CN111584549A - 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置，所述显示面板包括：阵列基板；像素限定层，位于所述阵列基板一侧，所述像素限定层设有开口，所述开口的至少部分侧壁上设有金属层，所述金属层表面为粗糙表面。本发明技术方案通过在像素限定层的开口的至少部分侧壁上设置金属层，并将金属层表面设置为粗糙表面，可以利用粗糙表面对光进行折射和/或反射，以增大衰减量较大的光的出光光强，以改善显示面板及显示装置在大视角下色偏的现象，从而改善显示面板及显示装置的显示效果。

Description

显示面板、显示面板的制备方法及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)，又称为有机电致发光器件，是指发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的器件。与液晶显示(LCD)装置相比，有机发光显示装置更轻薄，具有更好的视角和对比度等，因此受到了人们的广泛关注。

理想状况下，不同颜色发光区域的发光亮度随着视角增加具有相同程度的衰减，如此才不会造成色偏。但是由于不同颜色发光区域的发光亮度随着视角的增加有不同程度的衰减，导致在大视角下观察时会产生色偏现象。因此，对于显示面板来说，大视角色偏的问题亟待解决。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置，能够改善显示面板及显示装置在大视角下色偏的现象，从而改善显示面板及显示装置的显示效果。

为了达到上述技术效果，本发明采用的技术方案是：

一方面，本发明提供一种显示面板，包括：

阵列基板；

像素限定层，位于所述阵列基板一侧，所述像素限定层设有开口，所述开口的至少部分侧壁上设有金属层，所述金属层表面为粗糙表面。

在其中一个实施例中，所述金属层表面包括纳米晶颗粒。

在其中一个实施例中，所述纳米晶颗粒的颗粒尺寸由所述阵列基板指向所述像素限定层的方向上逐渐减小。

在其中一个实施例中，所述纳米晶颗粒包括晶态金属合金的纳米晶颗粒、非晶态金属合金的纳米晶颗粒中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述金属层表面上，由所述阵列基板指向所述像素限定层的方向上依次排布所述非晶态金属合金的纳米晶颗粒、所述晶态金属合金的纳米晶颗粒。

在其中一个实施例中，所述金属层覆盖全部所述侧壁。

另一方面，本发明提供一种显示面板的制备方法，包括：

提供一阵列基板；

在所述阵列基板的一侧形成像素限定层，所述像素限定层设有开口；

在所述像素限定层的所述开口的至少部分侧壁上沉积金属层；

刻蚀所述金属层表面以形成粗糙表面。

在其中一个实施例中，所述“刻蚀所述金属层表面以形成粗糙表面”的步骤包括：利用电化学腐蚀使所述金属层表面形成纳米晶颗粒。

在其中一个实施例中，所述“利用电化学腐蚀使所述金属层表面形成纳米晶颗粒”的步骤包括：利用超低浓度酸电化学腐蚀使所述金属层表面形成纳米晶颗粒。

再一方面，本发明提供一种显示装置，包括上述所述的显示面板。

与现有技术相比，本发明实施方案的有益效果是：本发明技术方案通过在像素限定层的开口的至少部分侧壁上设置金属层，并将金属层表面设置为粗糙表面，可以利用粗糙表面对光进行折射和/或反射，以增大衰减量较大的光的出光光强。更进一步地，通过在金属层表面设置纳米晶颗粒，利用纳米晶颗粒的折射和/或反射作用进一步增大衰减量较大的光的出光光强，以平衡大视角下显示面板和显示装置的出光，改善显示面板及显示装置在大视角下色偏的现象，从而改善显示面板及显示装置的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的显示面板的纵向剖视图。

图2为本发明提供的显示面板制备方法的流程图。

附图标记说明：

1、显示面板；2、阵列基板；21、衬底基板；22、薄膜晶体管层；23、平坦化层；24、子像素电极；3、像素限定层；4、金属层。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。另外，术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

现有的显示面板中，不同颜色发光区域的发光亮度随着视角的增加有不同程度的衰减，例如，对于三基色光而言，在大视角下，红光和绿光的衰减量较大，蓝光衰减量较小，从而使得蓝光亮度最高，红光亮度和绿光亮度相对较低，导致对正视角下发光颜色为白色的光而言，用户在大视角下(例如40°～70°)看到的却是蓝色，即白色画面在大视角下偏蓝。

针对上述问题，第一方面，本发明提供了一种显示面板，如图1所示，本发明实施例中的显示面板1包括阵列基板2及位于阵列基板2一侧的像素限定层3，像素限定层3设有开口，在开口的至少部分侧壁上设有金属层4，其中，该金属层4表面为粗糙表面。在其中一实施例中，金属层4表面包括纳米晶颗粒。

阵列基板2包括衬底基板21、设置于衬底基板21的薄膜晶体管(Thin-filmtransistor，TFT)层22，以及设置于薄膜晶体管层22上的子像素电极24。当然，该阵列基板2还可以包括平坦化层23、钝化层等膜层，在此不作限定。

衬底基板21可以由诸如玻璃材料、金属材料或包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺等的塑胶材料中合适的材料形成。

在一个实施例中，在形成TFT之前，可以在衬底基板21上形成诸如缓冲层等层结构。缓冲层可以形成在衬底基板21的整个表面上，也可以通过被图案化来形成。缓冲层可以包括PET、PEN、聚丙烯酸酯和/或聚酰亚胺等材料中合适的材料，以单层或多层堆叠的形式形成层状结构。缓冲层还可以由氧化硅或氮化硅形成，或者可以为包括有机材料和/或无机材料的复合层。

薄膜晶体管层22中的薄膜晶体管可以包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极。半导体层可以由非晶硅层、金属氧化物或多晶硅层形成，或者可以由有机半导体材料形成。在一个实施例中，半导体层包括沟道区和掺杂有掺杂剂的源区与漏区。

由于薄膜晶体管具有复杂的层结构，因此有必要在薄膜晶体管上形成平坦化层23，以便形成足够平坦的顶表面。在形成平坦化层23后，可以在平坦化层23中形成电极通孔，以暴露TFT的漏电极。

在一些实施例中，阵列基板2可以具有多个像素区域，每个像素区域中可以包括第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域。每个像素区域中第一子像素区域可以是发射红光的子像素区域，第二子像素区域可以是发射绿光的子像素区域，第三子像素区域可以是发射蓝光的子像素区域。可以理解地，在其它一些实施例中，每个像素区域亦可包括其他子像素区域，例如，还可包括发射白光的第四子像素区域，在此不作限定。

可以在平坦化层23上形成第一子像素电极、第二子像素电极和第三子像素电极。第一子像素电极形成在第一像素区域，第二子像素电极形成在第二子像素区域，第三子像素电极形成在第三子像素区域。也就是说，子像素电极24与子像素区域一一对应。这里，第一子像素电极、第二子像素电极和第三子像素电极可以同时地或同步地形成。第一子像素电极、第二子像素电极和第三子像素电极中的每一个可以经过电极通孔电连接到薄膜晶体管。这里的第一子像素电极、第二子像素电极、第三子像素电极通常被称为阳极。

在形成第一子像素电极、第二子像素电极和第三子像素电极之后，可以形成像素限定层3。像素限定层3通常由诸如聚丙烯酸酯和聚酰亚胺等材料中合适的有机材料的单一材料层或复合材料层形成。形成的像素限定层3同时覆盖第一子像素电极、第二子像素电极和第三子像素电极。

像素限定层3上设有开口，以暴露子像素电极24的部分区域，子像素的功能膜层(未图示)设置于像素限定层3的开口内。功能膜层包括发光层，还可以包括电子注入层，电子传输层，空穴阻挡层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层中的一种或多种。

然后，在像素限定层120上蒸镀形成覆盖第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域的阴极(未图示)。阴极可以相对多个子像素一体形成，从而覆盖整个显示区域。阴极也通常被称为对电极。

然后在阴极上形成封装结构(未图示)。容易理解的是，由于子像素的功能膜层，尤其是发光层材料为有机发光材料，其对水汽和氧气等外部环境十分敏感，如果将显示面板1中的有机发光材料层暴露在有水汽或氧气的环境中，会造成显示面板1的性能急剧下降或者完全损坏。封装结构能够为子像素阻挡空气及水汽，从而保证显示面板1的可靠性。可以理解的是，封装结构可以是一层或多层结构，可以是有机膜层或无机膜层，亦可是有机膜层和无机膜层的叠层结构。例如，一些实施例中，封装层可包括两层无机膜层及一层位于两层无机膜层之间的有机膜层。

本发明实施例通过在像素限定层3的开口的至少部分侧壁上设置金属层4，并将金属层4表面设置为粗糙表面，可以利用粗糙表面对光进行折射和/或反射，以增大衰减量较大的光的出光光强。更进一步地，通过在金属层表面设置纳米晶颗粒，利用纳米晶颗粒的折射和/或反射作用进一步增大衰减量较大的光的出光光强，以平衡大视角下显示面板和显示装置的出光，改善显示面板及显示装置在大视角下色偏的现象，从而改善显示面板及显示装置的显示效果。

具体地，对于三基色光而言，在大视角下，红光和绿光的衰减量较大，蓝光衰减量较小，因此，在大视角下观察时会产生偏蓝现象。为了改善或消除大视角下偏蓝的现象，可以在发射红光的子像素区域和发射绿光的子像素区域的像素限定层3的开口的至少部分侧壁上设置金属层4，并将金属层4表面设置为粗糙表面，可以利用粗糙表面对光进行折射和/或反射，以增大衰减量较大的光的出光光强。更进一步地，通过在金属层表面设置纳米晶颗粒，利用纳米晶颗粒的折射和/或反射作用进一步增大红光和绿光的出光光强，以平衡大视角下显示面板和显示装置的出光，改善或消除大视角偏蓝现象。

在其中一实施例中，纳米晶颗粒的颗粒尺寸(粒径)由阵列基板2指向像素限定层3的方向上逐渐减小。纳米晶颗粒的颗粒越小，其密度(指单位体积内的颗粒数量)越大，进而对光的折射及反射作用越强，由于像素限定层的开口上半部分对出光的影响更直接，光取出能力的强弱主要取决于该部分，因此设置纳米晶颗粒的颗粒大小由阵列基板2指向像素限定层3的方向上逐渐减小，可以进一步增强光取出能力。

可选地，纳米晶颗粒的颗粒尺寸可为5-50nm，示例性地，纳米晶颗粒的颗粒尺寸可以为5nm、10nm、20nm、30nm、40nm、50nm。

在其中一实施例中，可以在所有的子像素区域的像素限定层的开口的侧壁上均设置包括纳米晶颗粒的金属层4，同时设置衰减量较大的子像素所在的子像素区域的纳米晶颗粒的尺寸小于衰减量较小的子像素所在的子像素区域的纳米晶颗粒的尺寸，以平衡大视角下的出光光强，改善大视角色偏现象。当然，在其他实施例中，也可仅在衰减量较大的子像素所在的子像素区域的像素限定层的开口的侧壁上设置包括纳米晶颗粒的金属层4，以平衡大视角下的出光光强，在此不作具体限定。

具体地，对于三基色光而言，为了改善或消除大视角下偏蓝的现象，可以在发射红光的子像素区域、发射绿光的子像素区域及发射蓝光的子像素区域的像素限定层3的开口的侧壁上均设置包括纳米晶颗粒的金属层4，但由于红光和绿光的衰减量较大，因此设置红光子像素和绿光子像素所在的子像素区域的纳米晶颗粒的尺寸小于蓝光子像素所在的子像素区域的纳米晶颗粒的尺寸，以平衡大视角下的出光光强，改善大视角偏蓝现象。当然，由于红光相对于绿光的衰减量较大，因此也可以设置蓝光子像素所在的子像素区域的纳米晶颗粒、绿光子像素所在的子像素区域的纳米晶颗粒及红光子像素所在的子像素区域的纳米晶颗粒的尺寸依次减小，以平衡大视角下的出光光强，改善大视角偏蓝现象。

在其中一实施例中，纳米晶颗粒包括晶态金属合金的纳米晶颗粒、非晶态金属合金的纳米晶颗粒中的至少一种。具体地，金属层可以为CuTi合金、AgMg合金、AgAl合金等，在此不作具体限定。在其中一实施例中，纳米晶颗粒由阵列基板2指向像素限定层3的方向上依次包括非晶态金属合金的纳米晶颗粒、晶态金属合金的纳米晶颗粒，即金属层4表面上，由阵列基板2指向像素限定层3的方向上依次排布非晶态金属合金的纳米晶颗粒、晶态金属合金的纳米晶颗粒。由于在相同制备条件下，晶态金属合金比非晶态金属合金形成的纳米晶颗粒更小，密度更高，通过设置纳米晶颗粒由阵列基板2指向像素限定层3的方向上依次包括非晶态金属合金的纳米晶颗粒、晶态金属合金的纳米晶颗粒，可以保证在同一制备条件下即可获得不同纳米晶颗粒大小的金属层4，在简化制备工艺的前提下提高了光取出能力。

在其中一实施例中，由于不同的纳米晶颗粒对光的折射和反射程度不同，可以设置金属层4包括不同的金属合金，且由阵列基板2指向像素限定层3的方向上，不同的金属合金所包括的纳米晶颗粒对光的折射和反射程度逐渐增大。

在其中一实施例中，金属层4覆盖全部像素定义层3的开口的侧壁。将像素定义层3的开口的侧壁上完全覆盖金属层4，可以使得对光进行折射和/或反射的金属层的面积增大，从而进一步增大出光光强。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，如图2所示，显示面板1的制备方法包括：

S1、提供一阵列基板2；

S2、在阵列基板2的一侧形成像素限定层3，像素限定层3设有开口；

S3、在像素限定层3的开口的至少部分侧壁上沉积金属层4；

S4、刻蚀金属层4以形成粗糙表面。本发明实施例通过在像素限定层3的开口的至少部分侧壁上沉积金属层4，并对金属层4进行刻蚀以形成粗糙表面，可以利用粗糙表面对光进行折射和/或反射，以增大衰减量较大的光的出光光强。在其中一实施例中，可以选择电化学腐蚀的方式使金属层4表面形成粗糙表面，也可以选择其他的刻蚀方法使金属层4表面形成粗糙表面，在此不作具体限定。

在其中一实施例中，“刻蚀金属层4以形成粗糙表面”的步骤包括：利用电化学腐蚀使金属层4表面形成纳米晶颗粒。本实施例中，通过利用电化学腐蚀使金属层4表面形成纳米晶颗粒，利用纳米晶颗粒的折射和/或反射作用进一步增大衰减量较大的光的出光光强，以平衡大视角下显示面板和显示装置的出光，改善显示面板及显示装置在大视角下色偏的现象，从而改善显示面板及显示装置的显示效果。另外，本实施例中选择电化学腐蚀的方式进行刻蚀，相比于其他的刻蚀方式，可以通过控制电化学电流的大小分区域控制纳米晶颗粒的大小及密度，使得刻蚀过程更加可控。优选地，利用超低浓度酸电化学腐蚀使所述金属层形成纳米晶颗粒，使得刻蚀过程更加精细。在其中一实施例中，“在像素限定层3的开口的至少部分侧壁上沉积金属层4”的步骤包括：利用金属掩膜板在像素限定层3的开口的至少部分侧壁上沉积金属层4。

第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上任一实施例的显示面板。

本发明实施例通过在像素限定层3的开口的至少部分侧壁上设置金属层4，并将金属层4表面设置为粗糙表面，可以利用粗糙表面对光进行折射和/或反射，以增大衰减量较大的光的出光光强。更进一步地，通过在金属层表面设置纳米晶颗粒，利用纳米晶颗粒的折射和/或反射作用进一步增大衰减量较大的光的出光光强，以平衡大视角下显示面板和显示装置的出光，改善显示面板及显示装置在大视角下色偏的现象，从而改善显示面板及显示装置的显示效果。

本发明可以以其他的具体形式实现，而不脱离其精神和本质特征。因此，当前的实施例在所有方面都被看作是示例性的而非限定性的，本发明的范围由所附权利要求而非上述描述定义，并且，落入权利要求的含义和等同物的范围内的全部改变从而都被包括在本发明的范围之中。并且，在不同实施例中出现的不同技术特征可以进一步组合，以取得有益效果。本领域技术人员在研究附图、说明书及权利要求书的基础上，应能理解并实现所揭示的实施例的其他变化的实施例。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板；

像素限定层，位于所述阵列基板一侧，所述像素限定层设有开口，所述开口的至少部分侧壁上设有金属层，所述金属层表面为粗糙表面。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属层表面包括纳米晶颗粒。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述纳米晶颗粒的颗粒尺寸由所述阵列基板指向所述像素限定层的方向上逐渐减小。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述纳米晶颗粒包括晶态金属合金的纳米晶颗粒、非晶态金属合金的纳米晶颗粒中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述金属层表面上，由所述阵列基板指向所述像素限定层的方向上依次排布所述非晶态金属合金的纳米晶颗粒、所述晶态金属合金的纳米晶颗粒。

6.根据权利要求1-5任一项所述的显示面板，其特征在于，所述金属层覆盖全部所述侧壁。

7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一阵列基板；

在所述阵列基板的一侧形成像素限定层，所述像素限定层设有开口；

在所述像素限定层的所述开口的至少部分侧壁上沉积金属层；

刻蚀所述金属层表面以形成粗糙表面。

8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述“刻蚀所述金属层表面以形成粗糙表面”的步骤包括：利用电化学腐蚀使所述金属层表面形成纳米晶颗粒。

9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述“利用电化学腐蚀使所述金属层表面形成纳米晶颗粒”的步骤包括：利用超低浓度酸电化学腐蚀使所述金属层表面形成纳米晶颗粒。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的显示面板。

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