CN111834379B - 阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，该阵列基板包括衬底、阵列层和导线层，衬底包括可拉伸的柔性区和不可拉伸的像素区；阵列层设置于衬底上且位于像素区内，阵列层包括多个像素电路；导线层包括导线桥，导线桥电连接像素区内的像素电路。通过上述方式，本申请能够降低像素岛脱落和导线桥断裂的风险。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。
背景技术
随着显示技术的发展，为满足不同用户需求，不同功能特性的显示面板涌现出来，如可卷曲显示面板、可拉伸显示面板等。目前可拉伸显示面板一般采用岛桥结构，设置有包括多个像素的像素岛，相邻像素岛之间通过导线桥连接。本申请的发明人在长期的研发过程中，发现目前的可拉伸显示面板在拉伸时易出现像素岛剥离脱落、导线桥断裂的问题。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，能够降低像素岛脱落和导线桥断裂的风险。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，该阵列基板包括衬底、阵列层和导线层，衬底包括可拉伸的柔性区和不可拉伸的像素区；阵列层设置于衬底上且位于像素区内，阵列层包括多个像素电路；以及导线层，导线层包括导线桥，导线桥电连接像素区内的像素电路。
其中，阵列层包括多个金属层，像素电路包括分布在多个金属层上的多条像素电路导线，位于不同金属层上的多条像素电路导线通过过孔的方式汇聚至导线层与导线桥电连接。通过将位于不同层的像素电路导线汇聚至同一层之后再与导线桥连接，将导线集中，能够增强连接线的强度，减小单个导线的断线风险。
其中，导线层与任意一层金属层同层。通过将导线层设置成与某一金属层同层，能够减少打孔过线的孔数量，有利于提高阵列基板的强度和简化制作工艺。
其中，分布在金属层或导线层不同区域的多条像素电路导线分别汇聚至邻近的像素区边缘的中部与导线桥电连接。通过将不同区域的像素电路导线汇聚后再与导线桥连接，将导线集中，能够减小单个导线断线的风险，提高显示面板的稳定性。
其中，阵列基板还包括柔性层，柔性层设置于柔性区内导线层靠近衬底的一侧。通过设置柔性层，柔性材料可以有效的分散导线桥的应力，减小了导线断裂的风险。
其中，阵列基板还包括保护层，保护层设置于柔性区内导线层靠近和/或远离衬底的一侧。通过设置保护层，在拉伸显示面板时，能够缓冲导线桥的应力，对导线层的导线进行保护，
其中，保护层包括层叠设置的多层保护层；优选地，保护层包括第一保护层和第二保护层，第一保护层与第二保护层层叠设置，第一保护层相对第二保护层更靠近导线层，第一保护层的弹性模量大于第二保护层的弹性模量。通过设置不同弹性模量的保护层，在拉伸显示面板时，能够相互配合，更大程度的缓冲应力，对导线层的导线进行保护，同时设置越靠近导线层的保护层越柔软，能够更大程度的吸收拉应力，保护导线。
其中，阵列基板包括设置于柔性区内导线层靠近衬底一侧的柔性层，第一保护层与第二保护层为多层；多层第一保护层和第二保护层交替层叠设置于导线层远离柔性层的一侧；和/或多层第一保护层和第二保护层交替层叠设置于柔性层远离导线层的一侧。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板，该显示面板包括发光器件和上述任一实施方式的阵列基板，多个发光器件设置于阵列基板的像素区。
为解决上述技术问题，本申请采用的还一个技术方案是：提供一种阵列基板的制备方法，该方法包括提供衬底，衬底的材质为柔性感光材料；对衬底的局部区域进行曝光处理，在衬底上形成可拉伸的柔性区和不可拉伸的像素区；在衬底上形成阵列层和导线层，其中，阵列层设置于衬底上且位于像素区内，阵列层包括多个像素电路，导线层包括导线桥，导线桥电连接像素区内的像素电路。
其中，阵列层包括多个金属层，像素电路包括分布在多个金属层上的多条像素电路导线，位于不同金属层上的多条像素电路导线通过过孔的方式汇聚至导线层与导线桥电连接。
本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请所提供的阵列基板包括一衬底，该衬底具有可拉伸的柔性区和不可拉伸的像素区，在制作可拉伸显示面板时，将发光器件制作在刚性的像素区内，能够消除柔性衬底与像素岛之间的剪切力，减小了像素岛剥离脱落的风险，同时也降低了导线层断裂的风险。
附图说明
图1是本申请实施方式中一衬底的俯视结构示意图；
图2是本申请实施方式中一阵列基板的俯视结构示意图；
图3是本申请实施方式中一阵列基板像素区的剖面结构示意图；
图4是本申请实施方式中一阵列基板像素区局部区域的剖面结构示意图；
图5是本申请实施方式中一阵列基板像素区的俯视结构示意图；
图6是本申请实施方式中另一阵列基板的俯视结构示意图；
图7是本申请实施方式中一阵列基板柔性区的剖面结构示意图；
图8是本申请实施方式中一显示面板的俯视结构示意图；
图9是本申请实施方式中一阵列基板的制备方法的流程示意图；
图10是本申请实施方式中制备形成像素区的流程示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本申请进一步详细说明。
本申请提供一种阵列基板，该阵列基板包括一衬底，该衬底具有可拉伸的柔性区和不可拉伸的像素区，在制作可拉伸显示面板时，将发光器件制作在刚性的像素区内，能够消除柔性衬底与像素岛之间的剪切力，减小了像素岛剥离脱落的风险，同时也降低了导线层断裂的风险。
请参阅图1，图1是本申请实施方式中衬底的俯视结构示意图。该实施方式中，提供一衬底，该衬底10包括可拉伸的柔性区101和不可拉伸的像素区102。该衬底10为柔性衬底，具有拉伸性能，在对衬底10进行拉伸时，柔性区101可被拉伸，而像素区102不可拉伸。
其中，衬底10的材质可以选用柔性感光材料，例如可以是感光型PI(Polyimide)材料，感光型PI材料属于聚酰亚胺材料的一种。可以通过对衬底10进行局部曝光的方式定义出柔性区101和像素区102。被曝光区域的感光材料在光照下发生改性，被改性后失去拉伸性能，形成像素区，而没有被光照的区域保持原有的拉伸性能形成柔性区。
该衬底可用于制备可拉伸显示面板。其中，可拉伸显示面板一般采用岛桥结构，具体地，可拉伸显示面板上包括多个像素岛，每个像素岛上包括多个像素，各像素岛之间通过导线桥连接。目前大多数可拉伸面板都是直接在柔性衬底上制作刚性像素岛，实现可拉伸性能。但是因像素岛是刚性的，不可随柔性衬底拉伸，在拉伸过程中像素岛和柔性衬底之间会产生一定的剪切力，剪切力过大则容易造成像素岛和衬底的分离，影响器件性能。
使用本申请提供的柔性衬底，可将像素岛制作在像素区，其中，每个像素区制作形成一个像素岛，拉伸时像素区不会被拉伸，消除了柔性衬底与像素岛之间的剪切力，减小了像素岛剥离脱落的风险，提高了显示面板的稳定性。
请参阅图2，图2是本申请实施方式中一阵列基板的俯视结构示意图。该实施方式中，阵列基板包括衬底10、阵列层(图未示)和导线层20。衬底10包括可拉伸的柔性区101和不可拉伸的像素区102，阵列层设置于衬底10上且位于像素区102内，阵列层内设置有像素电路，多个像素电路可阵列排布，用于驱动控制发光器件发光，导线层20包括导线桥201，导线桥201电连接像素区的像素电路。
该实施方式中，选用兼具柔性区域和刚性区域的衬底，在制作可拉伸显示面板时，能够将发光器件制作在刚性的像素区内，防止在拉伸过程中对发光器件造成破坏。
请结合参阅图3-5，图3是本申请实施方式中一阵列基板像素区的剖面结构示意图，图4是本申请实施方式中一阵列基板像素区局部区域的剖面结构示意图，图5是本申请实施方式中一阵列基板像素区的俯视结构示意图。该实施方式中，阵列层30设置于衬底上且位于像素区102内，阵列层30包括有源层301、第一绝缘层302、第一金属层(M1)303、第二绝缘304、第二金属层(M2)305、第三绝缘层306、第三金属层(M3)307，阵列层30包括多个像素电路，像素电路包括分布在多个金属层(第一金属层(M1)303、第二金属层(M2)305和第三金属层(M3)307)上的多条像素电路导线310，如电源电压走线、数据线、扫描线等，每个像素区102的像素电路通过导线桥201与相邻像素区102的像素电路电连接。
如图4所示，该实施方式中，像素电路导线310与导线桥201连接时，位于不同金属层上的多条像素电路导线310通过过孔的方式汇聚至导线层20与导线桥201电连接。具体地，每条像素电路导线310分别通过过孔的方式汇聚至同一层，形成导线层20，从导线层20引出导线桥201与相邻像素岛的像素电路电连接。通过这种方式，将导线集中，能够减小单个导线的断线风险。
在一实施方式中，导线层20可以是与任意金属层(第一金属层(M1)303、第二金属层(M2)305和第三金属层(M3)307)不同层的金属层，这样每个金属层上的导线可以通过过孔连接到导线层20，不会影响金属层原有走线，有利于金属层的布线。在其他实施方式中，导线层20也可以与任意一层金属层(第一金属层(M1)303、第二金属层(M2)305和第三金属层(M3)307)同层，如可以是与第一金属层(M1)303或第二金属层(M2)305同层，通过设置导线层20与金属层同层，能够减少过孔走线，简化制作工艺，同时提高基板的强度。
其中，不同金属层上的像素电路导线310分布在金属层的不同位置，通过过孔引出至导线层20后导线分布较分散，各导线单独与导线桥201连接，在拉伸时易出现断裂。如图5所示，在一实施方式中，将导线层20上的像素电路导线310再次进行汇聚，将位于导线层20不同区域的像素电路导线310分别汇聚至邻近的像素区102边缘的中部，在像素岛中部的导线层20引出导线桥201与相邻的像素岛连接。通过这种方式，将导线集中，能够减小单个导线断线的风险，提高显示面板的稳定性。
其中，可以是先在金属层上通过排线的方式将像素电路导线汇聚至像素区边缘中部后再通过过孔引出至导线层；也可以是直接将像素电路导线通过过孔引出至导线层，再在导线层上通过排线的方式汇聚至像素区边缘的中部，对汇聚方式，根据金属层走线布局而选择，在此不做限定。
其中，位于不同金属层的像素电路导线汇聚至像素区边缘中部后，从像素区边缘中部的导线层引出导线桥通过柔性区后连接至相邻的像素区。导线桥可随柔性区被拉伸，因此，可选择柔性导电材料制作导线桥导线，如导线桥导线可以是石墨烯材料。导线桥在拉伸过程中很容易产生拉应力，应力过大会造成柔性区导线桥导线断裂，可设置导线桥导线在柔性区呈曲线的形态。优选地，设置导线桥导线在柔性区呈U型排布(如图6所示)，U型排布的导线桥导线在拉伸时，导线由U型逐渐趋于变直，能够缓冲拉应力，减小导线断裂的风险。
请结合参阅图6和图7，图6是本申请实施方式中另一阵列基板的俯视结构示意图，图7是本申请实施方式中一阵列基板柔性区的剖面结构示意图。该实施方式中，阵列基板还包括一柔性层40，该柔性层40设置于柔性区101内导线层20靠近衬底10的一侧。该柔性层40可以是弹性模量较低的柔性材料，如热塑性聚氨酯等。在基板拉伸的过程中，导线桥201逐渐变直，其下方的柔性材料可以有效的分散其应力，减小了导线断裂的风险。其中，柔性层40可以是具有一定厚度和长宽的低杨氏模量的有机层，能够给导线桥201导线一定支撑和应力缓冲能力。
为了进一步保护导线层20的导线在拉伸时不发生断裂，还可在导线层20两侧设置保护层。如图7所示，该实施方式中，阵列基板还包括保护层50，该保护层50设置于柔性区101内导线层20靠近和/或远离衬底10的一侧。该保护层也可以是弹性模量较低的柔性材料以对导线层的导线进行保护。
在一实施方式中，保护层50可以是多层弹性模量不同的柔性材料层，如可以是两层或两层以上的膜层。如图7所示，该实施方式中，保护层50包括第一保护层501和第二保护层502，第一保护层501、第二保护层502层叠设置，第一保护层501相对第二保护层502更靠近导线层20。第一保护层501的弹性模量大于第二保护层502的弹性模量。其中，可以是第一保护层501的杨氏模量大于第二保护层502的杨氏模量。通过设置不同弹性模量的保护层50，在拉伸显示面板时，能够相互配合，更大程度的缓冲应力，对导线层20的导线进行保护，同时设置越靠近导线层20的保护层50弹性模量越大，能够更大程度的吸收拉应力，保护导线。
请继续参阅图7，第一保护层501和第二保护层502可以是多层，多层第一保护层501、第二保护层502交替层叠设置于导线层20远离柔性层40的一侧；和/或多层第一保护层501、第二保护层502交替层叠设置于柔性层40远离导线层20的一侧。即可以在导线层20的两侧都设置保护层，且多层不同弹性模量的保护层50交替设置，以给导线层20提供保护。
在一实施方式中，保护层50的材质可以是萘醌二叠氮类化合物、PDMS(聚二甲基硅氧烷)类化合物等。
以上实施方式中，通过将不同层的像素电路导线通过过孔的方式汇聚到同一层，形成导线层，再将导线层不同区域的像素电路导线在像素岛边缘通过排线的方式汇聚到像素岛边缘中部，从像素岛边缘中部的导线层引出导线桥通过可拉伸区后连接至相邻的像素岛，导线桥在可拉伸区呈U型排布。在柔性区，采用多层杨氏模量不同的保护层对U型导线进行保护，并且在导线层下方铺垫一层弹性模量较低的柔性材料，在基板拉伸的过程中，导线由U型逐渐趋于变直，其下方的柔性材料可以有效的分散其应力，减小了导线断裂的风险。
请参阅图8，图8是本申请实施方式中一显示面板的俯视结构示意图。该实施方式中，提供一种显示面板，该显示面板包括上述任一实施方式中的阵列基板，阵列基板包括可拉伸的柔性区101和不可拉伸的像素区102，阵列基板的像素区102内设置有多个发光器件60，形成像素岛，像素岛之间通过导线桥201电连接。
该实施方式中，发光器件所在像素区是刚性的，不可被拉伸，而像素区周边是柔性的，可被拉伸，在拉伸显示面板时，像素区与柔性区不存在剪切力，减小了像素岛剥离脱落的风险。同时对柔性区的导线桥进行了保护，能够减小断线的风险，具体请参阅上述实施方式的描述，在此不再赘述。
在一实施方式中，每个像素岛约450×450μm～750×750μm，岛间距约450～750μm，导线桥宽约150～450μm，长约0.4～1.3mm，如可以是每个像素岛为600×600μm，岛间距为600μm，导线桥宽为300μm，长为1mm。每个像素岛上像素个数可以为9个或16个。本实施方式中的可拉伸面板的拉伸量可达5％-20％。
本申请还提供一种显示设备，该显示设备具有上述任一实施方式的可拉伸显示面板，该显示设备在使用时可被拉伸。该显示设备可以是手机、电脑、VR眼镜等，在此不做限定。
请结合参阅图9和图10，图9是本申请实施方式中一阵列基板的制备方法的流程示意图，图10是本申请实施方式中形成像素区的流程示意图。该实施方式中，提供一种阵列基板的制备方法，具体包括：
S910：提供柔性衬底。
其中，该衬底的材质为柔性感光材料，该柔性感光材料具有可拉伸性能，且该感光材料被曝光改性后将失去拉伸性能。
S920：对衬底的局部区域进行曝光处理，在衬底上形成可拉伸的柔性区和不可拉伸的像素区。
其中，可以利用掩膜版对柔性衬底进行曝光处理，被曝光区域，感光材料在光照下发生改性，被改性后失去拉伸性能，形成像素区；而没有被光照的区域保持原有的拉伸性能形成柔性区。
S930：在衬底上形成阵列层和导线层。
其中，阵列层设置于像素区内的衬底上，阵列层包括阵列排布的多个像素电路，导线层包括导线桥，导线桥电连接各像素区内的像素电路。
该实施方式中，通过简单的曝光工艺即可制得兼具柔性区域和刚性区域的衬底，且该具有柔性区域和刚性区域的衬底在制作可拉伸显示面板时，将发光器件设置于不可拉伸的像素区，能够提高发光器件的稳定性，不易在拉伸过程中被破坏。
其中，阵列层包括多个金属层，像素电路包括分布在多个金属层上的多条像素电路导线，在制作像素电路时，将位于不同金属层上的多条像素电路导线通过过孔的方式汇聚至同一层，形成导线层，同时将分布在导线层不同区域的多条像素电路导线分别汇聚至邻近的像素区边缘的中部，以使像素电路导线集中与导线桥电连接。具体结构请参阅上述实施方式的描述，在此不再赘述。
其中，柔性区包括具有导线桥的导线层和用于保护导线层的柔性层和第一保护层和第二保护层。柔性层位于导线层靠近衬底的一侧，第一保护层和第二保护层可位于导线层的两侧。具体结构请参阅上述实施方式的描述，在此不再赘述。
其中，因像素区和柔性区的各膜层不同，在制作该阵列基板时，可分开选择不同工艺分别制作像素区结构和柔性区结构。如可以先在像素区制备形成阵列层的线路层，将像素电路导线汇聚至同一层的像素区边缘中部。再在柔性区制作相对导线层更靠近衬底的第一保护层、第二保护层和柔性层。随后在柔性层上制作导线层，使导线层越过柔性层连接相邻像素岛。然后在柔性区的导线层上形成第一保护层和第二保护层，完成像素区电路结构和柔性区结构的制作。在像素区和柔性区内形成平坦化层，再制作像素定义层，发光器件电极层等结构。
其中，对于是先制作像素区结构再制作柔性区结构，还是先制作柔性区结构再制作像素区结构，再或者交替制作同层的不同区结构，本申请不对工艺顺序做限定。
以上，本申请提供的阵列基板，通过将不同层的像素电路导线通过过孔的方式汇聚到同一层，形成导线层，再将导线层不同区域的像素电路导线在像素岛边缘通过排线的方式汇聚到像素岛边缘中部，从像素岛边缘中部的导线层引出导线桥通过可拉伸区后连接至相邻的像素岛，导线桥在可拉伸区呈U型排布。在柔性区，采用多层杨氏模量不同的保护层对U型导线进行保护，并且在导线层下方设置一层弹性模量较低的柔性材料，在基板拉伸的过程中，导线由U型逐渐趋于变直，其下方的柔性材料可以有效的分散其应力，减小了导线断裂的风险。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底，包括可拉伸的柔性区和不可拉伸的像素区；
阵列层，设置于所述衬底上且位于所述像素区内，包括多个像素电路；以及
导线层，包括导线桥，所述导线桥电连接所述像素区内的所述像素电路；
柔性层，设置于所述柔性区内所述导线层靠近所述衬底的一侧；
所述阵列层包括多个金属层，所述像素电路包括分布在所述多个金属层上的多条像素电路导线，位于不同金属层上的所述多条像素电路导线通过过孔的方式汇聚至所述导线层与所述导线桥电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述导线层与任意一层所述金属层同层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
分布在所述金属层或导线层不同区域的多条所述像素电路导线分别汇聚至邻近的所述像素区边缘的中部与所述导线桥电连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：保护层，设置于所述柔性区内所述导线层靠近和/或远离所述衬底的一侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，
所述保护层包括层叠设置的多层保护层。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，
所述保护层包括第一保护层和第二保护层，所述第一保护层与所述第二保护层层叠设置，所述第一保护层相对所述第二保护层更靠近所述导线层，所述第一保护层的弹性模量大于所述第二保护层的弹性模量。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括设置于所述柔性区内所述导线层靠近所述衬底一侧的柔性层，所述第一保护层与所述第二保护层为多层；
多层所述第一保护层和第二保护层交替层叠设置于所述导线层远离所述柔性层的一侧；和/或
多层所述第一保护层和第二保护层交替层叠设置于所述柔性层远离所述导线层的一侧。
8.一种显示面板，其特征在于，包括：
如权利要求1-7任一项所述的阵列基板；
多个发光器件，设置于所述阵列基板的像素区内。
9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底的材质为柔性感光材料；
对所述衬底的局部区域进行曝光处理，在所述衬底上形成可拉伸的柔性区和不可拉伸的像素区；
在所述衬底上形成阵列层和导线层以及柔性层，得到如权利要求1-7任一项所述的阵列基板；其中，所述阵列层设置于所述衬底上且位于所述像素区内，所述阵列层包括多个像素电路，所述导线层包括导线桥，所述导线桥电连接所述像素区内的所述像素电路，所述柔性层设置于所述柔性区内所述导线层靠近所述衬底的一侧。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述阵列层包括多个金属层，所述像素电路包括分布在所述多个金属层上的多条像素电路导线，位于不同金属层上的所述多条像素电路导线通过过孔的方式汇聚至所述导线层与所述导线桥电连接。
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Citations (3)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108091612A (zh) * | 2017-12-07 | 2018-05-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| CN109148530A (zh) * | 2018-08-20 | 2019-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光二极管显示器的制作方法 |
| CN109755412A (zh) * | 2019-01-15 | 2019-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板、制作方法、柔性显示装置和电子器件 |
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