CN111705299B - 一种纳米机器人的制备方法及纳米机器人 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种纳米机器人的制备方法，会先在基板表面涂覆武德合金薄膜，并将武德合金薄膜刻蚀成凸起。然后会在凸起表面镀覆盖凸起的磁性薄膜，此时磁性薄膜中形成有对应凸起的腔体，该腔体可以用于载药。之后会加热武德合金材质的凸起，以将磁性薄膜与基板分离，最后切割磁性薄膜即可制成纳米机器人。通过镀膜设备在基板表面镀磁性薄膜的速度非常快，可以有效降低纳米机器人的制作成本；且通过镀膜设备制备的磁性薄膜的厚度通常较为均匀，构成磁性薄膜的各个组分之间也会充分的混合，磁性薄膜本身的致密性也会显著提高。本发明还提供了一种纳米机器人，同样具有上述有益效果。

Description

一种纳米机器人的制备方法及纳米机器人
技术领域
本发明涉及纳米机器人领域，特别是涉及一种纳米机器人的制备方法及一种纳米机器人。
背景技术
随着近年来科技不断的进步，纳米机器人的应用也越来越广泛。纳米机器人特指尺寸在几纳米至百微米，最大为厘米级的小型机器人，在生物医学和环境保护等领域具有非常重要的潜在应用，例如生物医学领域的靶向治疗等等。
在现有技术中，构成纳米机器人的材料通常为磁性材料，在使用过程中或通过施加的外部磁场控制纳米机器人移动。例如在靶向治疗过程中，纳米机器人可以携带药物。病人在服用之后可以通过人体外部的磁场控制人体内的纳米机器人移动至病灶，再释放携带的药物进行治疗。
但是在现有技术中，纳米机器人的生产过程通常较为复杂，制作成本较高，所以如何降低纳米机器人的制作成本是本领域技术人员急需解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种纳米机器人的制备方法，可以有效降低纳米机器人的制作成本；本发明还提供了一种纳米机器人，可以使用成本较低的方法制作该纳米机器人。
为解决上述技术问题，本发明提供一种纳米机器人的制备方法，包括：
在基板表面涂覆武德合金薄膜；
刻蚀所述武德合金薄膜，以在所述基板表面形成至少一个凸起；
通过镀膜设备在所述基板表面镀磁性薄膜，所述磁性薄膜覆盖所述凸起；
加热所述凸起，以分离所述基板与所述磁性薄膜；
切割所述磁性薄膜，以制成所述纳米机器人。
可选的，所述通过镀膜设备在所述基板表面镀磁性薄膜包括：
将所述基板固定于镀膜设备的中心旋转轴；其中，所述中心旋转轴的四周设置有对应所述磁性薄膜的靶材；
在预设温度下通过所述镀膜设备在所述基板表面镀所述磁性薄膜；其中，所述预设温度不大于所述武德合金薄膜的熔化温度。
可选的，所述在预设温度下通过所述镀膜设备在所述基板表面镀所述磁性薄膜包括：
在预设温度下通过所述镀膜设备在所述基板表面镀所述磁性薄膜；其中，所述预设温度的取值范围为30℃至50℃，包括端点值。
可选的，加热所述凸起包括：
将设置有所述磁性薄膜的基板放置在纯水固定槽中；
加热所述纯水固定槽内的纯水至所述武德合金薄膜的熔化温度，并保持预设时间。
可选的，所述加热所述纯水固定槽内的纯水至所述武德合金薄膜的熔化温度，并保持预设时间包括：
加热所述纯水固定槽内的纯水至所述武德合金薄膜熔化所需的温度，并保持预设时间；其中，所述预设时间的取值范围为5min至10min，包括端点值。
可选的，所述切割所述磁性薄膜包括：
通过激光切割设备切割所述磁性薄膜。
可选的，所述刻蚀所述武德合金薄膜包括：
通过激光刻蚀设备刻蚀所述武德合金薄膜。
可选的，所述磁性薄膜为远红外磁性薄膜。
可选的，所述远红外磁性薄膜包括以下质量分数的组分：质量分数为50％-70％的远红外陶瓷、质量分数为10％-20％的二氧化钛、质量分数为10％-15％的氧化银、质量分数为10％-15％的氧化锌。
本发明还提供了一种纳米机器人，包括如上述任一项所述方法所制备而成的纳米机器人。
本发明所提供的一种纳米机器人的制备方法，会先在基板表面涂覆武德合金薄膜，并将武德合金薄膜刻蚀成凸起。然后会在凸起表面镀覆盖凸起的磁性薄膜，此时磁性薄膜中形成有对应凸起的腔体，该腔体可以用于载药。之后会加热武德合金材质的凸起，以将磁性薄膜与基板分离，最后切割磁性薄膜即可制成纳米机器人。通过镀膜设备在基板表面镀磁性薄膜的速度非常快，可以有效降低纳米机器人的制作成本；且通过镀膜设备制备的磁性薄膜的厚度通常较为均匀，构成磁性薄膜的各个组分之间也会充分的混合，磁性薄膜本身的致密性也会显著提高；同时使用镀膜设备不会产生其他的化学污染，从而可以在有效降低制作成本的同时提高纳米机器人的品质。
本发明还提供了一种纳米机器人，同样具有上述有益效果，在此不再进行赘述。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1至图5为本发明实施例所提供的一种纳米机器人制备方法的工艺流程图；
图6为本发明实施例所提供的一种具体的纳米机器人制备方法的流程图；
图7为镀膜设备的俯视结构示意图；
图8为镀膜设备正视结构示意图；
图9为本发明实施例所提供的一种具体的镀膜设备工作时的俯视结构示意图。
图中：1.基板、2.武德合金薄膜、21.凸起、3.磁性薄膜、4.中心旋转轴、5.靶材、51.远红外陶瓷靶、52.钛靶、53.银靶、54.锌靶。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种纳米机器人的制备方法。在现有技术中，制作而成的纳米机器人的成本较高，且纳米机器人自身材质的品质较低，在制备过程中通常会产生较大的化学污染。
而本发明所提供的一种纳米机器人的制备方法，会先在基板表面涂覆武德合金薄膜，并将武德合金薄膜刻蚀成凸起。然后会在凸起表面镀覆盖凸起的磁性薄膜，此时磁性薄膜中形成有对应凸起的腔体，该腔体可以用于载药。之后会加热武德合金材质的凸起，以将磁性薄膜与基板分离，最后切割磁性薄膜即可制成纳米机器人。通过镀膜设备在基板表面镀磁性薄膜的速度非常快，可以有效降低纳米机器人的制作成本；且通过镀膜设备制备的磁性薄膜的厚度通常较为均匀，构成磁性薄膜的各个组分之间也会充分的混合，磁性薄膜本身的致密性也会显著提高；同时使用镀膜设备不会产生其他的化学污染，从而可以在有效降低制作成本的同时提高纳米机器人的品质。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1至图5，图1至图5为本发明实施例所提供的一种纳米机器人制备方法的工艺流程图。
参见图1，在本发明实施例中，所述纳米机器人的制备方法包括：
S101：在基板表面涂覆武德合金薄膜。
上述基板1在本发明实施例中通常为玻璃基板1。当然，在本发明实施例中还可以选用其他材质的基板1，有关基板1的具体材质在本发明实施例中并不做具体限定。
在本步骤之前，通常需要对基板1进行清洗，以保证基板1表面的清洁。具体的，可以先对基板1表面进行酒精擦拭，之后将基板1放入超声波清洗机中依次进行去离子水清洗以及酒精清洗，最后将基板1放在酒精蒸汽中进行干燥。当基板1从酒精蒸汽中去除时，由于凝结的蒸汽会很快的蒸发掉，从而会使得衬底很快的干燥。上述超声波清洗机中的超声功率通常在75W至300W之间，包括端点值。
参见图2，在本步骤中，会在基板1表面设置一整层覆盖基板1表面的武德合金薄膜2。伍德合金薄膜的材质为武德合金，其熔点通常在70℃左右。有关武德合金的具体组分可以参考现有技术，在此不再进行赘述。具体的在本步骤中，可以通过线棒涂膜机将温度在85℃100℃之间的武德合金溶液压至基板1表面以形成武德合金湿膜，并将武德合金湿膜固化成武德合金薄膜2。在使用线棒涂膜机时，通常选用OSP线棒，其直径通常在6.5mm至9.4mm之间，压重通常在0.5kg左右，以0.3m/min左右的速度在基板1表面挤压完成一层武德合金湿膜，该武德合金湿膜的厚度通常在10μm至30μm之间，包括端点值。将伍德合金湿膜固化成武德合金薄膜2时，通常是自然风干伍德合金湿膜30min至60min以形成武德合金薄膜2，在风干过程中生产环境通常为百级间，室内温度通常控制在22℃至28℃之间，湿度通常控制在20％至30％之间，包括端点值。
S102：刻蚀武德合金薄膜，以在基板表面形成至少一个凸起。
参见图3，在本步骤中，会将S101中制备的武德合金薄膜2刻蚀成预设图案，从而在基板1表面形成至少一个凸起21。当然，通常情况下会在基板1表面形成多个凸起21。需要说明的是，该凸起21的尺寸通常需要与最终形成的纳米机器人的尺寸相对应。可以理解的是，上述凸起21具体可以呈圆柱状、六角柱、三角柱等，有关凸起21的结构在本发明实施例中并不做具体限定，视具体情况而定。通常情况下，上述凸起21会均匀分布于基板1表面。
还需要说明的是，在刻蚀武德合金薄膜2时，通常不能刻蚀到基板1，从而避免由于刻蚀基板1所带来的污染。具体的，在本步骤中可以通过激光刻蚀设备刻蚀所述武德合金薄膜2。在使用激光刻蚀设备刻蚀武德合金薄膜2时，该激光刻蚀设备的脉冲能量通常在150μJ至300μJ之间，包括端点值；该激光刻蚀设备的激光束的直径通常在0.01μm至0.02μm之间，刻蚀图形的直径通常在10nm至500nm之间，刻蚀深度通常在10μm至30μm之间，包括端点值。当然，在本发明实施例中还可以选用其他的刻蚀工艺对伍德合金薄膜进行刻蚀，有关具体的刻蚀工艺在本发明实施例中并不做具体限定。
S103：通过镀膜设备在基板表面镀磁性薄膜，磁性薄膜覆盖凸起。
参见图4，在本步骤中，具体会通过镀膜设备在基板1表面镀覆盖凸起21的磁性薄膜3，该磁性薄膜3具有磁性，可以通过外界的磁场控制该磁性薄膜3的移动；同时该磁性薄膜3的致密性通常较高，且厚度均匀，膜层中各组分也均匀混合。有关镀膜的具体内容将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
需要说明的是，由于在本步骤中磁性薄膜3覆盖凸起21，使得在磁性薄膜3表面形成有对应上述凸起21的腔体，在具体应用过程中该腔体可以用于携带药物。
S104：加热凸起，以分离基板与磁性薄膜。
参见图5，在本步骤中，会加热凸起21以将基板1与磁性薄膜3相互分离。具体的，在本步骤中通常将凸起21加热至武德合金的熔化温度，以融化基板1表面的凸起21，以使基板1与磁性薄膜3相互分离。有关具体的加热过程将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
S105：切割磁性薄膜，以制成纳米机器人。
在本步骤中，会对磁性薄膜3进行切割，以最终制成纳米机器人。需要说明的是，切割后的任一个纳米机器人中通常需要包括至少一个腔体，以用于承载药物。有关纳米机器人的具体尺寸可以根据实际情况自行设定，在此不做限定。例如，若应用于心血管治疗，则纳米机器人的尺寸通常在亚毫米级；若应用于胃肠道以及实体肿瘤的治疗，则纳米机器人的尺寸通常在毫米或厘米量级。
具体的，在本步骤中可以通过激光切割设备切割所述磁性薄膜3。在使用激光切割设备切割磁性薄膜3时，激光切割设备的激光直写速度通常在10nm/s至200nm/s之间，激光的光斑直径通常在0.05μm至0.1μm之间，包括端点值；激光切割设备中电子束能量通常在10mJ至100mJ之间，包括端点值；激光切割设备的切割精度通常小于100nm。
本发明实施例所提供的一种纳米机器人的制备方法，会先在基板1表面涂覆武德合金薄膜2，并将武德合金薄膜2刻蚀成凸起21。然后会在凸起21表面镀覆盖凸起21的磁性薄膜3，此时磁性薄膜3中形成有对应凸起21的腔体，该腔体可以用于载药。之后会加热武德合金材质的凸起21，以将磁性薄膜3与基板1分离，最后切割磁性薄膜3即可制成纳米机器人。通过镀膜设备在基板1表面镀磁性薄膜3的速度非常快，可以有效降低纳米机器人的制作成本；且通过镀膜设备制备的磁性薄膜3的厚度通常较为均匀，构成磁性薄膜3的各个组分之间也会充分的混合，磁性薄膜3本身的致密性也会显著提高；同时使用镀膜设备不会产生其他的化学污染，从而可以在有效降低制作成本的同时提高纳米机器人的品质。
有关本发明提供的纳米机器人制备方法中，具体的镀膜工艺以及磁性薄膜3与基板1之间的分离工艺将在下述发明实施例中做详细介绍。
请参考图6至图8，图6为本发明实施例所提供的一种具体的纳米机器人制备方法的流程图；图7为镀膜设备的俯视结构示意图；图8为镀膜设备正视结构示意图。
参见图6，在本发明实施例中，所述纳米机器人的制备方法包括：
S201：在基板表面涂覆武德合金薄膜。
S202：刻蚀武德合金薄膜，以在基板表面形成至少一个凸起。
在本发明实施例中，S201和S202与上述发明实施例中S101以及S102基本相同，详细内容已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
S203：将基板固定于镀膜设备的中心旋转轴。
在本发明实施例中，所述中心旋转轴4的四周设置有对应所述磁性薄膜3的靶材5。
参见图7以及图8，在本发明实施例中镀膜设备包括一位于中心的中心旋转轴4，以及多个位于边缘的靶材5，每个靶材5在本发明实施例中呈圆柱形，多个靶材5呈环状包围上述中心旋转轴4。通常情况下，相邻靶材5之间的间距为45°角。需要说明的是，上述不同靶材5的材质可能相同也可能不同，需要根据磁性薄膜3的具体组分对靶材5的材质进行调整。在工作时，每个靶材5自身会发生旋转，同时中心旋转轴4也会带动基板1沿中心旋转轴4自身周向旋转，从而实现在基板1表面镀膜。通常情况下，上述靶材5的自转通常在0r/min至30r/min之间可调，中心旋转轴4的自转通常在0r/min至50r/min之间可调。
上述基板1固定于镀膜设备的中心旋转轴4表面，通常需要保证基板1表面材质为武德合金的凸起21位于基板1背向中心旋转轴4一侧表面。通常情况下在固定基板1时，是先将基板1通过例如3M双面胶等结构固定于平面夹具，再将平面夹具固定于中心旋转轴4表面，以便在后续步骤中进行旋转溅镀。
S204：在预设温度下通过镀膜设备在基板表面镀磁性薄膜。
在本发明实施例中，所述预设温度不大于所述武德合金薄膜2的熔化温度。
在本步骤中会在基板1表面溅镀覆盖凸起21的磁性薄膜3，在溅镀过程中中心旋转轴4以及靶材5均会发生旋转，镀膜设备溅射的工率通常在1000W至5000W之间，溅射速率通常在5nm/s至10nm/s之间，镀膜设备内的真空度通常在5×10-4pa至3×10-4pa之间，镀膜设备中氧气流量通常在10sccm至20sccm之间，氩气的流量通常在400sccm至500sccm之间。
需要说明的是，镀膜时镀膜设备内的预设温度不能大于武德合金薄膜2的熔化温度，及镀膜时磁性薄膜3所处的环境温度需要不大于武德合金薄膜2的融化温度，以防止凸起21在镀膜时发生融化以及变形。通常情况下，上述预设温度的取值范围为30℃至50℃，包括端点值；即镀膜时的环境温度通常在30℃至50℃之间，以保护凸起21。
S205：将设置有磁性薄膜的基板放置在纯水固定槽中。
由于伍德合金的熔点较低，在本步骤中，会将溅镀有磁性薄膜3的基板1放置在纯水固定槽中，以便在后续步骤中通过加热纯水来融化材质为武德合金的凸起21。通常情况下，纯水固定槽内的水是流动的纯水。在加热之前，纯水固定槽内纯水的温度通常与室温相等。
S206：加热纯水固定槽内的纯水至武德合金薄膜熔化所需的温度，并保持预设时间。
在本步骤中会加热纯水固定槽内的纯水，加热速率通常在5℃/min左右，以防止基板1以及磁性薄膜3突然受到较大的热应力而发生形变以及断裂等。在本步骤中会将纯水的温度加热至武德合金薄膜2融化所需的温度，通常是将纯水加热至75℃至80℃之间，并保温预设时间，使得磁性薄膜3脱离基板1。通常情况下，上述预设时间的取值范围为5min至10min，包括端点值，以保证磁性薄膜3与基板1发生分离。
S207：切割磁性薄膜，以制成纳米机器人。
本步骤与上述发明实施例中S105基本相同，详细内容请参考上述发明实施例，在此不再进行赘述。
本发明实施例所提供的一种纳米机器人的制备方法，使用镀膜设备制备磁性薄膜3可以使得磁性薄膜3的厚度较为均匀，构成磁性薄膜3的各个组分之间充分混合，磁性薄膜3本身具有较高的致密性；使用加热纯水的方法加热武德合金可以有效控制加热温度，从而避免基板1以及磁性薄膜3突然受到较大的热应力而发生形变以及断裂等情况的发生。
有关本发明所提供的纳米机器人制备方法中磁性薄膜3的具体组分将在下述发明实施例中做详细介绍。
请参考图9，图9为本发明实施例所提供的一种具体的镀膜设备工作时的俯视结构示意图。
区别于上述发明实施例，本发明实施例是在上述发明实施例的基础上，进一步的对磁性薄膜3进行具体限定。其余内容已在上述发明实施例中进行了详细介绍，在此不再进行赘述。
在本发明实施例中，所述磁性薄膜3为远红外磁性薄膜3。
所谓远红外磁性薄膜3，即该薄膜除了具有磁性之外，还具有远红外的特性，可以向外辐射远红外线。远红外线是指波长在3μm至1000μm之间的红外线，科学研究表明，波长5.6μm至15μm之间这一波段的红外线对人类的生存与万物的生长极为重要。
生命科学研究证实，人体本身是一个远红外辐射源，它可以吸收及发射远红外光，所以当远红外线照射人体时，其频率与身体中的细胞分子、原子间的水分子运动频率相一致时，可以引起共振效应，其能量最高且能被生物体所吸收，使皮下组织深层部位的温度升高，产生的热效应使水分子活化，处于高能状态，加速人体所需要的生物酶的合成，同时活化蛋白质等生物分子，从而增强机体免疫力和生物细胞的组织再生能力，加速供给养分和酵素，促进身体健康。
而远红外磁性薄膜3所产生的磁场同样可以促进身体健康，其通常通过以下几个特点实现：第一，穿透性：磁性材料所发出的磁力具有很强的穿透性，它能把全身都穿透把磁场传递到深层细胞组织，使细胞的生物磁场发生变化，产生磁性感应，活化细胞，加速新陈代谢。第二，切割性：每个磁性单位元磁力线从N极出发，经空间返回到S极，形成闭合的磁力线切面，使集结的大分子团被切割成小分子团，再切割成单体分子降低分子间的亲和力，减少聚集性，增大流动性，防止疾病发生。第三，平衡性：这是磁场固有的特性。磁场所发出的磁力线均衡平行，对哪个部位都是一致的，在均衡磁力线的作用下，控制增生细胞，改善微循环。第四，冲刷性：磁的冲刷力可以随着体内微循环改善激活大分子的活性，从而发挥大分子的调节机体代谢免疫功能，在运动中各种营养细胞充分吸收，细胞里的陈旧物质及身体里的二氧化碳和代谢垃圾，随着体内微循环改善冲刷力排除体外。第五，磁起电反应：磁能生电，电能生磁，当磁场作用于非常小的微粒时，一方面使微粒带磁性，另一方面使微粒带微电荷，产生吸引、排斥、流动现象提高了生物电流量，加大了流动性，这是磁疗能改善微循环的原因。
在本发明实施例中，使用远红外磁性薄膜3作为纳米机器人的本体可以实现在人体内的病灶处直接释放远红外线以及磁场，从而实现将远红外线以及磁场深入人体释放，而非现有技术中仅能从人体外照射远红外线或人以外外加磁场，进而使得本发明实施例所制备而成的纳米机器人可以更好的增强机体免疫力，具有更好的生物细胞的组织再生能力，改善人体病灶处微循环等。
具体的，在本发明实施例中远红外磁性薄膜3的厚度通常在10nm至1000nm之间，包括端点值。所述远红外磁性薄膜3包括以下质量分数的组分：质量分数为50％-70％的远红外陶瓷、质量分数为10％-20％的二氧化钛、质量分数为10％-15％的氧化银、质量分数为10％-15％的氧化锌。所述远红外陶瓷即可以发射远红外线的陶瓷材料，有关远红外陶瓷的具体组分可以参考现有技术，在此不再进行赘述。上述组分的远红外磁性薄膜3在37℃至50℃时，远红外线在8μm至15μm波段范围内的法向发射率高达80％至90％，磁场强度在10mT至50mT之间，在人体内可以起到很好的远红外线治疗以及磁场治疗的作用。
参见图9，在本发明实施例中上述远红外磁性薄膜3中远红外陶瓷需要使用远红外陶瓷靶51溅射而成，二氧化钛需要使用钛靶52溅射而成，氧化银需要使用银靶53溅射而成，氧化锌需要使用锌靶54溅射而成。具体的，在使用镀膜设备镀上述组分的远红外磁性薄膜3时，一共需要设置四种靶材5，分别是远红外陶瓷靶51，钛靶52，银靶53，锌靶54。其中远红外陶瓷靶51是由远红外陶瓷粉粘结、压制而成。通常情况下，在本发明实施例中需要在中心旋转轴4四周设置四个远红外陶瓷靶51，一个钛靶52，一个银靶53，一个锌靶54。为了保证镀膜设备所镀的远红外磁性薄膜3中各组分均匀分布，上述远红外陶瓷靶51需要与其他金属靶间隔设置，即与钛靶52，银靶53，锌靶54相邻的靶材5均为远红外陶瓷靶51。上述排列方式溅射的远红外磁性薄膜3，均匀性较好，性能稳定。当然，在本发明实施例中还可以选用其他排列方式设置各个靶材5，有关靶材5具体排列方式在本发明实施例中并不做具体限定。
本发明实施例所提供的一种纳米机器人的制备方法，具体使用远红外磁性薄膜3作为纳米机器人的本体可以在人体内深处释放远红外线，促进身体健康；使用上述组分的远红外磁性薄膜3可以在37℃至50℃时，远红外线在8μm至15μm波段范围内的法向发射率高达80％至90％，磁场强度在10mT至50mT之间，在人体内可以起到很好的远红外线治疗以及磁场治疗的作用。
本发明还提供了一种纳米机器人，包括如上述任一发明实施例所提供的纳米机器人制备方法所制备而成的纳米机器人。其余部件请参照现有技术，在此不再进行赘述。
由于上述发明实施例所提供的纳米机器人制备方法可以有效降低纳米机器人的制作成本；且通过镀膜设备制备的磁性薄膜3的厚度通常较为均匀，构成磁性薄膜3的各个组分之间也会充分的混合，磁性薄膜3本身的致密性也会显著提高；同时使用镀膜设备不会产生其他的化学污染，从而可以在有效降低制作成本的同时提高纳米机器人的品质，相应的本发明实施例所提供的纳米机器人同样可以具有上述有益效果。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种纳米机器人的制备方法及一种纳米机器人进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (9)

1.一种纳米机器人的制备方法，其特征在于，包括：
在基板表面涂覆武德合金薄膜；
刻蚀所述武德合金薄膜，以在所述基板表面形成至少一个凸起；
通过镀膜设备在所述基板表面镀磁性薄膜，所述磁性薄膜覆盖所述凸起；
加热所述凸起，以分离所述基板与所述磁性薄膜；
切割所述磁性薄膜，以制成所述纳米机器人；
所述通过镀膜设备在所述基板表面镀磁性薄膜包括：
将所述基板固定于镀膜设备的中心旋转轴；其中，所述中心旋转轴的四周设置有对应所述磁性薄膜的靶材；
在预设温度下通过所述镀膜设备在所述基板表面镀所述磁性薄膜；其中，所述预设温度不大于所述武德合金薄膜的熔化温度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在预设温度下通过所述镀膜设备在所述基板表面镀所述磁性薄膜包括：
在预设温度下通过所述镀膜设备在所述基板表面镀所述磁性薄膜；其中，所述预设温度的取值范围为30℃至50℃，包括端点值。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，加热所述凸起包括：
将设置有所述磁性薄膜的基板放置在纯水固定槽中；
加热所述纯水固定槽内的纯水至所述武德合金薄膜的熔化温度，并保持预设时间。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述加热所述纯水固定槽内的纯水至所述武德合金薄膜的熔化温度，并保持预设时间包括：
加热所述纯水固定槽内的纯水至所述武德合金薄膜熔化所需的温度，并保持预设时间；其中，所述预设时间的取值范围为5min至10min，包括端点值。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割所述磁性薄膜包括：
通过激光切割设备切割所述磁性薄膜。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述武德合金薄膜包括：
通过激光刻蚀设备刻蚀所述武德合金薄膜。
7.根据权利要求1至6任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述磁性薄膜为远红外磁性薄膜。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述远红外磁性薄膜包括以下质量分数的组分：质量分数为50％-70％的远红外陶瓷、质量分数为10％-20％的二氧化钛、质量分数为10％-15％的氧化银、质量分数为10％-15％的氧化锌。
9.一种纳米机器人，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项权利要求所述方法所制备而成的纳米机器人。
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