CN111599314A - 一种自发光显示装置以及像素内补偿电路 - Google Patents

一种自发光显示装置以及像素内补偿电路 Download PDF

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CN111599314A CN202010362285.9A CN202010362285A CN111599314A CN 111599314 A CN111599314 A CN 111599314A CN 202010362285 A CN202010362285 A CN 202010362285A CN 111599314 A CN111599314 A CN 111599314A
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黄洪涛
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Abstract

本发明提供一种自发光显示装置以及像素内补偿电路，像素内补偿电路包括驱动TFT、开关TFT、第一储存电容、第一模块和第二模块，其中，发光单元与驱动TFT连接；第一发光控制信号、第一扫描控制信号和参考电压均与第一模块连接，第二模块与第一发光控制信号连接；驱动TFT的控制端与第一模块连接，驱动TFT的第一通路端均与第二模块、第一存储电容的第一极以及开关TFT的第二通路端连接，驱动TFT的第二通路端与发光单元连接；开关TFT的控制端连接第一扫描控制信号，开关TFT的第一通路端连接第一模块；第一储存电容的第一极连接第二扫描控制信号。本发明通过第一储存电容的耦合作用达到非发光阶段不产生流向发光单元的电流，可以提高对比度和改善显示效果。

Description

一种自发光显示装置以及像素内补偿电路
技术领域
本发明涉及显示面板的技术领域，尤其涉及一种自发光显示装置以及像素内补偿电路。
背景技术
OLED显示屏具有柔性、对比度高等特点，应用越来越广，但其是控制电流来控制发光强度，像素的显示亮度与驱动管的阈值电压Vth、栅极和源极之间的电压Vgs电压密切相关(I∝(Vgs-Vth)2)，驱动TFT的Vth漂移、IR-Drop、OLED器件的老化都会影响OLED面板的显示效果，因此通常需要设计外补偿或者内补偿像素电路来克服这些影响。
在现有的像素内补偿电路中，一般能同时克服Vth漂移、IR-Drop、OLED器件老化等问题的像素要么具有TFT的数目较多，要么在像素各节点电压重置阶段会产生大电流流向OLED器件使其发光。
图1所示是现有无补偿像素电路，其包括开关TFT 1、驱动TFT 2和存储电容3,开关TFT 1受扫描控制信号Scan控制将数据信号Vdata输入到驱动TFT 2的栅极控制端，驱动TFT2受栅极控制端的电压控制在电源ELVDD作用下，输出驱动电流，电流流经发光元件5发光。存储电容3连接驱动TFT 2的栅极控制端和电源ELVDD，用于维持驱动TFT 2的栅极控制端的电压，防止其在一个刷新周期内因漏电而发生变化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种消除在非发光阶段向发光单元流入大电流的自发光显示装置以及像素内补偿电路。
本发明提供一种像素内补偿电路，与发光单元连接且位于像素单元内；所述发光单元位于第一电源和第二电源之间，像素单元内输入第一发光控制信号、第一扫描控制信号、第二扫描控制信号和参考电压，发光元单元由第一发光控制信号控制；像素内补偿电路包括驱动TFT、开关TFT、第一储存电容、第一模块和第二模块，其中，发光单元与驱动TFT连接；第一发光控制信号、第一扫描控制信号和参考电压均与第一模块连接，第二模块也与第一发光控制信号连接；驱动TFT的控制端与第一模块连接，驱动TFT的第一通路端均与第二模块、第一存储电容的第一极以及开关TFT的第二通路端，驱动TFT的第二通路端与发光单元连接；开关TFT的控制端连接第一扫描控制信号，开关TFT的第一通路端连接第一模块；第一储存电容的第二极连接第二扫描控制信号。
本发明还提供一种像素内补偿电路，与发光单元连接且位于像素单元内；所述发光单元位于第一电源和第二电源之间，像素单元内输入第一发光控制信号、第二发光控制信号、第一扫描控制信号和参考电压，发光元单元由第一发光控制信号和第二发光控制信号控制；像素内补偿电路包括驱动TFT、开关TFT、第一储存电容、第一模块和第二模块，其中，发光单元与驱动TFT连接；第一发光控制信号、第一扫描控制信号和参考电压均与第一模块连接，第二模块与第一发光控制信号连接；驱动TFT的控制端与第一模块连接，驱动TFT的第一通路端均与第二模块、第一存储电容的第一极以及开关TFT的第二通路端，驱动TFT的第二通路端与发光单元连接；开关TFT的控制端连接第一扫描控制信号，开关TFT的第一通路端连接第一模块；第一储存电容的第二极连接第二发光控制信号。
本发明还提供一种像素内补偿电路，与发光单元连接且位于像素单元内；所述发光单元位于第一电源和第二电源之间，像素单元内输入第一发光控制信号、第一扫描控制信号、和参考电压，发光元单元由第一发光控制信号控制；像素内补偿电路包括驱动TFT、开关TFT、第一储存电容、第一模块和第二模块，其中，发光单元与驱动TFT连接；第一发光控制信号、第一扫描控制信号和参考电压均与第一模块连接，第二模块也与第一发光控制信号连接；驱动TFT的控制端与第一模块连接，驱动TFT的第一通路端均与第二模块、第一存储电容的第一极以及开关TFT的第二通路端，驱动TFT的第二通路端与发光单元连接；开关TFT的控制端连接第一扫描控制信号，开关TFT的第一通路端连接第一模块；第一储存电容的第二极连接第一扫描控制信号。
本发明还提供一种像素内补偿电路，与发光单元连接且位于像素单元内；所述发光单元位于第一电源和第二电源之间，像素单元内输入第一发光控制信号、第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、第三扫描控制信号和参考电压，发光元单元由第一发光控制信号和第二发光控制信号控制；像素内补偿电路包括驱动TFT、开关TFT、第一储存电容、第一模块和第二模块，其中，发光单元与驱动TFT连接；第一扫描控制信号、第三扫描控制信号和参考电压均与第一模块连接，第二模块与第一发光控制信号连接；驱动TFT的控制端与第一模块连接，驱动TFT的第一通路端均与第二模块、第一存储电容的第一极以及开关TFT的第二通路端，驱动TFT的第二通路端与发光单元连接；开关TFT的控制端连接第一扫描控制信号，开关TFT的第一通路端连接第一模块；第一储存电容的第二极连接第二扫描控制信号。
本发明还提供一种自发光显示装置，其包括像素内补偿电路。
本发明像素内补偿电路可以对第一驱动TFT的阈值电压Vth漂移和发光单元老化进行补偿，提高了显示面板的均一性；且通过第一储存电容的耦合作用达到非发光阶段不产生流向发光单元的电流，可以提高对比度和改善显示效果。
附图说明
图1所示是现有无补偿像素电路；
图2为本发明像素内补偿电路的结构示意图；
图3为图2所示像素内补偿电路的第一实施例的结构示意图；
图4为图3所示第一实施例内输入信号的波形图；
图5为图3所示的像素内补偿电路在不同数据电压Vdata的电路仿真结果的示意图；
图6为图3所示的像素内补偿电路在不同阈值电压Vth的电路仿真结果的示意图；
图7为图2所示像素内补偿电路的第二实施例的结构示意图；
图8为图7所示第二实施例内输入信号的波形图；
图9为图7所示的像素内补偿电路在不同数据电压Vdata的电路仿真结果的示意图；
图10为图7所示的像素内补偿电路在不同阈值电压Vth的电路仿真结果的示意图；
图11为图2所示像素内补偿电路的第三实施例的结构示意图；
图12为图11所示第三实施例内输入信号的波形图；
图13为图11所示的像素内补偿电路在不同数据电压Vdata的电路仿真结果的示意图；
图14为图11所示的像素内补偿电路在不同阈值电压Vth的电路仿真结果的示意图；
图15为图2所示像素内补偿电路的第四实施例的结构示意图；
图16为图15所示第四实施例内输入信号的波形图；
图17为图15所示的像素内补偿电路在不同数据电压Vdata的电路仿真结果的示意图；
图18为图15所示的像素内补偿电路在不同阈值电压Vth的电路仿真结果的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
图2为本发明像素内补偿电路的结构示意图，像素内补偿电路用于对自发光显示装置进行补偿，像素内补偿电路与发光单元30连接，其中发光单元30位于第一电源(第一电源为正电源，其电压为ELVDD)和第二电源(第二电源为负电源，其电压为ELVSS)之间，发光单元30由发光控制信号Em1控制。
自发光显示装置包括纵横交错的扫描线和数据线、由扫描线和数据线交叉限定的像素单元以及位于像素单元内的像素电极；其中扫描线提供第一扫描控制信号Scan1和第二扫描控制信号Scan2，数据线提供数据电压Vdata，像素内补偿电路位于像素单元内，像素单元内输入第一扫描控制信号(和/或第二扫描控制信号)和参考电压Vref。
像素内补偿电路包括驱动TFT M1、开关TFT M4、第一储存电容C1、第一模块10和第二模块20，其中，发光单元30与驱动TFT M1连接。
需要说明的是，以下实施例所涉及的每个TFT开关均包括控制端、第一通路端和第二通路端，控制端为栅极，其中一个通路端为源极、另一个通路端为漏极。当控制端、第一通路端和第二通路端接收的电压满足TFT开关的打开条件时，源极和漏极通过半导体层连接，此时TFT开关处于打开状态，否则处于关闭状态。
第一扫描控制信号Scan1和参考电压Vref均与第一模块10连接，第二模块20与第一发光控制信号Em1连接(如图3、图7、图11和图15)；驱动TFT M1的控制端与第一模块10连接，驱动TFT M1的第二通路端与发光单元30连接，驱动TFT M1的第一通路端均与第二模块20、第一存储电容C1的第一极以及开关TFT M4的第二通路端；开关TFT M4的控制端连接第一扫描控制信号Scan1，开关TFT M4的第一通路端连接第一模块10；第一储存电容C1的第二极连接第一扫描控制信号Scan1或第二扫描控制信号Scan2或第二发光控制信号Em2，第一储存电容C1的第一极连接驱动TFT M1的第一通路端。
驱动TFT M1的控制端与第一模块10连接处为第一节点G点，驱动TFT M1的第二通路端分别第二模块20、第一存储电容C1的第一极以及开关TFT M4的第二通路端接触处为第二节点D点，驱动TFT M1的第二通路端与发光单元30的连接处为第三节点S点。
第一储存电容C1的作用如下：在补偿阶段，第一扫描控制信号Scan1或第二扫描控制信号Scan2或第二发光控制信号Em2变为高电位时，通过第一储存电容C1的耦合作用，给D点充电，使像素内补偿电路在非发光阶段不产生流向发光单元30的电流，从而提高面板的对比度，改善显示效果。现有技术是通过第二模块20中的电源给D点提供电压，会在补偿阶段产生流向发光单元30的电流，降低面板的对比度。
图2中除了第一模块10、第二模块20和发光单元30后为补偿模块的基本单元，补偿过程如下：
在补偿阶段，第一扫描控制信号Scan1或第二扫描控制信号Scan2或发光控制信号Em为高电位，第二节点D点电位随之被抬升；第一扫描控制信号Scan1或第二扫描控制信号Scan2或发光控制信号Em的电位通过打开开关TFT M4并传递给第一节点G点，直至打开驱动TFT M1；打开驱动TFT M1后，D点与G点电荷被驱动TFT M1导向发光单元30，G点和D两点电位随之被慢慢拉低，第三节点S点升高；当VS＝VG-Vth时，即S点的电压等于G点、D点和S点三点电位维持平衡状态，补偿过程完成。
图3至6为本发明像素内补偿电路的第一实施例结构示意图，像素内补偿电路用于对自发光显示装置进行补偿，像素内补偿电路与发光单元30连接，其中发光单元30位于第一电源(第一电源为正电源，其电压为ELVDD)和第二电源(第二电源为负电源，其电压为ELVSS)之间，发光单元30由发光控制信号Em1控制。
自发光显示装置包括纵横交错的扫描线和数据线、由扫描线和数据线交叉限定的像素单元以及位于像素单元内的像素电极；其中扫描线提供第一扫描控制信号Scan1和第二扫描控制信号Scan2，数据线提供数据电压Vdata。
像素内补偿电路包括与发光元件30连接的第一驱动TFT M1、位于扫描线和数据线交叉处的第二开关TFT M2、第三开关TFT M3、第四开关TFT M4、第五开关TFT M5、第一存储电容C1、第二存储电容C2和接入点PIX点，其中，第二开关TFT M2、第五开关TFT M5和第二存储电容C2交汇于接入点PIX点。
其中，第一模块10包括第二开关TFT M2和第二存储电容C2，第二模块20包括第三开关TFT M3，第一存储电容C1的第二极连接至第二扫描控制信号Scan2。
第一存储电容C1和第二存储电容C2同时兼具有耦合电容和存储电容的功能，减少了像素内补偿电路的元件的数量，为更高PPI的自发光显示装置提供了可能性。
第一驱动TFT M1的控制端为第一节点G点且均与第二存储电容C2的第二极和第四开关TFT M4的第一通路端连接，第一驱动TFT M1的第一通路端为D点、且均与第一存储电容C1的第一极、第三开关TFT M3的第二通路端和第四开关TFT M4的第二通路端连接，第一驱动TFT M1的第二通路端为S点且与发光单元30连接。
第二开关TFT M2的控制端与第一扫描控制信号Scan1连接，第二开关TFT M2的第一通路端与数据线连接，第二开关TFT M2的第二通路端连接至PIX点。
第三开关TFT M3的控制端与发光控制信号Em1连接，第三开关TFT M3的第一通路端连接至第一电源；第四开关TFT M4的控制端与第一扫描控制信号Scan1连接；第五开关TFT M5的控制端与发光控制信号Em1连接，第五开关TFT M5的第一通路端与参考信号Vref连接，第五开关TFT M5的第二通路端连接至PIX点。
第二存储电容C2的第一极连接至PIX点；第一存储电容C1的第二极连接至第二扫描控制信号Scan2，第一存储电容C1的第一极连接至D点。
如图4所示为本发明像素内补偿电路第一实施例的驱动信号波形图，其中，在连续的第一时间段(具体为t1期间)、第二时间段(具体为t2期间)、第三时间段(具体为t3期间)和第四时间段(具体为t4期间)内依序数据电压Vdata接入PIX点、第一驱动TFT M1的控制端G点进行充电、输入数据电压Vdata至PIX点和对第一驱动TFT M1的控制端G点的阈值电压Vth进行提取、PIX点和第一驱动TFT M1的控制端G点的电压被锁定且第二存储电容C2两端压差同时也被锁定以及发光元件30进入发光阶段。
具体的，其工作过程分为4个阶段：
第一时间段(具体为t1期间)，发光控制信号Em1输入低电平，第一扫描控制信号Scan1为高电平，第二扫描控制信号Scan2为低电平，数据电压Vdata为高电平，第三开关TFTM3和第五开关TFT M5关闭，打开第二开关TFF M2和第四开关TFT M4，则：VPIX点＝Vdata。
第二时间段(具体为t2期间)，发光控制信号Em1持续输入低电平，第一扫描控制信号Scan1持续输入高电平，第二扫描控制信号Scan2输入高电平，第三开关TFT M3和第五开关TFT M5继续关闭，打开第二开关TFF M2和第四开关TFT M4，VPIX点＝Vdata，第二扫描控制信号Scan2经第一存储电容C1存储并使得D点的电压耦合为高电位；第四开关TFT M4把D点电压传递至G点并打开第一驱动TFT M1；然后G点和D点电压下降，S点电压上升，直至VG＝Vth+Voled+ELVSS，即G点电压等于第一驱动TFT M1的阈值电压Vth、发光单元30的电压和第二电源的电压ELVSS之和。
其中，在第二时间段的开始时刻通过第二扫描控制信号Scan2变为高电位时，第一存储电容C1的耦合作用给D点充电，可以达到在非发光阶段不产生流向发光元件的电流，从而提高面板的对比度，改善显示效果。
第三时间段(具体为t3期间)，发光控制信号Em1输入高电平，第一扫描控制信号Scan1输入低电平，第二扫描控制信号Scan2持续输入高电平，第二开关TFT M2和第四开关TFT M4关闭，打开第一驱动TFT M1、第三开关TFT M3和第五开TFT M5，则：VPIX点＝Vref，G点电压被耦合至VG＝Vth+Voled+ELVSS+Vref-Vdata，即G点电压等于第一驱动TFT M1的阈值电压Vth、发光单元30的电压、第二电源的电压ELVV和参考电压Vref之和后减去数据电压Vdata；发光单元30开始发光，发光单元30的电流I为：
Figure BDA0002475416500000081
Figure BDA0002475416500000082
第四时间段(具体为t4期间)，发光控制信号Em1持续输入高电平，第一扫描控制信号Scan1和第二扫描控制信号Scan2均为低电平，关闭第二开关TFT M2和第四开关TFT M4，打开第一驱动TFT M1、第三开关TFT M3和第五开TFT M5，D点电位受到耦合发生波动但是很快恢复，之后发光单元30稳定发光。
其中，第一时间段(具体为t1期间)、第二时间段(具体为t2期间)和第三时间段(具体为t3期间)的时间相同。
图5为在不同Vth_shift下发光单元30的电流(Ioled)随Vdata的变化的仿真结果图，图6为不同Vdata下发光单元30的电流(Ioled)随Vth_shift的变化的仿真结果图，结果显示Vth漂移时发光单元30的的电流变化不大，表明该电路对驱动管Vth漂移有较好的补偿效果。
图7至10为本发明像素内补偿电路的第二实施例结构示意图，与上述第一实施例的区别在于：设有两个发光控制信号Em1和Em2，第一实施例的发光控制信号Em1为第一发光控制信号Em1，另一个发光控制信号Em2为第二发光控制信号Em2；栅极扫描控制信号仅设有一个，即第一栅极扫描控制信号Scan1；其中，第一存储电容C1的第二极与第二发光控制信号Em2连接。
具体的，其工作过程分为3个阶段：
第一时间段(具体为t1期间)，发光控制信号Em1输入低电平，第一扫描控制信号Scan1为高电平，第二扫描控制信号Scan2为低电平，数据电压Vdata为高电平，第三开关TFTM3和第五开关TFT M5关闭，打开第二开关TFF M2和第四开关TFT M4，则：VPIX点＝Vdata。
第一时间段(具体为t1期间)，第一发光控制信号Em1为高电平，第一扫描控制信号Scan1、第二发光控制信号Em2和数据电压Vdata均为低电平，第三开关TFT M3和第五开关TFT M5打开，其他开关关闭，D点电位受其耦合下降但第一电源经第三开关TFT M3输入D点后，D点所以电位很快恢复稳定，VPIX点＝Vref，VD＝ELVDD。
第二时间段(具体为t2期间)，第一发光控制信号Em1为低电平，第一扫描控制信号Scan1、第二发光控制信号Em2和数据电压Vdata均为高电平，第三开关TFT M3和第五开关TFT M5关闭，第二开关TFT M2和第四开关TFT M4打开，VPIX点＝Vdata，D点电压被第二发光控制信号EM2耦合至高电位；打开的第四开关TFT M4将D点电压传递给G点，第一驱动TFT M1随之开启，G点和D点的电压开始下降、S点电压开始上升，直至VG＝Vth+Voled+ELVSS。
第三时间段(具体为t3期间)，第一发光控制信号Em1和第二发光控制信号Em2为高电平，第一扫描控制信号Scan1和数据电压Vdata均为低电平，第二开关TFT M2和第四开关TFT M4关闭，第一驱动TFT M1、第三开关TFT M3和第五开关TFT M5打开，VPIX点＝Vref，G点电压被耦合至VG＝Vth+Voled+ELVSS+Vref-Vdata，发光单元30开始发光，其电流I为
Figure BDA0002475416500000091
Figure BDA0002475416500000092
其中，第一时间段(具体为t1期间)和第二时间段(具体为t2期间)的时间相同。
在第一时间段(具体为t1期间)的结束时刻通过第二发光控制信号Em2变为高电位时，第一存储电容C1的耦合作用给D点充电，可以达到在非发光阶段不产生流向发光元件的电流，从而提高面板的对比度，改善显示效果。
图9为在不同Vth_shift下发光单元30的电流(Ioled)随Vdata的变化的仿真结果图，图10为不同Vdata下发光单元30的电流(Ioled)随Vth_shift的变化的仿真结果图，结果显示Vth漂移时发光单元30的的电流变化不大，表明该电路对驱动管Vth漂移有较好的补偿效果。
图11至14为本发明像素内补偿电路的第三实施例结构示意图，与上述第一实施例的区别在于：没有设置第二栅极扫描控制信号Scan2，第一存储电容C1的第一极也连接至第一栅极扫描控制信号Scan1。
具体的，其工作过程分为4个阶段：
第一时间段(具体为t1期间)，第一发光控制信号Em1、第一栅极扫描控制信号Scan1和数据电压均输入低电平，第二开关TFT M2、第三开关TFT M3、第四开关TFT M4和第五开关TFT M5关闭。
第二时间段(具体为t2期间)，第一发光控制信号Em1为低电平，第一栅极扫描控制信号Scan1和数据电压均输入低电平均为高电平，第三开关TFT M3和第五开关TFT M5关闭，VPIX点＝Vdata，D点电压被耦合至高电位；第四开关TFTM4将D点电压传递给G点，第一驱动TFT M1随之开启，G点和D两点的电压开始下降、S点电压开始上升，直至VG＝Vth+Voled+ELVSS。
第三时间段(具体为t3期间)，第一发光控制信号Em1、第一栅极扫描控制信号Scan1和数据电压均输入低电平，第二开关TFT M2、第三开关TFT M3、第四开关TFT M4和第五开关TFT M5关闭，D点电压被拉低但第四开关TFT M4已关闭所以不会影响G点电压，VG＝Vth+Voled+ELVSS。
第三时间段(具体为t4期间)，第一发光控制信号Em1输入高电平，第一栅极扫描控制信号Scan1和数据电压均输入低电平，第二开关TFT M2和第四开关TFT M4关闭，第一驱动TFT M1、第三开关TFT M3和第五开关TFT M5打开，VPIX点＝Vref，G点受到耦合VG＝Vth+Voled+ELVSS+Vref-Vdata，发光单元30发光，其电流I为
Figure BDA0002475416500000101
其中，第一时间段(具体为t1期间)和第三时间段(具体为t3期间)的时间极短且相同并小于第二时间段(具体为t2期间)的时间，且t3≥5t1(或5t3)。
在第二时间段(具体为t2期间)阶段的开始时刻通过第一扫描控制信号Scan1变为高电位时第一存储电容C1的耦合作用给D点充电，可以达到在非发光阶段不产生流向发光元件的电流，从而提高面板的对比度，改善显示效果。
图13为在不同Vth_shift下发光单元30的电流(Ioled)随Vdata的变化的仿真结果图，图14为不同Vdata下发光单元30的电流(Ioled)随Vth_shift的变化的仿真结果图，结果显示Vth漂移时发光单元30的的电流变化不大，表明该电路对驱动管Vth漂移有较好的补偿效果。
图15至18为本发明像素内补偿电路的第四实施例结构示意图，与上述第一实施例的区别在于：增加第三栅极扫描控制信号Scan3和第三储存电容C3，第三栅极扫描控制信号Scan3连接至第二TFT开关M2的控制端,第三储存电容C3的第一极连接在PIX点，第三储存电容C3的第二极连接至参考电压Vref，第二开关TFT M2、第五开关TFT M5、第二存储电容C2、第三存储电容C3交汇于接入点PIX点。具体的，其工作过程分为5个阶段：
第一时间段(具体为t1期间)，第一发光控制信号Em1、第二栅极扫描控制信号Scan2、第三栅极扫描控制信号Scan3和数据电压Vdata均输入低电平，第一栅极扫描控制信号Scan1输入高电平，第二开关TFT M2和第三开关TFT M3关闭，第四开关TFT M4和第五开关TFT M5打开，VPIX点＝Vref，VD＝VG。
第二时间段(具体为t2期间)，第一发光控制信号Em1、第三栅极扫描控制信号Scan3和数据线电压Vdata输入低电平，第一栅极扫描控制信号Scan1和第二栅极扫描控制信号Scan2输入低电平，第二开关TFT M2和第三开关TFT M3关闭，第四开关TFT M4和第五开关TFT M5开启，VPIX点＝Vref，G点和D点的电压受第二栅极扫描控制信号Scan2耦合而上升；第一驱动TFT M2随之开启，G点和D两点电压开始下降、S点电压开始上升，直至VG＝Vth+Voled+ELVSS。
第三时间段(具体为t3期间)，第一发光控制信号Em1、第一栅极扫描控制信号Scan1和数据线电压输入低电平，第二栅极扫描控制信号Scan2和第三栅极扫描控制信号Scan3输入高电平，第三开关TFT M3、第四开关TFT M4和第五开关TFT M5关闭，第二开关TFTM2打开，VG＝Vth+Voled+ELVSS+Vdata0-Vref。
第四时间段(具体为t4期间)，第一发光控制信号Em1、第一栅极扫描控制信号Scan1和第二栅极扫描控制信号Scan2输入低电平，第三栅极扫描控制信号Scan3和数据电压Vdata输入高电平，第三开关TFT M3、第四开关TFT M4和第五开关TFT M5关闭，第二开关TFT M2打开，D点受到第二栅极扫描控制信号Scan2耦合但无法影响G点，本行数据电压Vdata开始写入，VG＝Vth+Voled+ELVSS+Vdata0-Vref+Vdata-Vdata0＝Vth+Voled+ELVSS+Vdata-Vref。
第五时间段(具体为t5期间)，第一发光控制信号Em1输入高电平，第一、第二和第三栅极扫描线信号Scan1、Scan2、San3均输入低电平，第二开关TFT M2、第四开关TFT M4和第五开关TFT M5关闭，第一驱动TFT M1和第三开关TFT M3打开，发光单元30开始发光，其电流I为
Figure BDA0002475416500000111
Figure BDA0002475416500000112
其中，第一时间段(具体为t1期间)、第二时间段(具体为t2期间)第三时间段(具体为t3期间)和第四时间段(具体为t4期间)的时间相同。
在第二时间段(具体为t2期间)阶段的开始时刻通过第一发光控制信号E m1变为高电位时第一储存电容C1的耦合作用给D点充电，可以达到在非发光阶段不产生流向发光元件的电流，从而提高面板的对比度，改善显示效果。
图17为在不同Vth_shift下发光单元30的电流(Ioled)随Vdata的变化的仿真结果图，图18为不同Vdata下发光单元30的电流(Ioled)随Vth_shift的变化的仿真结果图，结果显示Vth漂移时发光单元30的的电流变化不大，表明该电路对驱动管Vth漂移有较好的补偿效果。
本发明像素内补偿电路的第一驱动TFT的阈值电压Vth漂移和发光单元老化补偿，提高了显示面板的均一性；且通过第一储存电容的耦合作用达到非发光阶段不产生流向发光单元的电流，可以提高对比度和改善显示效果。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换(如数量、形状、位置等)，这些等同变换均属于本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种像素内补偿电路，与发光单元连接且位于像素单元内；所述发光单元位于第一电源和第二电源之间，其特征在于，像素单元内输入第一发光控制信号、第一扫描控制信号、第二扫描控制信号和参考电压，发光元单元由第一发光控制信号控制；像素内补偿电路包括驱动TFT、开关TFT、第一储存电容、第一模块和第二模块，其中，发光单元与驱动TFT连接；第一发光控制信号、第一扫描控制信号和参考电压均与第一模块连接，第二模块也与第一发光控制信号连接；驱动TFT的控制端与第一模块连接，驱动TFT的第一通路端均与第二模块、第一存储电容的第一极以及开关TFT的第二通路端，驱动TFT的第二通路端与发光单元连接；开关TFT的控制端连接第一扫描控制信号，开关TFT的第一通路端连接第一模块；第一储存电容的第二极连接第二扫描控制信号。
2.根据权利要求1所述像素内补偿电路，其特征在于，所述驱动TFT为第一驱动开关，所述开关TFT为第四开关TFT；所述第一模块包括第二开关TFT、第五开关TFT、第二存储电容和接入点；所述第二模块包括第三开关TFT；其中，第二开关TFT、第五开关TFT和第二存储电容交汇于接入点。
3.根据权利要求2所述像素内补偿电路，其特征在于，第一驱动TFT的控制端为均与第二存储电容的第二极和第四开关TFT的第一通路端连接，第一驱动TFT的第一通路端均与第一存储电容的第一极、第三开关TFT的第二通路端和第四开关TFT的第二通路端连接，第一驱动TFT的第二通路端与发光单元连接；第二开关TFT的控制端与第一扫描控制信号连接，第二开关TFT的第一通路端与数据线连接，第二开关TFT的第二通路端连接至接入点；第三开关TFT的控制端与第一发光控制信号连接，第三开关TFT的第一通路端连接至第一电源；第四开关TFT的控制端与第一扫描控制信号连接第四开关TFT的第一通路端与第二存储电容的第二极连接；第五开关TFT的控制端与第一发光控制信号连接，第五开关TFT的第一通路端与参考信号连接，第五开关TFT的第二通路端连接至接入点；第二存储电容的第一极连接至接入点。
4.一种像素内补偿电路，与发光单元连接且位于像素单元内；所述发光单元位于第一电源和第二电源之间，其特征在于，像素单元内输入第一发光控制信号、第二发光控制信号、第一扫描控制信号和参考电压，发光元单元由第一发光控制信号和第二发光控制信号控制；像素内补偿电路包括驱动TFT、开关TFT、第一储存电容、第一模块和第二模块，其中，发光单元与驱动TFT连接；第一发光控制信号、第一扫描控制信号和参考电压均与第一模块连接，第二模块与第一发光控制信号连接；驱动TFT的控制端与第一模块连接，驱动TFT的第一通路端均与第二模块、第一存储电容的第一极以及开关TFT的第二通路端，驱动TFT的第二通路端与发光单元连接；开关TFT的控制端连接第一扫描控制信号，开关TFT的第一通路端连接第一模块；第一储存电容的第二极连接第二发光控制信号。
5.根据权利要求4所述像素内补偿电路，其特征在于，所述驱动TFT为第一驱动开关，所述开关TFT为第四开关TFT；所述第一模块包括第二开关TFT、第五开关TFT、第二存储电容和接入点；所述第二模块包括第三开关TFT；其中，第二开关TFT、第五开关TFT和第二存储电容交汇于接入点。
6.根据权利要求5所述像素内补偿电路，其特征在于，第一驱动TFT的控制端均与第二存储电容的第二极和第四开关TFT的第一通路端连接，第一驱动TFT的第一通路端均与第一存储电容的第一极、第三开关TFT的第二通路端和第四开关TFT的第二通路端连接，第一驱动TFT的第二通路端与发光单元连接；第二开关TFT的控制端与第一扫描控制信号连接，第二开关TFT的第一通路端与数据线连接，第二开关TFT的第二通路端连接至接入点；第三开关TFT的控制端与第一发光控制信号连接，第三开关TFT的第一通路端连接至第一电源；第四开关TFT的控制端与第一扫描控制信号连接第四开关TFT的第一通路端与第二存储电容的第二极连接；第五开关TFT的控制端与第一发光控制信号连接，第五开关TFT的第一通路端与参考信号连接，第五开关TFT的第二通路端连接至接入点；第二存储电容的第一极连接至接入点。
7.一种像素内补偿电路，与发光单元连接且位于像素单元内；所述发光单元位于第一电源和第二电源之间，其特征在于，像素单元内输入第一发光控制信号、第一扫描控制信号、和参考电压，发光元单元由第一发光控制信号控制；像素内补偿电路包括驱动TFT、开关TFT、第一储存电容、第一模块和第二模块，其中，发光单元与驱动TFT连接；第一发光控制信号、第一扫描控制信号和参考电压均与第一模块连接，第二模块也与第一发光控制信号连接；驱动TFT的控制端与第一模块连接，驱动TFT的第一通路端均与第二模块、第一存储电容的第一极以及开关TFT的第二通路端，驱动TFT的第二通路端与发光单元连接；开关TFT的控制端连接第一扫描控制信号，开关TFT的第一通路端连接第一模块；第一储存电容的第二极连接第一扫描控制信号。
8.根据权利要求7所述像素内补偿电路，其特征在于，所述驱动TFT为第一驱动开关，所述开关TFT为第四开关TFT；所述第一模块包括第二开关TFT、第五开关TFT、第二存储电容和接入点；所述第二模块包括第三开关TFT，其中，第二开关TFT、第五开关TFT和第二存储电容交汇于接入点。
9.根据权利要求8所述像素内补偿电路，其特征在于，第一驱动TFT的控制端均与第二存储电容的第二极和第四开关TFT的第一通路端连接，第一驱动TFT的第一通路端均与第一存储电容的第一极、第三开关TFT的第二通路端和第四开关TFT的第二通路端连接，第一驱动TFT的第二通路端与发光单元连接；第二开关TFT的控制端与第一扫描控制信号连接，第二开关TFT的第一通路端与数据线连接，第二开关TFT的第二通路端连接至接入点；第三开关TFT的控制端与第一发光控制信号连接，第三开关TFT的第一通路端连接至第一电源；第四开关TFT的控制端与第一扫描控制信号连接第四开关TFT的第一通路端与第二存储电容的第二极连接；第五开关TFT的控制端与第一发光控制信号连接，第五开关TFT的第一通路端与参考信号连接，第五开关TFT的第二通路端连接至接入点；第二存储电容的第一极连接至接入点。
10.一种像素内补偿电路，与发光单元连接且位于像素单元内；所述发光单元位于第一电源和第二电源之间，其特征在于，像素单元内输入第一发光控制信号、第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、第三扫描控制信号和参考电压，发光元单元由第一发光控制信号和第二发光控制信号控制；像素内补偿电路包括驱动TFT、开关TFT、第一储存电容、第一模块和第二模块，其中，发光单元与驱动TFT连接；第一扫描控制信号、第三扫描控制信号和参考电压均与第一模块连接，第二模块与第一发光控制信号连接；驱动TFT的控制端与第一模块连接，驱动TFT的第一通路端均与第二模块、第一存储电容的第一极以及开关TFT的第二通路端，驱动TFT的第二通路端与发光单元连接；开关TFT的控制端连接第一扫描控制信号，开关TFT的第一通路端连接第一模块；第一储存电容的第二极连接第二扫描控制信号。
11.根据权利要求10所述像素内补偿电路，其特征在于，所述驱动TFT为第一驱动开关，所述开关TFT为第四开关TFT；所述第一模块包括第二开关TFT、第五开关TFT、第二存储电容和第三存储电容和接入点；所述第二模块包括第三开关TFT，其中，第二开关TFT、第五开关TFT、第二存储电容和第三存储电容交汇于接入点。
12.根据权利要求11所述像素内补偿电路，其特征在于，第一驱动TFT的控制端均与第二存储电容的第二极和第四开关TFT的第一通路端连接，第一驱动TFT的第一通路端均与第一存储电容的第一极、第三开关TFT的第二通路端和第四开关TFT的第二通路端连接，第一驱动TFT的第二通路端与发光单元连接；第二开关TFT的控制端与第三扫描控制信号连接，第二开关TFT的第一通路端与数据线连接，第二开关TFT的第二通路端连接至接入点；第三开关TFT的控制端与第一发光控制信号连接，第三开关TFT的第一通路端连接至第一电源；第四开关TFT的控制端与第一扫描控制信号连接，第四开关TFT的第一通路端与第二存储电容的第二极连接；第五开关TFT的控制端与第一扫描控制信号连接，第五开关TFT的第一通路端与参考信号连接，第五开关TFT的第二通路端连接至接入点；第二存储电容的第一极连接至接入点；第三存储电容的第一极连接至参考电压，第三存储电容的第二极连接至接入点。
13.一种自发光显示装置，其包括权利要求1-12任一所述的像素内补偿电路。
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