CN111656515A - 电子元件搭载用基板、电子装置以及电子模块 - Google Patents

电子元件搭载用基板、电子装置以及电子模块 Download PDF

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Abstract

具有：第1基板，其具有第1主面，并具有电子元件的搭载部，该电子元件的搭载部位于第1主面、包含绝缘体且是长边方向的一端部位于第1主面的外缘部的矩形形状；第2基板，其位于与第1主面相反侧的第2主面，并具有与第2主面对置的第3主面以及与第3主面相反侧的第4主面；以及第3基板，其被埋入第2基板，包含碳材料，并具有位于在厚度方向上的第3主面侧的第5主面以及与第5主面相反侧的第6主面，在俯视透视下，第3基板的与搭载部的长边方向垂直相交的方向的热传导比搭载部的长边方向的热传导大。

Description

电子元件搭载用基板、电子装置以及电子模块
技术领域
本发明涉及一种电子元件搭载用基板、电子装置以及电子模块。
背景技术
以往，电子元件搭载用基板具有：绝缘基板，其具有第1主面、第2主面和侧面；和在绝缘基板的第1主面设置的电子元件的搭载部以及布线层。在电子元件搭载用基板中，在将电子元件搭载到电子元件的搭载部之后，搭载于电子元件收纳用封装件来成为电子装置(参考日本特开2013-175508号公报。)。
发明内容
用于解决课题的手段
本公开的电子元件搭载用基板具有：第1基板，其具有第1主面，并具有电子元件的搭载部，该电子元件的搭载部位于该第1主面，包含绝缘体且是长边方向的一端部位于所述第1主面的外缘部的矩形形状；第2基板，其位于与所述第1主面相反侧的第2主面，并具有与该第2主面对置的第3主面以及与该第3主面相反侧的第4主面；以及第3基板，其被埋入该第2基板，包含碳材料，并具有位于在厚度方向上的所述第3主面侧的第5主面以及与该第5主面相反侧的第6主面，在俯视透视下，所述第3基板的与所述搭载部的长边方向垂直相交的方向的热传导比所述搭载部的长边方向的热传导大。
本公开的电子装置具有：上述结构的电子元件搭载用基板；在该电子元件搭载用基板的所述搭载部搭载的电子元件；以及搭载有所述电子元件搭载用基板的布线基板或者电子元件收纳用封装件。
本公开的电子模块具有：上述结构的电子装置、和连接有该电子装置的模块用基板。
附图说明
图1的(a)是表示第1实施方式中的电子元件搭载用基板的俯视图，(b)是(a)的仰视图。
图2是将图1所示的电子元件搭载用基板的第1基板、第2基板、和第3基板分别分解而得的立体图。
图3的(a)是图1的(a)所示的电子元件搭载用基板的A-A线处的纵剖视图，(b)是图1的(a)所示的电子元件搭载用基板的B-B线处的纵剖视图。
图4的(a)是表示在图1的(a)所示的电子元件搭载用基板搭载有电子元件的状态的俯视图，(b)是(a)的B-B线处的纵剖视图。
图5的(a)是表示使用了图1所示的电子元件搭载用基板的电子装置的示例的俯视图，(b)是(a)的C-C线处的纵剖视图。
图6的(a)是表示使用了图1所示的电子元件搭载用基板的电子装置的另一例的俯视图，(b)是(a)的C-C线处的纵剖视图。
图7是表示将图5所示的电子装置搭载到模块用基板的状态的剖视图。
图8中的(a)～(d)是表示第1实施方式的电子元件搭载用基板的制造方法的一例的剖视图。
图9的(a)是表示第2实施方式中的电子元件搭载用基板的俯视图，(b)是(a)的仰视图。
图10是将图9所示的电子元件搭载用基板的第1基板、第2基板、和第3基板分解而得的立体图。
图11的(a)是图9的(a)所示的电子元件搭载用基板的A-A线处的纵剖视图，(b)是图6的(a)所示的电子元件搭载用基板的B-B线处的纵剖视图。
图12是表示第2实施方式的电子元件搭载用基板的制造方法的剖视图。
图13的(a)是表示第3实施方式中的电子元件搭载用基板的俯视图，(b)是(a)的仰视图。
图14是将图13所示的电子元件搭载用基板的多个第3基板分解而得的立体图。
图15的(a)是图13的(a)所示的电子元件搭载用基板的A-A线处的纵剖视图，(b)是图13的(a)所示的电子元件搭载用基板的B-B线处的纵剖视图。
图16是表示第3实施方式的电子元件搭载用基板的制造方法的剖视图。
图17的(a)是表示第4实施方式中的电子元件搭载用基板的俯视图，(b)是(a)的仰视图。
图18的(a)是图17的(a)所示的电子元件搭载用基板的A-A线处的纵剖视图，(b)是图17的(a)所示的电子元件搭载用基板的B-B线处的纵剖视图。
具体实施方式
参照附图来说明本公开的若干个例示性的实施方式
(第1实施方式)
第1实施方式中的电子元件搭载用基板1如图1～图4所示的示例那样，包含：第1基板11、第2基板12和第3基板13。电子装置如图5以及图6所示的示例那样，包含：电子元件等用基板1、在电子元件搭载用基板的搭载部11a搭载的电子元件2、和搭载有电子元件搭载用基板1的布线基板。电子装置如图7所示的示例那样，例如使用接合材料连接到构成电子模块的模块用基板上的连接焊盘。
本实施方式中的电子元件搭载用基板1具有：第1基板11，其具有第1主面，并具有电子元件2的搭载部11a，该电子元件2的搭载部11a位于第1主面，包含绝缘体且是长边方向的一端部位于第1主面的外缘部的矩形形状；第2基板12，其位于与第1主面相反侧的第2主面，并具有与第2主面对置的第3主面以及与第3主面相反侧的第4主面；以及第3基板13，其被埋入第2基板12，包含碳材料，并具有位于在厚度方向上的第3主面侧的第5主面以及与第5主面相反侧的第6主面。在俯视透视下，第3基板13的与搭载部的长边方向垂直相交的方向的热传导比搭载部11a的长边方向的热传导大。在图1～图4中，电子元件2被安装于虚拟的xyz空间中的xy平面。在图1～图4中，所谓上方向，是指虚拟的z轴的正方向。此外，以下说明中的上下的区分是为了方便，实际上并不对使用电子元件搭载用基板1等时的上下进行限定。
在图1的(a)所示的示例中，通过虚线表示俯视透视下第3基板13的外缘。金属层14在图1的(a)所示的示例中通过剖面线来表示。
第1基板11具有第1主面(在图1～图3中，上表面)以及第2主面(在图1～图3中，下表面)。第1主面和第2主面在第1基板11的厚度方向上相互位于相反侧。第1基板11由单层或者多个绝缘层构成，并在俯视下，具有针对第1主面以及第2主面的每一个而具有两组对置的边(4个边)的方形的板状的形状。第1基板11作为用于支承长方形形状的电子元件2的支承体发挥功能，在位于第1基板11的第1主面的矩形形状的搭载部11a上，电子元件2经由Au-Sn等接合构件而粘接并固定。
第2基板12具有第3主面(在图1～图3中，上表面)以及第4主面(在图1～图3中，下表面)。第3主面和第4主面在第2基板12的厚度方向上相互位于相反侧。第2基板12第2基板12包含单层或者多个绝缘层，并在俯视下，具有针对第3主面以及第4主面的每一个而具有两组对置的边(4个边)的框状。
第1基板11包含绝缘体，第2基板12包含绝缘体或者金属。
在金属的情况下的第2基板12例如能够使用铜(Cu)、铜-钨(Cu-W)、铜-钼(Cu-Mo)等金属材料。第2基板12具有从第3主面贯通到第4主面的贯通孔12a。贯通孔12a是将第3基板13埋入的区域。
第1基板11以及在绝缘体的情况下的第2基板12例如能够使用氧化铝质烧结体(氧化铝陶瓷)、氮化铝质烧结体、莫来石质烧结体或者玻璃陶瓷烧结体等陶瓷。如果在第1基板11以及第2基板12例如是氮化铝质烧结体的情况下，则在氮化铝(A1N)、氧化铒(Er2O3)、氧化铱(Y2O3)等原料粉末中添加混合适当的有机粘合剂以及溶剂等来制作泥浆物。采用以往周知的刮刀法或者压延辊法等，将该泥浆物成形为薄片状，由此来制作陶瓷生片。根据需要，将陶瓷生片层叠多片，并在高温(约1800℃)下进行烧成，由此，来制作包含单层或者多个绝缘层的第1基板11以及第2基板12
第3基板13具有第5主面(在图1～图3中，上表面)以及第6主面(在图1～图3中，下表面)。第5主面和第6主面在第3基板13的厚度方向上相互位于相反侧。
第3基板13例如包含碳材料，作为六元环通过共价键结合的石墨烯层叠而得的构造体来形成。是各面利用范德华力而结合的材料。
第3基板13如图1～图3所示的示例那样，在第2基板12的贯通孔12a内埋入。第3基板13的第5主面位于第2基板12的第3主面侧，第3基板13的第6主面位于第2基板12的第4主面侧。
第1基板11还可以使用热传导率优异的氮化铝质烧结体。在绝缘体的情况下的第2基板12还可以使用热传导率优异的氮化铝质烧结体。第2基板12和第3基板13的第2基板12的贯通孔12a的内侧面和第3基板13的外侧面例如通过包含TiCuAg合金、TiSnAgCu合金等的活性钎料的接合材料而粘接。接合材料在第2基板12和第3基板13之间配置成10μm左右的厚度。
第1基板11和第2基板12的第1基板11的第2主面和第2基板12的第3主面例如通过包含TiCuAg合金、TiSnAgCu等的活性钎料的接合材料而粘接；第1基板11和第3基板13的第1基板11的第2主面和第3基板13的第5主面例如通过包含TiCuAg合金、TiSnAgCu等的活性钎料的接合材料而粘接。接合材料在第1基板11和第2基板12之间、以及第1基板11和第3基板13之间配置成10μm左右的厚度。
第1基板11在俯视下成为方形形状。第2基板12在俯视下成为方形的框状。第3基板13在俯视下成为方形形状。通过将第1基板11和第2基板12粘接，以及将第1基板11和第3基板13、第2基板12和第3基板13粘接，在俯视下，形成方形形状的复合基板。此外，所谓方形形状是正方形形状、长方形形状等四边形形状。在图1～图3所示的示例中，在俯视下，第1基板11成为长方形形状，形成长方形形状的复合基板。
第1基板11的基板厚度T1例如是50μm～500μm左右，第2基板12的基板厚度T2例如是100μm～2000μm左右。第3基板13的基板厚度T3例如是100μm～2000μm左右。第2基板12的厚度T2和第3基板13的厚度T3的大小相同，并在5％左右的范围内是同等的厚度来设置位置(0.95T2≤T3≤1.05T2)。如果第1基板11和第2基板12是T2＞T1，第1基板11和第3基板13是T3＞T1，则能够将第1基板11的热向第3基板13良好地散热。
第1基板11的热传导率κα如图2所示的示例那样，在平面方向中的x方向和y方向上大致固定，第1基板11的厚度方向的z方向也与平面方向中的x方向和y方向是同等的(καx≈καy≈καz)。例如，在作为第1基板11使用氮化铝质烧结体的情况下，第1基板11使用了100～200W/m·K左右的热传导率κα的基板。
第2基板12的热传导率κβ如图2所示的示例那样，在平面方向中的x方向和y方向上大致固定，第1基板11的厚度方向的z方向也与平面方向中的x方向和y方向是同等的(κβx≈κβy≈κβz)。例如，在作为第2基板12使用铜的情况下，第2基板11使用了400W/m·K左右的热传导率κβ的基板。此外，在作为第2基板12使用氮化铝质烧结体的情况下，第2基板12使用了100～200W/m·K左右的热传导率κβ的基板。
第3基板13的热传导率λ在平面方向中的x方向和y方向上大小不同。图2所示的第3基板13的各个方向上的热传导率λx、λy、λz的关系是“热传导率λx≈热传导率λz＞＞热传导率λy”。第3基板13的热传≠导率λ在平面方向中的x方向和厚度方向的z方向上是同等的，在平面)中的y方向上不同。例如，第3基板13的热传导率λx以及热传导率λz是1000W/m·K左右，第3基板13的热传导率λy是4W/m·K左右。
金属层15位于第1基板11的第1主面。金属层15被用作用于搭载电子元件2的搭载部11a、或者用于与接合线(bonding wire)等连接构件3连接的连接部，用于将电子元件2与布线基板的布线导体电连接。
金属层15包含薄膜层以及镀覆层。薄膜层例如具有密接金属层和阻隔层。构成薄膜层的密接金属层形成于第1基板11的第1主面。密接金属层例如包含氮化钽、镍-铬、镍-铬-硅、钨-硅、钼-硅、钨、钼、钛、铬等，通过采用蒸镀法、离子镀法、溅射法等薄膜形成技术而粘附于第1基板11的第1主面。例如在使用真空蒸镀法来形成的情况下，将第1基板11设置于真空蒸镀装置的成膜室内，将成为密接金属层的金属片配置于成膜室内的蒸镀源，之后，使成膜室内为真空状态(10-2Pa以下的压力)，对配置在蒸镀源的金属片进行加热而使其蒸镀，使该蒸镀的金属片的分子粘附于第1基板11，由此来形成成为密接金属层的薄膜金属的层。然后，在形成了薄膜金属层的第1基板11使用光刻法形成抗蚀剂图案之后，通过蚀刻除去余量的薄膜金属层，由此来形成密接金属层。在密接金属层的上表面粘附阻隔层，阻隔层起到如下作用：密接金属层和镀覆层的接合性、润湿性良好，使密接金属层和镀覆层牢固地接合，并且防止密接金属层和镀覆层的相互扩散。阻隔层例如包含镍-铬、铂、钯、镍、钴等，通过蒸镀法、离子镀法、溅射法等薄膜形成技术而粘附于密接金属层的表面。
密接金属层的厚度可以是0.01～0.5μm左右。在不足0.01μm的情况下，有难以使密接金属层牢固地密接于第1基板11上的倾向。在超过0.5μm的情况下，因密接金属层成膜时的内部应力导致容易产生密接金属层的剥离。此外，阻隔层的厚度可以是0.05～1μm左右。在不足0.05μm的情况下，针孔等缺陷发生，有难以实现作为阻隔层的功能的倾向。在超过1μm的情况下，因成膜时的内部应力导致容易产生阻隔层的剥离。
镀覆层通过电解镀覆法或者非电解镀覆法而粘附于薄膜层的露出的表面。镀覆层包含镍、铜、金或者银等耐腐蚀性、与连接构件的连接性优异的金属，例如依次粘附厚度0.5～5μm左右的镍镀覆层和0.1～3μm左右的金镀覆层。由此，能够有效地抑制金属层15发生腐蚀这一情况，并能够使金属层15和在布线基板形成的布线导体的接合牢固。
此外，还可以在阻隔层上配置铜(Cu)、金(Au)等金属层，并良好地形成镀覆层。这样的金属层通过与薄膜层同样的方法来形成。
如图4所示的示例那样，在位于电子元件搭载用基板1的第1主面的搭载部11a上搭载长方形形状的电子元件2，如图5以及图6所示的示例那样，将该电子元件搭载用基板1搭载于布线基板或者电子元件搭载用封装件，由此，能够制作电子装置。对于电子元件2，在图4～图6所示的示例中，在俯视透视下，电子元件2的长边方向沿着平面方向中的第3基板13的热传导率小的方向(y方向)来搭载。在电子元件搭载用基板1搭载的电子元件2例如是LD(Laser Diode，激光二极管)等发光元件、PD(Photo Diode，光电二极管)等受光元件。例如，电子元件2在通过Au-Sn等接合材料而固定于一个金属层15的搭载部11a上之后，经由接合线等连接构件3将电子元件2的电极和另一个金属层15电连接，由此，搭载于电子元件搭载用基板1。电子元件2的电极和另一个金属层15在图4～图6所示的示例中，通过多个连接构件3而电连接。搭载电子元件搭载用基板1的布线基板或者电子元件搭载用封装件例如与第1基板11同样地，能够使用陶瓷等绝缘基体，并在表面具有布线导体。此外，电子元件搭载用基板1的金属层15和布线基板或者电子元件搭载用封装件的布线导体电连接。
根据本实施方式的电子装置，通过具有上述结构的电子元件搭载用基板1、在电子元件搭载用基板1的搭载部11a搭载的电子元件2、和搭载有电子元件搭载用基板1的布线基板或者电子元件收纳用封装件，能够作为长期可靠性优异的电子装置。
本实施方式的电子装置如图7所示的示例那样，在模块用基板的连接焊盘经由焊锡等接合材料6与布线导体连接，成为电子模块。由此，电子元件2和模块用基板的连接焊盘电连接。
根据本实施方式的电子模块，通过具有上述结构的电子装置和连接有电子装置的模块用基板，能够使其长期可靠性优异。
根据本实施方式的电子元件搭载用基板1，具有：第1基板11，其具有第1主面，并具有电子元件2的搭载部11a，该电子元件2的搭载部11a位于第1主面，包含绝缘体，且是长边方向的一端部位于第1主面的外缘部的矩形形状；第2基板12，其位于与第1主面相反侧的第2主面，并具有与第2主面对置的第3主面以及与第3主面相反侧的第4主面；以及第3基板13，其被埋入第2基板12，包含碳材料，并具有位于在厚度方向上的第3主面侧的第5主面以及与第5主面相反侧的第6主面，在俯视透视下，第3基板13的与搭载部11a的长边方向垂直相交的方向的热传导比搭载部11a的长边方向的热传导大。通过上述结构，在例如电子装置的工作时，从电子元件2产生的热在电子元件2的与长边方向不同的方向上传热，容易从第2基板12进行散热，降低了因从电子元件2产生的热导致的电子元件2的膨胀、特别地电子元件2向长边方向的膨胀，并通过第1基板11以及第2基板12来保持第3基板13的第5主面以及侧面的周围，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
特别地，在作为电子元件2搭载高输出的LD等光元件的情况下，能够作为能够高精度地放出光的光学装置用的电子元件搭载用基板1。
在电子元件2的搭载部11a的长边方向的纵剖视下，第3基板13如图1～图6所示的示例那样，若相比于与厚度方向垂直相交的方向，厚度方向的热传导率变大，则相比于电子元件2的搭载部11a的长边方向，从电子元件2产生的热在厚度方向上容易散热，能够减少传递至第2基板12的热，降低了因从电子元件2产生的热导致的电子元件2的膨胀、特别地电子元件2向长边方向的膨胀，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
此外，电子元件搭载用基板1如果如图1～图6所示的示例那样，沿着长方形形状的电子元件2，在俯视下是电子元件2的搭载部11a的长边方向侧变长的长方形形状，则在与电子元件2的长边方向垂直相交的方向上的电子元件搭载用基板1的宽度变短，电子元件2在与长边方向不同的方向上散热的热能够容易良好地散热到外部。
在俯视透视下，第2基板12的框部的宽度(第2基板12的外缘和第3基板13的外缘的间隔)还可以设为50μm以上。能够使第1基板11的外周部分和第2基板12的接合良好，并在第2基板12的内侧将第1基板11和第3基板13良好地接合来作为散热性优异的电子元件搭载用基板1。
本实施方式中的电子元件搭载用基板1能够在薄型且高输出的电子装置中使用，并能够使电子元件搭载用基板1的可靠性提高。例如，在作为电子元件2搭载LD等光元件的情况下，能够用作薄型且指向性优异的光学装置用的电子元件搭载用基板1。
若第2基板12是金属，则在例如电子装置的工作时，从电子元件2产生的热在电子元件2的与长边方向不同的方向上传热，传递到第2基板12的热更容易从第2基板12进行散热，降低了因从电子元件2产生的热导致的电子元件2的膨胀、特别地电子元件2向长边方向的膨胀，并通过第1基板11以及第2基板12来保持第3基板13的第5主面以及侧面的周围，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
若第2基板12是绝缘体，则第1基板11和第2基板12的强度、热膨胀率变得接近，第3基板13的第5主面以及侧面的周围利用包含绝缘体的第1基板11和第2基板12来良好地保持，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
在第1基板11和第2基板12实质上由同一材料的绝缘体形成的情况下，还可以使用第1基板11的热传导率κα与第2基板12的热传导率κβ同等的材料(κα≈κβ)。例如，在第1基板11和第2基板12实质上包含同一材料的氮化铝质烧结体的情况下，第1基板11和第2基板12的强度、热膨胀率变得同等，因此，第3基板13的第5主面以及侧面的周围利用包含绝缘体的第1基板11和第2基板12来良好地保持，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
若第2基板12的厚度T2和第3基板13的厚度T3的大小相同，则能够从第3基板13的侧面整体向第2基板12良好地传热，在第1基板11的外缘部因第2基板12的厚度与第3基板13的厚度的大小的差异导致的变形变小，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
此外，所谓第2基板12的厚度T2和第3基板13的厚度T3的大小相同，示出了如上述那样，第2基板12的厚度T2和第3基板13的厚度T3在5％左右的范围内是同等的厚度来设置位置(0.95T2≤T3≤1.05T2)。
若第2基板12是框状，则良好地保持了第1基板11的第2主面外缘部和第3基板13的侧面，使从第3基板13的侧面整体向第2基板12的传热以及从第1基板11的外缘部整体向第2基板12的传热良好，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
第1实施方式中的电子元件搭载用基板1例如能够通过以下的制造方法来制作。
最初，如图8的(a)所示的示例那样，准备第1基板11、第2基板12和第3基板13。接着，如图8的(b)所示的示例那样，在第2基板12的贯通孔12a内埋入第3基板13。通过包含TiSnAgCu合金等的活性钎料等接合材料，将第2基板12的贯通孔12a的内侧面和第3基板13的外侧面接合。第1基板11还可以被形成为平面度为10μm以下。接着，如图8的(c)所示的示例那样，通过包含TiSnAgCu合金等的活性钎料等接合材料，将第1基板11的第2主面和第2基板12的第3主面、并将第1基板11的第2主面和第3基板13的第5主面接合，来形成复合基板。此时，接合材料的厚度设置成10μm左右。接着，在第1基板11的第1主面形成金属层15。此时，配置并形成金属层15，以便与在复合基板内设置的第3基板13的x方向(热传导率λx＞＞热传导率λy)和搭载部11a的长边方向垂直相交，由此，如图8的(d)所示的示例那样，形成电子元件搭载用基板1。
此外，还可以同时地将第1基板11、第2基板12和第3基板13接合。例如，还可以在第2基板12的贯通孔12内埋入第3基板13，并且将第1基板11与第2基板12以及第3基板13接合来形成。该情况下，例如一边从第1基板11侧以及第2基板12侧施加压力一边进行接合等，由此，第1基板11、第2基板12、第3基板13良好地接合，能够作为可靠性优异的电子元件搭载用基板1。
本实施方式的电子元件搭载用基板1的热传导率例如能够通过激光闪光法等分析方法来测定。此外，在测定第3基板13的热传导率的情况下，能够除去将第2基板12和第3基板13接合的接合材料，通过激光闪光法等分析方法对第3基板13进行测定。
(第2实施方式)
接下来，参照图9～图12来说明第2实施方式的电子元件搭载用基板。
在第2实施方式中的电子装置中，与上述实施方式的电子装置的不同点是，具有第4基板14，其位于第2基板12的第4主面以及第3基板13的第6主面，包含绝缘体，并具有与第4主面以及第6主面对置的第7主面、以及在厚度方向上与第7主面相反侧的第8主面，第4基板14与第2基板12的第4主面以及第3基板13的第6主面接合，即第2基板12以及第3基板13位于第1基板11和第4基板14之间。此外，接合层16位于第4基板14的第8主面(在图9～图12中，电子元件搭载用基板1的下表面)。
在图9所示的示例中，通过虚线示出了在俯视透视下第3基板13的外缘。金属层15以及接合层16在图9所示的示例中通过剖面线来表示。
根据第2实施方式中的电子元件搭载用基板1，与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样地，在电子元件2的与长边方向的膨胀方向不同的方向上传热，容易从第2基板12进行散热，由此，降低了电子元件2向长边方向的膨胀，通过第1基板11、第2基板12、第4基板14来保持第3基板13的六面整体，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
在第2实施方式的电子元件搭载用基板1中，第1基板11的第2主面和第2基板12的第3主面以及第3基板13的第5主面通过包含TiCuAg合金、TiSnAgCu合金等的活性钎料等接合材料而接合。此外，第4基板14的第7主面和第2基板12的第4主面以及第3基板13的第6主面通过包含TiCuAg合金、TiSnAgCu合金等的活性钎料等接合材料而接合。
在第2实施方式的电子元件搭载用基板1中，也与第1实施方式同样地，第1基板11在俯视下成为方形形状。第2基板12在俯视下成为方形的框状。第3基板13在俯视下成为方形形状。第4基板14与第1基板11同样地在俯视下成为方形形状。通过将第1基板11、第2基板12、第3基板13、和第4基板14粘接，形成方形形状的复合基板。在图9～图12所述的示例中，第1基板11和第4基板14成为长方形形状，形成长方形形状的复合基板。
第4基板14能够通过与上述第1基板11同样的材料以及方法来制作。第4基板14的热传导率κγ如图10所示的示例那样，与第1基板11同样地，在平面方向中的x方向和y方向上大致固定，第4基板14的厚度方向的z方向也与平面方向中的x方向和y方向是同等的(κγx≈κγy≈κγz)。例如，在作为第4基板14使用氮化铝质烧结体的情况下，第4基板14使用了100～200W/m·K左右的热传导率κγ的基板。
第2基板12以及第3基板13位于第1基板11以及第4基板14之间，因此，因第1基板11和第2基板12以及第3基板13的热膨胀的差异导致的电子元件搭载用基板1的变形被抑制，并抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
在第1基板11和第4基板14实质上由同一材料的绝缘体形成的情况下，还可以使用第1基板11的热传导率κα与第4基板14的热传导率κγ同等的材料(κα≈κγ)。特别地，在第4基板14使用与第1基板11实质上同一材料的绝缘体的情况下，即例如作为第1基板11使用150W/m·K的氮化铝质烧结体的情况下，若作为第4基板14使用150W/m·K的氮化铝质烧结体，则更有效地抑制电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
此外，第4基板11的厚度与第1基板11的基板厚度T1同样地是例如50μm～500μm左右。若第1基板11的厚度T1和第4基板14的厚度T43在10％左右的范围内是同等的厚度(0.90T1≤T4≤1.10T1)，则更有效地抑制电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。例如，在第1基板11的厚度是100μm的情况下，第4基板14的厚度还可以是100μm(90μm～110μm)。
若第1基板11和第4基板14是绝缘体且第2基板12是金属，则在例如电子装置的工作时，从电子元件2产生的热，传递到第2基板12的热更容易从第2基板12良好地进行散热，降低了因从电子元件2产生的热导致的电子元件2的膨胀、特别地电子元件2向长边方向的膨胀，并通过第1基板11以及第2基板12来保持第3基板13的第5主面以及侧面的周围，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
若第1基板11、第2基板12和第4基板14是绝缘体，则第1基板11、第2基板12和第4基板14的强度、热膨胀率变得接近，第3基板13的六面整体利用包含绝缘体的第1基板11、第2基板12和第4基板14来良好地保持，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
此外，在第1基板11、第2基板12和第4基板14实质上由同一材料的绝缘体形成的情况下，还可以使用第1基板11的热传导率κα、第2基板12的热传导率κβ和第4基板14的热传导率κγ同等的材料(κα≈κβ≈κγ)。例如，在第1基板11、第2基板12和第4基板14实质上包含同一材料的氮化铝质烧结体的情况下，第1基板11、第2基板12和第4基板14的强度、热膨胀率变得同等，因此，第3基板13的六面整体利用包含绝缘体的第1基板11、第2基板12和第4基板14来良好地保持，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
若第2基板12的厚度T2和第3基板13的厚度T3的大小相同，则能够从第3基板13的侧面整体向第2基板12良好地传热，在第1基板11的外缘部以及第4基板14的外缘部因第2基板12的厚度与第3基板13的厚度的大小的差异导致的变形变小，抑制了电子元件2的位置偏离、向布线基板或电子元件收纳用封装件的搭载、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
此外，所谓第2基板12的厚度T2和第3基板13的厚度T3的大小相同，示出了与第1实施方式同样地，第2基板12的厚度T2和第3基板13的厚度T3在5％左右的范围内是同等的厚度来设置位置(0.95T2≤T3≤1.05T2)。
在俯视透视下，如果第3基板13如图9～图12所示的示例那样，位于比第1基板11的外缘部以及第4基板14的外缘部更靠内侧的位置，则能够通过第1基板11、第2基板12和第4基板14来良好地保持第3基板13的六面整体，并使从第3基板13的侧面向第2基板12的传热以及从第3基板13的第6主面向第4基板14的传热良好，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
此外，如图9～图12所示的示例那样，第4基板14还可以使接合层16位于第8主面侧。位于第4基板14的接合层16例如能够用于电子元件搭载用基板1和位于布线基板或者电子元件搭载用封装件的导体层的接合等。接合层16能够通过与上述金属层15同样的方法来制作。此外，通过使接合层16位于第4基板14的下表面的大致整个面，能够使从电子元件搭载用基板1向布线基板或者电子元件搭载用封装件的散热性良好。
第2实施方式中的电子元件搭载用基板1例如能够通过以下的制造方法来制作。
最初，如图12的(a)所示的示例那样，准备第1基板11、第2基板12、第3基板13、第4基板14。接着，如图12的(b)所示的示例那样，在第2基板12的贯通孔12a内埋入第3基板13。通过包含TiSnAgCu合金等的活性钎料等接合材料将第2基板12的贯通孔12a的内侧面和第3基板13的外侧面接合。第1基板11以及第4基板14还可以被形成为平面度为10μm以下。接着，如图12的(c)所示的示例那样，通过包含TiSnAgCu合金等的活性钎料等接合材料，分别将第1基板11和第2基板12以及第3基板13、第4基板11和第2基板12以及第3基板13接合而形成复合基板。还可以同时地将第1基板11和第4基板14与第2基板12以及第3基板13接合。此时，接合材料的厚度分别是10μm左右。接着，在第1基板11的第1主面形成金属层15。此时，配置并形成金属层15，以便与在复合基板内设置的第2基板12的x方向(热传导率λx＞＞热传导率λy)和搭载部11a的长边方向垂直相交。然后，在第4基板14的第8主面形成接合层16，由此，如图12的(d)所示的示例那样，形成电子元件搭载用基板1。
此外，第3基板13被第2基板12覆盖了侧面，第5主面以及第6主面被第1基板11以及第4基板14覆盖，因此，在向第1基板11的第1主面形成成为金属层15的薄膜层、以及向薄膜层上形成镀覆层、或者向第4基板14的第8主面形成接合层16时，第3基板13不会露出，在电子元件搭载用基板1的制作时，包含碳材料的第3基板13不会剥出，因此，能够降低因药品等导致的变质。此外，在电子装置的使用时，第3基板13不会露出，因此，能够抑制因外部空气导致的变质。此外，在俯视透视下，第2基板12的框部的宽度(第2基板12的外缘和第3基板13的外缘的间隔)还可设为50μm以上。
此外，还可以同时地将第1基板11、第2基板12、第3基板13、第4基板14接合。例如，还可以在第2基板12的贯通孔12内埋入第3基板13，并且将第1基板11以及第4基板14与第2基板12以及第3基板13接合来形成。该情况下，例如一边从第1基板11侧以及第4基板14侧施加压力一边进行接合等，由此，第1基板11、第2基板12、第3基板13、第4基板14良好地接合，能够作为可靠性优异的电子元件搭载用基板1。此外，通过同时地将第1基板11、第2基板12、第3基板13、第4基板14结合，在制作时能够抑制第3基板13的露出，并抑制因外部空气导致的变质。
第2实施方式的电子元件搭载用基板1的其他方面能够使用与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样的制造方法来制作。
此外，第2实施方式的电子元件搭载用基板1如果与第1实施方式的电子元件搭载用基板1同样地，沿着长方形形状的电子元件2，在俯视下是电子元件2的长边方向侧变长的长方形形状，则在与电子元件2的长边方向垂直相交的方向上的电子元件搭载用基板1的宽度变短，电子元件2在与长边方向不同的方向上散热的热能够容易良好地散热到外部。
(第3实施方式)
接下来，参照图13～图16来说明第3实施方式的电子装置。
在第3实施方式中的电子元件搭载用基板1中，与上述实施方式的电子元件搭载用基板1的不同点是，在第2基板12的贯通孔12a内，在电子元件搭载用基板1的厚度方向(在图13～图16中，z方向)上，多个第3基板13(131、132、133)重叠。多个第3基板13(131、132、133)的在厚度方向上相邻的第3基板13彼此(131和132、132和133)配置为各自的平面方向上的热传导率λ不同。
在图13所示的示例中，通过虚线示出了在俯视透视下第3基板13的外缘。金属层15以及接合层16在图13所示的示例中通过剖面线来表示。
根据第3实施方式中的电子元件搭载用基板1，与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样地，
在电子元件2的与长边方向的膨胀方向不同的方向上传热，容易从第2基板12进行散热，由此，降低了电子元件2向长边方向的膨胀，通过第1基板11、第2基板12、第4基板14来保持第3基板13的六面整体，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
此外，在第1基板11和第4基板14之间重叠有平面方向上的热传导率λ不同的多个第3基板13，因此，在使用时抑制了电子元件搭载用基板1的变形，并抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
在第3实施方式的电子元件搭载用基板1中，通过包含TiCuAg合金、TiSnAgCu合金等的活性钎料等接合材料，将第1基板11的第2主面和第2基板12的第3主面以及第3基板131的第5主面接合。此外，通过包含TiCuAg合金、TiSnAgCu合金等的活性钎料等接合材料，将第4基板14的第7主面和第2基板12的第4主面以及第3基板133的第6主面接合。
在第3实施方式的电子元件搭载用基板1中，与第1实施方式的电子元件搭载用基板1同样地，第1基板11在俯视下成为方形形状。第2基板12在俯视下成为方形的框状。第3基板13在俯视下成为方形形状。第4基板14与第1基板11同样地，在俯视下成为方形形状。通过将第1基板11、第2基板12、第3基板13、第4基板14粘接，形成方形形状的复合基板。在图13～图16所示的示例中，第1基板11和第4基板14成为长方形形状，形成长方形形状的复合基板。
第1基板11的基板厚度T1和第4基板14的基板厚度T4与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样地例如是50μm～500μm左右，第2基板12的基板厚度T2以及第3基板13(131、132、133)的厚度T3与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样地例如是100μm～2000μm左右。第1基板11和第3基板13的T3＞T1，能够使第1基板11的热良好地散热到第2基板12。
若第2基板12的厚度T2和第3基板13(131、132、133)的厚度T3的大小相同，则能够使从第3基板13的侧面整体向第2基板12良好地传热，在第1基板11的外缘部因第2基板12的厚度与第3基板13的厚度的大小的差异导致的变形变小，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
此外，所谓第2基板12的厚度T2和第3基板13(131、132、133)的厚度T3的大小相同，示出了第2基板12的厚度T2和第3基板13(131、132、133)的厚度T3在5％左右的范围内是同等的厚度来设置位置(0.95T2≤T3≤1.05T2)。
第1基板11的热传导率κα以及第4基板14的热传导率κγ与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样地，在各个基板的平面方向中的x方向和y方向上大致固定，第1基板11以及第4基板14的厚度方向的z方向也与平面方向中的x方向和y方向是同等的(καx≈καy≈καz、κγx≈κγy≈κγz)。例如，在作为第1基板11以及第4基板14使用氮化铝质烧结体的情况下，第1基板11以及第4基板14使用了100～200W/m·K左右的热传导率κ的基板。
第1基板11的热传导率κα和第4基板14的热传导率κγ与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样地，还可以使用热传导率同等的材料(κα≈κγ)。
第3基板13(131、132、133)的热传导率λ在平面方向中的x方向和y方向上大小不同。多个第2基板12(131、132、133)各自的热传导率λ例如如图14所示的示例那样如以下。
第3基板131(上表面侧)：
热传导率λx1≈热传导率λz1＞＞热传导率λy1
第3基板132(中间)：
热传导率λy2≈热传导率λz2＞＞热传导率λx2
第3基板133(下表面侧)：
热传导率λx3≈热传导率λz3＞＞热传导率λy3
第3基板131和第2基板133的热传导率λ在平面方向中的x方向和厚度方向的z方向上是同等的，平面方向中的y方向是不同的。第3基板132的热传导率λ在平面方向中的y方向和厚度方向的z方向上是同等的，平面方向中的x方向是不同的。例如，上表面侧的第3基板131的热传导率λx1以及热传导率λz1是1000W/m·K左右，第3基板131的热传导率λy1是4W/m·K左右。中间的第3基板132的热传导率λy2以及热传导率λz2是1000W/m·K左右，第3基板132的热传导率λx2是4W/m·K左右。下表面侧的第3基板133的热传导率λx3以及热传导率λz3是1000W/m·K左右，第3基板133的热传导率λy3是4W/m·K左右。
上表面侧的第3基板131的第3主面与第1基板11的第2主面粘接，以使与搭载部11a的长边方向垂直相交的方向的热传导比在第1基板11的第1主面配置的搭载部11a的长边方向的热传导大。
相邻的第3基板13彼此(第3基板131和第3基板132、或者第3基板132和第3基板133)还可以设为，如图14所示的示例那样，成为在俯视透视下至少旋转了90度的配置，相邻的第3基板13彼此(第3基板131和第3基板132、或者第3基板132和第3基板133)的热传导率变大的方向彼此垂直相交。由此，从第3基板133向第4基板14的传热容易作为整个面进行散热，能够减少向第2基板12的传递的热，降低了电子元件2向长边方向的膨胀，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
此外，与第3基板131的第3主面和第3基板133的第4主面接合的第1基板11以及第4基板14与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样地，还可以分别使用同一材料的基板。例如，在第1基板11包含热传导率为150W/m·K的氮化铝质烧结体的情况下，第4基板14也可以包含热传导率为150W/m·K的氮化铝质烧结体。通过设与第3基板131的第3主面和第3基板133的第4主面接合的第1基板11的材料与第4基板14的材料同一，能够良好地降低电子元件搭载用基板1的变形。
此外，与第3基板131的第3主面和第3基板133的第4主面接合的第1基板11和第4基板14与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样地，各自的厚度的差也可以是10％以内，也可以使用同一厚度的基板。例如在第1基板11的厚度是100μm的情况下，第4基板14的厚度还可以是100μm(90μm～110μm)。通过使与第3基板131的第3主面和第3基板133的第4主面接合的第1基板11的基板厚度和第4基板14的基板厚度为同等，能够良好地降低电子元件搭载用基板1的变形。
此外，在第1基板11和第4基板14之间配置的多个第3基板13(131、132、133)各自的厚度的差也可以是10％以内，也可以使用同一厚度的基板。例如，在上表面侧的第3基板131的厚度是1000μm的情况下，中间的第3基板132的厚度还可以是1000μm(900μm～1100μm)，下表面侧的第3基板133厚度还可以是1000μm(900μm～1100μm)。通过使多个第3基板13(131、132、133)各自的厚度为同等，能够良好地降低电子元件搭载用基板1的变形。
与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样地，若第1基板11和第4基板14是绝缘体，第2基板12是金属，则在例如电子装置的工作时，从电子元件2产生的热，传递到第2基板12的热更容易从第2基板12良好地进行散热，降低了因从电子元件2产生的热导致的电子元件2的膨胀、特别地电子元件2向长边方向的膨胀，并通过第1基板11以及第2基板12来保持第3基板13的第5主面以及侧面的周围，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样地，若第1基板11、第2基板12和第4基板14是绝缘体，则第1基板11、第2基板12和第4基板14的强度、热膨胀率变得接近，第3基板13的六面整体利用包含绝缘体的第1基板11、第2基板12和第4基板14来良好地保持，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
此外，在第1基板11、第2基板12和第4基板14与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样地实质上由同一材料的绝缘体形成的情况下，例如，在第1基板11、第2基板12和第4基板14实质上包含同一材料的氮化铝质烧结体的情况下，第1基板11、第2基板12和第4基板14的强度、热膨胀率变得同等，因此，第3基板13的六面整体利用包含绝缘体的第1基板11、第2基板12和第4基板14来良好地保持，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
此外，如图13、图15、图16所示的示例那样，还可以在第4基板14使接合层16位于下表面侧。位于第4基板14的接合层16例如能够用于电子元件搭载用基板1和位于布线基板或者电子元件搭载用封装件的导体层的接合等。接合层16能够通过与上述金属层15同样的方法来制作。此外，接合层16位于第4基板14的下表面的大致整面，由此，能够使从电子元件搭载用基板1向布线基板或者电子元件搭载用封装件的散热性良好。
第3实施方式中的电子元件搭载用基板1例如能够通过以下的制造方法来制作。
最初，如图16的(a)所示的示例那样，准备第1基板11、第2基板12、包含多片的第3基板13(131、132、133)、第4基板14。此外，包含多片的第3基板13的相邻的第3基板13彼此配置为各自的平面方向上的热传导率λ不同。接着，如图16的(b)所示的示例那样，在第2基板12的贯通孔12a内埋入第3基板13(131、132、133)。通过包含TiSnAgCu合金等的活性钎料等接合材料将第2基板12的贯通孔12a的内侧面和第3基板13(131、132、133)的外侧面接合。第1基板11以及第4基板14还可以被形成为平面度为10μm以下。接着，如图16的(c)所示的示例那样，通过包含TiSnAgCu合金等的活性钎料等接合材料，分别将第1基板11和第2基板12以及第3基板13(131)、第4基板14和第2基板12以及第3基板13(133)接合。第1基板11和第2基板12以及第3基板13(131、132、133)、第4基板14和第2基板12以及第3基板13(131、132、133)也可以同时地接合。此时，接合材料的厚度分别设置成10μm左右。接着，在第1基板11的第1主面形成金属层15。此时，配置并形成金属层15，以便与在复合基板内设置的第2基板12的x方向(热传导率λx＞＞热传导率λy)和搭载部11a的长边方向垂直相交。然后，在第4基板14的第8主面形成接合层16，由此，如图16的(d)所示的示例那样，形成电子元件搭载用基板1。
例如，作为第1基板11以及第4基板14使用厚度为0.15mm且热传导率为170W/m·K的氮化铝质烧结体，作为第2基板12使用厚度为3mm的铜基板，作为第3基板13(131、132、133)使用将厚度各自的厚度是1mm的石墨烯重叠而得的构造体，制作了总厚度为3.3mm且10mmSQ的电子元件搭载用基板1。当针对该电子元件搭载用基板1，通过上述激光闪光法测定了热传导率时，第3实施方式中的电子元件搭载用基板1的热传导率是650W/m·K。
此外，第3基板13(131、132、133)被第2基板12覆盖了侧面，第5主面以及第6主面被第1基板11以及第4基板14覆盖，因此，在向第1基板11的第1主面形成成为金属层15的薄膜层、以及向薄膜层金属层15上形成镀覆层、或者向第4基板14的第8主面形成接合层时，第3基板13(131、132、133)不会露出，在电子元件搭载用基板1的制作时，包含碳材料的第3基板13(131、132、133)不会剥出，因此，能够降低因药品等导致的变质。此外，在电子装置的使用时，第3基板13不会露出，因此，能够抑制因外部空气导致的变质。此外，在俯视透视下，第2基板12的框部的宽度(第2基板12的外缘和第3基板13(131、132、133)的外缘的间隔)还可设为50μm以上。
此外，还可以同时地将第1基板11、第2基板12、第3基板13(131、132、133)、第4基板14接合。例如，还可以在第2基板12的贯通孔12内埋入第3基板13(131、132、133)，并且将第1基板11以及第4基板14与第2基板12以及第3基板13(131、132、133)接合来形成。该情况下，例如一边从第1基板11侧以及第4基板14侧施加压力一边进行接合等，由此，第1基板11、第2基板12、第3基板13(131、132、133)、第4基板14良好地接合，能够作为可靠性优异的电子元件搭载用基板1。此外，通过同时地将第1基板11、第2基板12、第3基板13(131、132、133)、第4基板14结合，在制作时能够抑制第3基板13(131、132、133)的露出，并抑制因外部空气导致的变质。
第3实施方式的电子元件搭载用基板1的其他方面能够使用与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样的制造方法来制作。
此外，第3实施方式的电子元件搭载用基板1如果与第1实施方式的电子元件搭载用基板1同样地，沿着长方形形状的电子元件2，在俯视下是电子元件2的长边方向侧变长的长方形形状，则在与电子元件2的长边方向垂直相交的方向上的电子元件搭载用基板1的宽度变短，电子元件2在与长边方向不同的方向上散热的热能够容易良好地散热到外部。
在上述示例中，在第1基板11的第1主面设置的金属层15通过薄膜法来形成，然而还可以是使用了以往周知的共烧法或者后烧法等的金属层。在使用这样的金属层15的情况下，在第1基板11和第2基板12的接合前，预先将金属层15设置于第1基板11的第1主面。此外，为了使第1基板11的平面度良好，如上述第1实施方式所示的那样，还可以是通过薄膜法来形成在第1基板11的第1主面设置的金属层15的方法。
(第4实施方式)
接下来，参照图17以及图18说明第4实施方式的电子装置。
在第4实施方式中的电子元件搭载用基板1中，与上述实施方式的电子元件搭载用基板1的不同点是，在俯视透视下，第2基板12的框部的宽度在电子元件2的搭载部11a的长边方向和与长边方向垂直相交的方向上是不同的。
在图17所示的示例中，通过虚线示出了在俯视透视下第3基板13的外缘。金属层15以及接合层15在图17所示的示例中通过剖面线来表示。
根据第4实施方式中的电子元件搭载用基板1，与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样地，在电子元件2的与长边方向的膨胀方向不同的方向上传热，容易从第2基板12进行散热，由此，降低了电子元件2向长边方向的膨胀，通过第1基板11、第2基板12、第4基板14来保持第3基板13的六面整体，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。此外，相对于电子元件2的搭载部11a的长边方向，在与长边方向垂直相交的方向上第2基板12的框部的宽度变大，在电子元件2的与长边方向的膨胀方向不同的方向上传热，能够更容易从第2基板12散热。
此外，若在与电子元件2的长边方向垂直相交的方向上，将第1基板11和第2基板12的接合面积、第4基板14和第2基板12的接合面积较宽地设置位置，则使第1基板11和第2基板12的接合以及第4基板14和第2基板12的接合良好，并抑制了电子元件2的热容易传热的电子元件2的与长边方向垂直相交的方向上的电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够良好地使光放出。
此外，在俯视透视下，电子元件2的与长边方向垂直相交的方向上的第3基板13的宽度变得至少比电子元件2的宽度宽。若电子元件2的与长边方向垂直相交的方向上的第3基板13的宽度至少是电子元件2的宽度的2倍以上且是第3基板11的厚度以上，则通过使从第3基板13向第4基板14侧传热而抑制了向第2基板12侧的传热，因此，抑制了电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够良好地使光放出。
此外，第4实施方式的电子元件搭载用基板1在俯视透视下，第2基板12小的侧的框部的宽度(第2基板12的外缘和第3基板13的外缘的间隔)还可以设为50μm以上。能够使第1基板11的外周部分和第2基板12的接合良好，并在第2基板12的内侧将第1基板11和第3基板13良好地接合，来作为散热性优异的电子元件搭载用基板1。
若第2基板12的厚度T2和第3基板13的厚度T3的大小相同，则能够从第3基板13的侧面整体向第2基板12良好地传热，在第1基板11的外缘部因第2基板12的厚度与第3基板13的厚度的大小的差异导致的变形变小，抑制了电子元件2的位置偏离、或者电子元件搭载用基板1的变形，由此，能够容易使光良好地放出。
此外，所谓第2基板12的厚度T2和第3基板13的厚度T3的大小相同，示出了如上述那样，第2基板12的厚度T2和第3基板13的厚度T3在5％左右的范围内是同等的厚度来设置位置(0.95T2≤T3≤1.05T2)。
与第1实施方式的电子元件搭载用基板1以及第2实施方式的电子元件搭载用基板1同样地，还可以使用第1基板11的热传导率κα和第4基板14的热传导率κγ的热传导率为同等的材料(κα≈κγ)。
第4实施方式的电子元件搭载用基板1的其他方面能够使用与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样的制造方法来制作。
本公开并不限定于上述的实施方式的示例，能够进行各种变更。例如，还可以是在使第1基板11、第2基板12、第3基板13、第4基板14粘接的复合基板的角部具有缺口部或倒角部的方形形状。
此外，在第4实施方式的电子元件搭载用基板1中，与第3实施方式的电子元件搭载用基板1同样地，第3基板13还可以在电子元件搭载用基板1的厚度方向上)将多个第3基板13(131、132、133)重叠。

Claims (10)

1.一种电子元件搭载用基板，其特征在于，具有：
第1基板，其具有第1主面，并具有电子元件的搭载部，该电子元件的搭载部位于该第1主面，包含绝缘体且是长边方向的一端部位于所述第1主面的外缘部的矩形形状；
第2基板，其位于与所述第1主面相反侧的第2主面，并具有与该第2主面对置的第3主面以及与该第3主面相反侧的第4主面；以及
第3基板，其被埋入该第2基板，包含碳材料，并具有位于在厚度方向上的所述第3主面侧的第5主面以及与该第5主面相反侧的第6主面，
在俯视透视下，所述第3基板的与所述搭载部的长边方向垂直相交的方向的热传导比所述搭载部的长边方向的热传导大。
2.根据权利要求1所述的电子元件搭载用基板，其特征在于，
所述第2基板是金属。
3.根据权利要求1所述的电子元件搭载用基板，其特征在于，
所述第2基板是绝缘体。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子元件搭载用基板，其特征在于，
在所述搭载部的长边方向的纵剖视下，所述第3基板的厚度方向的热传导比与厚度方向垂直相交的方向的热传导大。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子元件搭载用基板，其特征在于，
所述电子元件搭载用基板具有：
第4基板，其位于所述第4主面以及所述第6主面，包含绝缘体，并具有与所述第4主面以及所述第6主面对置的第7主面、以及与该第7主面相反侧的第8主面。
6.根据权利要求5所述的电子元件搭载用基板，其特征在于，
在俯视透视下，所述第3基板位于比所述第1基板的外缘部以及所述第4基板的外缘部更靠内侧的位置。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子元件搭载用基板，其特征在于，
所述第2基板的厚度与所述第3基板的厚度的大小相同。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子元件搭载用基板，其特征在于，
所述第2基板是框状。
9.一种电子装置，其特征在于，具有：
权利要求1至8中任一项所述的电子元件搭载用基板；
在该电子元件搭载用基板的搭载部搭载的电子元件；以及
搭载有所述电子元件搭载用基板的布线基板或者电子元件收纳用封装件。
10.一种电子模块，其特征在于，具有：
权利要求9所述的电子装置；以及
连接有该电子装置的模块用基板。
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