CN111708254B - 光刻对准方法及系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种光刻对准方法及系统，方法如下：在有第一图形层的衬底上形成第二图形层，在光刻时获取第一图形层对准标记位置信息；量测第二图形层套刻偏差并计算第一、第二图形层的实际对准标记相对偏差；在第二图形层上形成第三图形层，在光刻时获取第二图形层的对准标记位置信息；将实际对准标记相对偏差代入第二图形层对准标记位置信息，得到第一图形层计算对准标记位置信息并根据计算对准标记位置信息完成第三图形层的对准。本发明通过获取第一、第二图形层的对准标记位置信息及套刻偏差，得到其实际对准标记相对偏差，并用于第三图形层对准。该方法有效消除了第三图形层对第一图形层间接对准的对准偏差，使对准更精确，提升了产品良率。

Description

光刻对准方法及系统
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种光刻对准方法及系统。
背景技术
随着对NAND储存器容量和性能的要求不断提高，3D NAND存储器引入了立体堆叠的存储器阵列结构以增加存储容量。
目前，为了形成上述立体堆叠的阵列结构，3D NAND制程工艺一般包括具有高深宽比的干法刻蚀工艺。在上述干法刻蚀工艺过程中，一般需要采用较厚且具有较高刻蚀选择比的材料层作为干法刻蚀的硬掩膜，而此类硬掩膜材料层往往具有较高的消光系数。对于后续图形层的光刻工艺而言，将很难对位于硬掩膜下方的对准标记直接进行光刻对准。因此，现有技术中一般采用在沉积硬掩膜前，增加一层光刻层，通过刻蚀形成具有表面形貌差的对准标记，并在硬掩膜沉积后，对继承了形貌差的、覆盖了硬掩膜层的对准标记进行后续图形层的光刻对准。
然而，上述光刻对准实质上是一种间接对准过程，硬掩膜上方的各层都无法直接与不透光硬掩膜下方的对准标记进行对准，这将导致相对于硬掩膜下方图形层的对准误差无法得到有效修正，造成光刻对准的精确度下降，使器件结构出现异常，进而影响产品良率。
因此，有必要提出一种新的光刻对准方法及系统，解决上述问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光刻对准方法及系统，用于解决现有技术中间接对准光刻工艺的对准误差较大的问题。
为实现上述目的及其它相关目的，本发明提供了一种光刻对准方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供具有第一图形层的衬底；
在所述衬底上形成第二图形层，在所述第二图形层的光刻对准过程中，获取所述第一图形层的对准标记位置信息；
量测所述第二图形层相对于所述第一图形层的套刻偏差；
根据所述第一图形层的对准标记位置信息和所述套刻偏差计算所述第二图形层相对于所述第一图形层的实际对准标记相对偏差；
在所述第二图形层上形成第三图形层，在所述第三图形层的光刻对准过程中，获取所述第二图形层的对准标记位置信息；
将所述实际对准标记相对偏差代入所述第二图形层的对准标记位置信息中，得到所述第一图形层的计算对准标记位置信息，并根据所述计算对准标记位置信息完成所述第三图形层的光刻对准。
作为本发明的一种可选方案，在形成所述第二图形层后，还包括在所述第二图形层上沉积薄膜层的步骤。
作为本发明的一种可选方案，所述第二图形层具有由凹陷结构或凸起结构构成的第二图形层对准标记；所述薄膜层在所述第二图形层上为共形沉积；在所述第三图形层的光刻对准过程中，根据共形沉积所述薄膜层后的所述第二图形层对准标记收集所述第二图形层的对准标记位置信息。
作为本发明的一种可选方案，所述薄膜层由单层材料层构成，或由多层材料层堆叠构成。
作为本发明的一种可选方案，所述薄膜层包括消光材料层。
作为本发明的一种可选方案，所述套刻偏差包括缩放套刻偏差、偏移套刻偏差或偏转套刻偏差中的至少一种。
作为本发明的一种可选方案，在所述第三图形层上还形成有第四图形层至第2N+1图形层，其中，N为大于1的正整数；在第2N+1图形层进行光刻对准时，根据第2N图形层和第2N-1图形层的对准标记位置信息和套刻偏差所得到的实际对准偏对所述第2N-1层进行光刻对准。
作为本发明的一种可选方案，在形成所述第2N图形层后，还包括在所述第2N图形层上沉积至少一层消光材料层的步骤。
本发明还提供了一种光刻对准系统，包括：对准标记位置信息获取模块、套刻偏差量测模块、数据处理模块和光刻曝光装置；其中，
所述对准标记位置信息获取模块用于获取第一图形层和第二图形层的对准标记位置信息；
所述套刻偏差量测模块用于量测所述第二图形层相对于所述第一图形层的套刻偏差；
所述数据处理模块连接所述对准标记位置信息获取模块和所述套刻偏差量测模块，用于根据所述套刻偏差计算所述第二图形层相对于所述第一图形层的实际对准标记相对偏差，并将所述实际对准标记相对偏差代入所述第二图形层的对准标记位置信息中，得到所述第一图形层的计算对准标记位置信息；
所述光刻对准装置连接所述数据处理模块，根据所述数据处理模块反馈的所述计算对准标记位置信息，完成第三图形层的光刻对准。
如上所述，本发明提供了一种光刻对准方法及系统，通过获取第一图形层和第二图形层的对准标记位置信息及套刻偏差，得到第二图形层相对于第一图形层的实际对准标记相对偏差，并将其用于第三图形层的光刻对准。上述方法有效消除了第三图形层对第一图形层间接对准的对准偏差，使第三图形层的光刻对准更为精确，确保了器件结构符合设计要求，进而提升了产品良率。
附图说明
图1显示为不透明材料层影响光刻对准案例的示意图。
图2显示为采用间接对准的方法进行光刻对准的示意图。
图3显示为本发明实施例一中提供的光刻对准方法的流程图。
图4显示为本发明实施例一中提供的具有第一图形层的衬底的截面示意图。
图5显示为本发明实施例一中提供的在衬底上形成第二图形层的截面示意图。
图6显示为本发明实施例一中提供的晶圆面内各个曝光单元的第二对准标记与第一对准标记的位置偏差示意图。
图7显示为本发明实施例一中提供的单个曝光单元中第二对准标记与第一对准标记的位置偏差示意图。
图8显示为本发明实施例一中提供的晶圆面内各个曝光单元的第二图形层套刻偏差示意图。
图9显示为本发明实施例一中提供的单个曝光单元中第二图形层因套刻偏差而产生偏移的示意图。
图10显示为本发明实施例一中提供的在第二图形层上沉积薄膜层的截面示意图。
图11显示为本发明实施例一中提供的在第二图形层上形成第三图形层的截面示意图。
元件标号说明
100 衬底
100a 对准标记
101 中间材料层
102 硬掩膜层
103 顶层图形层
200 衬底
200a 对准标记
201 中间材料层
201a 中间层对准标记
202 硬掩膜层
203 顶层图形层
300 衬底
300a 第一对准标记
301 第二图形层
301a 第二对准标记
302 薄膜层
303 第三图形层
S1～S6 步骤1)～步骤6)
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图11。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
3D NAND存储器器件的制程包括高深宽比的干法刻蚀工艺，其需要采用消光系数较高的不透明的材料层作为硬掩膜。上述硬掩膜将影响后续图形层的光刻对准。
如图1所示，是上述不透明材料层影响光刻对准案例的示意图。在衬底100中形成有对准标记100a，当所述衬底100及中间材料层101上方沉积覆盖了不透明的硬掩膜层102后，在顶层图形层103的光刻对准过程中就无法读取所述对准标记100a的位置并对所述对准标记100a进行光刻对准了。这将导致所述顶层图形层103的图形无法与所述硬掩膜层102下方的图形层进行准确对准。
针对上述不透光硬掩膜所导致的对准困难，在一种解决方案中，通过采用间接对准的方法进行光刻对准。具体地，如图2所示，在衬底200中形成有对准标记200a，在所述衬底200及中间材料层201上方沉积不透明的硬掩膜层202前，增加一道光刻和刻蚀，在所述中间材料层201上通过光刻刻蚀形成凹陷结构或凸起结构构成的中间层对准标记201a，在其光刻时与所述对准标记200a进行对准。在后续的硬掩膜层202的沉积过程中，采用共形沉积的物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)工艺沉积所述硬掩膜层202，使所述硬掩膜层202覆盖所述中间层对准标记201a后，仍能展现出其凹凸形貌，因此在顶层图形层203的光刻对准过程中，仍能对覆盖有所述硬掩膜层202的所述中间层对准标记201a进行对准。所述间接对准过程使所述硬掩膜层202上方的各层图形层能够与所述硬掩膜层202下方的结构进行光刻对准。然而，由于所述硬掩膜层202的不透光性，在形成所述中间层对准标记201a时，其相对于所述对准标记200a产生的对准偏差将被后续图形层继承，且无法在后续光刻过程中得到有效修正，此类对准偏差无疑将导致器件结构偏离设计目标，进而影响器件性能及产品良率。
需要指出的是，图1及图2中仅示意性画出所述衬底及所述对准标记，而在实际器件结构中，所述衬底还可包括已形成的多层图形层，所述对准标记可以形成于上述多层图形层的任意层中，其可以是凹陷结构、凸起结构或者其他可以被光刻设备识别的结构，其可以包含十字形、L形或框形等几何图形，或者由多种几何图形构成的一系列图形对准标记。
实施例一
请参阅图3至图7，本实施例提供了一种光刻对准方法，包括如下步骤：
1)提供具有第一图形层的衬底；
2)在所述衬底上形成第二图形层，在所述第二图形层的光刻对准过程中，获取所述第一图形层的对准标记位置信息；
3)量测所述第二图形层相对于所述第一图形层的套刻偏差；
4)根据所述第一图形层的对准标记位置信息和所述套刻偏差计算所述第二图形层相对于所述第一图形层的实际对准标记相对偏差；
5)在所述第二图形层上形成第三图形层，在所述第三图形层的光刻对准过程中，获取所述第二图形层的对准标记位置信息；
6)将所述实际对准标记相对偏差代入所述第二图形层的对准标记位置信息中，得到所述第一图形层的计算对准标记位置信息，并根据所述计算对准标记位置信息完成所述第三图形层的光刻对准。
在步骤1)中，请参阅图3的S1及图4，提供具有第一图形层的衬底300。如图4所示，所述第一图形层包括形成于所述衬底300上的第一对准标记300a。需要指出的是，图4中仅示意性画出所述衬底300及所述第一对准标记300a，而在实际器件结构中，所述衬底300还可包括已形成的多层图形层，所述第一对准标记300a可以形成于上述多层图形层的任意层中，其可以是凹陷结构、凸起结构或者其他可以被光刻设备识别的结构，其可以包含十字形、L形或框形等几何图形，或者由多种几何图形构成的一系列图形对准标记。
在步骤2)中，请参阅图3的S2及图5至图7，在所述衬底300上形成第二图形层301，在所述第二图形层301的光刻对准过程中，获取所述第一图形层的对准标记位置信息。具体地，如图5所示，所述第二图形层301通过沉积材料层并由光刻刻蚀形成，其图形至少包括第二对准标记301a。在所述第二图形层301的光刻对准过程中，获取所述第一图形层的对准标记位置信息。即，在所述第二图形层301的光刻对准过程中，可以得知所述第一对准标记300a的实际位置相对于其设计位置产生的偏移。此处将所述第一对准标记300a的设计位置的坐标记为(Xa，Ya)，所述第一对准标记300a的实际位置的坐标记为(Xa’，Ya’)。则当所述第二对准标记301a对所述第一对准标记300a进行光刻对准时，应当对所述第一对准标记300a的实际位置(Xa’，Ya’)进行对准。即所述第二对准标记301a的设计位置的坐标(Xb，Yb)应当与(Xa’，Ya’)对准。所述第二对准标记301a与所述第一对准标记300a的位置偏差记为(Xa-Xb，Ya-Yb)。
如图6所示，是晶圆面内各个曝光单元(shot)的所述第二对准标记301a与所述第一对准标记300a的位置偏差的示意图，图6中箭头方向示意了各个曝光单元中所述第二对准标记301a与所述第一对准标记300a的位置偏差情况，其中，箭头起始处为所述第一对准标记300a的位置，箭头终点为所述第二对准标记301a的位置。需要指出的是，图6仅示意性标出位置偏移情况，实际各个曝光单元中位置的偏移量并不会像图中所展示的那么大，此外，晶圆上实际包含的曝光单元的数量也可以比图中所示的多。此外，在本实施例中，光刻对准曝光过程按曝光单元依次进行，其对准偏差也是按照各个不同的曝光单元分别进行记录的。
如图7所示，是在单个曝光单元中，所述第二对准标记301a与所述第一对准标记300a的位置偏差的示意图。在图7中，十字图案A所代表的的是所述第一对准标记300a的设计位置，十字图案B所代表的的是所述第二对准标记301a所要对准的设计位置，也即所述第一对准标记300a的实际位置，图7也展示了所述第一对准标记300a的偏移情况。
从图5至图7可以看出，由于所述第二图形层301仍是常规透光材料层，在其光刻过程中能够顺利地透过所述第二图形层301获取所述第一图形层的对准标记位置信息，其至少包含所述第一对准标记300a的实际位置与设计位置信息。
在步骤3)中，请参阅图3的S3及图8，量测所述第二图形层相对于所述第一图形层的套刻偏差。在所述第二图形层光刻过程后，还包括对所述第二图形层相对于所述第一图形层的套刻偏差的量测。一般在光刻曝光后，对光刻胶形成的图案相对于套刻对准标记的偏差进行量测，以获得光刻当前层相对于其所对准的前层的套刻偏差数据。
如图8所示，是晶圆面内各个曝光单元(shot)的所述第二图形层套刻偏差的示意图，图8中虚线框示意了各个曝光单元中所述第二图形的套刻偏差情况。需要指出的是，图8仅示意性标示套刻偏差情况，实际各个曝光单元中位置的套刻偏差量不会像图中所展示的那么显著。具体地，所述套刻偏差包括缩放套刻偏差(Magnification)、偏移套刻偏差(Translation)或偏转套刻偏差(Rotation)。上述三种偏差各自会在X轴方向和Y轴方向引起偏移，分别记为X轴偏移套刻偏差、Y轴偏移套刻偏差、X轴缩放套刻偏差、Y轴缩放套刻偏差、X轴偏转套刻偏差和Y轴偏转套刻偏差。上述套刻偏差分别会造成对准标记在X轴方向和Y轴方向的偏移。
在步骤4)中，请参阅图3的S4及图5、图9和图10，根据所述第一图形层的对准标记位置信息和所述套刻偏差计算所述第二图形层301相对于所述第一图形层的实际对准标记相对偏差。
具体地，所述第二图形层301在X轴和Y轴上因套刻偏差而产生偏移量dXb和dYb可以分别由dXb＝K1+K3*Xb+K5*Yb以及dYb＝K2+K4*Yb+K6*Xb计算得到。
在以上两式中，Xb和Yb为所述第二对准标记301a的设计位置的坐标(Xb，Yb)，K1为X轴偏移套刻偏差补偿参数，K2为Y轴偏移套刻偏差补偿参数，K3为X轴缩放套刻偏差补偿参数，K4为Y轴缩放套刻偏差补偿参数，K5为X轴偏转套刻偏差补偿参数，K6为Y轴偏转套刻偏差补偿参数。
从以上两式中可以看出，偏移套刻偏差量不随坐标位置而改变，X轴和Y轴缩放套刻偏差量分别受到X轴和Y轴坐标位置的影响，而X轴和Y轴偏转套刻偏差量则分别受到Y轴和X轴坐标位置的影响。
如图9所示，是在单个曝光单元中，所述第二图形层301因套刻偏差而产生偏移的示意图。在图9中，十字图案A所代表的的是所述第一对准标记300a的设计位置，十字图案B所代表的是所述第二对准标记301a所要对准的设计位置，虚线框代表的是曝光单元的套刻偏差，十字图案B”代表的是所述第二对准标记301a因套刻偏差而偏移的计算位置。
如将所述第二对准标记301a因套刻偏差而偏移的计算位置的坐标记为(Xb”，Yb”)，则Xb”和Yb”可以分别由Xb”＝Xb+dXb以及Yb”＝Yb+dYb计算得到。而所述第二对准标记301a因套刻偏差而偏移的计算位置的坐标(Xb”，Yb”)相对于所述第一对准标记300a的实际位置(Xa’，Ya’)的偏移量为(Xb”-Xa’，Yb”-Ya’)。
作为示例，如图10所示，在形成所述第二图形层301后，还包括在所述第二图形层301上沉积薄膜层302的步骤。如图10所示，所述第二图形层301具有由凹陷结构或凸起结构构成的第二图形层对准标记301a；所述薄膜层302在所述第二图形层301上为共形沉积。所述共形沉积方法可以选择包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)等可能的成膜工艺。可选地，所述薄膜层由单层材料层构成，或由多层材料层堆叠构成，所述薄膜层包括消光材料层。由于所述薄膜层302通过共形沉积形成，所述第二对准标记301a的凹凸形貌在覆盖了所述薄膜层302后仍能被光刻设备所识别。
需要指出的是，本发明可以解决因所述薄膜层302为不透光的消光材料层所导致的对准困难的问题，然而本发明并不限定于所述薄膜层302为消光材料层的情况，对于所述薄膜层302过厚或因器件结构等其他影响直接光刻对准的案例也可以采用本发明的技术方案以获得更为精确的光刻对准结果。
在步骤5)中，请参阅图3的S5及图11，在所述第二图形层301上形成第三图形层303，在所述第三图形层303的光刻对准过程中，获取所述第二图形层301的对准标记位置信息。
具体地，在本实施例中，在所述第三图形层303的光刻对准过程中，根据共形沉积所述薄膜层302后的所述第二图形层对准标记301a收集所述第二图形层301的对准标记位置信息。所述第二图形层301的对准标记位置信息至少包含所述第二对准标记301a的实际位置，其坐标记为(Xb’，Yb’)。
在步骤6)中，请参阅图3的S6，将所述实际对准标记相对偏差代入所述第二图形层的对准标记位置信息中，得到所述第一图形层的计算对准标记位置信息，并根据所述计算对准标记位置信息完成所述第三图形层的光刻对准。
作为示例，根据所述第二对准标记301a的实际位置坐标(Xb’，Yb’)，所述第二对准标记301a因套刻偏差而偏移的计算位置坐标(Xb”，Yb”)以及所述第一对准标记300a的实际位置(Xa’，Ya’)可以计算得到所述第一图形层的所述第一对准标记300a的计算位置坐标(Xa”，Ya”)。具体地，Xa”和Ya”可以分别由Xa”＝Xb’-(Xb”-Xa’)和Ya”＝Yb’-(Yb”-Ya’)计算得到。在所述第三图形层的光刻对准的过程中，依据所述第一对准标记300a的计算位置坐标(Xa”，Ya”)进行对准。此外，根据各个曝光单元的所述第一对准标记300a的计算位置坐标(Xa”，Ya”)，还可以建立所述第一图形层的计算对准标记位置信息，使硬掩模上方的各图形层相对于所述第一图形层的对准偏差修正更为精确。
需要指出的是，本实施例中为了便于说明，对各个步骤进行了编号。然而，这并非限定本发明中各个步骤的实施顺序。在本发明的其他实施案例中，各步骤的实施顺序可以根据实际需要进行调整。例如，步骤4)中计算所述第二图形层相对于所述第一图形层的实际对准标记相对偏差的过程可以与步骤5)同时进行。
实施例二
相比实施例一中的方案，在本实施例中，所形成的图形层不限于第一图形层、第二图形层和第三图形层，在所述第三图形层上方还可以依次形成多层图形层，且多层图形层的光刻对准也可以依照实施例一中展示的光刻对准方法。
作为示例，在所述第三图形层上还形成有第四图形层至第2N+1图形层，其中，N为大于1的正整数；在第2N+1图形层进行光刻对准时，根据第2N图形层和第2N-1图形层的对准标记位置信息和套刻偏差所得到的实际对准偏对所述第2N-1层进行光刻对准。可选地，在形成所述第2N图形层后，还包括在所述第2N图形层上沉积至少一层消光材料层的步骤。
例如，当N为2时，则在所述第三图形层上还形成有第四图形层和第五图形层。此时，所述第三图形层将相当于实施例一中的第一图形层，所述第四图形层和所述第五图形层可以按照实施例一中所示的光刻对准过程依次进行光刻对准，而在所述第四图形层和所述第五图形层之间至少包含一层不透光的消光材料层。需要指出的是，不仅限于在第2N图形层与第2N+1图形层之间可以包含一层消光材料层，还可以在不影响第2N图形层与第2N-1图形层进行光刻对准的前提下在第2N-1图形层至第2N+1图形层之间包含多层其他薄膜层。
本实施例的其他实施方案与实施例一相同，此处不再赘述。
实施例三
本实施例还提供了一种光刻对准系统，包括：对准标记位置信息获取模块、套刻偏差量测模块、数据处理模块和光刻曝光装置；其中，
所述对准标记位置信息获取模块用于获取第一图形层和第二图形层的对准标记位置信息；
所述套刻偏差量测模块用于量测所述第二图形层相对于所述第一图形层的套刻偏差；
所述数据处理模块连接所述对准标记位置信息获取模块和所述套刻偏差量测模块，用于根据所述套刻偏差计算所述第二图形层相对于所述第一图形层的实际对准标记相对偏差，并将所述实际对准标记相对偏差代入所述第二图形层的对准标记位置信息中，得到所述第一图形层的计算对准标记位置信息；
所述光刻对准装置连接所述数据处理模块，根据所述数据处理模块反馈的所述计算对准标记位置信息，完成第三图形层的光刻对准。
具体地，本实施例提供的光刻对准系统用于执行实施例一中提供的光刻对准方法。具体光刻对准方法可以参考实施例一。通过所述对准标记位置信息获取模块和所述套刻偏差量测模块获取第一图形层和第二图形层的对准标记位置信息及套刻偏差，通过所述数据处理模块得到第二图形层相对于第一图形层的实际对准标记相对偏差，并将其用于第三图形层的光刻对准。在所述光刻曝光装置进行光刻对准和曝光时，消除第二图形层与第一图形层之间的对准偏差，以使第三图形层的光刻对准更为精确。
需要指出的是，本实施例的光刻对准系统中的各个模块在实际应用时可以是集成于同一光刻设备中的，也可以是由不同的光刻设备组建而成的，例如，所述套刻偏差量测模块可以是独立的套刻偏差量测设备。
综上所述，本发明提供了一种光刻对准方法及系统，所述光刻对准方法包括如下步骤：提供具有第一图形层的衬底；在所述衬底上形成第二图形层，在所述第二图形层的光刻对准过程中，获取所述第一图形层的对准标记位置信息；量测所述第二图形层相对于所述第一图形层的套刻偏差；根据所述第一图形层的对准标记位置信息和所述套刻偏差计算所述第二图形层相对于所述第一图形层的实际对准标记相对偏差；在所述第二图形层上形成第三图形层，在所述第三图形层的光刻对准过程中，获取所述第二图形层的对准标记位置信息；将所述实际对准标记相对偏差代入所述第二图形层的对准标记位置信息中，得到所述第一图形层的计算对准标记位置信息，并根据所述计算对准标记位置信息完成所述第三图形层的光刻对准。本发明通过获取第一图形层和第二图形层的对准标记位置信息及套刻偏差，得到第二图形层相对于第一图形层的实际对准标记相对偏差，并将其用于第三图形层的光刻对准。上述方法有效消除了第三图形层对第一图形层间接对准的对准偏差，使第三图形层的光刻对准更为精确，确保了器件结构符合设计要求，进而提升了产品良率。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种光刻对准方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供具有第一图形层的衬底；
在所述衬底上形成第二图形层，在所述第二图形层的光刻对准过程中，获取所述第一图形层的对准标记位置信息；
量测所述第二图形层相对于所述第一图形层的套刻偏差；
根据所述第一图形层的对准标记位置信息和所述套刻偏差计算所述第二图形层相对于所述第一图形层的实际对准标记相对偏差；
在所述第二图形层上形成第三图形层，在所述第三图形层的光刻对准过程中，获取所述第二图形层的对准标记位置信息；
将所述实际对准标记相对偏差代入所述第二图形层的对准标记位置信息中，得到所述第一图形层的计算对准标记位置信息，并根据所述计算对准标记位置信息完成所述第三图形层的光刻对准。
2.根据权利要求1所述的光刻对准方法，其特征在于：在形成所述第二图形层后，还包括在所述第二图形层上沉积薄膜层的步骤。
3.根据权利要求2所述的光刻对准方法，其特征在于：所述第二图形层具有由凹陷结构或凸起结构构成的第二图形层对准标记；所述薄膜层在所述第二图形层上为共形沉积；在所述第三图形层的光刻对准过程中，根据共形沉积所述薄膜层后的所述第二图形层对准标记收集所述第二图形层的对准标记位置信息。
4.根据权利要求2所述的光刻对准方法，其特征在于：所述薄膜层由单层材料层构成，或由多层材料层堆叠构成。
5.根据权利要求2所述的光刻对准方法，其特征在于：所述薄膜层包括消光材料层。
6.根据权利要求1所述的光刻对准方法，其特征在于：所述套刻偏差包括缩放套刻偏差、偏移套刻偏差或偏转套刻偏差中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的光刻对准方法，其特征在于：在所述第三图形层上还形成有第四图形层至第2N+1图形层，其中，N为大于1的正整数；在第2N+1图形层进行光刻对准时，根据第2N图形层和第2N-1图形层的对准标记位置信息和套刻偏差所得到的实际对准偏对所述第2N-1层进行光刻对准。
8.根据权利要求7所述的光刻对准方法，其特征在于：在形成所述第2N图形层后，还包括在所述第2N图形层上沉积至少一层消光材料层的步骤。
9.一种光刻对准系统，其特征在于，包括：对准标记位置信息获取模块、套刻偏差量测模块、数据处理模块和光刻曝光装置；其中，
所述对准标记位置信息获取模块用于获取第一图形层和第二图形层的对准标记位置信息；
所述套刻偏差量测模块用于量测所述第二图形层相对于所述第一图形层的套刻偏差；
所述数据处理模块连接所述对准标记位置信息获取模块和所述套刻偏差量测模块，用于根据所述第一图形层的对准标记位置信息和所述套刻偏差计算所述第二图形层相对于所述第一图形层的实际对准标记相对偏差，并将所述实际对准标记相对偏差代入所述第二图形层的对准标记位置信息中，得到所述第一图形层的计算对准标记位置信息；
所述光刻曝光装置连接所述数据处理模块，根据所述数据处理模块反馈的所述计算对准标记位置信息，完成第三图形层的光刻对准。
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