CN111951864B - 一种控制读操作的方法、装置以及Nand flash存储器 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种控制读操作的方法、装置以及Nand flash存储器。所述方法包括：接收第一读操作指令，执行对应的第一读操作，当第一读操作发生数据读取错误时，通过选通管检测隔离字线是否处于未被选通的状态，若隔离字线处于未被选通的状态，则通过隔离字线电荷泵调整隔离字线的工作电压。本发明的方案检测隔离字线的选通状态，若是未选通状态，则调整给隔离字线提供工作电压的电荷泵的供电电压，实现隔离字线处于被选通状态，从而正确读取存储单元中字线上的数据，提高了Nand flash存储器字线读操作的可靠性，同时减少了读操作中读循环的次数，有利于延长Nand flash存储器中存储单元的使用寿命。

Description

一种控制读操作的方法、装置以及Nand flash存储器

技术领域

本发明涉及存储领域，尤其涉及一种控制读操作的方法、装置以及Nand flash存储器。

背景技术

目前，Nand flash存储器包括：选通管、隔离字线、存储单元阵列以及电荷泵，存储单元阵列由多个字线组合而成，这些字线中存在边缘字线和中间字线，所谓边缘字线是指在存储单元阵列边缘位置上的两个字线，除去这两个边缘字线以外的字线都为中间字线；选通管用于Nand flash存储器执行各种操作时具体选择导通哪些字线，以对这些字线执行各种操作；隔离字线用于隔离边缘字线与选通管，使得边缘字线不受选通管的影响，隔离字线不执行擦除和编程操作，电荷泵给存储单元阵列提供操作电压，电荷泵分多级，电荷泵其中一级可以给多个字线提供操作电压，也有极端情况，电荷泵其中一级只给一个字线提供操作电压，这是根据Nand flash存储器的具体情况来决定。

因Nand flash存储器存储单元阵列自身的特性和排布的方式，在对Nand flash存储器执行读操作时，每一个读循环时，都需要通过选通管对所有字线进行选通，即只有当所有字线处于被导通的状态才可以正确执行读操作。

在实际执行读操作的过程中，很多因素都会引发Nand flash存储器-读操作发生数据读取错误，导致Nand flash存储器读操作可靠性较低。

发明内容

本发明提供一种控制读操作的方法、装置以及Nand flash存储器，解决了引发Nand flash存储器读操作发生数据读取错误的多种因素中部分因素引发的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种控制读操作的方法，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：选通管、隔离字线、存储单元阵列以及电荷泵，所述存储单元阵列包括：边缘字线，所述边缘字线为在所述存储单元阵列边缘位置的两个字线，所述隔离字线用于隔离所述边缘字线与所述选通管，使得边缘字线不受所述选通管的影响，所述电荷泵包括：隔离字线电荷泵，所述隔离字线电荷泵为所述隔离字线提供工作电压；所述方法包括：

接收第一读操作指令；

执行所述第一读操作指令对应的第一读操作；

当所述第一读操作发生数据读取错误时，通过所述选通管检测所述隔离字线是否处于未被选通的状态；

若所述隔离字线处于未被选通的状态，则通过所述隔离字线电荷泵调整所述隔离字线的工作电压，所述隔离字线调整后的工作电压的大小满足所述选通管再次对所述隔离字线进行选通所需要的电压大小。

可选地，所述Nand flash存储器还包括：电压检测单元，若所述隔离字线处于未被选通的状态，则通过所述隔离字线电荷泵调整所述隔离字线的工作电压，包括：

若所述隔离字线处于未被选通的状态，则通过所述电压检测单元检测所述隔离字线的阈值电压；

根据所述阈值电压，确定所述隔离字线电荷泵针对所述隔离字线需要调整的工作电压；

根据所述需要调整的工作电压，通过所述隔离字线电荷泵调整所述隔离字线的工作电压。

可选地，在通过所述隔离字线电荷泵调整所述隔离字线的工作电压之后，所述方法还包括：

接收第二读操作指令；

响应于所述第二读操作指令，通过所述选通管对所述隔离字线进行选通，使得所述隔离字线处于被选通状态；

执行第二读操作指令对应的第二读操作。

可选地，所述方法还包括：

在执行所述第一读操作指令对应的第一读操作的过程中，针对每个读循环，通过所述选通管检测所述隔离字线是否处于被选通的状态；

若所述隔离字线未处于被选通的状态，则确定所述第一读操作发生数据读取错误。

本发明实施例还提供了一种控制读操作的装置，所述装置应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：选通管、隔离字线、存储单元阵列以及电荷泵，所述存储单元阵列包括：边缘字线，所述边缘字线为在所述存储单元阵列边缘位置的两个字线，所述隔离字线用于隔离所述边缘字线与所述选通管，使得边缘字线不受所述选通管的影响，所述电荷泵包括：隔离字线电荷泵，所述隔离字线电荷泵为所述隔离字线提供工作电压；所述装置包括：

接收第一指令模块，用于接收第一读操作指令；

执行第一操作模块，用于执行所述第一读操作指令对应的第一读操作；

检测模块，用于当所述第一读操作发生数据读取错误时，通过所述选通管检测所述隔离字线是否处于未被选通的状态；

调整模块，用于若所述隔离字线处于未被选通的状态，则通过所述隔离字线电荷泵调整所述隔离字线的工作电压，所述隔离字线调整后的工作电压的大小满足所述选通管再次对所述隔离字线进行选通所需要的电压大小。

可选地，所述Nand flash存储器还包括：电压检测单元，所述调整模块包括：

检测电压子模块，用于若所述隔离字线处于未被选通的状态，则通过所述电压检测单元检测所述隔离字线的阈值电压；

确定电压子模块，用于根据所述阈值电压，确定所述隔离字线电荷泵针对所述隔离字线需要调整的工作电压；

调整子模块，用于根据所述需要调整的工作电压，通过所述隔离字线电荷泵调整所述隔离字线的工作电压。

可选地，所述装置还包括：

接收第二指令模块，用于接收第二读操作指令；

响应选通模块，用于响应于所述第二读操作指令，通过所述选通管对所述隔离字线进行选通，使得所述隔离字线处于被选通状态；

执行第二操作模块，用于执行第二读操作指令对应的第二读操作。

可选地，所述装置还包括：

循环检测模块，用于在执行所述第一读操作指令对应的第一读操作的过程中，针对每个读循环，通过所述选通管检测所述隔离字线是否处于被选通的状态；

确定错误模块，用于若所述隔离字线未处于被选通的状态，则确定所述第一读操作发生数据读取错误。

本发明实施例还提供了一种Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：选通管、隔离字线、存储单元阵列以及电荷泵，所述存储单元阵列包括：边缘字线，所述边缘字线为在所述存储单元阵列边缘位置的两个字线，所述隔离字线用于隔离所述边缘字线与所述选通管，使得边缘字线不受所述选通管的影响，所述电荷泵包括：隔离字线电荷泵，所述隔离字线电荷泵为所述隔离字线提供工作电压；所述Nand flash存储器用于执行以上任一所述的方法。

可选地，所述Nand flash存储器还包括：电压检测单元，用于在所述隔离字线处于未被选通的状态的情况下，检测所述隔离字线的阈值电压。

与现有技术相比，本发明提供的一种控制读操作的方法、装置以及Nand flash存储器，接收读操作指令，执行读操作，当读操作发生数据读取错误时，通过选通管检测隔离字线是否处于未被选通的状态，若隔离字线处于未被选通的状态，则通过隔离字线电荷泵调整隔离字线的工作电压，该工作电压的大小满足选通管再次对隔离字线进行选通所需要的电压大小。本发明的方案检测隔离字线的选通状态，若是未选通状态，则调整给隔离字线提供工作电压的电荷泵的供电电压，实现隔离字线处于被选通状态，从而正确读取Nandflash存储器字线上的数据，提高了Nand flash存储器字线读操作的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例的一种控制读操作的方法的流程图；

图2是本发明实施例步骤104的具体流程图；

图3是本发明实施例Nand flash存储器内部的示意图；

图4是本发明实施例的一种控制读操作的装置的框图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

发明人发现，现有Nand flash存储器存储单元在读操作时会产生一个问题：在实际执行读操作的过程中，常常因为隔离字线处于未被选通的状态，导致Nand flash存储器读操作发生数据读取错误，导致Nand flash存储器的读操作的可靠性较低。发明人进一步发现产生这个问题的原因是：例如：Nand flash存储器中存储单元阵列共有10个字线，地址分别为wl0、wl1、wl2、wl3、wl4、wl5、wl6、wl7、wl8、wl9，其中wl0和wl9为边缘字线，其余的字线为中间字线，而在wl0和wl9不与中间字线相邻的另一边各有一个隔离字线(也叫：dummywl)，提供给这两个隔离字线的栅极电压要低于与其相邻的边缘字线的栅极电压，原因是若提供给这两个隔离字线的栅极电压与边缘字线的栅极电压一样，那么在读操作时，因为隔离字线自身结构原因，会产生较高的电流，严重影响边缘字线的工作状态，甚至可能会导致选通管误选通，因此提供给隔离字线的栅极电压要低于边缘字线的栅极电压。

根据存储单元自身的特性，当有电压差存在，并且有电压源驱动时，电子会自动从高电位向低电位移动，所以在执行读操作的过程中，由于边缘字线和隔离字线会同时被电荷泵驱动，虽然电子会按照电荷泵驱动的方向去移动，但还是会有极小数量的边缘字线的栅极中的电子向隔离字线的栅极中移动，尤其是随着边缘字线执行读操作过程中随着读循环次数的增加，读电压也会变高，这样的电子移动的现象更加剧烈，虽然这种移动的电子的数量是极少极少的，但随着时间的推移和读循环次数的增加，隔离字线栅极上的电压不可避免的就被抬高了，因此隔离字线的阈值电压也就被抬高了。

假设Nand flash存储器在出厂时设置的隔离字线的阈值电压为3.0V，随着时间的推移和边缘字线执行读操作过程中读循环次数的增加，隔离字线的阈值电压可能会变为6.0V，但是为隔离字线提供工作电压的电荷泵提供的电压依然是3.0V，那么在读操作的读循环过程中，隔离字线无法被导通，即选通管无法选通隔离字线，隔离字线处于未被选通的状态，例如：对wl0执行读操作的过程中，第一次读循环使用的电压为3.0V，此时wl0的栅极电子极少量的移动到隔离字线的栅极，但隔离字线的阈值电压可能依然不会被抬高，因此隔离字线的阈值电压依然为3.0V，隔离字线电荷泵提供的工作电压也为3.0V，隔离字线被导通，处于被选通状态，第二次读循环使用的电压为3.2V，此时wl0的栅极电子又有极少量的移动到隔离字线的栅极，但隔离字线的阈值电压可能依然不会被抬高，因此隔离字线的阈值电压依然为3.0V，隔离字线电荷泵提供的工作电压也为3.0V，隔离字线被导通，处于被选通状态，第三次读循环使用的电压为3.5V，此时wl0的栅极电子又有极少量的移动到隔离字线的栅极，此时隔离字线的阈值电压可能会被抬高，因此隔离字线的阈值电压变为3.2V，隔离字线电荷泵提供的工作电压仍然为3.0V，隔离字线不会被导通，处于未被选通状态，从而导致Nand flash存储器读数据错误，使得Nand flash存储器读操作的可靠性。

基于以上问题，发明人经过深入研究，结合Nand flash存储器中电荷泵的分级提供操作电压的特性，经过大量实地测试和仿真计算，大胆地、创造性的提出根据隔离字线阈值电压的不同，用隔离字线电荷泵调整供给隔离字线的工作电压，解决了上述问题。以下对发明人提出的解决方案进行详细解释和说明。

图1示出了本发明实施例的一种控制读操作方法的流程图。该方法应用于Nandflash存储器，Nand flash存储器包括：选通管、隔离字线、存储单元阵列以及电荷泵，存储单元阵列包括：边缘字线，边缘字线为在存储单元阵列边缘位置的两个字线，隔离字线用于隔离边缘字线与选通管，使得边缘字线不受选通管的影响，电荷泵包括：隔离字线电荷泵，隔离字线电荷泵为隔离字线提供工作电压；控制读操作的方法包括如下步骤：

步骤101：接收第一读操作指令。

本发明实施例中，Nand flash存储器在需要执行读操作时，首先上位机向Nandflash存储器发送读操作指令，Nand flash存储器接收读操作指令，该读操作指令包括需要读取数据的存储单元的地址。例如：如图3中所示，Nand flash存储器中存储单元阵列包括10个字线和两个隔离字线，10个字线地址分别为wl0、wl1、wl2、wl3、wl4、wl5、wl6、wl7、wl8、wl9，其中wl0和wl9为边缘字线，wl1、wl2、wl3、wl4、wl5、wl6、wl7、wl8为中间字线，与wl0相邻的隔离字线编号为1，与wl9相邻的隔离字线编号为2，边缘字线电荷泵为wl0和wl9提供操作电压，隔离字线电荷泵为1号隔离字线和2号隔离字线提供工作电压。

步骤102：执行第一读操作指令对应的第一读操作。

本发明实施例中，在Nand flash存储器接收读操作指令后，执行读操作指令对应的读操作，读操作与编程操作和擦除操作一样，也有读循环：读验证操作和读加压操作，每进行一次读加压操作就会提高读加压的电压。例如图3中，假设读操作指令包括的存储单元的地址为：0000H～FFFFH，其所属的字线是wl0，第一次读加压操作时采用3.0V的电压，之后读验证操作wl0未全部验证，则第二次读加压操作时会采用3.2V的电压，直到wl0全部通过读验证，或者读循环次数达到上限，则读操作结束。

步骤103：当第一读操作发生数据读取错误时，通过选通管检测隔离字线是否处于未被选通的状态。

本发明实施例中，在进行读操作的过程中，因每一次读循环时，都需要首先选通所有字线，因此若是发生数据读取错误时，可以通过选通管检测隔离字线是否处于未被选通的状态，若隔离字线未处于被选通的状态，则确定第一读操作发生数据读取错误；若隔离字线都处于被选通的状态，则确定第一读操作发生数据读取错误原因的其他因素，例如：存储单元损坏，读加压的电压不满足条件等。例如：如图3中，1号、2号隔离字线的阈值电压为3.0V，隔离字线电荷泵为1号、2号隔离字线提供3.0V工作电压，对wl0执行读操作，第一次读操作循环时，采用3.0V读加压电压，wl0的栅极电子极少量的移动到1号隔离字线的栅极，但1号隔离字线的阈值电压可能不会被抬高，因此1号隔离字线的阈值电压依然为3.0V，2号隔离字线因为没有对wl9执行读操作，因此阈值电压也为3.0V，隔离字线电荷泵提供的工作电压也为3.0V，1号、2号隔离字线都被导通，处于被选通状态，第二次读循环使用的电压为3.3V，wl0的栅极电子又有极少量的移动到1号隔离字线的栅极，此时1号隔离字线的阈值电压可能会被抬高，1号隔离字线的阈值电压变为3.2V，2号隔离字线因为没有对wl9执行读操作，因此阈值电压仍为3.0V，隔离字线电荷泵提供的工作电压仍然为3.0V，1号隔离字线不会被导通，处于未被选通状态，2号隔离字线被导通，处于被选通状态，但因为1号隔离字线处于未被选通状态，所以读操作无法完成，导致发生数据读取错误。

步骤104：若隔离字线处于未被选通的状态，则通过隔离字线电荷泵调整隔离字线的工作电压，隔离字线调整后的工作电压的大小满足选通管再次对隔离字线进行选通所需要的电压大小。

本发明实施例中，在确定读操作发送读取数据错误是因为隔离字线处于未被选通的状态而引发的，通过隔离字线电荷泵调整隔离字线的工作电压，而因为发生读取数据错误，本次读操作就结束了，隔离字线电荷泵调整隔离字线工作电压后，需要再一次执行读操作时，需要再接收读操作指令，响应于第二次的读操作指令，因为隔离字线电荷泵提高了工作电压，因此隔离字线会被导通，使得隔离字线处于被选通状态，第二读操作指令对应的第二次读操作就可以顺利完成。隔离字线电荷泵调整隔离字线的工作电压为大于等于隔离字线被抬高后的阈值电压。例如：如图3中，第一次读操作过程中，因为1号隔离字线的阈值电压在一次读循环后被抬高为3.2V，导致1号隔离字线处于未被选通状态，隔离字线电荷泵调整供给1号、2号隔离字线的工作电压为3.2V，第一次读操作结束。

之后又接收到第二次读操作指令，第二次读循环的过程中，对wl0执行读操作，第一次读操作循环时，采用3.0V读加压电压，wl0的栅极电子极少量的移动到1号隔离字线的栅极，1号隔离字线的阈值电压不会被抬高，因此1号隔离字线的阈值电压为3.2V，2号隔离字线因为没有对wl9执行读操作，因此阈值电压为3.0V，隔离字线电荷泵提供的工作电压也为3.2V，1号、2号隔离字线都被导通，处于被选通状态，第二次读循环使用的电压为3.3V，wl0的栅极电子又有极少量的移动到1号隔离字线的栅极，此时1号隔离字线的阈值电压不会被抬高，1号隔离字线的阈值电压仍为3.2V，2号隔离字线因为没有对wl9执行读操作，因此阈值电压仍为3.0V，隔离字线电荷泵提供的工作电压仍然为3.2V，1号、2号隔离字线都被导通，处于被选通状态，此次读循环后，需要读取的数据全部被正确读出，读操作结束。

需要说明的是，上述过程中，假设隔离字线电荷泵调整供给1号、2号隔离字线的工作电压后，第二次读操作又因为隔离字线处于未被选通状态导致读取数据错误，则隔离字线电荷泵继续调整供给的工作电压，重复上述过程直到读操作所需读取的数据被正确读出，或者读操作的读循环次数达到上限，读操作结束；或者隔离字线电荷泵调整供给1号、2号隔离字线的工作电压稍于隔离字线被抬高后的阈值电压，使得第二次读操作就可以正确读取出所需数据，这样同时减少了存储单元的读循环次数，有利于延长存储单元的使用寿命。

可选地，Nand flash存储器还包括：电压检测单元，参照图2，步骤104具体包括：

步骤104a：若隔离字线处于未被选通的状态，则通过电压检测单元检测隔离字线的阈值电压；

本发明实施例中，Nand flash存储器还包括：电压检测单元，用来检测存储单元阵列中各个字线的阈值电压以及隔离字线的阈值电压，在隔离字线处于未被选通的状态时，首先需要检测该隔离字线的阈值电压。例如：如图3中，假设1号隔离字线处于未被选通的状态时，其阈值电压为3.2V，那么电压检测单元检测出的1号隔离字线的阈值电压就为3.2V。

步骤104b：根据阈值电压，确定隔离字线电荷泵针对隔离字线需要调整的工作电压。

本发明实施例中，在确定了隔离字线的阈值电压后，需要确定隔离字线电荷泵针对隔离字线需要调整的工作电压。例如：如图3中，假设检测出的1号隔离字线的阈值电压为3.2V，根据该阈值电压3.2V，确定为1号隔离字线提供操作电压的隔离字线电荷泵需要调整的工作电压。

步骤104c：根据需要调整的工作电压，通过隔离字线电荷泵调整隔离字线的工作电压。

本发明实施例中，确定了隔离字线电荷泵需要调整的工作电压，隔离字线电荷泵调整隔离字线的工作电压的电压值为需要调整的工作电压的电压值。例如：如图3中，1号隔离字线需要调整的工作电压为3.2V，则隔离字线电荷泵调整1号隔离字线的工作电压为3.2V。因隔离字线电荷泵同时也为2号隔离字线提供工作电压，因此2号隔离字线的工作电压也为3.2V，因wl7没有执行读操作，所以2号隔离字线没有受到影响，依然是3.0V，则隔离字线电荷泵提供的3.2V工作电压可以导通2号隔离字线，使得1号、2号隔离字线都被导通，处于被选通状态。

参照图3，示出了本发明实施例Nand flash存储器内部的示意图，Nand flash存储器中存储单元阵列包括10个字线，地址分别为wl0、wl1、wl2、wl3、wl4、wl5、wl6、wl7，其中wl0和wl7为边缘字线，边缘字线电荷泵通过选通管101和102为wl0和wl7提供操作电压，与wl0相邻的隔离字线编号为1，与wl7相邻的隔离字线编号为2，隔离字线电荷泵通过选通管101和102为1号隔离字线和2号隔离字线提供工作电压。

假若Nand flash存储器中wl7字线执行读操作，1号、2号隔离字线的阈值电压为3.0V，隔离字线电荷泵为1号、2号隔离字线提供3.0V工作电压，对wl7执行读操作，第一次读操作循环时，采用3.0V读加压电压，wl7的栅极电子极少量的移动到2号隔离字线的栅极，2号隔离字线的阈值电压未被抬高，因此2号隔离字线的阈值电压依然为3.0V，1号隔离字线因为没有对wl0执行读操作，因此阈值电压也为3.0V，隔离字线电荷泵提供的工作电压也为3.0V，1号、2号隔离字线都被导通，处于被选通状态，第二次读循环使用的电压为3.3V，wl7的栅极电子又有极少量的移动到2号隔离字线的栅极，此时2号隔离字线的阈值电压被抬高，2号隔离字线的阈值电压变为3.2V，1号隔离字线因为没有对wl0执行读操作，因此阈值电压仍为3.0V，隔离字线电荷泵提供的工作电压仍然为3.0V，2号隔离字线不会被导通，处于未被选通状态，1号隔离字线被导通，处于被选通状态，但因为1号隔离字线处于未被选通状态，所以读操作无法完成，导致发生数据读取错误，电压检测单元检测2号隔离字线的阈值电压为3.2V，隔离字线电荷泵调整供给隔离字线的工作电压为3.4V。

第二次对wl7字线执行读操作，1号隔离字线的阈值电压为3.0V，2号隔离字线的阈值电压为3.2V，隔离字线电荷泵为1号、2号隔离字线提供3.4V工作电压，对wl7执行读操作，第一次读操作循环时，采用3.0V读加压电压，wl7的栅极电子极少量的移动到2号隔离字线的栅极，2号隔离字线的阈值电压未被抬高，因此2号隔离字线的阈值电压依然为3.2V，1号隔离字线因为没有对wl0执行读操作，因此阈值电压也为3.0V，隔离字线电荷泵提供的工作电压也为3.4V，1号、2号隔离字线都被导通，处于被选通状态；第二次读循环使用的电压为3.3V，wl7的栅极电子又有极少量的移动到2号隔离字线的栅极，2号隔离字线的阈值电压未被抬高，因此2号隔离字线的阈值电压依然为3.2V，1号隔离字线因为没有对wl0执行读操作，因此阈值电压也为3.0V，隔离字线电荷泵提供的工作电压也为3.4V，1号、2号隔离字线都被导通，处于被选通状态；第三次读循环使用的电压为3.7V，wl7的栅极电子又有极少量的移动到2号隔离字线的栅极，2号隔离字线的阈值电压被抬高，2号隔离字线的阈值电压变为3.4V，1号隔离字线因为没有对wl0执行读操作，因此阈值电压也为3.0V，隔离字线电荷泵提供的工作电压仍为3.4V，1号、2号隔离字线都被导通，处于被选通状态；此次读循环后，需要读取的数据全部被正确读出，读操作结束，保证了读操作的可靠性。

需要说的是，以上实施中例举的数据只是为了更好的解释本发明实施例而例举的简单数据，并不代表Nand flash存储器实际的具体数据。

参照图4，示出了本发明实施例一种控制读操作的装置的框图，该装置应用于Nandflash存储器，Nand flash存储器包括：选通管、隔离字线、存储单元阵列以及电荷泵，存储单元阵列包括：边缘字线，边缘字线为在存储单元阵列边缘位置的两个字线，隔离字线用于隔离边缘字线与选通管，使得边缘字线不受选通管的影响，电荷泵包括：隔离字线电荷泵，隔离字线电荷泵为隔离字线提供工作电压；控制读操作的装置包括：

接收第一指令模块310，用于接收第一读操作指令；

执行第一操作模块320，用于执行第一读操作指令对应的第一读操作；

检测模块330，用于当第一读操作发生数据读取错误时，通过选通管检测隔离字线是否处于未被选通的状态；

调整模块340，用于若隔离字线处于未被选通的状态，则通过隔离字线电荷泵调整隔离字线的工作电压，隔离字线调整后的工作电压的大小满足选通管再次对隔离字线进行选通所需要的电压大小。

可选地，Nand flash存储器还包括：电压检测单元，调整模块340包括：

检测电压子模块3401，用于若隔离字线处于未被选通的状态，则通过电压检测单元检测隔离字线的阈值电压；

确定电压子模块3402，用于根据阈值电压，确定隔离字线电荷泵针对隔离字线需要调整的工作电压；

调整子模块3403，用于根据需要调整的工作电压，通过隔离字线电荷泵调整隔离字线的工作电压。

可选地，控制读操作的装置还包括：

接收第二指令模块，用于接收第二读操作指令；

响应选通模块，用于响应于第二读操作指令，通过选通管对隔离字线进行选通，使得隔离字线处于被选通状态；

执行第二操作模块，用于执行第二读操作指令对应的第二读操作。

可选地，控制读操作的装置还包括：

循环检测模块，用于在执行第一读操作指令对应的第一读操作的过程中，针对每个读循环，通过选通管检测隔离字线是否处于被选通的状态；

确定错误模块，用于若隔离字线未处于被选通的状态，则确定第一读操作发生数据读取错误。

本发明实施例还提供一种Nand flash存储器，该Nand flash存储器包括：选通管、隔离字线、存储单元阵列以及电荷泵，存储单元阵列包括：边缘字线，边缘字线为在存储单元阵列边缘位置的两个字线，隔离字线用于隔离边缘字线与选通管，使得边缘字线不受选通管的影响，电荷泵包括：隔离字线电荷泵，隔离字线电荷泵为隔离字线提供工作电压；该Nand flash存储器用于执行步骤101～步骤104任一所述的方法。

可选地，该Nand flash存储器还包括：电压检测单元，用于在隔离字线处于未被选通的状态的情况下，检测隔离字线的阈值电压。

通过上述实施例，本发明在执行读操作时，接收读操作指令，执行读操作，当读操作发生数据读取错误时，通过选通管检测隔离字线是否处于未被选通的状态，若隔离字线处于未被选通的状态，检测隔离字线的阈值电压，通过隔离字线电荷泵调整隔离字线的工作电压大于等于检测出的阈值电压；再次接受读操作指令，响应于第二读操作指令，通过选通管对隔离字线进行选通，使得隔离字线处于被选通状态，最终完成读操作。本发明的方案检测隔离字线的选通状态，若是未选通状态，则调整给隔离字线提供工作电压的电荷泵的供电电压，实现隔离字线处于被选通状态，从而正确读取存储单元中字线上的数据，提高了Nand flash存储器字线读操作的可靠性，同时减少了读操作中读循环的次数，有利于延长Nand flash存储器中存储单元的使用寿命。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (10)

1.一种控制读操作的方法，其特征在于，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nandflash存储器包括：选通管、隔离字线、存储单元阵列以及电荷泵，所述存储单元阵列包括：边缘字线，所述边缘字线为在所述存储单元阵列边缘位置的两个字线，所述隔离字线用于隔离所述边缘字线与所述选通管，使得边缘字线不受所述选通管的影响，所述电荷泵包括：隔离字线电荷泵，所述隔离字线电荷泵为所述隔离字线提供工作电压；所述方法包括：

接收第一读操作指令；

执行所述第一读操作指令对应的第一读操作；

当所述第一读操作发生数据读取错误时，通过所述选通管检测所述隔离字线是否处于未被选通的状态；

若所述隔离字线处于未被选通的状态，则通过所述隔离字线电荷泵调整所述隔离字线的工作电压，所述隔离字线调整后的工作电压的大小满足所述选通管再次对所述隔离字线进行选通所需要的电压大小。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Nand flash存储器还包括：电压检测单元，若所述隔离字线处于未被选通的状态，则通过所述隔离字线电荷泵调整所述隔离字线的工作电压，包括：

若所述隔离字线处于未被选通的状态，则通过所述电压检测单元检测所述隔离字线的阈值电压；

根据所述阈值电压，确定所述隔离字线电荷泵针对所述隔离字线需要调整的工作电压；

根据所述需要调整的工作电压，通过所述隔离字线电荷泵调整所述隔离字线的工作电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在通过所述隔离字线电荷泵调整所述隔离字线的工作电压之后，所述方法还包括：

接收第二读操作指令；

响应于所述第二读操作指令，通过所述选通管对所述隔离字线进行选通，使得所述隔离字线处于被选通状态；

执行第二读操作指令对应的第二读操作。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在执行所述第一读操作指令对应的第一读操作的过程中，针对每个读循环，通过所述选通管检测所述隔离字线是否处于被选通的状态；

若所述隔离字线未处于被选通的状态，则确定所述第一读操作发生数据读取错误。

5.一种控制读操作的装置，其特征在于，所述装置应用于Nand flash存储器，所述Nandflash存储器包括：选通管、隔离字线、存储单元阵列以及电荷泵，所述存储单元阵列包括：边缘字线，所述边缘字线为在所述存储单元阵列边缘位置的两个字线，所述隔离字线用于隔离所述边缘字线与所述选通管，使得边缘字线不受所述选通管的影响，所述电荷泵包括：隔离字线电荷泵，所述隔离字线电荷泵为所述隔离字线提供工作电压；所述装置包括：

接收第一指令模块，用于接收第一读操作指令；

执行第一操作模块，用于执行所述第一读操作指令对应的第一读操作；

检测模块，用于当所述第一读操作发生数据读取错误时，通过所述选通管检测所述隔离字线是否处于未被选通的状态；

调整模块，用于若所述隔离字线处于未被选通的状态，则通过所述隔离字线电荷泵调整所述隔离字线的工作电压，所述隔离字线调整后的工作电压的大小满足所述选通管再次对所述隔离字线进行选通所需要的电压大小。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述Nand flash存储器还包括：电压检测单元，所述调整模块包括：

检测电压子模块，用于若所述隔离字线处于未被选通的状态，则通过所述电压检测单元检测所述隔离字线的阈值电压；

确定电压子模块，用于根据所述阈值电压，确定所述隔离字线电荷泵针对所述隔离字线需要调整的工作电压；

调整子模块，用于根据所述需要调整的工作电压，通过所述隔离字线电荷泵调整所述隔离字线的工作电压。

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

接收第二指令模块，用于接收第二读操作指令；

响应选通模块，用于响应于所述第二读操作指令，通过所述选通管对所述隔离字线进行选通，使得所述隔离字线处于被选通状态；

执行第二操作模块，用于执行第二读操作指令对应的第二读操作。

8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

循环检测模块，用于在执行所述第一读操作指令对应的第一读操作的过程中，针对每个读循环，通过所述选通管检测所述隔离字线是否处于被选通的状态；

确定错误模块，用于若所述隔离字线未处于被选通的状态，则确定所述第一读操作发生数据读取错误。

9.一种Nand flash存储器，其特征在于，所述Nand flash存储器包括：选通管、隔离字线、存储单元阵列以及电荷泵，所述存储单元阵列包括：边缘字线，所述边缘字线为在所述存储单元阵列边缘位置的两个字线，所述隔离字线用于隔离所述边缘字线与所述选通管，使得边缘字线不受所述选通管的影响，所述电荷泵包括：隔离字线电荷泵，所述隔离字线电荷泵为所述隔离字线提供工作电压；所述Nand flash存储器用于执行权利要求1-4任一所述的方法。

10.根据权利要求9所述的Nand flash存储器，其特征在于，所述Nand flash存储器还包括：电压检测单元，用于在所述隔离字线处于未被选通的状态的情况下，检测所述隔离字线的阈值电压。

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