CN111755948B - 具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法 - Google Patents

具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111755948B
CN111755948B CN201910242775.2A CN201910242775A CN111755948B CN 111755948 B CN111755948 B CN 111755948B CN 201910242775 A CN201910242775 A CN 201910242775A CN 111755948 B CN111755948 B CN 111755948B
Authority
CN
China
Prior art keywords
contact layer
waveguide structure
ridge waveguide
silicon substrate
active layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910242775.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111755948A (zh
Inventor
汪巍
方青
涂芝娟
曾友宏
蔡艳
王庆
王书晓
余明斌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Industrial Utechnology Research Institute
Original Assignee
Shanghai Industrial Utechnology Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Industrial Utechnology Research Institute filed Critical Shanghai Industrial Utechnology Research Institute
Priority to CN201910242775.2A priority Critical patent/CN111755948B/zh
Publication of CN111755948A publication Critical patent/CN111755948A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111755948B publication Critical patent/CN111755948B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法。所述具有脊波导结构的GePb激光器，包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的脊波导结构；其中，所述脊波导结构包括：下接触层，位于所述硅衬底表面；有源层，凸设于所述下接触层表面，所述有源层采用Pb掺杂的Ge材料构成；上接触层，位于所述有源层表面。本发明有效提高了激光器的发射效率。

Description

具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法
技术领域
本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法。
背景技术
硅光子学致力于将光子学器件集成到硅芯片上，从而提高芯片的性能或者拓展芯片的功能。片间和片上光互连都是硅光子学研究的重要内容。硅光子学近年来在光通信、光互连、光传感等领域有着越来越广泛的应用。
虽然光波导、光探测器、光调制器、光开关等硅基光子学器件都已经被成功研制出来，但是由于硅是间接带隙半导体材料，发光效率较低，所以很难实现硅基高效光源的制备，这也是目前硅光集成技术亟待解决的问题。
发明内容
本发明提供一种具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法，用于解决现有的硅基激光器发光效率较低的问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种具有脊波导结构的GePb激光器，包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的脊波导结构；其中，所述脊波导结构包括：
下接触层，位于所述硅衬底表面；
有源层，凸设于所述下接触层表面，所述有源层采用Pb掺杂的Ge材料构成；
上接触层，位于所述有源层表面。
优选的，所述下接触层呈台阶状，包括下台面以及凸设于所述下台面表面的上台面；所述有源层位于所述上台面。
优选的，还包括：
第一电极，位于所述下台面；
第二电极，位于所述上接触层表面。
优选的，所述下接触层的材料为Ge或者SiGe，且具有第一掺杂离子；所述上接触层的材料为Ge或者SiGe，且具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反。
优选的，所述有源层中Pb的组分为大于或等于1％。
为了解决上述问题，本发明还提供了一种具有脊波导结构的GePb激光器的形成方法，包括如下步骤：
提供硅衬底；
形成脊波导结构于所述硅衬底表面，所述脊波导结构包括位于所述硅衬底表面的下接触层、凸设于所述下接触层表面的有源层以及位于所述有源层表面的上接触层，所述有源层采用Pb掺杂的Ge材料构成。
优选的，形成脊波导结构于所述硅衬底表面的具体步骤包括：
沿垂直于所述硅衬底的方向依次沉积下接触层材料、有源层材料和上接触层材料于所述硅衬底表面，形成堆叠层；
沿垂直于所述硅衬底的方向刻蚀所述堆叠层，形成台阶状的所述下接触层，所述下接触层包括下台面以及凸设于所述下台面表面的上台面，残留于所述上台面的有源层材料形成所述有源层、残留于所述有源层表面的上接触层材料形成所述上接触层。
优选的，形成脊波导结构于所述硅衬底表面的具体步骤还包括：
沉积金属材料于所述下台面和所述上接触层表面，形成位于所述下台面的第一电极、同时形成位于所述上接触层表面的第二电极。
优选的，下接触层材料为Ge或者SiGe，且具有第一掺杂离子；上接触层材料为Ge或者SiGe，且具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反。
优选的，所述有源层中Pb的组分为大于或等于1％。
本发明提供的具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法，采用Pb掺杂的Ge材料构成有源层，能够实现Ge材料从间接带隙到直接带隙的转变，极大的提升了Ge材料的发光效率；同时，由于Pb掺杂的Ge的能带带隙小于未掺杂的Ge，使得电子-空穴对能够更好的限制在有源层中，有效提高了激光器的发射效率。与Ⅲ-Ⅴ族激光器相比，本发明提供的具有脊波导结构的GePb激光器更容易与Si集成；与现有的Ge激光器相比，构成有源层的GePb为直接带隙材料，使得激光器具有高的发光效率；与现有的GeSn激光器相比，少量Pb的掺杂即可实现Ge材料从间接带隙到直接带隙的转变，极大的扩展了激光器的应用领域。
附图说明
附图1是本发明具体实施方式中具有脊波导结构的GePb激光器的结构示意图；
附图2是附图1中A-A’方向的截面示意图；
附图3是本发明具体实施方式中具有脊波导结构的GePb激光器的形成方法流程图；
附图4A-4D是本发明具体实施方式在形成具有脊波导结构的GePb激光器的过程中主要的工艺截面示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法的具体实施方式做详细说明。
本具体实施方式提供了一种具有脊波导结构的GePb激光器，附图1是本发明具体实施方式中具有脊波导结构的GePb激光器的结构示意图，附图2是附图1中A-A’方向的截面示意图。如图1、图2所示，本具体实施方式提供的具有脊波导结构的GePb激光器包括硅衬底10以及位于所述硅衬底10表面的脊波导结构；其中，所述脊波导结构包括：
下接触层11，位于所述硅衬底10表面；
有源层12，凸设于所述下接触层11表面，所述有源层12采用Pb掺杂的Ge材料构成；
上接触层13，位于所述有源层12表面。
具体来说，所述硅衬底10可以为包括底层硅101、埋氧化层102和顶层硅103的SOI(Silicon On Insulator，绝缘体上硅)衬底。所述下接触层11、所述有源层12和所述上接触层13沿垂直于所述硅衬底10的方向(即图1中Z轴方向)依次叠置于所述顶层硅103表面。所述有源层12与所述上接触层13凸设于所述下接触层11表面，形成脊形结构。所述下接触层11、所述有源层12与所述上接触层13共同构成量子阱结构。沿所述脊波导结构的延伸方向(即图1中的X轴方向)，所述脊波导结构的两端面之间形成法布里-珀罗谐振腔。所述脊波导结构的两个端面之一为光入射面、另一个为光出射面。泵浦光自所述法布里-珀罗谐振腔的光入射面射入所述脊波导结构，经所述脊波导结构进行泵浦处理后、自所述光出射面发射激光。
其中，所述脊波导结构的长度、宽度等参数本领域技术人员可以根据实际需要进行设置。本具体实施方式中所述脊波导结构的长度(即沿X轴方向的长度)可以为500μm、宽度(即沿Y轴方向的宽度)可以为5μm。
本具体实施方式通过采用掺杂Pb的Ge材料形成脊波导结构的有源层，可以实现Ge材料由间接带隙到直接带隙的转变，极大的提升了Ge材料的发光效率；同时，由于Pb掺杂的Ge的能带带隙小于未掺杂的Ge，使得电子-空穴对能够更好的限制在有源层中，有效提高了激光器的光发射效率。
本领域技术人员可以根据实际需要调整所述有源层12中Pb的组分(即Pb元素的摩尔分数)，从而形成具有不同光发射效率的激光器。例如，当所述有源层12中Pb的组分大于0.93％时，掺杂Pb的Ge材料的直接带隙开始低于间接带隙，使得激光器的发射效率达到较佳的效果。
为了进一步提高激光发射器的发射效率，优选的，所述有源层12中Pb的组分为大于或等于1％。
优选的，所述下接触层11呈台阶状，包括下台面以及凸设于所述下台面表面的上台面；所述有源层12位于所述上台面。
优选的，所述具有脊波导结构的GePb激光器还包括：
第一电极14，位于所述下台面；
第二电极15，位于所述上接触层13表面。
具体来说，如图1、图2所示，所述下接触层11的下台面覆盖于所述硅衬底10的顶层硅103表面，所述上台面凸设于所述下台面的中部，所述有源层12与所述上接触层13沿Z轴方向依次叠置于所述上台面表面。沿图1中的Y轴方向，两个所述第一电极14对称分布于所述上台面的相对两侧。所述第一电极14与所述第二电极15的材料可以是但不限于金属铝。
优选的，所述下接触层11的材料为Ge或者SiGe，且具有第一掺杂离子；所述上接触层13的材料为Ge或者SiGe，且具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反。
所述第一掺杂离子为N-型离子，所述第二掺杂离子为P-型离子；或者，所述第一掺杂离子为P-型离子，所述第二掺杂离子为N-型离子。以下以所述第一掺杂离子为N-型离子、所述第二掺杂离子为P-型离子为例进行说明。所述下接触层11为N-型离子掺杂的Ge材料层，其掺杂浓度可以为2×1019cm-3，其厚度可以为1μm；所述上接触层13为P-型离子掺杂的Ge材料层，其掺杂浓度也可为2×1019cm-3，其厚度可以为300nm；所述有源层12为Pb掺杂的Ge材料层，其中Pb的组分为1％，其厚度为800nm。其中，所述有源层12中的Pb可以采用原位外延生长或者离子注入的方式掺杂至Ge材料层中。
不仅如此，本具体实施方式还提供了一种具有脊波导结构的GePb激光器的形成方法，附图3是本发明具体实施方式中具有脊波导结构的GePb激光器的形成方法流程图，附图4A-4D是本发明具体实施方式在形成具有脊波导结构的GePb激光器的过程中主要的工艺截面示意图，本具体实施方式形成的具有脊波导结构的GePb激光器的具体结构可参见图1、图2。如图1-图3、图4A-图4D所示，本具体实施方式提供的具有脊波导结构的GePb激光器的形成方法包括如下步骤：
步骤S31，提供硅衬底10。
具体来说，如图4A所示，本具体实施方式所述的硅衬底10为SOI衬底，包括沿所述硅衬底10的轴向方向依次叠置的底层硅101、埋氧化层102和顶层硅103。
步骤S32，形成脊波导结构于所述硅衬底10表面，所述脊波导结构包括位于所述硅衬底10表面的下接触层11、凸设于所述下接触层11表面的有源层12以及位于所述有源层12表面的上接触层13，所述有源层12采用Pb掺杂的Ge材料构成。
优选的，形成脊波导结构于所述硅衬底10表面的具体步骤包括：
沿垂直于所述硅衬底10的方向依次沉积下接触层材料、有源层材料和上接触层材料于所述硅衬底10表面，形成堆叠层；
沿垂直于所述硅衬底10的方向刻蚀所述堆叠层，形成台阶状的所述下接触层11，所述下接触层11包括下台面以及凸设于所述下台面表面的上台面，残留于所述上台面的有源层材料形成所述有源层12、残留于所述有源层12表面的上接触层材料形成所述上接触层13。
具体来说，可以采用分子束外延生长的方法于所述硅衬底10的顶层硅103表面依次沉积下接触层材料40、有源层材料41和上接触层材料42，形成堆叠层，如图4B所示。其中，所述堆叠层中的所述下接触层材料40的厚度可以为1μm、所述上接触层材料42的厚度可以为300nm、所述有源层材料41的厚度可以为800nm。
然后，采用光刻及干法刻蚀工艺自所述上接触层材料42背离所述有源层材料41的表面开始对所述堆叠层进行刻蚀，直至所述下接触层材料40。去除部分所述上接触层材料42、部分所述有源层材料41和部分所述下接触层材料40，形成台阶状的所述下接触层11，残留于所述上台面的有源层材料形成所述有源层12、残留于所述有源层12表面的上接触层材料形成所述上接触层13，如图4C所示。在对所述堆叠层刻蚀的过程中，刻蚀深度可以为1.3μm，形成的脊波导结构的宽度为5μm。
之后，采用光刻及干法刻蚀工艺对所述脊波导结构进行刻蚀，沿所述脊波导结构延伸方向的两端分别形成光入射面和光出射面，以构成法布里-珀罗谐振腔。其中，所述法布里-珀罗谐振腔的长度优选为500μm。本次刻蚀过程中的刻蚀深度可以为1μm。
优选的，下接触层材料为Ge或者SiGe，且具有第一掺杂离子；上接触层材料为Ge或者SiGe，且具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反。
所述第一掺杂离子为N-型离子，所述第二掺杂离子为P-型离子；或者，所述第一掺杂离子为P-型离子，所述第二掺杂离子为N-型离子。以下以所述第一掺杂离子为N-型离子、所述第二掺杂离子为P-型离子为例进行说明。所述下接触层11为N-型离子掺杂的Ge材料层，其掺杂浓度可以为2×1019cm-3；所述上接触层13为P-型离子掺杂的Ge材料层，其掺杂浓度也可为2×1019cm-3；所述有源层12为Pb掺杂的Ge材料层，其中Pb的组分为1％。
本具体实施方式是采用原位外延生长的方法形成Pb掺杂的Ge材料层。在其他具体实施方式中，也可以在完成Ge材料的沉积之后，采用离子注入的方式进行Pb的掺杂。
优选的，形成脊波导结构于所述硅衬底10表面的具体步骤还包括：
沉积金属材料于所述下台面和所述上接触层13表面，形成位于所述下台面的第一电极14、同时形成位于所述上接触层13表面的第二电极15，如图4D所示。
为了进一步提高激光发射器的发射效率，优选的，所述有源层12中Pb的组分为大于或等于1％。
本具体实施方式提供的具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法，采用Pb掺杂的Ge材料构成有源层，能够实现Ge材料从间接带隙到直接带隙的转变，极大的提升了Ge材料的发光效率；同时，由于Pb掺杂的Ge的能带带隙小于未掺杂的Ge，使得电子-空穴对能够更好的限制在有源层中，有效提高了激光器的发射效率。与Ⅲ-Ⅴ族激光器相比，本发明提供的具有脊波导结构的GePb激光器更容易与Si集成；与现有的Ge激光器相比，构成有源层的GePb为直接带隙材料，使得激光器具有高的发光效率；与现有的GeSn激光器相比，少量Pb的掺杂即可实现Ge材料从间接带隙到直接带隙的转变，极大的扩展了激光器的应用领域。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种具有脊波导结构的GePb激光器，其特征在于，包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的脊波导结构，沿所述脊波导结构的延伸方向，所述脊波导结构的两端面之间形成法布里-珀罗谐振腔，所述脊波导结构的两个端面之一为光入射面、另一个为光出射面；其中，所述脊波导结构包括：
下接触层，位于所述硅衬底表面，所述下接触层的材料为Ge或者SiGe，且具有第一掺杂离子；
有源层，凸设于所述下接触层表面，所述有源层采用Pb掺杂的Ge材料构成，所述有源层中Pb的组分为大于或等于1%；
上接触层，位于所述有源层表面，所述上接触层的材料为Ge或者SiGe，且具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反。
2.根据权利要求1所述的具有脊波导结构的GePb激光器，其特征在于，所述下接触层呈台阶状，包括下台面以及凸设于所述下台面表面的上台面；所述有源层位于所述上台面。
3.根据权利要求2所述的具有脊波导结构的GePb激光器，其特征在于，还包括：
第一电极，位于所述下台面；
第二电极，位于所述上接触层表面。
4.一种具有脊波导结构的GePb激光器的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供硅衬底；
形成脊波导结构于所述硅衬底表面，所述脊波导结构包括位于所述硅衬底表面的下接触层、凸设于所述下接触层表面的有源层以及位于所述有源层表面的上接触层，所述有源层采用Pb掺杂的Ge材料构成，所述有源层中Pb的组分为大于或等于1%，沿所述脊波导结构的延伸方向，所述脊波导结构的两端面之间形成法布里-珀罗谐振腔，所述脊波导结构的两个端面之一为光入射面、另一个为光出射面，下接触层材料为Ge或者SiGe，且具有第一掺杂离子；上接触层材料为Ge或者SiGe，且具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反。
5.根据权利要求4所述的具有脊波导结构的GePb激光器的形成方法，其特征在于，形成脊波导结构于所述硅衬底表面的具体步骤包括：
沿垂直于所述硅衬底的方向依次沉积下接触层材料、有源层材料和上接触层材料于所述硅衬底表面，形成堆叠层；
沿垂直于所述硅衬底的方向刻蚀所述堆叠层，形成台阶状的所述下接触层，所述下接触层包括下台面以及凸设于所述下台面表面的上台面，残留于所述上台面的有源层材料形成所述有源层、残留于所述有源层表面的上接触层材料形成所述上接触层。
6.根据权利要求5所述的具有脊波导结构的GePb激光器的形成方法，其特征在于，形成脊波导结构于所述硅衬底表面的具体步骤还包括：
沉积金属材料于所述下台面和所述上接触层表面，形成位于所述下台面的第一电极、同时形成位于所述上接触层表面的第二电极。
CN201910242775.2A 2019-03-28 2019-03-28 具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法 Active CN111755948B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910242775.2A CN111755948B (zh) 2019-03-28 2019-03-28 具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910242775.2A CN111755948B (zh) 2019-03-28 2019-03-28 具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111755948A CN111755948A (zh) 2020-10-09
CN111755948B true CN111755948B (zh) 2021-09-21

Family

ID=72671907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910242775.2A Active CN111755948B (zh) 2019-03-28 2019-03-28 具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111755948B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112310808B (zh) * 2020-10-29 2023-03-14 中国科学院半导体研究所 一种多波长的半导体激光器结构及制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5285835B2 (ja) * 2005-07-13 2013-09-11 株式会社東芝 半導体素子およびその製造方法
CN100570970C (zh) * 2007-12-13 2009-12-16 清华大学 利用soa四波混频效应产生高频微波的集成光电子器件
CN102684069B (zh) * 2012-05-30 2013-11-06 中国科学院半导体研究所 基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器
CN103022892B (zh) * 2012-12-14 2015-03-25 武汉电信器件有限公司 波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法
CN103532014B (zh) * 2013-10-31 2015-08-26 中国科学院半导体研究所 一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111755948A (zh) 2020-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111933742B (zh) 一种雪崩光电探测器及其制备方法
CN111129941B (zh) 一种硅基集成激光器芯片倒装耦合结构
JP2018046258A (ja) 光集積回路装置及びその製造方法
CN105305230A (zh) 光半导体装置
CN106898947B (zh) 一种激光器及其制作方法
CN115986567A (zh) 双端面出光激光器及其制备方法
CN116349018A (zh) 具有光敏本征区的二极管
US8232125B2 (en) Optical semiconductor device having active layer of p-type quantum dot structure and its manufacture method
CN103325880B (zh) 一种增强型硅基光电二极管及其制作方法
CN111755948B (zh) 具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法
CN111987585A (zh) 一种硅波导输出激光器
CN110021877B (zh) 一种脊形波导半导体激光器及其制备方法
CN105140778A (zh) 一种多边形-环硅基激光器及其制备方法
CN106229813B (zh) 硅基横向注入激光器及其制备方法
CN109638648B (zh) 电注入硅基iii-v族边发射纳米线激光器及其制备方法
JPH09283786A (ja) 導波路型半導体受光素子とその製造方法
KR101923730B1 (ko) 반도체 레이저 및 그 제조방법
CN107037534B (zh) 可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法
CN112289883A (zh) 一种三维半导体雪崩光电探测芯片及其制备方法
CN1174469C (zh) 偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法
JP2003101125A (ja) 導波路型光素子
EP4311045A1 (en) Photonic crystal semiconductor laser device and method for manufacturing same
KR101705725B1 (ko) 저전압 고이득 고속 광 검출기 및 그의 제조방법
JPS5879791A (ja) ２波長埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ
US20230083344A1 (en) Process for fabricating a semiconductor diode via wet and dry etches

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant