CN111540732A - Cob光源及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种COB光源的制作方法和一种COB光源,该制作方法包括:在铝基电路板上用硅胶铺设形成环形的围坝;将多个倒装LED芯片采用锡膏焊接于围坝内;将荧光胶水注入围坝内覆盖多个倒装LED芯片,并依次采用第一温度和第二温度烘烤,得到COB光源,第一温度包括100度至120度,第二温度包括140度至160度;检测COB光源。本发明制作方法制作的COB光源光通量、光效都得到了提高,另外,倒装LED芯片的排布更加优化,从而减少眩光。
Description
技术领域
本发明涉及照明的技术领域,特别是涉及一种COB光源的制作方法和一种COB光源。
背景技术
COB光源就是LED芯片直接贴在高反光率的镜面金属基板上的高光效集成面光源技术,此技术剔除了支架概念,无电镀、无回流焊、无贴片工序,因此工序减少近三分之一,成本也节约了三分之一。COB光源是未来LED生产运用的趋势。
但是也存在良品率低、适配电源型号杂、光效低等问题。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种COB光源的制作方法和一种COB光源,以解决COB光源良品率低、适配电源型号杂、光效低等问题的问题。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种COB光源的制作方法,该制作方法包括:在铝基电路板上用硅胶铺设形成环形的围坝;将多个倒装LED芯片采用锡膏焊接于围坝内;将荧光胶水注入围坝内覆盖多个倒装LED芯片,并依次采用第一温度和第二温度烘烤,得到COB光源,第一温度包括100度至120度,第二温度包括140度至160度;检测COB光源。
可选地,将多个倒装LED芯片采用锡膏焊接于围坝内的步骤,包括:将多个倒装LED芯片以圆形等间距排布。
可选地,将多个倒装LED芯片采用锡膏焊接于围坝内的步骤,包括:将多个倒装LED芯片排布于涂抹有焊锡的围坝内;整体送入烤箱中经过多个温度高低相间的烘烤区间。
可选地,烤箱用玻璃作为基底。
可选地,将多个倒装LED芯片采用锡膏焊接于围坝内的步骤之后,包括:使用恒压恒电源点亮每一颗倒装LED芯片,以排除死灯。
可选地,将荧光胶水注入围坝内覆盖多个倒装LED芯片的步骤之前,包括:对荧光胶进行色温分析。
可选地,检测COB光源的步骤,包括:检测COB光源的外观;对COB光源进行通电检测,以获取光电参数。
可选地,制作方法还包括:裁剪铝基板;在铝基板上铺设绝缘材料以形成绝缘层;在绝缘层上铺设铜性线路;在绝缘层铺设覆盖铜性线路的白油,形成铝基电路板。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是提供一种COB光源,该COB光源采用上述任一项的制作方法制成。
可选地,COB光源包括:铝基板、绝缘层、铜性线路、围坝和多个倒装LED芯片,铝基板、绝缘层和铜性线路依次层叠设置,所述围坝设置在所述绝缘层上,多个倒装LED芯片在所述围坝内以预设规律与铜性线路电性连接,从而在相同功率下适配相同电源。
本发明的有益效果是:在现有技术中,都是采用正装LED芯片并配合固晶胶或者银胶进行固定,此方法接触面积小容易出现剥离脱落、金线断裂、热量集中等现象,倒装LED芯片采用锡膏焊接大面积的接合了芯片跟铝基板因此牢固散热更佳,寿命增长。另外,倒装LED芯片不需要金线与铜性线路电性连接,倒装LED芯片的引脚直接与铜性线路电性连接,因此倒装LED芯片的稳定性更高。再者,采用倒装LED芯片的COB光源不含银元素无惧硫化而引起LED芯片失效。
另外,采用第一温度对荧光胶烘烤,第一温度包括100度至120度,例如100度、105度、110度、120度等。荧光胶在受到第一温度的影响下会轻缓流动以在一定面积里相互流动至平面状态,在流动的过程中会把荧光胶中参杂的气体挤出,防止气泡对多个倒装LED芯片的出光造成折射干扰,从而提高COB光源光通量和光效,即降低了能耗,又节约了能源。
附图说明
图1是本发明提供的COB光源的结构示意图;
图2是本发明提供的COB光源的成品效果示意图;
图3是本发明提供的COB光源的截面示意图;
图4是本发明提供的COB光源的制作方法的第一实施例的流程示意图;
图5是本发明提供的COB光源的制作方法的第二实施例的流程示意图;
图6是本发明提供的COB光源的制作方法的第三实施例的流程示意图;
图7是本发明提供的多个铝基电路板的拼接结构示意图;
图8是本发明提供的COB光源的制作方法的第四实施例的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,均属于本发明保护的范围。
请参阅图1至图4,图1是本发明提供的COB光源100的结构示意图,图2是本发明提供的COB光源100的成品效果示意图,图3是本发明提供的COB光源100的截面示意图,图4是本发明提供的COB光源100的制作方法的第一实施例的流程示意图。
在第一实施例中,该COB光源100的制作方法包括如下步骤:
S101:在铝基电路板上用硅胶铺设形成环形的围坝50。
铝基电路板包括依次层叠的铝基板10、绝缘层20和铜性线路30,铝基板10为散热基材,绝缘层20隔绝铝基板10和铜性线路30的电性连接,铝基板10的形状可以是圆形、方形、正五边形、正六边形等。用硅胶在铝基电路板上铺设一个封闭的环形成围坝50,围坝50内为固晶区。围坝50的形状可以是圆形、方形、正五边形、正六边形等。
S102:将多个倒装LED芯片40采用锡膏焊接于围坝50内。
多个倒装LED芯片40可以采用回流焊的方式用锡膏焊接于围坝50内,多个倒装LED芯片40与铜性线路30电性连接。
多个倒装LED芯片40以预设规律与铜性线路30电性连接,从而在相同功率下适配相同电源。预设规律具体指不同功率的COB光源100使用相同标准的串并标准,例如每一个串接线路具有相同数量的倒装LED芯片40。更具体地,比如5W并联5条串接线路,每个线路具有3个倒装LED芯片40;7W并联7条串接线路,每个线路具有3个倒装LED芯片40;12W并联12条串接线路,每个线路具有3个倒装LED芯片40;20W并联20条串接线路,每个线路具有3个倒装LED芯片40;30W并联30条串接线路,每个线路具有3个倒装LED芯片40。5W、7W、12W、20W、30W可以共用同一个变压器,这样就能够解决不同客户做同样功率数的产品出现多个标准的变压器的问题。
在现有技术中,都是采用正装LED芯片并配合固晶胶或者银胶进行固定,此方法接触面积小容易出现剥离脱落、金线断裂、热量集中等现象,倒装LED芯片40采用锡膏焊接大面积的接合了芯片跟铝基板10因此牢固散热更佳,寿命增长。另外,倒装LED芯片40不需要金线与铜性线路30电性连接,倒装LED芯片40的引脚直接与铜性线路30电性连接,因此倒装LED芯片40的稳定性更高。再者,采用倒装LED芯片40的COB光源100不含银元素无惧硫化而引起LED芯片失效。
S103:将荧光胶70水注入围坝50内覆盖多个倒装LED芯片40,并依次采用第一温度和第二温度烘烤,得到COB光源100。
将调试好色温的荧光胶70注入围坝50内覆盖多个倒装LED芯片40,围坝50对荧光胶70起到限制的作用,防止荧光胶70外溢。
采用第一温度对荧光胶70烘烤,第一温度包括100度至120度,例如100度、105度、110度、120度等。荧光胶70在受到第一温度的影响下会轻缓流动以在一定面积里相互流动至平面状态,在流动的过程中会把荧光胶70中参杂的气体挤出,防止气泡对多个倒装LED芯片40的出光造成折射干扰,从而提高COB光源光通量和光效,即降低了能耗,又节约了能源。采用第一温度对荧光胶70烘烤的时间以50至70分钟为适宜。
采用第二温度对荧光胶70烘烤,第二温度包括140度至160度,例如140度、145度、150度、160度等。荧光胶70受高温影响会起到固化作用,最终得到COB光源100。
S104:检测COB光源100。
检测COB光源100是否正常点亮,然后放入仓库等待出库。
请参阅图1、图2和图5,图5是本发明提供的COB光源100的制作方法的第二实施例的流程示意图。
在第二实施例中,该COB光源100的制作方法包括如下步骤:
S201:在铝基电路板上用硅胶铺设形成环形的围坝50。
用硅胶在铝基电路板上铺设一个封闭的环形成围坝50,围坝50内为固晶区。围坝50的形状可以是圆形、方形、正五边形、正六边形等。
S202:将多个倒装LED芯片40排布于涂抹有焊锡的围坝50内。
将多个倒装LED芯片40排布于涂抹有焊锡的围坝50内。排布的方式可以以圆形阵列的方式排布,即将多个倒装LED芯片40以圆形等间距排布。倒装LED芯片40。多个倒装LED芯片40环形排布就是考虑到在一个面积下把多个倒装LED芯片40等间距的均匀排布,每个倒装LED芯片40的间距相同,这样COB光源100出光、散热都会变得均匀,另外光反射道理也一样,反射在底部的光基本也是均匀性的,从而改善光斑效果减少眩光的出现。
当然,多个倒装LED芯片40也可以呈矩形直线排布,多个倒装LED芯片40也可以呈放射状排布。
S203:整体送入烤箱中经过多个温度高低相间的烘烤区间。
多个倒装LED芯片40可以采用回流焊的方式用锡膏焊接于围坝50内,整体送入烤箱中经过多个温度高低相间的烘烤区间,从而多个倒装LED芯片40与铜性线路30电性连接。烤箱中设置有多个烘烤区间,多个烘烤区间温度高低相间,即一个烘烤区间温度比其相邻的两个烘烤区间的温度低或者高,锡膏在交替的温度下可以很好的释放应力和熔解。
烤箱可以用玻璃作为基底,从而确保铝基板10电路绝对平整,而不会发生倾斜。
S204:将荧光胶70水注入围坝50内覆盖多个倒装LED芯片40,并依次采用第一温度和第二温度烘烤,得到COB光源100。
将调试好色温的荧光胶70注入围坝50内覆盖多个倒装LED芯片40,围坝50对荧光胶70起到限制的作用,防止荧光胶70外溢。
采用第一温度对荧光胶70烘烤,第一温度包括100度至120度,例如100度、105度、110度、120度等。荧光胶70在受到第一温度的影响下会轻缓流动以在一定面积里相互流动至平面状态,在流动的过程中会把荧光胶70中参杂的气体挤出,防止气泡对多个倒装LED芯片40的出光造成折射干扰。采用第一温度对荧光胶70烘烤的时间以50至70分钟为适宜。
采用第二温度对荧光胶70烘烤,第二温度包括140度至160度,例如140度、145度、150度、160度等。荧光胶70受高温影响会起到固化作用,最终得到COB光源100。
S205:检测COB光源100。
检测COB光源100是否正常点亮,然后放入仓库等待出库。
请参阅图1、图2和图6,图6是本发明提供的COB光源100的制作方法的第三实施例的流程示意图。
在第三实施例中,该COB光源100的制作方法包括如下步骤:
S301:在铝基电路板上用硅胶铺设形成环形的围坝50。
用硅胶在铝基电路板上铺设一个封闭的环形成围坝50,围坝50内为固晶区。围坝50的形状可以是圆形、方形、正五边形、正六边形等。
S302:将多个倒装LED芯片40采用锡膏焊接于围坝50内。
将多个倒装LED芯片40排布于涂抹有焊锡的围坝50内。排布的方式可以以圆形阵列的方式排布,即将多个倒装LED芯片40以圆形等间距排布。倒装LED芯片40。多个倒装LED芯片40环形排布就是考虑到在一个面积下把多个倒装LED芯片40等间距的均匀排布,每个倒装LED芯片40的间距相同,这样COB光源100出光、散热都会变得均匀,另外光反射道理也一样,反射在底部的光基本也是均匀性的。
当然,多个倒装LED芯片40也可以呈矩形直线排布,多个倒装LED芯片40也可以呈放射状排布。
多个倒装LED芯片40可以采用回流焊的方式用锡膏焊接于围坝50内,整体送入烤箱中经过多个温度高低相间的烘烤区间,从而多个倒装LED芯片40与铜性线路30电性连接。烤箱中设置有多个烘烤区间,多个烘烤区间温度高低相间,即一个烘烤区间温度比其相邻的两个烘烤区间的温度低或者高,锡膏在交替的温度下可以很好的释放应力和熔解。
烤箱可以用玻璃作为基底,从而确保铝基板10电路绝对平整,而不会发生倾斜。
S303:使用恒压恒电源点亮每一颗倒装LED芯片40,以排除死灯。
倒装LED芯片40焊接完成后,使用恒压恒电源点亮每一颗倒装LED芯片40,例如用2.35V小电流点亮每一颗倒装LED芯片40以排除焊接不良而出现死灯的现象,避免增加步骤S304后出现死灯返修的难度。其次,全面检测一遍倒装LED芯片40以判断是否存在漏电而导致暗亮的现象,从而确保一致性。
S304:将荧光胶70水注入围坝50内覆盖多个倒装LED芯片40,并依次采用第一温度和第二温度烘烤,得到COB光源100。
将调试好色温的荧光胶70注入围坝50内覆盖多个倒装LED芯片40,围坝50对荧光胶70起到限制的作用,防止荧光胶70外溢。
采用第一温度对荧光胶70烘烤,第一温度包括100度至120度,例如100度、105度、110度、120度等。荧光胶70在受到第一温度的影响下会轻缓流动以在一定面积里相互流动至平面状态,在流动的过程中会把荧光胶70中参杂的气体挤出,防止气泡对多个倒装LED芯片40的出光造成折射干扰。采用第一温度对荧光胶70烘烤的时间以50至70分钟为适宜。
采用第二温度对荧光胶70烘烤,第二温度包括140度至160度,例如140度、145度、150度、160度等。荧光胶70受高温影响会起到固化作用,最终得到COB光源100。
在一可选的实施例中,在步骤S304之前,对调试好后荧光胶70进行测试,分析荧光胶70的色温,确保荧光胶70的色温在误差范围内。
S305:检测COB光源100。
从外观检测COB光源100,第一检测荧光胶70是否均衡、第二检测荧光胶70是否溢出围坝50、第三检测荧光胶70是否有黑点。
从电学参数检测COB光源100,对COB光源100进行通电检测,以获取光电参数,例如光通量、色温、照度、功率数、电压、电流等等。
请参阅图1、图2、图3、图7和图8,图7是本发明提供的多个铝基电路板的拼接结构示意图,图8是本发明提供的COB光源100的制作方法的第四实施例的流程示意图。
在第四实施例中,该COB光源100的制作方法包括如下步骤:
S401:裁剪铝基板10。
在一大块铝板上按照铝基板10的设计形状裁剪铝基板10。为了提高后续加工效率,在一大块铝板上裁剪多个铝基板10,并且多个铝基板10拼装在一起,以为后续批量化生产做准备。
S402:在铝基板10上铺设绝缘材料以形成绝缘层20。
绝缘材料可以是油墨刷置于铝基板10上,等干结后形成绝缘层20;绝缘材料也可以是具有绝缘性质的胶皮热压于铝基板10上。
S403:在绝缘层20上铺设铜性线路30。
铜性线路30可以采用热压的方式铺设在绝缘层20上,即裁剪得到需要的铜性线路30,然后用热压的方式固定在绝缘层20上;铜性线路30也可以采用蚀刻的方式铺设在绝缘层20上。
S404:在绝缘层20铺设覆盖铜性线路30的白油60,形成铝基电路板。
在绝缘层20铺设覆盖铜性线路30的白油60,白油60具有高折射效率,倒装LED芯片40照射的光照射在白油60上后,进过白油60折射后返回出射面,从而避免能量损失起到提高亮度的效果。
S405:在铝基电路板上用硅胶铺设形成环形的围坝50。
用硅胶在铝基电路板上铺设一个封闭的环形成围坝50,围坝50内为固晶区。围坝50的形状可以是圆形、方形、正五边形、正六边形等。
S406:将多个倒装LED芯片40采用锡膏焊接于围坝50内。
将多个倒装LED芯片40排布于涂抹有焊锡的围坝50内。排布的方式可以以圆形阵列的方式排布,即将多个倒装LED芯片40以圆形等间距排布。倒装LED芯片40。多个倒装LED芯片40环形排布就是考虑到在一个面积下把多个倒装LED芯片40等间距的均匀排布,每个倒装LED芯片40的间距相同,这样COB光源100出光、散热都会变得均匀,另外光反射道理也一样,反射在底部的光基本也是均匀性的。
当然,多个倒装LED芯片40也可以呈矩形直线排布,多个倒装LED芯片40也可以呈放射状排布。
多个倒装LED芯片40可以采用回流焊的方式用锡膏焊接于围坝50内,整体送入烤箱中经过多个温度高低相间的烘烤区间,从而多个倒装LED芯片40与铜性线路30电性连接。烤箱中设置有多个烘烤区间,多个烘烤区间温度高低相间,即一个烘烤区间温度比其相邻的两个烘烤区间的温度低或者高,锡膏在交替的温度下可以很好的释放应力和熔解。
烤箱可以用玻璃作为基底,从而确保铝基板10电路绝对平整,而不会发生倾斜。
S407:将荧光胶70水注入围坝50内覆盖多个倒装LED芯片40,并依次采用第一温度和第二温度烘烤,得到COB光源100。
将调试好色温的荧光胶70注入围坝50内覆盖多个倒装LED芯片40,围坝50对荧光胶70起到限制的作用,防止荧光胶70外溢。
采用第一温度对荧光胶70烘烤,第一温度包括100度至120度,例如100度、105度、110度、120度等。荧光胶70在受到第一温度的影响下会轻缓流动以在一定面积里相互流动至平面状态,在流动的过程中会把荧光胶70中参杂的气体挤出,防止气泡对多个倒装LED芯片40的出光造成折射干扰。采用第一温度对荧光胶70烘烤的时间以50至70分钟为适宜。
采用第二温度对荧光胶70烘烤,第二温度包括140度至160度,例如140度、145度、150度、160度等。荧光胶70受高温影响会起到固化作用,最终得到COB光源100。
在一可选的实施例中,在步骤S304之前,对调试好后荧光胶70进行测试,分析荧光胶70的色温,确保荧光胶70的色温在误差范围内。
S408:检测COB光源100。
从外观检测COB光源100,第一检测荧光胶70是否均衡、第二检测荧光胶70是否溢出围坝50、第三检测荧光胶70是否有黑点。
从电学参数检测COB光源100,对COB光源100进行通电检测,以获取光电参数,例如光通量、色温、照度、功率数、电压、电流等等,从而全面检测成品COB光源100的所有参数,以快速判定COB光源100是否为良品。
以上所述仅为本发明的实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效原理变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种COB光源的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在铝基电路板上用硅胶铺设形成环形的围坝;
将多个倒装LED芯片采用锡膏焊接于所述围坝内;
将荧光胶水注入所述围坝内覆盖所述多个倒装LED芯片,并依次采用第一温度和第二温度烘烤,得到COB光源,所述第一温度包括100度至120度,所述第二温度包括140度至160度;
检测所述COB光源。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述将多个倒装LED芯片采用锡膏焊接于所述围坝内的步骤,包括:
将多个倒装LED芯片以圆形等间距排布。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述将多个倒装LED芯片采用锡膏焊接于所述围坝内的步骤,包括:
将多个倒装LED芯片排布于涂抹有焊锡的所述围坝内;
整体送入烤箱中经过多个温度高低相间的烘烤区间。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,
所述烤箱用玻璃作为基底。
5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述将多个倒装LED芯片采用锡膏焊接于所述围坝内的步骤之后,包括:
使用恒压恒电源点亮每一颗所述倒装LED芯片,以排除死灯。
6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述将荧光胶水注入所述围坝内覆盖所述多个倒装LED芯片的步骤之前,包括:对荧光胶进行色温分析。
7.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述检测所述COB光源的步骤,包括:
检测所述COB光源的外观;
对所述COB光源进行通电检测,以获取光电参数。
8.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:
裁剪铝基板;
在所述铝基板上铺设绝缘材料以形成绝缘层;
在所述绝缘层上铺设铜性线路;
在所述绝缘层铺设覆盖所述铜性线路的白油,形成铝基电路板。
9.一种COB光源,其特征在于,所述COB光源采用权利要求1至8任一项所述的制作方法制成。
10.根据权利要求9所述的COB光源,其特征在于,所述COB光源包括:铝基板、绝缘层、铜性线路、围坝和多个倒装LED芯片,所述铝基板、所述绝缘层和所述铜性线路依次层叠设置,所述围坝设置在所述绝缘层上,所述多个倒装LED芯片在所述围坝内以预设规律与所述铜性线路电性连接,从而在相同功率下适配相同电源。
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---|---|---|---|---|
CN103413885A (zh) * | 2013-07-31 | 2013-11-27 | 广州硅能照明有限公司 | 一种隔离式cob光源模组的制作方法 |
CN204834684U (zh) * | 2015-09-02 | 2015-12-02 | 深圳市两岸光电科技有限公司 | 一种采用倒装芯片封装的cob光源 |
CN106531703A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-03-22 | 广州硅能照明有限公司 | 高性能倒装cob封装结构及其制作方法 |
CN109192722A (zh) * | 2018-08-07 | 2019-01-11 | 东莞中之光电股份有限公司 | 一种led倒装芯片封装工艺 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103413885A (zh) * | 2013-07-31 | 2013-11-27 | 广州硅能照明有限公司 | 一种隔离式cob光源模组的制作方法 |
CN204834684U (zh) * | 2015-09-02 | 2015-12-02 | 深圳市两岸光电科技有限公司 | 一种采用倒装芯片封装的cob光源 |
CN106531703A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-03-22 | 广州硅能照明有限公司 | 高性能倒装cob封装结构及其制作方法 |
CN109192722A (zh) * | 2018-08-07 | 2019-01-11 | 东莞中之光电股份有限公司 | 一种led倒装芯片封装工艺 |
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