CN111682035B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了显示装置。显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；共电极线，位于非显示区域中；保护层，涂覆共电极线的端部的至少一部分。

Description

显示装置
本申请是申请日为2015年7月30日、申请号为201510461261.8、题为“显示装置和用于制造显示装置的方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的实施例涉及一种显示装置和一种用于制造该显示装置的方法。
背景技术
诸如液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器的平板显示器包括一对电场产生电极和插入其间的电光活性层。液晶层作为电光活性层被包括在LCD中，有机发射层作为电光活性层被包括在OLED显示器中。
至少一个像素电极和至少一个相对电极被用以驱动电光活性层。像素电极根据像素而被分类，并且相对电极面对像素电极。相对电极可以用针对所有像素设置的共电极来取代。
使用共电极线来向共电极提供电力。共电极线通常位于像素所处的显示单元外部，并且它由具有低电阻的金属制成，以降低或防止电压降(IR-drop)。
然而，在显示装置的制造过程中重复地执行图案化工艺，这导致共电极线的损坏。
将要理解的是，此背景技术部分意图提供对理解这里公开的技术有用的背景，如此，技术背景部分可以包括这样的理念、构思或认识，即，这些理念、构思或认识并不是在这里所公开的主题的相应的有效申请日之前的相关领域的技术人员所知道或领会的部分。
发明内容
本发明的实施例的各方面涉及一种包括涂覆共电极线的端部的至少一部分的保护层的显示装置。
此外，本发明的实施例的各方面涉及一种用于制造包括涂覆共电极线的端部的至少一部分的保护层的显示装置的方法。
根据本发明的实施例，提供了一种显示装置，该显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；共电极线，位于非显示区域中；保护层，涂覆共电极线的端部的至少一部分。
在实施例中，共电极线包括金属。
在实施例中，显示区域包括至少一个薄膜晶体管，该至少一个薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极，其中，共电极线包括与源电极和漏电极基本相同的材料。
在实施例中，保护层与共电极线的一侧边缘叠置。
在实施例中，保护层的长度大于或等于显示区域的一侧的长度。
在实施例中，保护层包括沿共电极线的方向彼此分离的第一保护层和第二保护层。
在实施例中，第一保护层和第二保护层之间的距离在大约20μm到大约2000μm的范围内。
在实施例中，第一保护层涂覆共电极线的远离显示区域设置的端部的至少一部分，第二保护层未涂覆共电极线的端部，第一保护层和第二保护层交替地布置。
在实施例中，保护层具有在大约20μm到大约200μm的范围内的宽度。
在实施例中，显示区域包括至少一个显示元件，该至少一个显示元件包括：像素电极，位于基底上；光发射层，位于像素电极上；共电极，位于光发射层上，其中，共电极结合到共电极线。
在实施例中，显示区域还包括位于基底和像素电极之间的平坦化层，其中，保护层包括与平坦化层基本相同的材料。
在实施例中，显示装置还包括位于平坦化层上以限定像素区域的像素限定层，其中，像素电极和光发射层设置在像素区域中。
在实施例中，显示装置还包括位于平坦化层上的共电极结合部，共电极结合部结合到共电极线。
在实施例中，共电极结合部包括与像素电极基本相同的材料。
根据本发明的实施例，提供了一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：在基底上形成显示区域和非显示区域；在基底上的非显示区域中形成共电极线；形成覆盖共电极线的端部的至少一部分的保护层。
在实施例中，形成显示区域的步骤包括在基底上形成薄膜晶体管，形成薄膜晶体管的步骤包括：形成半导体层；形成与半导体层至少部分叠置的栅电极；形成结合到半导体层的源电极；形成与源电极分离并结合到半导体层的漏电极，其中，利用与形成共电极线基本相同的工艺来执行形成源电极和漏电极的步骤。
在实施例中，所述方法还包括在形成薄膜晶体管的步骤之后，在薄膜晶体管上形成平坦化层，其中，利用与形成保护层基本相同的工艺来执行形成平坦化层的步骤。
在实施例中，形成平坦化层的步骤包括：通过在薄膜晶体管上涂敷平坦化层形成材料来形成用于平坦化层的材料层；选择性地使用于平坦化层的材料层暴露于光；使用于平坦化层的暴露的材料层显影。
在实施例中，形成显示区域的步骤包括形成一个或更多个显示元件，其中，形成显示元件的步骤包括：在基底上形成像素电极；在像素电极上形成光发射层；在光发射层上形成共电极，其中，共电极结合到共电极线。
在实施例中，形成像素电极的步骤包括形成结合到共电极线的共电极结合部。
在实施例中，所述方法还包括在形成像素电极的步骤之后且在形成光发射层的步骤之前，在基底上形成像素限定层。
在实施例中，保护层覆盖共电极线的一侧边缘。
在实施例中，形成保护层的步骤包括形成彼此分离的第一保护层和第二保护层。
在实施例中，第一保护层和第二保护层之间的距离在大约20μm到大约2000μm的范围内。
在实施例中，形成保护层的步骤包括形成覆盖共电极线的端部的至少一部分的第一保护层以及形成未覆盖共电极线的端部的第二保护层，第一保护层和第二保护层交替地布置。
在实施例中，保护层具有在大约20μm到大约200μm的范围内的宽度。
根据本发明的实施例，显示装置包括设置在共电极线的端部上的保护层。因此，当在显示装置的制造工艺中形成层中，层形成材料可以被均匀地涂敷以形成均一层。
此外，根据本发明的实施例，可以制造在共电极线的端部上设置有保护层的显示装置。
上述总结仅是说明性的，且不意图以任何方式限制。除了上述说明性的方面、实施例和特征，通过参照附图和下面的详细描述，更多的方面、实施例和特征将变得明显。
附图说明
通过下面的在结合附图时进行的详细描述，本发明的上述和其它方面、特征和其它改进将被更加清楚地理解，在附图中，
图1是示出根据本发明的第一示例实施例的显示装置的平面图；
图2是图1的部分“A”的放大的局部视图；
图3是沿图2中的线I-I截取的剖视图；
图4是图1的部分“A”的放大的局部视图的另一示例；
图5是图4中示出的像素的等效电路图；
图6是示出根据本发明的第二实施例的显示装置的平面图；
图7是示出根据本发明的第三实施例的显示装置的局部平面图；
图8是示出根据本发明的第四实施例的显示装置的剖视图；
图9A至图9I是示出根据本发明的第一实施例的显示装置的顺序的制造工艺的剖视图；
图10A和图10B是示出共电极线的剖视图；
图11是示出用来制造显示装置的母玻璃的平面图；
图12是示出涂敷用来形成像素限定层的有机材料的剖视图。
具体实施方式
将参照附图中示出的实施例来描述本发明的各方面。然而，附图中公开的实施例和详细描述不意图限制本发明的范围。
仅为了示出本发明的实施例而选择附图。可以示意性地或夸大地示出每个元件及其形状，以帮助理解本发明。为实体产品提供的一些元件可以不被示出或者可以在附图或描述中省略。附图应该被解释为帮助理解本发明。在说明书中，相似的附图标记可以指示相似的元件。
将要理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各个元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分，而没有背离本发明构思的精神和范围。
为了便于描述，这里可以使用诸如“下面的”、“上面的”等的空间相对术语来描述图中所示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图涵盖器件在使用或操作中的除了在图中所描绘的方位之外的不同方位。器件可以被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位)，并且应当相应地解释在这里使用的空间相对描述符。另外，还将理解的是，当层称为“在”两个层“之间”时，它可以是两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。
这里使用的术语仅出于描述具体实施例的目的，且不意图限制本发明构思。如这里使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式也意图包括复数形式。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意和全部组合。当在一系列元件之后时，诸如“······中的至少一个(种)”的表述修饰整个系列的元件，而不是修饰该系列中的单个元件。
将理解的是，当元件或层称为“连接到”、“结合到”或“邻近于”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到、直接结合到或直接邻近于所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。当元件或层被称为“直接连接到”、“直接结合到”或“紧邻于”另一元件或层时，不存在中间元件或层。
如这里使用的，术语“基本”、“大约”和类似术语被用作近似的术语，而不被用作程度的术语，并意图为本领域的普通技术人员将认识到的测量值或计算值的内在变化做出解释。
当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”和/或其变形可以说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件。
将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”、“在”另一元件“上方”、“位于”另一元件“上”、“位于”另一元件“上方”、“沉积在”另一元件“上”或“沉积在”另一元件“上方”时，它可以直接在所述另一元件上或上方，或者也可以存在中间元件。此外，当描述本发明的实施例时，使用“可以”指示“本发明的一个或更多个实施例”。
在下文中，将参照图1至图3来描述本发明的第一实施例。
图1是示出根据本发明的第一实施例的显示装置的平面图。图2是图1的部分“A”的放大的局部视图。图3是沿图2中的线I-I截取的剖视图。
如图1中所示，根据第一实施例的有机发光二极管(OLED)显示器100包括基底110，基底110具有显示区域101和非显示区域102。
基底110的显示区域101可以包括多个像素，以显示图像。
共电极线230可以设置在非显示区域102中。共电极线230可以与显示区域101分隔开，并且可以沿显示区域101的边缘设置。至少一个保护层240可以设置在共电极线230的与显示区域101相对的边缘部分上。
此外，密封区域220可以设置成比共电极线230更靠外(更向外)。
显示区域101可以包括用作显示元件的有机发光二极管(OLED)210以及被构造为驱动OLED 210的薄膜晶体管(TFT)10和20。
参照图2和图3，根据第一实施例的OLED显示器100包括设置在显示区域101中并且包括开关TFT 10，驱动TFT 20，电容器80和OLED 210的多个像素。这里，术语“像素”指用来显示图像的最小单元，OLED显示器100利用多个像素来显示图像。
虽然图2示出了具有在一个像素中包括两个TFT 10和20以及一个电容器80的2Tr-1Cap结构的OLED显示器，但本发明的实施例不限于此。根据一个实施例，OLED显示器在一个像素中包括三个或更多个TFT和两个或更多个电容器，并且还可以包括导线。根据一个实施例，OLED显示器可以具有许多不同的结构。
OLED显示器100还可以包括：栅极线151，位于基底110上；数据线171和电源线172，与栅极线151绝缘并且与栅极线151交叉。虽然像素通常由栅极线151、数据线171和电源线172限定，但是它可以被不同地限定。例如，像素可以由黑矩阵或像素限定层(PDL)限定。
基底110可以是由玻璃、石英、陶瓷、塑料等制成的绝缘基底；然而，本发明的实施例不限于此。例如，基底110可以是由不锈钢或者本领域技术人员已知的任何其它合适材料制成的金属基底。
缓冲层120可以设置在基底110上。缓冲层120可以降低或防止诸如杂质和湿气的不期望元素的渗入，并且可以提供平坦的表面。缓冲层120可以由用于平坦化和/或防止渗入的合适的材料制成。例如，缓冲层120可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)或氮氧化硅(SiOxNy)中的一种或更多种。在实施例中，可以根据基底110的种类和工艺条件省略缓冲层120。
开关半导体层131和驱动半导体层132可以设置在缓冲层120上。开关半导体层131和驱动半导体层132可以由例如多晶硅、非晶硅和氧化物半导体(诸如氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锌锡(IZTO))中的一种或更多种制成。例如，在图3中示出的由多晶硅制成的驱动半导体层132的示例中，驱动半导体层132可以包括：沟道区域135，未被杂质掺杂；p+掺杂的源极区域136和p+掺杂的漏极区域137，位于沟道区域135的各个侧上。在此示例中，诸如硼(B)的p型杂质可以用作掺杂离子。例如，可以使用B2H6。这样的杂质可以根据TFT的种类来变化。根据本发明的第一实施例，利用P型杂质的PMOS结构的TFT被用作驱动TFT 20；然而，本发明的实施例不限于此。例如，NMOS结构的TFT或CMOS结构的TFT也可以用作驱动TFT 20。
栅极绝缘层140可以设置在开关半导体层131和驱动半导体层132上。栅极绝缘层140可以包括例如正硅酸乙酯(TEOS)、氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)中的一种或更多种。在实施例中，栅极绝缘层140可以具有双层结构，在该双层结构中，具有大约40nm的厚度的氮化硅层和具有大约80nm的厚度的TEOS层顺序地层压。
包括栅电极152和155(例如，开关栅电极152和驱动栅电极155)的栅极布线可以设置在栅极绝缘层140上。栅极布线还可以包括栅极线151、第一电容器板158和其它导线。栅电极152和155可以设置为与半导体层131和132的至少一部分叠置，例如，与沟道区域叠置。在形成半导体层131和132的工艺中，当利用杂质掺杂半导体层131和132的源极区域136和漏极区域137时，栅电极152和155可以基本上防止(例如，防止)沟道区域被杂质掺杂。
栅电极152和155以及第一电容器板158可以设置在同一层上，并且可以由基本相同的金属材料制成。栅电极152和155以及第一电容器板158可以包括钼(Mo)、铬(Cr)和钨(W)中的至少一种。
被构造为覆盖栅电极152和155的层间绝缘层160可以设置在栅极绝缘层140上。类似于栅极绝缘层140，层间绝缘层160可以由正硅酸乙酯(TEOS)、氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成；然而，本发明的实施例不限于此。
包括源电极173和176(例如，开关源电极173和驱动源电极176)以及漏电极174和177(例如，开关漏电极174和驱动漏电极177)的数据布线可以设置在层间绝缘层160上。数据布线还可以包括数据线171、电源线172、第二电容器板178和其它导线。源电极173和176以及漏电极174和177可以通过形成在栅极绝缘层140和层间绝缘层160中的接触开口(例如，孔)分别结合到半导体层131和132的源极区域136和漏极区域137。
因此，开关TFT 10可以包括开关半导体层131、开关栅电极152、开关源电极173和开关漏电极174，驱动TFT 20可以包括驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176和驱动漏电极177。TFT 10和20的构造不限于上述实施例，并且可以根据本领域普通技术人员理解的其它合适的构造来变化。
电容器80可以包括第一电容器板158和第二电容器板178，层间绝缘层160插入在第一电容器板158和第二电容器板178之间。
开关TFT 10可以用作选择像素以执行光发射的开关器件。开关栅电极152可以结合到栅极线151。开关源电极173可以结合到数据线171。开关漏电极174可以与开关源电极173分隔开，并且可以结合到第一电容器板158上。
驱动TFT 20可以向像素电极211施加驱动功率，以使选择的像素中的OLED 210的光发射层212发射光。驱动栅电极155可以结合到第一电容器板158。驱动源电极176和第二电容器板178可以结合到电源线172。驱动漏电极177可以通过接触孔结合到OLED 210的像素电极211。
开关TFT 10可以通过施加到栅极线151的栅极电压来被操作，并且可以用来向驱动TFT 20传输施加到数据线171的数据电压。与从电源线172施加到驱动TFT 20的共电压和从开关TFT 10传输的数据电压之间的差值相等的电压可以被储存在电容器80中，与储存在电容器80中的电压对应的电流可以通过驱动TFT 20流到OLED 210，使得OLED 210可以发射光。
在非显示区域102的层间绝缘层160上，共电极线230可以被设置成比密封区域220更向里(例如，在密封区域220内侧)。共电极线230可以由与源电极173和176以及漏电极174和177基本相同的材料(例如，同一材料)制成。
源电极173和176、漏电极174和177以及共电极线230可以由金属材料制成。金属材料的示例可以包括钼(Mo)、铬(Cr)、钨(W)、铝(Al)和/或铜(Cu)，所述金属可以单独使用或者彼此结合使用。源电极173和176、漏电极174和177以及共电极线230可以具有单层结构或多层结构。
平坦化层180可以设置在层间绝缘层160上，并且可以被构造为覆盖数据布线(171、172、173、174、176、177和178)。平坦化层180可以用于通过消除或减小台阶来使设置在平坦化层180上的OLED 210的表面平坦化，以增加OLED 210的光发射效率。
平坦化层180可以由从聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)中选择的至少一种制成。
同时，保护层240可以涂覆在共电极线230的邻近于密封区域220的端部的至少一部分。保护层240可以由与平坦化层180基本相同的材料制成，并且可以通过与平坦化层180的形成图案的基本相同的工艺(例如，同一工艺)来形成。
根据第一实施例，OLED显示器100包括彼此分隔开(例如，分隔开预定的距离)的至少两个保护层240。保护层240可以沿共电极线230的方向彼此分隔开(例如，分隔开预定的距离)。
保护层240的长度和彼此相邻的保护层240之间的距离不受严格地限制。可以沿共电极线230延伸所沿的方向测量保护层240的长度。可以在与保护层240的长度垂直的方向上测量保护层240的宽度。保护层240之间的距离可以指两个相邻的保护层240之间的距离。
可以通过考虑图案的可加工性和沿保护层240的层形成材料的流动性来确定保护层240的长度和保护层240之间的距离。保护层240可以具有在大约20μm到大约2000μm的范围内或者更长的长度。相邻的保护层240之间的距离可以在大约20μm到大约2000μm的范围内或者更大。
保护层240的宽度可以根据共电极线230的宽度来变化。考虑到在大约200μm到大约300μm的范围内的共电极线230的大体宽度，保护层240可以具有在大约20μm到大约200μm的范围内的宽度。保护层240的宽度也可以比200μm大。保护层240可以具有与平坦化层180基本相同的高度(例如，同一高度)；然而，本发明的实施例不限于此。例如，保护层240可以具有与平坦化层180不同的高度。
此外，保护层240可以不延伸到密封区域220。当保护层240延伸到密封区域220时，密封性质会降低。
OLED 210的像素电极211可以设置在平坦化层180上。像素电极211可以通过平坦化层180的接触开口(例如，孔)结合到漏电极177。
像素电极211可以是如下类型中的任一类型：透射型、透反射型和反射型。
可以使用透明导电氧化物(TCO)来形成透射电极。TCO的示例可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(In2O3)。
可以使用诸如镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)和铜(Cu)的金属或者它们的合金来形成透反射电极和反射电极。在这种情况下，透反射电极和反射电极可以具有不同的厚度。例如，透反射电极可以具有大约200nm或者更小的厚度，反射电极可以具有大约300nm或者更大的厚度。随着透反射电极的厚度减小，透光率和电阻两者都会增加。相反，随着透反射电极的厚度增大，透光率会降低。
透反射电极和反射电极可以具有多层结构，该多层结构包括由金属或其合金制成的金属层以及层压在金属层上的透明导电氧化物层。
根据包括在像素电极211和共电极213中的材料的种类，可以将OLED显示器100分成三种类型：顶发射型、底发射型和双发射型。根据第一实施例，OLED显示器100是顶发射型。也就是说，OLED 210可以在共电极213的方向上发射光，以显示图像。为了改善OLED显示器(例如，顶发射OLED显示器)100的光发射效率，像素电极211可以是反射电极。反射电极的示例可以包括具有如下结构的电极，在该结构中，由ITO制成的透明导电氧化物层层压在由银(Ag)制成的金属层上。反射电极也可以具有顺序地层压有银(Ag)、ITO和银(Ag)的三层结构。
同时，共电极结合部231可以设置在非显示区域102的平坦化层180上。共电极结合部231可以从平坦化层180的上部延伸到共电极线230，以使共电极线230具有放大的接触区域。共电极结合部231可以具有与像素电极211基本相同的成分(例如，相同的成分)和构造，并且也可以通过与像素电极211基本相同的工艺来形成。
像素限定层(PDL)190可以设置在平坦化层180上，以通过暴露像素电极211的至少一部分来限定像素区域。像素电极211可以设置在被PDL 190限定的像素区域中。在这种情况下，共电极结合部231可以被PDL 190部分地覆盖，并且可以被部分地暴露。
PDL 190可以由聚丙烯酸酯树脂和/或聚酰亚胺树脂等制成。
光发射层212可以设置在像素区域中的像素电极211上，共电极213可以设置在PDL190和光发射层212上。共电极213可以与共电极结合部231接触，从而它可以电连接到共电极线230。
光发射层212可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个层可以设置在像素电极211和光发射层212之间，电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个层可以设置在光发射层212和共电极213之间。
共电极213可以形成为透反射层。用作共电极213的透反射层可以由包括镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)和铜(Cu)的至少一种金属制成。共电极213可以具有多层结构，该多层结构包括包含镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种的金属层以及层压在金属层上的透明导电氧化物(TCO)层。
如上所述，OLED 210可以包括像素电极211、位于像素电极211上的光发射层212以及位于光发射层212上的共电极213。这里，像素电极211可以用作可以是空穴注入电极的阳极，共电极213可以用作可以是电子注入电极的阴极。然而，本发明的实施例不限于此，例如，根据OLED显示器100的驱动方法，像素电极211可以是阴极，且共电极213可以是阳极。
密封构件250可以设置在密封层225上，以覆盖驱动TFT 20和OLED 210。由玻璃或塑料制成的透明绝缘基底可以用作密封构件250。
密封构件250可以通过密封区域220中的密封层225与基底110分隔开。密封层225可以由例如密封料或玻璃料制成。
以上，已经参照图1至图3描述了第一实施例；然而，本发明的实施例不限于此。
在一个实施例中，交替地层压有有机层和无机层的薄膜包封层可以设置在OLED210上。在此实施例中，可以省略密封构件250和密封层225。此外，许多不同的导线可以设置在密封层225和基底110之间，并通过密封层225和基底110绝缘，以提供信号或电力。
在下文中，可以参照图4和图5来描述根据第一实施例的显示装置的像素构造的另一示例。
图4是图1的部分“A”的放大的局部视图的另一示例，并且示出了根据第一实施例的包括在OLED显示器100中的像素的另一实施例的布局。
图4示出了三个像素。图5是图4中示出的一个像素的等效电路图。
图4中示出的每个像素可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、一个或更多个电容器C1和C2、扫描线SCAN[n]、数据线DATA[m](n和m是正整数)、第一电源线ELVDD、第二电源线ELVSS和OLED。
像素也可以进一步包括扫描线SCAN[n-1]、发射控制线EM[n]、初始化电压线Vint以及包括补偿TFT T3的TFT T3、T4、T5和T6。通过初始化电压线Vint传输的初始化电压VIN可以使驱动TFT T1初始化。
开关TFT T2可以根据通过扫描线SCAN[n]传输的扫描信号来进行开关操作。例如，开关TFT T2的栅电极可以连接到扫描线SCAN[n]。开关TFT T2的源电极可以连接到数据线DATA[m]。扫描线SCAN[n]和数据线DATA[m]可以在彼此交叉的方向上设置。开关TFT T2的漏电极可以电连接到驱动TFT T1的源电极和第一电源线ELVDD。
驱动TFT T1可以根据开关TFT T2的开关操作来接收数据信号，以向OLED传输驱动电流。
驱动TFT T1的栅电极可以连接到第一电容器C1的一个电极。第一电容器C1的另一电极可以连接到第一电源线ELVDD。
第一电源线ELVDD可以被设置成与数据线DATA[m]平行。驱动TFT T1的漏电极可以电连接到OLED的阳极211。第二电源线ELVSS可以连接到OLED的阴极213。因此，OLED可以通过接收来自驱动TFT T1的驱动电流来发射光。
OLED可以包括注入空穴的阳极211、注入电子的阴极213以及设置在阳极211和阴极213之间的光发射层212。
在下文中，将参照图5来更详细地描述用于图4中示出的像素的操作过程。
首先，当TFT T4根据通过扫描线SCAN[n-1]传输的扫描信号而处于导通状态时，初始化电压VIN可以提供至第一电容器C1的一端和驱动TFT T1的栅电极。
然后，开关TFT T2和补偿TFT T3可以根据通过扫描线SCAN[n]传输的扫描信号而导通。当开关TFT T2和补偿TFT T3处于导通状态时，通过数据线DATA[m]传输的数据电压可以被传输至驱动TFT T1的源电极，驱动TFT T1可以是二极管连接(diode-connected)。
随后，通过从数据电压减去驱动TFT T1的阈值电压而获得的电压可以施加到驱动TFT T1的栅电极和源电极。
然后，TFT T5和T6可以通过经由发射控制线EM[n]传输的发射控制信号而导通，驱动TFT T1的栅电极的电压可以因通过扫描线SCAN[n]传输的扫描信号的增加而增大。
当两个TFT T5和T6处于导通状态时，第一电源线ELVDD的电压可以提供至驱动TFTT1的源电极，根据栅极-源极电压差的驱动电流可以流到驱动TFT T1。驱动电流可以通过导通的TFT T6传输到OLED的阳极。
在下文中，将参照图6来描述本发明的第二实施例，并且为了避免重复，可以仅对第一实施例和第二实施例之间的不同进行描述，而不重复描述第一实施例的组件。
根据第二实施例，OLED显示器200包括位于显示区域101的左侧和右侧的共电极线230a和230b。OLED显示器200还可以包括被构造成涂覆共电极线230a的一部分的保护层240a和被构造成涂覆共电极线230b的一部分的保护层240b。在这种情况下，保护层240a和240b可以与显示区域101的一侧的长度同样长，或者可以比显示区域101的一侧的长度长。保护层240a和240b的长度可以根据显示区域101的长度来变化。保护层240a和240b可以覆盖共电极线230a和230b的一侧边缘。
在下文中，将参照图7来描述本发明的第三实施例，为了避免重复，可以仅对上述实施例和第三实施例之间的不同进行描述，而不再重复描述第一实施例的组件。
图7是示出根据本发明的第三实施例的OLED显示器300的局部平面图。
根据第三实施例，OLED显示器300包括沿共电极线230以z字形形式设置的第一保护层241和第二保护层242。保护层240(241、242)可以涂覆共电极线230的与密封区域220相邻的端部的至少一部分。在该实施例中，第一保护层241和第二保护层242可以交替地设置在共电极线230上，其中，第一保护层241涂覆共电极线230的与密封区域220相邻的端部，第二保护层242未涂覆共电极线230的所述端部。
第一保护层241和第二保护层242可以分别具有在大约20μm到大约2000μm的范围内或者更大的长度。第一保护层241和第二保护层242之间的距离可以在大约20μm到大约2000μm的范围内或者更大。第一保护层241和第二保护层242可以分别具有在大约20μm到大约100μm的范围内的宽度，或者宽度可以分别比100μm大。
在下文中，将参照图8来描述本发明的第四实施例，为了避免重复，可以仅对上述实施例和第四实施例之间的不同进行描述，而不再重复描述第一实施例的组件。
根据第四实施例，OLED显示器400包括与共电极结合部231和共电极线230叠置的像素限定层(PDL)190。PDL 190可以具有形成在与共电极结合部231对应的区域中的接触开口(例如，孔)199。共电极213和共电极结合部231可以通过接触开口(例如，孔)199彼此结合，因此，提供到共电极线230的电力可以传输到共电极213。
在下文中，将参照图9A至图9I来描述制造根据第一实施例的OLED显示器100的方法。用于制造OLED显示器100的方法可以包括在基底110上形成显示区域101和非显示区域102，可以在非显示区域102中形成共电极线230和保护层240。
如图9A中所示，可以在由玻璃或塑料制成的基底110上形成缓冲层120，可以在缓冲层120上形成半导体层132，可以在半导体层132上形成栅极绝缘层140，可以在栅极绝缘层140上形成包括栅电极155和第一电容器板158的栅极布线，可以将层间绝缘层形成材料涂敷到栅极布线，以形成用于层间绝缘层的材料层161。
然后，如图9B中所示，可以部分地去除用于(例如，组成)层间绝缘层160的材料层161和栅极绝缘层140，以形成使半导体层132的源极区域的一部分和漏极区域的一部分暴露的源极接触开口(例如，孔)166和漏极接触开口(例如，孔)167。
然后，如图9C中所示，可以形成源电极176和漏电极177，也可以形成数据线171、第二电容器板178和电源线172，使得可以形成数据布线，其中，源电极176和漏电极177通过源极接触开口(例如，孔)166和漏极接触开口(例如，孔)167结合到半导体层132。另外，可以在非显示区域102的层间绝缘层160上形成共电极线230。可以通过与源电极176和漏电极177基本相同的工艺由与源电极176和漏电极177基本相同的材料形成共电极线230。
然后，如图9D中所示，可以将平坦化层形成材料涂敷到数据布线和共电极线230，以形成用于平坦化层的材料层181，然后可以利用图案掩模810来执行光刻。换言之，利用图案掩模810对材料层181执行光刻，以形成平坦化层。平坦化层形成材料的示例可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)或光敏树脂。
图案掩模810可以包括掩模基底811和位于掩模基底811上的遮光图案812。可以在显影工艺中去除用于平坦化层的材料层181的暴露的部分，并且可以在显影工艺之后保留用于平坦化层的材料层181的未暴露的部分。在这种情况下，根据平坦化层形成材料的种类，暴露的部分可以被去除，而未暴露的部分可以保留。
然后，如图9E中所示，可以通过显影工艺和固化工艺来形成具有像素接触开口(例如，孔)182的平坦化层180和保护层240。固化工艺可以包括热固化或光固化。通过固化工艺可以使平坦化层180和保护层240变成稳固层。平坦化层180可以覆盖共电极线230的朝着显示区域101设置的端部，保护层240可以覆盖共电极线230的朝着密封区域220设置的端部。
如图9F中所示，可以在平坦化层180上形成像素电极211和结合到共电极线230的共电极结合部231。像素电极211可以通过像素接触开口(例如，孔)结合到驱动TFT 20的漏电极177。可以通过与像素电极211基本相同的工艺由与像素电极211基本相同的材料来形成共电极结合部231。
在一个实施例中，可以通过包括以下步骤的方法来形成像素电极211和共电极结合部231：通过在平坦化层180和共电极线230上形成金属层并将透明导电氧化物层层压在金属层上来形成导电材料层；图案化导电材料层。
然后，如图9G中所示，可以将光敏有机材料涂敷到像素电极211、共电极结合部231、暴露的共电极线230和暴露的平坦化层180的全部表面，以形成用于像素限定层的有机材料层191，然后可利用图案掩模820来执行光刻。换言之，利用图案掩模820对有机材料层191执行光刻，以形成像素限定层。
光敏有机材料的示例可以包括聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂。为了形成用于像素限定层的有机材料层191，可以使用狭缝喷嘴来涂敷诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的光敏有机材料。保护层240可以形成在共电极线230上，因此光敏有机材料可以不聚集在共电极线230的端部中，并且可以容易地流出。因此，可以以均一的方式来形成用于像素限定层的有机材料层191。
图案掩模820可以包括掩模基底821和位于掩模基底821上的遮光图案822。可以在显影工艺中去除用于像素限定层的有机材料层191的暴露的部分，并且可以在显影工艺之后仍然保留其未暴露的部分。
然后，如图9H中所示，可以通过显影工艺形成具有开口195的像素限定层(PDL)190。可以通过热固化或光固化使PDL 190变成稳固层。PDL 190的形成在像素电极211上的开口195可以与像素区域对应。此外，可以部分地暴露共电极结合部231。
然后，如图9I中所示，可以在通过PDL 190的开口195暴露的像素电极211上形成光发射层212，并且可以在光发射层212和PDL 190上形成共电极213。共电极213可以与共电极结合部231接触。
此后，可以在共电极213上形成密封构件250，从而可以制造如图3中所示的OLED显示器100。
在下文中，可以参照图10A和图10B来描述形成保护层240的原因。
图10A是示出位于层间绝缘层160上的共电极线230的剖视图。与数据布线一起形成的共电极线230可以具有如图10A中所示的正锥形的截面。
共电极线230可以由金属形成，平坦化层180可以仅形成在共电极线230的一个端部(左侧)上(见图9E)。同时，在形成共电极线230之后，可以在形成位于层间绝缘层160上的平坦化层180的工艺中执行显影，并且可以在形成位于平坦化层180上的像素电极211和共电极结合部231的工艺中执行显影和蚀刻。当重复地执行显影和蚀刻时，共电极线230的暴露的端部(右侧)可能被损坏。因此，共电极线230的暴露的端部会具有如图10B中所示的倒锥形的形状239。
此外，为了形成PDL 190，可以将光敏有机材料涂敷到像素电极211和共电极230。在这种情况下，光敏有机材料不会积聚在一定区域中，并且可以均匀地流动以形成平滑的PDL 190。如图11中所示，在利用一个母玻璃11制造多个显示装置100的工艺中，涂敷到整个母玻璃11的光敏有机材料可以在母玻璃11上均匀地流动。
在共电极线230的端部具有如图10A中所示的正锥形的形状的情况下，光敏有机材料可以容易地流下共电极线230的端部的斜坡。然而，当共电极线230的端部被损坏，从而具有如图10B中所示的倒锥形的形状239时，光敏有机材料不会容易地流下共电极线230的损坏的端部，并且会集中在共电极线230的端部中。因此，在用于像素限定层的有机材料层191中会产生台阶。
图12是示出涂覆用于像素限定层的有机材料的剖视图。如图12中所示，当从喷嘴910提供的光敏有机材料不能容易地流下共电极线230的端部时，光敏有机材料会积累在共电极线230的端部，并且积累的光敏有机材料会如利用箭头所标记地朝着显示区域101反向地流动。如上所述，当光敏有机材料积累在共电极线230的端部时，在一些示例中可以为h1的光敏有机材料的高度会变为h2或h3。直到光敏有机材料的高度变为h2或h3，积累在共电极线230的端部的光敏有机材料才会流到相邻的区域，于是在用于像素限定层的有机材料层中会产生台阶。因此，像素限定层可能无法形成为具有均一的层厚度。因此，OLED显示器100会具有低质量的光发射。
根据本发明的一些实施例，当共电极线230的端部涂覆有保护层240时，光敏有机材料可以通过保护层240容易地流动，因此，它可以累积以在共电极线230的端部具有合适的高度。因此，可以得到平坦或平滑的层。
由上可知，将理解的是，出于说明的目的，这里已经描述了本公开的各个实施例，并且在不脱离本公开的范围和精神的情况下可以做各种修改。因此，这里公开的各种实施例不意图成为限制，真正的范围和精神由权利要求及其等同物表示。

Claims (14)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和非显示区域；
共电极线，位于所述非显示区域中；以及
保护层，设置在所述共电极线上，以及
共电极结合部，结合到所述共电极线，
其中，所述显示区域包括至少一个晶体管和至少一个显示元件，其中，所述显示元件包括位于所述基底上的像素电极、位于所述像素电极上的光发射层以及位于所述光发射层上的共电极，所述共电极结合到所述共电极结合部，
其中，所述保护层包括多个第一保护层，
其中，所述共电极结合部和所述显示元件的所述共电极在平面图中与所述多个第一保护层均分隔开。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述保护层还包括多个第二保护层。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述多个第一保护层和所述多个第二保护层沿着所述共电极线的方向交替布置。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述共电极线包括金属。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示区域的所述至少一个晶体管包括至少一个薄膜晶体管，所述至少一个薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极，其中，所述共电极线包括与所述源电极和所述漏电极相同的材料。
6.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述多个第一保护层和所述多个第二保护层中的至少一者与所述共电极线的一侧边缘叠置。
7.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述多个第一保护层和所述多个第二保护层沿着所述共电极线的所述方向彼此分离。
8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述多个第一保护层和所述多个第二保护层之间的距离在20μm到2000μm的范围内。
9.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述多个第一保护层涂覆所述共电极线的远离所述显示区域设置的端部的至少一部分，并且所述多个第二保护层未涂覆所述共电极线的端部。
10.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述保护层具有在20μm到200μm范围内的宽度。
11.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示区域还包括位于所述基底和所述像素电极之间的平坦化层，其中，所述保护层包括与所述平坦化层相同的材料。
12.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括位于所述平坦化层上以限定像素区域的像素限定层，
其中，所述像素电极和所述光发射层位于所述像素区域中。
13.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述共电极结合部位于所述平坦化层上。
14.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述共电极结合部包括与所述像素电极相同的材料。
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