CN111819663B - 液处理装置和液处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供液处理装置和液处理方法。实施方式的液处理装置包括发热部件(31a)、基片保持部(31)、处理液供给部(40)和线圈(32a)。发热部件(31a)靠近基片的一部分地配置并具有隔热部件(31b)。基片保持部(31)保持基片。处理液供给部(40)向保持于基片保持部(31)的基片上供给处理液。线圈(32a)通过对发热部件(31a)进行感应加热来对基片的一部分进行加热。

Description

液处理装置和液处理方法

技术领域

本发明的实施方式涉及液处理装置和液处理方法。

背景技术

一直以来，已知有将作为基片的半导体晶片(以下，称为晶片。)用各种各样的处理液进行处理的液处理装置。在该液处理装置中，一边在高温下对晶片进行温度控制一边进行液处理，由此能够提高处理效率(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-112364号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，在现有的液处理装置中，难以对晶片中的特定部位(例如，晶片的边缘斜面部)单独地进行温度控制。

实施方式的一方式是鉴于上述的情况而完成的，其目的在于提供能够对进行液处理的晶片的特定部位单独地进行温度控制的液处理装置和液处理方法。

用于解决技术问题的技术方案

实施方式的一方式的液处理装置包括发热部件、基片保持部、处理液供给部和线圈。上述发热部件靠近基片的一部分地配置并具有隔热部件。上述基片保持部保持上述基片。上述处理液供给部向保持于上述基片保持部的上述基片上供给处理液。上述线圈通过对上述发热部件进行感应加热来对上述基片的一部分进行加热。

发明效果

依照实施方式的一方式，能够对进行液处理的晶片的特定部位单独地进行温度控制。

附图说明

图1是表示第一实施方式的基片处理系统的概要结构的示意图。

图2是表示液处理单元的构成的示意图。

图3A是表示第一实施方式的基片保持机构的结构的截面图。

图3B是表示第一实施方式的发热部件的结构的俯视图。

图3C是表示第一实施方式的线圈部的结构的俯视图。

图4A是表示第二实施方式的基片保持机构的结构的截面图。

图4B是表示第二实施方式的发热部件的结构的俯视图。

图4C是表示第二实施方式的线圈部的结构的俯视图。

图5是表示第二实施方式的变形例1的基片保持机构的结构的截面图。

图6是表示第二实施方式的变形例2的基片保持机构的结构的截面图。

图7是表示第二实施方式的变形例3的线圈部的结构的俯视图。

图8A是表示第二实施方式的变形例4的基片保持机构的结构的截面图。

图8B是表示第二实施方式的变形例4的无线温度传感器的结构的框图。

图9是表示第二实施方式的液处理的处理步骤的流程图。

具体实施方式

下面，参照附图，对本发明的公开的液处理装置和液处理方法的各实施方式详细地进行说明。此外，本发明并不限于以下所示的各实施方式。

<基片处理系统的概要>

首先，参照图1，对第一实施方式的基片处理系统1的概要结构进行说明。图1是表示第一实施方式的基片处理系统1的概要结构的图。以下，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向作为铅垂向上的方向。

如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻地设置。

送入送出站2包括承载器载置部11和输送部12。在承载器部11载置多个承载器C，该多个承载器C将多个基片，在第一实施方式中为半导体晶片(以下称为晶片W)以水平状态收纳。

输送部12与承载器载置部11相邻地设置，在内部设有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13设有保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心旋转，并使用晶片保持机构在承载器C与交接部14之间进行晶片W的输送。

处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送部15和多个液处理单元16。多个液处理单元16并排地设置在输送部15的两侧。

输送部15在内部设有基片输送装置17。基片输送装置17具有保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心旋转，并且使用晶片保持机构在交接部14与液处理单元16之间进行晶片W的输送。

液处理单元16对由基片输送装置17输送的晶片W进行规定的液处理。液处理单元16的详情在后文说明。

另外，基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如为计算机，包括控制部18和存储部19。在存储部19中保存有控制在基片处理系统1中实施的各种处理的程序。控制部18通过读取并执行存储于存储部19的程序，以控制基片处理系统1的动作。

此外，上述程序也可以是存储于计算机可读取的存储介质的程序，从该存储介质被安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。

在如上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于承载器载置部11的承载器C取出晶片W，将取出的晶片W载置在交接部14。用处理站3的基片输送装置17从交接部14取出载置于交接部14的晶片W，并将其送入液处理单元16。

送入液处理单元16的晶片W经液处理单元16处理后，由基片输送装置17从液处理单元16送出，并载置在交接部14。然后，载置于交接部14的已处理的晶片W被基片输送装置13送回承载器载置部11的承载器C。

<液处理单元的概要>

下面，参照图2，对液处理单元16的概要进行说明。图2是表示液处理单元16的结构的示意图。如图2所示，液处理单元16包括处理室20、基片保持机构30、处理液供给部40和回收杯体50。

处理室20收纳基片保持机构30、处理液供给部40和回收杯体50。在处理室20的顶部设有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)21。FFU21形成供给到处理室20内的清洁气体的下降流(downflow)。此外，FFU21并不是必需的，在处理室20也可以不设置FFU21。

基片保持机构30具有基片保持部31、线圈部32、屏蔽部件33、轴34和驱动部35。基片保持部31以使晶片W水平的方式保持晶片W。线圈部32与基片保持部31相邻地配置。屏蔽部件33相对于线圈部32配置在与基片保持部31相反的一侧。上述基片保持部31、线圈部32和屏蔽部件33的详情在后文说明。

轴34是在铅垂方向上延伸的部件，以轴34可旋转的方式由驱动部35支承其根端部，在前端部以使基片保持部31水平的方式支承使基片保持部31。驱动部35使轴34绕铅垂轴旋转。

该基片保持机构30使用驱动部35使轴34旋转以使由轴34支承的基片保持部31旋转，由此，使保持于基片保持部31的晶片W旋转。

处理液供给部40对保持于基片保持部31的晶片W供给处理流体。处理液供给部40包括喷嘴41a、以使该喷嘴41a水平的方式支承该喷嘴41a的臂42、以及使臂42旋转和升降的旋转升降机构43。

喷嘴41a经阀44a和流量调节器45a与处理液供给源46a连接。处理液供给源46a贮存用于处理晶片W的规定的处理液。此外，在图2中，示出了在处理液供给部40将喷嘴、处理液供给源等设置1组的例子，但是也可以在处理液供给部40将喷嘴、处理液供给源等设置多组。

回收杯体50以包围保持部31的方式配置，收集由于保持部31的旋转而从晶片W飞散的处理液。在回收杯体50的底部形成有排液口51，将由回收杯体50收集到的处理液从上述排液口51向液处理单元16的外部排出。此外，在回收杯体50的底部形成有将从FFU21供给的气体向液处理单元16的外部排出的排气口52。

<基片保持机构的结构(第一实施方式)>

下面，参照图3A～图3C，对第一实施方式的基片保持机构30的具体结构进行说明。图3A是表示第一实施方式的基片保持机构30的结构的截面图，图3B是表示第一实施方式的发热部件31a的结构的俯视图，图3C是表示第一实施方式的线圈部32的结构的俯视图。

基片保持部31为大致圆板状，在基片保持部31的上表面形成有吸引晶片W的未图示的吸引口。而且，基片保持部31通过由该吸引口进行的吸引，能够将晶片W保持在基片保持部31的上表面。

基片保持部31在内部具有发热部件31a和隔热部件31b。发热部件31a由能够被从线圈部32的线圈32a辐射的磁通感应加热的部件构成。发热部件31a例如为石墨。此外，发热部件31a可以由石墨以外的材料构成。

如图3B所示，发热部件31a为具有比基片保持部31的上表面稍小的外径的圆环状。而且，如图3A所示，发热部件31a与晶片W的一部分，即晶片W的特定部位相邻。例如，在第一实施方式中，发热部件31a与晶片W的边缘斜面部Wa相邻。

隔热部件31b是具有与发热部件31a的外径大致相等的直径的圆板状，由热传导率小的材料构成。隔热部件31b例如由合成树脂、陶瓷等构成。此外，隔热部件31b也可以由合成树脂、陶瓷以外的材料构成。

如上所述，将发热部件31a与晶片W的特定部位相邻地设置，使上述隔热部件31b与该发热部件31a相邻，由此能够抑制由从线圈32a辐射的磁通在发热部件31a产生的热量散逸到相邻的晶片W的特定部位以外的部位。因此，依照第一实施方式，能够单独地对进行液处理的晶片W的特定部位(在第一实施方式中为边缘斜面部Wa)进行温度控制。

在第一实施方式中，例如，在对晶片W的边缘斜面部Wa进行液处理(例如，清洗处理)的情况下，对发热部件31a进行感应加热以通过高温对边缘斜面部Wa的温度进行温度控制，由此能够高效且稳定地实施对边缘斜面部Wa的液处理。

此外，在第一实施方式中，给出了使发热部件31a与晶片W的边缘斜面部Wa相邻的例子，但是，使发热部件31a相邻的位置并不限于晶片W的边缘斜面部Wa，可以为晶片W的中心部、中心部与边缘斜面部Wa之间的部位等任何位置。

另外，在第一实施方式中，隔热部件31b也可以相对于发热部件31a配置在与晶片W相反的一侧。例如，在将晶片W保持于基片保持部31的上表面的情况下，可以将发热部件31a配置在基片保持部31的上侧，将隔热部件31b配置在基片保持部31的下侧。

由此，能够抑制热量散逸到发热部件31a的与晶片W相反的一侧(即，下侧)。所以，依照第一实施方式，能够高效地加热进行液处理的晶片W的特定部位。

另外，在第一实施方式中，基片保持部31可以以与晶片W直接接触的方式保持晶片W。由此，能够将由基片保持部31的发热部件31a产生的热量不通过空气等而直接传递到晶片W。因此，依照第一实施方式，能够更高效地加热进行液处理的晶片W。

此外，在第一实施方式中，给出了以与晶片W直接接触的方式保持晶片W的例子，但是也可以不必以与晶片W直接接触的方式保持晶片W。例如，基片保持部31也可以以即使隔着空气等也能够传递热量的程度使基片与基片保持部31的上表面相邻(例如，间隙为0.5mm以下)的方式保持晶片W。

另外，在第一实施方式中，也可以在基片保持部31的表面实施耐腐蚀涂层。由此，在使用具有腐蚀性的处理液处理晶片W时，能够抑制基片保持部31内的发热部件31a、隔热部件31b发生腐蚀。

继续对基片保持机构30的其他部位进行说明。线圈部32具有线圈32a，与基片保持部31相邻地配置。例如，线圈部32与基片保持部31的下侧相邻地配置。

此外，线圈部32由基片保持机构30的未图示的支承部支承，因此不与基片保持部31一起旋转。

而且，线圈部32的线圈32a对相邻的基片保持部31的发热部件31a辐射磁通。由此，在第一实施方式中，能够对与晶片W一起旋转的基片保持部31的发热部件31a进行感应加热。

另外，如图3A～图3C所示，线圈32a为具有与发热部件31a大致相等的内径和外径的圆弧状，具有一对电极32a1。并且，能够从一对电极32a1对线圈32a供电。

也可以为，在线圈32a，沿该圆弧状的区域并排地配置有卷绕轴朝向发热部件31a的多个线圈。例如，在第一实施方式中，线圈32a的卷绕轴可以朝向铅垂方向。由此，线圈32a能够对发热部件31a高效地辐射磁通。

图3A所示的屏蔽部件33屏蔽从线圈32a辐射的磁通。屏蔽部件33在线圈32a的周边配置在基片保持部31与线圈32a之间以外的部位。例如，屏蔽部件33配置在线圈32a的下侧(即，线圈32a的卷绕轴的另一侧)。

由此，能够抑制从线圈32a辐射的磁通干扰液处理单元16内的其他装置。因此，依照第一实施方式，能够更稳定地加热进行液处理的晶片W。此外，屏蔽部件33可以与基片保持部31一起旋转，也可以不与基片保持部31一起旋转。

<基片保持机构的结构(第二实施方式)>

下面，参照图4A～图4C，对第二实施方式中的基片保持机构30的具体结构进行说明。图4A是表示第二实施方式的基片保持机构30的结构的截面图，图4B是表示第二实施方式的发热部件31a1～31a4的结构的俯视图，图4C是表示第二实施方式的线圈部32的结构的俯视图。

如图4A所示，第二实施方式的基片保持机构30具有多个发热部件31a1～31a4和多个线圈32a～32d。发热部件31a1～31a4分别与晶片W的不同部位相邻地配置在大致一个平面。

例如，第二实施方式中，发热部件31a1与晶片W的边缘斜面部Wa相邻地配置，发热部件31a4与晶片W的中心部相邻地配置。并且，在该发热部件31a1与发热部件31a4之间配置发热部件31a2和发热部件31a3。此外，如图4B所示，发热部件31a1～31a3是圆环状，发热部件31a4是圆板状。

设置于线圈部32的多个线圈32a～32d分别是对发热部件31a1～31a4进行感应加热的线圈，如图4A所示分别与发热部件31a1～31a4相邻地配置。

如图4A～图4C所示，线圈32a～32c分别形成为具有与发热部件31a1～31a3大致相等的内径和外径的圆弧状，线圈32d形成为具有与发热部件31a4的直径大致相等的外径的圆弧状。此外，线圈32a～32d分别具有一对电极32a1～32d1。

另外，在第二实施方式中，利用上述的一对电极32a1～32d1对多个线圈32a～32d单独地供电，由此能够晶片W的多个部位单独地进行加热。因此，依照第二实施方式，在晶片W的多个部位处理液的处理能力不同的情况下，能够使该处理液的处理能力在晶片W的面内一致。此处，“处理能力”是指在晶片W的处理中，处理液对晶片W本身和形成于晶片W的膜造成影响的作用能力。例如，该处理能力中包含蚀刻速率、清洗力、镀膜等的生长速度等。此外，也能够根据部位的不同而改变面内的处理液的处理能力。

如图4A和图4B所示，在第二实施方式中，也可以为发热部件31a1～31a4分别沿晶片W的周向配置在与晶片W相对的位置，发热部件31a1～31a4沿晶片W的径向并排地配置。

另外，在第二实施方式中，也可以为线圈32a～32d分别沿晶片W的周向配置在与晶片W相对的位置，线圈32a～32d沿晶片W的径向并排地配置。即，在第二实施方式中，发热部件31a1～31a4和线圈32a～32d也可以分别以圆弧状配置在具有不同的直径的同心圆上。

此处，在一边使晶片W旋转一边进行的液处理中，发现在晶片W的周向上处理能力不同的情况很多，但是，通过将发热部件31a1～31a4和线圈32a～32d如上述那样配置，能够使在周向上不同的处理液的处理能力在晶片W的面内一致。此外，能够根据部位的不同而改变面内的处理液的处理能力。

<变形例>

下面，对上述的第二实施方式中的各种变形例进行说明。图5是表示第二实施方式的变形例1的基片保持机构30的结构的截面图。如图5所示，在变形例1中，将发热部件31a1～31a4的厚度设置成不同的。例如，变形例1的发热部件31a1～31a4形成为外周侧的发热部件31a1最厚，并随着靠近内周侧而厚度逐渐变薄。

如上所述，通过使发热部件31a1～31a4具有不同的厚度，能够一边使较厚的发热部件(例如，发热部件31a1)升温一边加热晶片W。所以，依照变形例1，在晶片W的多个部位处理液的处理能力不同的情况下，能够使该处理液的处理能力在晶片W的面内一致。此外，也能够根据部位的不同而改变面内的处理液的处理能力。

此外，在变形例1中给出了使发热部件31a1最厚的例子，但是增厚的发热部件并不限于发热部件31a1，只要将与处理液的处理能力低的晶片W的部位靠近的发热部件增厚即可。

图6是表示第二实施方式的变形例2的基片保持机构30的结构的截面图。如图6所示，在变形例2中，将发热部件31a1～31a4和与之对应的线圈32a～32d的宽度设置成不同的。例如，变形例2的发热部件31a1～31a4和与之对应的线圈32a～32d形成为外周侧的发热部件31a1和线圈32a的宽度变大。

如上所述，通过使发热部件31a1～31a4和线圈32a～32d具有不同的宽度，能够使对于液处理而各不相同的晶片W的处理能力分布变得适宜，并且能够使处理液的处理能力在晶片W的面内一致。此外，在变形例2中给出了将发热部件31a1宽度扩大的例子，但是，宽度大的例子不限于发热部件31a1。

图7是表示第二实施方式的变形例3的线圈32的结构的俯视图。如图7所示，在变形例3中，将线圈部32的线圈分割地配置。例如，变形例3的线圈部32分别具有分区区域，具有在晶片W上以大致基盘形状配置的多个线圈32e。

如上所述，通过将线圈部32的线圈分割为棋盘形状，能够对晶片W的多个部位分别以单独的温度进行加热。因此，依照变形例3，在晶片W的多个部位处理液的处理能力不同的情况下，能够使该处理液的处理能力在晶片W的面内一致。此外，变形例3适合用于不使基片旋转的处理。

图8A是表示第二实施方式的变形例4的基片保持机构30的结构的截面图。如图8A所示，在变形例4中，在基片保持部31设置无线温度传感器36。该无线温度传感器36具有无线发送基片保持部31内的温度信息的功能，例如，在基片保持部31的发热部件31a1～31a4内设置多个。

图8B是表示实施方式的变形例4的无线温度传感器36的结构的框图。如图8B所示，无线温度传感器36具有受电线圈36a、整流部36b、电池36c、温度传感器36d和发送部36e。

受电线圈36a接收从线圈32a～32d辐射的磁通，将该磁通转换为交流电，将转换后的交流电输送到整流部36b。整流部36b将从受电线圈36a输送来的交流电转换为规定的直流电，将该直流电输送到电池36c。电池36c储存从整流部36b输送来的直流电。此外，不限于电磁感应无线充电，也可以为磁共振方式、电波输送方式等其他无线方式。

整流部36b、温度传感器36d和发送部36e利用储存于电池36c的电能来工作。温度传感器36d例如是搭载有热电偶的传感器，检测基片保持部31内的温度。而且，温度传感器36d将检测到的温度信息发送到发送部36e。发送部36e将从温度传感器36d发送来的温度信息发送到外部。

由此，能够对搭载有无线温度传感器36的基片保持部31的温度进行监视。即，在变形例4中，基于被监视的基片保持部31的温度信息，能够一边推断晶片W的温度一边进行液处理。

所以，依照变形例4，在晶片W的多个部位处理液的处理能力不同的情况下，能够使该处理液的处理能力在晶片W的面内更一致。

<液处理的详情>

下面，参照图9，对第二实施方式的液处理的详情进行说明。图9是表示第二实施方式的液处理中的处理步骤的流程图。

首先，从承载器C经由基片输送装置13、交接部14和基片输送装置17将晶片W输送到液处理单元16的内部。

接着，控制部18控制基片输送装置17和液处理单元16，在基片保持机构30的基片保持部31载置晶片W，用基片保持部31保持晶片W(步骤S101)。上述进行保持的处理例如通过从形成于基片保持部31的上表面的吸引口吸引晶片W来进行。

接着，控制部18控制液处理单元16的基片保持机构30，对晶片W的多个部位单独地进行加热(步骤S102)。上述进行加热的处理例如通过对各线圈32a～32d通电规定的时间，使发热部件31a1～31a4分别升温至规定的温度来进行。例如，通过延长线圈32a的通电时间，能够使晶片W的边缘斜面部Wa升温至更高的温度。

接着，控制部18控制液处理单元16的基片保持机构30，使基片保持部31以规定的转速旋转，由此使晶片W旋转(步骤S103)。然后，控制部18控制液处理单元16的处理液供给部40，向晶片W上供给规定的处理液(步骤S104)。由此，对将各部位以高温进行了温度控制的晶片W，进行规定的液处理。

最后，控制部18控制液处理单元16的基片保持机构30，使基片保持部31的旋转停止，由此使晶片W停止旋转(步骤S105)。该停止的处理结束时，晶片W的液处理完成。

以上，对本发明的各实施方式进行了说明，但是本发明不限于上述各实施方式，只要不脱离其主旨就能够进行各种各样的改变。例如，在各实施方式中，给出了使用基片保持部31的发热部件31a1～31a4对晶片W进行加热的情况，但是加热晶片W的发热部件并不限于设置在基片保持部31的情况。

例如，在对晶片W的边缘斜面部Wa进行液处理的情况下，有时在晶片W的上方设置环状顶板，而通过在该环状顶板的与边缘斜面部Wa相对的位置设置发热部件和线圈，能够从上方对边缘斜面部Wa进行加热。

另外，给出了在第二实施方式的基片保持机构30设置有无线温度传感器36的例子，但是也可以在第一实施方式的基片保持机构30设置无线温度传感器36。此外，在第二实施方式中，给出了将发热部件和线圈设置4组的例子，但是发热部件和线圈可以为2～3组，也可以为5组以上。

另外，在各实施方式中，给出了基片保持部31真空吸附晶片W的情况，但是基片保持部31并不限于真空吸附晶片W的情况，例如也可以静电吸附晶片W。

另外，在各实施方式中，保持晶片W的基片保持部31可以为保持晶片W的边缘部的机械卡盘。在该情况下，通过将发热部件31靠近晶片W地配置，也能够高效地加热晶片W。

第一实施方式和第二实施方式的液处理装置包括发热部件31a、基片保持部31、处理液供给部40和线圈32a。发热部件31a靠近基片(晶片W)的一部分地配置并具有隔热部件31b。基片保持部31保持基片(晶片W)。处理液供给部40向保持于基片保持部31的基片(晶片W)上供给处理液。线圈32a通过对发热部件31a进行感应加热来加热基片(晶片W)的一部分。由此，能够对进行液处理的晶片W的特定部位单独地进行温度控制。

另外，在第二实施方式的液处理装置中，发热部件31a1～31a4和线圈32a～32d设置多个，多个发热部件31a1～31a4和线圈32a～32d能够对基片(晶片W)的多个部位单独地进行加热。由此，在晶片W的多个部位处理液的处理能力不同的情况下，能够使该处理液的处理能力在晶片W的面内一致。此外，也能够根据部位的不同而改变面内的处理液的处理能力。

另外，在第二实施方式的液处理装置中，多个发热部件31a1～31a4沿基片(晶片W)的周向配置在与基片(晶片W)相对的位置，并沿基片(晶片W)的径向并排地配置。由此，能够使在晶片W的周向上不同的处理液的处理能力在晶片W的面内一致。此外，也能够根据部位的不同而改变面内的处理液的处理能力。

另外，在第二实施方式的液处理装置中，多个线圈32a～32d沿基片(晶片W)的周向配置在与基片(晶片W)相对的位置，并沿基片(晶片W)的径向并排地配置。由此，能够使在晶片W的周向不同的处理液的处理能力在晶片W的面内一致。此外，也能够根据部位的不同而改变面内的处理液的处理能力。

另外，在第一实施方式和第二实施方式的液处理装置中，隔热部件31b相对于发热部件31a配置在与基片(晶片W)相反的一侧。由此，能够高效地加热进行液处理的晶片W的特定部位。

另外，第一实施方式和第二实施方式的液处理装置还包括屏蔽从线圈32a泄漏到发热部件31a以外的部位的磁通的屏蔽部件33。由此，能够更稳定地加热进行液处理的晶片W的特定部位。

另外，在变形例4的液处理装置中，基片保持部31利用从线圈32a～32d辐射的磁通转换成的电能进行工作以检测温度，具有无线发送检测到的温度信息的无线温度传感器36。由此，在晶片W的多个部位处理液的处理能力不同的情况下，能够使该处理液的处理能力在晶片W的面内更一致。此外，也能够根据部位的不同而改变面内的处理液的处理能力。

另外，在第一实施方式和第二实施方式的液处理装置中，基片保持部31以与基片(晶片W)直接接触的方式保持基片(晶片W)。由此，能够更高效地加热进行液处理的晶片W。

另外，在第一实施方式和第二实施方式的液处理装置中，发热部件31a与基片保持部31一体地设置。由此，能够将发热部件31a更靠近晶片W地配置，因此能够更高效地加热进行液处理的晶片W。

另外，第二实施方式的液处理方法包括：用基片保持部31保持基片(晶片W)的工序(步骤S101)，其中该基片保持部31在内部具有多个发热部件31a1～31a4和隔热部件31b；用多个线圈32a～32d分别对多个发热部件31a1～31a4单独地进行感应加热，以对所保持的基片(晶片W)的多个部位单独地进行加热的工序(步骤S102)；以及向已加热的基片(晶片W)上供给处理液的工序(步骤S104)。由此，在晶片W的多个部位处理液的处理能力不同的情况下，能够使该处理液的处理能力在晶片W的面内一致。此外，也能够根据部位的不同而改变面内的处理液的处理能力。

另外，在第二实施方式的液处理方法中，在进行加热的工序中分别改变多个线圈32a～32d的通电时间。由此，在晶片W的多个部位处理液的处理能力不同的情况下，能够使该处理液的处理能力在晶片W的面内一致。此外，能够根据部位的不同而改变面内的处理液的处理能力。

此外，在上述实施方式中，基片保持部31保持晶片W的背面，但是并非必须保持晶片W的背面，也可以保持晶片W的端部。在该情况下，基片保持部31与发热部件31a和隔热部件31b可以是分体的。发热部件31a和隔热部件31b形成为一体即可。

另外，在上述实施方式中，记载了在液处理中基片保持部31旋转的例子，但是在液处理中并非必须使晶片W旋转，也可以在使晶片W静止的状态下进行加热。

进一步的效果和变形例能够由本领域技术人员容易地导出。因此，本发明的更广泛的方式并不限定于如以上那样示出且记载的特征的详细内容和代表性的实施方式。所以，在不脱离由所附的权利要求的范围及其等同物定义的总体性的发明构思的精神或范围的情况下，能够进行各种各样的改变。

附图标记说明

W 晶片

1 基片处理系统

16 液处理单元

18 控制部

30 基片保持机构

31 基片保持部

31a、31a1～31a4 发热部件

31b、31b1～31b3 隔热部件

32 线圈部

32a～32e 线圈

33 屏蔽部件

36 无线温度传感器

40 处理液供给部。

Claims (10)

1.一种液处理装置，其特征在于，包括：

发热部件，其靠近基片的一部分地配置并具有隔热部件；

保持所述基片的基片保持部；

向保持于所述基片保持部的所述基片上供给处理液的处理液供给部；和

通过对所述发热部件进行感应加热来对所述基片的一部分进行加热的线圈，

所述发热部件和所述线圈设置多个，

多个所述发热部件和所述线圈能够在基片的多个部位所述处理液的处理能力不同的情况下，对所述基片的多个部位单独地进行加热，以使所述处理液的处理能力在所述基片的面内一致，或者使所述面内的所述处理液的处理能力根据部位的不同而改变。

2.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：

多个所述发热部件沿所述基片的周向配置在与所述基片相对的位置，并沿所述基片的径向并排地配置。

3.如权利要求1或2所述的液处理装置，其特征在于：

多个所述线圈沿所述基片的周向配置在与所述基片相对的位置，并沿所述基片的径向并排地配置。

4.如权利要求1或2所述的液处理装置，其特征在于：

所述隔热部件相对于所述发热部件配置在与所述基片相反的一侧。

5.如权利要求1或2所述的液处理装置，其特征在于：

还包括屏蔽从所述线圈泄漏到所述发热部件以外的部位的磁通的屏蔽部件。

6.如权利要求1或2所述的液处理装置，其特征在于：

所述基片保持部包括无线温度传感器，所述无线温度传感器利用从所述线圈辐射的磁通转换成的电能进行工作来检测温度，并无线发送检测到的温度信息。

7.如权利要求1或2所述的液处理装置，其特征在于：

所述基片保持部以与所述基片直接接触的方式保持所述基片。

8.如权利要求1或2所述的液处理装置，其特征在于：

所述发热部件与所述基片保持部一体地设置。

9.一种液处理方法，其特征在于，包括：

在基片保持部保持基片的工序；

用多个线圈分别对具有隔热部件的多个发热部件单独地进行感应加热，以对所保持的所述基片的多个部位单独地进行加热的工序；和

向已加热的所述基片上供给处理液的工序。

10.如权利要求9所述的液处理方法，其特征在于：

所述进行加热的工序分别改变多个所述线圈的通电时间。