CN111929982A - 金属层光刻工艺热点的修复方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种金属层光刻工艺热点的修复方法，包括以下步骤：S1：提供用于形成金属层的掩膜版图形，掩膜版图形中具有若干工艺热点区域，所述工艺热点区域包括对应金属线的第一区域及对应接触孔的第二区域；执行步骤S2，S2：获取所述第一区域的边缘线中与第二区域之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段；执行步骤S3，S3：将所述扩展线段向外移动第二设定值以扩大所述第一区域，并更新所述掩膜版图形；S4：对更新后的掩膜版图形进行仿真；S5：当仿真失败时，则返回步骤S3，当仿真通过或仿真的次数达到第三设定值时，输出最新的所述掩膜版图形。本发明的金属层光刻工艺热点的修复方法可以提升金属层光刻工艺热点的修复效率。

Description

金属层光刻工艺热点的修复方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种金属层光刻工艺热点的修复方法。

背景技术

光刻工艺是集成电路制造的主要工艺，光刻工艺是最复杂的技术之一，也是推动集成电路工艺发展的重要推动力。光刻工艺的优劣决定着集成电路的性能。光刻工艺是将掩模版图形向硅片表面各层材料上的转移，以使硅片表面各层材料上得到与掩模板图形相关的光刻图形。

随着技术节点的不断减小，在硅片表面金属层的光刻工艺中，由于光学成像本身的分辨率限制及金属层掩膜版图形的设计缺陷会导致金属层掩模版图形在硅片上的曝光图形中出现孔接触不良的缺陷(即光刻工艺热点)，这些出现缺陷的区域叫做光刻工艺热点区域，简称光刻工艺热点。光刻工艺热点可能会影响到金属层电路的性能，甚至导致集成电路流片失败。因此，应该在金属层掩膜版出版之前，找出光刻工艺热点并对金属层掩膜版图形进行光学邻近修复。

发明内容

本发明的目的在于提供一种金属层光刻工艺热点的修复方法，能够减少修复金属层掩膜版图形时出现新的光刻工艺热点的概率，提升了金属层光刻工艺热点的修复效率。

为了达到上述目的，本发明提供了一种金属层光刻工艺热点的修复方法，包括以下步骤：

S1：提供用于形成金属层的掩膜版图形，所述掩膜版图形中具有若干工艺热点区域，所述工艺热点区域包括对应金属线的第一区域及对应接触孔的第二区域；执行步骤S2，

S2：获取所述第一区域的边缘线中与所述第二区域之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段；执行步骤S3，

S3：将所述扩展线段向外移动第二设定值以扩大所述第一区域，并更新所述掩膜版图形；

S4：对更新后的所述掩膜版图形进行热点仿真；

S5：当热点仿真失败时，则返回步骤S3，当仿真通过或仿真的次数达到第三设定值时，输出最新的所述掩膜版图形。

可选的，在步骤S2中，获取所述扩展线段的步骤包括：

构建与所述第二区域同心的第一标记区域，所述第二区域的边缘线与所述第一标记区域的边缘线之间的距离为第一设定值；

获取位于所述第一标记区域中且与所述第一标记区域的任意边缘线平行的所述第一区域的边缘线的部分作为所述扩展线段；以及，

在对所述掩膜版图形进行热点仿真时忽略所述第一标记区域。

可选的，在步骤S2中，获取所述扩展线段的步骤包括：

获取所述第一区域与所述第二区域中距离小于或等于所述第一设定值的相邻的边缘线对，在所述相邻的边缘线对中，所述第二区域的边缘线位于所述第一区域内；

在所述相邻的边缘线之间构建与所述第二区域连通的第二标记区域，其中，所述第二标记区域在垂直于所述相邻的边缘线之间的宽度小于或等于所述第一设定值；所述第一区域的边缘线位于所述第二标记区域中的部分或与所述第二标记区域的重叠的部分作为所述扩展线段；以及，

在对所述掩膜版图形进行热点仿真时忽略所述第二标记区域。

可选的，所述第二标记区域在平行于所述相邻的边缘线之间的宽度等于所述第二区域的边缘线长度。

可选的，第二标记区域的形状为矩形。

可选的，所述第二设定值通过格点来计量，所述第二设定值为4个格点。

可选的，获取所述边缘线段之前，所述第二区域的所有边缘线往外移动若干个格点。

可选的，所述热点仿真的步骤包括：

通过模拟出所述掩膜版图形曝光后产生的虚拟图形，在所述虚拟图形中判断所述金属线对所述接触孔的覆盖率是否大于或等于第四设定值；

当所述金属线对所述接触孔的覆盖率大于或等于所述第四设定值，则判定所述热点仿真通过；

当所述金属线对所述接触孔的覆盖率小于所述第四设定值，则判定所述热点仿真失败。

可选的，所述第二区域的外形呈为正八边形。

可选的，所述第一设定值为所述接触孔的孔径。

本发明提供的金属层光刻工艺热点的修复方法包括以下步骤：S1：提供用于形成金属层的掩膜版图形，所述掩膜版图形中具有若干工艺热点区域，所述工艺热点区域包括对应金属线的第一区域及对应接触孔的第二区域；执行步骤S2，S2：获取所述第一区域的边缘线中与所述第二区域之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段；执行步骤S3，S3：将所述扩展线段向外移动第二设定值以扩大所述第一区域，并更新所述掩膜版图形；S4：对更新后的所述掩膜版图形进行热点仿真；S5：当热点仿真失败时，则返回步骤S3，当仿真通过或仿真的次数达到第三设定值时，输出最新的所述掩膜版图形。本发明的金属层光刻工艺热点的修复方法通过获取扩展线段后，通过多个循环步骤对扩展线段进行多次移动。以期望最终获得一个没有工艺热点的金属层掩膜版图形。本发明的金属层光刻工艺热点的修复方法可以降低修复金属层掩膜版图形时产生新的光刻工艺热点的概率，如此便提升了金属层光刻工艺热点的修复效率。

附图说明

图1为本发明实施例中的金属层掩膜版图形及其模拟曝光图形的示意图；

图2为本发明实施例中金属层光刻工艺热点的修复方法流程图；

图3为本发明实施例中的金属层掩膜版图形的局部示意图；

图4为本发明实施例中的一种获取扩展线段的流程图；

图5为本发明实施例中的第一标记区域与第二区域的示意图

图6为本发明实施例中的另一种获取扩展线段的流程图；

图7为本发明实施例中第二标记区域与第二区域的第一示意图；

图8为本发明实施例中的第三标记区域的示意图；

图9为本发明实施例中的添加第二标记区域的流程图；

图10为本发明实施例中的标记扩展边缘线的示意图；

图11为本发明实施例中的第二标记区域与第二区域的第二示意图；

其中，附图标记如下：

100-金属掩膜版图形；110-第一区域；120-第二区域；130-第一标记区域；140-第三标记区域；150-第二标记区域；160-扩展线段；170-标记扩展边缘线；180-第三区域；

200-模拟曝光图形；

D-通孔的孔径；X-直线距离。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图1为本发明实施例中的金属层掩膜版图形及其模拟曝光图形的示意图。如图1所示，背景技术中提到的在金属层掩膜版出版之前，应该找出光刻工艺热点并对金属层掩膜版图形进行光学邻近修复。目前业内通常采用的金属层光刻工艺热点的修复方法是基于模型的OPC(光学邻近效应修正)修复方法找出光刻工艺热点并加以修复。其原理是通过掩膜版图形设计软件建立一个基于特定光刻条件的曝光模型，模拟出金属层掩膜版图形100在硅片上的模拟曝光图形200，并找出模拟曝光图形200中金属层中的金属线与通孔接触面积过小的区域，即找出金属层掩膜版图形100的光刻工艺热点。并把模拟曝光图形200中的与金属线接触面积过小的通孔(即光刻工艺热点区域的通孔)转换至金属层掩膜版图形100上(即将光刻工艺热点位置的通孔投影至金属层掩膜版图形100上)，以形成金属层掩膜版上的第二区域120(也称热点标记图形)。与第二区域120接触的金属层掩膜版图形100，则视为第一区域110(即硅片上金属层中与通孔接触的金属线在金属层掩膜版图形100上的投影)。

基于此，本发明实施例中提供了一种金属层光刻工艺热点的修复方法，具体如下。

图2为本发明实施例中金属层光刻工艺热点的修复方法流程图。如图2所示，金属层光刻工艺热点的修复方法包括以下步骤：

步骤S1：提供用于形成金属层的掩膜版图形100，所述掩膜版图形100中具有若干工艺热点区域，所述工艺热点区域包括对应金属线的第一区域110及对应接触孔的第二区域120；执行步骤S2，

步骤S2：获取所述第一区域110的边缘线中与所述第二区域120之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段160；执行步骤S3，

步骤S3：将所述扩展线段160向外移动第二设定值以扩大所述第一区域110，并更新所述掩膜版图形100；

步骤S4：对更新后的所述掩膜版图形100进行热点仿真；

步骤S5：当热点仿真失败时，则返回步骤S3，当仿真通过或仿真的次数达到第三设定值时，输出最新的所述掩膜版图形100。

本发明的金属层光刻工艺热点的修复方法是采用掩膜版图形设计软件，基于规则的对掩膜版图形100进行自动光学邻近修复流程而实现的。通过第二区域120(即热点标记图形)获取扩展线段160后，在自动光学邻近修复流程中的光学邻近修复循环中，对扩展线段160进行多次移动。通过扩大第一区域110与第二区域120的接触面积，即第一区域110所对应的金属线与第二区域120所对应的接触孔的接触面积，消除金属线与接触孔接触不良的光刻工艺热点。本发明的金属层光刻工艺热点的修复方法提升了金属层光刻工艺热点的修复效率。

金属层掩膜版图形100的光学邻近修复循环的过程如下，需要输入存在光刻工艺热点的待修复金属层掩膜版图形100，所述金属层掩膜版图形100中包括第一区域110和第二区域120，设定光学邻近修复循环的次数与单次修复的修复量后，进入光学邻近修复循环。

可选的，在光学邻近修复循环中，所述第二设定值通过格点来计量，即每次光学邻近修复的修复量以格点为单位。可以理解为扩展线段160向第一区域110的外部进行延伸扩展的位移量(即修复量)通过格点来计量。

格点是金属层掩膜版图形100设计软件界面中设定的辅助计量方格，通常根据半导体的制程设定，例如在55纳米制程的金属层掩膜版的设计图中，格点的边为0.5nm，在28纳米制程的金属层掩膜版的设计图中，格点的边为0.2nm。

进一步的，所述第二设定值为四个格点。在每个光学邻近修复循环中，扩展线段160向第一区域110的外部进行延伸扩展的位移量为四个格点。应知道，光学邻近修复循环中的修复量也可以根据本领域技术人员的需要进行设定。每个光学邻近修复循环中的修复量包括但不限于一个格点、九个格点或十六个格点。

获取第一区域110的边缘线中与第二区域120之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段160，是光学邻近修复方法中的关键。在第一区域110的边缘线中获取若干合适的扩展线段160，是为了筛选第一区域110的边缘线中需要移动的部分，如此可以减少扩展线段160延伸扩展后，出现新的光刻工艺热点的概率。

图3为本实施例中的金属层掩膜版图形的局部示意图。如图3所示，在一个示范性的实施例中，存在光刻工艺热点的金属层掩膜版图形100中的热点区域在模拟曝光后所形成的模拟曝光图形200中，第一区域110为的模拟曝光图形200中的金属线。所述金属线与硅片上的通孔相连，以进一步连接硅片内的其它金属层。因此，为了保证金属线与通孔的连接效果，所述金属线对通孔的覆盖率是有要求的。

进一步的，所述光刻工艺要求为所述模拟曝光图形200的金属线对通孔的覆盖率大于等于90％。通过足够大的覆盖率以保证金属线与通孔的连接效果。

图4为本发明实施例中的一种获取扩展线段的步骤的流程图。

图5为本发明实施例中的第一标记区域与第二区域的示意图。

如图4和图5所示，在步骤S2中，本发明的实施例提出一种获取所述扩展线段的方法包括：

步骤S21'：构建与所述第二区域120同心的第一标记区域130，所述第二区域120的边缘线与所述第一标记区域130的边缘线之间的距离为第一设定值；

步骤S22'：获取位于所述第一标记区域130中且与所述第一标记区域130的任意边缘线平行的所述第一区域110的边缘线的部分作为所述扩展线段；以及，

步骤S23'：在对所述掩膜版图形100进行仿真时忽略所述第一标记区域130。

详细的，设定光学邻近修复循环次数与单次修复的修复量之后进入第一区域110的光学邻近修复循环。在每个第一区域110的光学邻近修复循环中，为了找出第一区域110中需要移动的扩展线段160。首先，对第二区域120进行放大以形成第一标记区域130，然后选择第一区域110中落入第一标记区域130的那部分边缘线作为扩展线段160。扩展线段160按照所设定的修复量(即第二设定值)向第一区域110的外部进行移动以延伸扩展。扩展线段160延伸扩展后得到新一版的金属层掩膜版图形100。通过掩膜版图形100设计软件对更新后的金属层掩膜版图形100进行仿真，并判断更新后的金属层掩膜版图形100是否消除了光刻工艺热点，若光刻工艺热点的数量为零，则结束光学邻近修复循环。若模拟曝光图形200中还存有光刻工艺热点。将模拟曝光图形200中的光刻工艺热点转换至更新后的金属层掩膜版图形100上。此时金属层掩膜版图形100仍然存有若干第二区域120，同时，将所述最新版的金属层掩膜版图形100作为原始版的金属层掩膜版图形100，进入下一轮光学邻近修复循环。直到光学邻近修复循环的次数达到设定的光学邻近修复循环次数或者修复后的金属层掩膜版图形100通过仿真，输出最新版的金属层掩膜版图形100。

可选的，所述第二区域的外形呈为正八边形。通孔投影至金属层掩膜版图形100上形成第二区域120，所述第二区域120为正八边形，所述正八边形的内切圆为所述通孔在所述原始版的金属层掩膜版图形100上的投影(即通孔在所述第一区域110上的投影)。应知道，第二区域120的外形是基于设计软件的光学曝光模型而决定的。

可选的，所述第一设定值为所述接触孔的孔径。

请继续参照图5，呈正八边形的第二区域120的内切圆直径为硅片上通孔的孔径。应知道，所述第二区域120边缘线的距离超过一个通孔的孔径的区域，在模拟曝光图形200中，已经处于通孔之外的区域。对改善模拟曝光图形200中的金属线与通孔的接触面积(即金属线对通孔的接触面积)没有意义。因此，通常设定第二区域120的边缘线与第一标记区域130的边缘线之间的距离为接触孔的孔径，也即，第一设定值为接触孔的孔径。

优选的，所述标记扩展边缘线170与所述第一区域110的边的间距小于所述通孔的孔径。以使被填充的第二标记区域150中，其距离所述标记扩展边缘线170最远的边与标记扩展边缘线170的直线距离X不超过一个通孔的孔径D。

第一区域110的周边还存有第三区域180，第三区域180的模拟曝光图形200亦为硅片上金属线，且与通孔的接触良好。但是金属层掩膜版图形100中的第三区域180的部分边缘线也会落入第一标记区域130内，并形成扩展线段160。因此，移动所述扩展线段160时，第三区域180中的扩展线段160也会移动，导致第三区域180向外延伸。然而，第三区域180向外延伸并不能改善第一区域110对通孔的覆盖率，相反的，第三区域180向外延伸会导致第三区域180与第一区域110的间距减小，可能导致新的光刻工艺热点出现。因此，上述的金属层光刻工艺热点的修复方法仍有改进的空间。

基于此，为了避免修复第一区域110时，第三区域180也向外扩展并导致新的光刻工艺热点出现，本发明的实施例还提出另一种获取扩展线段的方法。

图6为本发明实施例中的另一种获取扩展线段的流程图。

图7为本发明实施例中第二标记区域与第二区域的第一示意图。

图8为本实施例中第三标记区域的示意图。

如图6至图8所示，在步骤S2中，获取所述扩展线段160的步骤包括：

步骤S21：获取所述第一区域110与所述第二区域120中距离小于或等于所述第一设定值的相邻的边缘线对，在所述相邻的边缘线对中，所述第二区域120的边缘线位于所述第一区域图形110以内；

步骤S22：在所述相邻的边缘线之间构建与所述第二区域120连通的第二标记区域150，其中，所述第二标记区域150在垂直于所述相邻的边缘线之间的宽度为小于或等于所述第一设定值；

步骤S23：所述第一区域110的边缘线位于所述第二标记区域120中的部分或与所述第二标记区域120的重叠的部分作为所述扩展线段；以及，

步骤S24：在对所述掩膜版图形进行仿真时忽略所述第二标记区域150。

应知道，第一区域110与第二区域120中距离小于或等于第一设定值的相邻的边缘线之间插入第二标记区域150，第二标记区域150在垂直于所述相邻的边缘线之间的宽度为第一设定值，如此，第一区域110的边缘线位于所述第二标记区域120中的部分或与所述第二标记区域150的重叠的部分必定处于与第二区域120的边缘线小于第一设定值的区域内。这部分第一区域110的边缘线作为所述扩展线段，能够改善模拟曝光图形200中的金属线与通孔的接触面积(即金属线对通孔的接触面积)。

图9为本发明实施例中添加第二标记区域的流程图，如图9所述，所述第一区域110包括横向边缘和纵向边缘，所述横向边缘与所述纵向边缘垂直，所述添加第二标记区域150的步骤包括：

步骤S221：在所述第一区域110的内部，选择所述第二区域120中与所述横向边缘平行或所述纵向边缘平行的边缘线为标记扩展边缘线170；

步骤S222：扩展所述扩展边缘线170，使得第一区域110与第二区域120的边缘线之间形成所述第二标记区域150。

以下结合附图对添加第二标记区域150的步骤进行详细说明。

图10为发明本实施例中标记扩展边缘线的示意图，如图10所示，第二区域120在第一区域110的内部存有与第一区域110的横向边缘平行的边缘线或者与纵向边缘平行的边缘线，这种边是我们想要的，我们称之为标记扩展边缘线170。通过设计软件扩展所述扩展边缘线170，使得第一区域110与第二区域120的边缘线之间形成所述第二标记区域150。应知道，第二标记区域150可以是矩形或平行四边形。

优选的，所述第二标记区域150为矩形。矩形状的第二标记区域150便于在第一区域110的内部实现填充，并且第二标记区域的形状为矩形。也是为了尽可能的增大第二标记区域150的面积，最终使得金属线对通孔的覆盖面积尽可能的增大。

图11为本发明实施例中第二标记区域与第二区域的第二示意图，如图1和图11所示，呈正八边形的第二区域120的内切圆直径为硅片上通孔的孔径为D。第二标记区域150中距离标记扩展边缘线170最远边与标记扩展边缘线170的直线距离为X。

应知道，所述标记扩展边缘线170的距离超过一个所述通孔的孔径D的区域，在模拟曝光图形200中，已经处于通孔之外的区域。对改善模拟曝光图形200中的金属线与通孔的接触面积(即金属线对通孔的覆盖面积)没有意义。

第二标记区域150中距离标记扩展边缘线170最远边与标记扩展边缘线170的直线距离X过大，会使得模拟曝光图形200的金属线过宽导致金属线出现桥接，这是我们不希望的。因此，通常第二标记区域150中距离所述标记扩展边缘线170最远边与标记扩展边缘线170的直线距离X为一个通孔直径D。避免金属线过宽导致金属线出现桥接的概率。

可选的，在每次的光学邻近修复循环中，将第二标记区域150与第二区域120合并，以形成第三标记区域140，然后选择第一区域110中落入第三标记区域140内的边缘线作为扩展线段160。移动所述扩展线段160，使得第一区域110向外扩大，以得到新一版的金属层掩膜版图形100。

应知道，第二标记区域150与第二区域120合并，以形成第三标记区域140。第一区域110落入第三标记区域140内的边缘线作为扩展线段160。相对于直接放大第二区域120后与第一区域110相交的以得到扩展线段160。可以降低因修复金属层掩膜版图形100时，处在第一区域110与第三区域180上的扩展线段160各自向外部延伸扩大后，导致第一区域110与第三区域180之间的间距变小，进一步导致了金属层掩膜版图形100出现新的光刻工艺热点的概率。

可选的，所述第二标记区域150在平行于所述相邻的边缘线之间的宽度等于所述第二区域120的边缘线长度。目的是为了尽可能的增大第二标记区域150的面积，最终使得金属线对通孔的覆盖面积尽可能的增大。

可选的，获取所述边缘线段之前，所述第二标记区域150的所有边缘线往外移动1个格点，以使所述扩展边缘线段160更容易被识别。

可选的，将第三标记区域140放大若干个格点。或者在第二标记区域150与第二区域120合并后放大一个格点，以形成第三标记区域150，如此，以使第三标记区域140与第一区域110充分相交，第三标记区域140与所述修复图形充分相交可使所述扩展线段160更容易被识别。

在步骤S5中，所述热点仿真是通过模拟出所述掩膜版图形100被曝光后的虚拟图形，在所述虚拟图形中判断所述金属线对所述接触孔的覆盖率是否大于或等于第四设定值；

当所述金属线对所述接触孔的覆盖率大于或等于所述第四设定值，则判定所述热点仿真通过；

当所述金属线对所述接触孔的覆盖率小于所述第四设定值，则判定所述热点仿真失败。

在本实施例中，通过足够大的覆盖率以保证金属线与通孔的连接效果，因此，设定金属线对接触孔的覆盖率大于等于90％。也即，第四设定值为90％。

所述金属层光刻工艺热点的修复方法采用的掩膜版图形100设计软件为Calibre，通过Calibre软件的内置编辑工具，通过编辑工具进行扩展线段160的选定及延伸扩展、光刻工艺热点的光学邻近修复循环的执行、形成第二标记区域150、第一标记区域130和第三标记区域140等。

综上所述，发明提供一种金属层光刻工艺热点的修复方法包括以下步骤：设定光学邻近修复循环次数和单次修复的修复量，之后进入光学邻近修复循环；输入原始版的金属层掩膜版图形中的第一区域和第二区域；添加第二标记区域，与所述第二区域合并，以形成第三标记区域；所述第一区域与所述第三标记区域相交的边为扩展线段，所述扩展线段按照所述的修复量向所述第一区域的外部进行延伸，以生成新一版的所述金属层掩膜版图形；判断所述光学邻近修复循环的次数，若达到所述设定光学邻近修复循环次数，则输出最新版的金属层掩膜版图形，若未达到所述设定光学邻近修复循环次数，则模拟出最新版的金属层掩膜版图形的模拟曝光图形，判断修复后的金属层掩膜版图形是否满足光刻工艺要求，若所述最新版的金属层掩膜版图形满足光刻工艺要求，则输出最新版的金属层掩膜版图形，若所述最新版的金属层掩膜版图形不满足光刻工艺要求，则将所述最新版的金属层掩膜版图形作为所述原始版的金属层掩膜版图形，所述第三标记区域作为所述第二区域，重新开始光学邻近修复循环，直至达到所述设定光学邻近修复循环次数或所述最新版的金属层掩膜版图形满足光刻工艺要求，输出所述最新版的金属层掩膜版图形。本发明的金属层光刻工艺热点的修复方法通过添加第二标记区域，与所述第二区域合并，以形成第三标记区域。所述第一区域与所述第三标记区域相交的边为扩展线段，所述扩展线段按照所述的修复量向所述第一区域的外部进行延伸，以生成新一版的所述金属层掩膜版图形。相对于直接放大第二区域后与第一区域相交的以得到扩展线段的方法。本发明的金属层光刻工艺热点的修复方法可以降低修复金属层掩膜版图形时产生新的光刻工艺热点的概率。

上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种金属层光刻工艺热点的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供用于形成金属层的掩膜版图形，所述掩膜版图形中具有若干工艺热点区域，所述工艺热点区域包括对应金属线的第一区域及对应接触孔的第二区域；执行步骤S2，

S2：获取所述第一区域的边缘线中与所述第二区域之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段；执行步骤S3，

S3：将所述扩展线段向外移动第二设定值以扩大所述第一区域，并更新所述掩膜版图形；

S4：对更新后的所述掩膜版图形进行热点仿真；

S5：当热点仿真失败时，则返回步骤S3，当仿真通过或仿真的次数达到第三设定值时，输出最新的所述掩膜版图形。

2.如权利要求1所述的金属层光刻工艺热点的修复方法，其特征在于，在步骤S2中，获取所述扩展线段的步骤包括：

构建与所述第二区域同心的第一标记区域，所述第二区域的边缘线与所述第一标记区域的边缘线之间的距离为第一设定值；

获取位于所述第一标记区域中且与所述第一标记区域的任意边缘线平行的所述第一区域的边缘线的部分作为所述扩展线段；以及，

在对所述掩膜版图形进行热点仿真时忽略所述第一标记区域。

3.如权利要求1所述的金属层光刻工艺热点的修复方法，其特征在于，在步骤S2中，获取所述扩展线段的步骤包括：

获取所述第一区域与所述第二区域中距离小于或等于所述第一设定值的相邻的边缘线对，在所述相邻的边缘线对中，所述第二区域的边缘线位于所述第一区域内；

在所述相邻的边缘线之间构建与所述第二区域连通的第二标记区域，其中，所述第二标记区域在垂直于所述相邻的边缘线之间的宽度为所述第一设定值；所述第一区域的边缘线位于所述第二标记区域中的部分或与所述第二标记区域的重叠的部分作为所述扩展线段；以及，

在对所述掩膜版图形进行热点仿真时忽略所述第二标记区域。

4.如权利要求3所述的金属层光刻工艺热点的修复方法，其特征在于，所述第二标记区域在平行于所述相邻的边缘线之间的宽度等于所述第二区域的边缘线长度。

5.如权利要求3所述的金属层光刻工艺热点的修复方法，其特征在于，第二标记区域的形状为矩形。

6.如权利要3所述的金属层光刻工艺热点的修复方法，其特征在于，所述第二设定值通过格点来计量，所述第二设定值为4个格点。

7.如权利要6所述的金属层光刻工艺热点的修复方法，其特征在于，获取所述边缘线段之前，所述第二区域的所有边缘线往外移动若干个格点。

8.如权利要求1所述的金属层光刻工艺热点的修复方法，其特征在于，所述热点仿真的步骤包括：

通过模拟出所述掩膜版图形曝光后产生的虚拟图形，在所述虚拟图形中判断所述金属线对所述接触孔的覆盖率是否大于或等于第四设定值；

当所述金属线对所述接触孔的覆盖率大于或等于所述第四设定值，则判定所述热点仿真通过；

当所述金属线对所述接触孔的覆盖率小于所述第四设定值，则判定所述热点仿真失败。

9.如权利要求1所述的金属层光刻工艺热点的修复方法，其特征在于，所述第二区域的外形呈为正八边形。

10.如权利要求1所述的金属层光刻工艺热点的修复方法，其特征在于，所述第一设定值为所述接触孔的孔径。

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