CN111682052A - 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111682052A
CN111682052A CN202010582115.1A CN202010582115A CN111682052A CN 111682052 A CN111682052 A CN 111682052A CN 202010582115 A CN202010582115 A CN 202010582115A CN 111682052 A CN111682052 A CN 111682052A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sub
display
substrate
electrode
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010582115.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111682052B (zh
Inventor
徐传祥
舒适
姚琪
袁广才
黄海涛
李翔
于勇
岳阳
黄清雨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202010582115.1A priority Critical patent/CN111682052B/zh
Publication of CN111682052A publication Critical patent/CN111682052A/zh
Priority to PCT/CN2021/098198 priority patent/WO2021259036A1/zh
Priority to US17/780,701 priority patent/US20230011316A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN111682052B publication Critical patent/CN111682052B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/828Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • H10K59/80524Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请提供一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置。所述显示基板包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率;所述第一显示区包括第一子区域和第二子区域。所述显示基板包括衬底,所述第一显示区设有位于所述衬底一侧的多个子像素。所述子像素包括第一电极、位于所述第一电极背离所述衬底一侧的发光层、及位于所述发光层背离所述衬底一侧的第二电极。所述第一电极位于所述第一子区域,所述第二电极位于所述第一子区域。所述显示面板包括所述显示基板。所述显示装置包括所述显示面板。

Description

显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
随着电子设备的快速发展,用户对屏占比的要求越来越高,使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。
现有技术中的显示屏设置有刘海型或水滴型的开槽等,将摄像头设置在开槽的区域,或者在屏幕上进行开孔,将摄像头设置在开孔内。但是这些电子设备设置摄像头的区域不能显示画面,不是真正意义上的全面屏,并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示。
发明内容
根据本申请实施例的第一方面,提供了一种显示基板。所述显示基板包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率;所述第一显示区包括第一子区域和第二子区域;
所述显示基板包括衬底,所述第一显示区设有位于所述衬底一侧的多个子像素;所述子像素包括第一电极、位于所述第一电极背离所述衬底一侧的发光层、及位于所述发光层背离所述衬底一侧的第二电极;所述第一电极位于所述第一子区域,所述第二电极位于所述第一子区域。
在一个实施例中,所述显示基板还包括位于所述第二子区域的定位层,所述定位层的材料为透光材料,所述定位层的材料与所述第二电极的材料互相排斥,所述定位层用于限定所述第二电极的位置。
在一个实施例中,所述显示基板还包括位于所述第一显示区的透明导电层,所述透明导电层与所述第二电极电连接。
在一个实施例中,所述透明导电层覆盖所述第一显示区;和/或,
所述透明导电层与所述第二电极背离所述衬底的表面直接接触,或者所述透明导电层与所述第二电极靠近所述衬底的表面直接接触。
在一个实施例中,所述显示基板还包括位于所述第一显示区与所述第二显示区的彩色滤光片,所述彩色滤光片包括间隔设置的彩膜和黑矩阵;所述彩色滤光片位于所述第二电极背离所述衬底的一侧。
在一个实施例中,所述彩色滤光片包括镂空区,所述镂空区位于所述第二子区域。
在一个实施例中,所述第一显示区包括多个所述第一子区域和多个所述第二子区域,所述第一子区域与所述第二子区域间隔排布;
同一所述第一子区域的第二电极相连形成面电极,所述显示基板还包括位于所述第二子区域的连接部,所述连接部用于将相邻所述面电极电连接。
根据本申请实施例的第二方面,提供了一种显示基板的制备方法,所述显示基板包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率;所述第一显示区包括第一子区域和第二子区域;
所述制备方法包括:
提供衬底;
在所述衬底的一侧形成位于所述第一显示区的多个子像素;
所述在所述衬底的一侧形成位于所述第一显示区的多个子像素,包括:
在所述衬底的一侧形成第一电极,所述第一电极位于所述第一子区域;
在所述第一电极背离所述衬底一侧形成发光层;
在所述发光层背离所述衬底一侧形成第二电极;所述第二电极位于所述第一子区域。
在一个实施例中,在所述发光层背离所述衬底一侧形成第二电极之前,所述制备方法还包括:
形成位于所述第二子区域的定位层,所述定位层的材料为透光材料,所述定位层的材料与所述第二电极的材料互相排斥,所述定位层用于限定所述第二电极的位置。
在一个实施例中,所述第一显示区包括多个所述第一子区域和多个所述第二子区域,所述第一子区域与所述第二子区域间隔排布;同一所述第一子区域的第二电极相连形成面电极;
所述制备方法还包括:形成位于所述第二子区域的连接部,所述连接部用于将相邻所述面电极电连接;
所述连接部与所述第二电极在同一工艺步骤中形成。
在一个实施例中,所述制备方法还包括:
形成位于所述第一显示区的透明导电层,所述透明导电层与所述第二电极电连接;
所述透明导电层覆盖所述第一显示区;和/或,
在所述发光层背离所述衬底一侧形成第二电极的步骤,在所述形成位于所述第一显示区的透明导电层的步骤之前形成,或者在所述形成位于所述第一显示区的透明导电层的步骤之后形成。
在一个实施例中,在所述衬底的一侧形成位于所述第一显示区的多个子像素之后,所述制备方法还包括:
在所述第一显示区与所述第二显示区形成彩色滤光片,所述彩色滤光片包括间隔设置的彩膜和黑矩阵;所述彩色滤光片位于所述第二电极背离所述衬底的一侧;
所述彩色滤光片包括镂空区,所述镂空区位于所述第二子区域。
根据本申请实施例的第三方面,提供了一种显示面板,所述显示面板包括上述的显示基板。
根据本申请实施例的第四方面,提供了一种显示装置,所述显示装置包括上述的显示面板及感光器件,所述感光器件设置在所述第一显示区下方。
本申请实施例所达到的主要技术效果是:
本申请实施例提供的显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置,第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,则可将前置摄像头、指纹识别传感器等感光器件设置在第一显示区下方,可在保证感光器件正常工作的前提下实现显示基板的全面屏显示;第一显示区中多个子像素的第一电极位于第一子区域,多个子像素的第二电极位于第一子区域,第二子区域未设置第一电极与第二电极,使得第二子区域的透光率较高,可有效提升第一显示区的透光率,保证设置的第一显示区下方的感光器件正常工作。
附图说明
图1是本申请一示例性实施例提供的显示基板的俯视图;
图2是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第一显示区的局部剖视图;
图3是本申请另一示例性实施例提供的显示基板的第一显示区的局部剖视图;
图4是本申请再一示例性实施例提供的显示基板的第一显示区的局部剖视图;
图5是本申请一示例性实施例提供的显示基板的制备方法的流程图;
图6是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第一中间结构的局部剖视图;
图7是本申请一示例性实施例提供的形成位于第一显示区的多个子像素的流程图;
图8是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第二中间结构的局部剖视图;
图9是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第三中间结构的局部剖视图;
图10是在图9所示的第三中间结构上设置有第一掩膜板的局部结构示意图;
图11是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第四中间结构的局部剖视图;
图12是在图11所示的第四中间结构上设置有第二掩膜板的局部结构示意图;
图13是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第五中间结构的局部剖视图;
图14是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第六中间结构的局部剖视图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解,本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
应当理解,尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息,但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如,在不脱离本申请范围的情况下,第一信息也可以被称为第二信息,类似地,第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境,如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。
本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置,可解决上述问题。下面结合附图,对本申请实施例中的显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下,下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。
本申请实施例提供了一种显示基板。参见图1,所述显示基板100包括第一显示区110和第二显示区120,所述第一显示区110的透光率大于所述第二显示区120的透光率。所述第一显示区110包括第一子区域111和第二子区域112。
参见图2,所述显示基板100包括衬底31。所述第一显示区110设有位于所述衬底31一侧的多个子像素10。所述子像素10包括第一电极11、位于所述第一电极11背离所述衬底31一侧的发光层12、及位于所述发光层12背离所述衬底31一侧的第二电极13。所述第一电极11位于所述第一子区域111,所述多个子像素10的第二电极13位于所述第一子区域111。
本申请实施例提供的显示基板100,第一显示区110的透光率大于第二显示区120的透光率,则可将前置摄像头、指纹识别传感器等感光器件设置在第一显示区110下方,可在保证感光器件正常工作的前提下实现显示基板100的全面屏显示;第一显示区110中多个子像素10的第一电极11位于第一子区域111,多个子像素10的第二电极位于第一子区域111,第二子区域112未设置第一电极与第二电极,使得第二子区域112的透光率较高,可有效提升第一显示区110的透光率,保证设置的第一显示区110下方的感光器件正常工作。
在一个实施例中,衬底31可以是柔性衬底,柔性衬底的材料可以是聚酰亚胺等有机材料。在其他实施例中,衬底31可以是刚性衬底,刚性衬底的材料例如可以为玻璃、金属、塑料等。
在本申请实施例中,第一显示区110中的多个子像素10的第一电极11位于第一子区域111,也即是第一显示区110中的子像素10位于第一子区域111。显示基板100在显示时,第一子区域111显示图像,第二子区域112不显示。
在一个实施例中,第一显示区110包括多个第一子区域111与多个第二子区域112,第一子区域111与第二子区域112可间隔排布。如此,第一显示区110的子像素10的分散性较好,避免某一个第二子区域112的面积较大,导致显示基板100显示时出现大片区域不显示的情况,使得显示效果较差的问题,有助于提升用户的使用体验。图1所示的实施例中,第一显示区110包括两个第一子区域111及三个第二子区域112。需要说明的是,图1中第一显示区110中第一子区域111及第二子区域112的排布方式仅为示意性的,在其他实施例中第一显示区110中第一子区域111与第二子区域112的数量及排布方式可不同于图1。
在本申请实施例中,第一显示区110中的多个子像素10包括至少三种颜色的子像素。图示实施例中,第一显示区110中的子像素10包括红色的子像素R、绿色的子像素G及蓝色的子像素B。
在一个实施例中,第一电极11可以是阳极,第二电极13可以是阴极。
第一显示区110中的多个子像素10的第二电极13相连形成面电极,不同第一子区域111的面电极相连。在一些实施例中,显示基板100还包括设置在第二子区域112的连接部(未图示),连接部将相邻第一子区域111的面电极电连接。其中,连接部的尺寸较小,远小于第二子区域112的尺寸,对第二子区域112的透光率影响较小。通过连接部将相邻第一子区域111的面电极电连接,则第一显示区110的各个子像素10的第二电极13电连接,可通过一根导线连接至电源,有助于简化第一显示区110的走线复杂度,提升第一显示区110的透光率。
在一个实施例中,连接部与第二电极13可在一个工艺步骤中形成。如此设置,有助于简化制备工艺。
在一个实施例中,所述显示基板100还可包括像素限定层35,像素限定层35具有多个像素开口,位于第一子区域111的像素开口与第一子区域111的第一电极11一一对应,像素开口暴露对应的第一电极11。
在一个实施例中,发光层12包括位于第一电极11背离衬底31一侧的空穴注入层121、位于空穴注入层121背离衬底31一侧的有机发光材料层122、以及位于有机发光材料层122背离衬底31一侧的电子传输层123。
其中,有机发光材料层122仅位于第一子区域111,有机发光材料层122至少部分位于像素开口内。第二子区域112中未设置有机发光材料层122,可避免有机发光材料层122影响第二子区域112的透光率,有助于提升第二子区域112的透光率。
在一些实施例中,如图2所示,空穴注入层121与电子传输层123可覆盖第一子区域111与第二子区域112。空穴注入层121与电子传输层123的材料为透明材料,对第二子区域112的透光率影响较小。在其他实施例中,空穴注入层121与电子传输层123可仅位于第一子区域111。
在一个实施例中,所述显示基板100还包括位于所述第二子区域112的定位层21,所述定位层21的材料为透光材料,所述定位层21的材料与所述第二电极13的材料互相排斥,所述定位层21用于限定所述第二电极13的位置,以使第二电极13仅位于第一子区域111。在形成电极13之前,首先在第二子区域112中形成定位层21,在后续形成第二电极13时,由于定位层21的材料与第二电极13的材料互相排斥,则第二电极13的材料不会形成在定位层21上方。定位层21的材料为透光材料,定位层21的设置对第二子区域112的透光率影响较小。
在一个实施例中,第二电极13的材料为金属镁,定位层21的材料包括BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(对苯基苯酚)合铝)及TAZ(3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑)中的至少一种。金属镁在BAlq及TAZ材料上的附着力较差,且解吸能较低,在蒸镀金属镁形成第二电极13时,定位层21抑制金属镁在定位层21上成膜,从而金属镁只能在未设置定位层21的区域成膜。在一些实施例中,定位层21未全部覆盖第二子区域112,在形成第二电极13时第二子区域112未被定位层21覆盖的区域形成连接部。
在其他实施例中,参见图3,显示基板100可不包括定位层21。在形成第二电极13时,可首先形成覆盖第一区域111与第二区域112的电极膜层,之后对电极膜层进行刻蚀,将电极膜层位于第二区域112的一部分刻蚀掉。
在一个实施例中,参见图4,所述显示基板100还包括位于所述第一显示区110的透明导电层22,所述透明导电层22与所述第二电极13电连接。通过设置与第二电极13电连接的透明导电层22,透明导电层22可降低第二电极13的电阻,减小电极层上的压降,进而可减小显示基板100中心区域与边缘区域的电流大小的差别,从而可提升显示基板不同区域显示亮度的均匀性,有助于提升用户的使用体验。透明导电层22为透光的膜层,透明导电层22对第一显示区110的透光率影响较小。在一个示例性实施例中,透明导电层22的透光率大于或等于75%。
在一个实施例中,所述透明导电层22覆盖所述第一显示区110。如此设置,透明导电层22的面积较大,更有助于减小电极层12的电阻。
在一个实施例中,如图4所示,所述透明导电层22与所述第二电极13背离所述衬底31的表面直接接触。在其他实施例中,所述透明导电层22也可与所述第二电极13靠近所述衬底31的表面直接接触。
在一些实施例中,透明导电层22的材料可以包括氧化铟锡及氧化铟锌中的至少一种。在其他实施例中,透明导电层22可为夹层结构,夹层结构包括两层三氧化钼膜层及位于两层三氧化钼膜层之间的银膜层,透明导电层22的厚度为50埃至200埃。
在一个实施例中,参见图2至图4,显示基板100还包括位于第二电极13背离衬底31一侧的光取出层36。光取出层36的设置可提升显示基板100的出光率。
在一些实施例中,所述显示基板100还包括封装层37。封装层37位于光取出层36背离衬底31的一侧。封装层37可阻隔空气中的水和氧,防止空气中的水和氧入侵至子像素10的发光层,而影响显示基板100的使用寿命。在一些实施例中,封装层37为TFE(薄膜封装层),TFE包括交替叠加的无机膜层与有机膜层。在一个示例性实施例中,TFE包括两层无机膜层及位于两层无机膜层之间的有机膜层。
在一个实施例中,所述显示基板100还包括触控层38。触控层38位于封装层37背离衬底31的一侧。
在一些实施例中,所述显示基板100还包括位于所述第一显示区110与所述第二显示区120的彩色滤光片40,所述彩色滤光片40位于所述第二电极13背离所述衬底31的一侧。所述彩色滤光片40包括间隔设置的彩膜42和黑矩阵41。图示实施例中,彩色滤光膜40可位于触控层38背离衬底31的表面。
彩色滤光片40的彩膜42包括红色彩膜、绿色彩膜和蓝色彩膜。其中,红色彩膜与红色的子像素R在纵向上对应,绿色彩膜与绿色的子像素G在纵向上对应,蓝色彩膜与蓝色的子像素B在纵向上对应,彩色滤光片40的设置不影响显示基板的显示。
入射至显示基板100的环境光通过彩色滤光片40时,彩色滤光片40会吸收部分光线。具体地,环境光经过黑矩阵时,黑矩阵会吸收掉大部分光线;环境光经过彩膜42时,彩膜42可吸收掉与彩膜颜色不同的光线。如此,进入到显示基板100内部的环境光比较少。进入到环境光内部的光线被金属反射,反射的光线经过彩色滤光片40时,会被彩色滤光片40吸收一部分光线,从而最终从显示基板100出射的光线的量很少。也即是,彩色滤光片40可降低入射到显示基板100的环境光的出射率,有助于提升用户的使用体验。通过设置彩色滤光片40,显示基板100不需要设置圆偏光片,彩色滤光片40的透光率大于圆偏光片的透光率,相对于设置圆偏光片的方案,彩色滤光片40的设置有助于提升第一显示区110的透光率。
在一个实施例中,所述彩色滤光片40包括镂空区,所述镂空区位于所述第二子区域112。如此,彩色滤光片40的设置不会影响第二子区域112的透光率,更有助于提升第二子区域112的透光率。
在一个实施例中,显示基板100还包括透明树脂膜层39,透明树脂膜层39覆盖彩色滤光片40的镂空区、彩色滤光片40的黑矩阵41及彩膜42。如此,透明树脂膜层39使彩色滤光片40平坦化,也可起到隔绝水氧的作用,防止空气中的水氧侵蚀黑矩阵41和彩膜42。
再次参见图1,第二显示区120中设有多个子像素20,第二显示区120的多个子像素20包括至少三种不同颜色。图示实施例中,第二显示区120的多个子像素20包括红色的子像素R、绿色的子像素G及蓝色的子像素B。
在一些实施例中,第二显示区120中的子像素20可包括第三电极、位于第三电极上的发光材料层以及位于发光材料层上的第四电极。第二显示区120中各个子像素20的第四电极可以是连成一片的面电极。第二显示区120中的面电极与第一子区域111中的面电极可相连。
在一些实施例中,第三电极可为阳极,第四电极可为阴极。
在一个实施例中,第一子区域111中子像素10的密度可小于或等于第二显示区120中子像素20的密度。如此,可使得第一子区域111中金属的面积较小,有助于提升第一子区域111的光线透光率。
在一个实施例中,第一显示区110中子像素10的驱动方式为主动驱动,显示基板100还设有用于驱动子像素10的像素驱动电路,像素驱动电路与子像素10可一一对应。驱动子像素10的像素驱动电路可设置在第一子区域111中,以避免像素驱动电路影响第二子区域112的透光率。
驱动子像素10的像素驱动电路包括薄膜晶体管。参见图2至图4,薄膜晶体管14包括有源层141、栅电极142、第一电极部143及第二电极部144,子像素10的第一电极11与第二电极部144电连接。第一电极部143与第二电极部144的其中一个为源电极,另一个为漏电极。
在一个实施例中,显示基板100还可包括栅极绝缘层32、层间介质层33及平坦化层34。其中栅极绝缘层32位于有源层141与栅电极142之间,层间介质层33位于栅极绝缘层32与平坦化层34之间,第一电极部143与第二电极部144部分区域位于层间介质层33与平坦化层34之间,且通过穿透层间介质层33与栅极绝缘层32的通孔与有源层141电连接。
本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法。下面通过显示基板的制备过程进行介绍。本申请实施例所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种,刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺,则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺,则在构图工艺前称为“薄膜”,构图工艺后可称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
参见图1,所述显示基板100包括第一显示区110和第二显示区120,所述第一显示区110的透光率大于所述第二显示区120的透光率。所述第一显示区110包括第一子区域111和第二子区域112。
参见图5,所述显示基板的制备方法包括如下步骤101至步骤102。
在步骤101中,提供衬底。
在一个实施例中,衬底可以是柔性衬底,柔性衬底的材料可以是聚酰亚胺等有机材料。在其他实施例中,衬底可以是刚性衬底,刚性衬底的材料例如可以为玻璃、金属、塑料等。
在一个实施例中,在步骤101之后,所述显示基板的制备方法还包括:在所述衬底上形成像素驱动电路,像素驱动电路包括薄膜晶体管。像素驱动电路位于第一子区域111,则像素驱动电路不会影响第二子区域112的透光率。通过该步骤可得到如图6所示的第一中间结构。
参见图6,薄膜晶体管包括有源层141、栅电极142、第一电极部143及第二电极部144,子像素10的第一电极11与第二电极部144电连接。第一电极部143与第二电极部144的其中一个为源电极,另一个为漏电极。
在一示例性实施方式中,在所述衬底上形成像素驱动电路的过程可以包括如下步骤:
在衬底10上沉积有源层薄膜,通过构图工艺对有源层薄膜进行构图,形成位于第一子区域111的有源层141。
随后,依次沉积栅极绝缘层32和第一金属薄膜,通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图,形成位于第一子区域111的栅电极142。
随后,沉积层间介质层33,并对栅极绝缘层32和层间介质层33进行刻蚀,在第一子区域111形成穿透栅极绝缘层32和层间介质层33的通孔,有源层71上对应形成有多个通孔。
随后,依次沉积第二金属薄膜,通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图,形成位于第一子区域111的第一电极部143与第二电极部144,第一电极部143与第二电极部144分别通过通孔与有源层141电连接。
随后,沉积平坦化层34,并对平坦化层34进行刻蚀,形成暴露第二电极部144的接触孔341。
在步骤102中,在所述衬底的一侧形成位于所述第一显示区的多个子像素。
在一个实施例中,参见图7,所述在所述衬底的一侧形成位于所述第一显示区的多个子像素的步骤102,包括如下步骤1021至步骤1023。
在步骤1021中,在所述衬底的一侧形成第一电极,所述第一电极位于第一子区域。
通过该步骤可得到如图8所示的第二中间结构。
第一子区域111中设有多个第一电极11,每一第一电极11通过平坦化层34的接触孔341与薄膜晶体管14的第二电极部143电连接。
在步骤1022中,在所述第一电极背离所述衬底一侧形成发光层。
通过该步骤可得到如图9所示的第三中间结构。
参见图9,在步骤1022之前,所述制备方法还包括:在第一电极上形成像素限定层35,像素限定层35覆盖第一子区域111、第二子区域112及第二显示区120。像素限定层35具有位于第一子区域111的像素开口及位于第二显示区120的像素开口,位于第一子区域111的像素开口与第一子区域111的第一电极11一一对应,像素开口暴露对应的第一电极11。
在一个实施例中,在所述第一电极背离所述衬底一侧形成发光层的步骤1022包括:在第一电极11背离衬底31的一侧形成空穴注入层121;在空穴注入层121背离衬底31的一侧形成有机发光材料层122;在有机发光材料层122背离衬底31的一侧形成电子传输层123。
其中,有机发光材料层122仅位于第一子区域111,有机发光材料层122至少部分位于像素开口内。第二子区域112中未设置有机发光材料层122,可避免有机发光材料层122影响第二子区域112的透光率。图示实施例中,空穴注入层121与电子传输层123可覆盖第一子区域111与第二子区域112。空穴注入层121与电子传输层123的材料为透明材料,对第二子区域112的透光率影响较小。在其他实施例中,空穴注入层121与电子传输层123可仅位于第一子区域111。
在步骤1023中,在所述发光层背离所述衬底一侧形成第二电极,所述第二电极位于所述第一子区域。
在一些实施例中,所述第一显示区110包括多个所述第一子区域111和多个所述第二子区域112,所述第一子区域111与所述第二子区域112间隔排布。
在一些实施例中,同一所述第一子区域111的第二电极13相连形成面电极。所述制备方法还包括:形成位于所述第二子区域112的连接部,所述连接部用于将相邻所述第一子区域111的面电极电连接。
在一些实施例中,所述连接部与所述第二电极在同一工艺步骤中形成。如此,有助于简化显示基板的制备工艺。
在一个实施例中,在步骤1023之前,所述制备方法还包括:形成位于所述第二子区域的定位层,所述定位层的材料为透光材料,所述定位层的材料与所述第二电极的材料互相排斥,所述定位层用于限定所述第二电极的位置。
参见图10,在形成定位层时,首先在发光层12上放置第一掩膜板51,第一掩膜板为FMM(Fine Metal Mask,高精度金属掩模板),第一掩膜板51上设有第一开孔511,第一开孔与第二子区域112对应。随后,通过第一掩膜板51的第一开孔511在第二子区域112形成定位层21,得到如图11所示的第四中间结构。
在执行步骤1023时,参见图12,首先在第四中间结构背离衬底31的一侧放置第二掩膜板52,第二掩膜板52为open mask(开放式掩膜板),第二掩膜板52设有第二开孔521,第二开孔521暴露第一子区域111与第二子区域112。随后,通过第二掩膜板52形成第二电极13,定位层21上不会形成第二电极13。通过步骤123可得到如图13所示的第五中间结构。在一些实施例中,定位层21未全部覆盖第二子区域112,在后续步骤123形成第二电极13时可同时在第二子区域112未被定位层21覆盖的区域形成连接部。
在形成定位层21后执行步骤1023,在形成第二电极时,第二电极仅形成在未被定位层21覆盖的区域,定位层21背离衬底31的一侧不会形成第二电极。
在一个实施例中,第二电极13的材料为金属镁,定位层21的材料包括BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(对苯基苯酚)合铝)及TAZ(3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑)中的至少一种。金属镁在BAlq及TAZ材料上的附着力较差,且解吸能较低,在蒸镀金属镁形成第二电极13时,定位层21抑制金属镁在定位层21上成膜,从而金属镁只能在未设置定位层21的区域成膜。
在另一个实施例中,显示基板100不包括定位层。在所述发光层背离所述衬底一侧形成第二电极的步骤1023可以包括如下过程:
首先在发光层12上放置第三掩膜板,第三掩膜板为FMM掩膜板,第三掩膜板与第一子区域111对应的区域设有第三开孔,与第二子区域112对应的区域部分设有第四开孔,第四开孔将相邻的第三开孔连通;
采用蒸镀工艺通过第三开孔在第一子区域111形成覆盖第一子区域111的面电极,通过第四开孔在第二子区域112形成将相邻面电极电连接的连接部。
或者,在所述发光层背离所述衬底一侧形成第二电极的步骤1023可以包括如下过程:
首先,在发光层12上形成覆盖第一显示区110与第二显示区120的第三金属薄膜;
随后,对第三金属薄膜进行刻蚀,以将第三金属薄膜位于第二子区域112的一部分刻蚀掉。可采用激光烧蚀的方式对第三金属薄膜进行刻蚀。
通过上述过程可得到如图14所示的第六中间结构。
在一个实施例中,参见图4,所述制备方法还包括:形成位于所述第一显示区的透明导电层,所述透明导电层与所述第二电极电连接。
在一些实施例中,所述透明导电层22覆盖所述第一显示区110。
在一些实施例中,在所述发光层背离所述衬底一侧形成第二电极的步骤,在所述形成位于所述第一显示区的透明导电层的步骤之前形成,也即是透明导电层22与第二电极13背离衬底31的表面直接接触。在其他实施例中,在所述发光层背离所述衬底一侧形成第二电极的步骤,可在所述形成位于所述第一显示区的透明导电层的步骤之后形成,则透明导电层与第二电极13靠近衬底31的表面直接接触。
在一个实施例中,在所述衬底的一侧形成位于所述第一显示区的多个子像素之后,所述制备方法还包括:在所述第一显示区与所述第二显示区形成彩色滤光片,所述彩色滤光片包括间隔设置的彩膜和黑矩阵;所述彩色滤光片位于所述第二电极背离所述衬底的一侧。通过该步骤得到如图2至图4所示的显示基板。
在一个实施例中,所述彩色滤光片40包括镂空区,所述镂空区位于所述第二子区域。
在一个实施例中,所述制备方法还包括:形成位于所述彩色滤光片40背离衬底31一侧的透明树脂膜层39,透明树脂膜层39覆盖彩色滤光片40的镂空区及彩色滤光片40的黑矩阵41和彩膜42。
在一个实施例中,所述制备方法还包括:在第二电极13背离处衬底31一侧形成光取出层36。
在一个实施例中,所述制备方法还包括:在第二电极13背离衬底31的一侧形成封装层37。封装层37可位于光取出层36背离衬底31的一侧。
在一个实施例中,所述制备方法还包括:在第二电极13背离衬底31的一侧形成触控层38。触控层38可位于封装层37背离衬底31的一侧。
本申请实施例提供的显示基板的制备方法,第一显示区110的透光率大于第二显示区120的透光率,则可将前置摄像头、指纹识别传感器等感光器件设置在第一显示区110下方,可在保证感光器件正常工作的前提下实现显示基板100的全面屏显示;第一显示区110中多个子像素10的第一电极11位于第一子区域111,多个子像素10的第二电极位于第一子区域111,第二子区域112未设置有第一电极与第二电极,使得第二子区域112的透光率较高,可有效提升第一显示区110的透光率,保证设置的第一显示区110下方的感光器件正常工作。
对于方法实施例而言,由于其基本对应于产品的实施例,所以相关细节及有益效果的描述参见产品实施例的部分说明即可,不再进行赘述。
本申请实施例还提供了一种显示面板。所述显示面板包括上述任一实施例所述的显示基板100。
所述显示基板100还可包括盖板,盖板设置在显示基板100背离衬底31的一侧。盖板可为玻璃盖板,透光率较大。
本申请实施例还提供了一种显示装置。所述显示装置包括上述的显示面板及感光器件,所述感光器件设置在所述第一显示区下方。感光器件可通过第一显示区接收或者发射光线。
感光器件可包括前置摄像头、人脸识别传感器、指纹识别传感器等。
所述显示装置还可包括外壳,显示面板嵌设在外壳中。
本申请实施例提供的显示装置例如可以为手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑等任何具有显示功能的设备。
需要指出的是,在附图中,为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“上”时,它可以直接在其他元件上,或者可以存在中间的层。另外,可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“下”时,它可以直接在其他元件下,或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外,还可以理解,当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时,它可以为两层或两个元件之间唯一的层,或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后,将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是,本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (14)

1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率;所述第一显示区包括第一子区域和第二子区域;
所述显示基板包括衬底,所述第一显示区设有位于所述衬底一侧的多个子像素;所述子像素包括第一电极、位于所述第一电极背离所述衬底一侧的发光层、及位于所述发光层背离所述衬底一侧的第二电极;所述第一电极位于所述第一子区域,所述第二电极位于所述第一子区域。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括位于所述第二子区域的定位层,所述定位层的材料为透光材料,所述定位层的材料与所述第二电极的材料互相排斥,所述定位层用于限定所述第二电极的位置。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括位于所述第一显示区的透明导电层,所述透明导电层与所述第二电极电连接。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述透明导电层覆盖所述第一显示区;和/或,
所述透明导电层与所述第二电极背离所述衬底的表面直接接触,或者所述透明导电层与所述第二电极靠近所述衬底的表面直接接触。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括位于所述第一显示区与所述第二显示区的彩色滤光片,所述彩色滤光片包括间隔设置的彩膜和黑矩阵;所述彩色滤光片位于所述第二电极背离所述衬底的一侧。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述彩色滤光片包括镂空区,所述镂空区位于所述第二子区域。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一显示区包括多个所述第一子区域和多个所述第二子区域,所述第一子区域与所述第二子区域间隔排布;
同一所述第一子区域的第二电极相连形成面电极,所述显示基板还包括位于所述第二子区域的连接部,所述连接部用于将相邻所述面电极电连接。
8.一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述显示基板包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率;所述第一显示区包括第一子区域和第二子区域;
所述制备方法包括:
提供衬底;
在所述衬底的一侧形成位于所述第一显示区的多个子像素;
所述在所述衬底的一侧形成位于所述第一显示区的多个子像素,包括:
在所述衬底的一侧形成第一电极,所述第一电极位于所述第一子区域;
在所述第一电极背离所述衬底一侧形成发光层;
在所述发光层背离所述衬底一侧形成第二电极;所述第二电极位于所述第一子区域。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在所述发光层背离所述衬底一侧形成第二电极之前,所述制备方法还包括:
形成位于所述第二子区域的定位层,所述定位层的材料为透光材料,所述定位层的材料与所述第二电极的材料互相排斥,所述定位层用于限定所述第二电极的位置。
10.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述第一显示区包括多个所述第一子区域和多个所述第二子区域,所述第一子区域与所述第二子区域间隔排布;同一所述第一子区域的第二电极相连形成面电极;
所述制备方法还包括:形成位于所述第二子区域的连接部,所述连接部用于将相邻所述面电极电连接;
所述连接部与所述第二电极在同一工艺步骤中形成。
11.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
形成位于所述第一显示区的透明导电层,所述透明导电层与所述第二电极电连接;
所述透明导电层覆盖所述第一显示区;和/或,
在所述发光层背离所述衬底一侧形成第二电极的步骤,在所述形成位于所述第一显示区的透明导电层的步骤之前形成,或者在所述形成位于所述第一显示区的透明导电层的步骤之后形成。
12.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在所述衬底的一侧形成位于所述第一显示区的多个子像素之后,所述制备方法还包括:
在所述第一显示区与所述第二显示区形成彩色滤光片,所述彩色滤光片包括间隔设置的彩膜和黑矩阵;所述彩色滤光片位于所述第二电极背离所述衬底的一侧;
所述彩色滤光片包括镂空区,所述镂空区位于所述第二子区域。
13.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1至8任一项所述的显示基板。
14.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求13所述的显示面板及感光器件,所述感光器件设置在所述第一显示区下方。
CN202010582115.1A 2020-06-23 2020-06-23 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 Active CN111682052B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010582115.1A CN111682052B (zh) 2020-06-23 2020-06-23 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
PCT/CN2021/098198 WO2021259036A1 (zh) 2020-06-23 2021-06-03 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
US17/780,701 US20230011316A1 (en) 2020-06-23 2021-06-03 Display substrates and methods of manufacturing display substrate, display panels, display devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010582115.1A CN111682052B (zh) 2020-06-23 2020-06-23 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111682052A true CN111682052A (zh) 2020-09-18
CN111682052B CN111682052B (zh) 2023-04-07

Family

ID=72456273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010582115.1A Active CN111682052B (zh) 2020-06-23 2020-06-23 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230011316A1 (zh)
CN (1) CN111682052B (zh)
WO (1) WO2021259036A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112366279A (zh) * 2020-10-27 2021-02-12 合肥京东方卓印科技有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
CN112750887A (zh) * 2020-12-31 2021-05-04 长沙惠科光电有限公司 显示基板及其制作工艺、显示设备
WO2021259036A1 (zh) * 2020-06-23 2021-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
WO2022088956A1 (zh) * 2020-10-30 2022-05-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
WO2022188168A1 (zh) * 2021-03-12 2022-09-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2022198753A1 (zh) * 2021-03-26 2022-09-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN207338380U (zh) * 2017-07-21 2018-05-08 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板及显示装置
CN109801950A (zh) * 2019-01-31 2019-05-24 厦门天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN110767720A (zh) * 2019-06-05 2020-02-07 昆山国显光电有限公司 显示基板、显示面板及显示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110544433A (zh) * 2019-08-29 2019-12-06 合肥维信诺科技有限公司 显示基板、显示面板以及显示装置
CN111293235B (zh) * 2020-02-17 2023-04-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置
CN111682052B (zh) * 2020-06-23 2023-04-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN207338380U (zh) * 2017-07-21 2018-05-08 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板及显示装置
CN109801950A (zh) * 2019-01-31 2019-05-24 厦门天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN110767720A (zh) * 2019-06-05 2020-02-07 昆山国显光电有限公司 显示基板、显示面板及显示装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021259036A1 (zh) * 2020-06-23 2021-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN112366279A (zh) * 2020-10-27 2021-02-12 合肥京东方卓印科技有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
WO2022088948A1 (zh) * 2020-10-27 2022-05-05 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
WO2022088956A1 (zh) * 2020-10-30 2022-05-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN112750887A (zh) * 2020-12-31 2021-05-04 长沙惠科光电有限公司 显示基板及其制作工艺、显示设备
WO2022188168A1 (zh) * 2021-03-12 2022-09-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2022198753A1 (zh) * 2021-03-26 2022-09-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021259036A1 (zh) 2021-12-30
CN111682052B (zh) 2023-04-07
US20230011316A1 (en) 2023-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111682052B (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
US11183111B2 (en) Pixel unit and method for manufacturing the same, and double-sided OLED display device
US20210141304A1 (en) Mask strips, array substrates and display screens
US20220336567A1 (en) Display substrate and preparation method therefor, and display apparatus
CN110943112B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
WO2019179371A1 (zh) 有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN110890406B (zh) 一种有机发光显示背板、其制作方法及显示装置
KR20040097918A (ko) 증착 마스크, 이 증착 마스크를 사용하여 디스플레이유닛을 제조하는 방법, 및 디스플레이 유닛
CN111146215B (zh) 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
US11968872B2 (en) Display substrate including first and second corner display regions having different layer thickness and hole regions
CN113594213B (zh) 显示面板及显示装置
US20220254847A1 (en) Display substrate and method of manufacturing the same, display panel, and display apparatus
CN113241421A (zh) 显示基板、显示面板及显示装置
CN111430416A (zh) 一种显示面板及其制作方法
CN113345929A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110828518B (zh) 显示装置、显示面板及其制造方法
US20220336552A1 (en) Display substrates and methods of manufacturing the same, display panels, and display apparatuses
US20220293704A1 (en) Display substrate and manufacturing method therefor, and display device
JP2021516842A (ja) 表示パネルとその製造方法、表示装置
CN113471384A (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN109755281B (zh) Oled显示面板及其制作方法
CN215644557U (zh) 显示基板、显示面板及显示装置
US20220123252A1 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device
CN115241266A (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN113571666B (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant