CN111710645A - 一种显示装置制程方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供一种显示装置制程方法和显示装置，本申请实施例所提供的显示装置制程方法，首先提供一柔性基板，所述柔性基板具有相对设置的第一面和第二面，在所述第一面沉积无机层；在所述无机层远离所述柔性基板的一面设有缓冲层，在所述缓冲层远离所述柔性基板的一面设有有源层；在所述有源层远离所述柔性基板的一侧沉积第一栅极绝缘层，在所述第一栅极绝缘层远离所述柔性基板的一面设有第一栅极层，通过半色调掩膜板在进行曝光，其中，所述半色调掩膜板包括不透光区域，半透光区域以及透光区域，其中，所述不透光区域对应第一栅极层，所述透光区域对应深孔区域。本申请可以减少工序，降低了生产成本。

Description

一种显示装置制程方法和显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示装置制程方法和显示装置。
背景技术
有机电致发光显示装置(OLED)以其低功耗、高饱和度、快响应时间及宽视角等独特优势逐渐成为显示领域的主流技术，未来在车载、手机、平板、电脑及电视产品上具有广阔的应用空间。
目前主流的有机电致发光显示装置制程工艺都比较复杂，因此，提供能够减少工序的显示装置成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示装置制程方法和显示装置，能够降低显示装置的制程工序。
本申请提供一种显示装置的制程工艺，包括：
提供一柔性基板，所述柔性基板具有相对设置的第一面和第二面；
在所述第一面沉积无机层；
在所述无机层远离所述柔性基板的一面设有缓冲层；
在所述缓冲层远离所述柔性基板的一面设有有源层；
在所述有源层远离所述柔性基板的一侧沉积第一栅极绝缘层；
在所述第一栅极绝缘层远离所述柔性基板的一面设有第一栅极层；
通过半色调掩膜板在进行曝光，其中，所述半色调掩膜板包括不透光区域，半透光区域以及透光区域，其中，所述不透光区域对应第一栅极层，所述透光区域对应深孔区域。
在一些实施例中，所述通过半色调掩膜板在进行曝光之后，包括：
在所述第一栅极层远离所述柔性基板的一侧进行蚀刻以形成第一深孔，所述第一深孔从第一栅极层表面延伸至所述无机层。
在一些实施例中，所述在所述第一栅极层远离所述柔性基板的一侧进行蚀刻以形成第一深孔之后，包括：
在所述第一栅极层远离所述柔性基板的一面设有第二栅极绝缘层；
在所述第二栅极绝缘层远离所述柔性基板的一面设有第二栅极层；
在所述第二栅极层远离所述柔性基板的一面设有介电层，所述介电层覆盖所述第二栅极层。
在一些实施例中，所述在所述第二栅极层远离所述柔性基板的一面设有介电层之后，包括：
在所述介电层远离所述柔性基板的一面进行第一光罩以形成第二深孔，所述第二深孔从所述介电层表面延伸至所述缓冲层表面。
在一些实施例中，所述在所述第二栅极层远离所述柔性基板的一面设有介电层之后，包括：
在所述介电层远离所述柔性基板的一面进行第二光罩以形成接触孔，所述接触孔从所述介电层的表面延伸至所述有源层表面。
在一些实施例中，所述在所述介电层远离所述柔性基板的一面进行第一光罩以形成第二深孔之后，包括：
在所述第一深孔和所述第二深孔内填充深孔层；
在所述接触孔内和介电层以及深孔层远离所述柔性基板的一面沉积源漏极层。
在一些实施例中所述在所述接触孔内和介电层以及深孔层远离所述柔性基板的一面沉积源漏极层之后，包括：
在所述源漏极层和介电层远离所述柔性基板的一面设置平坦化层；
在所述平坦化层上蚀刻连接孔。
在一些实施例中，所述在所述平坦化层上蚀刻连接孔之后，包括：
在平坦化层远离所述柔性基板的一面沉积像素电极，所述像素电极贯穿连接孔与所述源漏极层连接；
将所述像素电极图案化。
在一些实施例中，所述在平坦化层远离所述柔性基板的一面沉积像素电极之后，包括：
在所述介电层远离所述柔性基板的一面设置像素定义层；
在所述像素定义层远离所述柔性基板的一面设置光阻间隙层。
本申请还提供一种显示装置，采用以上所述的显示装置制程方法制造的显示装置
本申请实施例所提供的显示装置制程方法，首先提供一柔性基板，所述柔性基板具有相对设置的第一面和第二面，在所述第一面沉积无机层；在所述无机层远离所述柔性基板的一面设有缓冲层，在所述缓冲层远离所述柔性基板的一面设有有源层；在所述有源层远离所述柔性基板的一侧沉积第一栅极绝缘层，在所述第一栅极绝缘层远离所述柔性基板的一面设有第一栅极层，通过半色调掩膜板在进行曝光，其中，所述半色调掩膜板包括不透光区域，半透光区域以及透光区域，其中，所述不透光区域对应第一栅极层，所述透光区域对应深孔区域。本申请实施例通过半色调掩膜板实现第一栅极层和深孔层的一道光罩形成，从而在工艺上减少工序，降低了生产成本，提高了生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示装置制程方法的流程示意图。
图2是本申请实施例的显示装置制程方法过程中的第一个结构示意图。
图3是本申请实施例的显示装置制程方法过程中的第二个结构示意图。
图4是本申请实施例的显示装置制程方法过程中的第三个结构示意图。
图5是本申请实施例的显示装置制程方法过程中的第四个结构示意图。
图6是本申请实施例的显示装置制程方法过程中的第五个结构示意图。
图7是本申请实施例的显示装置制程方法过程中的第六个结构示意图。
图8是本申请实施例的显示装置制程方法过程中的第七个结构示意图。
图9是本申请实施例的显示装置制程方法过程中的第八个结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
需要说明的是，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
本申请实施例提供一种显示装置制程方法，以下对显示装置10制程方法做详细介绍。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的显示装置制程方法的流程示意图。图2是本申请实施例的显示装置制程方法过程中的结构示意图。其中，本申请实施例提供一种显示装置10制程方法，包括如下步骤：
201、提供一柔性基板11，所述柔性基板11具有相对设置的第一面和第二面。
需要说明的是，第一面11a可以为柔性基板1111的上表面，第二面11b可以为柔性基板1111的下表面。当然，第一面11a也可以为柔性基板1111的下表面，第二面11b可以为柔性基板1111的上表面。本申请实施例中不做特殊说明的情况下，默认为第一面11a为柔性基板1111的上表面，第二面11b为柔性基板1111的下表面。
202、在所述第一面沉积无机层12。
需要说明的是，无机层12可以阻挡衬底中的杂质扩散至显示装置10中。本申请实施例中对无机层12的具体材料不做过多赘述。
203、在所述无机层12远离所述柔性基板11的一面设有缓冲层13。
需要说明的是，缓冲层13可以用来保护显示装置10不被损坏。
204、在所述缓冲层13远离所述柔性基板11的一面设有有源层14。
需要说明的是，将有源层14设置在缓冲层13以后，可以对有源层14进行图案化处理，本申请实施例中对图案化处理的过程不做过多赘述。
205、在所述有源层14远离所述柔性基板11的一侧沉积第一栅极绝缘层15。
206、在所述第一栅极绝缘层15远离所述柔性基板11的一面设有第一栅极层16。
207、通过半色调掩膜板18在进行曝光，其中，所述半色调掩膜板18包括不透光区域181，半透光区域182以及透光区域183，其中，所述不透光区域181对应第一栅极层16，所述透光区域183对应深孔区域19。
需要说明的是，在半色调掩膜板18远离所述柔性基板11的一面进行曝光，由于，半色调掩膜板18具有不透光区域181，半透光区域182以及透光区域183，从而使得透光区域183的光阻层完全去除，半透光区域182去除一半的光阻层，不透光区域181的光阻层依然保留在第一栅极层16上。
另外的，通过干蚀刻的方法去除板透光区域183对应的留在第一栅极绝缘层15上的光阻层。
另外的，对第一栅极层16进行图案化处理，并且，第一栅极层16是通过离子植入光阻层的方式形成。
在一些实施例中，步骤“所述通过半色调掩膜板18在进行曝光之后”包括如下步骤：
在所述第一栅极层16远离所述柔性基板11的一侧进行蚀刻以形成第一深孔191，所述第一深孔191从第一栅极层16表面延伸至所述无机层12。
具体的，请参阅图4，其中，第一深孔191对应于显示装置10的弯折区域。更具体的，所述第一深孔191靠近所述显示区域的一侧为倾斜的。
在一些实施例中，“所述在所述第一栅极层16远离所述柔性基板11的一侧进行蚀刻以形成第一深孔191之后”，包括步骤：
(1)在所述第一栅极层16远离所述柔性基板11的一面设有第二栅极绝缘层101。
(2)在所述第二栅极绝缘层101远离所述柔性基板11的一面设有第二栅极层102
(3)在所述第二栅极层102远离所述柔性基板11的一面设有介电层103，所述介电层103覆盖所述第二栅极层102。
具体的，请参阅图3，其中，第一栅极层16和第二栅极层102对应设置。
在一些实施例中，所述步骤“所述在所述第二栅极层102远离所述柔性基板11的一面设有介电层103之后”，包括步骤：
在所述介电层103远离所述柔性基板11的一面进行第一光罩以形成第二深孔192，所述第二深孔192从所述介电层103表面延伸至所述缓冲层13表面。
具体的，请参阅图4，其中，第一深孔191与所述第二深孔192相邻设置。所述第二深孔192位于显示装置10的弯折区，所述第二深孔192靠近所述显示区域的一侧为倾斜的。
在一些实施例中，所述步骤“所述在所述第二栅极层102远离所述柔性基板11的一面设有介电层103之后”，包括步骤：
在所述介电层103远离所述柔性基板11的一面进行第二光罩以形成接触孔104，所述接触孔104从所述介电层103的表面延伸至所述有源层14表面。
具体的，请参阅图5，其中，接触孔104位于第一栅极层16和第二栅极层102两侧。
在一些实施例中，所述步骤“所述在所述介电层103远离所述柔性基板11的一面进行第一光罩以形成第二深孔192之后”包括步骤
(1)在所述第一深孔191和所述第二深孔192内填充深孔层105。
(2)在所述接触孔104内和介电层103以及深孔层105远离所述柔性基板11的一面沉积源漏极层106。
具体的，请参阅图6，其中，源漏极层106包括源极层和漏极层，源漏极层106与有源层14连接。
在一些实施例中，所述步骤“所述在所述接触孔104内和介电层103以及深孔层105远离所述柔性基板11的一面沉积源漏极层106之后”，包括步骤：
(1)在所述源漏极层106和介电层103远离所述柔性基板11的一面设置平坦化层107。
(2)在所述平坦化层107上蚀刻连接孔108。
具体的，请参阅图7，其中，平坦化层107覆盖源漏极层106和介电层103，具体的，连接孔108与贯穿平坦化层107且与源漏极层106对应。
在一些实施例中，所述步骤“所述在所述平坦化层107上蚀刻连接孔108之后”，包括步骤：
(1)在平坦化层107远离所述柔性基板11的一面沉积像素电极109，所述像素电极109贯穿连接孔108与所述源漏极层106连接。
(2)将所述像素电极109图案化。
具体的，请参阅图8，其中，本申请实施例中对像素电极109图案化的具体过程不做过多赘述。
请参阅图9，在一些实施例中，所述步骤“所述在平坦化层107远离所述柔性基板11的一面沉积像素电极109之后”包括步骤：
(1)在所述介电层103远离所述柔性基板11的一面设置像素定义层110。
(2)在所述像素定义层110远离所述柔性基板11的一面设置光阻间隙层111。
本申请实施例所提供的显示装置10制程方法，首先提供一柔性基板11，所述柔性基板11具有相对设置的第一面和第二面，在所述第一面沉积无机层12；在所述无机层12远离所述柔性基板11的一面设有缓冲层13，在所述缓冲层13远离所述柔性基板11的一面设有有源层14；在所述有源层14远离所述柔性基板11的一侧沉积第一栅极绝缘层15，所述第一栅极绝缘层15覆盖所述有源层14，在所述第一栅极绝缘层15远离所述柔性基板11的一面设有第一栅极层16，通过半色调掩膜板18在进行曝光，其中，所述半色调掩膜板18包括不透光区域181，半透光区域182以及透光区域183，其中，所述不透光区域181对应第一栅极层16，所述透光区域183对应深孔区域19。本申请实施例通过半色调掩膜板18实现第一栅极层16和深孔层105的一道光罩形成，从而在工艺上减少工序，降低了生产成本，提高了生产效率。
本申请实施例提供的显示装置10，采用以上显示装置制程方法的制造，其中，上述实施例已经对显示装置的制程方法进行了详细描述，因此，本申请实施例中，对显示制程方法不做过多赘述。
以上对本申请实施例提供的显示装置的制程方法和显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示装置的制程工艺，其特征在于，包括：
提供一柔性基板，所述柔性基板具有相对设置的第一面和第二面；
在所述第一面沉积无机层；
在所述无机层远离所述柔性基板的一面设有缓冲层；
在所述缓冲层远离所述柔性基板的一面设有有源层；
在所述有源层远离所述柔性基板的一侧沉积第一栅极绝缘层；
在所述第一栅极绝缘层远离所述柔性基板的一面设有第一栅极层；
通过半色调掩膜板在进行曝光，其中，所述半色调掩膜板包括不透光区域，半透光区域以及透光区域，其中，所述不透光区域对应第一栅极层，所述透光区域对应深孔区域。
2.根据权利要求1所述的显示装置的制程工艺，其特征在于，所述通过半色调掩膜板在进行曝光之后，包括：
在所述第一栅极层远离所述柔性基板的一侧进行蚀刻以形成第一深孔，所述第一深孔从第一栅极层表面延伸至所述无机层。
3.根据权利要求2所述的显示装置的制程工艺，其特征在于，所述在所述第一栅极层远离所述柔性基板的一侧进行蚀刻以形成第一深孔之后，包括：
在所述第一栅极层远离所述柔性基板的一面设有第二栅极绝缘层；
在所述第二栅极绝缘层远离所述柔性基板的一面设有第二栅极层；
在所述第二栅极层远离所述柔性基板的一面设有介电层，所述介电层覆盖所述第二栅极层。
4.根据权利要求3所述的显示装置的制程工艺，其特征在于，所述在所述第二栅极层远离所述柔性基板的一面设有介电层之后，包括：
在所述介电层远离所述柔性基板的一面进行第一光罩以形成第二深孔，所述第二深孔从所述介电层表面延伸至所述缓冲层表面。
5.根据权利要求4所述的显示装置的制程工艺，其特征在于，所述在所述第二栅极层远离所述柔性基板的一面设有介电层之后，包括：
在所述介电层远离所述柔性基板的一面进行第二光罩以形成接触孔，所述接触孔从所述介电层的表面延伸至所述有源层表面。
6.根据权利要求5所述的显示装置的制程工艺，其特征在于，所述在所述介电层远离所述柔性基板的一面进行第一光罩以形成第二深孔之后，包括：
在所述第一深孔和所述第二深孔内填充深孔层；
在所述接触孔内和介电层以及深孔层远离所述柔性基板的一面沉积源漏极层。
7.根据权利要求6所述的显示装置的制程工艺，其特征在于，所述在所述接触孔内和介电层以及深孔层远离所述柔性基板的一面沉积源漏极层之后，包括：
在所述源漏极层和介电层远离所述柔性基板的一面设置平坦化层；
在所述平坦化层上蚀刻连接孔。
8.根据权利要求7所述的显示装置的制程工艺，其特征在于，所述在所述平坦化层上蚀刻连接孔之后，包括：
在平坦化层远离所述柔性基板的一面沉积像素电极，所述像素电极贯穿连接孔与所述源漏极层连接；
将所述像素电极图案化。
9.根据权利要求8所述的显示装置的制程工艺，其特征在于，所述在平坦化层远离所述柔性基板的一面沉积像素电极之后，包括：
在所述介电层远离所述柔性基板的一面设置像素定义层；
在所述像素定义层远离所述柔性基板的一面设置光阻间隙层。
10.一种显示装置，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项所述的显示装置制程方法制造的显示装置。
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