CN111613645A - 显示装置 - Google Patents

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赵尹衡
金正洙
朴锺珍
吕海九
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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：第一基体；发光元件，位于第一基体上，并且分别位于像素中；第二基体，面对第一基体；以及阻光/支撑构件，位于发光元件与第二基体之间，并且位于每个像素的边界处，其中，阻光/支撑构件包括阻光部和位于阻光部中的多个支撑部。

Description

显示装置
本申请要求于2019年2月26日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0022361号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示装置。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置已经变得越来越重要。因此，目前正在开发各种显示装置，诸如液晶显示装置(LCD)和有机发光二极管显示装置(OLED)。
在这样的显示装置之中，有机发光显示装置包括作为自发光元件的有机发光元件。有机发光元件可以包括两个相对的电极以及置于它们之间的有机发射层。从两个电极供应的电子和空穴在有机发射层中复合以产生激子，所产生的激子从激发态弛豫(例如，跃迁)到基态，因此可以发射光。
这样的有机发光显示装置不需要单独的光源，因此它消耗更低的功率，且可以做得轻质且纤薄，并且表现出诸如宽视角、高亮度和对比度以及快响应速度的高质量特性。因此，有机发光显示装置作为下一代显示装置而受到关注。
发明内容
本公开的实施例的方面提供了一种显示装置，该显示装置可以通过减小填料的厚度来增大色域并且具有改善的填充工艺的可靠性。
应注意的是，本公开的目的不限于上述目的；通过下文的描述，本公开的其他目的对于本领域技术人员将是明显的。
显示装置的实施例包括多个像素。显示装置包括：第一基体；发光元件，位于第一基体上，并且分别位于像素中；第二基体，面对第一基体；以及阻光/支撑构件，位于发光元件与第二基体之间，并且位于每个像素的边界处，其中，阻光/支撑构件包括阻光部和位于阻光部中的多个支撑部。
显示装置的实施例包括多个像素。显示装置包括：基体；发光元件，位于基体上，并且分别位于像素中；坝层，围绕发光元件，并且位于每个像素的边界处；薄封装层，覆盖发光元件和坝层；以及阻光/支撑构件，位于薄封装层上，并且与坝层叠置，其中，阻光/支撑构件包括阻光部和多个第一支撑部。
显示装置的实施例包括：第一基底，包括多个发光元件；第二基底，与第一基底相对，其中，在第二基底上限定第一光出射区域和非光出射区域；以及阻光/支撑构件，位于第一基底与第二基底之间，其中，第二基底包括位于第一光出射区域中并且将第一颜色的波长的光转换为第二颜色的光的第一波长转换图案，并且其中，填料与第一波长转换图案叠置，并且阻光/支撑构件围绕填料且与非光出射区域叠置。
根据本公开的示例性实施例，可以通过减小填料的厚度来增大显示装置的色域，并且可以改善填充工艺的可靠性。
应注意的是，本公开的效果不限于上面描述的效果，并且通过下面的描述，本公开的其他效果对于本领域技术人员将是明显的。
附图说明
通过参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的实施例的以上和其他方面以及特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的透视图；
图2是沿着图1的线II-II'截取的显示装置的剖视图；
图3是图1和图2中所示的第一基底的平面图；
图4是沿着图3的线IV-IV'截取的显示装置的剖视图；
图5是沿着图3的线V-V'截取的显示装置的剖视图；
图6是图4的部分Q1的放大剖视图；
图7是示出图6中所示的结构的变型的剖视图；
图8是示出图6中所示的结构的另一变型的剖视图；
图9是示出图4中所示的结构的变型的剖视图；
图10是示出图5中所示的结构的变型的剖视图；
图11是图4中的区域Q2的放大图；
图12是根据另一示例性实施例的显示装置的区域Q2的放大图；
图13是根据又一示例性实施例的显示装置的示意性平面图；
图14是沿着图13的线XIV-XIV'截取的显示装置的剖视图；
图15是根据又一示例性实施例的显示装置的示意性平面图；
图16是沿着图15中所示的线XVI-XVI'截取的显示装置的剖视图；以及
图17至图23是根据本公开的各种示例性实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
通过参照下面实施例和附图的详细描述，可以更容易地理解本公开的实施例的特征及其实现方法。然而，本公开的主题可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域技术人员充分地传达本公开的构思，本公开的主题将仅由所附权利要求及其等同物限定。贯穿说明书，同样的附图标记表示同样的元件。
将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。
将理解的是，尽管这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以将下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
这里参照可以为本公开的主题的实施例的示意图的平面图和透视图来描述本公开的主题的示例性实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，本公开的示例性实施例不局限于特定特征，而是可以包括基于制造工艺的变化。因此，附图中示出的区域具有示意性属性，并且附图中示出的区域的形状是用于示出特定形状，而不是用于限制本公开的范围。
这里，相同或相似的元件由同样的附图标记表示。
在下文中，将参照附图描述本公开的示例性实施例。图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的透视图。图2是沿着图1的线II-II'截取的显示装置的剖视图。图3是图1和图2中所示的第一基底的平面图。
图1至图3中示出的显示装置1可以应用于各种电子装置中，该电子装置包括中小型电子装置(诸如平板PC、智能电话、车辆导航单元、相机、安装在车辆中的中央信息显示器(CID)、腕式电子装置、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)和游戏机)和大中型电子装置(诸如电视、电子广告牌、监视器、个人计算机和膝上型计算机)。应当理解的是，以上列出的电子装置仅是说明性的，并且在不脱离本公开的范围的情况下，显示装置1可以应用于各种其他电子装置中。
在一些示例性实施例中，当从顶部观看时，显示装置1可以具有矩形形状。显示装置1可以具有在一个方向上延伸的两条较短边以及在与该方向交叉的另一方向上延伸的两条较长边。尽管显示装置1的较长边和较短边所交汇的角可以形成直角，但这仅是说明性的。显示装置1可以具有倒圆角。当从顶部观看时，显示装置1的形状不限于附图中所示的形状。显示装置1可以具有正方形形状、圆形形状、椭圆形形状或其他形状。
显示装置1可以包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。
显示区域DA可以位于显示装置1的中心部分中。显示区域DA可以包括多个像素。多个像素可以包括被构造为发射第一颜色的光(例如，具有在大约610nm至大约650nm的范围内的峰值波长的红光)的第一像素PX1、被构造为发射第二颜色的光(例如，具有在大约510nm至大约550nm的范围内的峰值波长的绿光)的第二像素PX2和被构造为发射第三颜色的光(例如，具有在大约430nm至大约470nm的范围内的峰值波长的蓝光)的第三像素PX3。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以在行方向d1和列方向d2上重复地布置。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以布置成各种合适的形状，诸如条纹形状和Pentile形状。
参照图4，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以分别包括第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3，并且包括非发射区域LB。第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中的每个被限定为构造为从有机层发射光的区域，并且非发射区域LB被限定为不通过有机层发射光的区域。非发射区域LB可以被定位为围绕第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3。第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以通过将在下文中描述的坝层与非发射区域LB分开。
另外，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以分别包括第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3，并且包括非光出射区域PB。第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3被限定为光通过显示表面出射到外部的区域，而非光出射区域PB被限定为光不通过显示表面出射到外部的区域。非光出射区域PB可以被定位为围绕第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3。第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3可以通过稍后将要描述的阻光构件与非光出射区域PB分开。尽管当从顶部观看时，第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3的尺寸可以分别大于第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3的尺寸，但是这仅是说明性的。第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3的尺寸可以分别等于第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3的尺寸。
从第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个发射的光的波长不仅可以通过从第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3发射的光来调节，而且可以通过与第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3叠置的波长转换图案或滤色器来调节。例如，第一像素PX1的第一发射区域LA1、第二像素PX2的第二发射区域LA2和第三像素PX3的第三发射区域LA3都可以被构造为发射相同(例如，基本相同)波长的光(例如，蓝光)，并且蓝光可以通过像素中的波长转换图案和/或滤色器转换为用于不同像素的不同颜色的光。
非显示区域NDA可以位于显示区域DA的外部，并且可以围绕显示区域DA。非显示区域NDA可以不包括发射区域，或者可以包括具有与发射区域的结构相同(例如，基本相同)的结构但不发光的虚设发射区域，或者可以包括发射区域但光在显示方向上被阻光构件阻挡。
这里，概括地描述了显示装置1的堆叠结构。如图2中所示，显示装置1可以包括第一基底10、与第一基底10相对的第二基底30、置于第一基底10与第二基底30之间的填料70以及在第一基底10和第二基底30的边缘处将第一基底10与第二基底30结合的密封构件50。
第一基底10可以包括用于显示图像的元件和电路，例如，以开关元件为例的像素电路、在显示区域DA中限定第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3以及非发射区域LB的坝层和有机发光元件。第一基底10可以是显示基底。
第二基底30位于第一基底10上方，并且面对第一基底10。第二基底30可以是但不限于包括用于转换入射光的颜色的颜色转换图案的颜色转换基底。
阻光/支撑构件90可以位于第一基底10与第二基底30之间。阻光/支撑构件90可以包括阻光部91和位于阻光部91中的支撑部92。
阻光部91可以沿着第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个的边界定位。此外，阻光部91的至少一部分可以与非光出射区域PB和非发射区域LB叠置。阻光部91可以包括光吸收材料，以阻挡泄漏到相邻的光出射区域的光。
支撑部92可以位于阻光部91中的任何合适的位置处。支撑部92可以位于第一基底10与第二基底30之间，以大体上保持第一基底10与第二基底30之间的间隙。在下文中，将更详细地描述阻光/支撑构件90。
非显示区域NDA还可以包括密封区域SA。密封区域SA可以沿着显示装置1的两条较长边和两条较短边的边缘部分连续。密封构件50可以在密封区域SA中位于第一基底10与第二基底30之间。当从顶部观看时，密封构件50可以围绕显示区域DA。第一基底10和第二基底30可以通过密封构件50彼此结合。密封构件50可以由但不限于包括诸如环氧树脂的有机材料的材料制成。
在图1和图2中，当从顶部观看时，密封区域SA沿着显示装置1的所有边缘(例如，四个边缘)形成，并且密封区域SA与显示装置1的侧端对齐。然而，将理解的是，本公开不限于此。例如，密封区域SA可以形成在显示装置1的至少一个侧端的内侧上，以提供定位有外部装置和/或结合到外部装置的信号垫(pad，或称为“焊盘”)等的区域。另外，可以通过密封区域SA来防止或减少密封构件50在密封构件50的固化工艺之前流到显示装置1的外侧。
填料70可以位于第一基底10与第二基底30之间被密封构件50围绕的空间中。填料70可以用于填充第一基底10与第二基底30之间的空间。填料70可以由透射光的材料制成。填料70可以包括但不限于具有高折射率的有机材料，诸如硅类有机材料、环氧类有机材料和环氧-丙烯酸类有机材料。在一些示例性实施例中，填料70可以包括硅橡胶。
在下文中，将参照图4至图9更详细地描述显示装置1的结构。
图4是根据本公开的示例性实施例的沿着图3的线IV-IV'截取的显示装置的剖视图。图5是根据本公开的示例性实施例的沿着图3的线V-V'截取的显示装置的剖视图。图6是图4的部分Q1的放大剖视图。图7是示出图6中所示的结构的变型的剖视图。图8是示出图6中所示的结构的另一变型的剖视图。图9是示出图4中所示的结构的变型的剖视图。
首先，参照图4，如上所述，显示装置1包括第一基底10和第二基底30。显示装置1可以包括位于第一基底10与第二基底30之间以将它们结合的密封构件50以及位于由第一基底10、第二基底30和密封构件50围绕的空间中的填料70。
在下文中，将更详细地描述第一基底10。第一基底10可以包括第一基体110、第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3、绝缘层130、坝层150、第一有机发光元件ED1、第二有机发光元件ED2和第三有机发光元件ED3以及薄封装层170。
第一基体110可以由透光材料制成。第一基体110可以是玻璃基底或塑料基底。
至少一个开关元件(例如，第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3)可以在第一基体110上位于第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个中。在一些实施例中，用于将信号传输到开关元件的多条信号线(例如，栅极线、数据线、电力线等)可以进一步位于第一基体110上。
绝缘层130可以位于第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3之上。绝缘层130可以由有机层形成。例如，绝缘层130可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂、酯树脂等。
第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以在绝缘层130上分别位于第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中。第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以分别位于第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3内，并且它们的至少一部分可以延伸到非发射区域LB。第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以通过穿透绝缘层130的通孔分别结合到第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3。
在示例性实施例中，第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3中的每个可以是相应的有机发光元件的阳极电极。第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以包括具有高逸出功的材料，以易于空穴的注入，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟(In2O3)。当显示装置1是顶发射显示装置时，第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3还可以包括反射金属层。反射金属层可以包括例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的混合物。在一些示例性实施例中，第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以具有ITO/Ag、Ag/ITO、ITO/Mg和ITO/MgF2的两层结构，或者ITO/Ag/ITO的多层结构。
坝层150可以位于第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3之上。坝层150沿着第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的边界。坝层150可以形成为栅格形状，并且可以包括部分地暴露第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3的开口。如上所述，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以通过坝层150与非发射区域LB分开。第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3的未被坝层150覆盖而被暴露的部分可以是第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3，而被坝层150覆盖的其他部分可以是非发射区域LB。经由开口暴露的区域的尺寸可以彼此不同。换句话说，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3的面积可以彼此不同。然而，将要理解的是，本公开不限于此。第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3的面积可以彼此相等。
在一些示例性实施例中，坝层150可以包括有机绝缘材料，诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)。
有机层OL可以位于第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3的经由坝层150的开口暴露的部分上。这里，将参照图6至图8更详细地描述有机层OL。
尽管图6至图8示出了第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之中的仅第一像素PX1的有机层OL的堆叠结构，但是将要理解的是，其他像素的有机层OL可以全部具有相同(例如，基本相同)的堆叠结构。
参照图6，根据本公开的示例性实施例，有机层OL可以包括在第一像素电极AE1上的第一空穴传输层HTL1、在第一空穴传输层HTL1上的第一发射层EL1以及在第一发射层EL1上的第一电子传输层ETL1。根据本公开的示例性实施例，有机层OL可以包括仅单个发射层(例如，第一发射层EL1)作为发射层。第一发射层EL1可以是蓝色发射层。然而，将要理解的是，有机层OL的堆叠结构不限于图6的结构，而是可以如图7或图8中所示被修改。
参照图7，有机层OLa还可以包括在第一发射层EL1上的第一电荷产生层CGL1和在第一电荷产生层CGL1上的第二发射层EL2。第一电子传输层ETL1可以位于第二发射层EL2上。
第一电荷产生层CGL1可以用于将电荷注入到相邻的发射层中。第一电荷产生层CGL1可以用于控制第一发射层EL1与第二发射层EL2之间的电荷平衡。在一些示例性实施例中，第一电荷产生层CGL1可以包括n型电荷产生层和p型电荷产生层。p型电荷产生层可以位于n型电荷产生层上。
第二发射层EL2可以被构造为像第一发射层EL1一样发射蓝光。然而，将要理解的是，本公开不限于此。第二发射层EL2可以被构造为发射具有与第一发射层EL1发射的光的峰值波长相同或不同的峰值波长的蓝光。在另一实施例中，第一发射层EL1和第二发射层EL2可以被构造为发射不同颜色的光。例如，第一发射层EL1可以被构造为发射蓝光，而第二发射层EL2可以被构造为发射绿光。
具有上述结构的有机层OLa包括两个发射层，使得与图6的结构相比，可以提高光提取效率和寿命。
图8示出了有机层OLb可以包括第一发射层EL1、第二发射层EL2和第三发射层EL3以及置于它们之间的两个电荷产生层CGL1和CGL2。如图8中所示，有机层OLb还可以包括在第一发射层EL1上的第一电荷产生层CGL1、在第一电荷产生层CGL1上的第二发射层EL2、在第二发射层EL2上的第二电荷产生层CGL2和在第二电荷产生层CGL2上的第三发射层EL3。第一电子传输层ETL1可以位于第三发射层EL3上。
第三发射层EL3可以像第一发射层EL1和第二发射层EL2一样被构造为发射蓝光。在示例性实施例中，第一发射层EL1、第二发射层EL2和第三发射层EL3中的每个可以被构造为发射相同峰值波长或不同峰值波长的蓝光。在另一示例性实施例中，第一发射层EL1、第二发射层EL2和第三发射层EL3可以被构造为发射不同颜色的光。例如，每个发射层可以被构造为发射蓝光或绿光，或者发射层可以被构造为分别发射红光、绿光和蓝光，以整体上发射白光。
再次参照图4，第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3上的有机层OL可以彼此结合。即使第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3上的有机层OL彼此结合，也仅有机层OL的与第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3接触的部分可以被构造为发光。如果有机层OL横跨像素形成为公共层，则它们可以并行(例如，同时)形成，这在工艺效率方面是有利的。
与图4的示例性实施例不同，图9示出了第一有机层OL1、第二有机层OL2和第三有机层OL3彼此分开并位于各个像素中的示例。参照图9，第一像素电极AE1上的第一有机层OL1、第二像素电极AE2上的第二有机层OL2和第三像素电极AE3上的第三有机层OL3彼此分开。例如，第一有机层OL1、第二有机层OL2和第三有机层OL3可以分别位于经由坝层150的开口暴露的第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3上，使得它们可以通过坝层150而彼此分开。当第一有机层OL1、第二有机层OL2和第三有机层OL3彼此分开且位于各个第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中时，能够防止或减少由于漏电流而从不期望的像素发射光。
在一些示例性实施例中，第一有机层OL1、第二有机层OL2和第三有机层OL3中的一些堆叠层可以如图9中所示彼此分开且位于各个像素中，而它们中的其他堆叠层可以如图4中所示横跨像素形成。例如，每个有机层的发射层可以逐个像素分开，而空穴传输层和/或电子传输层可以形成为公共层。
返回参照图4，共电极CE位于有机层OL上。共电极CE可以横跨第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3位于整个表面上。
当第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3中的每个是各个有机发光元件的阳极电极时，共电极CE是有机发光元件的阴极电极。共电极CE可以包括具有低逸出功的材料，以使易于电子注入，例如，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF2、Ba等，或者它们的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。
当显示装置1是顶发射显示装置时，共电极CE可以是透明的或透反射的。当共电极CE以几十埃
Figure BDA0002392510190000111
至几百埃的范围内的厚度由上述具有低逸出功的材料中的一种形成时，共电极CE可以是透明的或透反射的。当共电极CE包括具有低逸出功的薄金属膜时，其还可以包括位于薄金属膜上的透明导电材料层，诸如氧化钨(WxOy)、氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)和氧化镁(MgO)，以降低电阻并实现透射率。
第一像素电极AE1、有机层OL和共电极CE可以形成第一有机发光元件ED1。第二像素电极AE2、有机层OL和共电极CE可以形成第二有机发光元件ED2。第三像素电极AE3、有机层OL和共电极CE可以形成第三有机发光元件ED3。
薄封装层170位于共电极CE上。为了防止或减少杂质或湿气从外部的渗透，薄封装层170可以位于第一有机发光元件ED1、第二有机发光元件ED2和第三有机发光元件ED3上方以密封第一基底10。
薄封装层170可以位于横跨第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的整个表面上。此外，如图5中所示，薄封装层170可以延伸到非显示区域NDA的一部分。在一些实施例中，盖层可以进一步位于薄封装层170与共电极CE之间以覆盖共电极CE，在这种情况下，薄封装层170可以直接覆盖盖层。
薄封装层170可以覆盖包括位于其下方的共电极CE的第一有机发光元件ED1、第二有机发光元件ED2和第三有机发光元件ED3。第一有机发光元件ED1、第二有机发光元件ED2和第三有机发光元件ED3中的每个可以被第一基体110和薄封装层170围绕并密封。
薄封装层170可以包括顺序地堆叠在共电极CE上的第一无机封装层171、有机封装层173和第二无机封装层175。
第一无机封装层171和第二无机封装层175中的每个可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)、氟化锂等制成。
有机封装层173可以由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯树脂、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂和苝树脂制成。
第一无机封装层171可以位于共电极CE的表面上。如上所述，共电极CE会在表面上包括共形地反映其下方的水平差的凹凸形状。第一无机封装层171由无机材料制成，并且会共形地反映其下方的共电极CE的凹凸形状的至少一部分。因此，第一无机封装层171会像共电极CE一样具有凹凸形状。
有机封装层173可以位于第一无机封装层171的表面上。有机封装层173可以用于填充第一无机封装层171的表面的凹凸形状以减小其下方的水平差或在其之上提供平坦的表面。
第二无机封装层175可以位于有机封装层173的表面上。
第一无机封装层171可以在边缘部分处与第二无机封装层175接触。例如，当在从顶部观看时第一无机封装层171和第二无机封装层175的尺寸大于有机封装层173的尺寸时，第一无机封装层171和第二无机封装层175的端部可以彼此接触。因此，有机封装层173可以被第一无机封装层171和第二无机封装层175完全密封。尽管在图5中所示的示例中，第二无机封装层175比第一无机封装层171更向外延伸，但这仅是说明性的。当从顶部观看时，第一无机封装层171可以进一步向外延伸，或者第一无机封装层171和第二无机封装层175可以形成为具有相同(例如，基本相同)的尺寸，并且它们的端部可以彼此对齐。
将要注意的是，薄封装层170的结构不限于以上示例。可以以各种方式改变薄封装层170的堆叠结构。
在下文中，将更详细地描述第二基底30。第二基底30可以包括第二基体310、阻光构件320、滤色器330、光调节图案340、平坦化层OC以及盖层PS1、PS2和PS3。
第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2、第三光出射区域PA3和非光出射区域PB可以被限定在第二基底30上。第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3被限定为光出射到外部的区域，而非光出射区域PB被限定为光被阻挡且不出射到外部的区域。非光出射区域PB可以被定位为围绕第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3。第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3可以分别包括上述的第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3，并且可以包括非发射区域LB的至少一部分。非光出射区域PB可以位于非发射区域LB中。例如，第一光出射区域PA1的面积、第二光出射区域PA2的面积和第三光出射区域PA3的面积可以分别大于第一发射区域LA1的面积、第二发射区域LA2的面积和第三发射区域LA3的面积，并且非光出射区域PB的面积可以小于非发射区域LB的面积。然而，将要理解的是，本公开不限于此。
尽管第一光出射区域PA1的面积、第二光出射区域PA2的面积和第三光出射区域PA3的面积可以彼此不同，但是本公开不限于此。第一光出射区域PA1的面积、第二光出射区域PA2的面积和第三光出射区域PA3的面积可以彼此相等。
第二基体310可以由透光材料制成。第二基体310可以是玻璃基底或塑料基底。
阻光构件320可以位于第二基体310(例如，第二基体基底)的面对第一基体110(图4的下侧)的表面上。阻光构件320可以沿着第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个的边界，并且可以阻挡光的透射。例如，当从顶部观看时，阻光构件320可以形成为栅格形状，并且可以防止或减少光穿过相邻的第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3时发生的混色。第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3可以通过阻光构件320与非光出射区域PB分开。例如，第二基体310的不与阻光构件320叠置的部分成为第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3，并且第二基体310的与阻光构件320叠置的部分成为非光出射区域PB。
阻光构件320可以由诸如石墨和炭黑的无机材料以及诸如黑色颜料和黑色染料的有机材料中的至少一种形成，或者可以由包括铬(Cr)的金属材料形成。然而，将要注意的是，阻光构件320的材料在此不受特别限制，只要其可以阻挡光透射并吸收光即可。
第一滤色器331、第二滤色器333和第三滤色器335可以位于第二基体310和阻光构件320上。第一滤色器331可以与第一光出射区域PA1叠置，第二滤色器333可以与第二光出射区域PA2叠置，并且第三滤色器335可以与第三光出射区域PA3叠置。
第一滤色器331、第二滤色器333和第三滤色器335中的每个可以是吸收性滤光器，吸收性滤光器可以选择性地透射设定的或特定的颜色的光，并吸收其他颜色的光以阻挡光的透射。例如，第一滤色器331可以透射第一颜色的光并且吸收第二颜色的光和第三颜色的光以阻挡第二颜色的光和第三颜色的光。如上所述，第一颜色的光可以是红光，第二颜色的光可以是绿光，第三颜色的光可以是蓝光。例如，第一滤色器331可以是透射红光且阻挡并吸收绿光和蓝光的红光透射滤光器，并且可以包括红色着色剂。
例如，第二滤色器333可以透射第二颜色的光并且吸收第一颜色的光和第三颜色的光以阻挡第一颜色的光和第三颜色的光。在一些实施例中，第二滤色器333可以是透射绿光且阻挡并吸收红光和蓝光的绿光透射滤光器，并且可以包括绿色着色剂。
第三滤色器335可以透射第三颜色的光并且吸收第一颜色的光和第二颜色的光以阻挡第一颜色的光和第二颜色的光。例如，第三滤色器335可以是透射蓝光且阻挡并吸收红光和绿光的蓝光透射滤光器，并且可以包括蓝色着色剂。
此外，第一滤色器331、第二滤色器333和第三滤色器335中的每个可以吸收从外部入射的光的至少一部分。例如，因为第一滤色器331充当红光透射滤光器，所以它可以阻挡外部光的除红光之外的至少一部分。另外，因为第二滤色器333充当绿光透射滤光器，所以它可以阻挡外部光的除绿光之外的至少一部分。另外，因为第三滤色器335充当蓝光透射滤光器，所以它可以阻挡外部光的除蓝光之外的至少一部分。以这种方式，第一滤色器331、第二滤色器333和第三滤色器335可以抑制或减少外部光的反射。
在一些示例性实施例中，第一滤色器331、第二滤色器333和第三滤色器335之间的边界可以位于非光出射区域PB中。阻光构件320可以位于第一滤色器331、第二滤色器333和第三滤色器335之间的边界与第二基体310之间。
第一盖层PS1可以位于第一滤色器331、第二滤色器333和第三滤色器335上。第一盖层PS1可以防止或减少第一滤色器331、第二滤色器333和第三滤色器335受到从外部渗透的诸如湿气和空气的杂质的损害或污染。另外，第一盖层PS1可以防止或减少包括在第一滤色器331、第二滤色器333和第三滤色器335中的每个中的着色剂扩散到其他元件中。
在一些示例性实施例中，第一盖层PS1可以由无机材料制成。例如，第一盖层PS1可以由包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅等的材料制成。
第一盖层PS1可以是包含上述无机材料中的至少一种的单层，或者可以由包含不同无机材料的多层形成。
光调节图案340可以位于第一盖层PS1上。光调节图案340可以包括第一波长转换图案341、第二波长转换图案343和透光图案345。
第一波长转换图案341可以位于第一光出射区域PA1中，而不位于第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3中。第一波长转换图案341可以将峰值波长的入射光转换成另一峰值波长的光，使得光出射。例如，第一波长转换图案341可以将蓝光转换为在大约610nm至大约650nm范围内的红光。
第一波长转换图案341可以包括第一基体树脂3411和分散在第一基体树脂3411中的第一波长转换材料3413，并且还可以包括分散在第一基体树脂3411中的第一散射体3415。
第一基体树脂3411的材料不受特别限制，只要其具有高的透光率，并且第一波长转换材料3413和第一散射体3415可以很好地分散在其中即可。例如，第一基体树脂3411可以包括有机材料，诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、Cardo树脂或酰亚胺树脂。
第一波长转换材料3413可以将峰值波长的入射光转换成另一峰值波长的光。第一波长转换材料3413的示例可以包括量子点、量子棒或磷光体。量子点可以是被构造为在电子从导带跃迁至价带时发射一定颜色的光的颗粒物质。
量子点可以是半导体纳米晶体材料。量子点根据其组成和尺寸具有设定或特定的带隙，并且可以吸收光并发射具有本征波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体或其组合。
例如，IV族纳米晶体的示例可以包括但不限于二元化合物，IV族纳米晶体的示例为诸如硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)和硅锗(SiGe)。
另外，II-VI族化合物纳米晶体的示例可以包括但不限于：二元化合物，诸如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和其混合物；三元化合物，诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和其混合物；或四元化合物，诸如HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和其混合物。
III-V族化合物纳米晶体的示例可以包括但不限于：二元化合物，诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和其混合物；三元化合物，诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和其混合物；以及四元化合物，诸如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和其混合物。
IV-VI族化合物纳米晶体的示例可以包括：二元化合物，诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和其混合物；三元化合物，诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和其混合物；以及四元化合物，诸如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和其混合物。
量子点的形状不受特别限制，并且可以具有本领域通常使用的任何合适的形状。例如，量子点可以具有球形形状、角锥形形状和多臂形形状，或者可以是立方纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板等。上述的二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀(例如，基本上均匀)的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度存在于同一颗粒中。
量子点可以具有包括包含纳米晶体的核和围绕核的壳的核-壳结构。在核与壳之间的界面处，壳中原子的浓度梯度可以朝向中心减小。量子点的壳可以用作用于通过防止或减少核的化学变性来保持半导体性质的保护层，和/或用作用于向量子点赋予电泳性质的荷电层。壳可以是单层或多层。量子点的壳的示例可以包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物、其组合等。
例如，金属或非金属的氧化物的示例可以包括但不限于：二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO；或三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4。
半导体化合物的示例可以包括但不限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等。
从第一波长转换材料3413发射的光可以具有大约45nm或更小、或者大约40nm或更小、或者大约30nm或更小的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)。以这种方式，可以改善由显示装置显示的颜色的色纯度和色域。另外，从第一波长转换材料3413输出的光可以沿不同的方向行进，而与入射光的入射方向无关。这可以改善显示装置的侧面可视性。
从第一有机发光元件ED1提供的蓝光L的一部分可能不被第一波长转换材料3413转换成红光。未被第一波长转换图案341转换而入射在第一滤色器331上的分量可以被第一滤色器331阻挡。另一方面，由第一波长转换图案341转换的红光可以穿过第一滤色器331而出射到外部。因此，从第一光出射区域PA1出射到外部的第一出射光L1可以是红光。
第一散射体3415可以具有与第一基体树脂3411的折射率不同的折射率，并且可以与第一基体树脂3411形成光学界面。例如，第一散射体3415可以是光散射颗粒。第一散射体3415的材料不受特别限制，只要其可以使透射光的至少一部分散射即可。例如，第一散射体3415可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物的示例可以包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等。有机颗粒的材料的示例可以包括丙烯酸树脂、聚氨酯树脂等。第一散射体3415可以在基本上不改变光的波长的情况下，使透射通过第一波长转换图案341的光沿任意方向散射，而与入射光入射所沿的方向无关。通过这样做，可以增加光穿过第一波长转换图案341所经过的路径的长度，并且可以提高第一波长转换材料3413的颜色转换效率。
第一波长转换图案341的厚度可以为大约3μm至大约15μm。当第一波长转换图案341形成为具有3μm或更大的厚度时，可以提高穿过第一波长转换图案341的光的颜色转换效率。为了容易处理，第一波长转换图案341的厚度的上限可以为大约15μm。
第一波长转换图案341中包括的第一波长转换材料3413的含量可以在10％至60％的范围内。第一波长转换图案341中包括的第一散射体3415的含量可以在2％至15％的范围内。
第二波长转换图案343可以位于第二光出射区域PA2中，而不位于第一光出射区域PA1和第三光出射区域PA3中。第二波长转换图案343可以将峰值波长的入射光转换成另一峰值波长的光，使得光出射。例如，第二波长转换图案343可以将蓝光转换为在大约510nm至大约550nm范围内的绿光。
第二波长转换图案343可以包括第二基体树脂3431和分散在第二基体树脂3431中的第二波长转换材料3433，并且还可以包括分散在第二基体树脂3431中的第二散射体3435。
第二基体树脂3431的材料不受特别限制，只要其具有高的透光率，并且第二波长转换材料3433和第二散射体3435可以很好地分散在其中即可。例如，第二基体树脂3431可以包括有机材料，诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、Cardo树脂或酰亚胺树脂。
如上所述，第二波长转换材料3433可以将峰值波长的入射光转换成另一峰值波长的光。第二波长转换材料3433可以将具有在430nm至470nm范围内的峰值波长的蓝光转换为具有在510nm至550nm范围内的峰值波长的绿光。
第二波长转换材料3433的示例可以包括量子点、量子棒或磷光体。第二波长转换材料3433与第一波长转换材料3413基本相同；因此，将省略冗余的描述。
第一波长转换材料3413和第二波长转换材料3433都可以是量子点。在这样的情况下，形成第一波长转换材料3413的量子点的直径可以大于形成第二波长转换材料3433的量子点的直径。例如，第一波长转换材料3413的量子点尺寸可以为大约
Figure BDA0002392510190000181
至大约
Figure BDA0002392510190000182
另外，第二波长转换材料3433的量子点尺寸可以为大约
Figure BDA0002392510190000183
至
Figure BDA0002392510190000184
在光穿过第一波长转换图案341和第二波长转换图案343之后，可以例如以非偏振状态消除光的偏振。非偏振光指不仅仅由在设定或特定方向上的偏振分量组成的光，例如，包括不在设定或特定方向上偏振的随机偏振分量(例如，由不在设定或特定方向上偏振的随机偏振分量组成)的光。非偏振光的示例可以是自然光。
第二散射体3435可以具有与第二基体树脂3431的折射率不同的折射率，并且可以与第二基体树脂3431形成光学界面。例如，第二散射体3435可以是光散射颗粒。第二散射体3435与上述的第一散射体3415基本相同；因此，将省略冗余的描述。
第二波长转换图案343的厚度可以为大约3μm至大约15μm。当第二波长转换图案343形成为具有3μm或更大的厚度时，可以提高穿过第二波长转换图案343的光的颜色转换效率。为了易于处理，第二波长转换图案343的厚度的上限可以为大约15μm。
第二波长转换图案343中包括的第二波长转换材料3433的含量可以在10％至60％的范围内。第二波长转换图案343中包括的第二散射体3435的含量可以在2％至15％的范围内。
从第二有机发光元件ED2发射的蓝光可以被提供到第二波长转换图案343。第二波长转换材料3433可以将从第二有机发光元件ED2提供的蓝光转换成具有在大约510nm至大约550nm的范围内的峰值波长的绿光。
从第二有机发光元件ED2提供的蓝光L的一部分可能不被第二波长转换材料3433转换成绿光，但是可以被第二滤色器333阻挡。另一方面，蓝光L的从第二有机发光元件ED2提供并通过第二波长转换图案343转换为绿光的部分可以穿过第二滤色器333并出射到外部。因此，从第二光出射区域PA2出射到外部的第二出射光L2可以是绿光。
透光图案345可以位于第三光出射区域PA3中，而不位于第一光出射区域PA1和第二光出射区域PA2中。透光图案345可以透射入射光。
透光图案345可以进一步包括第三基体树脂3451和分散在第三基体树脂3451中的第三散射体3453。
第三基体树脂3451可以由具有高透射率的有机材料制成，并且可以由与第一基体树脂3411的材料相同的材料制成，或者可以包括以上作为第一基体树脂3411的构成材料的示例所列出的材料中的至少一种。
第三散射体3453可以具有与第三基体树脂3451的折射率不同的折射率，并且可以与第三基体树脂3451形成光学界面。例如，第三散射体3453可以是光散射颗粒。第三散射体3453的材料不受特别限制，只要其可以使透射光的至少一部分散射即可。例如，第三散射体3453可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物的示例可以包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等。有机颗粒的材料的示例可以包括丙烯酸树脂、聚氨酯树脂等。第三散射体3453可以在基本上不改变光的波长的情况下，使透射通过透光图案345的光沿任意方向散射，而与入射光入射所沿的方向无关。以这种方式，可以改善穿过透光图案345的光的侧面可视性。
从第三有机发光元件ED3提供的蓝光L穿过透光图案345和第三滤色器335并出射到外部。例如，从第三光出射区域PA3逸出的第三出射光L3可以具有与从第三有机发光元件ED3发射的蓝光L的波长相同(例如，基本上相同)的波长。
第一波长转换图案341的面积、第二波长转换图案343的面积和透光图案345的面积可以分别与第一光出射区域PA1的面积、第二光出射区域PA2的面积和第三光出射区域PA3的面积成比例，并因此可以彼此不同。然而，将要理解的是，本公开不限于此。第一波长转换图案341、第二波长转换图案343和透光图案345可以具有相同(例如，基本上相同)的面积。
光调节图案340可以具有在厚度方向d3上突出的形状。例如，光调节图案340可以具有朝向第一基底10突出的形状。第一波长转换图案341、第二波长转换图案343和透光图案345可以具有基本上相同的高度。然而，将要理解的是，本公开不限于此。第一波长转换图案341、第二波长转换图案343和透光图案345可以具有不同的高度，或者第一波长转换图案341、第二波长转换图案343和透光图案345中的两个可以具有相同的高度，而它们中的另一个可以具有不同的高度。
在一些示例性实施例中，第一低折射层可以进一步位于第一盖层PS1与光调节图案340之间。第一低折射层可以遍布第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2、第三光出射区域PA3和非光出射区域PB定位。第一低折射层可以具有比光调节图案340的折射率低的折射率。例如，光调节图案340与第一低折射层之间的折射率的差可以等于或大于0.3。第一低折射层可以包括基体树脂和分散在基体树脂中的颗粒。包括在第一低折射层中的颗粒可以是以下颗粒中的至少一种：氧化锌(ZnO)颗粒、二氧化钛(TiO2)颗粒、中空二氧化硅颗粒、非中空二氧化硅颗粒、纳米硅酸盐颗粒和致孔剂颗粒。
第一低折射层可以将从光调节图案340朝向第二基体310出射的光的一部分反射回到光调节图案340。例如，第一低折射层使朝向第二基体310行进的光的至少一部分再循环，从而提高光利用效率并提高显示装置的发光效率。
在光调节图案340上，可以定位第二盖层PS2。第二盖层PS2可以覆盖第一波长转换图案341和第二波长转换图案343，并且也可以位于透光图案345上以覆盖透光图案345。
第二盖层PS2可以与第一盖层PS1一起密封光调节图案340，使得能够防止或减少从外部引入的诸如湿气和空气的杂质对光调节图案340的损坏或污染。在一些示例性实施例中，第二盖层PS2可以由无机材料制成。第二盖层PS2可以由与第一盖层PS1的材料相同(例如，基本上相同)的材料制成，或者可以包括以上作为第一盖层PS1的材料所列出的材料中的至少一种。在示例性实施例中，第二盖层PS2可以由氮化硅制成。第二盖层PS2可以共形地反映光调节图案340的表面台阶差，并且可以在其面对第一基底10的表面上包括凹凸形状。例如，第二盖层PS2的面或表面可以在其沿厚度方向与每个光调节图案340叠置的区域中具有凸部，同时第二盖层PS2的面或表面可以在其中其不与光调节图案340叠置的区域中具有凹部。
在一些实施例中，滤光器层可以进一步位于光调节图案340上。滤光器层可以是透射具有设定或特定的波长范围的光并且反射具有其他波长范围的光的反射滤光器。例如，滤光器层可以透射蓝光同时反射红光和绿光。
滤光器层使在第一波长转换图案341和第二波长转换图案343中被转换并朝向第一基底10出射的红光和绿光循环回到第二基体310，使得可以提高光提取效率。另外，滤光器层透射从第一有机发光元件ED1、第二有机发光元件ED2和第三有机发光元件ED3提供的蓝光，同时反射具有比第三颜色的光的中心波长长的中心波长的光，使得能够改善从第一有机发光元件ED1、第二有机发光元件ED2和第三有机发光元件ED3提供的蓝光的色纯度。
平坦化层OC可以进一步位于第二盖层PS2上。当第一波长转换图案341、第二波长转换图案343和透光图案345的厚度彼此不同时，或者当在工艺期间元件之间存在空间时，平坦化层OC可以针对元件的不同高度提供大致平坦的表面。
当元件的高度大体上均匀(例如，基本上均匀)时，可以去除平坦化层OC。
平坦化层OC的材料在此不受特别限制，只要其可以提供平坦的表面即可。在示例性实施例中，平坦化层OC可以包括有机材料。例如，有机材料可以包括Cardo类树脂、聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂、硅氧烷类树脂或倍半硅氧烷类树脂。
第三盖层PS3可以进一步位于平坦化层OC上。第三盖层PS3可以完全覆盖平坦化层OC。当如上所述去除平坦化层OC时，也可以去除第三盖层PS3。第三盖层PS3可以由无机材料制成。第三盖层PS3可以由与第一盖层PS1的材料相同(例如，基本上相同)的材料制成，或者可以包括以上作为第一盖层PS1的材料所列出的材料中的至少一种。
在一些示例性实施例中，第四盖层可以进一步位于第二基底30的最外层处。例如，第四盖层可以完全位于第三盖层PS3上，并且可以与填料70接触。
第四盖层可以包括富含氧的金属氧化物或非金属氧化物。第四盖层可以包括金属或非金属中心原子以及与中心原子形成共价键的氧原子和氮原子。在第四盖层中，氧的含量可以大于氮的含量。通过施加第四盖层，填料70可以更可靠地附着到第二基底30的表面。稍后将给出第四盖层的结构和效果的更详细描述。
密封构件50可以位于第一基底10的第一基体110与第二基底30的第二基体310之间。密封构件50可以与第一基体110的表面和第二基体310的面对第一基体110的表面接触。换句话说，第一基体110的表面可以通过密封构件50与第二基体310的表面结合。
在示例性实施例中，密封构件50可以形成在第一基体110的表面上，然后第二基体310可以附着到密封构件50。在另一示例性实施例中，密封构件50可以形成在第二基体310的表面上，然后第一基体110可以附着到密封构件50。
在示例性实施例中，如图2和图5中所示，密封构件50的外侧表面可以在厚度方向d3上与第一基底10的一个侧表面和第二基底30的一个侧表面对齐。密封构件50的外侧表面可以在剖面中沿厚度方向d3具有直线形状。密封构件50的背对密封构件50的外侧表面的内侧表面可以更向内侧，从而与填料70部分地接触。另外，密封构件50的内侧表面可以类似于其外侧表面在剖面中沿厚度方向d3具有直线形状，或者可以具有朝向内侧突出的弯曲形状。
如上所述，填料70可以位于由第一基底10、第二基底30和密封构件50围绕的空间中。在示例性实施例中，密封区域SA与显示区域DA之间的非显示区域NDA甚至可以被填料70填充，使得第一基底10与第二基底30之间的整个空间可以被填料70填充。在一些实施例中，填料70可以不位于与密封区域SA相邻的非显示区域NDA中，并且空气层可以被包括。
图10是示出图5中所示的结构的变型的剖视图。图10示出了可以在密封构件50与填料70之间形成空气层60。
显示装置1_1的空气层60当从顶部观看时可以位于密封区域SA与显示区域DA之间的非显示区域NDA中，并且在剖面中可以位于第一基底10与第二基底30之间。另外，空气层60可以至少部分地与密封构件50的内侧表面和稍后将描述的阻光/支撑构件90接触。
阻光/支撑构件90可以形成在第一基底10上，然后填料70可以施加在第一基底10和阻光/支撑构件90上。随后，当第一基底10和第二基底30通过密封构件50附着在一起时，填料70可以仅位于非显示区域NDA的至少一部分中和显示区域DA中，而可以不位于与密封区域SA相邻的区域中。例如，空气层60可以形成在不定位有填料70的区域中，这可以取决于制造工艺。
再次参照图3和图4，阻光/支撑构件90和填料70可以位于第一基底10与第二基底30之间。阻光/支撑构件90可以位于第一基底10与第二基底30之间，以保持第一基底10与第二基底30之间的间隙，并且可以防止或减少光泄漏到不期望的光出射区域。填料70可以用于填充通过阻光/支撑构件90彼此间隔开的第一基底10与第二基底30之间的空间。
首先，将描述阻光/支撑构件90。阻光/支撑构件90可以包括阻光部91和多个支撑部92。
阻光部91可以沿着第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之间的边界位于第一基底10与第二基底30之间，并且可以像阻光构件320一样阻挡光的透射。当从顶部观看时，阻光部91可以形成为栅格形状，并且可以防止或减少当光穿过相邻的第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3时发生的混色。
阻光部91可以包括有机材料和分散在有机材料中的石墨、炭黑、黑色颜料和黑色染料中的至少一种。然而，本公开不限于此。阻光部91可以由诸如石墨和炭黑的无机材料以及诸如黑色颜料和黑色染料的有机材料中的至少一种形成，或者可以由包括铬(Cr)的金属材料形成。然而，将要注意的是，阻光部91的材料在此不受特别限制，只要其可以阻挡光透射并吸收光即可。
阻光部91的至少一部分可以与非光出射区域PB叠置。另外，阻光部91可以定位为在厚度方向d3上与第二基底30中的阻光构件320叠置。在示例性实施例中，阻光部91的宽度可以等于第二基底30的阻光构件320的宽度。在另一示例性实施例中，阻光部91的宽度可以大于阻光构件320的宽度。例如，阻光部91的宽度可以在但不限于100μm至150μm的范围内。
支撑部92可以位于阻光部91中的任何合适的位置处。例如，如图3中所示，支撑部92可以位于第一像素PX1与第二像素PX2之间的边界处，而不位于第二像素PX2与第三像素PX3之间的边界处。
图3示出了用于说明支撑部92的布置的示例性结构。可以包括比图3中所示的支撑部92更小数量的支撑部92，只要可以保持第一基底10与第二基底30之间的间隙即可。将要理解的是，可以包括比图3中所示的支撑部92更大数量的支撑部92。
支撑部92可以包括有机或无机材料的球形材料。例如，支撑部92可以包括诸如聚苯乙烯的球形有机材料或者诸如二氧化硅的球形无机材料。将要理解的是，支撑部92的材料和形状在此不受特别限制，只要其可以位于第一基底10与第二基底30之间以支撑第一基底10和第二基底30即可。
可以经由喷墨工艺或反向胶印工艺(reverse off-set process)在第一基底10上形成阻光/支撑构件90。例如，可以经由喷墨工艺或反向胶印工艺通过对第一基底10上的阻光部91(例如，液相阻光部)和混合在阻光部91中的支撑部92进行图案化，来形成阻光/支撑构件90。
通过在第一基底10上形成阻光/支撑构件90，然后将第二基底30附着到阻光/支撑构件90，能够防止或减少第一基底10中的第一有机发光元件ED1、第二有机发光元件ED2和第三有机发光元件ED3与阻光/支撑构件90之间的未对准。将要理解的是，可以在第二基底30上形成阻光/支撑构件90，然后可以将第一基底10附着到阻光/支撑构件90，只要可以使阻光/支撑构件90与第一基底10中的第一有机发光元件ED1、第二有机发光元件ED2和第三有机发光元件ED3对准即可。
形成阻光/支撑构件90的方法不限于此。在一些示例性实施例中，可以通过在第一基底10上整体形成其中混合有支撑部92的阻光部91，并且经由光刻工艺对其进行图案化来形成阻光/支撑构件90。
在下文中，将参照图11和图12更详细地描述阻光/支撑构件90的结构和变型。
图11是图4中的区域Q2的放大图。图12是根据另一示例性实施例的显示装置的区域Q2的放大图。
参照图4和图11，阻光/支撑构件90可以与第一基底10的最外表面和第二基底30的最外表面接触(例如，物理接触)。例如，阻光/支撑构件90的下表面90b可以与第一基底10的第二无机封装层175接触，而阻光/支撑构件90的上表面90a可以与第二基底30的第三盖层PS3接触。当在第一基底10或第二基底30的最外部分上进一步形成另一层(例如，第四盖层或第五盖层)时，阻光/支撑构件90可以与该层接触。
阻光/支撑构件90中的支撑部92的至少一部分可以与第一基底10的最外表面或第二基底30的最外表面接触。
如图11中所示，支撑部92可以与第一基底10的第二无机封装层175和第二基底30的第三盖层PS3接触。例如，支撑部92可以支撑第一基底10和第二基底30，使得它们之间的间隙得以保持。第一基底10与第二基底30之间的距离可以等于支撑部92的直径92R。阻光部91的厚度H也可以等于支撑部92的直径92R。
支撑部92的直径92R可以在2μm至12μm的范围内，或者例如在4μm至8μm的范围内。当支撑部92的直径92R为12μm或更小时，可以充分地改善显示装置的色域。为了易于处理，支撑部92的直径92R的下限可以为大约2μm。
随着支撑部92的直径92R变小，第一基底10与第二基底30之间的间隙可以减小，并且随着第一基底10与第二基底30之间的间隙减小，可以改善显示装置的色域和光提取效率。
尽管在图11中示出的示例中，支撑部92在剖面中位于阻光部91的中心处，但是这仅是说明性的。支撑部92可以相对于阻光部91的中心位于右侧或左侧上。
在下文中，将参照图12描述阻光/支撑构件90的变型。
在图12中示出的示例中，支撑部92_2位于阻光部91中，但既不与第一基底10接触，也不与第二基底30接触。
在形成阻光/支撑构件90_2的工艺中，支撑部92_2分散在阻光部91中，使得支撑部92_2可以在阻光部91中以其处于浮置被固化而不与第一基底10接触。另外，阻光部91可以覆盖支撑部92_2并包覆支撑部92_2的上部。例如，支撑部92_2可以不与第二基底30接触。因此，第一基底10与第二基底30之间的间隙可以大于支撑部92_2的直径92R_2。阻光部91的厚度H可以大于支撑部92_2的直径92R_2。
支撑部92_2可以位于第一基底10与第二基底30之间，以大体上保持第一基底10与第二基底30之间的间隙。另外，即使在第一基底10和第二基底30的厚度方向上施加压力，第一基底10与第二基底30之间的间隙也可以至少保持大于支撑部92_2的直径92R_2。
尽管在图12中示出的示例中，支撑部92_2不与第一基底10和第二基底30接触，但是这仅是说明性的。支撑部92_2可以与第一基底10接触但不与第二基底30接触，或者可以与第二基底30接触但不与第一基底10接触。
在下文中，将描述根据本公开的其他示例性实施例的显示装置。在下面的描述中，相同或相似的元件将由相同或相似的附图标记来表示，并且将省略或简要描述冗余的描述。
图13至图16是用于说明阻光/支撑构件90中的支撑部92的各种布置的图。
图13是根据又一示例性实施例的第一基底的示意性平面图。图14是沿着图13的线XIV-XIV'截取的显示装置的剖视图。图15是根据又一示例性实施例的第一基底的示意性平面图。图16是沿着图15中所示的线XVI-XVI'截取的显示装置的剖视图。
参照图13和图14，显示装置1_3的阻光/支撑构件90_3可以包括阻光部91和多个支撑部92_3。阻光部91可以沿着第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的边界，并且可以阻挡光的透射。支撑部92_3可以在阻光部91内位于任何合适的位置处以保持第一基底10_3与第二基底30之间的间隙。
如上所述，根据图13和图14的示例性实施例，与图3和图4的示例性实施例不同，多个支撑部92_3可以位于第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的边界处。尽管在图13和图14中示出的示例中，两个支撑部92a_3和92b_3在第一像素PX1与第二像素PX2之间的边界处彼此相邻，但是将要理解的是，两个以上的支撑部92_3可以位于其他像素之间的边界处。
为了便于说明，夸大了支撑部92a_3和92b_3的尺寸。在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的边界处的阻光部91的宽度可以是支撑部92a_3和92b_3的直径的几十倍。例如，当将要混合在阻光部91中的支撑部92_3的数量增加时，在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的边界处的支撑部92_3的数量可以增加到两个或更多个。
当两个或更多个支撑部92a_3和92b_3在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的边界处彼此相邻时，可以更有效地保持第一基底10_3与第二基底30之间的间隙。例如，在第一基底10_3和第二基底30的厚度方向上施加的压力可以遍布支撑它们的多个支撑部92a_3和92b_3分布。另外，即使一个支撑部92a_3在制造工艺期间被损坏而不能支撑基底，另一支撑部92b_3也可以支撑它们，从而更可靠地保持间隙。
参照图15和图16，显示装置1_4的阻光/支撑构件90_4可以包括阻光部91和具有不同尺寸的多个支撑部92a_4和92b_4。阻光部91可以沿着第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个的边界，并且可以阻挡光的透射。支撑部92a_4和92b_4可以在阻光部91内位于任何合适的位置处，以保持第一基底10_4与第二基底30之间的间隙。
在图15和图16中示出的示例中，包括第一支撑部92a_4的阻光/支撑构件90_4位于第一像素PX1与第二像素PX2之间，包括比第一支撑部92a_4小的第二支撑部92b_4的阻光/支撑构件90_4位于第二像素PX2与第三像素PX3之间。
当包括具有不同尺寸的支撑部92a_4和92b_4时，具有较大尺寸的第一支撑部92a_4可以用作保持第一基底10_4与第二基底30之间的间隙的主间隔件，而具有比第一支撑部92a_4的尺寸小的尺寸的第二支撑部92b_4可以用作辅助间隔件。
在一些实施例中，第一基底10_4与第二基底30之间的间隙大体上可以由第一支撑部92a_4保持，当施加比第一支撑部92a_4可以支撑的压力大的压力时，可以由第二支撑部92b_4保持间隙。
根据图15和图16中示出的示例性实施例，包括具有不同尺寸的第一支撑部92a_4和第二支撑部92b_4。然而，也可以包括两个以上的支撑部92。
图12至图16中描述的阻光/支撑构件的结构可以应用于上述示例性实施例以及稍后将描述的示例性实施例。例如，阻光/支撑构件可以包括多个支撑部，使得两个或更多个支撑部可以应用于每两个像素之间，并且可以包括具有不同尺寸的支撑部。
接下来，将返回参照图4来描述填料70。填料70可以用于填充由第一基底10、第二基底30和阻光/支撑构件90划分的每个区域。例如，填料70可以在显示区域DA中与第一基底10的薄封装层170部分地接触，并且可以与第二基底30的第三盖层PS3部分地接触。在一些示例性实施例中，填料70可以与密封区域SA中的密封构件50的内侧表面部分地接触。
第二基底30的面对第一基底10的表面上的水平差可以被填料70均匀地填充，使得能够防止或减少因水平差对第一基底10的位于其下方的多个元件造成的物理损坏。
此外，如上所述，填料70可以由可吸收冲击的材料制成，并且因此可以用作吸收第一基底10与第二基底30之间产生的冲击的缓冲构件。
例如，填料70可以包括具有高折射率的有机材料，诸如硅类有机材料、环氧类有机材料和环氧-丙烯酸类有机材料。在一些示例性实施例中，填料70可以包括硅橡胶。填料70可以具有例如1.4或更大的折射率，并且当填料70包括高折射率有机材料时，可以改善显示装置的光学性质。
在一些实施例中，当填料70的折射率高于第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之间的阻光部91的折射率时，从发光元件发射的光的一部分可以在填料70与阻光/支撑构件90之间的边界处反射以向上出射。
可以在第一基底10上形成阻光/支撑构件90，然后可以经由能够施加液体的工艺在第一基底10和阻光/支撑构件90上形成填料70。例如，可以经由但不限于滴下式注入法(ODF)、喷墨工艺、液体分配工艺等形成填料70。
如果填料70的厚度增加，则可能存在缺陷(例如，一些部分未被填充或污点可能发生)。如上所述，还可以减小第一基底10与第二基底30之间的填料70的厚度，只要第一基底10与第二基底30之间的间隙可以通过阻光/支撑构件90保持狭窄即可。例如，能够减少由填料70引起的缺陷。
图17至图23是根据本公开的各种示例性实施例的显示装置的剖视图。
除了显示装置1_5的阻光/支撑构件90_5的宽度大于第二基底30的阻光构件320的宽度之外，图17的示例性实施例与图4的示例性实施例基本上相同；因此，将省略冗余的描述。
参照图17，第二基底30可以包括沿着第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的边界的阻光构件320，并且阻光/支撑构件90_5可以位于第一基底10与第二基底30之间，使得阻光/支撑构件90_5与阻光构件320叠置。
阻光/支撑构件90_5可以包括阻光部91_5和支撑部92，并且阻光/支撑构件90_5的宽度可以大于第二基底30的阻光构件320的宽度。例如，阻光/支撑构件90_5的至少一部分可以与第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3中的每个叠置。
随着阻光/支撑构件90_5的宽度增加，能够有效地防止或减少从分别与第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3叠置的第一有机发光元件ED1、第二有机发光元件ED2和第三有机发光元件ED3发射的光进入到其他光出射区域。例如，当从第二光出射区域PA2的第二有机发光元件ED2发射的光进入第一光出射区域PA1或第三光出射区域PA3时，光会从第一光出射区域PA1或第三光出射区域PA3出射，这是不期望的。因此，通过增加阻光/支撑构件90_5的宽度，能够更有效地阻挡否则进入相邻的光出射区域的光泄漏。
除了第四盖层PS4进一步位于显示装置1_6的第二基底30的最外部分上之外，图18的示例性实施例与图4的示例性实施例基本上相同；因此，在此将不重复其冗余的描述。
参照图18，第四盖层PS4可以进一步位于第二基底30的第三盖层PS3与填料70之间。第四盖层PS4可以包括如上所述的富含氧的金属氧化物或非金属氧化物。第四盖层PS4可以包括金属或非金属中心原子以及与中心原子形成共价键的氧原子和氮原子。在第四盖层PS4中，氧的含量可以大于氮的含量。
第四盖层PS4可以包括多种由化学式AOXNY表示的材料。符号A可以表示第四盖层PS4的中心原子的元素符号。中心原子(A)可以包括金属或非金属中心原子。当中心原子(A)包括金属中心原子时，中心原子(A)可以包括铝(Al)。当中心原子(A)包括非金属中心原子时，中心原子(A)可以包括硅(Si)。第一含量(X)可以表示材料的单个分子中的氧含量，第二含量(Y)可以表示材料的单个分子中的氮含量。第一含量(X)和第二含量(Y)中的每个可以具有大于0且小于1的值。根据第一含量(X)和第二含量(Y)的相对值，材料的单个分子可以包括更多的氧或更多的氮。根据本公开的示例性实施例，AOXNY可以具有比第二含量(Y)大的第一含量(X)。例如，材料的单个分子中的氧含量可以大于氮的含量。在示例性实施例中，第四盖层PS4可以包括硅(Si)作为中心原子(A)。
可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在第二基底30的第三盖层PS3的表面上沉积第四盖层PS4。可以在大约70℃至大约300℃的温度下进行PECVD。
可以通过考虑到在沉积目标附近或周围的元件的热脆性(或热易损性)和工艺效率来确定PECVD的工艺温度。例如，就工艺效率而言，PECVD的工艺温度可以为至少大约150℃。此外，考虑到在第四盖层PS4周围的元件(例如，第一波长转换图案341和第二波长转换图案343)的热脆性，PECVD的工艺温度可以为大约250℃或更低。因此，考虑到工艺效率和在沉积目标周围的元件的热脆性，第四盖层PS4的沉积工艺的温度可以例如为大约150℃至大约250℃。然而，将要理解的是，本公开不限于此。如果期望提高工艺效率，则沉积工艺的温度可以为250℃或更高。如果期望保护易受热的元件，则沉积工艺的温度可以为150℃或更低。
第四盖层PS4的厚度可以在大约
Figure BDA0002392510190000301
与大约
Figure BDA0002392510190000302
之间。第四盖层PS4的厚度与亲液功能和透光率有关。例如，如果第四盖层PS4的厚度为大约
Figure BDA0002392510190000303
或更大，则第四盖层PS4可以如上所述对填料70稳定地具有亲液功能。例如，对填料70具有亲液功能的第四盖层PS4的有效厚度可以为大约
Figure BDA0002392510190000304
另外，如果第四盖层PS4的厚度为大约
Figure BDA0002392510190000305
或更小，则第四盖层PS4的透光率可以为大约80％或更高。例如，为了实现80％或更高的透光率，第四盖层PS4的厚度可以为大约
Figure BDA0002392510190000306
或更小。就亲液功能和透光率而言，第四盖层PS4的厚度可以例如在大约
Figure BDA0002392510190000307
至大约
Figure BDA0002392510190000308
的范围内。
第四盖层PS4是与填料70接触的具有高表面张力的亲液无机层，使得可以改善填料70的分散性质和润湿性质。
上述亲液无机层(例如，第四盖层PS4)不仅可以应用到第二基底30的最外部分，而且可以应用到第一基底10的最外部分。根据图19中示出的示例性实施例，作为亲液无机层的第五盖层PS5进一步位于第一基底10的最外部分上。
参照图19，第四盖层PS4可以位于显示装置1_7的第二基底30的最外部分上，第五盖层PS5可以进一步位于作为第一基底10的最外部分的第二无机封装层175与填料70之间。类似于上述的第四盖层PS4，第五盖层PS5可以包括富含氧的金属氧化物或非金属氧化物。第五盖层PS5可以包括金属或非金属中心原子以及与中心原子形成共价键的氧原子和氮原子。在第五盖层PS5中，氧的含量可以大于氮的含量。第五盖层PS5与第四盖层PS4基本相同；因此，这里将不重复其冗余的描述。
第五盖层PS5是与填料70接触的具有高表面张力的亲液无机层，使得可以改善填料70的分散性质和润湿性质。
除了图20至图22的示例性实施例不包括平坦化层OC之外，图20至图22的示例性实施例与图4的示例性实施例基本上相同；因此，将省略冗余的描述。
参照图20，与图4中所示的第二基底30不同，显示装置1_8的第二基底30既不包括平坦化层OC也不包括第三盖层PS3，而是可以包括用于填充第一基底10与第二基底30之间的整个空间的填料70_8。
阻光/支撑构件90_8可以位于第一基底10与第二基底30之间并且可以与第一基底10接触。在示例性实施例中，阻光/支撑构件90_8的至少一部分可以与第二基底30的第二盖层PS2接触。在另一示例性实施例中，当第一基底10与第二基底30之间的填料70_8厚时，阻光/支撑构件90_8可以不与第二基底30接触。
在剖面中，由第二盖层PS2和阻光/支撑构件90_8围绕的空间(即，第一波长转换图案341、第二波长转换图案343和透光图案345之间的空间)可以被填料70_8填充。然而，将要理解的是，本公开不限于此。根据第二盖层PS2与填料70_8之间的粘附力并且根据如何填充空间，可以在第二盖层PS2与填料70_8之间形成空气层60_8。例如，一些区域可以未被填充。
根据图21中示出的示例性实施例，第六盖层PS6可以进一步位于显示装置1_9的第二基底30上，以改善填料70_9的分散性质和润湿性质。图21的阻光/支撑构件90_9与图20的阻光/支撑构件90_8基本相同。
参照图21，第六盖层PS6可以进一步位于第二基底30的作为最外部分的第二盖层PS2与填料70_9之间。类似于上面参照图18描述的第四盖层PS4，第六盖层PS6可以包括富含氧的金属氧化物或非金属氧化物。第六盖层PS6可以包括金属或非金属中心原子以及与中心原子形成共价键的氧原子和氮原子。在第六盖层PS6中，氧的含量可以大于氮的含量。第六盖层PS6与第四盖层PS4基本相同。因此，将省略冗余的描述。
根据图22的示例性实施例，第二阻光构件321_10和第七盖层PS7进一步位于显示装置1_10的第二盖层PS2上。图22的阻光/支撑构件90_10与图20的阻光/支撑构件90_8基本相同。
参照图22，包括用于填充第二基底30的光调节图案340之间的空间的第二阻光构件321_10，并且包括覆盖第二阻光构件321_10的第七盖层PS7。
第二阻光构件321_10可以由诸如石墨和炭黑的无机材料以及诸如黑色颜料和黑色染料的有机材料中的至少一种形成，或者可以由包括铬(Cr)的金属材料形成。然而，将要注意的是，第二阻光构件321_10的材料在此不受特别限制，只要其可以阻挡光的透射并吸收光即可。
第七盖层PS7由无机材料制成，并且可以防止或减少诸如湿气和空气的杂质从外部渗透从而损坏第二阻光构件321_10。
另外，第七盖层PS7可以包括富含氧的金属氧化物或非金属氧化物，使得可以改善对填料70的粘附性。
根据图22的示例性实施例，具有阻光性质的第二阻光构件321_10位于光调节图案340之间来代替具有透光率的平坦化层，使得可以使第二基底30的整体高度均匀(例如，基本上均匀)。此外，第二阻光构件321_10可以阻挡出射到光调节图案340的侧部的光，从而更有效地防止或减少第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3之间的混色。
类似于上述的示例性实施例，当在第二基底30上没有平坦化层时，能够减小显示装置的厚度。另外，发光元件与光调节图案340之间的距离进一步减小，使得可以改善显示装置的色域和光提取效率。
除了显示装置1_11的阻光/支撑构件90_11的支撑部92_11形成为与第一基底10直接接触并且具有圆柱形形状之外，图23的示例性实施例与图4的示例性实施例基本上相同；因此，将省略冗余的描述。另外，当从顶部观看时，该结构可以与图3中所示的结构相同。因此，描述将集中于差异。
阻光/支撑构件90_11可以位于第一基底10与第二基底30之间。阻光/支撑构件90_11可以包括阻光部91和支撑部92_11，以保持第一基底10与第二基底30之间的间隙并防止或减少光泄漏到不期望的光出射区域。
可以形成阻光/支撑构件90_11的支撑部92_11，然后可以形成阻光部91。可以以这样的方式形成支撑部92_11：在第一基底10的整个表面上形成基体材料，然后可以对其进行光刻处理，使得其不与第一光出射区域PA1、第二光出射区域PA2和第三光出射区域PA3叠置。支撑部92_11可以但不限于形成为圆柱形形状，支撑部92_11从顶部观看时具有圆形形状且在剖面中具有四边形形状。在形成支撑部92_11之后，可以沿着第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的边界形成阻光部91。阻光部91可以定位为完全覆盖支撑部92_11，并且可以覆盖支撑部92_11的上表面。例如，支撑部92_11可以不与第二基底30直接接触。然而，将要理解的是，本公开不限于此。支撑部92_11的高度可以与阻光部91的高度基本相同，使得支撑部92_11可以与第二基底30接触。
根据图23的示例性实施例，支撑部92_11经由光刻工艺形成。通过这样做，可以在第一基底10上的期望位置处形成支撑部92_11，并且可以形成适当数量的支撑部92_11。
为了易于解释，在这里可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……之下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语，从而来描述如附图中示出的一个元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包括装置在使用或操作中除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……之下”可以包括上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其他方位处)，应相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是出于仅描述特定实施例的目的，而不意图限制本公开。如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”以及它们的变型时，说明存在所陈述的特征、整体、动作、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、动作、操作、元件、组件和/或它们的组。诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述位于一列元件(元素)之后时，修饰整列元件(元素)，而不是修饰该列中的个别元件(元素)。
如这里使用的，术语“基本上(基本)”、“约(大约)”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，当描述本公开的实施例时，“可以(可)”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。如这里使用的，可以认为术语“使用”及其变型分别与术语“利用”及其变型同义。此外，术语“示例性”意图指示例或图示。
此外，这里陈述的任意数值范围意图包括包含在陈述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里陈述的任意最大数值界限意图包括其中包含的所有较小数值界限，本说明书中陈述的任意最小数值界限意图包括其中包含的所有较大数值界限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地陈述包含在这里明确陈述的范围内的任意子范围。
在结束本描述时，本领域技术人员将领会的是，可以在实质上不脱离本公开的原理的情况下对所公开的实施例进行许多改变和修改。因此，仅以一般性和描述性的含义来使用本公开的所公开的实施例，而不是出于限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括多个像素，所述显示装置包括：
第一基体；
发光元件，位于所述第一基体上，并且分别位于所述多个像素中；
第二基体，面对所述第一基体；以及
阻光/支撑构件，位于所述发光元件与所述第二基体之间，并且位于所述多个像素中的每个像素的边界处，
其中，所述阻光/支撑构件包括阻光部和位于所述阻光部中的多个支撑部。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个像素包括：第一像素，被构造为发射第一颜色的光；第二像素，被构造为发射第二颜色的光；以及第三像素，被构造为发射第三颜色的光，
其中，所述发光元件包括：第一有机发光元件，位于所述第一像素中；第二有机发光元件，位于所述第二像素中；以及第三有机发光元件，位于所述第三像素中，并且
其中，所述发光元件被构造为发射所述第三颜色的所述光。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：光调节图案，位于所述第二基体与所述阻光/支撑构件之间，
其中，所述光调节图案包括：第一波长转换图案，位于所述第一像素中；第二波长转换图案，位于所述第二像素中；以及透光图案，位于所述第三像素中，并且
其中，所述第一颜色的所述光为红光，所述第二颜色的所述光为绿光，并且所述第三颜色的所述光为蓝光。
4.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：平坦化层，位于所述第二基体上并覆盖所述光调节图案；以及第一盖层，覆盖所述平坦化层。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述阻光/支撑构件的至少一部分与所述第一盖层接触。
6.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：第二盖层，覆盖所述第一盖层，
其中，所述第二盖层包括SiOxNy，其中，x大于y。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述阻光部与所述第一盖层接触，并且所述多个支撑部不与所述第一盖层接触。
8.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：薄封装层，覆盖所述发光元件，
其中，所述阻光/支撑构件的至少一部分与所述薄封装层接触。
9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：填料，位于所述薄封装层与所述第二基体之间，并且与所述阻光/支撑构件接触，
其中，所述填料包括具有1.4或更大的折射率的有机材料。
10.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括：密封构件，位于所述第一基体与所述第二基体之间，并且当从顶部观看时围绕所述填料。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述密封构件的至少一部分与所述填料接触。
12.一种显示装置，所述显示装置包括多个像素，所述显示装置包括：
基体；
发光元件，位于所述基体上，并且分别位于所述多个像素中；
坝层，围绕所述发光元件，并且位于所述多个像素中的每个像素的边界处；
薄封装层，覆盖所述发光元件和所述坝层；以及
阻光/支撑构件，位于所述薄封装层上，并且与所述坝层叠置，
其中，所述阻光/支撑构件包括阻光部和多个第一支撑部。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述阻光部沿着所述多个像素中的每个像素的所述边界，并且
其中，所述多个第一支撑部位于所述阻光部中。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述阻光部包括有机材料和分散在所述有机材料中的石墨、炭黑、黑色颜料和黑色染料中的至少一种，并且
其中，所述多个第一支撑部呈球形，并且具有在2μm至12μm的范围内的直径。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述阻光部和所述多个第一支撑部与所述薄封装层接触，并且所述阻光部的厚度等于所述多个第一支撑部的所述直径。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述阻光部与所述薄封装层接触，所述多个第一支撑部不与所述薄封装层接触，并且
其中，所述阻光部的厚度大于所述多个第一支撑部的所述直径。
17.根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括：第二支撑部，位于所述阻光部中，
其中，所述第二支撑部的直径小于所述多个第一支撑部的所述直径。
18.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底，包括多个发光元件；
第二基底，面对所述第一基底，其中，在所述第二基底上限定第一光出射区域和非光出射区域；以及
阻光/支撑构件，位于所述第一基底与所述第二基底之间，
其中，所述第二基底包括第一波长转换图案，所述第一波长转换图案位于所述第一光出射区域中，并且将第一颜色的波长的光转换为第二颜色的光，并且
其中，填料与所述第一波长转换图案叠置，并且所述阻光/支撑构件围绕所述填料且与所述非光出射区域叠置。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一基底与所述第二基底之间的间隙等于所述阻光/支撑构件的厚度。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，在所述第一光出射区域的第一方向上限定第二光出射区域，所述第二基底包括位于所述第二光出射区域中并将所述第一颜色的所述波长的光转换为第三颜色的光的第二波长转换图案，所述填料与所述第二波长转换图案叠置，并且所述阻光/支撑构件位于所述第一光出射区域与所述第二光出射区域之间。
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