CN111662256A - 有机电致发光装置和用于有机电致发光装置的多环化合物 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及有机电致发光装置和用于有机电致发光装置的多环化合物。该有机电致发光装置包括第一电极、设置在第一电极上的空穴传输区、设置在空穴传输区上的发射层、设置在发射层上的电子传输区和设置在电子传输区上的第二电极，其中空穴传输区包括由式1表示的多环化合物，从而显示高发射效率。

Description

有机电致发光装置和用于有机电致发光装置的多环化合物
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年3月5日提交的韩国专利申请第10-2019-0025425号和2019年6月28日提交的韩国专利申请第10-2019-0077607号的优先权和权益，为了所有目的将这些申请在此通过引用并入，如同在本文中充分阐述一样。
技术领域
本发明的示例性实施方式一般涉及有机电致发光装置和用于有机电致发光装置的多环化合物。
背景技术
最近，有机电致发光显示装置作为图像显示装置的开发正积极进行。不同于液晶显示装置，有机电致发光显示装置为所谓的自发光显示装置，其中从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，并且发射层中的包括有机化合物的发光材料发射光以用于显示。
在有机电致发光装置于显示装置的应用中，需要有机电致发光装置的驱动电压的降低以及发射效率和寿命的增加，并且在不断追求稳定地达到要求的用于有机电致发光装置的材料的开发。
本背景技术部分公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此，它可包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据本发明的示例性实施方式构造的装置能够提供有机电致发光装置和用于有机电致发光装置的多环化合物，并且更具体地，具有高效率的有机电致发光装置，和有机电致发光装置的空穴传输区中包括的多环化合物。
本发明构思的另外特征将在下面的描述中阐述，并且将部分地从描述中是明显的，或可通过本发明构思的实践而获知。
本发明构思的示例性实施方式提供了有机电致发光装置，该有机电致发光装置包括第一电极、第一电极上的空穴传输区、空穴传输区上的发射层、发射层上的电子传输区和电子传输区上的第二电极，其中空穴传输区包括由下述式1表示的多环化合物：
[式1]
Figure BDA0002399564790000021
在式1中，X为O或S，Ar1和Ar2各自独立地为取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的芳基、取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的杂芳基或由式2表示，R1和R2各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的芳基、取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的杂芳基或由式2表示，“m”和“n”各自独立地为选自0至4的整数，并且Ar1、Ar2、R1和R2中的任一个由下述式2表示：
[式2]
Figure BDA0002399564790000022
在式2中，L为直接键合、取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的亚芳基或取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的亚杂芳基，“p”为选自0至3的整数，并且R3和R4各自独立地为取代或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的芳基或取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的杂芳基，或者R3和R4与相邻基团结合以形成环，其中如果式1中的Ar1或Ar2由式2表示，则L不为直接键合。
在实施方式中，式1可由下述式3或式4表示：
[式3]
Figure BDA0002399564790000031
[式4]
Figure BDA0002399564790000032
在式3和式4中，X、Ar1、Ar2、R1至R4、L、“m”、“n”和“p”与式1和式2中定义的相同。
在实施方式中，式1可由下述式5或式6表示：
[式5]
Figure BDA0002399564790000033
[式6]
Figure BDA0002399564790000041
在实施方式中，在式5和式6中，R5和R6各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的芳基或取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的杂芳基，“q”和“r”各自独立地为选自0至3的整数，并且X、Ar1、Ar2、R1至R4、L、“m”、“n”和“p”与式1和式2中定义的相同。
在实施方式中，L可为取代或未取代的具有6至12个用于形成环的碳原子的亚芳基。
在实施方式中，L可为取代或未取代的亚苯基。
在实施方式中，Ar1和Ar2可各自独立地为取代或未取代的具有6至20个用于形成环的碳原子的芳基。
在实施方式中，X可为O。
在实施方式中，式5可由下述式7或式8表示：
[式7]
Figure BDA0002399564790000042
[式8]
Figure BDA0002399564790000051
在式7和式8中，X、Ar1、Ar2、R2至R5、L、“n”、“p”和“q”与式5中定义的相同。
在实施方式中，式6可由下述式9或式10表示：
[式9]
Figure BDA0002399564790000052
[式10]
Figure BDA0002399564790000061
在式9和式10中，X、Ar1、Ar2、R1、R3、R4、R6、L、“m”、“p”和“r”与式6中定义的相同。
在实施方式中，空穴传输区可包括第一电极上的空穴注入层和空穴注入层上的空穴传输层，其中空穴传输层可包括由式1表示的多环化合物。
在实施方式中，空穴传输区可进一步包括空穴传输层上的电子阻挡层。
在实施方式中，由式1表示的多环化合物可为在化合物组1和化合物组2中表示的化合物中选择的任一种。
在实施方式中，由式1表示的多环化合物可为在化合物组3至化合物组6中表示的化合物中选择的任一种。
在本发明构思的示例性实施方式中，提供了由式1表示的多环化合物。
应当理解，前述一般描述和下述详细描述均为示例性和解释性的，并且旨在提供所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
包括附图以提供本发明的进一步理解，并且附图并入并构成本说明书的一部分，附图示出本发明的示例性实施方式，并与描述一起用于解释本发明构思。
图1为示意性示出根据本发明构思的实施方式的有机电致发光装置的截面图；
图2为示意性示出根据本发明构思的实施方式的有机电致发光装置的截面图；并且
图3为示意性示出根据本发明构思的实施方式的有机电致发光装置的截面图。
具体实施方式
在以下描述中，为了解释的目的，阐释了许多具体细节，以便提供对本发明的各种示例性实施方式或实施的透彻理解。如本文使用的“实施方式”和“实施”是可互换的词语，其是采用本文公开的一个或多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。但是，显而易见，可在没有这些具体细节的情况下或在用一个或多个等效布置的情况下实践各种示例性实施方式。在其他情况下，以框图形式显示熟知的结构和装置，以便避免不必要地混淆各种示例性实施方式。此外，各种示例性实施方式可能不同，但是不必是排他性的。例如，在不背离本发明构思的情况下，一个示例性实施方式的具体形状、构造和特性可在另一个示例性实施方式中使用或实施。
除非另外指出，否则所说明的示例性实施方式应理解为提供改变在实践中可实施本发明构思的一些方式的细节的示例性特征。因此，除非另外指出，否则在不背离本发明构思的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文单独或共同称为“元件”)可以以其他方式组合、分开、互换和/或重排。
通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用来使邻近元件的边界清楚。这样，除非指出，否则存在或缺少交叉影线或阴影都不表达或指示对元件的特定材料、材料性质、维度、比例、所示元件之间的共性，和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏爱或要求。此外，在附图中，为了清楚起见和/或描述目的，元件的尺寸和相对尺寸可被放大。当可不同地实施示例性实施方式时，具体工艺顺序可以与所描述的顺序不同地进行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行。而且，相同的参考数值表示相同的元件。
当元件，比如层，被称为在另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、连接至或联接至另一元件或层，或可存在中间元件或层。但是，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为了该目的，术语“连接”可指用或不用中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，D1-轴、D2-轴和D3-轴不限于直角坐标系的三个轴，比如x轴、y轴和z轴，并且可在更广泛的意义上来解释。例如，D1-轴、D2-轴和D3-轴可彼此垂直，或可表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一种”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一种”可解释为仅X、仅Y、仅Z，或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，比如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所使用，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任意和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可称为第二元件。
空间相对术语，比如“下方”、“下面”、“之下”、“下”、“上面”、“上方”、“之上”、“上”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等，可在本文中用于描述性目的，并且从而用于描述附图中所示的一个元件与另一个元件(多个元件)的关系。空间相对术语旨在包括除了图中描绘的定向之外的使用、操作和/或制造中的设备的不同定向。例如，如果将图中的设备翻转，描述为在其他元件或特征“下面”或“下方”的元件则将定向在其他元件或特征的“上面”。因此，示例性术语“下面”可包括上面和下面的定向两者。此外，设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，这样，相应地解释本文使用的空间相对描述符。
本文使用的术语是为了描述具体实施方式的目的，并且不旨在是限制性的。如本文所使用，单数形式“一个(a)”、“一种(an)”和“所述(the)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指出。而且，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当在本说明书中使用时，表明存在叙述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。还应注意，如本文所使用，术语“基本上”、“约”和其他类似术语，用作近似的术语而不用作程度的术语，并且，这样，用于解释本领域普通技术人员会认识的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
本文中参考作为理想的示例性实施方式和/或中间结构的示意图示的截面图示和/或分解图示，描述了各种示例性实施方式。这样，应预料到例如由于制造技术和/或公差造成的与图示形状的变化。因此，本文公开的示例性实施方式不应必须解释为限于区域的具体所示形状，而是解释为包括例如由于制造造成的形状的偏差。如此，图中所示的区域本质上可为示意性的，并且这些区域的形状可能不反映装置的区域的实际形状，并且这样，不一定旨在是限制性的。
除非以其他方式限定，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。术语，比如常用词典中限定的那些，应解释为具有的含义与它们在相关领域的语境下的含义一致，并且不应以理想化或过于正式的意义解释，除非本文明确如此限定。
首先，将参考图1至图3解释根据本发明构思的实施方式的有机电致发光装置。
图1为示意性示出根据本发明构思的实施方式的有机电致发光装置的截面图。图2为示意性示出根据本发明构思的实施方式的有机电致发光装置的截面图。图3为示意性示出根据本发明构思的实施方式的有机电致发光装置的截面图。
参考图1至图3，根据实施方式的有机电致发光装置10包括逐层层压的第一电极EL1、空穴传输区HTR、发射层EML、电子传输区ETR和第二电极EL2。
空穴传输区HTR包括根据本发明构思的实施方式的多环化合物。下文，将详细地解释根据本发明构思的实施方式的多环化合物，并且然后，将解释有机电致发光装置10的每个层。
在描述中，——*意指连接位置。
在描述中，术语“取代或未取代的”对应于被选自由下述组成的组中的至少一种取代基取代或未取代：氘原子、卤素原子、氰基、硝基、氨基、甲硅烷基、硼基、氧化膦基、硫化膦基、烷基、烯基、芳基和杂环基。另外，示例性取代基中的每一个可为取代或未取代的。例如，联苯基可被解释为芳基，或被苯基取代的苯基。
在描述中，术语“通过与相邻基团结合形成环”可意指通过与相邻基团结合形成取代或未取代的烃环，或取代或未取代的杂环。烃环包括脂族烃环和芳族烃环。杂环包括脂族杂环和芳族杂环。通过与相邻基团结合形成的环可为单环的环或多环的环。另外，通过与相邻基团结合形成的环可与另一环结合以形成螺结构。
在描述中，术语“相邻基团”可意指将与被对应取代基取代的原子直接结合的原子取代的取代基、将被对应取代基取代的原子取代的另一取代基，或空间上位于与对应取代基最接近的位置处的取代基。例如，在1,2-二甲基苯中，两个甲基可被解释为彼此的“相邻基团”，并且在1,1-二乙基环戊烯中，两个乙基可被解释为彼此的“相邻基团”。
在描述中，卤素原子的实例包括氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
在描述中，烷基可为直链、支链或环型。烷基的碳数可为1至50、1至30、1至20、1至10，或1至6。烷基的实例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2-乙基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2-辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基、正三十烷基等，而没有限制。
在描述中，芳基意指衍生自芳族烃环的任选的官能团或取代基。芳基可为单环芳基或多环芳基。芳基中用于形成环的碳数可为6至30、6至20，或6至15。芳基的实例可包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、六联苯基、苯并菲基、芘基、苯并荧蒽基、屈基等，而没有限制。
在描述中，芴基可为取代的，并且两个取代基可彼此结合以形成螺结构。取代的芴基的实例如下。然而，本发明构思的实施方式不限于此。
Figure BDA0002399564790000101
在描述中，杂芳基可为包括O、N、P、Si或S中的至少一种作为杂原子的杂芳基。杂芳基的用于形成环的碳数可为2至30，或2至20。杂芳基可为单环杂芳基或多环杂芳基。多环杂芳基的实例可具有双环或三环结构。杂芳基的实例可包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、N-芳基咔唑基、N-杂芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、异噁唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并噻咯基、二苯并呋喃基等，而没有限制。
在描述中，甲硅烷基包括烷基甲硅烷基和芳基甲硅烷基。甲硅烷基的实例可包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等。然而，本发明构思的实施方式不限于此。
在描述中，烯基可为直链的或支链的。碳数不特别限制，并且可为2至30、2至20或2至10。烯基的实例可包括乙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1,3-丁二烯基芳基、苯乙烯基、苯乙烯基乙烯基等。
在描述中，对芳基的解释可应用于亚芳基，不同的是亚芳基为二价基团。
在描述中，对杂芳基的解释可应用于亚杂芳基，不同的是亚杂芳基为二价基团。
在描述中，杂环基可包括B、O、N、P、Si和S中的一个或多个作为杂原子。如果杂环基包括两个或更多个杂原子，则两个或更多个杂原子可相同或不同。杂环基可为单环杂环基或多环杂环基，并且具有包括杂芳基的概念。用于形成杂环基的环的碳数可为2至30、2至20或2至10。
根据本发明构思的实施方式的多环化合物由下述式1表示：
[式1]
Figure BDA0002399564790000111
在式1中，X为O或S。
在式1中，Ar1和Ar2各自独立地为取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的芳基、取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的杂芳基或由式2表示。
在式1中，R1和R2各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的芳基、取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的杂芳基或由式2表示。
在式1中，“m”为选自0至4的整数。同时，如果“m”为2或更大，则多个R1基团相同或不同。
在式1中，“n”为选自0至4的整数。同时，如果“n”为2或更大，则多个R2基团相同或不同。
在式1中，Ar1、Ar2、R1和R2中的任一个由下述式2表示：
[式2]
Figure BDA0002399564790000112
在式2中，L为取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的亚芳基，或取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的亚杂芳基。
在式2中，“p”为选自0至3的整数。同时，如果“p”为2或更大，则多个L基团相同或不同。
在式2中，R3和R4各自独立地为取代或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的芳基、取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的杂芳基，或者R3和R4与相邻基团结合以形成环。
同时，如果式1中的Ar1或Ar2由式2表示，则式2中的L不是直接键合。在根据本发明构思的多环化合物中，Ar1和Ar2明确地为取代或未取代的芳基或取代或未取代的杂芳基。即，多环化合物具有这样的结构：其中具有大体积的芳基或杂芳基在菲并呋喃和菲并噻吩的高反应性的呋喃环和噻吩环的α位置和β位置处取代。
在实施方式中，式1中的Ar1可由式2表示。在该情况下，式1可由式3表示。
[式3]
Figure BDA0002399564790000121
在式3中，X、Ar2、R1至R4、L、“m”、“n”和“p”与式1和式2中定义的相同。
在实施方式中，式1中的Ar2可由式2表示。在该情况下，式1可由式4表示。
[式4]
Figure BDA0002399564790000122
在式4中，X、Ar1、R1至R4、L、“m”、“n”和“p”与式1和式2中定义的相同。
在实施方式中，式1中的R1可由式2表示。在该情况下，式1可由下述式5表示：
[式5]
Figure BDA0002399564790000131
在式5中，R5为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的芳基或取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的杂芳基。
在式5中，“q”可为选自0至3的整数。同时，如果“q”为2或更大，则多个R5基团相同或不同。
在式5中，X、Ar1、Ar2、R2至R4、L、“n”和“p”与式1和式2中定义的相同。
在实施方式中，式5可由下述式7或式8表示：
[式7]
Figure BDA0002399564790000132
[式8]
Figure BDA0002399564790000141
在式7和式8中，X、Ar1、Ar2、R2至R5、L、“n”、“p”和“q”与式5中定义的相同。
在实施方式中，式1中的R2可由式2表示。在该情况下，式1可由下述式6表示：
[式6]
Figure BDA0002399564790000142
在式6中，R6可为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的芳基或取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的杂芳基。
在式6中，“r”可为选自0至3的整数。同时，如果“r”为2或更大，则多个R6基团相同或不同。
在式6中，X、Ar1、Ar2、R1、R3、R4、L、“m”和“p”与式1和式2中定义的相同。
在实施方式中，式6可由下述式9和式10表示：
[式9]
Figure BDA0002399564790000151
[式10]
Figure BDA0002399564790000152
在式9和式10中，X、Ar1、Ar2、R1、R3、R4、R6、L、“m”、“p”和“r”与式6中定义的相同。
在式1中，L可为取代或未取代的具有6至12个用于形成环的碳原子的亚芳基。L可为，例如，取代或未取代的亚苯基。然而，本发明构思的实施方式不限于此。在该情况下，“m”可为1。然而，本发明构思的实施方式不限于此。
在式1中，Ar1和Ar2可各自独立地为取代或未取代的具有6至20个用于形成环的碳原子的芳基。例如，Ar1和Ar2可各自独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基或取代或未取代的芴基。然而，本发明构思的实施方式不限于此。
在实施方式中，式1中的X可为O。
根据本发明构思的实施方式的由式1表示的多环化合物可为在下述化合物组1和化合物组2中表示的化合物中选择的任一种，而没有限制：
[化合物组1]
Figure BDA0002399564790000161
Figure BDA0002399564790000171
Figure BDA0002399564790000181
[化合物组2]
Figure BDA0002399564790000191
Figure BDA0002399564790000201
Figure BDA0002399564790000211
根据本发明构思的实施方式的由式1表示的多环化合物可为在下述化合物组3至化合物组6中表示的化合物中选择的任一种，而没有限制：
[化合物组3]
Figure BDA0002399564790000221
Figure BDA0002399564790000231
[化合物组4]
Figure BDA0002399564790000241
Figure BDA0002399564790000251
[化合物组5]
Figure BDA0002399564790000261
Figure BDA0002399564790000271
Figure BDA0002399564790000281
[化合物组6]
Figure BDA0002399564790000282
Figure BDA0002399564790000291
Figure BDA0002399564790000301
再次参考图1至图3，将解释根据本发明构思的实施方式的有机电致发光装置。空穴传输区HTR包括根据本发明构思的实施方式的多环化合物。例如，空穴传输区HTR包括由式1表示的多环化合物。
下文，将主要针对与根据本发明构思的实施方式的多环化合物的不同给出具体解释，并且未解释的部分将遵循根据本发明构思的实施方式的多环化合物。
在实施方式的有机电致发光装置10中，第一电极EL1具有导电性。第一电极EL1可使用金属合金或导电化合物形成。第一电极EL1可为阳极。
第一电极EL1可为透射电极、透反射电极或反射电极。如果第一电极EL1为透射电极，则第一电极EL1可使用透明金属氧化物(比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO))来形成。如果第一电极EL1为透反射电极或反射电极，则第一电极EL1可包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、其化合物或其混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。而且，第一电极EL1可具有包括包含使用上述材料形成的反射层或透反射层和使用ITO、IZO、ZnO或ITZO形成的透射导电层的多个层的结构。例如，第一电极EL1可包括ITO/Ag/ITO的多个层。
第一电极EL1的厚度可为约
Figure BDA0002399564790000311
至约
Figure BDA0002399564790000312
例如，约
Figure BDA0002399564790000313
至约
Figure BDA0002399564790000314
在第一电极EL1上提供空穴传输区HTR。空穴传输区HTR可包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、空穴缓冲层或电子阻挡层EBL中的至少一种。
空穴传输区HTR可包括如上所述的根据本发明构思的实施方式的多环化合物。
空穴传输区HTR可具有使用单种材料形成的单个层、使用多种不同材料形成的单个层，或包括使用多种不同材料形成的多个层的多层结构。
例如，空穴传输区HTR可具有空穴注入层HIL或空穴传输层HTL的单个层的结构，并且可具有使用空穴注入材料和空穴传输材料形成的单个层的结构。可替换地，空穴传输区HTR可具有使用多种不同材料形成的单个层的结构，或具有以下的从第一电极EL1层压的结构：空穴注入层HIL/空穴传输层HTL、空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/空穴缓冲层、空穴注入层HIL/空穴缓冲层、空穴传输层HTL/空穴缓冲层，或空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/电子阻挡层EBL，而没有限制。
空穴传输区HTR可使用各种方法比如真空沉积方法、旋转涂布方法、浇铸方法、朗缪尔-布罗基特(LB)方法、喷墨打印方法、激光打印方法和激光诱导热成像(LITI)方法形成。
如上所述，空穴传输区HTR可具有含有多个层的多层结构，并且多个层中的任一层可包括由式1表示的多环化合物。例如，空穴传输区HTR可包括设置在第一电极EL1上的空穴注入层HIL和设置在空穴注入层HIL上的空穴传输层HTL，并且空穴传输层HTL可包括由式1表示的多环化合物。然而，本发明构思的实施方式不限于此，例如，空穴注入层HIL可包括由式1表示的多环化合物。另外，空穴传输区HTR可进一步包括设置在空穴传输层HTL上的电子阻挡层EBL。
空穴传输区HTR可包括一种或两种或更多种的由式1表示的多环化合物。例如，空穴传输区HTR可包括选自化合物组1至化合物组6中表示的化合物中的至少一种。
然而，空穴传输区可进一步在每个层中包括下面列出的材料。
空穴注入层HIL可包括，例如，酞菁化合物(比如铜酞菁)、N,N’-二苯基-N,N’-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯基-4,4’-二胺(DNTPD)、4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4’,4”-三(N,-(2-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺(2-TNATA)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPD)、含三苯胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐、二吡嗪并[2,3-f:2’,3’-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(HAT-CN)等。然而，本发明构思的实施方式不限于此。
空穴传输层HTL可包括如上所述由式1表示的多环化合物。然而，本发明构思的实施方式不限于此，并且可包括本领域熟知的常用材料。例如，空穴传输层HTL可包括咔唑衍生物(比如N-苯基咔唑和聚乙烯咔唑)、氟类衍生物、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4’-二胺(TPD)、三苯胺类衍生物(比如4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPD)、4,4’-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4’-双[N,N’-(3-甲苯基)氨基]-3,3’-二甲基联苯(HMTPD))，等。
同时，空穴传输区HTR可进一步包括电子阻挡层EBL，并且电子阻挡层EBL可设置在空穴传输层HTL和发射层EML之间。电子阻挡层EBL起到防止从电子传输区ETR向空穴传输区HTR的电子注入的作用。
电子阻挡层EBL可包括，例如，咔唑衍生物(比如N-苯基咔唑和聚乙烯咔唑)、氟类衍生物、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4’-二胺(TPD)、三苯胺类衍生物(比如4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPD)、4,4’-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4’-双[N,N’-(3-甲苯基)氨基]-3,3’-二甲基联苯(HMTPD))、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)等。另外，电子阻挡层EBL可包括根据本发明构思的实施方式的多环化合物。
空穴传输区HTR的厚度可为约
Figure BDA0002399564790000331
至约
Figure BDA0002399564790000332
例如，约
Figure BDA0002399564790000333
至约
Figure BDA0002399564790000334
空穴注入层HIL的厚度可为，例如，约
Figure BDA0002399564790000335
至约
Figure BDA0002399564790000336
并且空穴传输层HTL的厚度可为约
Figure BDA0002399564790000337
至约
Figure BDA0002399564790000338
例如，电子阻挡层EBL的厚度可为约
Figure BDA0002399564790000339
至约
Figure BDA00023995647900003310
如果空穴传输区HTR、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL的厚度满足上述范围，则在驱动电压无显著增加的情况下可实现令人满意的空穴传输特性。
除了上述材料之外，空穴传输区HTR可进一步包括电荷产生材料以提高导电性。电荷产生材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区HTR中。电荷产生材料可为，例如，p-掺杂剂。p-掺杂剂可为醌衍生物、金属氧化物和含氰基的化合物中的一种，而没有限制。例如，p-掺杂剂的非限制性实例可包括醌衍生物(比如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ))、金属氧化物(比如氧化钨和氧化钼)，而没有限制。
如上所述，除了空穴注入层HIL和空穴传输层HTL之外，空穴传输区HTR可进一步包括空穴缓冲层和电子阻挡层EBL中的至少一种。空穴缓冲层可根据由发射层EML发射的光的波长来补偿共振距离并增加光发射效率。包括在空穴传输区HTR中的材料可用作包括在空穴缓冲层中的材料。
在空穴传输区HTR上提供发射层EML。发射层EML可具有例如约
Figure BDA00023995647900003311
至约
Figure BDA00023995647900003312
Figure BDA00023995647900003313
的厚度。发射层EML可具有使用单种材料形成的单个层、使用多种不同材料形成的单个层，或具有使用多种不同材料形成的多个层的多层结构。
发射层EML可使用各种方法比如真空沉积方法、旋转涂布方法、浇铸方法、朗缪尔-布罗基特(LB)方法、喷墨打印方法、激光打印方法和激光诱导热成像(LITI)方法形成。
发射层EML可发射红光、绿光、蓝光、白光、黄光和青光中的一种。发射层EML可包括荧光发射材料或磷光发射材料。
作为发射层EML的材料，可使用熟知的发光材料，并且其可选自荧蒽衍生物、芘衍生物、芳炔衍生物、蒽衍生物、芴衍生物、苝衍生物、屈衍生物等，而没有具体限制。优选地，可使用芘衍生物、苝衍生物和蒽衍生物。例如，作为发射层EML的主体材料，可使用由下面式11表示的蒽衍生物。
[式11]
Figure BDA0002399564790000341
在式11中，W1至W4各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的芳基或取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的杂芳基，或W1至W4可与相邻基团结合以形成环，m1和m2各自独立地为选自0至4的整数，并且m3和m4各自独立地为选自0至5的整数。
如果m1为1，则W1可不为氢原子，如果m2为1，则W2可不为氢原子，如果m3为1，则W3可不为氢原子，并且如果m4为1，则W4可不为氢原子。
如果m1为2或更大，则多个W1基团相同或不同。如果m2为2或更大，则多个W2基团相同或不同。如果m3为2或更大，则多个W3基团相同或不同。如果m4为2或更大，则多个W4基团相同或不同。
由式11表示的化合物为实施方式，并且可包括由下面结构表示的化合物。然而，由式11表示的化合物的实施方式不限于此。
Figure BDA0002399564790000351
发射层EML可包括，例如，荧光材料，该荧光材料包括选自由下述组成的组中的任一种：螺-DPVBi、2,2',7,7'-四(联苯-4-基)-9,9'-螺二芴(螺-联六苯)(螺-6P)、二苯乙烯基-苯(DSB)、二苯乙烯基-芳烃(DSA)、聚芴(PFO)类聚合物和聚对苯乙炔(PPV)类聚合物。
发射层EML可进一步包括掺杂剂并且掺杂剂可使用已知的材料。例如，苯乙烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯(BCzVB)、4-(二对甲苯基氨基)-4’-[(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]芪(DPAVB)和N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺(N-BDAVBi))、苝及其衍生物(例如，2,5,8,11-四-叔丁基苝(TBPe))、芘及其衍生物(例如，1,1-二芘、1,4-二芘基苯、1,4-双(N,N-二苯基氨基)芘、1,6-双(N,N-二苯基氨基)芘)、N,N,N',N'-四苯基联苯胺(TPB)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)等可用作掺杂剂。
发射层EML可包括，例如，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基芳烃(DSA)、4,4’-双(9-咔唑基)-2,2’-二甲基-联苯(CDBP)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、双[2-(二苯基膦)苯基]醚氧化物(DPEPO)、六苯基环三磷腈(CP1)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)、六苯基环三硅氧烷(DPSiO3)、八苯基环四硅氧烷(DPSiO4)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并呋喃(PPF)等。
在发射层EML上提供电子传输区ETR。电子传输区ETR可包括空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一种。然而，本发明构思的实施方式不限于此。
电子传输区ETR可具有使用单种材料形成的单个层、使用多种不同材料形成的单个层，或具有使用多种不同材料形成的多个层的多层结构。
例如，电子传输区ETR可具有电子注入层EIL或电子传输层ETL的单层结构，或使用电子注入材料和电子传输材料形成的单层结构。此外，电子传输区ETR可具有含有多种不同材料的单层结构，或具有以下的从第一电极EL1层压的结构：电子传输层ETL/电子注入层EIL或空穴阻挡层HBL/电子传输层ETL/电子注入层EIL，而没有限制。电子传输区ETR的厚度可为，例如，约
Figure BDA0002399564790000361
至约
Figure BDA0002399564790000362
电子传输区ETR可使用各种方法比如真空沉积方法、旋转涂布方法、浇铸方法、朗缪尔-布罗基特(LB)方法、喷墨打印方法、激光打印方法和激光诱导热成像(LITI)方法形成。
如果电子传输区ETR包括电子传输层ETL，则电子传输区ETR可包括，例如，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(N-苯基苯并咪唑基-1-基)苯基)-9,10-二萘基蒽、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1’-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)或其混合物，而没有限制。
如果电子传输区ETR包括电子传输层ETL，则电子传输层ETL的厚度可为约
Figure BDA0002399564790000363
Figure BDA0002399564790000364
至约
Figure BDA0002399564790000365
并且可为，例如，约
Figure BDA0002399564790000366
至约
Figure BDA0002399564790000367
如果电子传输层ETL的厚度满足上述范围，则在驱动电压无显著增加的情况下可获得令人满意的电子传输特性。
如果电子传输区ETR包括电子注入层EIL，则电子传输区ETR可包括，例如，金属卤化物(比如LiF、NaCl、CsF、RbCl、RbI、KI)、镧系金属(比如Yb)、金属氧化物(比如Li2O、BaO)，或8-羟基喹啉锂(LiQ)。然而，本发明构思的实施方式不限于此。电子注入层EIL也可使用电子传输材料和绝缘有机金属盐的混合材料形成。有机金属盐可为具有约4eV或更大的能带隙的材料。特别地，有机金属盐可包括，例如，金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐或金属硬脂酸盐。
如果电子传输区ETR包括电子注入层EIL，则电子注入层EIL的厚度可为约
Figure BDA0002399564790000368
至约
Figure BDA0002399564790000371
例如，约
Figure BDA0002399564790000372
至约
Figure BDA0002399564790000373
如果电子注入层EIL的厚度满足以上描述的范围，则在不引起驱动电压的显著增加的情况下可获得令人满意的电子注入特性。
电子传输区ETR可包括如上所述的空穴阻挡层HBL。空穴阻挡层HBL可包括，例如，2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)和4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)中的至少一种。然而，本发明构思的实施方式不限于此。
在电子传输区ETR上提供第二电极EL2。第二电极EL2具有导电性。第二电极EL2可使用金属合金或导电化合物形成。第二电极EL2可为阴极。第二电极EL2可为透射电极、透反射电极或反射电极。如果第二电极EL2为透射电极，则第二电极EL2可包括透明金属氧化物，例如，ITO、IZO、ZnO、ITZO等。
如果第二电极EL2为透反射电极或反射电极，则第二电极EL2可包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、其化合物或其混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。第二电极EL2可具有包括使用上述材料形成的反射层或透反射层和使用ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明导电层的多层结构。
虽然未显示，但第二电极EL2可与辅助电极连接。如果第二电极EL2与辅助电极连接，则第二电极EL2的电阻可降低。
在有机电致发光装置10中，根据向第一电极EL1和第二电极EL2中的每一个施加电压，从第一电极EL1注入的空穴可通过空穴传输区HTR移动到发射层EML，并且从第二电极EL2注入的电子可通过电子传输区ETR移动到发射层EML。电子和空穴在发射层EML中复合以产生激子，并且激子可通过从激发态跃迁到基态而发射光。
如果有机电致发光装置10为顶发射型，则第一电极EL1可为反射电极并且第二电极EL2可为透射电极或透反射电极。如果有机电致发光装置10为底发射型，则第一电极EL1可为透射电极或透反射电极并且第二电极EL2可为反射电极。
根据本发明构思的实施方式的有机电致发光装置10的特征在于包括由式1表示的多环化合物，并因此可实现高效率和寿命的增加。另外，可实现降低驱动电压的效果。
下文，将参考具体实施方式和比较实施方式更具体地解释本发明构思。下述实施方式仅为例示以帮助理解本发明构思，并且本发明构思的范围不限于此。
[合成例]
根据本发明构思的实施方式的多环化合物可通过例如下述来合成。然而，根据本发明构思的实施方式的多环化合物的合成方法不限于此。
1.化合物A2的合成
(中间体IM-1的合成)
Figure BDA0002399564790000381
在Ar气氛下，将20.00g(103.0mmol)的9-菲酚、42.69g(3.0eq，308.9mmol)的K2CO3、30.74g(1.5eq，154.5mmol)的苯甲酰甲基溴和343ml(0.3M)的丙酮逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约70℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，通过硅藻土过滤反应溶液，并且在减压下浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-1(25.09g，产率78％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝312的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-1。
(中间体IM-2的合成)
Figure BDA0002399564790000382
在Ar气氛下，将20.00g(64.0mmol)的IM-1、213ml(0.3M)的甲苯和0.68ml(0.2eq，12.8mmol)的H2SO4逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液，并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层，并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-2(15.27g，产率81％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝294的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-2。
(中间体IM-3的合成)
Figure BDA0002399564790000391
在Ar气氛下，将12.0g(40.8mmol)的IM-2、10.09g(1.1eq，44.8mmol)的NIS和204ml(0.2M)的CHCl3逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约60℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，在减压下将反应溶液浓缩并且通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-3(12.85g，产率75％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝420的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-3。
(中间体IM-4的合成)
Figure BDA0002399564790000392
在Ar气氛下，将10.00g(23.8mmol)的IM-3、5.26g(1.1eq，26.2mmol)的4-溴苯硼酸、9.87g(3.0eq，71.4mmol)的K2CO3、1.37g(0.05eq，1.2mmol)的Pd(PPh3)4和167ml的甲苯/EtOH/H2O的混合溶液逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约80℃下加热同时搅拌。在冷却至室温后，用甲苯萃取反应溶液。去除水性层，用饱和盐水溶液洗涤有机层并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-4(8.23g，产率77％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝449的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-4。
(化合物A2的合成)
Figure BDA0002399564790000401
在Ar气氛下，将5.00g(11.1mmol)的IM-4、0.19g(0.03eq，0.3mmol)的Pd(dba)2、2.14g(2.0eq，22.3mmol)的NaOtBu、56ml的甲苯、3.93g(1.1eq，12.2mmol)的双(4-联苯基)胺和0.23g(0.1eq，1.1mmol)的PtBu3逐一添加至200ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层，并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得作为固体的化合物A2(6.37g，产率83％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝689的分子离子峰，并且鉴定出化合物A2。
2.化合物A48的合成
(中间体IM-5的合成)
Figure BDA0002399564790000402
在Ar气氛下，将10.00g(23.8mmol)的IM-3、5.26g(1.1eq，26.2mmol)的3-溴苯硼酸、9.87g(3.0eq，71.4mmol)的K2CO3、1.37g(0.05eq，1.2mmol)的Pd(PPh3)4和167ml的甲苯/EtOH/H2O(4/2/1)的混合溶液逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约80℃下加热同时搅拌。在冷却至室温后，用甲苯萃取反应溶液。去除水性层，并且用饱和盐水溶液洗涤有机层并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-5(7.38g，产率69％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝449的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-5。
(化合物A48的合成)
Figure BDA0002399564790000411
在Ar气氛下，将5.00g(11.1mmol)的IM-5、0.19g(0.03eq，0.3mmol)的Pd(dba)2、2.14g(2.0eq，22.3mmol)的NaOtBu、56ml的甲苯、5.16g(1.1eq，12.2mmol)的双[4-萘-1-基)苯基]胺和0.23g(0.1eq，1.1mmol)的PtBu3逐一添加至200ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层，并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得作为固体的化合物A48(6.94g，产率79％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝789的分子离子峰，并且鉴定出化合物A48。
3.化合物A57的合成
(中间体IM-6的合成)
Figure BDA0002399564790000412
在Ar气氛下，将20.00g(95.11mmol)的9-菲硫醇(9-phenanthrothiol)、39.43g(3.0eq，285.3mmol)的K2CO3、28.40g(1.5eq，142.7mmol)的苯甲酰甲基溴和317ml(0.3M)的丙酮逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约70℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，通过硅藻土过滤反应溶液，并且在减压下浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-6(28.42g，产率91％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝328的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-6。
(中间体IM-7的合成)
Figure BDA0002399564790000421
在Ar气氛下，将20.00g(60.9mmol)的IM-6、203ml(0.3M)的甲苯和0.65ml(0.2eq，12.2mmol)的H2SO4逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液，并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层，并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-7(16.82g，产率89％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝310的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-7。
(中间体IM-8的合成)
Figure BDA0002399564790000422
在Ar气氛下，将12.0g(38.7mmol)的IM-7、9.57g(1.1eq，42.5mmol)的NIS和194ml(0.2M)的CHCl3逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约60℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，在减压下将反应溶液浓缩并且通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-8(12.31g，产率73％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝436的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-8。
(中间体IM-9的合成)
Figure BDA0002399564790000431
在Ar气氛下，将10.00g(22.9mmol)的IM-8、5.06g(1.1eq，25.2mmol)的4-溴苯硼酸、9.50g(3.0eq，71.4mmol)的K2CO3、1.15g(0.05eq，1.1mmol)的Pd(PPh3)4和160ml的甲苯/EtOH/H2O(4/2/1)的混合溶液逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约80℃下加热同时搅拌。在冷却至室温后，用甲苯萃取反应溶液。去除水性层，用饱和盐水溶液洗涤有机层并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-9(8.42g，产率79％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝465的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-9。
(化合物A57的合成)
Figure BDA0002399564790000432
在Ar气氛下，将5.00g(10.7mmol)的IM-9、0.19g(0.03eq，0.3mmol)的Pd(dba)2、2.06g(2.0eq，21.5mmol)的NaOtBu、54ml的甲苯、4.82g(1.1eq，11.8mmol)的N-苯基-9,9’-螺二[芴]-2-胺和0.22g(0.1eq，1.1mmol)的PtBu3逐一添加至200ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层，并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得作为固体的化合物A57(5.87g，产率69％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝792的分子离子峰，并且鉴定出化合物A57。
4.化合物B22的合成
(中间体IM-10的合成)
Figure BDA0002399564790000441
在Ar气氛下，将20.00g(95.11mmol)的9-菲酚、42.70g(3.0eq，308.9mmol)的K2CO3、42.93g(1.5eq，154.5mmol)的4-溴苯甲酰甲基溴和343ml(0.3M)的丙酮逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约70℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，通过硅藻土过滤反应溶液，并且在减压下浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-10(31.42g，产率78％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝391的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-10。
(中间体IM-11的合成)
Figure BDA0002399564790000442
在Ar气氛下，将20.00g(51.1mmol)的IM-10、170ml(0.3M)的甲苯和0.54ml(0.2eq，10.2mmol)的H2SO4逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液，并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层，并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-11(14.69g，产率77％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝373的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-11。
(中间体IM-12的合成)
Figure BDA0002399564790000451
在Ar气氛下，将12.0g(32.2mmol)的IM-11、7.96g(1.1eq，35.4mmol)的NIS和160ml(0.2M)的CHCl3逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约60℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，在减压下将反应溶液浓缩并且通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-12(13.16g，产率82％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝499的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-12。
(中间体IM-13的合成)
Figure BDA0002399564790000452
在Ar气氛下，将10.00g(20.0mmol)的IM-12、2.69g(1.1eq，22.0mmol)的苯硼酸、8.31g(3.0eq，60.1mmol)的K2CO3、1.16g(0.05eq，1.0mmol)的Pd(PPh3)4和140ml的甲苯/EtOH/H2O(4/2/1)的混合溶液逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约80℃下加热同时搅拌。在冷却至室温后，用甲苯萃取反应溶液。去除水性层，并且用饱和盐水溶液洗涤有机层并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-13(6.12g，产率68％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝449的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-13。
(化合物B22的合成)
Figure BDA0002399564790000461
在Ar气氛下，将5.00g(11.1mmol)的IM-13、0.19g(0.03eq，0.3mmol)的Pd(dba)2、2.14g(2.0eq，22.3mmol)的NaOtBu、54ml的甲苯、5.01g(1.1eq，12.2mmol)的N,9,9-三苯基-9H-芴-2-胺和0.23g(0.1eq，1.1mmol)的PtBu3逐一添加至200ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层，并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得作为固体的化合物B22(6.15g，产率71％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝777的分子离子峰，并且鉴定出化合物B22。
5.化合物B42的合成
(中间体IM-14的合成)
Figure BDA0002399564790000462
在Ar气氛下，将10.00g(20.0mmol)的IM-12、4.67g(1.1eq，22.0mmol)的二苯并[b,d]呋喃-3-基硼酸、8.31g(3.0eq，60.1mmol)的K2CO3、1.16g(0.05eq，1.0mmol)的Pd(PPh3)4和140ml的甲苯/EtOH/H2O(4/2/1)的混合溶液逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约80℃下加热同时搅拌。在冷却至室温后，用甲苯萃取反应溶液。去除水性层，并且用饱和盐水溶液洗涤有机层并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-14(7.67g，产率71％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝539的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-14。
(化合物B42的合成)
Figure BDA0002399564790000471
在Ar气氛下，将5.00g(9.3mmol)的IM-14、0.16g(0.03eq，0.3mmol)的Pd(dba)2、1.78g(2.0eq，18.5mmol)的NaOtBu、46ml的甲苯、3.28g(1.1eq，10.2mmol)的双(4-联苯基)胺和0.19g(0.1eq，0.9mmol)的PtBu3逐一添加至200ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层，并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得作为固体的化合物B42(4.70g，产率65％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝779的分子离子峰，并且鉴定出化合物B42。
6.化合物B44的合成
(中间体IM-15的合成)
Figure BDA0002399564790000472
在Ar气氛下，将25.00g(71.0mmol)的2,7-二溴菲-9-醇、19.05g(2.2eq，156.2mmol)的苯硼酸、58.89g(6.0eq，426.1mmol)的K2CO3、8.21g(0.1eq，7.1mmol)的Pd(PPh3)4和497ml的甲苯/EtOH/H2O的混合溶液逐一添加至1000ml三颈烧瓶，随后在约80℃下加热同时搅拌。在冷却至室温后，用甲苯萃取反应溶液。去除水性层，并且用饱和盐水溶液洗涤有机层并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-15(28.51g，产率92％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝436的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-15。
(中间体IM-16的合成)
Figure BDA0002399564790000481
在Ar气氛下，将25.00g(57.3mmol)的IM-15、29.92g(3.0eq，216.49mmol)的K2CO3、30.09g(1.5eq，108.2mmol)的4-溴苯甲酰甲基溴和240ml(0.3M)的丙酮逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约70℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，通过硅藻土过滤反应溶液，并且在减压下浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-16(30.98g，产率79％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝543的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-16。
(中间体IM-17的合成)
Figure BDA0002399564790000482
在Ar气氛下，将20.00g(36.8mmol)的IM-16、123ml(0.3M)的甲苯和0.39ml(0.2eq，7.4mmol)的H2SO4逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液，并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层，并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-17(14.89g，产率77％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝525的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-17。
(中间体IM-18的合成)
Figure BDA0002399564790000491
在Ar气氛下，将12.0g(22.8mmol)的IM-17、5.65g(1.1eq，25.1mmol)的NIS和114ml(0.2M)的CHCl3逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约60℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，在减压下将反应溶液浓缩并且通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-18(10.26g，产率69％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝651的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-18。
(中间体IM-19的合成)
Figure BDA0002399564790000492
在Ar气氛下，将10.00g(15.3mmol)的IM-18、2.06g(1.1eq，16.9mmol)的苯硼酸、6.36g(3.0eq，46.1mmol)的K2CO3、0.89g(0.05eq，0.77mmol)的Pd(PPh3)4和180ml的甲苯/EtOH/H2O(4/2/1)的混合溶液逐一添加至300ml三颈烧瓶，随后在约80℃下加热同时搅拌。在冷却至室温后，用甲苯萃取反应溶液。去除水性层，并且用饱和盐水溶液洗涤有机层并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-19(7.48g，产率81％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝601的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-19。
(化合物B44的合成)
Figure BDA0002399564790000501
在Ar气氛下，将5.00g(8.3mmol)的IM-19、0.14g(0.03eq，0.2mmol)的Pd(dba)2、1.60g(2.0eq，16.6mmol)的NaOtBu、42ml的甲苯、2.94g(1.1eq，9.1mmol)的双(4-联苯基)胺和0.17g(0.1eq，0.8mmol)的PtBu3逐一添加至200ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层，并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得作为固体的化合物B44(6.6g，产率88％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝842的分子离子峰，并且鉴定出化合物B44。
7.化合物C11的合成
(中间体IM-20的合成)
Figure BDA0002399564790000502
在Ar气氛下，将20.00g(87.5mmol)的7-氯菲-9-醇、36.26g(3.0eq，262.4mmol)的K2CO3、26.11g(1.5eq，131.2mmol)的苯甲酰甲基溴和292ml(0.3M)的丙酮逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约70℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，通过硅藻土过滤反应溶液，并且在减压下浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-20(24.87g，产率82％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝346的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-20。
(中间体IM-21的合成)
Figure BDA0002399564790000511
在Ar气氛下，将20.00g(57.7mmol)的IM-20、192ml(0.3M)的甲苯和0.61ml(0.2eq，11.5mmol)的H2SO4逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液，并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层，并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-21(15.55g，产率82％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝328的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-21。
(中间体IM-22的合成)
Figure BDA0002399564790000512
在Ar气氛下，将12.0g(36.5mmol)的IM-21、9.03g(1.1eq，40.1mmol)的NIS和182ml(0.2M)的CHCl3逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约60℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，在减压下将反应溶液浓缩并且通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-22(13.11g，产率79％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝454的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-22。
(中间体IM-23的合成)
Figure BDA0002399564790000521
在Ar气氛下，将10.00g(22.0mmol)的IM-22、2.95g(1.1eq，24.2mmol)的苯硼酸、9.12g(3.0eq，66.0mmol)的K2CO3、1.27g(0.05eq，1.1mmol)的Pd(PPh3)4和154ml的甲苯/EtOH/H2O(4/2/1)的混合溶液逐一添加至300ml三颈烧瓶，随后在约80℃下加热同时搅拌。在冷却至室温后，用甲苯萃取反应溶液。去除水性层，并且用饱和盐水溶液洗涤有机层并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-23(8.01g，产率90％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝404的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-23。
(化合物C11的合成)
Figure BDA0002399564790000522
在Ar气氛下，将5.00g(12.3mmol)的IM-23、5.02g(1.1eq，13.6mmol)的9-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二噁硼烷-2-基)苯基]-9H-咔唑、5.12g(3.0eq，37.0mmol)的K2CO3、0.71g(0.05eq，0.62mmol)的Pd(PPh3)4和86ml的甲苯/EtOH/H2O(4/2/1)的混合溶液逐一添加至300ml三颈烧瓶，随后在约80℃下加热同时搅拌。在冷却至室温后，用甲苯萃取反应溶液。去除水性层，并且用饱和盐水溶液洗涤有机层并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得作为固体的化合物C11(6.87g，产率91％)。
测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝611的分子离子峰，并且鉴定出化合物C11。
8.化合物D32的合成
(中间体IM-24的合成)
Figure BDA0002399564790000531
在Ar气氛下，将20.00g(87.5mmol)的2-氯菲-9-醇、36.26g(3.0eq，262.4mmol)的K2CO3、26.11g(1.5eq，131.2mmol)的苯甲酰甲基溴和292ml(0.3M)的丙酮逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约70℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，通过硅藻土过滤反应溶液，并且在减压下浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-24(24.27g，产率80％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝346的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-24。
(中间体IM-25的合成)
Figure BDA0002399564790000532
在Ar气氛下，将20.00g(57.7mmol)的IM-24、192ml(0.3M)的甲苯和0.61ml(0.2eq，11.5mmol)的H2SO4逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液，并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层，并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-25(15.17g，产率80％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝328的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-25。
(中间体IM-26的合成)
Figure BDA0002399564790000541
在Ar气氛下，将12.0g(36.5mmol)的IM-25、9.03g(1.1eq，40.1mmol)的NIS和182ml(0.2M)的CHCl3逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约60℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，在减压下将反应溶液浓缩并且通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-26(12.45g，产率75％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝454的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-26。
(中间体IM-27的合成)
Figure BDA0002399564790000542
在Ar气氛下，将10.00g(22.0mmol)的IM-26、2.95g(1.1eq，24.2mmol)的苯硼酸、9.12g(3.0eq，66.0mmol)的K2CO3、1.27g(0.05eq，1.1mmol)的Pd(PPh3)4和154ml的甲苯/EtOH/H2O(4/2/1)的混合溶液逐一添加至300ml三颈烧瓶，随后在约80℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，用甲苯萃取反应溶液。去除水性层，并且用饱和盐水溶液洗涤有机层并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-27(7.30g，产率82％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝404的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-27。
(化合物D32的合成)
Figure BDA0002399564790000551
在Ar气氛下，将5.00g(12.3mmol)的IM-27、7.49g(1.1eq，13.6mmol)的N-(二苯并[b,d]呋喃-3-基)-N-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二噁硼烷-2-基)苯基]二苯并[b,d]呋喃-3-胺、5.12g(3.0eq，37.0mmol)的K2CO3、0.71g(0.05eq，0.62mmol)的Pd(PPh3)4和86ml的甲苯/EtOH/H2O(4/2/1)的混合溶液逐一添加至300ml三颈烧瓶，随后在约80℃下加热同时搅拌。在冷却至室温后，用甲苯萃取反应溶液。去除水性层，并且用饱和盐水溶液洗涤有机层并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得作为固体的化合物D32(6.96g，产率71％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝793的分子离子峰，并且鉴定出化合物D32。
9.化合物E54的合成
(中间体IM-28的合成)
Figure BDA0002399564790000552
在Ar气氛下，将20.00g(87.5mmol)的6-氯菲-9-醇、36.26g(3.0eq，262.4mmol)的K2CO3、26.11g(1.5eq，131.2mmol)的苯甲酰甲基溴和292ml(0.3M)的丙酮逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约70℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，通过硅藻土过滤反应溶液，并且在减压下浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-28(23.26g，产率77％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝346的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-28。
(中间体IM-29的合成)
Figure BDA0002399564790000561
在Ar气氛下，将20.00g(57.7mmol)的IM-28、192ml(0.3M)的甲苯和0.61ml(0.2eq，11.5mmol)的H2SO4逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液，并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层，并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-29(15.36g，产率81％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝328的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-29。
(中间体IM-30的合成)
Figure BDA0002399564790000562
在Ar气氛下，将12.0g(36.5mmol)的IM-29、9.03g(1.1eq，40.1mmol)的NIS和182ml(0.2M)的CHCl3逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约60℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，在减压下将反应溶液浓缩并且通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-30(13.77g，产率83％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝454的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-30。
(中间体IM-31的合成)
Figure BDA0002399564790000563
在Ar气氛下，将10.00g(22.0mmol)的IM-30、2.95g(1.1eq，24.2mmol)的苯硼酸、9.12g(3.0eq，66.0mmol)的K2CO3、1.27g(0.05eq，1.1mmol)的Pd(PPh3)4和154ml的甲苯/EtOH/H2O(4/2/1)的混合溶液逐一添加至300ml三颈烧瓶，随后在约80℃下加热同时搅拌。在冷却至室温后，用甲苯萃取反应溶液。去除水性层，并且用饱和盐水溶液洗涤有机层并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-31(7.12g，产率80％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝404的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-31。
(化合物E54的合成)
Figure BDA0002399564790000571
在Ar气氛下，将5.00g(12.3mmol)的IM-31、0.21g(0.03eq，0.4mmol)的Pd(dba)2、2.37g(2.0eq，24.7mmol)的NaOtBu、62ml的甲苯、5.73g(1.1eq，13.6mmol)的双[4-(萘-2-基)苯基]胺和0.25g(0.1eq，1.2mmol)的PtBu3逐一添加至200ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得作为固体的化合物E54(8.68g，产率89％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝789的分子离子峰，并且鉴定出化合物E54。
10.化合物F51的合成
(中间体IM-32的合成)
Figure BDA0002399564790000581
在Ar气氛下，将25.00g(109.3mmol)的3-氯菲-9-醇、45.33g(3.0eq，328.0mmol)的K2CO3、32.64g(1.5eq，164.0mmol)的苯甲酰甲基溴和364ml(0.3M)的丙酮逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约70℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，通过硅藻土过滤反应溶液，并且在减压下浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-32(29.20g，产率85％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝346的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-32。
(中间体IM-33的合成)
Figure BDA0002399564790000582
在Ar气氛下，将27.00g(77.9mmol)的IM-32、260ml(0.3M)的甲苯和0.83ml(0.2eq，15.6mmol)的H2SO4逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液，并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层，并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-33(20.22g，产率79％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝328的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-33。
(中间体IM-34的合成)
Figure BDA0002399564790000591
在Ar气氛下，将20.00g(60.8mmol)的IM-33、15.05g(1.1eq，66.9mmol)的NIS和304ml(0.2M)的CHCl3逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约60℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，在减压下将反应溶液浓缩并且通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-34(23.23g，产率84％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝454的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-34。
(中间体IM-35的合成)
Figure BDA0002399564790000592
在Ar气氛下，将20.00g(44.0mmol)的IM-34、5.90g(1.1eq，48.4mmol)的苯硼酸、18.24g(3.0eq，132.0mmol)的K2CO3、2.54g(0.05eq，2.2mmol)的Pd(PPh3)4和308ml的甲苯/EtOH/H2O(4/2/1)的混合溶液逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约80℃下加热同时搅拌。在冷却至室温后，用甲苯萃取反应溶液。去除水性层，并且用饱和盐水溶液洗涤有机层并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-35(14.43g，产率81％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝404的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-35。
(IM-36的合成)
Figure BDA0002399564790000593
在Ar气氛下，将13.00g(32.1mmol)的IM-35、5.52g(1.1eq，35.3mmol)的3-氯苯硼酸、13.31g(3.0eq，96.3mmol)的K2CO3、1.86g(0.05eq，1.6mmol)的Pd(PPh3)4和225ml的甲苯/EtOH/H2O(4/2/1)的混合溶液逐一添加至500ml三颈烧瓶，随后在约80℃下加热同时搅拌。在冷却至室温后，用甲苯萃取反应溶液。去除水性层，并且用饱和盐水溶液洗涤有机层并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得中间体IM-36(11.89g，产率77％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝480的分子离子峰，并且鉴定出中间体IM-36。
(化合物F51的合成)
Figure BDA0002399564790000601
在Ar气氛下，将1.50g(8.9mmol)的4-联苯胺、9.38g(2.2eq，19.5mmol)的IM-36、0.31g(0.06eq，0.5mmol)的Pd(dba)2、3.41g(4.0eq，35.5mmol)的NaOtBu、44ml的甲苯、0.36g(0.2eq，1.8mmol)的PtBu3逐一添加至200ml三颈烧瓶，随后在约120℃下加热并回流同时搅拌。在冷却至室温后，将水添加至反应溶液并且单独提取有机层。将甲苯添加至水性层并且另外萃取有机层。将有机层组合，用盐水溶液洗涤并用MgSO4干燥。通过过滤分离MgSO4并浓缩有机层。通过硅胶柱色谱(使用己烷和甲苯的混合溶剂作为展开剂)分离因此获得的粗产物以获得作为固体的化合物F51(7.04g，产率75％)。测量FAB-MS，观察到质量数m/z＝1058的分子离子峰，并且鉴定出化合物F51。
(装置制造例)
使用上述化合物A2、A48、A57、B22、B42、B44、C11、D32、E54和F51作为用于空穴传输区的材料制造实施例1至10的有机电致发光装置。
[实施例化合物]
Figure BDA0002399564790000611
使用下面的比较化合物R1至R6作为用于空穴传输区的材料制造比较例1至6的有机电致发光装置。
[比较化合物]
Figure BDA0002399564790000612
通过如下方法制造实施例和比较例的有机电致发光装置。在玻璃基板上，将厚度为约150nm的ITO图案化，用超纯水洗涤并用UV臭氧处理约10分钟以形成第一电极。此后，将2-TNATA沉积至约60nm的厚度，并且将实施例化合物或比较化合物沉积至约30nm的厚度以形成空穴传输区。然后，使用掺杂有3％TBP的ADN形成发射层至约25nm的厚度，并且在发射层上，使用Alq3形成层至约25nm的厚度并且使用LiF形成层至约1nm的厚度以形成电子传输区。此后，使用铝(Al)形成第二电极至约100nm的厚度。每一层通过真空沉积方法形成。
根据实施例1至10和比较例1至6的有机电致发光装置的发射效率显示在下面表1中。发射效率表示在约10mA/cm2下测量的值，并且半衰期表示在约1.0mA/cm2下的测试结果。
[表1]
Figure BDA0002399564790000621
参考表1，证实了当与比较例1至6相比时，实施例1至10实现了降低的电压、较长的寿命和较高的效率。
根据本发明构思的多环化合物将具有优异的耐热性和耐电荷性的菲并呋喃或菲并噻吩结构引入到氨基，并且实现了装置的电压的降低、寿命的增加和效率的增加。另外，因为具有高稳定性的芳基或杂芳基分别在菲并呋喃和菲并噻吩的呋喃环和噻吩环的高反应性的α–位置和β–位置处取代，所以提高了自由基状态下的结构稳定性，并且同时由于空间电子排斥而保持了扭曲的空间结构，并且因此，增加了体积以抑制结晶度。因此，认为提高了层质量并且提高了空穴传输特性以增加装置效率。
在实施例1至3中，尤其提高了发射寿命。认为，在实施例1至3的多环化合物中，因为氨基在菲并呋喃结构或菲并噻吩结构中包括的呋喃环或噻吩环的α–位置处取代，所以在菲并呋喃结构或菲并噻吩结构中，包括氨基的取代基的最高占有分子轨道(HOMO)广泛扩大，并且提高了自由基状态下的稳定性。
在实施例4至6中，尤其提高了发射效率。认为，在实施例4至6的多环化合物中，因为氨基在菲并呋喃结构中包括的呋喃环的β–位置处取代，所以在β–位置处取代的取代基和菲并呋喃环被扭曲，整个分子的平面性劣化，结晶度受到抑制，并且因此，提高了空穴传输特性，并且提高了空穴和电子在发射层中的复合概率。
在菲并呋喃结构或菲并噻吩结构中包括的呋喃环或噻吩环的α–位置和β–位置处取代的氨基分别以不同角度从菲并呋喃结构或菲并噻吩结构扭曲。即，在α–位置处取代的氨基与菲并呋喃结构或菲并噻吩结构具有高平面性，但是在β–位置处取代的氨基保持了从菲并呋喃结构或菲并噻吩结构的很大程度扭曲的空间结构。因此，提高的装置的特性可根据氨基的取代位置而改变。
在实施例7至10中，尤其提高了发射寿命。认为，在实施例7至10的多环化合物中，氨基在菲并呋喃结构中包括的菲环的侧链处取代，并且包括氨基的取代基的HOMO轨道在菲并呋喃结构中足够扩大，并且提高了自由基状态下的稳定性。
当与实施例相比时，在比较例1中，装置效率尤其下降。认为因为比较例1的R1具有菲并苯并呋喃结构，所以整个平面性提高，分子间相互作用加强，并且空穴传输特性下降。
当与实施例相比时，在比较例2至4中，装置效率和寿命均下降。认为比较例2和3的R2和R3具有与本发明构思相似的菲并呋喃结构或菲并噻吩结构，但是呋喃环或噻吩环的高反应性的α–位置和β–位置不受芳基保护，并且在自由基状态下的稳定性不好且产生材料的分解。另外，当与实施例相比时，在比较例4的R4中，烷基在呋喃环的β–位置处取代，并且在自由基状态下的稳定性不足，并且装置特性下降。
认为当与实施例相比时，比较例5为二胺化合物并且其载流子平衡被破坏，并且因此，装置效率和寿命均下降。
认为比较例6为包含比根据本发明构思的实施方式的多环化合物具有更小的共振区域的稠合多环结构的胺，并且降低了HOMO轨道扩大，并且尤其降低了装置寿命。
根据本发明构思的实施方式的多环化合物用于空穴传输区并且有助于实现有机电致发光装置的驱动电压的降低、效率的增加和寿命的增加。
尽管本文已经描述了某些示例性实施方式和实施方案，但是其他实施方式和修改将从本描述中是明显的。因此，本发明构思不限于这样的实施方式，而是限于所附的权利要求书和如将对本领域普通技术人员来说明显的各种显而易见的修改和等效布置的更广泛的范围。

Claims (14)

1.一种多环化合物，所述多环化合物由式1表示：
[式1]
Figure FDA0002399564780000011
其中在式1中，
X为O或S，
Ar1和Ar2各自独立地为取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的芳基、取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的杂芳基或由式2表示，
R1和R2各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的芳基、取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的杂芳基或由式2表示，
“m”和“n”各自独立地为选自0至4的整数，并且
Ar1、Ar2、R1和R2中的任一个由式2表示：
[式2]
Figure FDA0002399564780000012
其中在式2中，
L为直接键合、取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的亚芳基或取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的亚杂芳基，
“p”为选自0至3的整数，并且
R3和R4各自独立地为取代或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的芳基或取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的杂芳基，或者R3和R4与相邻基团结合以形成环，
其中如果式1中的Ar1或Ar2由式2表示，则L不为直接键合。
2.如权利要求1所述的多环化合物，其中式1由式3或式4表示：
[式3]
Figure FDA0002399564780000021
[式4]
Figure FDA0002399564780000022
其中在式3和式4中，
X、Ar1、Ar2、R1至R4、L、“m”、“n”和“p”与式1和式2中定义的相同。
3.如权利要求1所述的多环化合物，其中式1由式5或式6表示：
[式5]
Figure FDA0002399564780000023
[式6]
Figure FDA0002399564780000031
其中在式5和式6中，
R5和R6各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30个用于形成环的碳原子的芳基或取代或未取代的具有2至30个用于形成环的碳原子的杂芳基，
“q”和“r”各自独立地为选自0至3的整数，并且
X、Ar1、Ar2、R1至R4、L、“m”、“n”和“p”与式1和式2中定义的相同。
4.如权利要求1所述的多环化合物，其中L为取代或未取代的具有6至12个用于形成环的碳原子的亚芳基。
5.如权利要求4所述的多环化合物，其中L为取代或未取代的亚苯基。
6.如权利要求1所述的多环化合物，其中Ar1和Ar2各自独立地为取代或未取代的具有6至20个用于形成环的碳原子的芳基。
7.如权利要求1所述的多环化合物，其中X为O。
8.如权利要求3所述的多环化合物，其中式5由式7或式8表示：
[式7]
Figure FDA0002399564780000041
[式8]
Figure FDA0002399564780000042
其中在式7和式8中，
X、Ar1、Ar2、R2至R5、L、“n”、“p”和“q”与式5中定义的相同。
9.如权利要求3所述的多环化合物，其中式6由式9或式10表示：[式9]
Figure FDA0002399564780000051
[式10]
Figure FDA0002399564780000052
其中在式9和式10中，
X、Ar1、Ar2、R1、R3、R4、R6、L、“m”、“p”和“r”与式6中定义的相同。
10.如权利要求1所述的多环化合物，其中由式1表示的所述多环化合物为在化合物组1和化合物组2中表示的化合物中选择的任一种：
[化合物组1]
Figure FDA0002399564780000061
Figure FDA0002399564780000071
Figure FDA0002399564780000081
[化合物组2]
Figure FDA0002399564780000091
Figure FDA0002399564780000101
Figure FDA0002399564780000111
11.如权利要求1所述的多环化合物，其中由式1表示的所述多环化合物为在化合物组3至化合物组6中表示的化合物中选择的任一种：
[化合物组3]
Figure FDA0002399564780000121
Figure FDA0002399564780000131
[化合物组4]
Figure FDA0002399564780000141
Figure FDA0002399564780000151
Figure FDA0002399564780000161
[化合物组5]
Figure FDA0002399564780000171
Figure FDA0002399564780000181
Figure FDA0002399564780000191
[化合物组6]
Figure FDA0002399564780000201
Figure FDA0002399564780000211
Figure FDA0002399564780000221
12.一种有机电致发光装置，包括：
第一电极；
所述第一电极上的空穴传输区；
所述空穴传输区上的发射层；
所述发射层上的电子传输区；和
所述电子传输区上的第二电极，
其中所述空穴传输区包括根据权利要求1至11中任一项所述的多环化合物。
13.如权利要求12所述的有机电致发光装置，其中所述空穴传输区包括：
所述第一电极上的空穴注入层；和
所述空穴注入层上的空穴传输层，
其中所述空穴传输层包括根据权利要求1至11中任一项所述的多环化合物。
14.如权利要求12所述的有机电致发光装置，其中所述空穴传输区进一步包括所述空穴传输层上的电子阻挡层。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112939788A (zh) * 2021-03-01 2021-06-11 浙江虹舞科技有限公司 一种金刚烷胺类化合物及其应用以及包含该化合物的有机电致发光器件
CN114394982A (zh) * 2022-01-28 2022-04-26 武汉天马微电子有限公司 一种有机化合物、包含其的oled器件及其应用

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210006554A (ko) * 2019-07-08 2021-01-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 축합 다환 화합물

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120095222A1 (en) * 2010-10-07 2012-04-19 Basf Se Phenanthro[9, 10-b]furans for electronic applications
KR20160005944A (ko) * 2014-07-08 2016-01-18 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN105481829A (zh) * 2014-10-06 2016-04-13 三星显示有限公司 稠环化合物及包含它的有机发光装置
US20170054081A1 (en) * 2015-08-21 2017-02-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
CN106883205A (zh) * 2015-09-10 2017-06-23 东进世美肯株式会社 新型化合物及包含它的有机发光元件
CN107266398A (zh) * 2010-10-07 2017-10-20 Udc 爱尔兰有限责任公司 用于电子应用的菲并[9,10‑b]呋喃

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120095222A1 (en) * 2010-10-07 2012-04-19 Basf Se Phenanthro[9, 10-b]furans for electronic applications
CN107266398A (zh) * 2010-10-07 2017-10-20 Udc 爱尔兰有限责任公司 用于电子应用的菲并[9,10‑b]呋喃
KR20160005944A (ko) * 2014-07-08 2016-01-18 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN105481829A (zh) * 2014-10-06 2016-04-13 三星显示有限公司 稠环化合物及包含它的有机发光装置
US20170054081A1 (en) * 2015-08-21 2017-02-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US20180248125A1 (en) * 2015-08-21 2018-08-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
CN106883205A (zh) * 2015-09-10 2017-06-23 东进世美肯株式会社 新型化合物及包含它的有机发光元件

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112939788A (zh) * 2021-03-01 2021-06-11 浙江虹舞科技有限公司 一种金刚烷胺类化合物及其应用以及包含该化合物的有机电致发光器件
CN114394982A (zh) * 2022-01-28 2022-04-26 武汉天马微电子有限公司 一种有机化合物、包含其的oled器件及其应用

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