CN111751029A - 温度传感器、电路装置、振荡器、电子设备以及移动体 - Google Patents

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Abstract

提供温度传感器、电路装置、振荡器、电子设备以及移动体，能够以简单的电路结构高精度地对温度检测电压的偏移进行校正。温度传感器包含双极晶体管、电阻以及可变电阻电路。电阻设置在与双极晶体管的基极节点连接的第1节点、和双极晶体管的集电极节点之间。可变电阻电路设置在双极晶体管的发射极节点与地节点之间。

Description

温度传感器、电路装置、振荡器、电子设备以及移动体
技术领域
本发明涉及温度传感器、电路装置、振荡器、电子设备以及移动体等。
背景技术
公知有如下的温度传感器：在半导体的PN结中，正向电压具有温度特性，该温度传感器利用了该温度特性。作为具有温度特性的正向电压，例如使用了双极晶体管的基极-发射极间电压等。
专利文献1的温度传感器包含串联连接的双极晶体管、第1电阻以及第2电阻。双极晶体管的基极节点与第1电阻和第2电阻之间的节点连接，从双极晶体管的集电极节点输出温度检测电压。在专利文献1中公开了通过使流过双极晶体管的电流发生变化而进行温度检测电压的灵敏度校正的结构。灵敏度是温度检测电压相对于温度变化的斜率。
专利文献1：日本特开2009-92449号公报
在上述那样的温度传感器中，希望能够以简单的电路结构高精度地校正温度检测电压的偏移。另外，在专利文献1中记载了温度检测电压的灵敏度校正，但并未记载温度检测电压的偏移校正。
发明内容
本发明的一个方式涉及温度传感器，该温度传感器输出温度检测电压，其包含：第1双极晶体管；第1电阻，其设置在第1节点与第1集电极节点之间，该第1节点与作为所述第1双极晶体管的基极节点的第1基极节点连接，该第1集电极节点是所述第1双极晶体管的集电极节点；以及第1可变电阻电路，其设置在第1发射极节点与地节点之间，该第1发射极节点是所述第1双极晶体管的发射极节点。
附图说明
图1是电路装置和振荡器的结构例。
图2是温度检测电压的特性例。
图3是补偿电压的特性例。
图4是频率偏差的特性例。
图5是温度传感器的第1结构例。
图6是温度传感器的第2结构例。
图7是输出电压的温度特性例。
图8是可变电阻电路的详细结构例。
图9是温度传感器的第3结构例。
图10是缓冲电路和背栅电压控制电路的详细结构例。
图11是温度补偿电路和振荡电路的详细结构例。
图12是振荡器的第1构造例。
图13是振荡器的第2构造例。
图14是电子设备的结构例。
图15是移动体的结构例。
标号说明
4：振荡器；5：封装；6：基座；7：盖；8、9：外部端子；10：振子；12：电路部件；14：振荡器；15：封装；16：基座；17：盖；18、19：外部端子；20、21：电路装置；30：振荡电路；32：驱动电路；40：温度传感器；41：传感器部；42：缓冲电路；43：背栅电压控制电路；60：温度补偿电路；61：1次校正电路；63：高次校正电路；65：电流电压转换电路；70：非易失性存储器；150：非易失性存储器；206：汽车；207：车体；208：控制装置；209：车轮；220：处理装置；500：电子设备；510：通信接口；520：处理装置；530：操作界面；540：显示部；550：存储器；BG1、BG2：电压；BPA、BPB：双极晶体管；CCOMP：可变电容式电容器；CK：时钟信号；DFS：差动部；IC1、IC2：恒流电路；N1：第1节点；N2：第2节点；NGN：地节点；NVD：电源节点；RA、RB：可变电阻电路；VCOMP：补偿电压；VOUT：输出电压；VTS：温度检测电压；ic：恒定电流。
具体实施方式
以下，对本公开的优选实施方式进行详细地说明。另外，以下说明的本实施方式并非不合理地限定权利要求书所记载的内容，本实施方式所说明的结构并非全部都是必需的构成要件。
1.振荡器、电路装置
以下，以在振荡器的温度补偿中使用温度传感器的情况为例来进行说明，但本公开的温度传感器的应用对象并不限定于此。例如，能够在温度传感器单体中应用本公开的温度传感器。或者，能够在包含温度传感器、和根据来自温度传感器的温度检测电压来进行动作的电路的电路装置中应用本公开的温度传感器。
图1是包含温度传感器40的电路装置20和包含电路装置20的振荡器4的结构例。振荡器4包含振子10和电路装置20。振子10与电路装置20电连接。例如，使用收纳振子10和电路装置20的封装的内部布线、接合线或金属凸块等将振子10与电路装置20电连接。
振子10是通过电信号产生机械振动的元件。振子10例如能够通过石英振动片等振动片来实现。例如，振子10能够通过切角为AT切或SC切等的进行厚度剪切振动的石英振动片等实现。例如，振子10可以是SPXO(Simple Packaged Crystal Oscillator：简单封装晶体振荡器)振子。或者，振子10也可以是内置在具有恒温槽的恒温槽型石英振荡器(OCXO)中的振子，还可以是内置在不具有恒温槽的温度补偿型石英振荡器(TCXO)中的振子。另外，本实施方式的振子10例如能够通过厚度剪切振动型以外的振动片、由石英以外的材料形成的压电振动片等各种振动片实现。例如，作为振子10，可以采用SAW(Surface Acoustic Wave：表面声波)谐振器、使用硅基板形成的作为硅制振子的MEMS(Micro Electro MechanicalSystems：微机电系统)振子等。
电路装置20是被称为IC(Integrated Circuit：集成电路)的集成电路装置。例如，电路装置20是通过半导体工艺制造的IC，是在半导体基板上形成有电路元件的半导体芯片。电路装置20包含振荡电路30、温度传感器40、温度补偿电路60、非易失性存储器70以及端子T1、T2、TCK。
端子T1、T2、TCK是电路装置20的例如焊盘。端子T1与振子10的一端电连接，端子T2与振子10的另一端电连接。例如，使用收纳振子10和电路装置20的封装的内部布线、接合线或金属凸块等将振子10与端子T1、T2电连接。端子TCK是输出由电路装置20生成的时钟信号CK的端子。端子TCK与振荡器4的外部连接用的外部端子电连接。例如，使用封装的内部布线、接合线或金属凸块等将端子TCK与外部端子电连接。而且，振荡器4的外部端子与外部设备电连接。
温度传感器40是检测温度的传感器。具体来说，温度传感器40通过使用PN结的正向电压所具有的温度依赖性，输出电压值根据温度而变化的温度检测电压VTS。另外，温度传感器40根据存储于非易失性存储器70的0次校正数据来进行温度检测电压VTS的偏移校正。即，温度传感器40以0次校正数据所示的偏移的量来调整温度检测电压VTS的偏移。另外，在振荡频率的温度补偿中，温度检测电压VTS的偏移校正与0次校正对应。
温度补偿电路60根据温度检测电压VTS来输出补偿电压VCOMP，由此对振荡电路30的振荡频率进行温度补偿。补偿电压VCOMP是消除或降低振荡频率的温度特性的电压。温度补偿电路60通过以温度为变量的多项式近似来输出补偿电压VCOMP。例如在通过5次多项式来近似温度检测电压VTS的情况下，多项式的0次系数、1次系数、2次系数、3次系数、4次系数以及5次系数分别作为0次校正数据、1次校正数据、2次校正数据、3次校正数据、4次校正数据以及5次校正数据而存储在非易失性存储器70中。温度补偿电路60根据1次校正数据、2次校正数据、3次校正数据、4次校正数据以及5次校正数据来进行温度补偿。另外，如上述那样，0次校正由温度传感器40来进行。另外，多项式近似并不限定于5次。
非易失性存储器70存储用于振荡频率的温度补偿的温度补偿数据。温度补偿数据是上述的0次校正数据、1次校正数据、2次校正数据、3次校正数据、4次校正数据以及5次校正数据。例如在制造振荡器4时等，测试装置根据由振荡器4输出的时钟信号CK来测量振荡频率的温度特性。测试装置对测量出的温度特性进行多项式近似而求出各项的系数，并将该系数作为温度补偿数据来写入到非易失性存储器70中。
非易失性存储器70例如是EEPROM(Electrically Erasable Programmable ReadOnly Memory：电可擦可编程只读存储器)、闪存等。EEPROM例如能够通过浮栅型的存储单元等实现。闪存例如能够通过MONOS(Metal Oxide Nitride Oxide Silicon：金属氧化物氮氧化硅)的存储单元等实现。或者，非易失性存储器150也可以是使用了熔断器单元的存储器。在这种类型的存储器中，作为存储器单元的熔断器单元包含电阻和与电阻串联连接的选择器元件。选择器元件例如是PN结的二极管或MOS晶体管。例如，电阻的一端与位线连接，电阻的另一端与二极管的阳极连接。二极管的阴极与字线连接。作为熔断器元件而发挥功能的电阻是电阻值可变的可编程电阻。根据该可变的电阻值，在熔断器单元中存储数据。
振荡电路30是使振子10进行振荡的电路。例如振荡电路30与端子T1和端子T2电连接，使振子10进行振荡。作为振荡电路30，例如可以使用皮尔斯型、考毕兹型、反相器型、哈特利型等各种类型的振荡电路。振荡电路30根据补偿电压VCOMP来消除或降低振荡频率的温度特性。例如振荡电路30包含可变电容式电容器，该可变电容式电容器通过两端的电位差来可变地控制电容。可变电容式电容器的一端与端子T1或端子T2电连接，可变电容式电容器的另一端被输入补偿电压VCOMP。
时钟信号CK是根据振荡信号而输出的。例如，振荡电路30也可以包含缓冲电路，缓冲电路通过对振荡信号进行缓冲而输出时钟信号CK。或者，电路装置20也可以包含未图示的输出电路。输出电路可以包含：分频电路，其对振荡信号进行分频；以及缓冲电路，其通过对分频电路的输出时钟信号进行缓冲而输出时钟信号CK。
另外，本实施方式的连接是电连接。电连接是指以能够传递电信号的方式连接，是能够通过电信号来传递信息的连接。电连接也可以是经由有源元件等的连接。
2.温度传感器的第1结构例、第2结构例
接着，使用图2～图4来说明温度检测电压的偏移对振荡频率的温度补偿带来的影响。而且，在图5之后，对温度传感器40的详细结构例进行说明。
图2是温度检测电压VTS的特性例。如图2所示，基于PN结的正向电压而生成的温度检测电压VTS具有负的温度特性，是相对于温度的1次函数。将A1设为温度检测电压VTS的理想特性，将A2设为相对于A1偏移发生了变动的温度检测电压VTS的特性。1次函数的偏移变动也可以认为是温度方向的移位。如图2所示，将A2相对于A1的温度移位量设为ΔT。
图3是补偿电压VCOMP的特性例。由于振子10的振荡频率所具有的温度特性或振荡电路30的可变电容式电容器所具有的温度特性，振荡电路30的振荡频率具有温度特性。用于补偿该温度特性的补偿电压VCOMP例如相对于温度为5次的多项式函数。将B1设为能够对振荡频率理想地进行温度补偿的补偿电压VCOMP的特性。即，假设温度补偿电路在从温度传感器40被输入了图2的A1所示的温度检测电压VTS时，输出B1所示的补偿电压VCOMP。
如图2的A2所示，温度检测电压VTS由于偏移而移位了温度移位量ΔT。这意味着温度的测量结果移位了ΔT，从而如图3的B2所示，补偿电压VCOMP也在温度方向上移位了ΔT。即，补偿电压VCOMP相对于理想的补偿电压VCOMP具有误差。
图4是频率偏差的特性例。作为振荡频率与标称频率之差的、相对于标称频率的比率是频率偏差。E1是利用图3的B1所示的理想补偿电压VCOMP进行了温度补偿时的频率偏差的特性。在E1中，频率偏差相对于温度大致恒定。E2是利用图3的B2所示的补偿电压VCOMP进行了温度补偿时的频率偏差的特性。与E1的理想特性相比，该特性的频率偏差的变动增大。这是因为，补偿电压VCOMP由于温度检测电压VTS的偏移而在温度方向上移位。
E2所示的特性相对于温度具有2次的成分。在温度补偿电路对2次成分进行的校正的调整范围小的情况下，无法充分地对E2那样的频率偏差的2次成分进行校正。本实施方式的温度传感器40通过对温度检测电压VTS的偏移进行调整，能够消除或降低图2所示的温度移位量ΔT。由此，能够提高温度补偿的精度。即，能够使温度补偿后的频率偏差接近图4的E1所示的理想特性。
图5是温度传感器40的第1结构例。温度传感器40包含双极晶体管BPA、电阻R1、可变电阻电路RA以及恒流电路IC1。BPA、R1、RA分别是第1双极晶体管、第1电阻、第1可变电阻电路。
恒流电路IC1设置在电源节点NVD与第1节点N1之间，向第1节点N1输出恒定电流ic。例如，恒流电路IC1由电阻和电流镜电路构成，该电阻设置在电源节点NVD与地节点NGN之间，该电流镜电路通过对流过该电阻的电流进行镜像而输出恒定电流ic。
第1节点N1与双极晶体管BPA的基极节点连接。电阻R1设置在第1节点N1与双极晶体管BPA的集电极节点之间。即，电阻R1的一端与第1节点N1连接，电阻R1的另一端与双极晶体管BPA的集电极节点连接。
可变电阻电路RA设置在双极晶体管BPA的发射极节点与地节点NGN之间。即，可变电阻电路RA的一端与双极晶体管BPA的发射极节点连接，可变电阻电路RA的另一端与地节点NGN连接。从图1的非易失性存储器70向可变电阻电路RA输入0次校正数据，通过该0次校正数据来设定可变电阻电路RA的电阻值。
在第1结构例中，将双极晶体管BPA的集电极电压设为输出电压VOUT。如后面在图9中叙述的那样，缓冲电路42通过对输出电压VOUT进行缓冲而输出温度检测电压VTS。缓冲电路42是单位增益缓冲器。即，温度检测电压VTS基本上与输出电压VOUT相同。但是，缓冲电路42具有对温度检测电压VTS的偏移进一步进行微调的功能。另外，也可以构成为不设置缓冲电路42，温度传感器40将输出电压VOUT作为温度检测电压VTS来输出。
输出电压VOUT由下式(1)表示。VbeA是双极晶体管BPA的基极-发射极间电压。
VOUT＝VbeA+ic×(RA-R1) (1)
如上式(1)所示，VOUT包含ic×(RA-R1)作为偏移成分。即，通过使可变电阻电路RA的电阻值发生变化，能够对VOUT的偏移进行调整。
图7示出输出电压VOUT的温度特性例。另外，VBE是双极晶体管的基极-发射极间电压所具有的温度特性。
V1R是第1结构例中的输出电压VOUT的特性。V1是在第1结构例中未设置可变电阻电路RA时的输出电压VOUT的特性。V1R相对于V1具有正的偏移。即，可知通过设置可变电阻电路RA，能够对输出电压VOUT附加偏移。另外，如上式(1)说明的那样，通过使可变电阻电路RA的电阻值发生变化，能够对偏移进行调整。
图6是温度传感器40的第2结构例。温度传感器40包含双极晶体管BPA、BPB、电阻R1、R2、可变电阻电路RA、RB以及恒流电路IC1、IC2。BPB、R2、RB分别是第2双极晶体管、第2电阻、第2可变电阻电路。
恒流电路IC1、电阻R1、双极晶体管BPA以及可变电阻电路RA之间的连接与第1结构例相同。
恒流电路IC2设置在电源节点NVD与第2节点N2之间，向第2节点N2输出恒定电流ic。例如，恒流电路IC2由电阻和电流镜电路构成，该电阻设置在电源节点NVD与地节点NGN之间，该电流镜电路通过对流过该电阻的电流进行镜像而输出恒定电流ic。
第2节点N2与双极晶体管BPB的基极节点连接。电阻R2设置在第2节点N2与双极晶体管BPB的集电极节点之间。即，电阻R2的一端与第2节点N2连接，电阻R2的另一端与双极晶体管BPB的集电极节点连接。
可变电阻电路RB设置在双极晶体管BPB的发射极节点与双极晶体管BPA的集电极节点之间。即，可变电阻电路RB的一端与双极晶体管BPB的发射极节点连接，可变电阻电路RB的另一端与双极晶体管BPA的集电极节点连接。从图1的非易失性存储器70向可变电阻电路RB输入0次校正数据，通过该0次校正数据来设定可变电阻电路RB的电阻值。
在第2结构例中，将双极晶体管BPA的集电极电压设为电压VQA，将双极晶体管BPB的集电极电压设为输出电压VOUT。
电压VQA由下式(2)表示。另外，通过使用下式(2)，输出电压VOUT为下式(3)。VbeB是双极晶体管BPA的基极-发射极间电压。
VQA＝VbeA+ic×(2RA-R1) (2)
VOUT＝VbeB+ic×(RB-R2)+VQA
＝VbeA+VbeB+ic×(2RA+RB-R1-R2) (3)
如上式(3)所示，VOUT包含ic×(2RA+RB-R1-R2)作为偏移成分。即，通过使可变电阻电路RA的电阻值和可变电阻电路RB的电阻值发生变化，能够对VOUT的偏移进行调整。
图7所示的V2R是第2结构例中的输出电压VOUT的特性。V2是在第2结构例中未设置可变电阻电路RA和可变电阻电路RB时的输出电压VOUT的特性。V2R相对于V2具有正的偏移。即，可知通过设置可变电阻电路RA和可变电阻电路RB，能够对输出电压VOUT附加偏移。另外，如上式(3)所说明的那样，通过使可变电阻电路RA的电阻值和可变电阻电路RB的电阻值发生变化，能够对偏移进行调整。另外，由于第2结构例将双极晶体管设为两级，所以将两个双极晶体管的基极-发射极间电压相加。由此，与第1结构例相比，输出电压VOUT相对于温度的斜率增大。即，与第1结构例相比，可得到对温度的灵敏度较高的温度检测电压。
另外，温度传感器40只要包含可变电阻电路RA和可变电阻电路RB中的至少一方即可。在图6中，温度传感器40包含可变电阻电路RA和可变电阻电路RB，但也可以省略可变电阻电路RA。在该情况下，双极晶体管BPA的发射极节点与地节点NGN连接，通过可变电阻电路RB的电阻值来调整输出电压VOUT的偏移。
图8是可变电阻电路RA的详细结构例。可变电阻电路RA包含电阻RV1～RV4和晶体管TV1～TV4。晶体管TV1～TV4是开关。另外，在图8中，以可变电阻电路RA包含4个电阻和4个开关的情况为例来进行说明，但可变电阻电路RA只要包含多个电阻和多个开关即可。
电阻RV1～RV4串联连接在节点NV1与节点NV2之间。节点NV1与双极晶体管BPA的发射极节点连接，节点NV2与地节点NGN连接。
晶体管TV1～TV4例如是N型晶体管。各晶体管连接在电阻RV1～RV4中的任意一个电阻的一端与节点NV2之间。具体来说，TV1、TV2、TV3和TV4的漏极分别与电阻RV1、RV2、RV3和RV4的一端连接。TV1、TV2、TV3和TV4的源极与节点NV2连接。另外，电阻RV4的一端与节点NV1连接，电阻RV1的另一端与节点NV2连接。
向晶体管TV1、TV2、TV3和TV4的栅极分别输入比特信号D[0]、D[1]、D[2]和D[3]。D[3：0]是0次校正数据。D[3：0]的比特全部都是“0”，或者D[3：0]的任意1个比特是“1”。即，晶体管TV1～TV4全部截止，或者晶体管TV1～TV4中的任意1个晶体管导通。如上述那样通过0次校正数据来调整可变电阻电路RA的电阻值，从而调整温度检测电压的偏移。
另外，可变电阻电路RB也是与图8同样的结构。在将图8的结构应用于可变电阻电路RB的情况下，节点NV1与双极晶体管BPB的发射极节点连接，节点NV2与双极晶体管BPA的集电极节点连接。
根据在以上的图5～图8中说明的实施方式，通过在双极晶体管BPA的发射极节点与地节点NGN之间设置可变电阻电路RA，能够以简单的电路结构高精度地对温度检测电压的偏移进行调整。
例如，根据上式(1)，通过使电阻R1的电阻值可变，也能够对温度检测电压的偏移进行调整。但是，由于只能在双极晶体管BPA可动作的范围内对电阻R1的电阻值进行调整，所以偏移调整范围受到限制。而在本实施方式中，由于在双极晶体管BPA的发射极节点与地节点NGN之间设置有可变电阻电路RA，所以能够确保偏移调整范围。
另外，根据上式(1)，通过使恒定电流ic的电流值可变，也能够对温度检测电压的偏移进行调整。但是，由于恒流电路IC1设置在电源节点NVD与第1节点N1之间，所以恒定电流ic的调整容易受到电源电压的影响，从而使偏移调整的精度下降。而在本实施方式中，由于在双极晶体管BPA的发射极节点与地节点NGN之间设置有可变电阻电路RA，所以能够进行对电源电压的依赖性小的偏移调整。
3.温度传感器的第3结构例
图9是温度传感器40的第3结构例。温度传感器40包含传感器部41、缓冲电路42以及背栅电压控制电路43。
传感器部41输出电压值根据温度而发生变化的输出电压VOUT。具体来说，传感器部41是在图5或图6中说明的电路。
缓冲电路42通过对来自传感器部41的输出电压VOUT进行缓冲而输出温度检测电压VTS。缓冲电路42例如是增益为1的放大器电路。缓冲电路42具有差动部，差动部具有电流镜电路和与电流镜电路电连接的差动对晶体管。
背栅电压控制电路43通过向构成电流镜电路的晶体管的背栅输出电压BG1、BG2而对背栅电压进行控制。通过控制构成电流镜电路的晶体管的背栅来控制差动部的输出电压的偏移。由此，对由缓冲电路42输出的温度检测电压VTS的偏移进行调整。由传感器部41的可变电阻电路进行的偏移调整是粗调，通过控制背栅电压而进行的偏移调整是微调。即，通过控制背栅电压而进行的偏移调整的1步比由传感器部41的可变电阻电路进行的偏移调整的1步小。
图10是缓冲电路42和背栅电压控制电路43的详细结构例。
缓冲电路42包含差动部DFS和恒流电路IF。差动部DFS包含P型晶体管TG1、TG2和双极晶体管BPG1、BPG2。TG1、TG2、BPG1、BPG2分别是第1晶体管、第2晶体管、第1差动对晶体管、第2差动对晶体管。
P型晶体管TG1、TG2构成电流镜电路。即，P型晶体管TG1、TG2的源极与电源节点NVD连接，P型晶体管TG2的栅极与P型晶体管TG1的栅极以及P型晶体管TG2的漏极连接。
由双极晶体管BPG1、BPG2构成的差动对与电流镜电路连接。即，双极晶体管BPG1、BPG2的集电极节点分别与P型晶体管TG1、TG2的漏极连接。双极晶体管BPG1、BPG2的发射极节点与恒流电路IF的一端连接。恒流电路IF的另一端与地节点NGN连接。
缓冲电路42是电压跟随器电路。具体来说，向双极晶体管BPG1的基极节点输入来自传感器部41的输出电压VOUT。双极晶体管BPG1的集电极节点是缓冲电路42的输出节点，该输出节点与双极晶体管BPG2的基极节点连接。缓冲电路42输出双极晶体管BPG1的集电极电压作为温度检测电压VTS。
另外，缓冲电路42还可以包含对差动部DFS的输出电压进行放大的输出部。在该情况下，差动部DFS将双极晶体管BPG1的集电极电压输出到输出部，输出部的输出节点与双极晶体管BPG2的基极节点连接。而且，从输出部的输出节点输出温度检测电压VTS。
背栅电压控制电路43对P型晶体管TG1的背栅电压和P型晶体管TG2的背栅电压进行控制。背栅电压控制电路43包含电阻RG1、RG2和可变电阻电路RVG1～RVG4。
可变电阻电路RVG1、RVG2和电阻RG1串联连接在电源节点NVD与地节点NGN之间。可变电阻电路RVG1、RVG2和电阻RG1构成对电源电压进行分压的分压电路，作为分压电压的电压BG1从可变电阻电路RVG1与RVG2之间的节点输出。背栅电压控制电路43将电压BG1输出到P型晶体管TG1的背栅。可变电阻电路RVG3、RVG4和电阻RG2构成对电源电压进行分压的分压电路，作为分压电压的电压BG2从可变电阻电路RVG3与RVG4之间的节点输出。背栅电压控制电路43将电压BG2输出到P型晶体管TG2的背栅。
在下式(4)中示出了背栅电压Vb与晶体管的阈值电压Vth之间的关系式。VFB是平带电压，q是基本电荷量，φF是费米能级，εsε0是相对介电常数，NA是阱的杂质浓度。
Figure BDA0002424583080000111
从上式(4)可知，当背栅电压Vb发生变化时，阈值电压Vth发生变化。即，背栅电压控制电路43对P型晶体管TG1、TG2的背栅电压进行控制，从而对P型晶体管TG1、TG2的阈值电压进行控制，其结果是，P型晶体管TG1、TG2的漏电流发生变化。
图1的非易失性存储器70存储对背栅电压进行控制的背栅电压控制数据。可变电阻电路RVG1～RVG4的电阻值是基于背栅电压控制数据而设定的。例如，电压BG1和电压BG2向相反方向变化。即，可变电阻电路RVG1～RVG4的电阻值被设定为在电压BG1上升时电压BG2下降，在电压BG1下降时电压BG2上升。或者，电压BG1、BG2也可以分别独立地设定。
另外，背栅电压控制数据包含在0次校正数据中。即，0次校正数据包含设定图5的可变电阻电路RA的电阻值的数据和背栅电压控制数据。或者，0次校正数据包含设定图6的可变电阻电路RA、RB的电阻值的数据和背栅电压控制数据。
根据本实施方式，通过对构成差动部DFS的电流镜电路的P型晶体管TG1、TG2的背栅电压进行控制而对供给到构成差动对的双极晶体管BPG1、BPG2的电流进行控制。当供给到双极晶体管BPG1、BPG2的电流的平衡发生变化时，差动部DFS的输出电压的偏移发生变化。即，温度检测电压VTS的偏移发生变化。如上所述，能够通过控制背栅电压来控制温度检测电压VTS的偏移。
由于晶体管的背栅不流过电流，所以在背栅电压的控制中不需要向背栅供给电流。因此，能够使背栅电压控制电路43紧凑。另外，在电压BG1和电压BG2向相反方向变化的情况下，与仅使电压BG1和电压BG2中的一方发生变化的情况相比，能够使偏移调整的分辨率为1/2。换言之，能够以2倍的精度进行偏移调整。
另外，以上，对背栅电压控制电路43控制P型晶体管TG1、TG这两者的背栅电压的情况进行了说明，但背栅电压控制电路43只要对P型晶体管TG1、TG2中的至少一方的背栅电压进行控制即可。
4.温度补偿电路、振荡电路
图11是温度补偿电路60和振荡电路30的详细结构例。振荡电路30包含驱动电路32和可变电容式电容器CCOMP。
驱动电路32经由节点L1而与端子T1连接，经由节点L2而与端子T2连接。驱动电路32通过对与端子T1、T2连接的振子10进行驱动而使振子10进行振荡。驱动电路32可以由双极晶体管等晶体管、和电容器或电阻等无源元件实现。
可变电容式电容器CCOMP的一端与节点L1连接。或者，可变电容式电容器CCOMP的一端也可以与节点L2连接。可变电容式电容器CCOMP的另一端与温度补偿电路60的输出节点连接。可变电容式电容器CCOMP例如是MOS电容器。MOS电容器的一端是MOS晶体管的栅极，MOS电容器的另一端是MOS晶体管的源极和漏极。
温度补偿电路60包含1次校正电路61、高次校正电路63以及电流电压转换电路65。另外，在本实施方式中，“函数”是以温度为变量的函数。
1次校正电路61根据温度检测电压VTS来输出近似1次函数的1次电流。1次校正电路61包含运算放大器OPC1和可变电阻电路RC1、RC2、RD。运算放大器OPC1和可变电阻电路RC1、RC2构成正向放大电路，正向放大电路以基准电压VRC为基准对温度检测电压VTS进行放大。正向放大电路经由可变电阻电路RD向电流电压转换电路65的输入节点输出1次电流。
高次校正电路63根据温度检测电压VTS而将近似3次函数的3次电流输出到电流电压转换电路65的输入节点。例如，高次校正电路63包含：第1差动电路，其根据温度检测电压VTS来进行差动动作；以及第2差动电路，其根据第1差动电路的输出电压和温度检测电压VTS来进行差动动作，从而输出3次电流。
电流电压转换电路65将1次电流与3次电流相加，并且对该相加电流进行电流电压转换而输出补偿电压VCOMP。由此，可得到近似多项式函数的补偿电压VCOMP。补偿电压VCOMP被输入到可变电容式电容器CCOMP的另一端。通过补偿电压VCOMP来控制可变电容式电容器CCOMP的电容值，由此对振荡电路30的振荡频率进行温度补偿。电流电压转换电路65包含运算放大器OPC2、电阻R3以及电容器CC。电阻R3和电容器CC并联连接在运算放大器OPC2的输出节点与反向输入节点之间。向运算放大器OPC2的同相输入节点输入基准电压VRC。运算放大器OPC2的输出节点与温度补偿电路60的输出节点连接。
另外，高次校正电路63还可以包含校正电路，该校正电路进行4次以上的校正。例如，高次校正电路63还可以包含：4次校正电路，其输出近似4次函数的4次电流；以及5次校正电路，其输出近似5次函数的5次电流。
5.振荡器
接着，对本实施方式的振荡器4的构造例进行说明。图12示出振荡器4的第1构造例。振荡器4具有振子10、电路装置20以及收纳振子10和电路装置20的封装15。封装15例如由陶瓷等形成，在其内侧具有收纳空间，在该收纳空间中收纳有振子10和电路装置20。收纳空间被气密密封，优选成为接近真空的状态即减压状态。通过封装15，能够适当地保护振子10和电路装置20不受冲击、尘埃、热、湿气等的影响。
封装15具有基座16和盖17。具体而言，封装15由基座16和盖17构成，该基座16支承振子10和电路装置20，该盖17以在盖17与基座16之间形成收纳空间的方式与基座16的上表面接合。并且，振子10经由端子电极而被支承于设置在基座16的内侧的台阶部。另外，电路装置20配置在基座16的内侧底面。具体而言，电路装置20以有源面朝向基座16的内侧底面的方式配置。有源面是电路装置20的形成有电路元件的面。另外，在电路装置20的作为焊盘的端子上形成有凸块BMP。而且，电路装置20经由导电性的凸块BMP支承于基座16的内侧底面。导电性的凸块BMP例如是金属凸块，经由该凸块BMP、封装15的内部布线、端子电极等将振子10与电路装置20电连接。另外，电路装置20经由凸块BMP、封装15的内部布线而与振荡器4的外部端子18、19电连接。外部端子18、19形成在封装15的外侧底面上。外部端子18、19经由外部布线而与外部设备连接。外部布线例如是在安装有外部设备的电路基板上形成的布线等。由此，能够对外部设备输出时钟信号等。
另外，在图12中，以电路装置20的有源面朝向下方的方式倒装安装电路装置20，但本实施方式并不限定于这样的安装。例如，可以以电路装置20的有源面朝向上方的方式安装电路装置20。即，以有源面与振子10对置的方式安装电路装置20。
图13示出振荡器4的第2构造例。图13的振荡器4包含振子10、电路装置20以及电路装置21。另外，振荡器4包含收纳振子10和电路装置20的封装15、以及收纳封装15和电路装置21的封装5。封装15、封装5分别是第1封装、第2封装。第1封装、第2封装也可以称为第1容器、第2容器。
并且，在本实施方式中，收纳在封装15中的电路装置20进行第1温度补偿处理，收纳在封装5中的电路装置21进行第2温度补偿处理。例如，通过将振子10和电路装置20收纳在封装15中，例如构成了进行模拟方式的第1温度补偿处理的温度补偿型的振荡器14。而且，通过将进行模拟方式的第1温度补偿处理的振荡器14和进行数字方式的第2温度补偿处理的电路装置21收纳在封装5中，构成了生成高精度的时钟信号的振荡器4。电路装置21也可以称为以数字方式进行微调的第2温度补偿处理的校正IC。
具体而言，封装5例如由陶瓷等形成，在其内侧具有收纳空间。在该收纳空间中收纳有振荡器14和电路装置21，该振荡器14在封装15中收纳有振子10和电路装置20。收纳空间被气密密封，优选成为接近真空的状态即减压状态。通过封装5，能够适当地保护电路装置21和振荡器14不受冲击、尘埃、热、湿气等的影响。
封装5具有基座6和盖7。具体而言，封装5由基座6和盖7构成，该基座6支承振荡器14和电路装置21，该盖7以在盖7与基座6之间形成收纳空间的方式与基座6的上表面接合。基座6在其内侧具有在上表面开口的第1凹部和在第1凹部的底面开口的第2凹部。电路装置21支承在第1凹部的底面上。例如，电路装置21经由端子电极而支承在底面的台阶部上。另外，振荡器14支承在第2凹部的底面上。例如，振荡器14经由端子电极而支承在底面的台阶部上。另外，基座6具有在第2凹部的底面开口的第3凹部，在该第3凹部中配置电路部件12。作为配置的电路部件12，例如可以想到电容器、温度传感器等。
电路装置21例如经由接合线BW、形成于台阶部的端子电极、封装5的内部布线而与振荡器14的端子电连接。由此，能够将来自振荡器14的时钟信号、温度检测信号输入到电路装置21。另外，电路装置21经由接合线BW、形成于台阶部的端子电极、封装5的内部布线而与振荡器4的外部端子8、9电连接。外部端子8、9形成在封装5的外侧底面上。外部端子8、9经由外部布线而与外部设备连接。外部布线例如是在安装有外部设备的电路基板上形成的布线等。由此，能够对外部设备输出时钟信号等。另外，也可以将振荡器14的端子与外部端子8、9电连接。
另外，在图13中，在振荡器14的上方配置电路装置21，但也可以在振荡器14的下方配置电路装置21。这里，上方是从封装5的底面朝向盖7的方向，下方是其相反方向。另外，也可以在振荡器14的侧方设置电路装置21。即，在振荡器4的俯视观察时振荡器14和电路装置21以并排的方式配置。
接着，对电路装置21进行说明。电路装置21包含时钟信号生成电路，该时钟信号生成电路输入由振荡器14生成的时钟信号即第1时钟信号作为基准时钟信号。然后，将由时钟信号生成电路生成的时钟信号作为振荡器4的输出时钟信号输出到外部。例如，电路装置21的时钟信号生成电路由分数-N型的PLL电路构成，该PLL电路输入来自振荡器14的第1时钟信号作为基准时钟信号。该PLL电路对作为第1时钟信号的基准时钟信号、和通过分频电路对PLL电路的输出时钟信号进行分频而得到的反馈时钟信号进行相位比较。然后，使用Δ-Σ调制电路来设定小数的分频比，由此实现分数-N型的PLL电路。另外，电路装置21所包含的控制电路基于温度补偿数据来进行在PLL电路中设定的分频比数据的校正处理，由此实现第2温度补偿处理。另外，在振荡器14中进行的第1温度补偿处理例如是通过由图1、图11的温度补偿电路60进行的多项式近似的温度补偿处理来实现的。另外，时钟信号生成电路也可以由直接数字合成器构成。在这种情况下，对以第1时钟信号为基准时钟信号来进行动作的直接数字合成器输入利用温度补偿数据校正后的频率控制数据，从而实现第2温度补偿处理。
根据图13的振荡器4，使振子10进行振荡的电路装置20进行第1温度补偿处理，从而能够减小从作为第1电路装置的电路装置20输出的第1时钟信号的基于频率温度特性的频率变动量。并且，作为第2电路装置的电路装置21在基于来自电路装置20的第1时钟信号生成时钟信号时，进行第2温度补偿处理。这样，在由电路装置20进行了第1温度补偿处理之后，由电路装置21进行第2温度补偿处理，由此，能够减小由于温度计测结果的波动等而导致的频率的微跳等，能够实现振荡器4的时钟频率的高精度化等。另外，在图13的振荡器4中，也可以使用设置于电路装置20的温度传感器来进行第1温度补偿处理，并且该温度传感器的温度检测信号从电路装置20输出并输入到电路装置21。然后，电路装置21可以根据输入的温度检测信号来进行第2温度补偿处理。这样，由于能够根据来自相同温度传感器的温度检测信号来进行电路装置20中的第1温度补偿处理和电路装置21中的第2温度补偿处理，所以能够实现更适当的温度补偿处理。在该情况下，内置于电路装置20的温度传感器与振子10之间的距离比该温度传感器与电路装置21之间的距离短。因此，能够拉开由于进行数字方式的温度补偿处理而发热量多的电路装置21与振子10之间的距离，能够降低电路装置21的发热对温度传感器的温度检测结果带来的不良影响。因此，能够使用内置于电路装置20的温度传感器来更准确地计测振子10的温度。
6.电子设备、移动体
图14示出包含本实施方式的电路装置20的电子设备500的结构例。电子设备500包含本实施方式的电路装置20和处理装置520，该处理装置520根据基于电路装置20的振荡电路30的振荡信号的时钟信号来进行动作。具体而言，电子设备500包含具有本实施方式的电路装置20的振荡器4，处理装置520基于来自振荡器4的时钟信号来进行动作。另外，电子设备500还能够包含天线ANT、通信接口510、操作界面530、显示部540以及存储器550。另外，电子设备500不限于图14的结构，能够实施省略它们的一部分结构要素、或追加其他结构要素等各种变形。
电子设备500例如可以是基站或路由器等网络相关设备、测量距离、时间、流速或流量等物理量的高精度的测量设备、测量生物体信息的生物体信息测量设备或车载设备等。生物体信息测量设备例如是超声波测量装置、脉搏计或血压测量装置等。车载设备是自动驾驶用的设备等。并且，电子设备500也可以是头部佩戴型显示装置或时钟相关设备等可穿戴设备、机器人、打印装置、投影装置、智能手机等便携信息终端、发布内容的内容提供设备、或者数码照相机或摄像机等影像设备等。
另外，作为电子设备500，存在用于5G等下一代移动通信系统的设备。例如，可以在下一代移动通信系统的基站、射频拉远头(RRH：Remote Radio Head)或便携通信终端等各种设备中使用本实施方式的电路装置20。在下一代移动通信系统中，为了时刻同步等而要求高精度的时钟频率，适合作为能够生成高精度的时钟信号的本实施方式的电路装置20的应用例。
通信接口510进行经由天线ANT从外部接收数据或向外部发送数据的处理。作为处理器的处理装置520进行电子设备500的控制处理、经由通信接口510收发的数据的各种数字处理等。处理装置520的功能例如能够通过微型计算机等处理器实现。操作界面530用于供用户进行输入操作，能够通过操作按钮或触摸板显示器等实现。显示部540显示各种信息，能够通过液晶或有机EL等显示器实现。存储器550存储数据，其功能能够通过RAM或ROM等半导体存储器实现。
另外，在图14中，以电子设备500包含振荡器4的情况为例来进行说明，但电子设备500的结构并不限定于此，电子设备500只要包含电路装置20即可。即，电路装置20只要包含温度传感器、和根据来自温度传感器的温度检测电压进行动作的电路即可。此时，处理装置520根据来自电路装置20的输出信号来进行动作。来自电路装置20的输出信号例如是电路装置20使用温度检测电压而生成的信号。
图15示出包含本实施方式的电路装置20的移动体的例子。移动体包含本实施方式的电路装置20和处理装置220，该处理装置220根据基于电路装置20的振荡电路30的振荡信号的时钟信号来进行动作。具体而言，移动体包含具有本实施方式的电路装置20的振荡器4，处理装置220根据来自振荡器4的时钟信号来进行动作。本实施方式的电路装置20例如能够组装到车、飞机、摩托车、自行车或船舶等各种移动体中。移动体例如是具有发动机或电动机等驱动机构、方向盘或舵等转向机构、各种电子设备并在地面上、天空或海上移动的设备/装置。
图15概略地示出作为移动体的具体例的汽车206。在汽车206中组装有本实施方式的电路装置20。具体而言，作为移动体的汽车206包含控制装置208，控制装置208包含：振荡器4，其包含本实施方式的电路装置20；以及处理装置220，其根据由振荡器4生成的时钟信号来进行动作。控制装置208例如根据车体207的姿态对悬架的软硬进行控制、或者对各个车轮209的制动进行控制。例如，可以利用控制装置208实现汽车206的自动驾驶。另外，组装有本实施方式的电路装置20的设备并不限于这样的控制装置208，也能够组装到在汽车206等移动体中设置的仪表面板设备或导航设备等各种车载设备中。
另外，在图15中，以移动体包含振荡器4的情况为例来进行说明，但移动体的结构并不限定于此，移动体只要包含电路装置20即可。即，电路装置20只要包含温度传感器和根据来自温度传感器的温度检测电压来进行动作的电路即可。此时，处理装置220根据来自电路装置20的输出信号来进行动作。来自电路装置20的输出信号例如是电路装置20使用温度检测电压而生成的信号。
如以上说明的那样，本实施方式的温度传感器输出温度检测电压。温度传感器包含第1双极晶体管、第1电阻以及第1可变电阻电路。第1电阻设置在第1节点与第1集电极节点之间。第1节点与第1基极节点连接。第1基极节点是第1双极晶体管的基极节点。第1集电极节点是第1双极晶体管的集电极节点。第1可变电阻电路设置在第1发射极节点与地节点之间。第1发射极节点是第1双极晶体管的发射极节点。
根据本实施方式，通过在第1双极晶体管的发射极节点与地节点之间设置第1可变电阻电路，对第1双极晶体管的基极-发射极间电压加上第1可变电阻电路中的电压降。由此，通过可变地调整第1可变电阻电路的电阻值来可变地调整基于基极-发射极间电压的温度检测电压的偏移。这样，通过设置第1可变电阻电路这一简单的电路结构，就能够对温度检测电压的偏移进行校正。另外，根据本实施方式，通过在第1双极晶体管的发射极节点与地节点之间设置第1可变电阻电路，能够降低电源电压等的影响。由此，能够高精度地对温度检测电压的偏移进行校正。
另外，在本实施方式中，也可以是，温度传感器包含恒流电路。也可以是，恒流电路设置在电源节点与第1节点之间，向第1节点输出恒定电流。
这样，在第1电阻、第1双极晶体管以及第1可变电阻电路中流过恒定电流。通过在第1双极晶体管中流过恒定电流，产生依赖于温度的基极-发射极间电压。另外，通过在第1可变电阻电路中流过恒定电流，产生与第1可变电阻电路的电阻值对应的电压降，因此通过调整第1可变电阻电路的电阻值来调整温度检测电压的偏移。
另外，在本实施方式中，也可以是，第1可变电阻电路包含多个电阻和多个开关。也可以是，多个电阻串联连接在第1发射极节点与地节点之间。也可以是，多个开关的各开关连接在多个电阻中的任意一个电阻的一端与地节点之间。
这样，在多个开关中的任意一个开关接通时，连接着该开关的电阻的一端与地节点之间被开关连接。即，在该电阻的一端与地节点之间设置基于开关的电流旁路路径。由此，通过选择使多个开关中的哪个开关接通来调整第1可变电阻电路的电阻值。
另外，在本实施方式中，也可以是，温度传感器包含缓冲电路和背栅电压控制电路。也可以是，缓冲电路通过对来自第1集电极节点的输出电压进行缓冲而输出温度检测电压。也可以是，缓冲电路具有差动部。也可以是，差动部具有电流镜电路和与电流镜电路电连接的差动对。也可以是，电流镜电路由作为MOS晶体管的第1晶体管和第2晶体管构成。也可以是，差动对由作为双极晶体管的第1差动对晶体管和第2差动对晶体管构成。也可以是，向第1差动对晶体管的基极节点输入来自第1集电极节点的输出电压。也可以是，第2差动对晶体管的基极节点与缓冲电路的输出节点电连接。也可以是，背栅电压控制电路对第1晶体管的背栅电压和第2晶体管的背栅电压中的至少一方进行控制。
这样，通过对构成差动部的电流镜电路的第1晶体管和第2晶体管的背栅电压进行控制，供给到构成差动对的第1差动对晶体管和第2差动对晶体管的电流被控制。当供给到第1差动对晶体管和第2差动对晶体管的电流的平衡发生变化时，差动部的输出电压的偏移发生变化。即，温度检测电压的偏移发生变化。如上所述，能够通过控制背栅电压来控制温度检测电压的偏移。
另外，在本实施方式中，也可以是，温度传感器包含第2双极晶体管、第2电阻以及第2可变电阻电路。也可以是，第2电阻设置在第2节点与第2集电极节点之间。也可以是，第2节点与第2基极节点连接。也可以是，第2基极节点是第2双极晶体管的基极节点。也可以是，第2集电极节点是第2双极晶体管的集电极节点。也可以是，第2可变电阻电路设置在第2发射极节点与第1集电极节点之间。也可以是，第2发射极节点是第2双极晶体管的发射极节点。
这样，通过在第2双极晶体管的发射极节点与第1双极晶体管的集电极节点之间设置第2可变电阻电路，对第2双极晶体管的基极-发射极间电压加上第2可变电阻电路中的电压降。由此，通过可变地调整第2可变电阻电路的电阻值来可变地调整基于基极-发射极间电压的温度检测电压的偏移。另外，根据本实施方式，由于将第1双极晶体管的基极-发射极间电压与第2双极晶体管的基极-发射极间电压相加，所以能够提高温度检测电压对温度的灵敏度。
另外，本实施方式的温度传感器也可以是如下的结构。即，温度传感器输出温度检测电压。温度传感器包含第1双极晶体管、第1电阻、第2双极晶体管、第2电阻以及可变电阻电路。第1电阻设置在第1节点与第1集电极节点之间，该第1节点与作为第1双极晶体管的基极节点的第1基极节点连接，该第1集电极节点是第1双极晶体管的集电极节点。第2电阻设置在第2节点与第2集电极节点之间，该第2节点与作为第2双极晶体管的基极节点的第2基极节点连接，该第2集电极节点是第2双极晶体管的集电极节点。可变电阻电路设置在第2发射极节点与第1集电极节点之间，该第2发射极节点是第2双极晶体管的发射极节点。
这样，通过在第2双极晶体管的发射极节点与第1双极晶体管的集电极节点之间设置可变电阻电路，对第2双极晶体管的基极-发射极间电压加上可变电阻电路中的电压降。由此，通过可变地调整可变电阻电路的电阻值来可变地调整基于基极-发射极间电压的温度检测电压的偏移。
另外，在本实施方式中，也可以是，温度传感器包含缓冲电路和背栅电压控制电路。也可以是，缓冲电路通过对来自第2集电极节点的输出电压进行缓冲而输出温度检测电压。也可以是，缓冲电路具有差动部。也可以是，差动部具有电流镜电路和与电流镜电路电连接的差动对。也可以是，电流镜电路由作为MOS晶体管的第1晶体管和第2晶体管构成。也可以是，差动对由作为双极晶体管的第1差动对晶体管和第2差动对晶体管构成。也可以是，向第1差动对晶体管的基极节点输入来自第2集电极节点的输出电压。也可以是，第2差动对晶体管的基极节点与缓冲电路的输出节点电连接。也可以是，背栅电压控制电路对第1晶体管的背栅电压和第2晶体管的背栅电压中的至少一方进行控制。
这样，通过对构成差动部的电流镜电路的第1晶体管和第2晶体管的背栅电压进行控制，供给到构成差动对的第1差动对晶体管和第2差动对晶体管的电流被控制。当供给到第1差动对晶体管和第2差动对晶体管的电流的平衡发生变化时，差动部的输出电压的偏移发生变化。即，温度检测电压的偏移发生变化。如上所述，能够通过控制背栅电压来控制温度检测电压的偏移。
另外，本实施方式的电路装置包含：以上任意记载的温度传感器；以及电路，其根据来自温度传感器的温度检测电压来进行动作。
另外，本实施方式的电路装置可以是如下的结构。即，电路装置包含：以上任意记载的温度传感器；振荡电路，其使振子进行振荡；以及温度补偿电路。温度补偿电路根据来自温度传感器的温度检测电压，输出对振荡电路的振荡频率进行温度补偿的温度补偿信号。
另外，本实施方式的振荡器包含以上记载的电路装置和振子。
另外，本实施方式的电子设备包含：以上任意记载的电路装置；以及处理装置，其根据来自电路装置的输出信号来进行动作。
另外，本实施方式的移动体包含：以上任意记载的电路装置；以及处理装置，其根据来自电路装置的输出信号来进行动作。
另外，如上述那样对本实施方式进行了详细说明，但本领域技术人员可以容易地理解，能够实现实质上不脱离本公开的新事项和效果的多种变形。因此，所有这样的变形例都包含在本公开的范围内。例如，在说明书或附图中至少一次与更广义或同义的不同用语一起记载的用语在说明书或附图的任何位置处都可置换为该不同的用语。另外，本实施方式和变形例的全部组合也包含在本公开的范围内。另外，温度传感器、电路装置、振荡器、电子设备以及移动体等的结构和动作等也不限于在本实施方式中说明的结构和动作，能够实施各种变形。

Claims (12)

1.一种温度传感器，其特征在于，该温度传感器输出温度检测电压，并包含：
第1双极晶体管；
第1电阻，其设置在第1节点与第1集电极节点之间，该第1节点与作为所述第1双极晶体管的基极节点的第1基极节点连接，该第1集电极节点是所述第1双极晶体管的集电极节点；以及
第1可变电阻电路，其设置在第1发射极节点与地节点之间，该第1发射极节点是所述第1双极晶体管的发射极节点。
2.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，
该温度传感器包含恒流电路，该恒流电路设置在电源节点与所述第1节点之间，向所述第1节点输出恒定电流。
3.根据权利要求1或2所述的温度传感器，其特征在于，
所述第1可变电阻电路具有：
多个电阻，它们串联连接在所述第1发射极节点与所述地节点之间；以及
多个开关，各开关连接在所述多个电阻中的任意一个电阻的一端与所述地节点之间。
4.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，
该温度传感器包含：
缓冲电路，其通过对来自所述第1集电极节点的输出电压进行缓冲来输出所述温度检测电压；以及
背栅电压控制电路，
所述缓冲电路具有差动部，该差动部具有电流镜电路和与所述电流镜电路电连接的差动对，
所述电流镜电路由作为MOS晶体管的第1晶体管和第2晶体管构成，
所述差动对由作为双极晶体管的第1差动对晶体管和第2差动对晶体管构成，
向所述第1差动对晶体管的基极节点输入来自所述第1集电极节点的所述输出电压，所述第2差动对晶体管的基极节点与所述缓冲电路的输出节点电连接，
所述背栅电压控制电路对所述第1晶体管的背栅电压和所述第2晶体管的背栅电压中的至少一方进行控制。
5.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，
该温度传感器包含：
第2双极晶体管；
第2电阻，其设置在第2节点与第2集电极节点之间，该第2节点与作为所述第2双极晶体管的基极节点的第2基极节点连接，该第2集电极节点是所述第2双极晶体管的集电极节点；以及
第2可变电阻电路，其设置在第2发射极节点与所述第1集电极节点之间，该第2发射极节点是所述第2双极晶体管的发射极节点。
6.一种温度传感器，其特征在于，该温度传感器输出温度检测电压，并包含：
第1双极晶体管；
第1电阻，其设置在第1节点与第1集电极节点之间，该第1节点与作为所述第1双极晶体管的基极节点的第1基极节点连接，该第1集电极节点是所述第1双极晶体管的集电极节点；
第2双极晶体管；
第2电阻，其设置在第2节点与第2集电极节点之间，该第2节点与作为所述第2双极晶体管的基极节点的第2基极节点连接，该第2集电极节点是所述第2双极晶体管的集电极节点；以及
可变电阻电路，其设置在第2发射极节点与所述第1集电极节点之间，该第2发射极节点是所述第2双极晶体管的发射极节点。
7.根据权利要求5或6所述的温度传感器，其特征在于，
该温度传感器包含：
缓冲电路，其通过对来自所述第2集电极节点的输出电压进行缓冲而输出所述温度检测电压；以及
背栅电压控制电路，
所述缓冲电路具有差动部，该差动部具有电流镜电路和与所述电流镜电路电连接的差动对，
所述电流镜电路由作为MOS晶体管的第1晶体管和第2晶体管构成，
所述差动对由作为双极晶体管的第1差动对晶体管和第2差动对晶体管构成，
向所述第1差动对晶体管的基极节点输入来自所述第2集电极节点的所述输出电压，所述第2差动对晶体管的基极节点与所述缓冲电路的输出节点电连接，
所述背栅电压控制电路对所述第1晶体管的背栅电压和所述第2晶体管的背栅电压中的至少一方进行控制。
8.一种电路装置，其特征在于，该电路装置包含：
权利要求1～7中的任意一项所述的温度传感器；以及
电路，其根据来自所述温度传感器的所述温度检测电压来进行动作。
9.一种电路装置，其特征在于，该电路装置包含：
权利要求1～7中的任意一项所述的温度传感器；
振荡电路，其使振子进行振荡；以及
温度补偿电路，其根据来自所述温度传感器的所述温度检测电压，输出对所述振荡电路的振荡频率进行温度补偿的温度补偿信号。
10.一种振荡器，其特征在于，该振荡器包含：
权利要求9所述的电路装置；以及
所述振子。
11.一种电子设备，其特征在于，该电子设备包含：
权利要求8或9所述的电路装置；以及
处理装置，其根据来自所述电路装置的输出信号来进行动作。
12.一种移动体，其特征在于，该移动体包含：
权利要求8或9所述的电路装置；以及
处理装置，其根据来自所述电路装置的输出信号来进行动作。
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