在2-4um。
优选的，所述光刻胶层为负性PI光刻胶层。
优选的，所述负性PI光刻胶层由HD4100-PI负性光刻胶涂布形成。
优选的，在所述步骤S12中，所述光刻胶层蚀刻后露出偏移金凸块的高度控制在2-3um。
优选的，在所述步骤S21中，所述金蚀刻液采用碘与碘化钾的混合溶液。
优选的，在所述步骤S22中，所述胶液中包含氧化保护剂和四甲基氢氧化铵，且所述氧化保护剂用于保护问题晶圆中的金属布线层。
优选的，所述四甲基氢氧化铵在胶液中的质量占比不超过1％，所述金属布线层的材料为铝。
优选的，在执行所述步骤S3之前，还包括对蚀刻处理后的所述问题晶圆进行IQC检验。
本发明与现有技术相比，具有以下有益效果：
在本发明中，首先利用负性光刻胶对问题晶圆进行覆盖，然后蚀刻负性光刻胶以露出部分问题晶圆上的偏移金凸块，由此保证偏移金凸块能被金蚀刻液有效蚀刻，而对偏移金凸块所形成的铝暴露部分，则由负性光刻胶形成有效填充和覆盖，从而保证偏移金凸块在被蚀刻时，其金蚀刻液不会对偏移金凸块所暴露的铝造成损伤。
另外，在洗去负性光刻胶的胶液中添加氧化保护剂和不足1％的四甲基氢氧化铵，以此在去除负性光刻胶时对问题晶圆中的铝进行进一步的保护，进而使问题晶圆中的铝在完成整体处理后能完整保存。
附图说明
图1为本发明提供的处理方法流程图；
图2为本发明提供的处理方法所处理的问题晶圆的结构示意图；
图3为执行本发明提供的处理方法时覆盖光刻胶层后的结构示意图；
图4为执行本发明提供的处理方法时部分蚀刻光刻胶层后露出部分偏移金凸块的结构示意图；
图5为执行本发明提供的处理方法时完全蚀刻偏移金凸块后的结构示意图；
图6为执行本发明提供的处理方法时完全洗去光刻胶层后的结构示意图；
图7为执行本发明提供的处理方法时完全去除金属化层后的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明中，提供了一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法，具体请参阅图1所示，所述的处理方法包括如下步骤：
S1.预处理
S11.取一带有偏移金凸块1的问题晶圆2，并在问题晶圆2上表面形成一层光刻胶层3，光刻胶层3覆盖问题晶圆2上表面和偏移金凸块1上表面；
上述，关于带有偏移金凸块1的问题晶圆2，其具体结构如图2所示，在图2中，该问题晶圆2主要包括由下至上依次分布的基层芯片、金属布线层4、钝化层、金属化层5和偏移金凸块1，其中金属化层5和偏移金凸块1设置在钝化层的开口内，以使金属化层5与部分金属布线层4接触；
具体，在形成光刻胶层3后，其构成的结构如图3所示，且关于光刻胶层3的形成采用HD4100-PI负性光刻胶涂布而成；在涂布中，将光刻胶层3覆盖偏移金凸块1上表面的覆盖厚度控制在2-4um。
S12.采用干法蚀刻工艺对光刻胶层3进行表面蚀刻，露出部分偏移金凸块1；上述，在蚀刻光刻胶层3后形成图4所示结构；且在该结构中，光刻胶层3蚀刻后露出的偏移金凸块1的高度控制在2-3um。
S2.蚀刻处理
S21.将预处理后的问题晶圆2放入金蚀刻液中进行蚀刻，完全除去偏移金凸块1；上述，在完全除去偏移金凸块1后形成图5所示结构，且蚀刻过程中应用的金蚀刻液具体采用碘与碘化钾的混合溶液。
S22.使用胶液洗去剩余光刻胶层3；上述，在完全洗去剩余光刻胶层3后形成图6所示结构，且所使用的胶液中包含氧化保护剂和四甲基氢氧化铵；其中：氧化保护剂用于保护问题晶圆2中的金属布线层4，金属布线层4的材料为铝；四甲基氢氧化铵在胶液中的质量占比不超过1％。
S23.采用双氧水去除偏移金凸块1底部的金属化层5，且金属化层5为溅镀钛钨层；上述，在完全去除溅镀钛钨层后形成图7所示结构，以此实现钝化层开口内的完全清理，且在处理过程中双氧水不会蚀刻铝，保证了金属布线层4(铝层)的完整。
S3.对蚀刻处理后的问题晶圆2进行IQC检验；以此保证上述蚀刻清理的完整，避免出现残留，同时对金属布线层4(铝层)的完整性进行检验，以保证处理后的问题晶圆2仍可继续利用。
S4.对IQC检验后合格的问题晶圆2进行金凸块生长的重新作业。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (9)

1.一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.取一带有偏移金凸块的问题晶圆，并对所述问题晶圆进行预处理：
S11.取一带有偏移金凸块的问题晶圆，并在所述问题晶圆上表面形成一层光刻胶层，所述光刻胶层覆盖问题晶圆上表面和偏移金凸块上表面；
S12.采用干法蚀刻工艺对光刻胶层进行表面蚀刻，露出部分偏移金凸块；
S2.对预处理后的所述问题晶圆进行蚀刻处理：
S21.将预处理后的问题晶圆放入金蚀刻液中进行蚀刻，完全除去所述偏移金凸块；
S22.使用胶液洗去剩余光刻胶层；
S23.采用双氧水去除所述偏移金凸块底部的金属化层，且所述金属化层为溅镀钛钨层；
S3.对蚀刻处理后的所述问题晶圆进行金凸块生长的重新作业。
2.根据权利要求1所述的一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法，其特征在于：在所述步骤S11中，所述光刻胶层覆盖偏移金凸块上表面的覆盖厚度控制在2-4um。
3.根据权利要求1所述的一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法，其特征在于：所述光刻胶层为负性PI光刻胶层。
4.根据权利要求3所述的一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法，其特征在于：所述负性PI光刻胶层由HD4100-PI负性光刻胶涂布形成。
5.根据权利要求1所述的一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法，其特征在于：在所述步骤S12中，所述光刻胶层蚀刻后露出偏移金凸块的高度控制在2-3um。
6.根据权利要求1所述的一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法，其特征在于：在所述步骤S21中，所述金蚀刻液采用碘与碘化钾的混合溶液。
7.根据权利要求1所述的一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法，其特征在于：在所述步骤S22中，所述胶液中包含氧化保护剂和四甲基氢氧化铵，且所述氧化保护剂用于保护问题晶圆中的金属布线层。
8.根据权利要求7所述的一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法，其特征在于：所述四甲基氢氧化铵在胶液中的质量占比不超过1％，所述金属布线层的材料为铝。
9.根据权利要求1所述的一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法，其特征在于：在执行所述步骤S3之前，还包括对蚀刻处理后的所述问题晶圆进行IQC检验。
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