CN111596636A - 多晶硅还原炉控制方法、装置及电子设备 - Google Patents
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 131
- 230000009467 reduction Effects 0.000 title claims abstract description 126
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 86
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 52
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 38
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 38
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 38
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 73
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 14
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 24
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000000802 evaporation-induced self-assembly Methods 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明提供了一种多晶硅还原炉控制方法、装置及电子设备，涉及多晶硅材料制备技术领域，该方法首先基于已启动的还原炉确定曲线集合，曲线集合包括：目标多晶硅沉积曲线、物料曲线和电流曲线；然后确定随时间变化的实际多晶硅沉积曲线，实际多晶硅沉积曲线包括多晶硅沉积的实际值，最后确定实际多晶硅沉积曲线与目标多晶硅沉积曲线的第一偏差，当第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入还原炉的物料的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值。该方法通过及时调整输入还原炉的物料的量，从而控制多晶硅的生成过程，使多晶硅的还原过程不再过于依赖人工经验，简化了操作过程，提高了生产过程可重复性，保证了产品质量。
Description
技术领域
本发明涉及多晶硅材料制备技术领域，尤其是涉及一种多晶硅还原炉控制方法、装置及电子设备。
背景技术
工业生产多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法，改良西门子法生产多晶硅的工艺过程为：将物料三氯氢硅和氢气通入到还原炉内，在1000～1100℃的硅芯上发生气相沉积反应增长成多晶硅棒。整个生产过程由集散控制系统(Distributed ControlSystem，DCS)操作和现场操作完成，DCS操作执行物料、电气参数控制，现场操作则是由人工执行手阀控制、检查等工作。
在实际生产中，受多晶硅棒表面积的不断增大，硅棒周围的物料浓度，以及还原炉内热状况的影响，多晶硅生长过程中的物料量不可能为固定值，需要靠人为手动不断调整氢气和三氯氢硅的流量和配比，操作繁复，且对操作人员的控制水平、操作经验都有较高要求。综上，多晶硅还原方法中存在操作繁琐、生产过程可重复性低、产品质量较差的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种多晶硅还原炉控制方法、装置及电子设备，以缓解现有技术中存在的操作繁琐、生产过程可重复性低、产品质量较差的技术问题。
为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：
第一方面，本发明实施例提供了一种多晶硅还原炉控制方法，该方法包括：
基于已启动的还原炉确定曲线集合，所述曲线集合包括：目标多晶硅沉积曲线、物料曲线和电流曲线；其中，所述目标多晶硅沉积曲线用于表示随时间变化生成多晶硅的目标值，所述物料曲线用于表示输入所述还原炉的物料随时间变化的值，所述电流曲线用于为所述多晶硅的生成反应供电；
确定随时间变化的实际多晶硅沉积曲线，所述实际多晶硅沉积曲线包括多晶硅沉积的实际值；
确定所述实际多晶硅沉积曲线与所述目标多晶硅沉积曲线的第一偏差，当所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入所述还原炉的所述物料的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值。
在一些可能的实施方式中，在基于已启动的还原炉确定曲线集合的步骤之前，还包括：获取还原炉的阀门参数和运行参数，基于所述阀门参数和所述运行参数的结果判断是否能启动还原炉。
在一些可能的实施方式中，所述曲线集合还包括电流曲线，所述电流曲线用于为所述多晶硅的生成反应供电；所述物料曲线包括：氢气曲线和三氯氢硅曲线；所述氢气曲线用于表示输入所述还原炉的氢气的量随时间变化的值；所述三氯氢硅曲线用于表示输入所述还原炉的三氯氢硅的量随时间变化的值。
在一些可能的实施方式中，当所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入所述还原炉的所述物料的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值的步骤，包括：当所述第一偏差为负值，且所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，增加输入所述还原炉的电流值和所述氢气的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值；或者，增加输入所述还原炉的电流值和所述三氯氢硅的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值；或者，增加输入所述还原炉的电流值、所述氢气的量和所述三氯氢硅的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值。
在一些可能的实施方式中，当所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入所述还原炉的所述物料的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值的步骤，还包括：当所述第一偏差为正值，且所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，减少输入所述还原炉的电流值和所述氢气的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值；或者，减少输入所述还原炉的电流值和所述三氯氢硅的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值；或者，减少输入所述还原炉的电流值、所述氢气的量和所述三氯氢硅的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值。
在一些可能的实施方式中，该方法还包括：当所述第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，调节输入所述还原炉的电流值，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第二阈值；其中，所述第二阈值小于所述第一阈值。
在一些可能的实施方式中，当所述第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，调节输入所述还原炉的电流值，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第二阈值的步骤，包括：当所述第一偏差为负值，且所述第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，增加输入所述还原炉的电流值，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第二阈值；当所述第一偏差为正值，且所述第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，减少输入所述还原炉的电流值，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第二阈值。
第二方面，本发明实施例提供了一种多晶硅还原炉控制装置，该装置包括：
第一确定模块，用于基于已启动的还原炉确定曲线集合，所述曲线集合包括：目标多晶硅沉积曲线、物料曲线和电流曲线；其中，所述目标多晶硅沉积曲线用于表示随时间变化生成多晶硅的目标值，所述物料曲线用于表示输入所述还原炉的物料随时间变化的值，所述电流曲线用于为所述多晶硅的生成反应供电；
第二确定模块，用于确定随时间变化的实际多晶硅沉积曲线，所述实际多晶硅沉积曲线包括多晶硅沉积的实际值；
偏差确定模块，用于确定所述实际多晶硅沉积曲线与所述目标多晶硅沉积曲线的第一偏差；
调节模块，用于当所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入所述还原炉的所述物料的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值。
第三方面，本发明实施例提供了一种电子设备，包括存储器、处理器，所述存储器中存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述第一方面任一实施方式所述的方法的步骤。
第四方面，本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有机器可运行指令，所述计算机可运行指令在被处理器调用和运行时，所述计算机可运行指令促使所述处理器运行第一方面任一实施方式所述的方法。
本发明提供了一种多晶硅还原炉控制方法、装置及电子设备，该方法首先基于已启动的还原炉确定曲线集合，曲线集合包括：目标多晶硅沉积曲线、物料曲线和电流曲线；然后确定随时间变化的实际多晶硅沉积曲线，实际多晶硅沉积曲线包括多晶硅沉积的实际值，最后确定实际多晶硅沉积曲线与目标多晶硅沉积曲线的第一偏差，当第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入还原炉的物料的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值。该方法通过及时调整输入还原炉的物料的量，从而控制多晶硅的生成过程，使多晶硅的还原过程不再过于依赖人工经验，简化了操作过程，提高了生产过程可重复性，保证了产品质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种多晶硅还原炉控制方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种多晶硅还原炉控制方法的流程示意图；
图3为本发明实施例提供的一种多晶硅还原炉控制方法中导入的沉积曲线图；
图4为本发明实施例提供的一种多晶硅还原炉控制装置的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
工业生产多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法，改良西门子法生产多晶硅的工艺过程为：将物料三氯氢硅和氢气通入到还原炉内，在1000～1100℃的硅芯上发生气相沉积反应增长成多晶硅棒。整个生产过程由集散控制系统(Distributed ControlSystem，DCS)操作和现场操作完成，DCS操作执行物料、电气参数控制，现场操作则是由人工执行手阀控制、检查等工作，由于需要人为操作的协同，安全隐患较高。
在实际生产中，受多晶硅棒表面积的不断增大，硅棒周围的物料浓度，以及还原炉内热状况的影响，多晶硅生长过程中的物料量不可能为固定值，需要靠人为手动不断调整氢气和三氯氢硅的流量和配比，操作繁复，且对操作人员的控制水平、操作经验都有较高要求。综上，目前的多晶硅还原方法过于依赖人为操作及人工经验，存在操作繁琐、生产过程可重复性低、产品质量较差的问题。
基于此，本发明实施例提供了一种多晶硅还原炉控制方法、装置及电子设备，以缓解现有技术中存在的上述技术问题。为便于对本实施例进行理解，首先对本发明实施例所公开的一种多晶硅还原炉控制方法进行详细介绍。
还原炉制备多晶硅过程，主要分为三个阶段：启炉阶段、沉积阶段、停炉阶段。启炉阶段结束后，通过电气系统返回的硅芯击穿信号，使系统进入沉积阶段，系统时间到达还原炉运行设定时间时，进入停炉阶段。本发明实施例提供了一种多晶硅还原炉控制方法，该方法可以由安装在电子设备上的多晶硅还原炉自动控制系统执行。
参见图1所示的一种多晶硅还原炉控制方法的流程示意图，主要包括以下步骤：
S110：基于已启动的还原炉确定曲线集合，曲线集合包括：目标多晶硅沉积曲线、物料曲线和电流曲线；
其中，目标多晶硅沉积曲线用于表示随时间变化生成多晶硅的目标值；物料曲线用于表示输入还原炉的物料随时间变化的值，电流曲线用于为多晶硅的生成反应供电。
另外，物料曲线可以包括：氢气曲线和三氯氢硅曲线；氢气曲线用于表示输入还原炉的氢气的量随时间变化的值；三氯氢硅曲线用于表示输入还原炉的三氯氢硅的量随时间变化的值。
作为一个示例，确定曲线集合可以是确定电流曲线、氢气曲线、三氯氢硅曲线和目标多晶硅沉积曲线，其中，目标多晶硅沉积曲线与电流曲线、氢气曲线、三氯氢硅曲线形成映射。
在一些实施例中，S110之前还包括：获取还原炉的阀门参数和运行参数，基于所述阀门参数和所述运行参数的结果判断是否能启动还原炉。
还原炉的阀门和运行参数检查合格后，启动还原炉。该步骤为启炉阶段，其中，还原炉一般包括多个管道及阀门、计时器、物料流量计以及硅沉积监测器等。
作为一个示例，参见图2，启炉阶段还可以包括以下流程：
(a)启动还原炉阀门检查，检查还原炉各管道前后各种手阀、调节阀是否处在正确位置；
(b)各运行参数检查，检查自控系统计时器、物料流量计处在初始位置，设定还原炉运行时间。
(c)气体置换，包括惰性气体及反应气体置换炉内气体的过程。
(d)高压击穿，在一定气氛压力条件下，用高压电击穿硅芯，使硅芯发热。
上述流程均确认无误后，即可进入沉积阶段，该沉积阶段包括：
S120：确定随时间变化的实际多晶硅沉积曲线，实际多晶硅沉积曲线包括多晶硅沉积的实际值；
曲线集合确定后，待发热的硅芯达到合适温度，即可通入物料，如氢气和三氯氢硅，启动系统时间和硅沉积监测器，进行反应并实时监测还原炉内的硅沉积值，生成实际多晶硅沉积曲线。
S130：确定实际多晶硅沉积曲线与目标多晶硅沉积曲线的第一偏差。
其中，实际多晶硅沉积曲线与目标多晶硅沉积曲线之间的第一偏差可以用硅沉积速率进行衡量。
S140：当第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入还原炉的物料的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值。
硅沉积过程中，每一时刻的电流值、氢气值、三氯氢硅值随曲线变化。期间，若硅沉积监测器监测的硅沉积速率值偏离多晶硅沉积曲线设定值，则系统自动微调电流值、氢气值、三氯氢硅值，使硅沉积速率监测值处在硅沉积曲线容许范围内。
硅沉积速率值可以通过以下公式得到：
式中：V为硅沉积速率，单位mm/s；Δt为时间变化值，单位s；Δd为时间变化值所对应的硅棒直径变化值，单位mm。
作为一个示例，如图3所示，该沉积曲线图表示硅沉积监测值曲线与硅沉积设定值曲线随时间变化的趋势，图中两条曲线中间的区域M即表示实际多晶硅沉积曲线与目标多晶硅沉积曲线的第一偏差。该图实际表示的信息是：当还原炉运行至第4s时，硅沉积的监测值偏离了硅沉积的设定值(目标值)，此时可以通过调整电流值或物料值(如，氢气值、三氯氢硅值)，使得在第10s时硅沉积监测值靠近设定。
根据实际多晶硅沉积曲线与目标多晶硅沉积曲线偏差值的大小，可以有多种输入物料的调节方式，以调整实际硅沉积值向目标硅沉积值靠近。在一些实施方式中，上述步骤S140包括以下步骤：
步骤(A)：当第一偏差为负值，且第一偏差的绝对值大于第一阈值时，增加输入还原炉的电流值和氢气的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值；
或者，增加输入还原炉的电流值和三氯氢硅的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值；
或者，增加输入还原炉的电流值、氢气的量和三氯氢硅的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值。
在一些实施方式中，上述步骤S140还包括以下步骤：
步骤(B)：当第一偏差为正值，且第一偏差的绝对值大于第一阈值时，减少输入还原炉的电流值和氢气的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值；
或者，减少输入还原炉的电流值和三氯氢硅的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值；
或者，减少输入还原炉的电流值、氢气的量和三氯氢硅的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值。
本发明实施例提供的多晶硅还原炉控制方法通过导入沉积曲线实时对比多晶硅的目标值与监测值，并及时调节输入还原炉的物料的量，使多晶硅的还原过程不再过于依赖人工经验，简化了操作过程，提高了生产过程可重复性，保证了产品质量。
当实际多晶硅沉积曲线与目标多晶硅曲线的偏差值较小时，可以仅通过调整输入电流的大小来控制多晶硅的生成速率，以使实际硅沉积值向目标硅沉积值靠近。
作为一个具体的示例，本发明实施例提供的一种多晶硅还原炉控制方法还可以包括：当第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，调节输入还原炉的电流值，直至第一偏差的绝对值小于第二阈值；其中，第二阈值小于第一阈值。
作为一个示例，当第一偏差为负值，且第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，增加输入还原炉的电流值，直至第一偏差的绝对值小于第二阈值；当第一偏差为正值，且第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，减少输入还原炉的电流值，直至第一偏差的绝对值小于第二阈值。
本发明实施例提供的另一种多晶硅还原炉化控制方法还包括图2中的停炉阶段，具体包括：
(e)切断电流，还原炉运行至设定时间时，切断电源，切断氢气和三氯氢硅；
(f)气体置换，包括惰性气体置换反应气体过程。
(g)停炉，泄压、打开钟罩，取出产品硅棒。
本发明实施例提供的一种多晶硅还原炉化控制方法，能够替代人工操作和现场操作，可自动控制完成启炉、多晶硅沉积、停炉过程，省时省力，生产过程可重复性高，安全隐患低。此外，在多晶硅沉积过程中，依据多晶硅沉积速率及工艺要求，自动调整电气参数、物料流量值，进一步保证产品的生产质量。
本发明实施例提供了一种多晶硅还原炉控制装置，该装置包括如图4所示的以下结构：
第一确定模块410，用于基于已启动的还原炉确定曲线集合，所述曲线集合包括：目标多晶硅沉积曲线、物料曲线和电流曲线；其中，所述目标多晶硅沉积曲线用于表示随时间变化生成多晶硅的目标值，所述物料曲线用于表示输入所述还原炉的物料随时间变化的值，电流曲线用于为多晶硅的生成反应供电；
第二确定模块420，用于确定随时间变化的实际多晶硅沉积曲线，所述实际多晶硅沉积曲线包括多晶硅沉积的实际值；
偏差确定模块430，用于确定所述实际多晶硅沉积曲线与所述目标多晶硅沉积曲线的第一偏差；
调节模块440，用于当所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入所述还原炉的所述物料的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值。
在一种实施例中，调节模块包括：
第一调节单元，用于当第一偏差为负值，且第一偏差的绝对值大于第一阈值时，增加输入还原炉的电流值和氢气的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值；或者，增加输入还原炉的电流值和三氯氢硅的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值；或者，增加输入还原炉的电流值、氢气的量和三氯氢硅的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值。
在一种实施例中，调节模块还包括：
第二调节单元，用于当第一偏差为正值，且第一偏差的绝对值大于第一阈值时，减少输入还原炉的电流值和氢气的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值；或者，减少输入还原炉的电流值和三氯氢硅的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值；或者，减少输入还原炉的电流值、氢气的量和三氯氢硅的量，直至第一偏差的绝对值小于第一阈值。
在一种实施例中，该装置还包括：
第二调节模块，用于当第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，调节输入还原炉的电流值，直至第一偏差的绝对值小于第二阈值；其中，第二阈值小于第一阈值。
在一种实施例中，第二调节模块包括：
第三调节单元，用于当第一偏差为负值，且第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，增加输入还原炉的电流值，直至第一偏差的绝对值小于第二阈值；
第四调节单元，用于当第一偏差为正值，且第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，减少输入还原炉的电流值，直至第一偏差的绝对值小于第二阈值。
本申请实施例所提供的多晶硅还原炉控制装置可以为设备上的特定硬件或者安装于设备上的软件或固件等。本申请实施例所提供的装置，其实现原理及产生的技术效果和前述方法实施例相同，为简要描述，装置实施例部分未提及之处，可参考前述方法实施例中相应内容。所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，前述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，均可以参考上述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。本申请实施例提供的多晶硅还原炉控制装置与上述实施例提供的多晶硅还原炉控制方法具有相同的技术特征，所以也能解决相同的技术问题，达到相同的技术效果。
本申请实施例还提供了一种电子设备，具体的，该电子设备包括处理器和存储装置；存储装置上存储有计算机程序，计算机程序在被所述处理器运行时执行如上所述实施方式的任一项所述的方法。
图5为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图，该电子设备500包括：处理器50，存储器51，总线52和通信接口53，所述处理器50、通信接口53和存储器51通过总线52连接；处理器50用于执行存储器51中存储的可执行模块，例如计算机程序。
其中，存储器51可能包含高速随机存取存储器(RAM，RandomAccessMemory)，也可能还包括非不稳定的存储器(non-volatile memory)，例如至少一个磁盘存储器。通过至少一个通信接口53(可以是有线或者无线)实现该系统网元与至少一个其他网元之间的通信连接，可以使用互联网，广域网，本地网，城域网等。
总线52可以是ISA总线、PCI总线或EISA总线等。所述总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图5中仅用一个双向箭头表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。
其中，存储器51用于存储程序，所述处理器50在接收到执行指令后，执行所述程序，前述本发明实施例任一实施例揭示的流过程定义的装置所执行的方法可以应用于处理器50中，或者由处理器50实现。
处理器50可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器50中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器50可以是通用处理器，包括中央处理器(CentralProcessingUnit，简称CPU)、网络处理器(NetworkProcessor，简称NP)等；还可以是数字信号处理器(Digital SignalProcessing，简称DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，简称ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，简称FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本发明实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器51，处理器50读取存储器51中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。
对应于上述方法，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有机器可运行指令，所述计算机可运行指令在被处理器调用和运行时，所述计算机可运行指令促使所述处理器运行上述方法的步骤。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请提供的实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，电子设备，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
应注意到：相似的标号和字母在附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释，此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种多晶硅还原炉控制方法，其特征在于，包括：
基于已启动的还原炉确定曲线集合，所述曲线集合包括：目标多晶硅沉积曲线、物料曲线和电流曲线；其中，所述目标多晶硅沉积曲线用于表示随时间变化生成多晶硅的目标值，所述物料曲线用于表示输入所述还原炉的物料随时间变化的值，所述电流曲线用于为所述多晶硅的生成反应供电；
确定随时间变化的实际多晶硅沉积曲线，所述实际多晶硅沉积曲线包括多晶硅沉积的实际值；
确定所述实际多晶硅沉积曲线与所述目标多晶硅沉积曲线的第一偏差；
当所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入所述还原炉的所述物料的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值。
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉控制方法，其特征在于，在基于已启动的还原炉确定曲线集合的步骤之前，还包括：获取还原炉的阀门参数和运行参数，基于所述阀门参数和所述运行参数的结果判断是否能启动还原炉。
3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉控制方法，其特征在于，所述物料曲线包括：氢气曲线和三氯氢硅曲线；所述氢气曲线用于表示输入所述还原炉的氢气的量随时间变化的值；所述三氯氢硅曲线用于表示输入所述还原炉的三氯氢硅的量随时间变化的值。
4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉控制方法，其特征在于，当所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入所述还原炉的所述物料的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值的步骤，包括：
当所述第一偏差为负值，且所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，增加输入所述还原炉的电流值和所述氢气的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值；
或者，增加输入所述还原炉的电流值和所述三氯氢硅的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值；
或者，增加输入所述还原炉的电流值、所述氢气的量和所述三氯氢硅的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值。
5.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉控制方法，其特征在于，当所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入所述还原炉的所述物料的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值的步骤，还包括：
当所述第一偏差为正值，且所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，减少输入所述还原炉的电流值和所述氢气的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值；
或者，减少输入所述还原炉的电流值和所述三氯氢硅的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值；
或者，减少输入所述还原炉的电流值、所述氢气的量和所述三氯氢硅的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值。
6.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉控制方法，其特征在于，还包括：
当所述第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，调节输入所述还原炉的电流值，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第二阈值；其中，所述第二阈值小于所述第一阈值。
7.根据权利要求6所述的多晶硅还原炉控制方法，其特征在于，当所述第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，调节输入所述还原炉的电流值，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第二阈值的步骤，包括：
当所述第一偏差为负值，且所述第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，增加输入所述还原炉的电流值，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第二阈值；
当所述第一偏差为正值，且所述第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，减少输入所述还原炉的电流值，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第二阈值。
8.一种多晶硅还原炉控制装置，其特征在于，包括：
第一确定模块，用于基于已启动的还原炉确定曲线集合，所述曲线集合包括：目标多晶硅沉积曲线、物料曲线和电流曲线；其中，所述目标多晶硅沉积曲线用于表示随时间变化生成多晶硅的目标值，所述物料曲线用于表示输入所述还原炉的物料随时间变化的值，所述电流曲线用于为所述多晶硅的生成反应供电；
第二确定模块，用于确定随时间变化的实际多晶硅沉积曲线，所述实际多晶硅沉积曲线包括多晶硅沉积的实际值；
偏差确定模块，用于确定所述实际多晶硅沉积曲线与所述目标多晶硅沉积曲线的第一偏差；
调节模块，用于当所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入所述还原炉的所述物料的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值。
9.一种电子设备，包括存储器、处理器，所述存储器中存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述权利要求1至7任一项所述的方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有机器可运行指令，所述计算机可运行指令在被处理器调用和运行时，所述计算机可运行指令促使所述处理器运行所述权利要求1至7任一项所述的方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010570351.1A CN111596636B (zh) | 2020-06-19 | 2020-06-19 | 多晶硅还原炉控制方法、装置及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010570351.1A CN111596636B (zh) | 2020-06-19 | 2020-06-19 | 多晶硅还原炉控制方法、装置及电子设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111596636A true CN111596636A (zh) | 2020-08-28 |
| CN111596636B CN111596636B (zh) | 2021-08-03 |
Family
ID=72185778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010570351.1A Active CN111596636B (zh) | 2020-06-19 | 2020-06-19 | 多晶硅还原炉控制方法、装置及电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN111596636B (zh) |
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| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |