CN111919130B - 磁计测系统及磁传感器的校正方法 - Google Patents

Abstract

标识器检测装置使用将磁传感器(Sn)与磁场产生线圈(Cn)的组合排列多个而成的传感器单元(11)，来检测铺设于道路的磁标识器，其中，具备：存储部(112)，其存储各磁场产生线圈(Cn)的特性信息；推定部(112)，其参照各磁场产生线圈(Cn)的特性信息，推定起因于作用于磁场产生线圈(Cn)的电流差分值(A)而作用于磁传感器(Sn)的磁差分值(A)；以及校正部(112)，其以提高灵敏度的均匀性的方式校正各磁传感器(Sn)，所述灵敏度是指作用于磁场产生线圈(Cn)的与电流差分值(A)相应的电流的变化所对应的磁传感器(Sn)的输出差分值(A)与推定出的磁差分值(A)的比率。

Description

磁计测系统及磁传感器的校正方法

技术领域

本发明涉及利用磁传感器来计测磁的磁计测系统及磁传感器的校正方法。

背景技术

以往，存在用于使用安装于车辆的多个磁传感器来检测铺设于道路的磁标识器的磁标识器检测方法的提案(例如参照下述的专利文献1。)。在该磁标识器检测方法中，通过求出多个磁传感器中的2个以上的磁传感器的输出值的差分来抑制干扰磁的影响，提高磁标识器的检测精度。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-083189号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在所述以往的磁标识器检测方法中，存在如下那样的问题。即，存在如下问题：当各磁传感器的输出特性存在个体差异时，由个体差异引起的输出值的波动误差因差分运算而被放大成为大的误差，因此在车辆的使用期间中需要定期地校正磁传感器，车辆的用户侧的负担可能变高。

本发明是鉴于所述以往的问题点而做出的，其要提供用于利用磁传感器来高精度地计测磁的磁计测系统及磁传感器的校正方法。

用于解决课题的方案

本发明的一方案涉及一种磁计测系统，其使用磁传感器来计测磁，其中，

对所述磁传感器附设有磁场产生部，所述磁场产生部根据通电的电流而产生磁场，

所述磁计测系统具备：

存储部，其存储表示磁输出特性的磁场产生部的特性信息，所述磁输出特性是指向所述磁场产生部通电的电流与作用于所述磁传感器的磁的关系；

推定部，其参照由所述存储部存储的所述磁场产生部的特性信息，推定起因于向所述磁场产生部通电的电流的变化量即电流差分值A而作用于所述磁传感器的磁的变化量即磁差分值A；以及

校正部，其通过调整如下比率来校正磁传感器，所述比率是指根据作用于所述磁场产生部的与所述电流差分值A相应的电流的变化而所述磁传感器输出的传感器输出的变化量即输出差分值A与所述推定部针对所述电流差分值A而推定的磁差分值A的比率。

本发明的一方案涉及一种磁传感器的校正方法，其是计测磁的磁传感器的校正方法，其中，

所述磁传感器附设有磁场产生部，所述磁场产生部根据通电的电流而产生磁场，并且，

所述磁传感器附设有存储表示磁输出特性的磁场产生部的特性信息的存储部，所述磁输出特性是指向所述磁场产生部通电的电流与作用于所述磁传感器的磁的关系，

所述磁传感器的校正方法针对所述磁传感器实施磁推定步骤和校正步骤，

在所述磁推定步骤中，基于由所述存储部存储的所述磁场产生部的特性信息，推定起因于向所述磁场产生部通电的电流的变化量即电流差分值A而作用于所述磁传感器的磁的变化量即磁差分值A，

在所述校正步骤中，通过调整如下比率来校正所述磁传感器，所述比率是指根据作用于所述磁场产生部的与所述电流差分值A相应的电流的变化而所述磁传感器输出的传感器输出的变化量即输出差分值A与在所述磁推定步骤中针对所述电流差分值A而推定的磁差分值A的比率。

发明效果

在本发明中，能够基于磁场产生部的特性信息，来进行磁场产生部作用于磁传感器的磁差分值的推定。并且，在本发明中，能够利用推定作用于磁传感器的磁差分值而得出的结果，来进行磁传感器的校正。

如以上那样，根据本发明，能够通过利用所附设的磁场产生部而进行了校正的磁传感器，来实现高精度的磁计测。

附图说明

图1是实施例1中的安装有传感器阵列的车辆的主视图。

图2是表示实施例1中的铺设有磁标识器的车道的俯瞰图。

图3是表示实施例1中的传感器阵列的结构的框图。

图4是表示实施例1中的磁传感器及校准电路的结构的框图。

图5是表示实施例1中的检测单元的结构的框图。

图6是表示实施例1中的用于检测磁标识器的处理的流程的流程图。

图7是实施例1中的用于实施维护模式下的处理的装置的说明图。

图8是表示实施例1中的维护模式下的处理的流程的流程图。

图9是表示实施例1中的通常模式下的处理的流程的流程图。

图10是实施例1中的磁传感器的校正处理的说明图((a)校正前的磁传感器的传感器输出特性、(b)校正后的磁传感器的传感器输出特性)。

图11是表示实施例2中的沿着非晶线材并列配置的拾取线圈和磁场产生线圈的说明图。

图12是实施例2中的用于说明线圈的形成方法的参照图。

具体实施方式

在本发明中，作用于磁场产生部的电流差分值是通电的电流的变化量。例如，在进行对磁场产生部的从非通电状态向通电状态的切换的情况下，通电的电流值从零的状态切换为通电状态下的电流值，因此电流差分值是通电状态下的电流值本身。

实施例

关于本发明的实施方式，使用以下的实施例来具体说明。

(实施例1)

本例是涉及使用磁传感器来计测磁的磁计测系统及磁传感器的校正方法的例子。使用图1～图10来对该内容进行说明。

如图1及图2所示，构成磁计测系统的一例的标识器检测装置1是为了检测铺设于道路的磁标识器10而组装于车辆5的车载装置。磁标识器10例如以沿着车辆5行驶的车道100的中央的方式铺设于路面100S。例如，呈直径20mm、高度28mm的圆柱状的磁标识器10在穿入设置于路面100S的收容孔100H中收容而埋设。

(1)标识器检测装置的结构

如图1及图2所示，标识器检测装置1是将包括多个磁传感器Sn的传感器阵列11与内置未图示的CPU(central processing unit)等的检测单元12组合而成的装置。尤其是本例的传感器阵列11具备磁传感器Sn的校正功能。

传感器阵列11安装于相当于车辆5的底面的车身地板50。在本例的车辆5的情况下，以路面100S为基准的安装高度成为了约200mm。

检测单元12是对传感器阵列11输出的传感器信号实施处理而检测磁标识器10的单元。由检测单元12检测的检测结果例如向车辆5侧的未图示的ECU(Electronic ControlUnit)等输入，在用于使车辆5维持车道地行驶的自动转向控制、车道脱离警报等各种控制中被利用。

(1.1)传感器阵列的结构

如图3所示，传感器阵列11是15个传感器芯片2配置在一条直线上的传感器单元。传感器阵列11除了15个传感器芯片2以外，还包括差分电路Dn(n为1～15的自然数。)、差分电路Gm(m为1～14的自然数。)、校准电路110等而构成。

传感器芯片2是组装有磁传感器Sn和磁场产生线圈(磁场产生部的一例)Cn各1个、并进一步组装电子电路而单芯片化得到的电子部件。作为电子电路，组装有后述的脉冲电路22、信号处理电路24等。在传感器阵列11中，15个传感器芯片2配置在一条直线上。由此，在传感器阵列11中，实现了15个磁传感器Sn排列在一条直线上的形态。另外，通过采用组装有磁场产生线圈Cn的传感器芯片2，实现了针对各磁传感器Sn单独附设有磁场产生线圈Cn的形态。

在传感器阵列11中，磁传感器S1位于车辆5的左侧(右舵车的副驾驶员座侧)且趋向右侧而按照编号顺序排列地沿着车宽方向进行安装。传感器阵列11中的磁传感器Sn的间隔设定为70mm，以便使相邻的2个磁传感器能够同时检测到磁标识器10的磁。若设定这样的间隔，则根据相邻的2个磁传感器的输出值、或者基于输出值运算得到的运算值的差分运算等，能够算出表示车宽方向的梯度的差分值。

如图3所示，差分电路Dn是如下的电路，即，针对各磁传感器Sn的输出值，来运算表示时间方向的梯度的差分运算值。差分电路Dn存储有时间上先前的上次的磁计测(采样)时的输出值。差分电路Dn通过从时间上后续的此次的输出值减去上次的输出值，来运算表示时间方向的梯度的时间差分值。

差分电路Gm是如下的电路，即，针对与相邻的磁传感器Sn对应的2个差分电路Dn的时间差分值，通过从一方的时间差分值减去另一方的时间差分值，来运算表示车宽方向的梯度的差分运算值即车宽方向差分值。

传感器阵列11将基于14个差分电路Gm得到的差分运算值(车宽方向差分值)作为传感器信号输出。传感器阵列11具备14个通道的输出端口，以便能够同时输出14个差分电路Gm的差分运算值。需要说明的是，本例的传感器阵列11为了能够应对车辆5的高速行驶，以3kHz的周期执行磁计测，每当实施磁计测时将传感器信号向检测单元12输入。

在传感器阵列11所具备的传感器芯片2中，如图4所示，利用MI(Magneto-Impedance)元件而构成了磁传感器Sn。MI元件是包括CoFeSiB系合金制的大体零磁致伸缩的非晶线材(磁性体线材)20和卷绕在该非晶线材20的周围的拾取线圈(线圈)21的元件。磁传感器Sn是磁通密度的测定量程为±0.6毫特斯拉且测定量程内的磁通分辨率为0.02微特斯拉这样的高灵敏度的传感器。这样的高灵敏度通过非晶线材20的阻抗根据外部磁场而敏感地变化这样的MI效果来实现。

MI元件通过计测在向非晶线材20通入了脉冲电流时产生于拾取线圈21的电压，来检测作用于非晶线材20的磁。该MI元件在作为感磁体的非晶线材20的轴向具有检测灵敏度。需要说明的是，传感器阵列11以各磁传感器Sn的非晶线材20沿着车宽方向的方式组装于车辆5。

组装于传感器芯片2的脉冲电路22(图4)是如下的电路，即，生成成为向非晶线材20通电的脉冲电流的根源的脉冲信号。

信号处理电路24(图4)是如下的电路，即，利用与脉冲信号连动地开闭的同步检波器241来取出拾取线圈21的感应电压、并由放大器242将该感应电压放大。信号处理电路24将放大后的感应电压作为磁传感器Sn的输出值而向差分电路Dn(图3)输入。需要说明的是，磁传感器Sn的输出值也向校准电路110输入。信号处理电路24的放大器242能够通过由校准电路110进行的控制来调整感应电压的放大率。

各传感器芯片2的磁场产生线圈Cn是卷绕电线而形成的线圈，以彼此呈电串联的方式连接。磁场产生线圈Cn根据由校准电路110进行的通电来产生磁场，对磁传感器Sn作用磁。传感器阵列11所具备的磁传感器Sn的校正功能利用该磁场产生线圈Cn来实现。作为卷绕有电线的线圈的磁场产生线圈Cn具有磁量相对于通电电流的大小而线性高这样的特性，因此对于磁传感器Sn的校正适宜。

各磁场产生线圈Cn的设计规格相同，并且各磁场产生线圈Cn的规定与磁传感器Sn的相对位置关系的组装规格也相同。另外，从校准电路110供给的电流等同地对串联连接的各磁场产生线圈Cn通电。因此，在设计上，能够对于与各磁场产生线圈Cn所对应的磁传感器Sn等同地作用磁。然而，各磁场产生线圈Cn的磁输出特性的波动是不可避免的，而且与磁传感器Sn的位置关系的波动也是不可避免的。因此，在作用于各磁场产生线圈Cn所对应的磁传感器Sn的磁量中，产生波动误差。

校准电路110(图4)包括执行向磁场产生线圈Cn的通电等的线圈驱动部114和执行磁传感器Sn的校正处理等的校正部112而构成。校正部112包括CPU、ROM(read onlymemory)·RAM(random access memory)·闪存ROM、I/O等而构成。该校正部112具备作为存储为了校正磁传感器Sn而所需的磁场产生线圈Cn的特性信息(磁输出特性)的存储部、推定起因于作用于磁场产生线圈Cn的电流差分值而作用于磁传感器Sn的磁差分值的推定部等的功能。在此，电流差分值是向磁场产生线圈Cn通电的电流的变化量。磁差分值是作用于磁传感器Sn的磁的变化量。

线圈驱动部114包括向磁场产生线圈Cn供给电流的恒流电路114A和计测供给电流的电流值的电流计测电路114B而构成。恒流电路114A根据校准电路110的控制而向磁场产生线圈Cn供给电流。电流计测电路114B将计测到的磁场产生线圈Cn的电流值向校正部112输入。

校正部112通过CPU处理从ROM读出的程序，从而至少能够执行两种动作模式。作为动作模式，存在在车辆5的使用期间中执行的通常模式、以及工厂出厂时、维护作业时的维护模式。通常模式与维护模式的切换例如通过外部连接的维护装置61(参照图7。)的控制来执行。

通常模式是用于在车辆5的使用期间校正各磁传感器Sn的动作模式。维护模式是用于利用亥姆霍兹线圈60(参照图7。)的基准磁来确定各磁场产生线圈Cn的磁输出特性(特性信息)的动作模式。由该维护模式确定的各磁场产生线圈Cn的特性信息(后述)被构成校准电路110(校正部112)的闪存ROM等存储部存储，并被利用于磁传感器Sn的校正。需要说明的是，关于各动作模式的内容，参照图8及图9的流程图等在后进行说明。

在此，图7的亥姆霍兹线圈60是包括在同轴上分隔配置的相同规格的2个圆形线圈、且2个圆形线圈的间隔与线圈的半径相等的线圈系统。在该亥姆霍兹线圈60中，通过对2个圆形线圈通入相同方向的相等的电流，能够生成均匀性高的磁场。亥姆霍兹线圈60所生成的磁能够用作作为基准的磁量的基准磁。需要说明的是，也可以利用在亥姆霍兹线圈60的外周侧同心配置大径的线圈而进一步提高了磁场的均匀性的麦克斯韦线圈。

(1.2)检测单元的结构

如图5所示，检测单元12是具备安装有执行各种运算的CPU、ROM、RAM等存储器元件等的电子基板(省略图示)的单元。该检测单元12与传感器阵列11输出的14个通道的传感器信号的一齐取入对应。

检测单元12具备：滤波处理电路125，其针对基于传感器阵列11所输出的传感器信号得到的时间序列数据而实施滤波处理；以及检测处理电路127，其执行标识器检测处理。另外，在该检测单元12中，设置有保存传感器阵列11输出的传感器信号的数据区域M1～M14(适当记载为Mm)、保存滤波处理电路125的滤波输出值的数据区域H1～H14(适当记载为Hm)。

数据区域Mm是如上述那样依次存储传感器阵列11以3kHz周期输出的14个通道的传感器信号所表示的数据、且作为每个通道的时间序列数据而保存的存储区域。

滤波处理电路125是针对保存于数据区域Mm的14个通道的时间序列数据而按每个通道实施滤波处理的电路。适用于该滤波处理的滤波是压制或阻断低频成分且使高频成分通过的高通滤波。

(2)标识器检测装置的动作

作为标识器检测装置1的动作，在概述(2.1)磁标识器10的检测动作之后，说明(2.2)磁传感器Sn的校正动作的内容。需要说明的是，在(2.2)磁传感器Sn的校正动作中，如上所述存在(2.2.1)维护模式下的处理和(2.2.2)通常模式下的处理。

(2.1)磁标识器的检测动作

在检测磁标识器10时，如图6那样，检测单元12以例如3kHz的周期执行基于各磁传感器Sn的磁计测的方式控制传感器阵列11(S101)。各磁传感器Sn的输出值Rn首先向差分电路Dn(图3)输入，求出表示磁传感器Sn的输出值Rn的时间方向的梯度的时间差分值(S102)。

各磁传感器Sn的时间差分值向运算车宽方向的差分的差分电路Gm(图3)输入。例如，向差分电路G1输入差分电路D1及差分电路D2的时间差分值，执行从D2的时间差分值减去D1的时间差分值的差分运算(S103)。基于差分电路Gm得到的车宽方向的差分运算值即车宽方向差分值是在传感器阵列11中相邻的2个磁传感器Sn所涉及的时间差分值的差分的值，表示时间差分值的车宽方向的梯度。

在此，由差分电路Dn、差分电路Gm进行的图6中的S102、S103的差分运算对于一样地作用于各磁传感器Sn的共同磁噪声的去除极为有效。共同磁噪声不仅是地磁，也从例如铁桥、其他车辆等尺寸大的磁产生源产生的可能性高。在是大的磁产生源的情况下，从N极向S极的磁场环非常大，因此在两极的中间的位置磁场接近一样，作用于各磁传感器Sn的磁呈接近一样的共同磁噪声的形态。根据上述的S102、S103的差分运算，能够效率良好地去除这样的共同磁噪声。

传感器阵列11将由基于差分电路Gm得到的车宽方向差分值构成的14个通道的传感器信号一齐输出。检测单元12将基于该传感器信号得到的每个通道的时间序列数据保存于数据区域Mm(图5)。检测单元12在取得新的传感器信号时，将保存于数据区域Mm的数据中的最旧的数据消除并且将数据区域Mm的各数据依次传送而设置空闲区域，将新取得的传感器信号所表示的数据保存于该空闲区域。由此，在数据区域Mm中，生成基于差分电路Gm得到的车宽方向差分值的在过去的规定期间的时间序列数据。

检测单元12将保存于数据区域Mm的每个通道的时间序列数据向滤波处理电路125输入。滤波处理电路125执行阻断低频成分并使高频成分通过的滤波处理(高通滤波处理)(图6中S104)，将滤波输出值保存于数据区域Hm。然后，检测单元12执行用于利用保存于数据区域Hm的滤波输出值来检测磁标识器10的标识器检测处理(S105)。

执行该标识器检测处理的检测单元12例如通过与保存于数据区域Hm的滤波输出值相关的阈值处理等而提取自磁标识器10而来的滤波输出值，由此，检测磁标识器10。而且，基于例如超过阈值的滤波输出值属于数据区域H1～H14中的哪一个等，来确定磁标识器10的车宽方向的相对位置。

在是例如桥、隧道等大的磁产生源的情况下，如上述那样，图6的S102、S103的差分运算发挥能够压制一样地作用的共同磁噪声等外部磁这样的一定的效果。然而，即便是大的磁产生源，在成为磁极的端部的周边，也形成磁力线呈环状的路径的磁场而产生磁梯度。若产生了磁梯度，则难以仅通过S102、S103的差分运算来去除。

在大的磁产生源的周边磁场和小的磁产生源的周边磁场中，磁梯度的变化率根据磁极间距离的差异而不同。即，在磁极间的距离长的大的磁产生源的周边磁场，一方的磁极的磁梯度转移成为另一方的磁极的磁梯度为止的距离长，即便是成为磁极的端部的周边，磁梯度的变化也缓慢。另一方面，在磁极间的距离短的小的磁产生源的周边磁场的情况下，磁梯度的变化急剧而其变化率大。

根据阻断低频成分的滤波处理(S104)，能够去除或压制桥、隧道等大的磁产生源的端部的周边磁场中的变化缓慢的磁梯度的成分。另一方面，自作为小的磁产生源的磁标识器10而来的变化急剧的磁梯度的成分在S104的滤波处理中不被压制而能够通过。若基于像这样较多地包含自磁标识器10而来的磁梯度的成分的滤波处理(S104)的滤波输出值，则能够可靠性高地检测作为小的磁产生源的磁标识器10。

(2.2)磁传感器的校正动作

在上述的磁标识器10的检测动作中，通过求出磁传感器Sn的输出值的时间的差分、车宽方向的差分而去除共同磁噪声，提高磁标识器10的检测精度。然而，在差分运算中，存在放大误差的特性。尤其是关于不同的磁传感器间的差分运算，存在放大由磁传感器Sn的个体差异引起的波动误差的不良影响这样的问题。为了抑制差分运算所引起的不良影响于未然，磁传感器Sn的校正是重要的。

作为为了校正磁传感器Sn而由校准电路110(图3)执行的处理，存在(2.2.1)工厂出厂时、维护作业时的维护模式下的处理和(2.2.2)在车辆的使用期间中执行的动作模式即通常模式下的处理。

(2.2.1)维护模式下的处理

维护模式下的处理是用于利用亥姆霍兹线圈60的基准磁来确定磁场产生线圈Cn的磁输出特性(特性信息)的处理。对于磁场产生线圈Cn，电流值与磁量的线性高，因此若知晓磁输出特性则能够定量地控制或推定作用于磁传感器Sn的磁量。例如，作为磁场产生线圈Cn的磁输出特性，说明在通入了某电流值I的电流时掌握到是磁量H的情况。此时，若向磁场产生线圈Cn通入0.5I的电流值的电流，则针对对应的磁传感器Sn，能够从磁场产生线圈Cn作用0.5H的磁量。

如图7所示，维护模式下的处理利用执行例如电源供给、动作模式的切换等的专用的维护装置61、产生均匀的磁场的磁场产生装置6等来执行。磁场产生装置6例如是具备亥姆霍兹线圈60的磁装置。维护装置61与传感器阵列11及磁场产生装置6的两方连接。维护装置61除了对传感器阵列11供给动作电力以外，还在传感器阵列11与磁场产生装置6之间对表示动作状况的状态信息的收发进行中介。

维护模式下的处理在磁场产生装置6所形成的一样的磁场的空间中保持有传感器阵列11的状态下实施(图7)。维护装置61当从磁场产生装置6取得处于向亥姆霍兹线圈60的通电准备完成了的预备状态的意旨的状态信息时，将该状态信息向传感器阵列11转发。

在接收到处于预备状态的意旨的磁场产生装置6的状态信息时，传感器阵列11的校准电路110使各磁传感器Sn执行磁计测。通过该磁计测，校准电路110取得未作用由亥姆霍兹线圈60产生的磁时的传感器输出值R1n(图8，S201)。校准电路110作为亥姆霍兹线圈60及磁场产生线圈Cn的非通电状态下的各磁传感器Sn的传感器输出而存储传感器输出值R1n。一般地，该传感器输出值R1n因自然界的外部磁、传感器输出值的偏置等而不成为零的情况较多。

磁场产生装置6当从传感器阵列11接收到磁计测完成的状态信息时，开始向亥姆霍兹线圈60的通电(S202)。磁场产生装置6控制亥姆霍兹线圈60的通电电流，以便对传感器阵列11的各磁传感器Sn作用基准的磁量即基准磁Hk。

亥姆霍兹线圈60产生的磁场作为与外部磁场重叠的偏置磁场而作用于各磁传感器Sn。因此，当将亥姆霍兹线圈60的基准磁Hk作用于各磁传感器Sn时，作用于磁传感器Sn的磁量变化与基准磁Hk相应的量。即，开始了向亥姆霍兹线圈60的通电时的作用于各磁传感器Sn的磁的变化量即基准的磁差分值(磁差分值C的一例)ΔHs成为ΔHs＝Hk。磁场产生装置6在成为了将基准磁Hk作用于各磁传感器Sn的状态之后，将处于通电中的意旨的状态信息经由维护装置61而向校准电路110发送。

校准电路110当接收到处于通电中这样的磁场产生装置6的状态信息时，使各磁传感器Sn执行磁计测，由此取得传感器输出值R2n(S203)。而且，维护装置61针对各磁传感器Sn而运算开始了向亥姆霍兹线圈60的通电时的磁传感器Sn的传感器输出的变化量即基准的输出差分值ΔRsn(＝R2n-R1n，输出差分值C的一例)(S204，传感器特性取得步骤)。

校准电路110针对每个磁传感器Sn而存储在上述的步骤S202中存储的基准的磁差分值ΔHs(对于各磁传感器Sn相同)与在步骤S204中运算出的基准的输出差分值ΔRsn的数值组合作为各磁传感器Sn的特性信息即传感器输出特性(S205，传感器特性取得步骤)。该组合表示作用于磁传感器Sn的磁量变化了ΔHs时的磁传感器Sn的输出差分值为ΔRsn这样的传感器输出特性。

磁场产生装置6当从传感器阵列11接收到全部的磁传感器Sn的传感器输出特性(特性信息)的存储完成了的意旨的状态信息时，停止向亥姆霍兹线圈60(图7)的通电(S206)。传感器阵列11当接收到向亥姆霍兹线圈60的通电停止了的意旨的状态信息时，开始向磁场产生线圈Cn的通电(S207)。

需要说明的是，磁场产生线圈Cn以串联的方式连接，因此各磁场产生线圈Cn的通电电流的大小相等。作为向磁场产生线圈Cn通电的电流值I1，基于磁场产生线圈Cn的匝数、线圈直径等设计规格，来设定能够将与由亥姆霍兹线圈60产生的基准磁Hk接近的磁量作用于磁传感器Sn的电流值较佳。若将向磁场产生线圈Cn的通电电流从电流值零切换为电流值I1，则向磁场产生线圈Cn通电的电流值的变化量即电流差分值成为ΔIa＝I1。需要说明的是，磁场产生线圈Cn以彼此串联的方式连接，因此作为电流差分值B的一例的电流差分值ΔIa对于各磁场产生线圈Cn相同。另一方面，在各磁场产生线圈Cn中磁输出特性存在波动，因此各磁场产生线圈Cn作用于磁传感器Sn的磁量不恒定，产生波动。

校准电路110在将电流值I1的电流向各磁场产生线圈Cn通入的期间中，执行基于各磁传感器Sn的磁计测，针对每个磁传感器Sn取得传感器输出值R3n(S208，磁计测步骤)。然后，校准电路110针对各磁传感器Sn实施从作用有磁场产生线圈Cn的磁时的传感器输出值R3n减去未作用来自磁场产生线圈Cn及亥姆霍兹线圈60的磁时的传感器输出值R1n(上述S201的传感器输出值)的运算。由此，针对每个磁传感器Sn取得与作为向磁场产生线圈Cn的通电电流的变化量的电流差分值ΔIa相应的作为磁传感器Sn的传感器输出的变化量的输出差分值ΔRcn(＝R3n-R1n，输出差分值B的一例)(S209，磁计测步骤)。

校准电路110为了推定与各磁传感器Sn的输出差分值ΔRcn对应的磁差分值ΔHan(磁差分值B的一例)，首先，参照在上述的步骤S205中存储的磁传感器Sn的传感器输出特性(S210，磁输出特性取得步骤)。然后，通过基于因磁差分值ΔHs而产生输出差分值ΔRsn这样的磁传感器Sn的传感器输出特性进行的比例计算，求出与各磁传感器Sn的输出差分值ΔRcn(上述的S209)对应的磁差分值ΔHan(＝(ΔRcn/ΔRsn)×ΔHs)(S211，磁输出特性取得步骤)。然后，校准电路110作为磁场产生线圈Cn的磁输出特性而将磁差分值ΔHan与电流差分值ΔIa建立对应关系并存储，由此存储两者的数值组合(S212，磁输出特性取得步骤)。

若实施以上那样的顺序的维护模式下的处理，则能够通过使磁传感器Sn计测亥姆霍兹线圈60的基准磁Hk，来掌握各磁传感器Sn的传感器输出特性(传感器特性取得步骤)。而且，若使用掌握了传感器输出特性的各磁传感器Sn来计测磁场产生线圈Cn所作用的磁(磁计测步骤)，则能够掌握该磁场产生线圈Cn的磁输出特性(磁输出特性取得步骤)。

一般地，对于卷绕有电线的磁场产生线圈Cn，磁的大小相对于通电的电流的大小的线性高，磁量与通电电流的电流值大致成比例地变化。因此，根据掌握了磁输出特性的磁场产生线圈Cn，能够定量地控制作用于对应的磁传感器Sn的磁量，有助于磁传感器Sn的校正。

(2.2.2)通常模式下的处理

在车辆的使用期间中，从车辆5的内外对各磁传感器Sn作用各种各样的磁。尤其是，在车辆5搭载有可能成为磁产生源的各种各样的电子部件。也有时来自这些电子部件的磁作用于磁传感器Sn，该磁量比从磁标识器10作用的磁量大。另外，构成道路的隧道、桥等RC构造的构造物可能成为大的磁产生源，因此根据行驶环境，从外部作用于车辆5的外部磁的大小也变动。

一般地，关于磁传感器的灵敏度、即作用的磁量变化了ΔH时的传感器输出值的变化量ΔR的比率，若ΔH小，则能够将该比率当作恒定处理。另一方面，磁传感器Sn的灵敏度有时根据计测对象的磁量的绝对值的高低、即磁量的变动范围的高低而大幅变化。而且，这样的灵敏度的变动程度因个体差异而针对每个磁传感器Sn有所不同。因此，在车辆5的使用期间中，若作用于各磁传感器Sn的磁量的变动范围变化，则各磁传感器Sn的灵敏度产生波动的可能性高。若每个磁传感器Sn的灵敏度产生波动，则基于各差分电路Dn得到的时间差分值产生误差。并且，这样的时间差分值的误差通过由差分电路Gm进行的差分运算而进一步扩大，因此可能成为使磁标识器10的检测精度降低的原因。

由校准电路110进行的通常模式下的处理在车辆5的使用期间中出于提高各磁传感器Sn的灵敏度的均匀性而抑制时间差分值的误差的目的被执行。该通常模式下的处理在对传感器阵列11的各磁传感器Sn以外部磁接近一样的方式作用磁的状况下实施较佳。例如，自磁标识器10、工作口等比较小的磁产生源、RC构造的桥等大的磁产生源的端部等而来的磁未作用于传感器阵列11的状况是适宜的。

校准电路110如图9所示那样，首先，在对磁场产生线圈Cn非通电的状态下，计测对各磁传感器Sn从外部接近一样地作用的磁，依次存储各磁传感器Sn的传感器输出值R4n(S301)。接着，校准电路110开始向磁场产生线圈Cn的通电(S302)。作为此时的电流值I2，可以设定与维护模式下的上述的步骤S207相同的电流值I1，也可以是不同的电流值。在本例中，将与电流值I1相同的电流值I2的电流向各磁场产生线圈Cn通入。因此，向各磁场产生线圈Cn通电的电流的变化量即电流差分值ΔIb(电流差分值A的一例)＝I2＝I1。

校准电路110在向各磁场产生线圈Cn的通电中使各磁传感器Sn执行磁计测，取得传感器输出值R5n(S303)。然后，通过运算来求出与向磁场产生线圈Cn的通电开始时的电流差分值ΔIb相应的电流变化所对应的各磁传感器Sn的输出差分值ΔRcn(＝R5n-R4n，输出差分值A的一例)(S304)。

校准电路110参照在维护模式下的上述的步骤S212中存储的磁场产生线圈Cn的磁输出特性(S305)。然后，利用该磁输出特性，根据在步骤S302中将电流值I2的电流向磁场产生线圈Cn通入了时的电流差分值ΔIb来推定作用于各磁传感器Sn的磁量的变化即磁差分值ΔHbn(磁差分值A的一例)(S306，磁推定步骤)。

该磁差分值ΔHbn的推定方法以磁差分值相对于电流差分值大致线性地变化这一情况、即便外部环境变动也保持在步骤S305中参照的磁输出特性中的ΔHan与ΔIa的比例关系这一情况为前提。将电流差分值ΔIb作用于磁场产生线圈Cn时的磁差分值ΔHbn能够通过ΔHbn＝(ΔIb/ΔIa)×ΔHan的运算式来推定。在本例的情况下，电流差分值ΔIa＝ΔIb，因此磁差分值ΔHbn与ΔHan相等。

校准电路110以步骤S304所涉及的磁传感器Sn的输出差分值ΔRcn与在步骤S306中推定出的磁差分值ΔHbn的比率成为规定值的方式，求出输出差分值ΔRcn的放大率(S307，校正步骤)。然后，校准电路110将通过运算求出的各磁传感器Sn的放大率设定于对应的放大器242，由此校正各磁传感器Sn(S308，校正步骤)。

在此，上述的步骤S307中的规定值表示磁传感器Sn相对于作用的磁差分值ΔHbn的灵敏度。因此，若针对各磁传感器Sn实施上述的步骤S307，则能够使全部的磁传感器Sn的灵敏度接近均匀。关于该内容，参照例示磁传感器Sn中的任意2个磁传感器Sα、Sβ(α、β为1～15中的不同的自然数。)的传感器输出特性的图10的(a)、(b)来进行说明。该图的横轴表示作用于磁传感器的磁量H，纵轴表示磁传感器的传感器输出值R。

例如，在作用的磁量变化了ΔH时(即磁差分值为ΔH时)，若任意2个磁传感器Sα及磁传感器Sβ存在灵敏度的差异，则如图10的(a)那样输出值的变化量即输出差分值ΔRα及输出差分值ΔRβ产生差异。若实施对各磁传感器Sα、Sβ单独设定放大率的上述的步骤S307及步骤S308，则能够如图10的(b)那样使与各磁传感器Sα、Sβ对应的变化量ΔRα’和变化量ΔRβ’相等。

根据与图10的(a)、(b)的事例同样的思考方式，若以使磁量变化了ΔH时的各磁传感器Sn的输出值Rn的变动量ΔRn成为均匀的方式校正各磁传感器Sn，则能够关于基于差分电路Dn得到的时间差分值而抑制每个磁传感器Sn的波动所引起的误差。若抑制时间差分值的每个磁传感器Sn的波动误差，则在差分电路Gm关于时间差分值而求出车宽方向差分值时，能够避免误差被放大而变得过大的可能性于未然。若利用误差少的车宽方向差分值，则能够通过之后的滤波处理等而高精度地检测磁标识器10。

需要说明的是，校准电路110在因外部磁的大小的变动等而作用于磁传感器Sn的磁量的变动范围发生了变化时、或者定期的校正时期到来了时等反复执行上述的通常模式下的处理，随时执行磁传感器Sn的校正。根据这样的标识器检测装置1的运用方法，即便发生磁的环境的变化、随时间的变化、温度、湿度等环境的变化等，也能够避免每个磁传感器Sn的时间差分值的误差，能够将检测精度维持得高。另外，无需为了包含磁传感器Sn的校正的维护而每次将车辆带入保养工厂等，因此能够减少车辆用户侧的工夫、费用等。也可以关于磁量的变动范围的高低而设定阈值。例如也可以是，在未作用磁标识器的磁时的磁量变动了阈值以上时，判断为磁量的变动范围发生了变化而执行通常模式下的处理。

如以上所述，本例的标识器检测装置1是具备磁传感器Sn的校正功能的装置。在该标识器检测装置1中，能够维持各磁传感器Sn被良好地校正了的状态，因此能够高精度地计测磁标识器10的磁。并且，基于通过各磁传感器Sn高精度地计测磁而得到的传感器输出，则能够高精度地检测磁标识器10。

在本例中，针对具备15个磁传感器的传感器阵列11，例示了用于使各磁传感器Sn的灵敏度接近均匀的通常模式。也可以针对1个磁传感器实施图7及图8的维护模式、图9的通常模式。在是1个磁传感器的情况下，设想将图7中的传感器阵列11置换为1个磁传感器的情况较佳。在例示的传感器阵列11的情况下，图8及图9中的n成为15，但在磁传感器仅是1个的情况下，该n成为1。

在该情况下，在时间上隔开间隔地实施的各次的通常模式中，决定使图9中的S307的ΔRcn/ΔHbn成为规定值(在各次的通常模式中为恒定的值)那样的放大率并设定于放大器较佳。在该情况下，即便在外部磁的大小、磁传感器的特性在时间上变动了的情况下，也能够使规定大小的磁对于磁传感器重叠作用了时的传感器输出值的变化量接近均匀。作为ΔRcn/ΔHbn的规定值，也可以设为和图8中的S205中的ΔHs与ΔRsn的比率相当的值。在该情况下，在维护模式下的处理中，实施以下说明的校正处理更佳。

在包含15个磁传感器的传感器阵列11所涉及的本例的结构中，如上所述采用了将各磁场产生线圈Cn电串联连接的结构。在串联地连接磁场产生线圈Cn的情况下，能够将相等的电流向各磁场产生线圈Cn同时通入，能够效率良好地校正各磁传感器Sn。

在维护模式下的处理中，也可以是，利用亥姆霍兹线圈60作用于各磁传感器Sn的基准磁Hk，来实施使各磁传感器Sn的灵敏度均匀的校正处理。在该校正处理中，以相对于亥姆霍兹线圈60作用于各磁传感器Sn的磁差分值ΔHs，而磁传感器Sn所输出的传感器输出的变化量即输出差分值变得均匀的方式，设定各放大器242的放大率即可。在该情况下，在图8中的步骤S205中，存储实施该校正处理之后的传感器输出特性较佳。

需要说明的是，基于本例的传感器阵列11的结构，也可以省略差分电路Dn。在该情况下，关于各磁传感器Sn的传感器输出值Rn不实施时间差分，在与其他磁传感器之间进行传感器输出值的差分。因此，在该情况下，以使各磁传感器Sn的输出值Rn接近均匀的方式校正磁传感器Sn较佳。为了使磁传感器Sn的输出值Rn均匀，以使磁标识器10的磁未作用于传感器阵列11时的各磁传感器Sn的输出值Rn变得均匀的方式，连同各放大器242的放大率一起适当设定偏置值较佳。

需要说明的是，若是通过从非通电状态向通电状态的切换而使作用于磁场产生线圈Cn的通电的电流变化的情况，则变化前的电流值为零，因此向通电状态的切换后的电流值本身成为电流差分值。该情况的电流差分值相当于使磁场产生线圈Cn从非通电状态向通电状态切换的情况下的切换后的电流值。

作为表示构成磁场产生部的一例的磁场产生线圈Cn的磁输出特性的特性信息，例示了作用于磁场产生线圈Cn的电流差分值与作用于对应的磁传感器Sn的磁差分值的组合的信息。作为磁场产生线圈Cn的特性信息可以是向磁场产生线圈通电的电流值与作用于磁传感器的磁量的组合，也可以是作用于磁传感器Sn的磁的大小相对于通电的电流的比率、即灵敏度。特性信息是表示向磁场产生线圈Cn通电的电流与作用于磁传感器Sn的磁的关系的信息即可。

关于表示磁传感器Sn的传感器输出特性的特性信息，例示了作用于磁传感器Sn的磁差分值与磁传感器Sn所输出的传感器输出的变化量即输出差分值的组合的信息。作为磁传感器Sn的特性信息，可以是作用于磁传感器的磁量与磁传感器所输出的传感器输出值的组合，也可以是传感器输出值相对于作用的磁量的比率。特性信息是表示作用于磁传感器Sn的磁与由磁传感器进行的传感器输出的关系的信息即可。

在本例中，例示了在差分电路Dn的下游侧设置有差分电路Gm的结构，但也可以代替于此，采用将磁传感器Sn的输出值的车宽方向的差分值作为对象来运算时间方向的差分值的结构。需要说明的是，调换了差分电路Dn、差分电路Gm的顺序的情况的处理如以下说明那样，与本例的传感器阵列11的处理等效。

例如，设为不同的时机T1·T2的磁传感器S1的输出值为R1[T1]·R1[T2]，同样的磁传感器S2的输出值为R2[T1]·R2[T2]，来说明差分电路的顺序的调换。与磁传感器S1及磁传感器S2的输出值相关的时间差分值分别成为(R1[T1]-R1[T2])、(R2[T1]-R2[T2])。这样，关于这2个时间差分值的车宽方向差分值成为(R2[T1]-R2[T2])-(R1[T1]-R1[T2])＝(R2[T1]-R2[T2]-R1[T1]+R1[T2])。

另一方面，与磁传感器S1、S2的输出值相关的时机T1及T2的车宽方向差分值分别成为(R2[T1]-R1[T1])、(R2[T2]-R1[T2])。因此，关于它们的车宽方向差分值的时间差分值成为(R2[T1]-R1[T1])-(R2[T2]-R1[T2])＝(R2[T1]-R1[T1]-R2[T2]+R1[T2])。该运算式与运算时间差分值之后运算车宽方向差分值的上述的运算式等效。

在本例中采用了在车宽方向上具有灵敏度的磁传感器Sn，但也可以是在行进方向上具有灵敏度的磁传感器，还可以是在铅垂方向上具有灵敏度的磁传感器。而且，也可以采用例如在车宽方向和行进方向这2个轴向、行进方向和铅垂方向这2个轴向上具有灵敏度的磁传感器，也可以采用在例如车宽方向、行进方向及铅垂方向这3个轴向上具有灵敏度的磁传感器。若利用在多个轴向上具有灵敏度的磁传感器，则能够连同磁的大小一起计测磁的作用方向，能够生成磁向量。也可以利用磁向量的差分、该差分的行进方向的变化率，来进行磁标识器10的磁与干扰磁的区分。

作为磁场产生部而例示了磁场产生线圈Cn，但磁场产生部是根据通电而产生磁场的部件即可，也可以是单纯的电线。另外，在本例中，在非晶线材20的周围卷绕有磁场产生线圈Cn，但也可以不对磁场产生线圈Cn内插配置非晶线材。

需要说明的是，本例是使传感器阵列11与检测单元12分体的结构例，但也可以采用使两者一体化的结构。

(实施例2)

本例是基于实施例1的结构而采用与传感器芯片2的拾取线圈21同样的方法来形成磁场产生线圈Cn的例子。关于该内容，参照图11及图12进行说明。

在本例的传感器芯片2中，相对于构成感磁体的非晶线材20，拾取线圈21和磁场产生线圈Cn并列地配置。

在传感器芯片2中，如图11及图12所示，利用延伸设置有凹槽状的延伸槽25的电极配线基板2A而形成磁传感器Sn。在该传感器芯片2中，在填充到延伸槽25中的由环氧树脂等构成的绝缘体埋设有非晶线材20。并且，由沿着绝缘体的外周形成的导电图案28、29形成拾取线圈21、磁场产生线圈Cn。

作为导电图案，存在形成于延伸槽25的内周面的第一导电图案28和形成于与电极配线基板2A的表面侧面对的绝缘体的外侧面的第二导电图案29。

第一导电图案28是以与延伸槽25的槽方向大致正交的方式形成于延伸槽25的内周面、且两端延伸设置于电极配线基板2A的表面的图案。第一导电图案28包括形成于延伸槽25的底面的图案282和形成于延伸槽25的内侧面的图案281。该第一导电图案28如梯子那样在槽方向上并列配置有多个。

第二导电图案29是沿着向电极配线基板2A的表面侧露出的绝缘体的外侧面且相对于槽方向斜行的导电图案。与第一导电图案28同样，第二导电图案29在槽方向上并列有多个。第二导电图案29的各图案通过相对于槽方向斜行，从而将在槽方向上相邻的两条第一导电图案28串联连接。

传感器芯片2的拾取线圈21通过第一导电图案28及第二导电图案29的组合而形成为整体上构成螺旋状的电路径。在传感器芯片2中，相对于拾取线圈21的全长，非晶线材20较长。并且，在从拾取线圈21伸出的非晶线材20的端部设置有磁场产生线圈Cn。该磁场产生线圈Cn与拾取线圈21同样，通过第一导电图案28与第二导电图案29的组合而形成，仅匝数与拾取线圈21不同。

在此，说明第一导电图案28及第二导电图案29的形成方法。在第一导电图案28的形成时，首先，对形成绝缘体之前的延伸槽25的内周面的整个面、以及电极配线基板2A的表面中的与延伸槽25相邻的缘部蒸镀导电性的金属薄膜。之后，使用选择蚀刻方法来选择性地去除金属薄膜的一部分，由此形成多个图案呈梯子状并列的第一导电图案28。然后，通过以埋设非晶线材20的方式向延伸槽25填充环氧树脂等，由此形成绝缘体。

在形成第二导电图案29时，首先，对在延伸槽25形成有绝缘体的电极配线基板2A的表面中的、绝缘体的表面及延伸槽25的外侧的缘部蒸镀导电性的金属薄膜。之后，若使用选择蚀刻方法来去除金属薄膜的一部分，则能够形成将相邻的第一导电图案28的端部连接的第二导电图案29。

如以上那样，通过与构成磁传感器Sn的拾取线圈21同样的方法而形成的磁场产生线圈Cn除了匝数以外的规格与拾取线圈21相同。该磁场产生线圈Cn在制作磁传感器Sn时，能够以同样的工序制作，因此引发成本上升的可能性低。另外，磁场产生线圈Cn相对于磁传感器Sn组装而一体化，因此与磁传感器Sn的分开距离等不存在变动的可能性。

若是在磁传感器Sn的非晶线材20的周围卷绕有磁场产生线圈Cn的构造，则能够对磁传感器Sn效率良好地作用磁。在该构造的情况下，磁场产生线圈Cn所作用的磁中的向磁传感器Sn供给的磁的比例因外在原因等而变动的可能性低。像这样在非晶线材20的周围卷绕有磁场产生线圈Cn的构造对于利用磁场产生线圈Cn进行的校正的精度提高是有效的。

需要说明的是，相对于磁场产生线圈Cn内插配置非晶线材20不是必需的。也可以使非晶线材20的长度与拾取线圈21的全长大致同等，减少非晶线材20从拾取线圈21的伸出。在该情况下，成为未相对于磁场产生线圈Cn内插配置非晶线材20的状态。

需要说明的是，关于其他结构及作用效果，与实施例1同样。

以上，如实施例那样详细地说明了本发明的具体例，但这些具体例只不过公开了技术方案所包含的技术的一例。当然，不应该根据具体例的结构、数值等而限定性地解释技术方案的范围。技术方案的范围包含利用公知技术、本领域技术人员的知识等来使所述具体例进行多种多样的变形、变更或适当组合而成的技术。

附图标记说明

1 标识器检测装置(磁计测系统)

10 磁标识器

11 传感器阵列

110 校准电路

112 校正部(存储部、推定部)

12 检测单元

125 滤波处理电路

127 检测处理电路

2 传感器芯片

20 非晶线材(磁性体线材)

21 拾取线圈(线圈)

Sn 磁传感器

Cn 磁场产生线圈(磁场产生部、线圈)

5 车辆

6 磁场产生装置

60 亥姆霍兹线圈。

Claims (9)

1.一种磁计测系统，其使用磁传感器来计测磁，其中，

对所述磁传感器附设有磁场产生部，所述磁场产生部根据通电的电流而产生磁场，

所述磁计测系统具备：

取得在使利用产生磁的磁场产生装置而作用于所述磁传感器的磁变化了与基准量ΔHs相应的量时的该磁传感器的传感器输出的变化量即基准的输出差分值ΔRsn的电路；

基于磁的变化量即所述基准量ΔHs与所述基准的输出差分值ΔRsn的组合而生成磁传感器的特性信息的电路；

取得在使向所述磁场产生部通电的电流变化了与电流差分值ΔIa相应的量时的所述磁传感器的传感器输出的变化量即第一输出差分值的电路；

参照由生成所述磁传感器的特性信息的电路生成的所述磁传感器的特性信息而推定与所述第一输出差分值对应的磁的变化量即磁差分值ΔHan的电路；

基于该推定出的磁差分值ΔHan与所述电流差分值ΔIa的组合而生成表示磁输出特性的磁场产生部的特性信息的电路；

推定部，其参照该生成的磁场产生部的特性信息，推定起因于向所述磁场产生部通电的电流的变化量即电流差分值ΔIb而作用于所述磁传感器的磁的变化量即磁差分值ΔHbn；以及

校正部，其通过以根据作用于所述磁场产生部的与所述电流差分值ΔIb相应的电流的变化而所述磁传感器输出的传感器输出的变化量即第二输出差分值与所述推定部针对所述电流差分值ΔIb而推定的磁差分值ΔHbn的比率成为恒定的值的方式调整第二输出差分值的放大率从而校正所述磁传感器。

2.根据权利要求1所述的磁计测系统，其中，

生成所述磁场产生部的特性信息的电路生成的所述磁场产生部的特性信息是向所述磁场产生部通电的电流的变化量即电流差分值与作用于所述磁传感器的磁的变化量即磁差分值的组合的信息。

3.根据权利要求1或2所述的磁计测系统，其中，

所述磁场产生部包括通过卷绕电线而得到的线圈，根据向该线圈的通电而产生磁场。

4.根据权利要求3所述的磁计测系统，其中，

所述磁传感器包括作为感磁体的磁性体线材和通过电线卷绕于该磁性体线材的周围而得到的线圈，

该磁传感器的线圈与所述磁场产生部的线圈除了匝数以外的规格相同。

5.一种磁传感器的校正方法，其是计测磁的磁传感器的校正方法，其中，

所述磁传感器附设有磁场产生部，所述磁场产生部根据通电的电流而产生磁场，

所述磁传感器的校正方法针对所述磁传感器实施如下步骤：

取得在使利用产生磁的磁场产生装置而作用于所述磁传感器的磁变化了与基准量ΔHs相应的量时的该磁传感器的传感器输出的变化量即基准的输出差分值ΔRsn的步骤；

基于磁的变化量即所述基准量ΔHs与所述基准的输出差分值ΔRsn的组合而生成所述磁传感器的特性信息的步骤；

在使向所述磁场产生部通电的电流变化时实施所述磁传感器的磁计测，取得根据向该磁场产生部通电的电流的变化量即电流差分值ΔIa而该磁传感器输出的传感器输出的变化量即第一输出差分值的步骤；

参照由生成所述磁传感器的特性信息的步骤生成的所述磁传感器的特性信息而推定与所述第一输出差分值对应的磁的变化量即磁差分值ΔHan的步骤；

基于该推定出的磁差分值ΔHan与所述电流差分值ΔIa的组合而生成表示磁输出特性的磁场产生部的特性信息的步骤：

参照该生成的磁场产生部的特性信息，推定起因于向所述磁场产生部通电的电流的变化量即电流差分值ΔIb而作用于所述磁传感器的磁的变化量即磁差分值ΔHbn的步骤；以及

通过以根据作用于所述磁场产生部的与所述电流差分值ΔIb相应的电流的变化而所述磁传感器输出的传感器输出的变化量即第二输出差分值与在推定所述磁差分值的步骤中针对所述电流差分值ΔIb而推定的磁差分值ΔHbn的比率成为恒定的值的方式调整第二输出差分值的放大率从而校正所述磁传感器的校正步骤。

6.根据权利要求5所述的磁传感器的校正方法，其中，

所述磁场产生部的特性信息是向所述磁场产生部通电的电流的变化量即电流差分值与作用于所述磁传感器的磁的变化量即磁差分值的组合的信息。

7.根据权利要求5或6所述的磁传感器的校正方法，其中，

所述磁传感器的特性信息是表示使作用于该磁传感器的磁变化了与基准量ΔHs相应的量时的作用于该磁传感器的磁的变化量的磁差分值与所述磁传感器输出的传感器输出的成为基准的变化量即输出差分值ΔRsn的组合的信息，

生成所述磁传感器的特性信息的步骤包括以表示使作用于所述磁传感器的磁变化了与基准量ΔHs相应的量时的作用于该磁传感器的磁的变化量的磁差分值与所述输出差分值ΔRsn的比率成为恒定的值的方式调整输出差分值ΔRsn的放大率的校正处理。

8.根据权利要求5或6所述的磁传感器的校正方法，其中，

附设于所述磁传感器的所述磁场产生部包括通过卷绕电线而得到的线圈，根据向该线圈的通电而产生磁场，

所述磁传感器包括作为感磁体的磁性体线材和通过电线卷绕于该磁性体线材的周围而得到的线圈，

该磁传感器的线圈与所述磁场产生部的线圈除了匝数以外的规格相同。

9.根据权利要求7所述的磁传感器的校正方法，其中，

附设于所述磁传感器的所述磁场产生部包括通过卷绕电线而得到的线圈，根据向该线圈的通电而产生磁场，

所述磁传感器包括作为感磁体的磁性体线材和通过电线卷绕于该磁性体线材的周围而得到的线圈，

该磁传感器的线圈与所述磁场产生部的线圈除了匝数以外的规格相同。