CN111610198A - 一种缺陷检测装置及其方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了缺陷检测装置及其方法，可通过光源出射检测光束，入射至第一光束处理单元，经第一光束处理单元处理为偏振检测光束，并入射至待测物，经待测物透射之后，形成第一待成像光束，并入射至第二光束处理单元，经第二光束处理单元处理为第二待成像光束，经过图像采集单元采集第二待成像光束之后形成待测物的实测图像，控制单元根据实测图像获取待测物的分布信息；并根据待测物的分布信息，以及根据有限元方法仿真获取的标准物的分布信息，识别待测物的缺陷，由此，可获取待测物的偏振应力分布、相位延迟分布或快轴方位角分布，进而有利于更直观识别待测物的内部缺陷，以及更全面的对待测物的内部缺陷进行检测。

Description

一种缺陷检测装置及其方法
技术领域
本发明实施例涉及光学检测技术领域，尤其涉及一种缺陷检测装置及其方法。
背景技术
自动光学检测(AOI，英文全称：Automatic Optical Inspection)技术可实现晶圆、芯片或其他待测对象的快速、高精度、无损伤检测，该技术广泛地应用于PCB、IC晶圆、LED、TFT以及太阳能面板等多个领域。
现有缺陷检测通常采用明场或暗场照明方法，获得待测物的表面光强图像，通过分析表面光强分布特性，提取特征图像，识别划痕、斑点等缺陷。但该方法一般只能测量表面振幅型缺陷，无法较全面的识别待测物内部的缺陷。
发明内容
本发明提出了一种缺陷检测装置及其方法，以实现多种角度检测待测物缺陷，有利于更全面的识别待测物的内部缺陷。
为实现上述目的，本发明一方面实施例提出了一种缺陷检测装置，包括：
光源，用于出射检测光束；
第一光束处理单元，位于所述检测光束所在的光路上，用于将所述检测光束处理为偏振检测光束，所述偏振检测光束入射至待测物，经所述待测物透射之后形成第一待成像光束；
第二光束处理单元，位于所述第一待成像光束所在的光路上，用于将所述第一待成像光束处理为第二待成像光束；
图像采集单元，位于所述第二待成像光束所在的光路上，用于对所述第二待成像光束进行成像，形成所述待测物的实测图像；
控制单元，所述控制单元用于根据所述待测物的实测图像，获取所述待测物的应力分布信息；并根据所述待测物的应力分布信息，以及根据有限元方法仿真获取的标准物的应力分布信息，识别所述待测物的缺陷。
可选地，所述缺陷检测装置还包括：外部施力部件，所述外部施力部件用于对所述待测物施加外力，以改变所述待测物的内部应力；
所述图像采集单元还用于采集被施加外力的待测物的实测图像；
所述控制单元还用于根据被施加外力的待测物的实测图像获取被施加外力的待测物的应力分布信息；并根据被施加外力的所述待测物的应力分布信息，以及根据所述有限元方法仿真获取的被施加外力的标准物的应力分布信息，识别所述待测物的缺陷。
可选地，所述图像采集单元还用于采集所述标准物的实测图像；
所述控制单元还用于根据所述标准物的实测图像获取所述标准物的实测应力分布信息；并根据所述标准物的实测应力分布信息，以及根据所述有限元方法仿真获取的所述的标准物的应力分布信息，校正所述有限元方法的仿真参数。
可选地，所述光源为激光器；所述第一光束处理单元包括起偏器和第一波片；所述第二光束处理单元包括第二波片和检偏器；所述图像采集单元为相机。
可选地，所述第一波片与所述第二波片的方位角的比例关系为1:5。
可选地，所述第一波片和所述第二波片可沿所在光路的光轴方向旋转。
为实现上述目的，本发明另一方面实施例还提出了一种缺陷检测方法，基于所述的缺陷检测装置，包括以下步骤：
获取所述待测物的实测图像；
根据所述待测物的实测图像，获取所述待测物的应力分布信息；
根据有限元方法仿真获取标准物的应力分布信息；
根据所述待测物的应力分布信息，以及根据有限元方法仿真获取的所述标准物的应力分布信息，识别所述待测物的缺陷。
可选地，所述缺陷检测装置还包括：外部施力部件，所述外部施力部件用于对所述待测物施加外力，以改变所述待测物的内部应力；
所述获取所述待测物的实测图像，包括：
获取被施加外力的待测物的实测图像；
所述根据所述待测物的实测图像，获取所述待测物的应力分布信息，包括：
根据被施加外力的待测物的实测图像，获取被施加外力的所述待测物的应力分布信息；
所述根据有限元方法仿真获取标准物的应力分布信息，包括：
根据有限元方法仿真获取被施加外力的标准物的应力分布信息；
所述根据所述待测物的应力分布信息，以及根据有限元方法仿真获取的标准物的应力分布信息，识别所述待测物的缺陷，包括：
根据被施加外力的所述待测物的应力分布信息，以及所述有限元方法仿真获取的被施加外力的标准物的应力分布信息，识别所述待测物的缺陷。
可选地，在所述根据所述待测物的应力分布信息，以及所述标准物的应力分布信息，识别所述待测物的缺陷之前，还包括：
获取所述标准物的实测图像；
根据所述标准物的实测图像获取所述标准物的实测应力分布信息；
根据所述标准物的实测应力分布信息，以及根据所述有限元方法仿真获取所述标准物的应力分布信息，校正所述有限元方法的仿真参数。
可选地，所述根据所述待测物的实测图像，获取所述待测物的应力分布信息包括：
根据所述待测物的实测图像，通过应力双折射模型计算获取所述待测物的Mueller矩阵，根据所述Mueller矩阵获取所述待测物的方位角分布信息和相位延迟分布信息；根据所述方位角分布信息和所述相位延迟分布信息获取所述待测物的应力分布信息。
根据本发明实施例提出的缺陷检测装置及其方法，可通过光源出射检测光束，入射至第一光束处理单元，经第一光束处理单元处理为偏振检测光束，并入射至待测物，经待测物透射之后，形成第一待成像光束，并入射至第二光束处理单元，经第二光束处理单元处理为第二待成像光束，经过图像采集单元采集第二待成像光束之后形成待测物的实测图像，控制单元根据实测图像获取待测物的分布信息；并根据待测物的分布信息，以及根据有限元方法仿真获取的标准物的分布信息，识别待测物的缺陷，由此，可获取待测物的偏振应力分布、相位延迟分布或快轴方位角分布，进而有利于更直观识别待测物的内部缺陷，以及更全面的对待测物的内部缺陷进行检测。
附图说明
图1是本发明实施例的缺陷检测装置的方框示意图；
图2是本发明一个实施例的缺陷检测装置的方框示意图；
图3是本发明另一个实施例的缺陷检测装置的方框示意图；
图4是本发明一个实施例的缺陷检测装置中外力施加部件的结构示意图；
图5是本发明另一个实施例的缺陷检测装置中外力施加部件的结构示意图；
图6是本发明又一个实施例的缺陷检测装置中外力施加部件的结构示意图；
图7是本发明另一个实施例的缺陷检测装置的结构示意图；
图8是本发明实施例的缺陷检测方法流程图；
图9是本发明一个实施例的缺陷检测方法流程图；
图10是本发明一个实施例提供的有限元方法的仿真参数校正方法流程图；
图11是本发明一个实施例提供的根据待测物的实测图像获取待测物的应力分布信息的方法流程图；
图12是本发明实施例的某标准物的应力分布图像示意图；
图13是本发明实施例的某待测物的应力分布图像示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例的缺陷检测装置的方框示意图。结合图1和图2所示，该缺陷检测装置100包括：光源101、第一光束处理单元102、第二光束处理单元104、图像采集单元105和控制单元110。
其中，光源101，用于出射检测光束106；
第一光束处理单元102，位于检测光束106所在的光路上，用于将检测光束106处理为偏振检测光束107，偏振检测光束107入射至待测物103，经待测物103透射之后形成第一待成像光束108；
第二光束处理单元104，位于第一待成像光束108所在的光路上，用于将第一待成像光束108处理为第二待成像光束109；
图像采集单元105，位于第二待成像光束109所在的光路上，用于对第二待成像光束109进行成像，形成待测物103的实测图像；
控制单元110，控制单元110用于根据待测物103的实测图像，获取待测物103的应力分布信息；并根据待测物103的应力分布信息，以及根据有限元方法仿真获取的标准物的应力分布信息，识别待测物103的缺陷。
需要说明的是，标准物为无缺陷的待测物，即为标准对照板，通过有限元方法仿真获取标准物的应力分布信息，会提前预存在控制单元110中。在图像采集单元105采集到待测物103的实测图像之后，控制单元110根据待测物103的实测图像，获取待测物103的应力分布信息。比较通过有限元方法仿真获取的标准物的应力分布信息，以及通过待测物103的实测图像获取的应力分布信息，识别两者应力分布信息的差异，从而识别出待测物103的缺陷。
举例来说，待测物103可以为透明玻璃基板，光源101出射检测光束106入射至第一光束处理单元102，经第一光束处理单元102处理为偏振检测光束107，垂直入射至透明玻璃基板，经透明玻璃基板透射形成第一待成像光束108，第一待成像光束108经过第二光束处理单元104处理为第二待成像光束109，入射至图像采集单元105，图像采集单元105根据第二待成像光束109形成透明玻璃基板的实测图像。进而，控制单元110根据透明玻璃基板的实测图像获取透明玻璃基板的应力分布信息。
由此，可直接或更直观的获取待测物103的偏振相关信息(即应力分布信息)，从而直接获取待测物103的中缺陷存在的位置和大小信息，并且通过透射的光束可识别待测物103内部的振幅型和相位型缺陷。
其中，如图2和图7所示，光源101为激光器；第一光束处理单元102包括起偏器1021和第一波片1022；第二光束处理单元104包括第二波片1041和检偏器1042；图像采集单元105为相机。
其中，起偏器1021和检偏器1042可以为洛匈棱镜，相机可以为CCD相机或CMOS相机。洛匈棱镜与第一波片1022可称为PSG(Polarization State Generator，偏振态发生器)，洛匈棱镜与第二波片1041可称为PSA(Polarization State Analyzer，偏振态分析器)，通过CCD相机获取偏振相关光强图像。旋转第一波片1022和第二波片1041，可以获得不同状态下的偏振图像，分析该系列图像，即可得到每一像素点偏振参数和整场偏振相关图像。
可选地，第一波片1022与第二波片1041的方位角的比例关系为1:5。
可选地，第一波片1022和第二波片1041可沿所在光路的光轴方向旋转。
可以理解的是，第一波片1022沿所在光路的光轴(如图7中的中间的横线)方向旋转一个角度之后，第二波片1041也沿着光源101的光轴方向旋转相同的角度，第一波片1022和第二波片1041的方位角一直保持一定的比例关系(1:5)，即当第一波片1022处于α角的位置，那么第二波片1041处于5α角的位置，每当第一波片1022和第二波片1041连续旋转N个角度位置之后，相机相应地采集N次第二待成像光束形成N幅待测物的第一实测图像，并发送至控制单元110，控制单元110根据N幅待测物的实测图像获取待测物的Mueller矩阵，进而对Mueller矩阵分析，则得到待测物的方位角分布信息和相位延迟分布信息，从而根据待测物的方位角分布信息和相位延迟分布信息获取待测物的应力分布信息，其中N值优选为25。
由此，控制单元110根据待测物的应力分布信息以及提前预存的有限元方法仿真计算的标准物的应力分布信息，获取两者的差异，进而根据该差异识别待测物的缺陷。
可以理解的是，标准物的应力分布信息比较均匀，如果待测物103的应力分布信息的某一区域存在异常，那说明待测物103某一区域存在缺陷。如果待测物103的应力分布信息与标准物的应力分布信息基本一致，那么说明待测物103内部分布与标准物的内部分布几乎相同，待测物103内部无缺陷。
可选地，如图3所示，缺陷检测装置100还包括：外部施力部件111，外部施力部件111用于对待测物103施加外力，以改变待测物103的内部应力；
图像采集单元105还用于采集被施加外力的待测物103的实测图像；
控制单元110还用于根据被施加外力的待测物的实测图像获取被施加外力的待测物103的应力分布信息；并根据被施加外力的待测物103的应力分布信息，以及根据有限元方法仿真获取的被施加外力的标准物的应力分布信息，识别待测物103的缺陷。
需要说明的是，如图4至图7所示，外部施力部件111可以柱状负载1111、面状负载1112或体状负载1113，或者其他本领域技术人员公知的外部施力部件，在此不作限定。
其中，外部施力部件111的施力方向一般与待测物103的应力方向相同，并且可根据待测物103本身能承受的压力的实际情况调整外部施力部件111施力的大小。
继续参见图4至图7，外部施力部件111均直接放置在待测物103上，对待测物103直接施力。其中，图4至图7中待测物103上表面的方框区域为外部施力部件111放置的位置。在对待测物103施力之后，改变了待测物103的应力分布。如果待测物103内部存在细微缺陷，但通过普通检测方法无法识别出，则在增加外部施力部件之后，可放大待测物103内部的缺陷的应力表现，从而有利于进一步提高待测物103内部缺陷检测与识别的效率。
可以理解的是，控制单元105如何根据被施加外力的待测物的实测图像获取被施加外力的待测物103的应力分布信息的方法，以及控制单元105通过对比被施加外力的待测物103的应力分布信息，和提前预存的有限元方法仿真获取的被施加外力的标准物的应力分布信息，识别待测物103的内部缺陷信息，可参见前述示例，此处不再赘述。其中，需要说明的是，通过缺陷检测装置获取被施加外力待测物103的应力分布信息时，以及在通过有限元法仿真获取被施加外力标准物的应力分布信息时，对待测物103以及标准物施加的负载需保持一致。
由此，通过增加外力施加部件，使得该缺陷检测装置有利于分辨更小的缺陷尺寸，从而提高检测精度。同时，在满足AOI设备具备对于颗粒或缺陷的最小尺寸分辨能力要求越来越严格的情况下，无需通过增大成像设备中的物镜的孔径来提升图形的分辨率，避免牺牲成像设备的检测焦深，更避免为了提升分辨率更改AOI成像设备，造成设备成本的增加。
可选地，图像采集单元103还用于采集标准物的实测图像；
控制单元110还用于根据标准物的实测图像获取标准物的实测应力分布信息；并根据标准物的实测应力分布信息，以及根据有限元方法仿真获取的标准物的应力分布信息，校正有限元方法的仿真参数。
可以理解的是，通过标准物的实测图像获取标准物的实测应力分布信息校正有限元方法的仿真参数，有利于确定有限元方法的仿真结果的有效性和可靠性，使得有限元方法的仿真结果与实测结果更接近，避免由于仿真软件本身的误差误检测为缺陷。
基于同样的发明构思，本发明还提出了一种缺陷检测方法，基于上述缺陷检测装置，如图8所示，包括以下步骤：
S11，获取待测物的实测图像；
举例来说，参见图1和图2的缺陷检测装置，待测物103可以为透明玻璃基板，光源101出射检测光束106入射至第一光束处理单元102，经第一光束处理单元102处理为偏振检测光束107，垂直入射至透明玻璃基板，经透明玻璃基板透射形成第一待成像光束108，第一待成像光束108经过第二光束处理单元104处理为第二待成像光束109，入射至图像采集单元105，图像采集单元105根据第二待成像光束109形成透明玻璃基板的实测图像。
其中，如图2和图7所示，光源101为激光器；第一光束处理单元102包括起偏器1021和第一波片1022；第二光束处理单元104包括第二波片1041和检偏器1042；图像采集单元105为相机。
S12，根据待测物的实测图像，获取待测物的应力分布信息；
其中，可选地，如图11所示，步骤S12根据待测物的实测图像，获取待测物的分布信息包括：
S121、根据待测物的实测图像，通过算法计算获取待测物的Mueller矩阵，
S122、根据Mueller矩阵获取待测物的方位角分布信息和相位延迟分布信息；
S123、根据方位角分布信息和相位延迟分布信息获取待测物的应力分布信息。
S13，根据有限元方法仿真获取标准物的应力分布信息；
其中，该标准物的应力分布信息可提前预存在缺陷检测装置中。
S14，根据待测物的应力分布信息，以及根据有限元方法仿真获取的标准物的应力分布信息，识别待测物的缺陷。
由此，缺陷检测装置100根据待测物的应力分布信息以及提前预存的有限元方法仿真计算的标准物的应力分布信息，获取两者的差异，进而根据该差异识别待测物的缺陷。
可以理解的是，标准物的应力分布信息比较均匀，如果待测物103的应力分布信息的某一区域存在异常，那说明待测物103某一区域存在缺陷。如果待测物103的应力分布信息与标准物的应力分布信息基本一致，那么说明待测物103内部分布与标准物的内部分布几乎相同，待测物103内部无缺陷。
可选地，缺陷检测装置还包括：外部施力部件，外部施力部件用于对待测物施加外力，以改变待测物的内部应力；
需要说明的是，如图4至图7所示，外部施力部件111可以柱状负载1111、面状负载1112或体状负载1113，或者其他本领域技术人员公知的外部施力部件，在此不作限定。
其中，外部施力部件111的施力方向一般与待测物103的应力方向相同，并且可根据待测物103本身能承受的压力的实际情况调整外部施力部件111施力的大小。
如图9所示，包括：
S21、获取被施加外力的待测物的实测图像；
S22、根据被施加外力的待测物的实测图像，获取被施加外力的所述待测物的应力分布信息；
S23、根据有限元方法仿真获取被施加外力的标准物的应力分布信息。
S24、根据被施加外力的待测物的应力分布信息，以及有限元方法仿真获取的被施加外力的标准物的应力分布信息，识别待测物的缺陷。
继续参见图4至图7，外部施力部件111均直接放置在待测物103上，对待测物103直接施力。其中，图4至图7中待测物103上表面的方框区域为外部施力部件111放置的位置。在对待测物103施力之后，改变了待测物103的应力分布。如果待测物103内部存在细微缺陷，但通过普通检测方法无法识别出，则在增加外部施力部件之后，可放大待测物103内部的缺陷的应力表现，从而有利于进一步提高待测物103内部缺陷检测与识别的效率。
可以理解的是，如何根据被施加外力的待测物103的实测图像获取被施加外力的待测物103的应力分布信息的方法，以及通过对比被施加外力的待测物103的应力分布信息，和提前预存的有限元方法仿真获取的被施加外力的标准物的应力分布信息，识别待测物103的内部缺陷信息，可参见前述示例，此处不再赘述。其中，需要说明的是，通过缺陷检测装置获取被施加外力的待测物103的应力分布信息时，以及在通过有限元法仿真获取被施加外力的标准物的应力分布信息时，对待测物103以及标准物施加的负载需保持一致。
由此，通过增加外力施加部件，使得该缺陷检测装置有利于分辨更小的缺陷尺寸，从而提高检测精度，同时，在满足AOI设备具备对于颗粒或缺陷的最小尺寸分辨能力要求越来越严格的情况下，无需通过增大成像设备中的物镜的孔径来提升图形的分辨率，避免牺牲成像设备的检测焦深，更避免为了提升分辨率更改AOI成像设备，造成设备成本的增加。
可选地，如图10所示，步骤S4根据待测物的应力分布信息，以及标准物的应力分布信息，识别待测物的缺陷之前还包括：
S01，获取标准物的实测图像；
S02，根据所述标准物的实测图像获取标准物的实测应力分布信息；
S03，根据标准物的实测应力分布信息，以及根据有限元方法仿真获取标准物的应力分布信息，校正有限元方法的仿真参数。
需要说明的是，通过标准物的实测图像获取标准物的实测应力分布信息校正有限元方法的仿真参数，有利于确定有限元方法的仿真结果的有效性和可靠性，使得有限元方法的仿真结果与实测结果更接近，避免由于仿真软件本身的误差误检测为缺陷。
,需要说明的是，图12是本发明实施例的某标准物的应力分布图像示意图；图13是本发明实施例的某待测物的应力分布图像示意图。对比图12和图13可以看出，图13中某待测物的应力分布图像中的左上角分布出现异常，进而，在异常区域，可探知该区域可能存在缺陷。
综上所述，根据本发明实施例提出的缺陷检测装置及其方法，可通过光源出射检测光束，入射至第一光束处理单元，经第一光束处理单元处理为偏振检测光束，并入射至待测物，经待测物透射之后，形成第一待成像光束，并入射至第二光束处理单元，经第二光束处理单元处理为第二待成像光束，经过图像采集单元采集第二待成像光束之后形成待测物的实测图像，控制单元根据实测图像获取待测物的分布信息；并根据待测物的分布信息，以及根据有限元方法仿真获取的标准物的分布信息，识别待测物的缺陷，由此，可获取待测物的偏振应力分布、相位延迟分布或快轴方位角分布，进而有利于更直观识别待测物的内部缺陷，以及更全面的对待测物的内部缺陷进行检测。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种缺陷检测装置，其特征在于，包括：
光源，用于出射检测光束；
第一光束处理单元，位于所述检测光束所在的光路上，用于将所述检测光束处理为偏振检测光束，所述偏振检测光束入射至待测物，经所述待测物透射之后形成第一待成像光束；
第二光束处理单元，位于所述第一待成像光束所在的光路上，用于将所述第一待成像光束处理为第二待成像光束；
图像采集单元，位于所述第二待成像光束所在的光路上，用于对所述第二待成像光束进行成像，形成所述待测物的实测图像；
控制单元，所述控制单元用于根据所述待测物的实测图像，获取所述待测物的应力分布信息；并根据所述待测物的应力分布信息，以及根据有限元方法仿真获取的标准物的应力分布信息，识别所述待测物的缺陷。
2.根据权利要求1所述的缺陷检测装置，其特征在于，还包括：外部施力部件，所述外部施力部件用于对所述待测物施加外力，以改变所述待测物的内部应力；
所述图像采集单元还用于采集被施加外力的待测物的实测图像；
所述控制单元还用于根据被施加外力的待测物的实测图像获取被施加外力的待测物的应力分布信息；并根据被施加外力的所述待测物的应力分布信息，以及根据所述有限元方法仿真获取的被施加外力的标准物的应力分布信息，识别所述待测物的缺陷。
3.根据权利要求1或2所述的缺陷检测装置，其特征在于，所述图像采集单元还用于采集所述标准物的实测图像；
所述控制单元还用于根据所述标准物的实测图像获取所述标准物的实测应力分布信息；并根据所述标准物的实测应力分布信息，以及根据所述有限元方法仿真获取的所述的标准物的应力分布信息，校正所述有限元方法的仿真参数。
4.根据权利要求1或2所述的缺陷检测装置，其特征在于，所述光源为激光器；所述第一光束处理单元包括起偏器和第一波片；所述第二光束处理单元包括第二波片和检偏器；所述图像采集单元为相机。
5.根据权利要求4所述的缺陷检测装置，其特征在于，所述第一波片与所述第二波片的方位角的比例关系为1:5。
6.根据权利要求4所述的缺陷检测装置，其特征在于，所述第一波片和所述第二波片可沿所在光路的光轴方向旋转。
7.一种缺陷检测方法，基于如权利要求1-6任一项所述的缺陷检测装置，其特征在于，包括以下步骤：
获取所述待测物的实测图像；
根据所述待测物的实测图像，获取所述待测物的应力分布信息；
根据有限元方法仿真获取标准物的应力分布信息；
根据所述待测物的应力分布信息，以及根据有限元方法仿真获取的标准物的应力分布信息，识别所述待测物的缺陷。
8.根据权利要求7所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷检测装置还包括：外部施力部件，所述外部施力部件用于对所述待测物施加外力，以改变所述待测物的内部应力；
所述获取所述待测物的实测图像，包括：
获取被施加外力的待测物的实测图像；
所述根据所述待测物的实测图像，获取所述待测物的应力分布信息，包括：
根据被施加外力的待测物的实测图像，获取被施加外力的所述待测物的应力分布信息；
所述根据有限元方法仿真获取标准物的应力分布信息，包括：
根据有限元方法仿真获取被施加外力的标准物的应力分布信息；
所述根据所述待测物的应力分布信息，以及根据有限元方法仿真获取的标准物的应力分布信息，识别所述待测物的缺陷，包括：
根据被施加外力的所述待测物的应力分布信息，以及所述有限元方法仿真获取的被施加外力的标准物的应力分布信息，识别所述待测物的缺陷。
9.根据权利要求7或8所述的缺陷检测方法，其特征在于，在所述根据所述待测物的应力分布信息，以及所述标准物的应力分布信息，识别所述待测物的缺陷之前，还包括：
获取所述标准物的实测图像；
根据所述标准物的实测图像获取所述标准物的实测应力分布信息；
根据所述标准物的实测应力分布信息，以及根据所述有限元方法仿真获取所述标准物的应力分布信息，校正所述有限元方法的仿真参数。
10.根据权利要求7所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述根据所述待测物的实测图像，获取所述待测物的应力分布信息包括：
根据所述待测物的实测图像，通过应力双折射模型计算获取所述待测物的Mueller矩阵；
根据所述Mueller矩阵获取所述待测物的方位角分布信息和相位延迟分布信息；
根据所述方位角分布信息和所述相位延迟分布信息获取所述待测物的应力分布信息。
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