CN111554638B - 用于可拉伸电子装置的基底及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及柔性电子制造技术领域，尤其涉及一种用于可拉伸电子装置的基底及其制备方法。所述用于可拉伸电子装置的基底包括：弹性衬底；底层应变缓冲层，嵌入所述弹性衬底内部；顶层应变缓冲层，贴附于所述弹性衬底表面，且与所述底层应变缓冲层对准设置；所述底层应变缓冲层的杨氏模量和所述顶层应变缓冲层的杨氏模量均大于所述弹性衬底的杨氏模量，且所述顶层应变缓冲层的杨氏模量大于或等于所述底层应变缓冲层的杨氏模量。本发明通过底层应变缓冲层可以有效的减小应变集中效应，通过顶层应变缓冲层可以使得电子器件区域不发生应变，从而提高了可拉伸电子装置的稳定性和可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及柔性电子制造技术领域，尤其涉及一种用于可拉伸电子装置的基底及其制备方法。
背景技术
随着柔性或可拉伸电子学的发展，可拉伸电子装置已经成为未来电子学技术的一个重要分支，其在人工电子皮肤、可拉伸显示屏、智能机器人、应变传感器以及医疗健康等领域具有非常高广阔的市场应用前景。
目前的可拉伸电子装置主要分为两大类：固有可拉伸电子装置和具有器件岛基底的可拉伸电子装置。固有可拉伸电子装置要求电子材料本身具有可拉伸性能，但是目前所具有可拉伸性能的电子材料的导电性、迁移特性和稳定性较差。具有器件岛基底的可拉伸电子装置是集成高性能电子器件的最优选择，这类可拉伸电子装置将拉伸性能较差、但高性能的电子器件(如晶体管等)制作在器件岛区域，通过可拉伸引线使他们相互连接，以使整个电子装置在拉伸过程中，电子器件不被拉伸。针对具有器件岛基底的可拉伸电子装置，目前所采用的器件岛结构主要有顶岛结构和嵌入岛结构。顶岛结构的缺点是电子装置拉伸过程中异质边缘处应变过大，容易造成应变集中效应；嵌入岛结构的缺点是很难保证在电子装置拉伸过程中器件加工区域不发生应变。
因此，如何针对目前器件岛结构可拉伸电子装置存在的技术瓶颈，提出一种解决方案，以实现电子装置的高度拉伸可靠性，是目前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供一种用于可拉伸电子装置的基底及其制备方法，用于解决现有的可拉伸电子装置稳定性和可靠性较差的问题，以实现可拉伸电子装置的高度拉伸可靠性。
为了解决上述问题，本发明提供了一种用于可拉伸电子装置的基底，包括：
弹性衬底；
底层应变缓冲层，嵌入所述弹性衬底内部；
顶层应变缓冲层，贴附于所述弹性衬底表面，且与所述底层应变缓冲层对准设置；
所述底层应变缓冲层的杨氏模量和所述顶层应变缓冲层的杨氏模量均大于所述弹性衬底的杨氏模量，且所述顶层应变缓冲层的杨氏模量大于或等于所述底层应变缓冲层的杨氏模量。
可选的，所述弹性衬底的杨氏模量为0.1MPa～5MPa；
所述弹性衬底的材料为聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、SEBs或者Ecoflex。
可选的，所述底层应变缓冲层的数量为多个，且多个所述底层应变缓冲层沿平行于所述弹性衬底的方向依次排列；
所述顶层应变缓冲层的数量为多个，多个所述顶层应变缓冲层与多个所述底层应变缓冲层一一对准，且多个所述顶层应变缓冲层沿平行于所述弹性衬底的方向依次排列。
可选的，所述底层应变缓冲层和与其对应的所述顶层应变缓冲层之间的距离小于或者等于基底总厚度的二分之一，所述基底总厚度为所述弹性衬底的厚度与所述顶层应变缓冲层的厚度之和。
可选的，所述底层应变缓冲层的面积大于所述顶层应变缓冲层的面积。
可选的，所述底层应变缓冲层和所述顶层应变缓冲层的杨氏模量均大于5MPa；
所述底层应变缓冲层和所述顶层应变缓冲层的材料均为聚氨酯、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸类塑料、聚萘二甲酸乙二醇酯、SU8光刻胶、或PI光刻胶。
为了解决上述问题，本发明还提供了一种如上述任一项所述的用于可拉伸电子装置的基底的制备方法，包括如下步骤：
形成内部嵌入有底层应变缓冲层的弹性衬底，所述底层应变缓冲层的杨氏模量大于所述弹性衬底的杨氏模量；
形成贴附于所述弹性衬底表面、且与所述底层应变缓冲层对准的顶层应变缓冲层，所述顶层应变缓冲层的杨氏模量大于所述弹性衬底的杨氏模量，且所述顶层应变缓冲层的杨氏模量大于或等于所述底层应变缓冲层的杨氏模量。
可选的，形成内部嵌入有底层应变缓冲层的弹性衬底的具体步骤包括：
提供一玻璃衬底，所述玻璃衬底表面具有一剥离层；
形成第一子弹性衬底于所述剥离层表面；
形成底层应变缓冲层于部分所述第一子弹性衬底表面；
形成覆盖所述底层应变缓冲层和所述第一子弹性衬底的第二子弹性衬底，所述第二子弹性衬底的材料与所述第一子弹性衬底的材料相同，所述第一子弹性衬底和所述第二子弹性衬底共同构成所述弹性衬底。
可选的，所述底层应变缓冲层的数量为多个，所述顶层应变缓冲层的数量为多个，形成多个所述底层应变缓冲层和多个所述顶层应变缓冲层的步骤包括：
利用第一掩膜在第一子弹性衬底表面对沉积的底层应变缓冲材料进行光刻、刮涂或喷涂后获得多个所述底层应变缓冲层，以及利用第二掩膜在第二子弹性衬底表面对沉积的顶层应变缓冲层材料进行光刻、刮涂或喷涂后获得多个所述顶层应变缓冲层；或者
将切割好的多个底层应变缓冲层贴合到第一子弹性衬底表面、以及将切割好的多个顶层应变缓冲层贴合到第二子弹性衬底表面。
本发明提供的用于可拉伸电子装置的基底及其制备方法，通过在基底中设置由底层应变缓冲层和顶层应变缓冲层构成的双层应变缓冲层，通过所述底层应变缓冲层可以有效的减小应变集中效应，通过所述顶层应变缓冲层可以使得电子器件区域不发生应变，从而提高了可拉伸电子装置的稳定性和可靠性；且本发明加工工艺简单，有助于降低成本并实现量化生产。
附图说明
附图1是本发明具体实施方式中用于可拉伸电子装置的基底的结构示意图；
附图2是本发明具体实施方式中用于可拉伸电子装置的基底的制备方法流程图；
附图3A-3F是本发明具体实施方式在制备用于可拉伸电子装置的基底的过程中主要的工艺截面示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的用于可拉伸电子装置的基底及其制备方法的具体实施方式做详细说明。
本具体实施方式提供了一种用于可拉伸电子装置的基底，附图1是本发明具体实施方式中用于可拉伸电子装置的基底的结构示意图。如图1所示，本具体实施方式提供的用于可拉伸电子装置的基底，包括：
弹性衬底10；
底层应变缓冲层11，嵌入所述弹性衬底10内部；
顶层应变缓冲层12，贴附于所述弹性衬底10表面，且与所述底层应变缓冲层11对准设置；
所述底层应变缓冲层11的杨氏模量和所述顶层应变缓冲层12的杨氏模量均大于所述弹性衬底10的杨氏模量，且所述顶层应变缓冲层12的杨氏模量大于或等于所述底层应变缓冲层11的杨氏模量。
具体来说，所述顶层应变缓冲层12形成在所述弹性衬底10用于制造器件岛区域的表面。所述顶层应变缓冲层12与所述底层应变缓冲层11对准是指，所述顶层应变缓冲层12的中心沿垂直于所述弹性衬底10方向(即图1中的Y轴方向)的投影与所述底层应变缓冲层11的中心重合，即所述顶层应变缓冲层12沿图1中的Y轴正方向设置于所述底层应变缓冲层11的正上方。
通过在所述弹性衬底10的内部嵌入所述底层应变缓冲层11，且使得所述底层应变缓冲层11的杨氏模量大于所述弹性衬底10的杨氏模量，从而可以有效的减小所述用于可拉伸电子装置的基底在拉伸过程中的应变集中效应。同时，通过在所述弹性衬底10表面、且与所述底层应变缓冲层11对应的位置设置所述顶层应变缓冲层12，所述顶层应变缓冲层12的杨氏模量也大于所述弹性衬底10的杨氏模量，从而可以有效的使所述用于可拉伸电子装置的基底在拉伸过程中器件加工区域不发生应变。
可选的，所述弹性衬底10的杨氏模量为0.1MPa～5MPa；
所述弹性衬底10的材料为聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、SEBs(氢化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物)或者Ecoflex。
可选的，所述底层应变缓冲层11的数量为多个，且多个所述底层应变缓冲层11沿平行于所述弹性衬底10的方向依次排列；
所述顶层应变缓冲层12的数量为多个，多个所述顶层应变缓冲层12与多个所述底层应变缓冲层11一一对准，且多个所述顶层应变缓冲层12沿平行于所述弹性衬底10的方向依次排列。
具体来说，如图1所示，嵌入所述弹性衬底10内部的多个所述底层应变缓冲层11呈分立式排布，即多个所述底层应变缓冲层11相互独立，且沿平行于所述弹性衬底10的方向(即图1中的X轴方向)依次排列。位于所述弹性衬底10表面的多个所述顶层应变缓冲层12也呈分立式排布，即多个所述顶层应变缓冲层12相互独立，且沿平行于所述弹性衬底10的方向(即图1中的X轴方向)依次排列。多个所述顶层应变缓冲层12与多个所述底层应变缓冲层11一一对准。本具体实施方式中所述的多个是指两个及两个以上。
可选的，所述底层应变缓冲层11和与其对应的所述顶层应变缓冲层12之间的距离h小于或者等于基底总厚度H的二分之一，所述基底总厚度H为所述弹性衬底10的厚度与所述顶层应变缓冲层12的厚度之和。通过限定所述底层应变缓冲层11和与其对应的所述顶层应变缓冲层12之间的距离，从而可以进一步有效的减小所述用于可拉伸电子装置的基底在拉伸过程中的应变集中效应。
为了进一步提高用于可拉伸电子装置的基底在拉伸过程中的可靠性和稳定性，可选的，所述底层应变缓冲层11的面积大于所述顶层应变缓冲层12的面积。
可选的，所述底层应变缓冲层11和所述顶层应变缓冲层12的杨氏模量均大于5MPa；
所述底层应变缓冲层11和所述顶层应变缓冲层12的材料均为聚氨酯、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸类塑料、聚萘二甲酸乙二醇酯、SU8光刻胶、或PI(Polyimide，聚酰亚胺)光刻胶。
所述底层应变缓冲层11和所述顶层应变缓冲层12的具体形状，本领域技术人员可以根据实际需要进行设置，例如所述底层应变缓冲层11和所述顶层应变缓冲层12的形状均为圆形、椭圆形或者圆角矩形。所述底层应变缓冲层11和所述顶层应变缓冲层12的形状可以相同，也可以不同。
不仅如此，本具体实施方式还提供了一种如上述任一项所述的用于可拉伸电子装置的基底的制备方法。附图2是本发明具体实施方式中用于可拉伸电子装置的基底的制备方法流程图，附图3A-3F是本发明具体实施方式在制备用于可拉伸电子装置的基底的过程中主要的工艺截面示意图，本具体实施方式制备的用于可拉伸电子装置的基底的结构可参见图1或者图3F。如图1、图2和图3A-图3F所示，本具体实施方式提供的用于可拉伸电子装置的基底的制备方法，包括如下步骤：
步骤S21，形成内部嵌入有底层应变缓冲层11的弹性衬底10，所述底层应变缓冲层11的杨氏模量大于所述弹性衬底10的杨氏模量，如图3D所示。
可选的，形成内部嵌入有底层应变缓冲层11的弹性衬底10的具体步骤包括：
提供一玻璃衬底30，所述玻璃衬底30表面具有一剥离层31，如图3A所示；
形成第一子弹性衬底32于所述剥离层31表面，如图3B所示；
形成底层应变缓冲层11于部分所述第一子弹性衬底32表面，如图3C所示；
形成覆盖所述底层应变缓冲层11和所述第一子弹性衬底32的第二子弹性衬底33，所述第二子弹性衬底33的材料与所述第一子弹性衬底32的材料相同，所述第一子弹性衬底32和所述第二子弹性衬底33共同构成所述弹性衬底10，如图3D所示。
可选的，所述底层应变缓冲层11的数量为多个，形成多个所述底层应变缓冲层11的步骤包括：
利用第一掩膜在第一子弹性衬底32表面对沉积的底层应变缓冲材料进行光刻、刮涂或喷涂后获得多个所述底层应变缓冲层11；或者，
将切割好的多个底层应变缓冲层11贴合到第一子弹性衬底32表面。
具体来说，首先，提供一表面具有所述剥离层31的平坦所述玻璃衬底30，所述剥离层31的材料可以为聚四氟乙烯、全氟(1-丁烯基乙烯基醚)聚合物、三氯硅烷、全氟辛基三氯硅烷、全氟已基三氯硅烷、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇或者聚萘二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺。所述玻璃衬底30可以作为制备所述用于可拉伸电子装置的基底过程中的承载基板。然后，在所述剥离层31表面采用旋涂、刮涂、滴涂或者棒涂等方法，结合热固化、紫外固化或者自然固化等方法，形成所述第一子弹性衬底32。之后，在所述第一子弹性衬底32上表面沉积底层应变缓冲材料，并利用第一掩膜对沉积的所述底层应变缓冲材料进行光刻、刮涂或者喷涂处理，形成多个相互独立的所述底层应变缓冲层11；或是按照预设的尺寸对底层应变缓冲材料薄膜进行切割，形成多个所述底层应变缓冲层11，并将多个所述底层应变缓冲层11贴附于所述第一子弹性衬底32背离所述剥离层33的表面，以于所述第一子弹性衬底32表面形成多个相互独立的所述底层应变缓冲层11。接着，采用与所述第一子弹性衬底32相同的材料以及相同的制备方法，形成覆盖所述底层应变缓冲层11的所述第二子弹性衬底33。
步骤S22，形成贴附于所述弹性衬底10表面、且与所述底层应变缓冲层11对准的顶层应变缓冲层12，所述顶层应变缓冲层12的杨氏模量大于所述弹性衬底10的杨氏模量，且所述顶层应变缓冲层12的杨氏模量大于或等于所述底层应变缓冲层11的杨氏模量，如图3F所示。
可选的，所述顶层应变缓冲层12的数量为多个，形成多个所述顶层应变缓冲层12的步骤包括：
利用第二掩膜在第二子弹性衬底33表面对沉积的顶层应变缓冲材料进行光刻、刮涂或喷涂后获得多个所述顶层应变缓冲层12；或者，
将切割好的多个顶层应变缓冲层12贴合到第二子弹性衬底33表面。
具体来说，在所述弹性衬底10的上表面(即所述第二子弹性衬底33的顶面)沉积顶层应变缓冲材料，并利用第二掩膜对沉积的所述顶层应变缓冲材料进行光刻、刮涂或者喷涂处理，形成多个相互独立的所述顶层应变缓冲层12；或是并按照预设的尺寸对顶层应变缓冲材料薄膜进行切割，形成多个所述顶层应变缓冲层12，并将多个所述顶层应变缓冲层12贴附于所述弹性衬底10的表面，得到多个相互独立的所述顶层应变缓冲层12。在完成所述顶层应变缓冲层12的贴附之后，通过所述剥离层31将所述玻璃衬底30从所述弹性衬底10表面剥离，最终得到如图3F所示的结构。
本具体实施方式提供的用于可拉伸电子装置的基底及其制备方法，通过在基底中设置由底层应变缓冲层和顶层应变缓冲层构成的双层应变缓冲层，通过所述底层应变缓冲层可以有效的减小应变集中效应，通过所述顶层应变缓冲层可以使得电子器件区域不发生应变，从而提高了可拉伸电子装置的稳定性和可靠性；且本发明加工工艺简单，有助于降低成本并实现量化生产。
实施例1
本实施例提供了一种用于可拉伸电子装置的基底的制备方法，其具体包括如下步骤：
1、在干净的玻璃衬底上刮涂一层聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为剥离层，100℃热固化10min；
2、在PVP上旋涂聚二甲基硅氧烷(PDMS，10:1)，静置60min，100℃热固化30min，形成第一子弹性衬底；
3、以激光切割切聚酰亚胺(PI)薄膜为掩膜，随后将PI掩膜贴到PDMS上，等离子处理后，旋涂PI溶液，去除PI掩膜后，100℃热固化60min，形成底层应变缓冲层；
4、将上述带有底层应变缓冲层的所述第一子弹性衬底等离子处理后，旋涂PDMS，静置60min后100℃热固化30min，形成第二子弹性衬底；
5、采用与底层应变缓冲层相类似的步骤(即与步骤3类似的步骤)形成顶层应变缓冲层于所述第二子弹性衬底表面；
6、将上述制备的用于可拉伸电子设备的基底从PVP上机械剥离。
实施例2
本实施例提供了一种用于可拉伸电子装置的基底的制备方法，其具体包括如下步骤：
1、在干净的玻璃衬底上刮涂一层聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为剥离层，100℃热固化10min；
2、在PVP上刮涂聚二甲基硅氧烷(PDMS，10:1)，静置60min，100℃热固化30min，形成第一子弹性衬底；
3、以激光切割切聚酰亚胺(PI)薄膜为掩膜，随后将PI掩膜贴到PDMS上，等离子处理后，刮涂PI光刻胶，经紫外光照射固化后形成底层应变缓冲层；
4、将上述带有底层应变缓冲层的所述第一子弹性衬底等离子处理后，刮涂PDMS，静置60min后100℃热固化30min，形成第二子弹性衬底；
5、PDMS表面等离子处理后，旋涂SU8光刻胶，利用掩模版进行紫外交联5min，110℃退火10min，利用清洗液清洗多余的SU8光刻胶，形成顶层应变缓冲层；
6、将上述制备的用于可拉伸电子设备的基底从PVP上机械剥离。
实施例3
本实施例提供了一种用于可拉伸电子装置的基底的制备方法，其具体包括如下步骤：
1、在干净的玻璃衬底上刮涂一层聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为剥离层，100℃热固化10min；
2、在PVP上刮涂聚二甲基硅氧烷(PDMS，10:1)，静置60min，100℃热固化30min，形成第一子弹性衬底；
3、对所述第一子弹性衬底等离子处理后，旋涂SU8光刻胶，利用掩模版进行紫外交联5min，110℃退火10min，利用清洗液清洗多余的SU8光刻胶，形成底层应变缓冲层；
4、将上述带有底层应变缓冲层的所述第一子弹性衬底等离子处理后，刮涂PDMS，静置60min后100℃热固化30min，形成第二子弹性衬底；
5、PDMS表面等离子处理后，旋涂SU8光刻胶，利用掩模版进行紫外交联5min，110℃退火10min，利用清洗液清洗多余的SU8光刻胶，形成顶层应变缓冲层；
6、将上述制备的用于可拉伸电子设备的基底从PVP上机械剥离。
实施例4
本实施例提供了一种用于可拉伸电子装置的基底的制备方法，其具体包括如下步骤：
1、在干净的玻璃衬底上刮涂一层聚四氟乙烯作为剥离层，100℃热固化10min；
2、在聚四氟乙烯上刮涂Ecoflex(Ecoflex00-30)，100℃热固化30min，形成第一子弹性衬底；
3、以激光切割切聚酰亚胺(PI)薄膜为掩膜，随后将PI掩膜贴到Ecoflex上，等离子处理后，刮涂聚氨酯，去除PI掩膜后100℃热固化30min，形成底层应变缓冲层；
4、将上述带有底层应变缓冲层的第一子弹性衬底等离子处理后，刮涂Ecoflex，静置60min后100℃热固化30min，形成第二子弹性衬底；
5、Ecoflex表面等离子处理后，旋涂SU8光刻胶，利用掩模版进行紫外交联5min，110℃退火10min，利用清洗液清洗多余的SU8光刻胶，形成顶层应变缓冲层；
6、将上述制备的用于可拉伸电子设备的基底从剥离层上机械剥离。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种用于可拉伸电子装置的基底，其特征在于，包括：
弹性衬底，所述弹性衬底由第一子弹性衬底、以及覆盖于所述第一子弹性衬底表面的第二子弹性衬底共同构成；
底层应变缓冲层，位于所述第一子弹性衬底朝向所述第二子弹性衬底的表面，且所述第二子弹性衬底覆盖所述底层应变缓冲层；
顶层应变缓冲层，贴附于所述第二子弹性衬底背离所述第一子弹性衬底的表面，且与所述底层应变缓冲层对准设置，所述顶层应变缓冲层形成在所述弹性衬底用于制造器件岛区域的表面；
所述底层应变缓冲层的杨氏模量和所述顶层应变缓冲层的杨氏模量均大于所述弹性衬底的杨氏模量，且所述顶层应变缓冲层的杨氏模量大于或等于所述底层应变缓冲层的杨氏模量。
2.根据权利要求1所述的用于可拉伸电子装置的基底，其特征在于，所述弹性衬底的杨氏模量为0.1MPa～5MPa；
所述弹性衬底的材料为聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、SEBs或者Ecoflex。
3.根据权利要求1所述的用于可拉伸电子装置的基底，其特征在于，所述底层应变缓冲层的数量为多个，且多个所述底层应变缓冲层沿平行于所述弹性衬底的方向依次排列；
所述顶层应变缓冲层的数量为多个，多个所述顶层应变缓冲层与多个所述底层应变缓冲层一一对准，且多个所述顶层应变缓冲层沿平行于所述弹性衬底的方向依次排列。
4.根据权利要求3所述的用于可拉伸电子装置的基底，其特征在于，所述底层应变缓冲层和与其对应的所述顶层应变缓冲层之间的距离小于或者等于基底总厚度的二分之一，所述基底总厚度为所述弹性衬底的厚度与所述顶层应变缓冲层的厚度之和。
5.根据权利要求3所述的用于可拉伸电子装置的基底，其特征在于，所述底层应变缓冲层的面积大于所述顶层应变缓冲层的面积。
6.根据权利要求1所述的用于可拉伸电子装置的基底，其特征在于，所述底层应变缓冲层和所述顶层应变缓冲层的杨氏模量均大于5MPa；所述底层应变缓冲层和所述顶层应变缓冲层的材料均为聚氨酯、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸类塑料、聚萘二甲酸乙二醇酯、SU8光刻胶、或PI光刻胶。
7.一种如权利要求1-6中任一项所述的用于可拉伸电子装置的基底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
形成内部嵌入有底层应变缓冲层的弹性衬底，所述底层应变缓冲层的杨氏模量大于所述弹性衬底的杨氏模量；
形成贴附于所述弹性衬底表面、且与所述底层应变缓冲层对准的顶层应变缓冲层，所述顶层应变缓冲层的杨氏模量大于所述弹性衬底的杨氏模量，且所述顶层应变缓冲层的杨氏模量大于或等于所述底层应变缓冲层的杨氏模量；
形成内部嵌入有底层应变缓冲层的弹性衬底的步骤包括：
提供一玻璃衬底，所述玻璃衬底表面具有一剥离层；
形成第一子弹性衬底于所述剥离层表面；
形成底层应变缓冲层于部分所述第一子弹性衬底表面；
形成覆盖所述底层应变缓冲层和所述第一子弹性衬底的第二子弹性衬底，所述第二子弹性衬底的材料与所述第一子弹性衬底的材料相同，所述第一子弹性衬底和所述第二子弹性衬底共同构成所述弹性衬底。
8.根据权利要求7所述的用于可拉伸电子装置的基底的制备方法，其特征在于，所述底层应变缓冲层的数量为多个，所述顶层应变缓冲层的数量为多个，形成多个所述底层应变缓冲层和多个所述顶层应变缓冲层的步骤包括：利用第一掩膜在第一子弹性衬底表面对沉积的底层应变缓冲材料进行光刻、刮涂或喷涂后获得多个所述底层应变缓冲层，以及利用第二掩膜在第二子弹性衬底表面对沉积的顶层应变缓冲层材料进行光刻、刮涂或喷涂后获得多个所述顶层应变缓冲层；或者
将切割好的多个底层应变缓冲层贴合到第一子弹性衬底表面、以及将切割好的多个顶层应变缓冲层贴合到第二子弹性衬底表面。
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