CN111900195A - 显示基板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种显示基板，包括：衬底基板、形成于衬底基板上的薄膜晶体管、补氧功能层、氧容纳层和第一电极，薄膜晶体管包括：有源层，有源层的材料包括：氧化物半导体材料；第一电极为像素电极、公共电极或有机发光二极管的阳极，第一电极的材料包括：金属氧化物材料，所述第一电极与所述补氧功能层为同一结构；氧容纳层位于第一电极和衬底基板之间，氧容纳层配置为在沉积用于构成所述第一电极的金属氧化物材料的过程中容纳被注入的氧离子，以及释放氧离子以填补有源层中的氧空位。本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法和显示装置。

Description

显示基板及其制备方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
氧化物(Oxide)型薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)凭借其低的工艺温度、高的迁移率、对可见光透明，可以在室温制备大面积优质薄膜并可与现有产线设备兼容、可以制作在柔性衬底上等优点，被认为是最有希望的下一代薄膜晶体管之一。
在实际应用中发现，由氧化物半导体材料构成的有源层中存在较多的氧空位，氧空位会对有源层的性能产生影响，导致Oxide TFT的整体性能异常。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板及其制备方法和显示装置。
第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：衬底基板、形成于衬底基板上的薄膜晶体管、补氧功能层、氧容纳层和第一电极，所述薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层的材料包括：氧化物半导体材料；
所述第一电极为像素电极、公共电极或有机发光二极管的阳极，所述第一电极的材料包括：金属氧化物材料，所述第一电极与所述补氧功能层为同一结构；
所述氧容纳层位于所述第一电极和所述衬底基板之间，所述氧容纳层配置为在沉积用于构成所述第一电极的金属氧化物材料的过程中容纳被注入的氧离子，以及释放氧离子以填补所述有源层中的氧空位。
在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括：栅极，所述栅极与所述有源层之间设置有栅绝缘层，所述第一电极位于所述栅绝缘层背向所述衬底基板的一侧；
所述栅绝缘层为所述氧容纳层。
在一些实施例中，所述栅极位于所述有源层和所述衬底基板之间；
或者，所述栅极位于所述有源层背向所述衬底基板的一侧。
在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括：位于所述有源层背向所述衬底基板一侧的源漏电极；
所述第一电极位于所述源漏电极与所述栅绝缘层之间。
在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括：位于所述有源层背向所述衬底基板一侧的源漏电极；
所述第一电极位于所述源漏电极背向所述衬底基板的一侧，所述第一电极与所述源漏电极之间设置有第一钝化层；
所述第一钝化层和所述栅绝缘层均为所述氧容纳层。
在一些实施例中，所述金属氧化物材料中的金属材料包括：铟、镓、锌、钨、钼、锡中的一种或多种。
在一些实施例中，还包括：第二电极，所述第二电极位于所述第一电极背向所述衬底基板的一侧；
所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；
或者，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；
或者，所述第一电极为有机发光二极管的阳极，所述第二电极为有机发光二极管的阴极。
第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括：如上述权利要求1-7中任一所述的显示基板。
第三方面，本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
在衬底基板上形成薄膜晶体管、形成氧容纳层、形成第一电极和补氧功能层，所述第一电极为像素电极或公共电极，所述第一电极位于氧容纳层背向所述衬底基板的一侧，所述第一电极与所述补氧功能层为同一结构；
其中，形成薄膜晶体管的步骤包括：形成有源层，所述有源层的材料包括：氧化物半导体材料；
形成第一电极的步骤包括：通过溅射沉积工艺在所述氧容纳层背向所述衬底基板的一侧沉积金属氧化物材料以形成金属氧化物薄膜，在溅射沉积工艺环境中存在氧气，以使得形成金属氧化物薄膜的过程中部分氧离子注入到所述氧容纳层内；
对所述金属氧化物薄膜进行图案化以得到所述第一电极的图形；
在形成有源层的步骤和形成第一电极的步骤之后，还包括：
将氧容纳层内的氧离子扩散到有源层，以填补有源层内的氧空位。
在一些实施例中，在通过溅射沉积工艺在所述氧容纳层背向所述衬底基板的一侧沉积金属氧化物材料以形成金属氧化物薄膜的过程中，溅射沉积工艺环境中的氧分压占比大于或等于20％。
在一些实施例中，溅射沉积工艺环境中的氧分压占比大于50％；
在对所述金属氧化物薄膜进行图案化以得到所述第一电极的图形的步骤之后，还包括：
对所述第一电极的图形进行导体化处理。
在一些实施例中，形成薄膜晶体管的步骤还包括：形成栅极，所述栅极与所述有源层之间设置有栅绝缘层；
形成氧容纳层的步骤包括：形成作为氧容纳层的栅绝缘层。
在一些实施例中，形成薄膜晶体管的步骤还包括：形成源漏电极；
其中，形成第一电极的步骤位于形成栅绝缘层的步骤之后执行，形成源漏电极的步骤位于形成栅绝缘层的步骤之后执行。
在一些实施例中，形成薄膜晶体管的步骤还包括：形成源漏电极；
形成氧容纳层的步骤还包括：在源漏电极背向所述衬底基板的一侧形成作为氧容纳层的第一钝化层；
形成第一电极的步骤位于形成第一钝化层的步骤之后执行。
在一些实施例中，所述将氧容纳层内的氧离子扩散到有源层的步骤包括：
通过沉积工艺在所述第一电极背向所述衬底基板的一侧形成第二钝化层，在沉积工艺环境下所述氧容纳层的氧离子扩散到有源层，以填补有源层内的氧空位。
附图说明
图1a为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图1b为本公开中向氧容纳层注入氧离子时的示意图；
图2为本公开实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图3为本公开实施例提供的又一种显示基板的结构示意图；
图4为本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图5为本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图6为本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图7为本公开实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图；
图8为本公开实施例提供的另一种显示基板的制备方法的流程图；
图9示意出了IWO电学性能随氧分压变化的示意图；
图10为本公开实施例提供的又一种显示基板的制备方法的流程图；
图11为本公开实施例提供的再一种显示基板的制备方法的流程图；
图12为本公开实施例提供的再一种显示基板的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的一种显示基板及其制备方法和显示装置进行详细描述。
在相关技术中，在制备包含有氧化物型薄膜晶体管的显示基板的过程中，为有效降低有源层中的氧空位，会在现有显示基板制备工序中增加一道制备补氧功能层的工艺步骤。具体地，在有源层的制备工艺步骤结束之后，额外增加一道制备补氧功能层的工艺步骤，其中补氧功能层的材料采用氧化物材料，且该氧化物材料可以在含氧环境下通过溅射(sputter)工艺沉积成膜。此时，在制备补氧功能层的过程中，含氧环境中的氧能够对有源层中的氧空位进行填补，从而有效降低有源层中的氧空位。
在相关技术中，虽能在一定程度上降低有源层中的氧空位，但是由于补氧功能层的工艺步骤的加入，使得显示基板制备工序中增加一道sputter工艺，导致工艺步骤繁琐、耗能增多。
图1a为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图，图1b为本公开中向氧容纳层注入氧离子时的示意图，如图1a和图1b所示，该显示基板包括：衬底基板1、形成于衬底基板1上的薄膜晶体管、补氧功能层、氧容纳层5和第一电极6。
其中，薄膜晶体管包括：有源层4，有源层4的材料包括：氧化物半导体材料。可选地，氧化物半导体材料金属氧化物半导体材料；例如，氧化铟镓锌(化学式IGZO)。
第一电极6为像素电极、公共电极或有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，简称OLED)的阳极，第一电极6的材料包括：金属氧化物材料，第一电极与补氧功能层为同一结构，即本公开实施例中第一电极复用为补氧功能层。
第一电极6与衬底基板1之间形成有氧容纳层5，氧容纳层5配置为在形成金属氧化物薄膜的过程中容纳被注入的氧离子，以及释放氧离子以填补有源层4中的氧空位。
在本公开实施中，第一电极6同时具备两种功能：其一、用作像素电极或公共电极或阳极；其二、用作补氧功能层，与氧容纳层5进行配合以对有源层4中的氧空位进行填补。下面将对本公开实施例中第一电极6用作补氧功能层的工作原理进行详细描述。
在一些实施例中，在一些实施例中，第一电极6为由金属氧化物材料形成的金属氧化物薄膜经过图案化得到的图形，且金属氧化物薄膜是在氧分压占(工艺腔室内氧气的分压与工艺腔室内总气压的比值)比大于或等于20％的溅射沉积工艺环境下所形成。
参见图1b所示，在本公开实施例中，在制备第一电极6之前会先形成氧容纳层5；在制备第一电极6时，用于制备第一电极6的金属氧化物薄膜是在氧分压占比≥20％的溅射沉积工艺环境下所形成，在高氧环境(氧分压占比≥20％)下沉积金属氧化物薄膜时，氧气会被激发为氧等离子体，大量的氧离子14被注入到下方的氧容纳层5中，即氧容纳层5中具有较大浓度的氧离子14。
在后续工序过程中(且已形成有源层4的图形)，可通过高温工艺(一般大于220℃)使得氧容纳层5释放氧离子14，氧离子14扩散到有源层4中以对有源层4内的氧空位进行填补。
基于上述内容可见，本公开的技术方案可实现对有源层4内的氧空位进行填补，有利于提升有源层4的性能，从而提升TFT的整体性能。另外，本公开实施例中像素电极、公共电极或OLED的阳极(即第一电极6)可复用作补氧功能层，因而无需在显示基板中额外设置补氧结构以及无需额外配置相应的制备工序，可有效保证显示基板的结构简单化以及制备工序简单化。
金属氧化物材料在高氧的溅射沉积工艺环境下所形成的金属氧化物薄膜，具有一定的导电性(导电率与金属氧化物材料本身、溅射沉积工艺环境中的氧分压占比等因素相关)，可作为电极来使用；但是，针对一些高性能产品(对像素电极/公共电极/OLED的阳极的具有较高的导电率要求)，在高氧的溅射沉积工艺环境下所形成的金属氧化物薄膜的导电率无法满足高性能产品的需求。为此，在实际应用中可根据实际需要，在补氧过程完成后对构成第一电极6的金属氧化物材料进行导体化处理，以提升第一电极6的导电性能。
继续参见图1a所示，薄膜晶体管还包括：栅极3，栅极3与有源层4之间形成有栅绝缘层2，第一电极6位于栅绝缘层2背向衬底基板1的一侧；此时，栅绝缘层2可用作氧容纳层5。即，栅绝缘层2复用为氧容纳层5，因而无需在显示基板中额外设置氧容纳层5以及无需额外配置相应的制备工序，可有效保证显示基板的结构简单化以及制备工序简单化，其为本公开实施例中的一种优选实施方案。
在一些实施例中，薄膜晶体管还包括：位于有源层4背向衬底基板1一侧的源漏电极7(包括源极和漏极)，且第一电极6位于源漏电极7与栅绝缘层2之间。
图2为本公开实施例提供的另一种显示基板的结构示意图，如图2所示，在一些实施例中，显示基板为液晶显示装置中的阵列基板，该显示基板不但包括薄膜晶体管和第一电极6，还包括第二电极9，第二电极9位于第一电极6背向衬底基板1的一侧，第一电极6与第二电极9之间形成有第二钝化层8；第一电极6和第二电极9中的一者为像素电极，另一者为公共电极。
在一些实施例中，第二钝化层8的成膜沉积工艺往往采用等离子体增强气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD)工艺，PECVD工艺为高温工艺，因此在形成第二钝化层8的材料薄膜过程中即可使得氧容纳层5释放氧离子，因而无需额外增设“高温工艺”来使得氧容纳层5释放氧离子，可保证制备工序简单化。
图3为本公开实施例提供的又一种显示基板的结构示意图，如图3所示，与图2中所示情况不同的是，图3中的第一电极6位于源漏电极7背向衬底基板1的一侧，且第一电极6与源漏电极7之间形成有第一钝化层10；此时，位于第一电极6和衬底基板1之间的第一钝化层10和栅绝缘层2均可作为氧容纳层5。
需要说明的是，在图2和图3所示情况中，薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，且第一电极6为像素电极(第一电极6与漏极电连接)，第二电极9为公共电极，这种情况仅起到示例性作用，其不会对本公开的技术方案产生限制。在本公开实施例中，但凡设置氧容纳层5、以及将公共电极/像素电极复用为补氧功能层的技术方案，均应属于本公开的保护范围。
图4为本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图，如图4所示，与图2和图3中所示情况不同的是，图4所示情况中第一电极6作为公共电极，第二电极9作为像素电极，第二电极9与漏极电连接。位于第一电极6和衬底基板1之间的第一钝化层10和栅绝缘层2均可作为氧容纳层5。
图5为本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图，如图5所示，与图2～图4中所示显示基板为液晶显示装置中的阵列基板不同的是，图5所示显示基板为OLED显示基板，第一电极6作为OLED的阳极，第二电极9作为OLED的阴极，第一电极6与第二电极9之间形成有像素界定层13，像素界定层13中形成有像素容纳孔，像素容纳孔内形成有有机功能层11；有机功能层11至少包括有机发光层，当前还可以选择性包括空穴阻挡层、电子阻挡层、空穴传输层、电子传输层等结构。
一般而言，在阳极完成制备后会依次进行像素界定层13的制备、有机功能层11的制备和第二电极9的制备，其中像素界定层13一般采用有机材料，为防止有机材料中的氢离子、水汽等杂质扩散到下层膜层并到达有源层4，为此可在第一电极6完成制备后，直接对基板进行一次高温处理，以使得氧容纳层5(栅绝缘层2和第一钝化层10)释放氧离子以填补有源层4中的氧空位，然后再进行像素界定层13的制备。
图6为本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图，如图6所示，与图1～图5中所示情况不同的是，图6所示情况中的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，即栅极3位于有源层4背向衬底基板1的一侧，源漏电极7位于栅极3背向衬底基板1的一侧，源漏电极7与栅极3之间形成有层间介质层12，第一电极6与源漏电极7之间设置有第一钝化层10；此时，位于第一电极6与衬底基板1之间的栅绝缘层2、层间介质层12均可作为氧容纳层5。
在一些实施例中，构成第一电极6的金属氧化物材料中的金属材料包括：铟、镓、锌、钨、钼、锡中的一种或多种。
进一步地，构成第一电极6的金属氧化物材料包括：氧化铟镓锌(化学式IGZO)、氧化铟钨(化学式IWO)、氧化铟钼(化学式IMO)、氧化铟锡(化学式ITO)，且能够在氧分压占比≥20％的溅射沉积工艺环境下形成相应薄膜。
本公开实施例提供了一种显示基板，能够对有源层内的氧空位进行填补，有利于提升有源层的性能，从而提升TFT的整体性能；另外，本公开中像素电极、公共电极或OLED的阳极(即第一电极)可复用作补氧功能层，因而无需在显示基板中额外设置补氧结构以及无需额外配置相应的制备工序，可有效保证显示基板的结构简单化以及制备工序简单化。
图7为本公开实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图，如图7所示，该制备方法可用于制备前面任一实施例提供的显示基板，该制备方法包括：
步骤S101、在衬底基板上形成薄膜晶体管、形成氧容纳层、形成第一电极和补氧功能层。
其中，第一电极为像素电极或公共电极，第一电极位于氧容纳层背向衬底基板的一侧，第一电极与补氧功能层为同一结构。
形成薄膜晶体管的步骤包括：形成有源层，有源层的材料包括：氧化物半导体材料。
形成第一电极的步骤包括：首先，通过溅射沉积工艺在氧容纳层背向衬底基板的一侧沉积金属氧化物材料以形成金属氧化物薄膜，溅射沉积工艺环境中存在氧气，以使得形成金属氧化物薄膜的过程中部分氧离子注入到氧容纳层内；然后，对金属氧化物薄膜进行图案化以得到第一电极的图形。
在一些实施例中，形成金属氧化物薄膜的溅射沉积工艺环境中的氧分压占比大于或等于20％。
在一些实施例中，构成第一电极的金属氧化物材料中的金属材料包括：铟、镓、锌、钨、钼、锡中的一种或多种。
进一步地，金属氧化物材料包括：氧化铟镓锌、氧化铟钨、氧化铟钼、氧化铟锡中的至少一种。这些金属氧化物材料均具有一定的导电性。
步骤S102、将氧容纳层内的氧离子扩散到有源层，以填补有源层内的氧空位。
在一些实施例中，可通过高温工艺使得氧容纳层内的氧离子扩散到有源层。
本公开实施例提供了一种显示基板的制备方法，通过在制备第一电极的过程中将大量氧离子注入到氧容纳槽，然后再通过高温工艺使得氧容纳槽释放氧离子以对有源层中的氧空位进行填补，有利于提升有源层的性能，从而提升TFT的整体性能；另外，本公开中像素电极、公共电极或OLED的阳极(即第一电极)可复用作补氧功能层，因而无需在显示基板中额外设置补氧结构以及无需额外配置相应的制备工序，可有效保证显示基板的结构简单化以及制备工序简单。
图8为本公开实施例提供的另一种显示基板的制备方法的流程图，如图8所示，该制备方法可用于制备图2中所示显示基板，该制备方法包括：
步骤S201、在衬底基板上形成栅极。
在步骤S201中，首先在衬底基板上通过溅射沉积工艺形成栅金属材料薄膜，栅金属材料可包括：铜、钼、铝等；然后对栅金属材料薄膜进行图案化工艺，以得到栅极的图形。
步骤S202、在栅极背向衬底基板的一侧形成栅绝缘层。
在一些实施例中，栅绝缘层的材料包括氧化硅和/或氮化硅。
以栅绝缘层为双层层叠结构为例，栅绝缘层包括：第一栅绝缘子层和第二栅绝缘子层，第一栅绝缘子层的材料包括氮化硅(不含氧离子，以避免由金属材料构成的栅极被氧化)，第二栅绝缘子层的材料包括氧化硅(含有一定量的阳离子，可在一定程度上填补有源层中的氧空位)。此时，在步骤S202中，首先通过溅射沉积工艺沉积氮化硅材料以形成第一栅绝缘子层；然后通过溅射沉积工艺沉积氧化硅材料以形成第二栅绝缘子层。
在本实施例中，栅绝缘层作为氧容纳层。
步骤S203、通过溅射沉积工艺在栅绝缘层背向衬底基板的一侧沉积金属氧化物材料以形成金属氧化物薄膜。
在本实施例中，金属氧化物材料可选用IWO、IMO等，溅射沉积工艺环境中的氧分压占比≥20％，金属氧化物薄膜的厚度大于500埃。在形成金属氧化物薄膜的过程中，大量氧离子注入到栅绝缘层内，尤其是第二栅绝缘子层内氧离子含量较大。
以金属氧化物材料为IWO为例，在氧分压占比为25％的溅射沉积工艺环境下形成厚度约为500埃的IWO薄膜，所形成的IWO薄膜的电阻率约为6×10-4Ω·cm，可见光透过率约为90％。
图9示意出了IWO电学性能随氧分压变化的示意图，如图9所示，其中p(O2)表示氧分压的大小，ρ表示电阻率，n表示载流子浓度，μ表示载流子迁移率，通过图9可见，在氧分压为2.4×10-1Pa的条件下，制备的IWO薄膜最佳电阻率约为6.3×10-4PaΩ·cm，载流子迁移率约为34cm2V-1s-1，载流子浓度约为2.9×1020cm-3。
需要说明的是，溅射沉积工艺环境中的氧分压占比可根据实际的成膜条件、电阻率要求(一般而言氧分压占比越大，薄膜的电阻率越大)等因素决定。在形成金属氧化物薄膜过程中，栅绝缘层所注入的氧含量，可通过调节金属氧化物中金属掺杂浓度、成膜温度、成膜厚度及溅射设备输出功率等参量来进行控制。
步骤S204、对金属氧化物薄膜进行图案化，以得到第一电极的图形。
由于IWO、IMO等材料可在较高氧分压下成膜，且薄膜的电阻率较小，具有较佳的导电性，因此图案化处理后得到的图形可直接作为电极使用(无需进行导体化处理)。
步骤S205、在栅绝缘层背向衬底基板的一侧形成有源层。
在步骤S205中，首先通过溅射沉积工艺形成有源材料薄膜，可选地有源材料为IGZO；然后对有源材料薄膜进行图案化工艺，以得到有源层的图形。
需要说明的是，在对有源材料薄膜进行刻蚀过程中，需要对有源材料薄膜的刻蚀厚度进行精准控制，以防止对第一电极产生误刻蚀。
步骤S206、在有源层背向衬底基板的一侧形成源漏电极。
在步骤S206中，首先在衬底基板上通过溅射沉积工艺形成源漏金属材料薄膜，源漏金属材料可包括：铜、钼、铝等；然后对源漏金属材料薄膜进行图案化工艺，以得到源漏电极的图形。
其中，第一电极为像素电极，漏极与有源层和第一电极搭接，以使得有源层和第一电极电连接。
步骤S207、通过沉积工艺在第一电极背向衬底基板的一侧形成第二钝化层。
在步骤S207中，由于制备第二钝化层的PECVD工艺为高温工艺，所以在形成第二钝化层的材料薄膜过程中即可使得氧容纳层释放氧离子(即通过步骤S207可实现氧容纳层的氧离子扩散到有源层)，因而无需额外增设“高温工艺”来使得氧容纳层释放氧离子，可保证制备工序简单化。
步骤S208、在第二钝化层背向衬底基板的一侧形成第二电极。
首先在衬底基板上通过溅射沉积工艺形成导电材料薄膜，导电材料可包括：透明导电材料，例如ITO；然后对导电材料薄膜进行图案化工艺，以得到第二电极的图形。其中，第二电极作为公共电极。
通过上述步骤S201～步骤S208即可制得图2中所示显示基板。
图10为本公开实施例提供的又一种显示基板的制备方法的流程图，如图10所示，该制备方法可用于制备图3中所示显示基板，该制备方法包括：
步骤S301、在衬底基板上形成栅极。
步骤S302、在栅极背向衬底基板的一侧形成栅绝缘层。
步骤S303、在栅绝缘层背向衬底基板的一侧形成有源层。
可选地，在步骤S303中，有源层的材料包括IGZO。
步骤S304、在有源层背向衬底基板的一侧形成第一钝化层。
在步骤S304中，首先，通过溅射沉积工艺在第一电极背向衬底基板的一侧形成第一钝化材料薄膜，可选地第一钝化材料包括氮化硅和/或氮化硅；然后，对第一钝化材料薄膜进行刻蚀，以形成连通至漏极的过孔。
在本实施例中，栅绝缘层和第一钝化层均作为氧容纳层。
步骤S305、通过溅射沉积工艺在栅绝缘层背向衬底基板的一侧沉积金属氧化物材料以形成金属氧化物薄膜。
在本实施例中，金属氧化物材料可选用IGZO、ITO等，溅射沉积工艺环境中的氧分压占比≥50％(例如氧分压占比为100％)，金属氧化物薄膜的厚度大于200埃。在形成金属氧化物薄膜的过程中，大量氧离子注入到栅绝缘层和第一钝化层内。
步骤S306、对金属氧化物薄膜进行图案化，以得到第一电极的图形。
其中，第一电极用作像素电极，第一电极与漏极通过过孔电连接。
步骤S307、对第一电极的图形进行导体化处理。
考虑到IGZO和ITO在氧分压占比≥50％的溅射沉积工艺环境中所形成的金属氧化物薄膜电阻率较大，导电性较差，故对图案化后得到的第一电极进行导体化处理(例如，向第一电极注入氢离子)，以提升第一电极的导电性，以使得第一电极能够作为像素电极使用。
步骤S308、在第一电极背向衬底基板的一侧形成第二钝化层。
在步骤S308中，由于第二钝化层的溅射沉积工艺为高温工艺，所以在形成第二钝化材料薄膜过程中即可使得栅绝缘层和第一钝化层释放氧离子(即通过步骤S308可实现氧容纳层的氧离子扩散到有源层)，因而无需额外增设“高温工艺”来使得氧容纳层释放氧离子，可保证制备工序简单化。
步骤S309、在第二钝化层背向衬底基板的一侧形成第二电极。
在一些实施例中，第二电极的材料包括ITO，第二电极作为公共电极。
通过上述步骤S301～步骤S309即可制得图3中所示显示基板。
图11为本公开实施例提供的再一种显示基板的制备方法的流程图，如图11所示，该制备方法可用于制备图4中所示显示基板，该制备方法包括：
步骤S401、在衬底基板上形成栅极。
步骤S402、在栅极背向衬底基板的一侧形成栅绝缘层。
步骤S403、在栅绝缘层背向衬底基板的一侧形成有源层。
可选地，在步骤S403中，有源层的材料包括IGZO。
步骤S404、在有源层背向衬底基板的一侧形成第一钝化材料薄膜。
在步骤S404中，通过溅射沉积工艺在第一电极背向衬底基板的一侧形成第一钝化材料薄膜，可选地第一钝化材料包括氮化硅。
在本实施例中，栅绝缘层和第一钝化材料薄膜均作为氧容纳层。
步骤S405、通过溅射沉积工艺在栅绝缘层背向衬底基板的一侧沉积金属氧化物材料以形成金属氧化物薄膜。
在一些实施例中，金属氧化物材料可选用IGZO、ITO等，溅射沉积工艺环境中的氧分压占比≥50％(例如氧分压占比为100％)，金属氧化物薄膜的厚度大于200埃。在形成金属氧化物薄膜的过程中，大量氧离子注入到栅绝缘层和第一钝化材料薄膜内。
步骤S406、对金属氧化物薄膜进行图案化，以得到第一电极的图形。
其中，第一电极用作公共电极。
步骤S407、对第一电极的图形进行导体化处理。
步骤S408、在第一电极背向衬底基板的一侧形成第二钝化材料薄膜。
步骤S409、对第一钝化材料薄膜和第二钝化材料薄膜进行图案化工艺，以形成连通至漏极的过孔，得到第一钝化层和第二钝化。
步骤S410、在第二钝化层背向衬底基板的一侧形成第二电极。
在一些实施例中，第二电极的材料包括ITO，第二电极作为像素电极，第二电极通过过孔与漏极电连接。
通过上述步骤S401～步骤S410即可制得图4中所示显示基板。
图12为本公开实施例提供的再一种显示基板的制备方法的流程图，如图12所示，该制备方法可用于制备图6中所示显示基板，该制备方法包括：
步骤S501、在衬底基板上形成有源层。
可选地，在步骤S501中，有源层的材料包括IGZO。
步骤S502、在有源层背向衬底基板的一侧形成栅绝缘层。
步骤S503、在栅绝缘层背向衬底基板的一侧形成栅极。
步骤S504、在栅极背向衬底基板的一侧形成层间介质层。
在一些实施例中，层间介质层的材料包括氮化硅和/或氮化硅。
步骤S505、在栅极背向衬底基板的一侧形成源漏电极。
其中，源极和漏极分别通过层间介质层和栅绝缘层上的过孔与有源层电连接。
步骤S506、在源漏电极背向衬底基板的一侧形成第一钝化层。
其中，第一钝化层上形成有连通至漏极的过孔。
其中，在本实施例中，栅绝缘层、层间介质层和第一钝化材料薄膜均作为氧容纳层。
步骤S507、通过溅射沉积工艺在栅绝缘层背向衬底基板的一侧沉积金属氧化物材料以形成金属氧化物薄膜。
在一些实施例中，金属氧化物材料可选用IGZO、ITO等，溅射沉积工艺环境中的氧分压占比≥50％(例如氧分压占比为100％)，金属氧化物薄膜的厚度大于200埃。在形成金属氧化物薄膜的过程中，大量氧离子注入到栅绝缘层、层间介质和第一钝化材料薄膜内。
步骤S508、对金属氧化物薄膜进行图案化，以得到第一电极的图形。
其中，第一电极用作像素电极，第一电极与漏极通过过孔电连接。
步骤S509、对第一电极的图形进行导体化处理。
步骤S510、在第一电极背向衬底基板的一侧形成第二钝化层。
在步骤S510中，由于第二钝化层的溅射沉积工艺为高温工艺，所以在形成第二钝化材料薄膜过程中即可使得栅绝缘层、层间介质层和第一钝化层释放氧离子(即通过步骤S510可实现氧容纳层的氧离子扩散到有源层)，因而无需额外增设“高温工艺”来使得氧容纳层释放氧离子，可保证制备工序简单化步骤S511、在第二钝化层背向衬底基板的一侧形成第二电极。
在一些实施例中，第二电极的材料包括ITO，第二电极作为公共电极。
通过上述步骤S501～步骤S511即可制得图6中所示显示基板。
本公开实施例提供了一种显示基板的制备方法，通过在制备第一电极的过程中将大量氧离子注入到氧容纳槽，然后再通过高温工艺使得氧容纳槽释放氧离子以对有源层中的氧空位进行填补，有利于提升有源层的性能，从而提升TFT的整体性能；另外，本公开中像素电极、公共电极或OLED的阳极(即第一电极)可复用作补氧功能层，因而无需在显示基板中额外设置补氧结构以及无需额外配置相应的制备工序，可有效保证显示基板的结构简单化以及制备工序简单。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括：如上述实施例提供的显示基板，对于该显示基板的具体描述，可参见前面实施例的内容，此处不再赘述。
在一些实施例中，该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板、形成于衬底基板上的薄膜晶体管、补氧功能层、氧容纳层和第一电极，所述薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层的材料包括：氧化物半导体材料；
所述第一电极为像素电极、公共电极或有机发光二极管的阳极，所述第一电极的材料包括：金属氧化物材料，所述第一电极与所述补氧功能层为同一结构；
所述氧容纳层位于所述第一电极和所述衬底基板之间，所述氧容纳层配置为在沉积用于构成所述第一电极的金属氧化物材料的过程中容纳被注入的氧离子，以及释放氧离子以填补所述有源层中的氧空位。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：栅极，所述栅极与所述有源层之间设置有栅绝缘层，所述第一电极位于所述栅绝缘层背向所述衬底基板的一侧；
所述栅绝缘层为所述氧容纳层。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述栅极位于所述有源层和所述衬底基板之间；
或者，所述栅极位于所述有源层背向所述衬底基板的一侧。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述有源层背向所述衬底基板一侧的源漏电极；
所述第一电极位于所述源漏电极与所述栅绝缘层之间。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述有源层背向所述衬底基板一侧的源漏电极；
所述第一电极位于所述源漏电极背向所述衬底基板的一侧，所述第一电极与所述源漏电极之间设置有第一钝化层；
所述第一钝化层和所述栅绝缘层均为所述氧容纳层。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述金属氧化物材料中的金属材料包括：铟、镓、锌、钨、钼、锡中的一种或多种。
7.根据权利要求1-6中任一所述的显示基板，其特征在于，还包括：第二电极，所述第二电极位于所述第一电极背向所述衬底基板的一侧；
所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；
或者，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；
或者，所述第一电极为有机发光二极管的阳极，所述第二电极为有机发光二极管的阴极。
8.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求1-7中任一所述的显示基板。
9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成薄膜晶体管、形成氧容纳层、形成第一电极和补氧功能层，所述第一电极为像素电极或公共电极，所述第一电极位于氧容纳层背向所述衬底基板的一侧，所述第一电极与所述补氧功能层为同一结构；
其中，形成薄膜晶体管的步骤包括：形成有源层，所述有源层的材料包括：氧化物半导体材料；
形成第一电极的步骤包括：通过溅射沉积工艺在所述氧容纳层背向所述衬底基板的一侧沉积金属氧化物材料以形成金属氧化物薄膜，溅射沉积工艺环境中存在氧气，以使得形成金属氧化物薄膜的过程中部分氧离子注入到所述氧容纳层内；
对所述金属氧化物薄膜进行图案化以得到所述第一电极的图形；
在形成有源层的步骤和形成第一电极的步骤之后，还包括：
将氧容纳层内的氧离子扩散到有源层，以填补有源层内的氧空位。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在通过溅射沉积工艺在所述氧容纳层背向所述衬底基板的一侧沉积金属氧化物材料以形成金属氧化物薄膜的过程中，溅射沉积工艺环境中的氧分压占比大于或等于20％。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，溅射沉积工艺环境中的氧分压占比大于50％；
在对所述金属氧化物薄膜进行图案化以得到所述第一电极的图形的步骤之后，还包括：
对所述第一电极的图形进行导体化处理。
12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，形成薄膜晶体管的步骤还包括：形成栅极，所述栅极与所述有源层之间设置有栅绝缘层；
形成氧容纳层的步骤包括：形成作为氧容纳层的栅绝缘层。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，形成薄膜晶体管的步骤还包括：形成源漏电极；
其中，形成第一电极的步骤位于形成栅绝缘层的步骤之后执行，形成源漏电极的步骤位于形成栅绝缘层的步骤之后执行。
14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，形成薄膜晶体管的步骤还包括：形成源漏电极；
形成氧容纳层的步骤还包括：在源漏电极背向所述衬底基板的一侧形成作为氧容纳层的第一钝化层；
形成第一电极的步骤位于形成第一钝化层的步骤之后执行。
15.根据权利要求9-14中任一所述的制备方法，其特征在于，所述将氧容纳层内的氧离子扩散到有源层，以填补有源层内的氧空位的步骤包括：
通过沉积工艺在所述第一电极背向所述衬底基板的一侧形成第二钝化层，在沉积工艺环境下所述氧容纳层的氧离子扩散到有源层，以填补有源层内的氧空位。
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