CN111725432A - Oled阳极的制造方法、oled显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明揭露一种OLED阳极的制造方法，包括：提供一基板，其具有并列独立设置的第一结构、第二结构、第三结构；于第一结构、第二结构、第三结构与基板表面形成透明导电层；进行第一次微影蚀刻制程，对位于第一结构正上方以外的透明导电层进行蚀刻以消减所述透明导电层的厚度；进行第二次微影蚀刻制程，对位于第一结构和第二结构正上方以外的透明导电层进行蚀刻以消减所述透明导电层的厚度；进行第三次微影蚀刻制程，去除位于第一结构、第二结构与第三结构正上方以外的透明导电层，进而在第一结构、第二结构与第三结构正上方分别形成不同厚度的第一透明导电层、第二透明导电层与第三透明导电层。由此，本发明的制造方法制程简便、成本较低。

Description

OLED阳极的制造方法、OLED显示装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及OLED显示中一种OLED基板中阳极的制造及对应的OLED显示装置的制造。

背景技术

有机电致发光(Organic Electroluminescence，简称有机EL)显示装置是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的现象进而来显示图像。有机EL也称做OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)。OLED显示屏比LCD更轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高等，能满足消费者对显示技术的新需求。近年来，有机EL显示装置的技术已经被应用到除了诸如液晶显示器的直视型显示器之外还需要约几微米的精细像素间距的超小型显示器。

有机EL显示装置在实现彩色化或全色化的技术中，包括两种主要方法，即利用如RGB(红色/绿色/蓝色)三原色发光有机材料实现多色彩显示和白色(W)发光有机EL元件通过使用掩模的蒸发法等与滤色器组合的技术。白色发光有机EL元件(也称白色有机EL元件)具有通过在所有像素上层压例如RGB三原色的发光层来提取白光的结构。

在这些方法中，通常在直视型有机EL显示装置(如液晶萤幕、电浆萤幕、投影机)中使用RGB着色法。对于约几微米的精细像素间距的有机EL显示装置(诸如超小显示器)，从掩模对准精度等的要求考虑，难以采用RGB着色法来实现全色并通过掩模实现着色。

因此，在具有约几微米的精细像素间距的有机EL显示装置中，一般通过层压RGB三种颜色的发光层和该颜色组合来提取白光以形成白色有机EL元件。白色有机EL元件与滤色器组合时通过滤色器实现全彩或全色化。

然而，在白色有机EL元件和滤色器的组合中，由于从白色有机EL元件发出的白光被滤色器分解，使得白光损失大，同时使得其发光效率低于RGB着色法的发光效率。对此，可采用通过共振效应强调特定波长光的共振器结构(或谐振器结构)来实现高发光效率和提高色彩再现性。

白色有机EL显示装置(白光有机发光二极体显示器)彩色化工艺中,主流技术是对发光源采用蒸镀法在整个显示区蒸镀上各式有机材料,并搭配彩色滤光膜达到全彩显示效果。然而,单一波长发光源透过红色/绿色/蓝色彩色光阻,显现出来的颜色无法满足色域要求，故需要针对红色/绿色/蓝色彩色光阻,提供不同波长的发光源以满足白色有机EL显示装置对色域的要求。

因此，在小型OLED显示装置的技术领域中，如何在谐振器结构中实现特定波长的光以满足白色有机EL显示装置对色域的要求，已成为本领域技术人员欲积极解决的问题之一。

发明内容

本发明之目的在于提供一种OLED阳极的制造方法，以提高OLED阳极透明导电层在白色有机EL显示装置中的发光性能。

为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的一实施例提出一种OLED阳极的制造方法，该制造方法包括：提供一基板，该基板具有并列独立设置的第一结构、第二结构、第三结构；形成透明导电层于前述第一结构、所述第二结构、所述第三结构与基板表面；进行第一次微影蚀刻制程，对位于所述第一结构正上方以外的所述透明导电层进行蚀刻以消减所述透明导电层的厚度；进行第二次微影蚀刻制程，对位于所述第一结构和所述第二结构正上方以外的所述透明导电层进行蚀刻以消减所述透明导电层的厚度；进行第三次微影蚀刻制程，去除位于所述第一结构、第二结构与第三结构正上方以外的所述透明导电层，而在所述第一结构、第二结构与第三结构正上方分别形成第一透明导电层、第二透明导电层与第三透明导电层。

在一些实施例中，前述第一次微影蚀刻制程方法更包括：于所述透明导电层上表面形成第一光阻图案，其中所述第一光阻图案位于所述第一结构正上方；对所述透明导电层进行第一次蚀刻以消减所述透明导电层的厚度，其中位于所述第一结构正上方的所述透明导电层被所述第一光阻图案阻绝遮幕而未被蚀刻；移除所述第一光阻图案。

前述第二次微影蚀刻制程方法更包括：于所述透明导电层上表面形成第二光阻图案，所述第二光阻图案分别位于所述第一结构和所述第二结构的正上方；对所述透明导电层进行第二次蚀刻以消减所述透明导电层的厚度，其中位于所述第一结构和所述第二结构的正上方的所述透明导电层被所述第二光阻图案阻绝遮幕而未被蚀刻；移除所述第二光阻图案。

前述第三次微影蚀刻制程方法更包括：于所述透明导电层上表面形成第三光阻图案，所述第三光阻图案分别位于所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构的正上方；对所述透明导电层进行第三次蚀刻，其中分别位于所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构的正上方的所述透明导电层被所述第三光阻图案阻绝遮幕而未被蚀刻；移除所述第三光阻图案。

在一些实施例中，所述第一结构、所述第二结构、所述第三结构皆由反射层与金属保护层依次堆叠构成，所述金属保护层位于所述透明导电层的底部。为更好地确保该OLED基板及元件的电学特性，所述基板上还具有一绝缘层。绝缘层覆盖基板的上表面，并且覆盖金属保护层和反射层的侧壁，而曝露出金属保护层的上表面。

在一些实施例中，所述第一结构、第二结构、第三结构与所述基板间更包括一保护层。该保护层具有贯穿的过孔，该些过孔分别位于所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构的下方。进一步地，该些过孔位于反射层的下方。

在一些实施例中，前述第一透明导电层的厚度大于第二透明导电层的厚度，第二透明导电层的厚度大于第三透明导电层的厚度。所述各透明导电层的厚度为0.05μm～0.15μm。

进一步地，在一些实施例中，前述第一结构与第一透明导电层位于红光区，前述第二结构与第二透明导电层位于绿光区，前述第三结构和第三透明导电层位于蓝光区。

在一些实施例中,不限于具有所述红光区、绿光区和蓝光区的结构,还可为具有白色发光区和/或黄色发光区的结构。进一步地，在白色发光区和/或黄色发光区形成有对应的前述结构与不同厚度的透明导电层。

为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的一实施例提出一种OLED显示装置的制造方法，该制造方法包括：提供一OLED基板，该OLED基板上设置有OLED阳极，所述OLED阳极采用本发明中如前所述的制造方法制成；于所述OLED基板阳极上依序进行有机材料蒸镀以形成有机发光器件、形成阴极薄膜、对阴极薄膜进行封装以形成封装层及进行盖板贴合以形成封装盖板。

为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的一实施例提出一种OLED显示装置，所述OLED显示装置包括：一OLED基板，所述OLED基板上设置有OLED阳极，所述OLED阳极采用本发明中如前所述的制造方法制成；在所述OLED基板上依序具有一有机发光器件、一阴极薄膜、一封装层及一盖板。

因此，利用本发明所提供一种OLED阳极的制造方法，通过简便高效的制程步骤方法在OLED基板的不同结构处形成不同厚度的透明导电层，以提高OLED阳极透明导电层在白色有机EL显示装置中的发光性能。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下列举较佳实施例，并配合附图,详细说明如下。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，并非用于限定本发明的实施方式仅限于此，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图衍生而获得其他的附图。

所述附图包括：

图1是本发明中OLED基板的结构示意图；

图2至图5是本发明中第一次微影蚀刻制程的过程简示图；

图6至图9是本发明中第二次微影蚀刻制程的过程简示图；

图10至图13是本发明中第三次微影蚀刻制程的过程简示图；以及

图14是本发明中OLED显示装置的结构示意图。

附图标注：10-基板 101-第一结构 102-第二结构 103-第三结构 104-反射层105-金属保护层 106-保护层 107-过孔 108-驱动电路 109-绝缘层 20、201、202-透明导电层 30-第一光阻层 301-第一光阻图案 31-第二光阻层 311-第二光阻图案 32-第三光阻层 321-第三光阻图案 40-第一光罩 41-第二光罩 42-第三光罩 1011-第一透明导电层1021-第二透明导电层 1031-第三透明导电层 50-OLED显示装置 51-有机发光器件 52-阴极薄膜 53-封装层 54-盖板 R-红光区 G-绿光区 B-蓝光区

具体实施方式

这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、或以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，皆为“至少包含”的意思。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸的连接，或一体成型的连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个组件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

请参见图1，图1是本发明中OLED基板的结构示意图。为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的一实施例提出一种OLED阳极的制造方法，在一实施例中该制造方法的前期准备包括：提供一基板10，该基板10优选为OLED硅基板。该基板10上具有并列独立设置的第一结构101、第二结构102及第三结构103。该些第一结构101、第二结构102、第三结构103皆由反射层104与金属保护层105依次堆叠构成，其中反射层104在金属保护层105的底部。第一结构101、第二结构102、第三结构103与基板10之间更包括一保护层106，该保护层具有贯穿的过孔107，过孔107分别位于第一结构101、第二结构102和第三结构103的正下方，如图1所示。在一些实施例中,过孔107位于第一结构101、第二结构102和第三结构103的下方的其它部位。基板10上形成有驱动电路108(驱动电路108的连接线路未在图示中呈现)，经由过孔107将驱动电路108与反射层104连接。亦即，前述反射层104位于过孔107的上方。该些第一结构101、第二结构102、第三结构103与基板10表面形成一透明导电层20。透明导电层20的厚度记为a。透明导电层20与保护层106之间具有一绝缘层109，绝缘层109覆盖基板的上表面，并且覆盖金属保护层105和反射层104的侧壁，而曝露出金属保护层105的上表面。

配合图1参见图2至图5，图2至图5是本发明中第一次微影蚀刻制程的过程简示图。在本发明的一实施例中，对如图1所示结构的OLED基板10进行第一次微影蚀刻制程。该第一次微影蚀刻制程过程如下：在透明导电层20上涂布第一光阻层30，如图2所示。用一第一光罩40对第一光阻层30进行光照，进而在第一结构101的金属保护层105正上方对应的透明导电层20上形成第一光阻图案301，如图3所示。接着，如图4所示，使用第一光阻图案301作为第一结构101的金属保护层105正上方对应的透明导电层20的阻绝遮幕对曝露出来的其余部分的透明导电层20进行蚀刻，以消减透明导电层20的厚度，进而在第一结构101的金属保护层105正上方其余部分形成厚度较薄的透明导电层201。透明导电层201的厚度记为b，厚度b小于厚度a。如图5所示，移除第一光阻图案301，于第一结构101的金属保护层105正上方曝露出透明导电层20。

参见图6至图9，图6至图9是本发明中第二次微影蚀刻制程的过程简示图。对前述第一次微影蚀刻制程后的OLED基板10进行第二次微影蚀刻制程。该第二次微影蚀刻制程过程如下：如图6所示，在透明导电层201上涂布第二光阻层31。用一第二光罩41对第二光阻层31进行光照，进而分别在第一结构101和第二结构102的金属保护层105正上方对应的透明导电层20、201上形成第二光阻图案311，如图7所示。接着，如图8所示，使用第二光阻图案311分别作为第一结构101和第二结构102的金属保护层105正上方对应的透明导电层20、201的阻绝遮幕，对曝露出来的其余部分的透明导电层201进行蚀刻，以消减透明导电层201的厚度，进而在第一结构101和第二结构102的金属保护层105正上方其余部分形成厚度更薄的透明导电层202。透明导电层202的厚度记为c，厚度c小于厚度b。然后，如图9所示，移除第二光阻图案311，于第一结构101的金属保护层105正上方曝露出透明导电层20、第二结构102的金属保护层105正上方曝露出透明导电层201、第三结构103的金属保护层105正上方曝露出透明导电层202。

参见图10至图13，图10至图13是本发明中第三次微影蚀刻制程的过程简示图。对前述第二次微影蚀刻制程后的OLED基板10进行第三次微影蚀刻制程。该第三次微影蚀刻制程过程如下：在透明导电层202上涂布第三光阻层32。用一第三光罩42对第三光阻层32进行光照，进而分别在第一结构101、第二结构102和第三结构103的金属保护层105正上方对应的透明导电层20、201、202上形成第三光阻图案321，如图11所示。接着，如图12所示，使用第三光阻图案321分别作为第一结构101、第二结构102和第三结构103的金属保护层105正上方对应的透明导电层20、201、202的阻绝遮幕，对曝露出来的其余部分的透明导电层202进行蚀刻，以完全移除其余未被遮挡部分的透明导电层202，直至曝露出绝缘层109。如图13所示，移除第三光阻图案321，于第一结构101、第二结构102与第三结构103正上方分别形成第一透明导电层1011、第二透明导电层1021与第三透明导电层1031。与此，在所述的OLED基板10上完成了OLED阳极的制作。

在一些实施例中，前述第一透明导电层1011的厚度大于第二透明导电层1021的厚度，第二透明导电层1021的厚度大于第三透明导电层1031的厚度，如图13所示。第一透明导电层1011的厚度、第二透明导电层1021的厚度及第三透明导电层1031的厚度分别为0.05μm～0.15μm。

OLED基板10至少包括红光区R、绿光区G和蓝光区B。进一步地，在一些实施例中，前述第一结构101与第一透明导电层1011位于红光区R，前述第二结构102与第二透明导电层1021位于绿光区G，前述第三结构103和第三透明导电层1031位于蓝光区B,如图13所示。

参见图14，图14是本发明中OLED显示装置的结构示意图。为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的一实施例提出一种OLED显示装置50，该OLED显示装置50包括：一OLED基板10，所述OLED基板10上设置有OLED阳极，所述OLED阳极采用本发明中如前所述的制造方法制成；在所述OLED基板上形成的OLED阳极依序具有一有机发光器件51、一阴极薄膜52、一封装层53及一盖板54。

为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的一实施例提出一种OLED显示装置50的制造方法，该制造方法包括：提供一OLED基板10，OLED基板10上设置有OLED阳极。该OLED阳极至少有第一结构101、第二结构102与第三结构103及分别位于其正上方的第一透明导电层1011、第二透明导电层1021与第三透明导电层1031。所述OLED阳极采用本发明中如前所述的制造方法制成。于所述OLED基板10的阳极上依序进行有机材料蒸镀以形成有机发光器件51、形成阴极薄膜52、对阴极薄膜52进行封装以形成封装层53及进行盖板54贴合作业以形成封装盖板。

综上所述，利用本发明所提供一种OLED阳极的制造方法，在OLED基板的不同结构(位于不同的发光区)处形成不同厚度的透明导电层时制程步骤简便高效，在相同产能设计下可节省设备支出费用，进而降低制造成本。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种OLED阳极的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一基板，所述基板具有并列独立设置的第一结构、第二结构、第三结构；

形成透明导电层于所述第一结构、所述第二结构、所述第三结构与所述基板表面；

进行第一次微影蚀刻制程，对位于所述第一结构正上方以外的所述透明导电层进行蚀刻以消减所述透明导电层的厚度；

进行第二次微影蚀刻制程，对位于所述第一结构和所述第二结构正上方以外的所述透明导电层进行蚀刻以消减所述透明导电层的厚度；

进行第三次微影蚀刻制程，去除位于所述第一结构、所述第二结构与所述第三结构正上方以外的所述透明导电层，而在所述第一结构、所述第二结构与所述第三结构正上方分别形成第一透明导电层、第二透明导电层与第三透明导电层。

2.如权利要求1所述的OLED阳极的制造方法，其特征在于，所述第一次微影蚀刻制程更包括：

于所述透明导电层上表面形成第一光阻图案，其中所述第一光阻图案位于所述第一结构正上方，对所述透明导电层进行第一次蚀刻以消减所述透明导电层的厚度，其中位于所述第一结构正上方的所述透明导电层被所述第一光阻图案阻绝遮幕而未被蚀刻，移除所述第一光阻图案。

3.如权利要求1所述的OLED阳极的制造方法，其特征在于，所述第二次微影蚀刻制程更包括：

于所述透明导电层上表面形成第二光阻图案，所述第二光阻图案分别位于所述第一结构和所述第二结构的正上方，对所述透明导电层进行第二次蚀刻以消减所述透明导电层的厚度，其中位于所述第一结构和所述第二结构的正上方的所述透明导电层被所述第二光阻图案阻绝遮幕而未被蚀刻，移除所述第二光阻图案。

4.如权利要求1所述的OLED阳极的制造方法，其特征在于，所述第三次微影蚀刻制程更包括：

于所述透明导电层上表面形成第三光阻图案，所述第三光阻图案分别位于所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构的正上方，对所述透明导电层进行第三次蚀刻，其中分别位于所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构的正上方的所述透明导电层被所述第三光阻图案阻绝遮幕而未被蚀刻，移除所述第三光阻图案。

5.如权利要求1所述的OLED阳极的制造方法，其特征在于，所述第一结构、所述第二结构、所述第三结构皆由反射层与金属保护层依次堆叠构成，所述金属保护层位于所述透明导电层的底部。

6.如权利要求5所述的OLED阳极的制造方法，其特征在于，所述第一结构、所述第二结构、所述第三结构与所述基板间更包括一保护层，所述保护层具有贯穿的过孔，所述过孔分别位于所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构的下方。

7.如权利要求1所述的OLED阳极的制造方法，其特征在于，所述第一透明导电层的厚度大于所述第二透明导电层的厚度，所述第二透明导电层的厚度大于所述第三透明导电层的厚度；所述各透明导电层的厚度为0.05μm～0.15μm。

8.如权利要求7所述的OLED阳极的制造方法，其特征在于，所述第一结构与所述第一透明导电层位于红光区，所述第二结构与所述第二透明导电层位于绿光区，所述第三结构和所述第三透明导电层位于蓝光区。

9.一种OLED显示装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一OLED基板，所述OLED基板上设置有OLED阳极，所述OLED阳极采用权利要求1至8中任一所述的制造方法制成；

于所述OLED基板阳极上依序进行有机材料蒸镀、形成阴极薄膜、进行薄膜封装及盖板贴合。

10.一种OLED显示装置，其特征在于，所述OLED显示装置包括：

一OLED基板，所述OLED基板上设置有OLED阳极，所述OLED阳极采用权利要求1至8中任一所述的制造方法制成；在所述OLED基板上依序具有一有机发光器件、一阴极薄膜、一封装层及一盖板。

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