CN114229847B - 多晶硅还原炉的参数配置方法、装置、终端设备及介质 - Google Patents
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 156
- 230000009467 reduction Effects 0.000 title claims abstract description 156
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 136
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 8
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N trichlorosilicon Chemical compound Cl[Si](Cl)Cl PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
Abstract
本发明提供一种多晶硅还原炉的参数配置方法、装置、终端设备及介质，涉及数据处理技术领域。该多晶硅还原炉的参数配置方法包括：显示多晶硅还原炉的多组参数，其中，每组参数包括：进料参数，以及工作电参数；响应输入的针对多组参数中一组目标参数的选择操作，确定目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，以根据进料参数，控制目标多晶硅还原炉以工作电参数进行运行。显示多晶硅还原炉的多组参数，响应输入的针对多组参数中一组目标参数的选择操作，便可以确定目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，仅需要输入选择操作，便可以实现对于多晶硅还原炉的参数设备，节省了人力资源，还提高了用户体验。
Description
技术领域
本发明涉及数据处理技术领域，具体而言，涉及一种多晶硅还原炉的参数配置方法、装置、终端设备及介质。
背景技术
多晶硅是光伏产业的主要原料，在双碳政策下的能源结构调整中发挥重要作用。还原炉是多晶硅行业中的核心设备，用于氢气和三氯氢硅在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅产品。
相关技术中，对于每个还原炉，需要用户在DCS系统中人工手动、三氯氢硅进料量，另外，还需要在PLC系统中人工手动输入内、中、外三圈电压和电流设定值，以控制还原炉。
但是，相关技术中，需要用户分别在DCS系统和在PLC系统中人工手动输入参数，浪费了不必要的人力资源，降低了用户体验。
发明内容
本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种多晶硅还原炉的参数配置方法、装置、终端设备及介质，以便解决相关技术中，需要用户分别在DCS系统和在PLC系统中人工手动输入参数，浪费了不必要的人力资源，降低了用户体验的问题。
为实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：
第一方面，本发明实施例提供了一种多晶硅还原炉的参数配置方法，所述方法包括：
显示多晶硅还原炉的多组参数，其中，每组参数包括：进料参数，以及工作电参数；
响应输入的针对所述多组参数中一组目标参数的选择操作，确定所述目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，以根据所述进料参数，控制所述目标多晶硅还原炉以所述工作电参数进行运行。
可选的，所述方法还包括：
在所述目标多晶硅还原炉对应的显示区域内，显示所述目标参数；
响应输入的针对所述目标参数的修改操作，修改所述目标参数，得到修改后的目标参数；
将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数。
可选的，所述在所述目标多晶硅还原炉对应的显示区域内，显示所述目标参数，包括：
在所述目标多晶硅还原炉对应的显示区域内分页显示所述目标参数。
可选的，将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数，包括：
若所述录入控件处于触发状态，响应输入的针对保存控件的选择操作，将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数。
可选的，所述方法还包括：
若所述录入控件为未触发状态，将所述目标参数设置为不可修改状态。
可选的，所述将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数，包括：
若所述修改后的目标参数中目标参数值大于第一预设阈值，则将所述目标参数值替换为所述第一预设阈值，作为所述目标多晶硅还原炉的控制信息；
若所述修改后的目标参数中目标参数值小于第二预设阈值，则将所述目标参数值替换为所述第二预设阈值，作为所述目标多晶硅还原炉的控制信息。
可选的，所述方法还包括：
显示所述目标多晶硅还原炉的当前控制参数和运行状态信息。
第二方面，本发明实施例还提供了一种多晶硅还原炉的参数配置装置，所述装置包括：
显示模块，用于显示多晶硅还原炉的多组参数，其中，每组参数包括：进料参数，以及工作电参数；
确定模块，用于响应输入的针对所述多组参数中一组目标参数的选择操作，确定所述目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，以根据所述进料参数，控制所述目标多晶硅还原炉以所述工作电参数进行运行。
可选的，所述装置还包括：
第一显示模块，用于在所述目标多晶硅还原炉对应的显示区域内，显示所述目标参数；
获取模块，用于响应输入的针对所述目标参数的修改操作，修改所述目标参数，得到修改后的目标参数；
第一确定模块，用于将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数。
可选的，所述第一显示模块，还用于在所述目标多晶硅还原炉对应的显示区域内分页显示所述目标参数。
可选的，所述第一确定模块，还用于若所述录入控件处于触发状态，响应输入的针对保存控件的选择操作，将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数。
可选的，所述装置还包括：
设置模块，用于若所述录入控件为未触发状态，将所述目标参数设置为不可修改状态。
可选的，所述第一确定模块，还用于若所述修改后的参数中目标参数值大于第一预设阈值，则将所述目标参数值替换为所述第一预设阈值，作为所述目标多晶硅还原炉的控制信息；若所述修改后的目标参数中目标参数值小于第二预设阈值，则将所述目标参数值替换为所述第二预设阈值，作为所述目标多晶硅还原炉的控制信息。
可选的，所述装置还包括：
第二显示模块，用于显示所述目标多晶硅还原炉的当前控制参数和运行状态信息。
第三方面，本发明实施例还提供了一种终端设备，包括：存储器和处理器，所述存储器存储有所述处理器可执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述第一方面任一项所述的多晶硅还原炉的参数配置方法。
第四方面，本发明实施例还提供了一种存储介质，所述存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被读取并执行时，实现上述第一方面任一项所述的多晶硅还原炉的参数配置方法。
本发明的有益效果是：本发明实施例提供一种多晶硅还原炉的参数配置方法，包括：显示多晶硅还原炉的多组参数，其中，每组参数包括：进料参数，以及工作电参数；响应输入的针对多组参数中一组目标参数的选择操作，确定目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，以根据进料参数，控制目标多晶硅还原炉以工作电参数进行运行。显示多晶硅还原炉的多组参数，响应输入的针对多组参数中一组目标参数的选择操作，便可以确定目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，仅需要输入选择操作，便可以实现对于多晶硅还原炉的参数设备，节省了人力资源，还提高了用户体验。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例提供的一种多晶硅还原炉的参数配置方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的一种多晶硅还原炉的参数配置方法的流程示意图；
图3为本发明实施例提供的一种多晶硅还原炉的参数配置装置的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种终端设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的特征可以相互结合。
多晶硅是光伏产业的主要原料，在双碳政策下的能源结构调整中发挥重要作用。还原炉是多晶硅行业中的核心设备，用于氢气和三氯氢硅在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅产品。
相关技术中，对于每个还原炉，需要用户在DCS系统中人工手动、三氯氢硅进料量，另外，还需要在PLC系统中人工手动输入内、中、外三圈电压和电流设定值，以控制还原炉。但是，相关技术中，需要用户分别在DCS系统和在PLC系统中人工手动输入参数，浪费了不必要的人力资源，降低了用户体验。
针对相关技术中存在的该技术问题，本申请实施例提供一种多晶硅还原炉的参数配置方法，显示多晶硅还原炉的多组参数，响应输入的针对多组参数中一组目标参数的选择操作，便可以确定目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，仅需要输入选择操作，便可以实现对于多晶硅还原炉的参数设备，节省了人力资源，还提高了用户体验。而且，可以在一个系统中配置进料参数，以及工作电参数，无需在不同的系统中进行参数配置，使得多晶硅还原炉的参数配置更加便捷、灵活。
本申请实施例提供一种多晶硅还原炉的参数配置方法，其执行主体可以为终端设备，该终端设备可以为下述设备中的任意一种：台式电脑、笔记本电脑、平板电脑、智能手机。
以下以终端为执行主体对本申请实施例提供的一种多晶硅还原炉的参数配置方法进行解释说明。
图1为本发明实施例提供的一种多晶硅还原炉的参数配置方法的流程示意图，如图1所示，该方法可以包括：
S101、显示多晶硅还原炉的多组参数。
其中，每组参数包括：进料参数，以及工作电参数。
在本申请实施例中，进料参数可以包括：氢气、三氯氢硅的进料量；工作电参数可以包括：内、中、外三圈电压和电流设定值。
在一些实施方式中，终端中可以预先存储有多晶硅还原炉的多组参数，继而终端可以显示该多晶硅还原炉的多组参数；每组参数均可以用于对多晶硅还原炉进行控制，一组参数对应一种控制方式。
需要说明的是，多晶硅还原炉的多组参数可以以数组的形式进行存储，当然也可以以其他形式进行存储，例如，可以以表格形式存储，本申请实施例对此不进行具体限制。
S102、响应输入的针对多组参数中一组目标参数的选择操作，确定目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，以根据进料参数，控制目标多晶硅还原炉以工作电参数进行运行。
其中，用户可以根据多晶硅还原炉的实际生产多晶硅的需求，从多组参数中确定出目标参数，继而输入选择操作。
在本申请实施例中，终端可以直接控制多晶硅还原炉，终端可以根据进料参数，控制目标多晶硅还原炉以工作电参数进行运行；终端也可以不直接控制多晶硅还原炉，终端可以向控制设备发送进料参数，控制设备可以接收该进料参数，并根据进料参数，控制目标多晶硅还原炉以工作电参数进行运行。
可选的，终端可以将对应氢气和三氯氢硅流量赋值给调节回路的给定值参与PID(比例、积分、微分调节器)调节；将对应内中外三圈的电压和电流值以模拟量输出信号方式或者以通讯方式输出给PLC(可编程逻辑控制器)系统作为设定值。
需要说明的是，选择操作可以为触控操作，当然，选择操作还可以为采用终端的外接设备所输入的操作，例如，外接设备可以为鼠标和/或键盘。
另外，采用上述S101和S103可以实现配置对不同目标多晶硅还原炉的参数配置，即可以实现对至少一个多晶硅还原炉的配置，不同的多晶硅还原炉所配置的参数可以相同，也可以不同。
综上所述，本发明实施例提供一种多晶硅还原炉的参数配置方法，包括：显示多晶硅还原炉的多组参数，其中，每组参数包括：进料参数，以及工作电参数；响应输入的针对多组参数中一组目标参数的选择操作，确定目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，以根据进料参数，控制目标多晶硅还原炉以工作电参数进行运行。显示多晶硅还原炉的多组参数，响应输入的针对多组参数中一组目标参数的选择操作，便可以确定目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，仅需要输入选择操作，便可以实现对于多晶硅还原炉的参数设备，节省了人力资源，还提高了用户体验。
而且，可以在一个系统中配置进料参数，以及工作电参数，无需在不同的系统中进行参数配置，使得多晶硅还原炉的参数配置更加便捷、灵活。
其中，目标参数也可以称为目标还原炉的控制曲线。
在本申请实施例中，终端上可以预设有虚拟单元，虚拟单元可以包括：功能块编写单元、程序页应用单元、上位机操作控制单元。
其中，功能块编写单元可以采用ST(Structured text，结构化文本编写语言)编写完成，可以将编写的ST程序代码封装为FBD功能块。程序页引用单元用于通过引用功能块实现全自动进料曲线控制程序组态，包括位号表定义变量、功能块引用赋值。上位机操作控制单元用于实现流程图界面的显示以及操控控件等。
在一些实施方式中，在位号表中定义变量与输入输出变量、别名变量一致；将定义的变量接入FBD功能块对应的各引脚中，即完成功能块引用赋值。其中，多晶硅还原炉的多组参数可以预设在功能块中。
可选的，图2为本发明实施例提供的一种多晶硅还原炉的参数配置方法的流程示意图，如图2所示，该方法还可以包括：
S201、在目标多晶硅还原炉对应的显示区域内，显示目标参数。
其中，不同的多晶硅还原炉可以对应不同的显示区域。
在一些实施方式中，终端确定目标多晶硅还原炉对应的显示区域内，在该显示区域内绘制表格，将目标参数填充在表格内，以表格的形式显示目标参数。
另外，不同多晶硅还原炉的显示区域可以设置在同一界面中，也可以设置在不同界面中。
S202、响应输入的针对目标参数的修改操作，修改目标参数，得到修改后的目标参数。
其中，一组目标参数中可以包括：多个子参数。用户可以根据实际需求选择性的修改多个子参数中的部分子参数。
在一些实施方式中，当用户需要修改目标参数中的目标子参数时，可以输入针对目标参数中目标子参数的删除操作；终端可以响应该删除操作，删除目标子参数；用户可以在原目标子参数的所在位置输入新的参数，终端可以响应该输入操作，得到修改后的目标子参数，继而得到修改后的目标参数。
可选的，终端可以每间隔预设时长，保存一次修改后的目标参数。
S203、将修改后的目标参数确定为目标多晶硅还原炉的最新控制参数。
在本申请实施例中，终端可以将保存后的修改后的目标参数确定为目标多晶硅还原炉的最新控制参数；终端可以根据最新控制参数中的进料参数，控制目标多晶硅还原炉以最新控制参数中的工作电参数进行运行。
可选的，上位机操作控制单元中可以包括：数据表格的设置。每台还原炉采用一组曲线(目标参数)，按用户设定的时间参数将曲线分割成M个时间坐标，以P页显示，则单页显示M/P个时间数值作为表格的时间行，另外设置氢气流量、三氯化硅流量、内圈电流、中圈电流、外圈电流行，每行的数值为时间行对应的生成曲线设定值，即最终可以以时间为横坐标生成多条曲线。
另外，可以将单页时间和对应参数以表格形式展示，操作员可在“录入”状态下对表格中数值进行修改，修改完成后点击“保存”按钮可在设置时间判定正确的条件下将本页表格中的数值全部写入到目标参数中。在“非录入”或“翻页”过程中，数据表格实时将目标参数读取至本页表格中显示。
需要说明的是，上述功能块中可以包括：翻页功能的设置，可以检测是否存在页码变化，不同页码的同一变量可以赋值到不同的数组区，满足需求的同时还极大减少了设定变量数量。可选的，当实时页码变量值与纯滞后1秒的页码变量值不同时，即为页码发生变化，输出脉冲TP3为真。
可选的，上位机操作控制单元可以包括：功能控件的设置，例如，功能控件可以包括：翻页控件和录入控件。
当然，还功能控件可以包括：启动控件、停止控件、暂停控件、继续控件、页码控件、录入控件、非录入控件、保存控件、用于选择目标参数的选择参考曲线按钮、用于获取目标参数的一键读取参考曲线数据控件等。
其中，每个控件均对应位号表中的定义变量，并采用“写位号”方式对变量进行直接赋值操作。在控件的表面，采用不同颜色区分显示当前控件对应值的状态。
可选的，上述S201中在目标多晶硅还原炉对应的显示区域内，显示目标参数的过程，可以包括：在目标多晶硅还原炉对应的显示区域内分页显示目标参数。
其中，目标参数的数量较多时，不能够在一页完全显示，可以分页显示，每一页均可以对应目标参数中不同的部分参数。
在实际应用中，终端可以显示有翻页控件，终端可以响应针对翻页控件的选择操作，进行翻页显示目标参数，以便用户可以查看不同页面中的目标参数。
需要说明的是，上述功能块中可以还包括：录入功能的设置，录入功能可以包括：录入开始和录入结束两个过程，对应是否可在界面中在线修改目标参数，避免在顺控运行过程中人为误操作修改数值或数值时间不正确的错误设置。可选的，录入开始过程为：当输入参数“录入”为真时，检测上升沿触发脉冲TP1为真；当输入参数“录入”为假时，检测下降沿触发脉冲TP2为真。
可选的，将修改后的目标参数确定为目标多晶硅还原炉的最新控制参数，包括：
若录入控件处于触发状态，响应输入的针对保存控件的选择操作，将修改后的目标参数确定为目标多晶硅还原炉的最新控制参数。
其中，终端可以显示录入控件，当用户需要对目标参数进行修改时，可以先输入针对录入控件的选择操作；在录入控件处于未触发状态时，终端可以响应针对录入控件的选择操作，将录入控件的状态调整为触发状态，目标参数可以调整为可编辑状态。
例如，选择操作可以为点击操作，可以为单击操作或者双击操作。录入控件处于触发状态的显示图标，和处于未触发状态的显示图标可以不同。
可选的，该方法还可以包括：
若录入控件为未触发状态，将目标参数设置为不可修改状态。
其中，若录入控件为未触发状态，说明当前目标参数为不可修改状态，不可修改状态下，用户无法对目标参数进行修改。
在一些实施方式中，在录入控件处于触发状态时，终端可以响应针对录入控件的选择操作，将录入控件的状态调整为未触发状态，则目标参数设置为不可修改状态。
当然，终端还可以显示非录入控件，响应针对非录入控件的选择操作，也可将目标参数设置为不可修改状态。
需要说明的是，上述功能块中可以还包括：限幅功能的设置；限幅功能包括页码高低限幅、曲线序号高低限幅。页码高低限幅即将曲线分割为M组，每组曲线对应设定值放置于一个操作页码中，则页码范围为1～M之间的整数；曲线序号高低限幅为不同多晶硅还原炉代表不同序号曲线，N个还原炉即有N组曲线，则曲线序号范围为1～N之间的整数。
其中，此处的曲线可以理解为目标参数本身。
另外，当程序运算的数值大于范围上限，则该数值等于范围上限；当程序运算的数值小于范围下限，则该数值等于范围下限。
可选的，上述S203中将修改后的目标参数确定为目标多晶硅还原炉的最新控制参数的过程，可以包括：
若修改后的目标参数中目标参数值大于第一预设阈值，则将目标参数值替换为第一预设阈值，作为目标多晶硅还原炉的控制信息；
若修改后的目标参数中目标参数值小于第二预设阈值，则将目标参数值替换为第二预设阈值，作为目标多晶硅还原炉的控制信息。
在本申请实施例中，若修改后的目标参数中目标参数值大于第一预设阈值，终端可以将目标参数值进行删除，并将第一预设阈值填充在原目标参数值的所在位置，并进行保存，得到目标多晶硅还原炉的控制信息。
同理的，若修改后的目标参数中目标参数值大于第二预设阈值，终端可以将目标参数值进行删除，并将第二预设阈值填充在原目标参数值的所在位置，并进行保存，得到目标多晶硅还原炉的控制信息。
需要说明的是，功能块可以包括：时间输入正确性判定功能设置；包括所编辑页时间判断报错功能、整体数组程序时间判断报错功能。所编辑页时间判断正确的逻辑条件为当前页面按时间从小到大顺序设定对应时间数值；整体数组程序的时间判断正确的逻辑条件为同一曲线的数组单元格后一个单元格时间设定值大于等于前一个单元格时间设定值，本申请实施例中采用ST语言中的FOR语句完成程序编写。
可选的，该方法还可以包括：显示目标多晶硅还原炉的当前控制参数和运行状态信息。
其中，当前控制信息包括：当前进料参数信息，以及当前工作电参数；当前运行状态信息可以包括下述中的至少一项：错误报警提示信息、运行总时长信息、当前运行步序信息。
在本申请实施例中，错误报警提示信息可以包括：编辑页时间报错和/或程序时间判断报错。
另外，终端还可以显示启动前预设时间、参考曲线选择结果、调节阀状态数值。通过关键数值显示，使得用户能够实时监控当前目标多晶硅还原炉的运行情况及工艺生产状况。
在本申请实施例中，上述功能块中可以还包括：参数定义设置、时间转换功能设置、保存和读取功能设置、流量给定值输出功能设置、一键读取其它曲线参数功能设置。
参数定义设置：主要包括：输入参数、输出参数、内置参数、组态参数、临时变量、别名变量、功能块变量。输入参数包括程序启动停止、暂停恢复、页码设定、录入、读取、起始时间设定、读取其它曲线参数、数据组序号、曲线输出形式选择。输出参数包括给定流量输出、运行时间、运行步骤、时间设置错误判断、分页设置、序号、斜率、流量差值、时间差值。内置参数包括设定时间存储、步序中间变量、时间转换、写入数组、读取数组、总运行时间。组态参数包括定时器序号、曲线序号。同一控制器中的不同功能块中定时器序号和曲线序号均不同。临时变量包括FOR语句变量X、FOR语句变量Y、FOR语句变量Z、页码变化判定。别名变量包括拟定曲线的时间输入值、对应的流量输入值。功能块变量包括：纯滞后功能块、脉冲功能块、边沿触发功能块。
时间转换功能设置：包括时分转换为秒和秒转换为时分。时分为便于用户查看，秒为程序运算过程中的时间显示。时分转换为秒的方式为小时乘以3600加上分钟乘以60；秒转换为时分的方式为小时等于时间除以3600后的整数，分钟等于时间时间除以60后的整数再减去本次计算的小时转换的分钟数。
保存和读取功能设置：包括保存过程和读取过程。保存过程即将终端显示的时间、氢气流量、三氯氢硅流量、内中外三圈的电压、电流值赋值到目标参数中；读取过程即将目标参数内的数值依次赋值给终端显示的时间、氢气流量、三氯氢硅流量、内中外三圈的电压、电流值。
流量给定值输出功能设置：包括运行步序位置判定、阶梯式流量设定值输出、斜率圆滑式流量设定值输出。运行步序即将曲线根据工艺设定时间分割成Y段后的各单元段，其位置判定为：当运行时间大于等于曲线设定时间最大值时，则运行步序等于设定的最大步序；当运行时间小于曲线设定时间最大值时，采用FOR语句对比运行时间同时满足大于等于该段时间最小设定时间、小于该段时间最大设定值，则运行步序等于该段步序。阶梯式流量设定值输出即将运行步序最小设定时间对应的流量、电压、电流数值赋值给对应输出参数。斜率圆滑式流量设定值输出需要首先根据步序段两端时间设定值和对应的流量、电压、电流值计算运行步序段数值与时间的斜率，然后根据运行时间计算斜率曲线上对应的流量、电压、电流值并赋值给输出参数。
一键读取其它曲线参数功能设置：采用FOR语句将被读取目标参数中的所有数据整体对应赋值给需要填充表格中。可执行的逻辑判断条件为被读取目标参数中整体数组程序时间判定正确。
在一些实施方式中，当参数录入过程执行判定条件为：输入变量“录入”为真且TP3为真；或者TP1为真，表示用户刚点击录入控件或者翻页控件，则终端执行的动作可以包括：执行读取功能；执行秒转换为时分功能；不执行保存过程；不执行时分转换为秒功能。
在一些实施方式中，当参数录入过程执行判定条件为：输入变量“录入”为真、且TP3和TP1为不为真时，表示当前处于录入状态且用户并未进行点击录入按钮或者翻页控件操作，则终端执行的动作可以包括：不执行读取功能；不执行秒转换为时分功能；不执行保存过程；执行时分转换为秒功能。
在一些实施方式中，保存数据过程的判定条件为：输入变量“录入”为真、且输入变量“保存”为真、且所编辑页时间判断正确。保存数据过程的执行动作为：执行保存过程，即将当前页码设定值赋值给对应目标参数中；不执行读取功能。
在一些实施方式中，非录入状态实时读取数值过程，即当输入变量“录入”为假时，实时读取目标参数并输出，执行动作为：执行读取功能；不执行保存过程；执行秒转换为时分功能；不执行时分转换为秒功能。
综上所述，本发明实施例提供一种多晶硅还原炉的参数配置方法，包括：显示多晶硅还原炉的多组参数，其中，每组参数包括：进料参数，以及工作电参数；响应输入的针对多组参数中一组目标参数的选择操作，确定目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，以根据进料参数，控制目标多晶硅还原炉以工作电参数进行运行。显示多晶硅还原炉的多组参数，响应输入的针对多组参数中一组目标参数的选择操作，便可以确定目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，仅需要输入选择操作，便可以实现对于多晶硅还原炉的参数设备，节省了人力资源，还提高了用户体验。而且，可以在一个系统中配置进料参数，以及工作电参数，无需在不同的系统中进行参数配置，使得多晶硅还原炉的参数配置更加便捷、灵活。
下述对用以执行本申请所提供的多晶硅还原炉的参数配置方法的多晶硅还原炉的参数配置装置、终端设备及存储介质等进行说明，其具体的实现过程以及技术效果参见上述多晶硅还原炉的参数配置方法的相关内容，下述不再赘述。
图3为本发明实施例提供的一种多晶硅还原炉的参数配置装置的结构示意图，如图3所示，该装置可以包括：
显示模块301，用于显示多晶硅还原炉的多组参数，其中，每组参数包括：进料参数，以及工作电参数；
确定模块302，用于响应输入的针对所述多组参数中一组目标参数的选择操作，确定所述目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，以根据所述进料参数，控制所述目标多晶硅还原炉以所述工作电参数进行运行。
可选的，所述装置还包括：
第一显示模块，用于在所述目标多晶硅还原炉对应的显示区域内，显示所述目标参数；
获取模块，用于响应输入的针对所述目标参数的修改操作，修改所述目标参数，得到修改后的目标参数；
第一确定模块，用于将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数。
可选的，所述第一显示模块，还用于在所述目标多晶硅还原炉对应的显示区域内分页显示所述目标参数。
可选的，所述第一确定模块，还用于若所述录入控件处于触发状态，响应输入的针对保存控件的选择操作，将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数。
可选的，所述装置还包括：
设置模块，用于若所述录入控件为未触发状态，将所述目标参数设置为不可修改状态。
可选的，所述第一确定模块，还用于若所述修改后的目标参数中目标参数值大于第一预设阈值，则将所述目标参数值替换为所述第一预设阈值，作为所述目标多晶硅还原炉的控制信息；若所述修改后的目标参数中目标参数值小于第二预设阈值，则将所述目标参数值替换为所述第二预设阈值，作为所述目标多晶硅还原炉的控制信息。
可选的，所述装置还包括：
第二显示模块，用于显示所述目标多晶硅还原炉的当前控制参数和运行状态信息。
上述装置用于执行前述实施例提供的方法，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。
以上这些模块可以是被配置成实施以上方法的一个或多个集成电路，例如：一个或多个特定集成电路(Application Specific Integrated Circuit，简称ASIC)，或，一个或多个微处理器(digital singnal processor，简称DSP)，或，一个或者多个现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array，简称FPGA)等。再如，当以上某个模块通过处理元件调度程序代码的形式实现时，该处理元件可以是通用处理器，例如中央处理器(CentralProcessing Unit，简称CPU)或其它可以调用程序代码的处理器。再如，这些模块可以集成在一起，以片上系统(system-on-a-chip，简称SOC)的形式实现。
图4为本发明实施例提供的一种终端设备的结构示意图，如图4所示，该终端设备可以包括：处理器401、存储器402。
其中，存储器402用于存储程序，处理器401调用存储器402存储的程序，以执行上述方法实施例。具体实现方式和技术效果类似，这里不再赘述。
可选地，本发明还提供一种程序产品，例如计算机可读存储介质，包括程序，该程序在被处理器执行时用于执行上述方法实施例。
在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
上述以软件功能单元的形式实现的集成的单元，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。上述软件功能单元存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(英文：processor)执行本发明各个实施例所述方法的部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(英文：Read-Only Memory，简称：ROM)、随机存取存储器(英文：Random Access Memory，简称：RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种多晶硅还原炉的参数配置方法，其特征在于，所述方法包括：
显示多晶硅还原炉的多组参数，其中，每组参数包括：进料参数，以及工作电参数；
响应输入的针对所述多组参数中一组目标参数的选择操作，确定所述目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，以根据所述进料参数，控制所述目标多晶硅还原炉以所述工作电参数进行运行；
所述方法还包括：
在所述目标多晶硅还原炉对应的显示区域内，显示所述目标参数；
响应输入的针对所述目标参数的修改操作，修改所述目标参数，得到修改后的目标参数；
将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数；
所述在所述目标多晶硅还原炉对应的显示区域内，显示所述目标参数，包括：
在所述目标多晶硅还原炉对应的显示区域内分页显示所述目标参数；
所述将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数，包括：
若所述修改后的目标参数中目标参数值大于第一预设阈值，则将所述目标参数值替换为所述第一预设阈值，作为所述目标多晶硅还原炉的控制信息；
若所述修改后的目标参数中目标参数值小于第二预设阈值，则将所述目标参数值替换为所述第二预设阈值，作为所述目标多晶硅还原炉的控制信息；
所述方法还包括：
显示所述目标多晶硅还原炉的当前控制参数和运行状态信息，其中，所述当前控制信息包括：当前进料参数信息，以及当前工作电参数；所述运行状态信息包括下述中的至少一项：错误报警提示信息、运行总时长信息、当前运行步序信息。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数，包括：
若录入控件处于触发状态，响应输入的针对保存控件的选择操作，将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
若录入控件为未触发状态，将所述目标参数设置为不可修改状态。
4.一种多晶硅还原炉的参数配置装置，其特征在于，所述装置包括：
显示模块，用于显示多晶硅还原炉的多组参数，其中，每组参数包括：进料参数，以及工作电参数；
确定模块，用于响应输入的针对所述多组参数中一组目标参数的选择操作，确定所述目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，以根据所述进料参数，控制所述目标多晶硅还原炉以所述工作电参数进行运行；
所述装置还包括：
第一显示模块，用于在所述目标多晶硅还原炉对应的显示区域内，显示所述目标参数；
获取模块，用于响应输入的针对所述目标参数的修改操作，修改所述目标参数，得到修改后的目标参数；
第一确定模块，用于将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数；
所述第一显示模块，还用于在所述目标多晶硅还原炉对应的显示区域内分页显示所述目标参数；
所述第一确定模块，还用于若所述修改后的参数中目标参数值大于第一预设阈值，则将所述目标参数值替换为所述第一预设阈值，作为所述目标多晶硅还原炉的控制信息；若所述修改后的目标参数中目标参数值小于第二预设阈值，则将所述目标参数值替换为所述第二预设阈值，作为所述目标多晶硅还原炉的控制信息；
所述装置还包括：
第二显示模块，用于显示所述目标多晶硅还原炉的当前控制参数和运行状态信息，其中，所述当前控制信息包括：当前进料参数信息，以及当前工作电参数；所述运行状态信息包括下述中的至少一项：错误报警提示信息、运行总时长信息、当前运行步序信息。
5.一种终端设备，其特征在于，包括：存储器和处理器，所述存储器存储有所述处理器可执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述权利要求1-3任一项所述的多晶硅还原炉的参数配置方法。
6.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被读取并执行时，实现上述权利要求1-3任一项所述的多晶硅还原炉的参数配置方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111535728.0A CN114229847B (zh) | 2021-12-15 | 2021-12-15 | 多晶硅还原炉的参数配置方法、装置、终端设备及介质 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202111535728.0A CN114229847B (zh) | 2021-12-15 | 2021-12-15 | 多晶硅还原炉的参数配置方法、装置、终端设备及介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114229847A CN114229847A (zh) | 2022-03-25 |
| CN114229847B true CN114229847B (zh) | 2023-09-22 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111535728.0A Active CN114229847B (zh) | 2021-12-15 | 2021-12-15 | 多晶硅还原炉的参数配置方法、装置、终端设备及介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114229847B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2021
- 2021-12-15 CN CN202111535728.0A patent/CN114229847B/zh active Active
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|---|---|
| CN114229847A (zh) | 2022-03-25 |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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