CN111755311A - 等离子体处理装置和等离子体处理装置的维护方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理装置的维护方法。用等离子体化的处理气体进行基片的处理的等离子体处理装置包括设置于被供给处理气体的处理容器内的载置台，该载置台载置作为处理对象的基片。支轴部包括从背面侧支承载置台，贯通处理容器的壁部而伸出到外部的伸出部分，并且与使载置台绕轴旋转的旋转机构连接。高频电源部供给等离子体处理用的高频电功率，高频屏蔽件覆盖伸出部分的支轴部以抑制高频的泄漏。支轴部和高频屏蔽件包括将其在长度方向分割的、能够一体拆卸的组件部。本发明的维护作业简单。

Description

等离子体处理装置和等离子体处理装置的维护方法
技术领域
本发明涉及等离子体处理装置及其维护方法。
背景技术
在半导体装置的制造工序中，对作为基片的半导体晶片(以下记为晶片)供给各种处理气体，由此进行成膜、蚀刻等各种处理。这种基片处理中，有时在处理容器内配置载置台，一边使配置有基片的状态的载置台旋转，一边供给等离子体化的处理气体。在实施该等离子体处理的等离子体处理装置中，需要用于一边使载置台自由旋转，一边将处理气体等离子体化的各种机构。
例如专利文献1记载有如下技术：在晶舟搭载多个基片并用电磁波对基片进行加热时，在使晶舟旋转的旋转轴的周围设置屏蔽电磁波的屏蔽件。
另外，在专利文献2记载了一种支承轴，在处理容器内对处理气体照射微波来进行等离子体处理的装置中，该支承轴支承保持基片的基片保持机构的下表面，并且贯通处理容器而与外部的旋转机构连接。该等离子体处理装置中设置有扼流件(choke)，在使用磁性流体密封件将该支承轴与处理容器之间气密地堵塞时，用于防止微波的泄漏导致磁性流体密封件被加热。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-188161号公报
专利文献2：日本特开2016-21524号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供维护作业简单的等离子体处理装置及其维护方法。
用于解决技术问题的技术方案
本发明为一种用等离子体化的处理气体进行基片的处理的等离子体处理装置，其包括：
处理容器，其设置有进行所述处理气体的供给的处理气体供给部；
设置于所述处理容器内的载置台，其用于载置作为处理对象的基片；
支轴部，其从载置基片的一面的背面侧支承所述载置台，具有贯通所述处理容器的壁部而伸出到外部的伸出部分，并且与使该载置台绕轴旋转的旋转机构连接；
供给等离子体处理用的高频电功率的高频电源部；以及
覆盖所述伸出部分的支轴部以抑制所述高频电功率向外部泄漏的高频屏蔽件，
包括将所述支轴部与所述高频屏蔽件在长度方向上分割的能够一体拆卸的组件部。
发明效果
根据本发明，能够使维护作业简单。
附图说明
图1是具有本发明的等离子体处理装置的基片处理系统的俯视图。
图2是上述等离子体处理装置的纵断侧视图。
图3是上述等离子体处理装置的支轴部的纵截侧视图。
图4是表示上述支轴部的内部结构的纵截侧视图。
图5是表示上述支轴部的旋转机构的俯视图。
图6是上述支轴部的分解图。
图7是表示设置于上述等离子体处理装置的检测载置台的旋转角度的机构的说明图。
图8是表示用于抑制设置于上述支轴部的轴承的电腐蚀的等电位化部的结构例的纵截侧视图。
图9是表示上述等电位化部的另一结构例的纵截侧视图。
附图标记说明
W 晶片
2 等离子体处理装置
20 处理容器
23 电极
24 加热器
6 支轴部
63 组件部
71 第1高频电源
72 第2高频电源
85 支柱部。
具体实施方式
对作为本发明的一实施方式的、使用等离子体化的处理气体对基片进行成膜的等离子体处理装置2的结构例进行说明。在说明等离子体处理装置2的详细的结构之前，参照图1对设置有该等离子体处理装置2的基片处理系统1简单进行说明。
在本例的基片处理系统1中，在送入送出端口11载置载体C，该载体C收纳有例如直径为300mm的圆形基片即晶片W。在内部为常压气氛的送入送出区块12内设置有输送机构120，输送机构120从载体C取出晶片W并将其输送到负载锁定室122内。负载锁定室122构成为能够将其内部在常压气氛与真空气氛之间切换。
与该负载锁定室122连接的真空输送区块13包括形成有真空气氛的真空输送室14，使用配置于其内部的基片输送机构15，从真空气氛的负载锁定室122接收晶片W。
此处，如图1所示，本例的真空输送区块13例如形成为俯视时在前后方向具有长边的长方形。另外，在真空输送室14的相当于长方形的彼此相对的长边的侧壁，各自与多个例如3个等离子体处理装置2连接。如后所述，该例中的等离子体处理装置2能够在真空气氛中对多个例如2个晶片W一并进行等离子体处理。
在送入送出区块12与真空输送区块13之间、真空输送区块13与等离子体处理装置2之间使用闸阀G进行开闭。
如图1所示，基片输送机构15由多关节臂构成，包括保持晶片W的基片保持部16。基片保持部16包括第1基片保持部161、第2基片保持部162。上述的基片保持部161、162在根端部与连接部163连接而构成基片保持部16，设置于已述的多关节臂的前端部。
基片输送机构15在用第1基片保持部161和第2基片保持部162保持2个晶片W的状态下进入等离子体处理装置2。
以下，参照图2，说明进行等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)处理的等离子体处理装置2的结构例。此外，与记载于图1的表示基片处理系统1内的装置的配置关系的坐标(X-Y-Z坐标)不同，在图2～6中记载了用于说明等离子体处理装置2内的装置的配置关系的副坐标(X’-Y’-Z’坐标)。副坐标以与真空输送区块13连接的位置为跟前侧，以X’方向为前后方向，以Y’方向为左右方向进行说明。
与真空输送室14连接的6个等离子体处理装置2彼此同样构成，能够并行地进行晶片W的处理。
等离子体处理装置2包括俯视时为矩形的处理容器20。处理容器20构成能够对内部气氛进行抽真空的真空容器。图2中的附图标记201是处理容器20的顶部部件，附图标记202是容器主体。
在容器主体202的跟前侧的侧壁，在左右方向(图2中Y’方向)并排地形成有经由闸阀G与真空输送室14连接的2个送入送出口(未图示)。该送入送出口由闸阀G进行开闭。此处，图2所示的等离子体处理装置2，是在从真空输送室14侧观察时左右并排配置的一侧的送入送出口的配置位置将处理容器20纵向截断的图。
在处理容器20内配置有用于对晶片W进行成膜处理的2个处理空间S1、S2。
接着，对包含处理空间S1、S2的处理容器20的内部结构进行说明。2个处理空间S1、S2彼此同样地构成。各处理空间S1、S2形成于载置晶片W的载置台22与和该载置台22对置配置的气体供给部4之间。以下，参照图2所示的处理空间S2进行说明。
载置台22兼用作下部电极，例如形成为由金属或者埋入有金属网的电极23的氮化铝(AlN)构成的扁平的圆板状。如后文所述，电极23经由匹配器70与用于引入等离子体化的处理气体中的离子的第2高频电源72连接。第2高频电源72相当于本例中的供给等离子体处理用的高频电功率的高频电源部。
在图2中，用实线描绘处于处理位置的载置台22，用虚线表示处于交接位置的载置台22。处理位置是执行基片处理(成膜处理)时的位置，交接位置是在与已述的基片输送机构15之间进行晶片W的交接的位置。在载置台22埋设有用于将载置于该载置台22的各晶片W加热到60℃～600℃的加热器24。加热器24从后述的电源75接收电功率的供给。并且，在载置台22埋设有未图示的热电偶，该热电偶作为用于测量进行晶片W的加热的载置台22的温度的传感器部。
并且，在处理容器20内的底面，多个例如3个交接销25设置在与载置台22对应的位置，另一方面，在载置台22形成有用于形成该交接销25的通过区域的贯通孔26。当使载置台22下降到交接位置时，交接销25通过贯通孔26，交接销25的上端从载置台22的载置面伸出。该交接销25的配置和第1、第2基片保持部161、162的形状被设定成在基片输送机构15的第1、第2基片保持部161、162之间进行晶片W的交接时彼此不用缓冲。
载置台22由支柱部6从下表面(背面)侧支承在上述圆板的中心位置。支柱部6的下部侧贯通处理容器20的底面部(壁部)27向下方侧伸出。支柱部6能够通过未图示的升降机构的作用，使载置台22升降。支柱部6与后述的旋转机构连接，能够使载置台22绕旋转轴旋转。另外，来自已述的第2高频电源72的高频电功率、来自电源75的电功率、从热电偶输出的输出信号(在热电偶产生的电位差)经由该支柱部6被输入输出。
基片保持部16构成为通过交接销25和载置台22的协同作用，对各处理空间S1、S2的载置台22，一并同时进行例如2个晶片W的交接。
而且，在处理容器20的顶部部件201中的载置台22的上方，借助由绝缘部件形成的引导部件34设置有构成上部电极的气体供给部4。气体供给部4包括：盖体42；与载置台22的载置面对置地设置的、构成对置面的喷淋板43；以及形成于盖体42与喷淋板43之间的气体的流通室44。盖体42与气体分配通路51连接，并且在喷淋板43例如横竖地排列有在厚度方向上贯通喷淋板43的气体排出孔45，能够向载置台22以喷淋状释放气体。
各处理空间S1、S2的与气体供给部4连接的气体分配通路51的上游侧在共用的气体供给通路52合流，与气体供给系统50连接。气体供给系统50包括例如反应气体(处理气体)的供给源53、吹扫气体的供给源54、除去堆积于处理容器20内的膜的清洁气体的供给源55、配管、阀V1～V3、流量调节部M1～M3等。
喷淋板43经由匹配器70与第1高频电源71连接。从第1高频电源71将高频电功率施加到喷淋板(上部电极)43与载置台(下部电极)22之间时，通过电容耦合，能够将从喷淋板43供给到处理空间S1、S2的气体(在本例中反应气体)等离子体化。
在各处理空间S1、S2的周围，设置有沿上述的处理空间S1、S2的周向设有环状的引导部件34，该引导部件34形成以隙缝状开口的隙缝排气口36。引导部件34嵌入形成于容器主体202的凹部204内，形成经隙缝排气口36使从处理空间S1、S2排出的气体流通的流通路径35。在流通路径35形成有未图示的排气口，经由与该排气口连接的未图示的排气流路将等离子体处理装置2内真空排气。
如以上说明的那样，本例的等离子体处理装置2在共用的处理容器20内设置有多组喷淋板43和载置台22，由此构成处理空间S1、S2，在各处理空间S1、S2进行成膜处理。另外，支承各载置台22的支柱部6与旋转机构连接，并且在载置台22与外部之间进行各种电功率和信号的输入输出。而且，从第2高频电源72进行高频电功率的供给的支柱部6贯通处理容器20而伸出到外部，因此也需要设置能够抑制高频的泄漏的机构。
根据上述的需要，包含支柱部6的伸出到处理容器20的外部的伸出部分如后文所述形成比较复杂的结构。因此，在维护等的时候，在等离子体处理装置2(基片处理系统1)的设置现场，将该部分分解的作业成为困难性高的作业。尤其是，图1所例示的基片处理系统1包括6个配置有处理空间S1、S2的等离子体处理装置2，具有合计12个载置台22。因此，当各载置台22的维护所需要的时间变长时，在1个基片处理系统1中需要较多的维护时间。
关于这点，本例的等离子体处理装置2构成为，能够将以支柱部6可旋转的方式保持支柱部6并且用于执行对载置台22输入输出各种电功率、信号的构造部分一体拆卸。以下，参照图3～图6，说明该构成。
如图3、图4所示，从下面侧支承载置台22的支柱部6贯通处理容器20的底面部27向下方侧伸出。该支柱部6的下端部经由联轴部62与能够一体拆卸的组件部63连接。在该组件部63内设置有在旋转的载置台22之间进行各种电功率、信号的输入输出的机构。
支柱部6、联轴部62和组件部63构成本例的支轴部，位于比底面部27靠下方的部分相当于该支轴部的伸出部分。
联轴部62构成为，将向上方侧开口的圆筒形状的上部杯状体622和向下方侧开口的圆筒形状的下部杯状体623经圆板形状的联轴板629上下连结在一起。在上部杯状体622中插入支柱部6的下端部，另一方面在下部杯状体623中插入组件部63的上端部。
上部杯状体622借助轴承625在圆筒形状的壳体620内可旋转地保持。在壳体620的上端面与处理容器20的下表面之间，以包围为了供支柱部6贯通而形成的底面部27的开口的方式设置有波纹管610。
支柱部6通过上述开口而贯通底面部27，在由支柱部6包围周围的状态下插入上部杯状体622。波纹管610根据载置台22的升降动作而伸缩。另外，在可旋转地保持上部杯状体622的轴承625的上部侧，设置有用于分隔开处理容器20内的真空气氛和外部气氛的磁性流体密封件621。
如图4所示，支柱部6的内部成为空洞，配置成用于对载置台22内的电极23供给高频电功率的高频供电线611和用于对载置台22内的加热器24供给电功率的加热器供电线612在上下方向延伸。上述加热器供电线612、高频供电线611的下端部保持在共用的插头部614。当将该插头部614插入上部杯状体622时，插头部614被引导到上部杯状体622的内周面，在规定的位置配置各加热器供电线612、高频供电线611的下端部。
将与组件部63连接用的插销611a、插销612a从插头部614的下表面(加热器供电线612、高频供电线611的下端)以向下方侧伸出的方式固定保持。
并且，用于输出设置于载置台22的热电偶的输出信号(在热电偶产生的电位差)的未图示的信号线以在上下方向延伸的方式配置于支柱部6内部。该信号线的下端部贯通插头部614而与在细长的圆柱状的连接头(connector head)615的底面形成的接触端子连接(参照图6)。
另外，在支柱部6的中段的高度位置设置有凸缘部613，该凸缘部613与上部杯状体622侧的开口嵌合以将支柱部6保持在预先设定的高度位置。
如图4所示，在组件部63内设置有构成被输入高频电功率的滑环(slip ring)的尾部(coma section)631和旋转筒637。在旋转筒637的下部侧区域，沿其侧周面形成有滑环部63a，该滑环部63a构成输入加热器24用的电功率、输出热电偶的输出信号的滑环。
在组件部63的壳体630的下部区域，设置有能够进行同轴连接器731的安装和拆卸的同轴插座732。同轴连接器731经由匹配器70与第2高频电源72连接(图3、图4)。同轴插座732的插销连接于与尾部631的外周面接触的刷子733。同轴插座732的外部导体与壳体630电连接，经由同轴连接器731的外部导体接地。
如图4所示，尾部631与高频供电线639a连接。在高频供电线639a的上端部设置有筒状的插座643，该插座643用于插入支柱部6侧的高频供电线611的插销611a。插座643被设置成以可摇动的状态从旋转筒637的上表面向上方侧伸出。
滑环部63a形成为将金属环632和绝缘板633交替地层叠多层的结构。
一部分金属环632与加热器供电线639b连接。在加热器供电线639b的上端部设置有筒状的插座642，该插座642用于插入支柱部6侧的加热器供电线612的插销612a。插座642被设置成以可摇动的状态从旋转筒637的上表面向上方侧伸出。
另外，一部分的金属环632连接于形成为在旋转筒637内在上下方向上延伸的未图示的信号线。该信号线的上端部与未图示的接触端子连接以将连接头615插入支柱部6侧，该接触端子设置于在旋转筒637形成的插座口637a的底面部分。
在滑环部63a的侧方配置刷子保持部636，保持于该刷子保持部636的多个刷子634分别与金属环632接触，由此能够确保用于供给电功率、输出输出信号的电接触。刷子保持部636的各刷子634分别与插座635连接，将插销741、742与上述插座635连接，由此将各金属环632与电源75、温度检测部76连接(图4)。插销741、742经由噪声过滤盒74与已述的电源75、温度检测部76连接。噪声过滤盒74的壳体接地(图3)。
旋转筒637可旋转地由设置于壳体630的轴承638保持。
另外，旋转筒637的上部侧能够插入联轴部62侧的下部杯状体623的开口。
此处，在将联轴部62的上部杯状体622与下部杯状体623连结的联轴板629，设置有多个连通口624。上述的连通口624能够使支柱部6侧的插销611a、612a、连接头615和组件部63侧的插座643、642进入。各插销611a、612a和插座643、642分别进入上述的连通口624而彼此连接(图4)。
另外，连接头615通过联轴板629的连通口624向下方侧进入，安装于在组件部63侧的旋转筒637形成的插座口637a内(安装状态未图示)。
在上述支轴部经由高频供电线639a对载置台22进行高频电功率的供给。因此，需要抑制高频泄漏到外部。从该观点出发，组件部63的壳体630、联轴部62的壳体620、波纹管610由导电性的金属构成，成为彼此电导通的状态。而且，上述壳体630、620和波纹管610经由与波纹管610连接的处理容器20、与壳体630连接的噪声过滤盒74、同轴连接器731接地。其结果，壳体630、620和波纹管610构成高频屏蔽件，其覆盖伸出到处理容器20的外部的伸出部分的支轴部。
以上说明的构成分别设置于图2所示的处理空间S1、S2。设置于其一侧(例如处理空间S1)的支轴部、高频屏蔽件部、载置台22构成本例的第1载置台单元。另外，设置于另一侧(例如处理空间S2)的支轴部、高频屏蔽件部、载置台22构成本例的第2载置台单元。
而且，如图2、图3、图5等所示，支轴部(支柱部6、联轴部62内的上部杯状体622、下部杯状体623、组件部63内的旋转体)通过传动带和滑轮机构而旋转驱动。
本例的等离子体处理装置2使配置于处理空间S1、S2的2个载置台22同步旋转，因此使用设置于共用的驱动轴833的驱动滑轮832a、832b使上述的支承部旋转。在上述的驱动滑轮832a、832b与各支轴部侧的从动滑轮626之间卷绕有同步带(驱动带)84。于是，构成使用共用的驱动电机83使已述的驱动轴833旋转，从而同步驱动两支轴部的2个传动带和滑轮机构。
如图2所示，与上下重叠配置的驱动滑轮832a、832b的各高度位置对应地，例如处理空间S1侧的支轴部的从动滑轮626形成于组件部63的旋转筒637的上部区域的外周面。另外，处理空间S2侧的支轴部的从动滑轮626形成于联轴部62的下部杯状体623的外周面(图3、图4、图6)。
在图2中，附图标记831是收纳驱动滑轮832a、832b的壳体。
此处，在使用传动带和滑轮机构使支轴部旋转的情况下，需要从高频屏蔽件(在本例中，壳体620、壳体630)内向外部引出同步带84。在该观点中，如图5所示，在配置有从动滑轮626的高度位置所对应的壳体620、630，形成有隙缝620a。同步带84通过上述的隙缝620a被引出到外部。
优选在驱动上述的传动带和滑轮机构时，对通过隙缝620a的同步带84的动作没有影响的范围内，将隙缝620a的宽度和高度尺寸尽可能设定地小。通过减小隙缝620a的开口面积，能够将高频向外部的泄漏抑制到最小限度。
另外，如图2所示，通过采用传动带和滑轮机构，驱动支轴部的驱动电机83能够配置在与隙缝620a隔开间隔的位置。其结果，能够抑制高频对驱动电机83的影响。
此处，如图2所示，与各处理空间S1、S2对应的支柱部6、组件部63、噪声过滤盒74被支承于支承台81上。另外，构成传动带和滑轮机构的驱动滑轮832a、832b、驱动电机83等，经由支承台82、支柱部85被支承于上述支承台81上。
而且，通过使用未图示的升降机构使支承台81升降，而能够使上述的装置整体升降，使处理容器20内的载置台22在晶片W的交接位置与处理位置之间移动。
在具有上述结构的等离子体处理装置2中，在进行支轴部的维护时，如图6所示，将同轴连接器731从同轴插座732拆下，另外将噪声过滤盒74的插销741、插销742从组件部63拔出。然后，通过将组件部63向下方侧拉下，能够解除高频电功率的供给用的插座643与插销612a的连接、电功率供给用的插座642与插销611a的连接、输出信号的输出用的连接头615与插座口637a的连接。
其结果，能够在长度方向分割支轴部以拆卸位于其末端部的旋转体(尾部631、旋转筒637)。与此同时，能够将高频屏蔽件在长度方向分割以拆卸位于其末端部的壳体630。此时，旋转体和壳体630作为组件部63构成为一体，因此在拆卸上述的装置时不需要花费两次工夫。
而且，包含用于输入输出各种电功率、信号的复杂的结构的组件部63，能够在例如输送到与处理容器20的下方位置隔开间隔的作业性好的场所后进行分解，以进行维护。
另外，关于载置台22、支柱部6，通过打开处理容器20的顶部部件201将载置台22、支柱部6向上方拔出，能够为了维护而进行拆卸。
在结束维护后，调节周向的位置，将支柱部6的下端的插头部614插入上部杯状体622。其结果，载置台22保持在预先设定的高度位置。另一方面，关于组件部63，调节周向的位置，将旋转筒637的上部插入下部杯状体623。其结果，加热器供电线612与插座642连接，高频电功率供给用的插销611a与插座643连接，输出信号用的连接头615与插座口637a连接，组装成支轴部。
如上所述，仅通过组件部63的插拔动作就能够进行支轴部的分解、组装，因此不需要使用螺钉等的精细的连接作业，能够减少工具的替换和螺钉等脱落失踪的危险。
而且，如上所述，设置于组件部63的各插座643、642以可摇动的状态设置。因此，即使支柱部6侧的插销611a、612a的配置位置在制造时的公差的范围内偏移，插座643、642摇动，由此能够吸收该偏移以进行可靠的连接。
此外，从防止联轴部62的脱落，确保电导通的观点出发，也可以为组件部63的壳体630和联轴部62的壳体620在凸缘部分使用未图示的螺钉进行固接。壳体620、630在外部露出，因此与将支轴部的内部部件螺钉连接的情况相比，作业性强且不会使维护作业过度增加负担。另外，也可以为在将上述的凸缘固接时，在凸缘彼此的接触面形成槽，在该槽内收纳高导电性的金属线圈来实现导通状态的提高。
依照以上说明的实施方式的等离子体处理装置2，包括将支轴部和高频屏蔽件在长度方向上分割并能够一体拆卸的组件部63，因此能够简单地进行维护作业。
另外，也可以为支轴部包括以下说明的各种构成。
图7是沿由同步带84驱动的从动滑轮626的周向设置有挡块626a的例子。而且，使用利用了光纤的投射接收光部771来检测是否存在投射到形成有隙缝626b的挡块626a的光的反射，由此能够进行支轴部(载置台22)的旋转位置(例如开始旋转的底部位置)的检测。
借助光纤将主体部772设置在与从投射接收光部771隔开间隔的位置，由此能够降低支轴部的旋转位置检测中的高频电功率的噪声导致的影响。
此外，图7示出了设置有投光部和受光部成为一体的投射接收光部771的例子，其中投光部向挡块626a投射检测用的光，受光部接收来自挡块626a的反射光。投光部和受光部不限于构成一体的例子，也可以分体构成，配置在不同的位置。
图8、图9表示用于抑制设置于供高频电功率流过的支轴部与接地的高频屏蔽件之间的轴承(图示的例中为上部杯状体622与壳体620之间的轴承625)的电腐蚀的构成。
图8表示在轴承625的外轮与支轴部(下部杯状体623)之间设置有与支轴部的侧周面在周向上电接触的通电刷627的例子。另外，图9表示在轴承625的外轮与支轴部(下部杯状体623)之间设置有滑环628的例子。通过上述的机构627、628，使轴承625的外轮和支轴部为等电位而能够抑制轴承滚珠(bearing ball)的电腐蚀的产生。通电刷627、滑环628相当于本例的等电位化部。
另外，在等离子体处理装置2中，将处理气体等离子体化的方法不限于以下的例子，即：在喷淋板(上部电极)43侧连接等离子体形成用的第1高频电源71，在载置台(下部电极)22连接离子的引入用的第2高频电源72。例如也可以为在载置台22侧连接第1高频电源71和第2高频电源72这两者，将喷淋板43接地来形成电容耦合等离子体。另外，也可以在喷淋板(上部电极)43侧连接第1高频电源71，将载置台(下部电极)22接地来形成电容耦合等离子体。在该情况下，代替匹配器70，而连接有阻抗调节电路(未图示)。
另外，也可以为在处理容器20的顶部部件201的上表面侧，设置ICP(InductivelyCoupled Plasma)天线来形成电感耦合等离子体，或者设置微波发生器来形成微波等离子体。
另外，由等离子体处理装置2实施的等离子体处理的种类不限于已述的成膜处理。例如，也可以为将蚀刻气体等离子体化来对晶片W进行蚀刻的蚀刻处理、将灰化气体等离子体化来除去形成于晶片W的表面的抗蚀剂膜的处理。
本次公开的实施方式在所有方面均是例示而不应认为是限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够以各种方式进行省略、置换。改变。

Claims (12)

1.一种等离子体处理装置，其用等离子体化的处理气体进行基片的处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：
处理容器，其设置有进行所述处理气体的供给的处理气体供给部；
设置于所述处理容器内的载置台，其用于载置作为处理对象的基片；
支轴部，其从载置基片的一面的背面侧支承所述载置台，具有贯通所述处理容器的壁部而伸出到外部的伸出部分，并且与使该载置台绕轴旋转的旋转机构连接；
供给等离子体处理用的高频电功率的高频电源部；以及
覆盖所述伸出部分的支轴部以抑制所述高频电功率向外部泄漏的高频屏蔽件，
包括将所述支轴部与所述高频屏蔽件在长度方向上分割的能够一体拆卸的组件部。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
包括供电线，其构成为沿所述支轴部的长度方向设置，在所述组件部的拆卸位置借助插销—插座可连接到所述载置台，以对所述载置台供给电功率。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述所述插座构成为被设置成向插销方向伸出的筒状，根据所述插销的配置位置而能够摆动。
4.如权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
包括信号线，其构成为沿所述支轴部的长度方向设置，在所述组件部的拆卸位置借助插销—插座可连接到所述载置台，以发送设置于所述载置台的传感器部的输出信号。
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述组件部设置有成为所述输出信号的输出位置的输出信号用滑环。
6.如权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述旋转机构包括：驱动滑轮；设置于所述伸出部分的支轴部的外周面的从动滑轮；以及卷绕于所述驱动滑轮和从动滑轮的驱动带，
在所述高频屏蔽件形成有供所述驱动带通过的隙缝。
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述处理容器中设置有第1载置台单元和第2载置台单元，所述第1载置台单元和第2载置台单元是包含所述载置台、所述支轴部和所述高频屏蔽件部的载置台单元，并且驱动所述第1载置台单元、第2载置台单元的支轴部的各旋转机构的驱动滑轮设置于共用的驱动轴，由此所述第1载置台单元、第2载置台单元这两个载置台同步旋转。
8.如权利要求1至7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，包括：
设置于所述伸出部分的支轴部侧面的挡块，其用于检测所述载置台的旋转角度；
设置于所述高频屏蔽件的、用于检测所述挡块的朝向的、对该挡块照射检测光的投光部和接收照射到所述挡块的检测光的受光部；以及
设置于与所述高频屏蔽件隔开间隔的位置的检测部，其被输入所述受光部的检测光的检测信号。
9.如权利要求1至8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，包括：
设置于所述高频屏蔽件与所述支轴部之间的轴承，其以所述支轴部可旋转的方式保持所述支轴部；和
使所述高频屏蔽件与所述支轴部为等电位的等电位化部。
10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：
等电位化部是设置于所述轴承的外筒与所述支轴部之间的刷式电极。
11.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：
等电位化部是设置于所述高频屏蔽件与所述支轴部之间的滑环。
12.一种等离子体处理装置的维护方法，其中所述等离子体处理装置用等离子体化的处理气体进行基片的处理，所述等离子体处理装置的维护方法的特征在于：
所述等离子体处理装置包括：
处理容器，其设置有进行所述处理气体的供给的处理气体供给部；
设置于所述处理容器内的载置台，其用于载置作为处理对象的基片；
支轴部，其从载置基片的一面的背面侧支承所述载置台，具有贯通所述处理容器的壁部而伸出到外部的伸出部分，并且与使该载置台绕轴旋转的旋转机构连接；
供给等离子体处理用的高频电功率的高频电源部；以及
覆盖所述伸出部分的支轴部以抑制所述高频电功率向外部泄漏的高频屏蔽件，
所述等离子体处理装置的维护方法包括如下步骤：拆卸将所述支轴部与所述高频屏蔽件在长度方向上分割的构成为一体的组件部以进行维护。
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