CN111524983B - 一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法 - Google Patents

一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111524983B
CN111524983B CN202010258865.3A CN202010258865A CN111524983B CN 111524983 B CN111524983 B CN 111524983B CN 202010258865 A CN202010258865 A CN 202010258865A CN 111524983 B CN111524983 B CN 111524983B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
double
silicon
polysilicon
intrinsic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010258865.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111524983A (zh
Inventor
袁宁一
王芹芹
丁建宁
程广贵
王书博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changzhou Shunfeng Solar Energy Technology Co.,Ltd.
Changzhou University
Original Assignee
Changzhou Shunfeng Solar Energy Technology Co ltd
Changzhou University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changzhou Shunfeng Solar Energy Technology Co ltd, Changzhou University filed Critical Changzhou Shunfeng Solar Energy Technology Co ltd
Priority to CN202010258865.3A priority Critical patent/CN111524983B/zh
Publication of CN111524983A publication Critical patent/CN111524983A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111524983B publication Critical patent/CN111524983B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0684—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells double emitter cells, e.g. bifacial solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1868—Passivation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明属于太阳能光伏行业领域，具体提供了一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法；采用双面选择性发射极的结构，在硼掺杂的重掺杂区域为氧化铝代替氧化硅作为遂穿层的多晶硅结构，可达到超过>1E20atom/cm3的恒定表面浓度提升填充因子(FF)，而轻扩区域为单纯的硼掺杂，重扩和轻扩的硼掺杂工艺可在一步中实现，简化了流程。对于磷掺杂区域采用氧化硅作为遂穿层，重掺杂区域为双层多晶硅(poly)结构具有高表面浓度，改善金属化接触，轻扩区域为单层浅掺杂poly结构，进而提升开路电压(Voc)。双面选择性发射极的形成有效地利用了掩膜刻蚀的方式。此结构可有效的提升电池效率，且适合批量化生产。

Description

一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法
技术领域
本发明属于太阳能晶硅电池领域，尤其涉及一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法。
背景技术
追求高效电池是光伏行业内的发展趋势，兼具到成本及工艺的方案，n-TOPCon电池，其使用一层超薄的氧化层与掺杂的薄膜硅钝化电池的背面。其中背面氧化层厚度1.4nm，采用湿法化学生长。随后在氧化层之上，沉积20nm掺磷的非晶硅，之后经过退火重结晶并加强钝化效果。成为继PERC后的下一代主流产品。而对于现有的n-TOPCon电池量产工艺其效率并未有与PERC电池拉开差距，效率差值仅0.5％，因此如何提升此结构电池的效率成为重中之重。
正面常规硼掺杂选择性发射极通过常规的刻蚀以及激光或APCVD的方式较难实现，且目前技术不成熟。而采用氧化硅作为遂穿层无法钝化硼掺杂。背面常规选择性发射极现有技术方案是蚀刻和激光的方式，但对于磷掺杂多晶硅不能采用激光方式，因激光会损伤遂穿氧化层，而简易蚀刻的方案对于具有均匀掺杂浓度的多晶硅结构也是不可行的。
发明内容
本发明的主要目的是：提供一种双面选择性发射极高效晶硅电池，采用双面选择性发射极的结构，相较于传统n-TOPCon(遂穿氧化钝化)电池结构正面为单层的P+层，复合较重，本发明在硼掺杂的重掺杂区域为氧化铝作为遂穿层的多晶硅结构，氧化铝本身含有高密度的固定负电荷，在硼掺杂区域可有效地增加空穴遂穿从而获得良好的接触，进而提升填充因子(FF)(可达到超过>1E20atom/cm3的恒定表面浓度有利于金属-硼掺杂区域的欧姆接触)，而轻扩区域考虑到poly的吸光性仍旧为单纯的硼掺杂，与重掺杂区域形成高低结，提升开路电压(Voc)。对于磷掺杂区域传统n-TOPCon(遂穿氧化钝化)电池仅有n+层，无法对背面进行较好的电流收集，本发明仅采用氧化硅作为遂穿层，重掺杂区域为双层poly结构具有高表面浓度>4E20 atom/cm3，提升金属化接触，轻扩区域为单层浅掺杂poly结构，表面浓度<1E20 atom/cm3，高低结形成势垒高度，进而提升Voc。本发明中的工艺流程制作较简化，适合批量量产。
本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种双面选择性发射极高效晶硅电池的制备方法，所述制备方法具体步骤如下：
(1)双面制绒：以N型高少子寿命的单晶硅片作为硅衬底，于槽式机台里，先进行碱/双氧水预清洗，而后进行快速制绒，形成较小的绒面结构，减薄量控制在0.4-0.6g。
预清洗时，KOH:H2O2＝1:5-1:2(体积比)，温度维持在65-85℃，时间1.5-4min；快速制绒时，KOH:添加剂＝5:1-9:1(体积比)，温度维持在70-85℃，时间约4-11min。
其中，添加剂按照质量份数其组成如下：5-7份乳酸钠、5-11份界面活性剂(由氢氧化钠和聚醚改性聚硅氧烷消泡剂按照1:1-1:3的质量比组成)、1-2份甲基葡萄糖聚氧乙烯醚；2-3份葡萄糖；1-2份聚丙烯酰胺；77-85份去离子水。
此为无醇制绒添加剂能有效改善制绒产品所存在的气泡粘附、硅片漂浮、硅片跳动等现象所带来的产品不良。
(2)P+层本征硅及厚氧化层沉积：正面利用管式低压化学气相沉积形成遂穿超薄氧化铝，及本征多晶硅和厚氧化层(此氧化层为掩膜层)。
形成遂穿超薄氧化铝及本征多晶硅和厚氧化层的具体方法为；在管式LPCVD(低压气相化学沉积)内，氧化铝沉积温度维持在200-300℃，TMA(三甲基铝)：H2O(水气)＝1：1(体积比)，时间8-15min，厚度1-5nm；而后进行本征多晶硅沉积，沉积温度550-650℃，本征多晶硅厚度400-700nm；550-650℃进行热氧化工艺，O2(氧气)20-30L，时间30-90min，氧化层厚度80-150nm。
氧化铝本身为含有较高密度的固定负电荷，其可以使多子空穴遂穿进入多晶硅层，同时阻挡少子电子复合，进而空穴在多晶硅层横向传输被金属收集，从而极大地降低了金属接触复合电流，提升了电池的开路电压和短路电流。
(3)利用掩膜印刷/喷墨的方式形成细栅图形。
(4)去除正面非掩膜区域的本征多晶硅：利用酸刻蚀HF(氢氟酸):HNO3(硝酸)的方式去除非掩膜区域的本征多晶硅，再用KOH碱洗去除蜡印以及用HF酸洗去除氧化层。
其中，HF(氢氟酸):HNO3(硝酸)＝1:4-1:2(体积比)；KOH质量浓度3-5％，HF质量浓度3-5％。
(5)P+及P++层扩散：通过硼掺杂(气相BCl3、液相BBr3)或者旋涂的方式，分别形成了较低表面浓度7-9E18 atom/cm3的P+层，方阻控制为150-200ohm及较高表面浓度的1-3E20 atom/cm3 P++层，方阻控制为70-100ohm(由于poly结构的存在会提升表面掺杂浓度)。此结构利于提升开路电压(Voc)。
(6)去背面非掩膜区域的本征多晶硅：利用链式碱洗单面去除绕镀至背面的多晶硅层，而后用HF进行背面的清洗；
其中，碱洗采用3-5％质量浓度的氢氧化钾，HF的质量浓度2-5％；
(7)N++层扩散：对背面进行氧化，及沉积本征多晶硅，而后进行磷(P)扩掺杂，形成遂穿氧化钝化层，此为N++层，具有双层poly的结构，通过磷掺杂高温退火的方式形成本征多晶硅结构，此结构具有良好的钝化特性。
具体过程为：在管式LPCVD(低压气相化学沉积)内，氧化硅沉积温度维持在550-650℃，O2(氧气)1-3L，时间15-30min，厚度1-3nm；而后进行本征多晶硅沉积，沉积温度550-650℃，本征多晶硅厚度150-300nm；而后于低压扩散炉内进行高温退火，沉积温度维持在800-950℃，携带POCl3的N2流量(LN2)：O2＝1:3-1:1(体积比)，方阻控制在40-70Ω/□；ECV掺杂表面浓度为4-7E20atom/cm3。
遂穿超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，从而极大地降低了金属接触复合电流，提升了电池的开路电压和短路电流。
(8)再次通过进行掩膜印刷/喷墨的方式形成背面细栅图形；
(9)背面抛光面形成：利用链式清洗机质量浓度3-5％HF清洗去除PSG，之后用碱抛光的方式去除多晶硅层并形成光滑的抛光面(可有效的提升钝化性能)；再用碱洗质量浓度3-6％KOH/NaOH去除蜡印以及用质量浓度3-6％HF酸洗去除氧化层；
其中，碱抛光时，(KOH)：抛光添加剂＝2:1-4:1(体积比)，温度维持在70-85℃，时间约4-8min；
其中，抛光添加剂按照质量份数其组成如下：1-3份苯甲酸钠、4-7份界面活性剂(由氢氧化钠和聚醚改性聚硅氧烷消泡剂按照1:1-1:3的质量比组成)、0.1-4份柠檬酸纳、0.1-2份十六烷基三甲基氧化胺、0.5-2份聚乙二醇、0.5-5份烷基多糖苷、5-8份棕榈酸、70-80份去离子水。
(10)N+层形成：对背面的抛光面区域进行管式的遂穿氧化及本征多晶硅二合一工艺，而后进行P(磷)扩，形成了N+层。其是在抛光面上生长薄氧化层后生长较薄的本征非晶硅，通过磷掺杂高温退火的方式形成本征多晶硅结构，有效地规避了Poly的吸光性能；
具体过程为：在管式LPCVD(低压气相化学沉积)内，氧化硅沉积温度维持在550-650℃，O2(氧气)1-3L，时间15-30min，厚度1-3nm；而后进行本征多晶硅沉积，沉积温度550-650℃，本征多晶硅厚度50-100nm；而后于低压扩散炉内进行高温退火，沉积温度维持在800-950℃，方阻控制在180-250Ω/□；ECV掺杂表面浓度为5-9E19 atom/cm3；
(11)去正面多晶硅绕镀：利用3-6％质量浓度HF去除绕镀至正面的PSG及碱抛的方式进行正面多晶硅去除；之后利用3-6％质量浓度HF酸洗去除正背面的BSG及PSG，最后用RCA清洗采用HCl于臭氧(O3)水(其中臭氧浓度为20-25ppm)中体积浓度0.05-1％清洗2-4min获取较洁净的表面；碱抛时，氢氧化钾(KOH):抛光添加剂＝1:1-4:1(体积比)，温度维持在75-85℃，时间约2-4min；
其中，抛光添加剂按照质量份数其组成如下：1-3份苯甲酸钠、4-7份界面活性剂(由氢氧化钠和聚醚改性聚硅氧烷消泡剂按照1:1-1:3的质量比组成)、0.1-4份柠檬酸纳、0.1-2份十六烷基三甲基氧化胺、0.5-2份聚乙二醇、0.5-5份烷基多糖苷、5-8份棕榈酸、70-80份去离子水。
(12)钝化层生长：正面氧化铝厚度控制在3-10nm，对硼掺杂面起到有效的化学钝化作用；及正背面氮化硅钝化在正背面形成良好的场钝化效果；厚度控制在80-90nm，折射率1.8-2.1；
(13)丝网印刷：丝网印刷形成P++、N++finger；正面采用烧穿型银铝浆浆料与硼掺杂多晶硅形成良好的接触；背面为非烧穿型银浆浆料与磷掺杂多晶硅形成良好的接触。最终经过700-850℃烧结工艺完成成品制作。
本发明方法得到的晶硅电池的结构为：以N型高少子寿命的硅片作为基体(1)，正面依次为遂穿氧化铝层(2)，重掺杂硼本征多晶硅形成P++层(3)，轻掺杂硼形成P+层(4)，钝化氧化铝层(8)，氮化硅钝化层(9)，P+finger(11)；背面依次为遂穿氧化重掺杂磷本征多晶硅形成N++层(5)，遂穿氧化层(6)，轻掺杂磷本征多晶硅形成N+层(7)；氮化硅钝化层(10)，N+finger(12)。
本发明的有益效果为：
1、正背面均采用选择性发射极的结构，可有效地提升Voc(开路电压)；
2、正面P++为遂穿氧化铝多晶硅的结构，不仅起到钝化效果，同时还提升了表面掺杂浓度有效地规避了单纯硼掺杂无法形成高表面浓度的劣势，进而提升Voc(开路电压)及FF(填充因子)；
3、采用一步硼扩散的方式即可形成正面的P+及P++层；
4、背面N+层为抛光面，可有效地提升Voc(开路电压)，同时背面本征多晶硅为较薄的厚度，可规避其吸光性，进而提升Isc(短路电流)。
附图说明
图1为双面选择性发射极高效晶硅电池结构示意图；
附图1中的标记说明：1为N型高少子寿命硅片基体；2为遂穿氧化铝层，3为正面重掺杂本征多晶硅层；4为P+层；5为N++层；6为遂穿氧化层；7为本征多晶硅形成N+层；8为氧化铝钝化层；9/10均为氮化硅钝化层；11为P+finger；12为N+finger；
图2为双面制绒结构示意图；
图3为遂穿氧化铝、本征多晶硅及氧化层结构示意图；
图4为正面蜡印掩膜结构示意图；
图5为清洗蜡印结构示意图；
图6为正面SE(选择性发射极)形成结构示意图；
图7为去除背面绕镀清洗结构示意图；
图8为背面氧化硅及掺杂多晶硅N+层结构示意图；
图9为背面蜡印掩膜结构示意图；
图10为清洗蜡印及轻扩区域抛光结构示意图；
图11为N++层结构示意图；
图12为清洗去除正背面绕镀及BSG(硼硅玻璃)、PSG(磷硅玻璃)结构示意图；
图13为钝化结构示意图；
图14为丝网印刷结构示意图；
图15为常规N型TOPCon电池结构示意图：
标记说明：1为N型高少子寿命硅片基体；2为P+层；3为遂穿氧化层；4为掺杂本征多晶硅形成N+层；5为氧化铝钝化层；6/7均为氮化硅钝化层；8为P+finger；9为N+finger；
图16为背面SE-N型TOPCon电池结构示意图：
标记说明：1为N型高少子寿命硅片基体；2为P+层；3为重掺杂磷本征多晶硅形成N++层；4为遂穿氧化层；5为轻掺杂磷本征多晶硅形成N+层；6为氧化铝钝化层；7/8均为氮化硅钝化层；9为P+finger；10为N+finger。
具体实施方式
本发明用下列实施例来进一步说明本发明的技术特征，但本发明的保护范围并非限于下列实施例。
实施例1
一种双面选择性发射极高效晶硅电池具体电池制作步骤如下：
采用高少子寿命的N型硅片作为基底(1)，其电阻率0.8Ω.cm，少子寿命>1ms。
(1)双面制绒，于槽式机台里，先采用KOH:H2O2＝1:3进行预清洗2min，温度维持在75℃；而后于KOH:添加剂＝8:1(添加剂按照份数其组成如下：5份乳酸钠、8份界面活性剂(其中，氢氧化钠:聚醚改性聚硅氧烷消泡剂＝1:2(质量比))、1份甲基葡萄糖聚氧乙烯醚；2份葡萄糖；1份聚丙烯酰胺；83份去离子水)，温度维持在80℃，时间7min进行快速制绒；减薄量控制在0.55g左右。
(2)正面沉积本征多晶硅及遂穿氧化铝(2)，在管式LPCVD(低压气相化学沉积)内，氧化铝沉积温度维持在250℃，TMA(三甲基铝)：H2O(水气)＝1：1，时间14min，厚度3nm；而后进行本征多晶硅沉积，沉积温度600℃，SiH4(硅烷)流量500sccm，时间90min，压力30mbar，本征多晶硅厚度500nm；600℃进行热氧化工艺，O2(氧气)30L，时间40min。此氧化层为掩膜层。
(3)正面选择性图形，利用喷涂蜡印的方式形成正面SE(选择性发射极)图形。然后进行HF(氢氟酸):HNO3(硝酸)＝1:3进行非掩膜区域的刻蚀，再进行5％浓度KOH清洗去除蜡印，最后用3％浓度的HF清洗去除氧化层。
(4)正面P++层(3)及P+层(4)，在管式低压扩散炉内，利用BCl3:O2＝1:2，沉积温度860℃沉积10min，推进温度980℃进行40min，P+层方阻控制为160ohm，ECV掺杂表面浓度为8-9E18 atom/cm3，P++层方阻控制为90ohm，ECV掺杂表面浓度为1E20atom/cm3。
(5)去除背面绕镀的多晶硅，利用5％浓度的氢氧化钾(KOH)单面去除多晶硅，而后用2％浓度的HF进行背面的清洗。
(6)背面N++层(5)，在管式LPCVD(低压气相化学沉积)内，氧化硅沉积温度维持在600℃，O2(氧气)2L，时间20min，厚度1.5nm；而后进行本征多晶硅沉积，沉积温度600℃，SiH4(硅烷)流量550sccm，时间40min，压力29mbar，本征多晶硅厚度200nm；而后于低压扩散炉内进行高温退火，沉积温度维持在850℃，LN2(携带POCl3的N2流量)：O2流量＝1：2；低压70mbar，时间30min，高温退火900℃，时间40min；方阻控制在60Ω/□；ECV掺杂表面浓度为5E20atom/cm3。
(7)背面选择性图形，利用喷涂蜡印的方式形成正面SE(选择性发射极)图形。然后利用链式清洗机进行5％浓度的HF清洗，使用碱抛光工艺氢氧化钾(KOH)：抛光添加剂＝3:1(抛光添加剂按照份数其组成如下：2份苯甲酸钠、6份界面活性剂(氢氧化钠:聚醚改性聚硅氧烷消泡剂＝1:1.5(质量比))、3份柠檬酸纳、1份十六烷基三甲基氧化胺、1.5份聚乙二醇、3.5份烷基多糖苷、6份棕榈酸、77份去离子水)，温度维持在75℃，时间约6min，进行多晶硅去除；再进行5％浓度KOH清洗去除蜡印，最后用3％浓度的HF清洗去除背面氧化层。
(8)背面N+层(7)，在管式LPCVD(低压气相化学沉积)内，氧化硅(6)沉积温度维持在600℃，O2(氧气)2L，时间20min，厚度1.5nm；而后进行本征多晶硅沉积，沉积温度600℃，SiH4(硅烷)流量550sccm，时间15min，压力29mbar，本征多晶硅厚度70nm；而后于低压扩散炉内进行高温退火，沉积温度维持在850℃，LN2：O2流量＝1：4；低压70mbar，时间25min，退火温度850℃，时间20min；方阻控制在230Ω/□；ECV掺杂表面浓度为6E19atom/cm3。
(9)去除正面绕镀的多晶硅，利用3％浓度的HF去除绕镀至正面的PSG，而后利用槽式碱抛光工艺氢氧化钾(KOH):抛光添加剂＝2.5:1(抛光添加剂按照份数其组成如下：2份苯甲酸钠、6份界面活性剂(氢氧化钠:聚醚改性聚硅氧烷消泡剂＝1:2(质量比))、3份柠檬酸纳、1份十六烷基三甲基氧化胺、1份聚乙二醇、3份烷基多糖苷、6份棕榈酸、78份去离子水)，温度维持在75℃时间约3min，进行正面多晶硅去除，最后进行5％浓度HF清洗正背面的硼硅玻璃及磷硅玻璃。之后利用0.05％体积浓度的HCL/O3水(含臭氧浓度22ppm)清洗2min获取较洁净的表面。
(10)正背面钝化层，利用原子层沉积(ALD)技术进行正面钝化氧化铝(AlOx)(8)，厚度控制在7nm；而后对正背面镀氮化硅(9)/(10)，厚度控制在85nm，折射率1.9。
(11)丝网印刷，印刷主细栅，正面采用烧穿型银铝浆浆料，背面为非烧穿型银浆浆料。最终经过800℃烧结工艺温度完成成品制作。
本实施例得到的电池的具体性能参数见表1。
表1
Figure BDA0002438520360000101
实施例2
一种双面选择性发射极高效晶硅电池具体电池制作步骤如下：
采用高少子寿命的N型硅片作为基底(1)，其电阻率1.5Ω.cm，少子寿命>1.5ms。
(1)双面制绒，于槽式机台里，先进行预清洗2min，KOH:H2O2＝1:4，温度维持在80℃；而后于KOH:添加剂＝7:1(添加剂按照份数其组成如下：6份乳酸钠、9份界面活性剂(氢氧化钠:聚醚改性硅硅氧烷消泡剂＝1:2.5(质量比))、1.5份甲基葡萄糖聚氧乙烯醚；2份葡萄糖；1.5份聚丙烯酰胺；80份去离子水)，温度维持在75℃，时间7min进行快速制绒。减薄量控制在0.5g左右；
(2)正面沉积本征多晶硅及遂穿氧化铝(2)，在管式LPCVD(低压气相化学沉积)内，氧化铝沉积温度维持在300℃，TMA(三甲基铝)：H2O(水气)＝1：1，时间10min，厚度3.5nm；而后进行本征多晶硅沉积，沉积温度620℃，SiH4(硅烷)流量550sccm，时间100min，压力35mbar，本征多晶硅厚度600nm；620℃进行热氧化工艺，O2(氧气)20L，时间30min。此氧化层为掩膜层。
(3)正面选择性图形，利用印刷蜡印的方式形成正面SE(选择性发射极)图形。然后进行HF(氢氟酸):HNO3(硝酸)＝1:2.5进行非掩膜区域的刻蚀，再进行4％浓度KOH清洗去除蜡印，最后用4％浓度的HF清洗去除氧化层。
(4)正面P++层(3)及P+层(4)，利用旋涂的方式在硅片表面沉积硼源(75％丙二醇单甲醚，8％硼酸，17％水)耗量0.5mg，在常压扩散炉内，温度960℃推进60min，P+层方阻控制为170ohm，ECV掺杂表面浓度为7-8E18atom/cm3P++层方阻控制为80ohm，ECV掺杂表面浓度为1.5E20atom/cm3。
(5)去除背面绕镀的多晶硅，利用4％浓度的氢氧化钾(KOH)单面去除多晶硅，而后用3％浓度的HF进行背面的清洗。
(6)背面N++层(5)，在管式LPCVD(低压气相化学沉积)内，氧化硅沉积温度维持在580℃，O2(氧气)3L，时间20min，厚度1.8nm；而后进行本征多晶硅沉积，沉积温度580℃，SiH4(硅烷)流量600sccm，时间50min，压力30mbar，本征多晶硅厚度250nm；而后于低压扩散炉内进行高温退火，沉积温度维持在850℃，LN2：O2流量＝1：1；低压60mbar，时间25min，高温退火900℃，时间60min；方阻控制在55Ω/□；ECV掺杂表面浓度为6E20atom/cm3。
(7)背面选择性图形，利用喷涂蜡印的方式形成正面SE(选择性发射极)图形。然后利用链式清洗机进行4％浓度的HF清洗，使用碱抛光工艺氢氧化钾(KOH)：抛光添加剂＝3.5:1(抛光添加剂按照份数其组成如下：3份苯甲酸钠、5份界面活性剂(氢氧化钠:聚醚改性聚硅氧烷消泡剂＝1:2(质量比))、3份柠檬酸纳、2份十六烷基三甲基氧化胺、1份聚乙二醇、4份烷基多糖苷、7份棕榈酸、75份去离子水)，温度维持在80℃，时间约7min，进行多晶硅去除；再进行6％浓度KOH清洗去除蜡印，最后用5％浓度的HF清洗去除背面氧化层。
(8)背面N+层(7)，在管式LPCVD(低压气相化学沉积)内，氧化硅(6)沉积温度维持在580℃，O2(氧气)3L，时间20min，厚度1.8nm；而后进行本征多晶硅沉积，沉积温度580℃，SiH4(硅烷)流量600sccm，时间20min，压力30mbar，本征多晶硅厚度50nm；而后于低压扩散炉内进行高温退火，沉积温度维持在850℃，LN2：O2流量＝1：5；低压60mbar，时间20min，退火850℃，时间10min；方阻控制在250Ω/□；ECV掺杂表面浓度为7E19atom/cm3。
(9)去除正面绕镀的多晶硅，利用4％浓度的HF去除绕镀至正面的PSG，而后利用槽式碱抛光工艺氢氧化钾(KOH):抛光添加剂＝1.3:1(抛光添加剂按照质量份数其组成如下：3份苯甲酸钠、5份界面活性剂(氢氧化钠:聚醚改性聚硅氧烷消泡剂＝1:2(质量比))、2份柠檬酸纳、2份十六烷基三甲基氧化胺、1份聚乙二醇、4份烷基多糖苷、7份棕榈酸、76份去离子水)，温度维持在75℃时间约3min，进行正面多晶硅去除，最后进行6％浓度HF清洗正背面的硼硅玻璃及磷硅玻璃。之后利用0.1％体积浓度的HCL/O3水(臭氧含量24ppm)清洗3min获取较洁净的表面。
(10)正背面钝化层，利用原子层沉积(ALD)技术进行正面钝化氧化铝(AlOx)(8),厚度控制在5nm；而后对正背面镀氮化硅(9)/(10)，厚度控制90nm，折射率2.0。
(11)丝网印刷，印刷细栅，正面采用烧穿型银铝浆浆料，背面为非烧穿型银浆浆料。最终经过750℃烧结工艺温度完成成品制作。
本实施例得到的电池的具体性能参数见表2。
表2
Figure BDA0002438520360000131
对比实施例1
常规N型TOPCon电池：
(1)双面制绒
以N型高少子寿命的单晶硅片作为硅衬底，其电阻率0.8Ω.cm，少子寿命>1ms，于槽式机台里，先采用KOH:H2O2＝1:3进行预清洗2min，温度维持在75℃；而后于KOH:添加剂(同实施例1)＝8:1，温度维持在80℃，时间7min进行快速制绒。减薄量控制在0.55g左右。
(2)硼扩散
在管式低压扩散炉内，利用BCl3:O2＝1:2，沉积温度860℃沉积10min，推进温度980℃进行40min，P++层方阻控制为90ohm，ECV掺杂表面浓度为1-2E19atom/cm3。
(3)背面抛光
利用链式清洗机质量浓度5％HF清洗去除BSG，之后用碱抛光工艺氢氧化钾(KOH)：抛光添加剂＝3:1(同实施例1)，温度维持在75℃，时间约6min,形成光滑的抛光面。
(4)遂穿氧化层及掺杂多晶硅
在管式LPCVD(低压气相化学沉积)内，氧化硅沉积温度维持在600℃，O2(氧气)2L，时间20min，厚度1.5nm；而后进行本征多晶硅沉积，沉积温度600℃，SiH4(硅烷)流量550sccm，时间40min，压力29mbar，本征多晶硅厚度200nm；而后于低压扩散炉内进行高温退火，沉积温度维持在850℃，LN2(携带POCl3的N2流量)：O2流量＝1：2；低压70mbar，时间30min，高温退火900℃，时间40min；方阻控制在60Ω/□；ECV掺杂表面浓度为5E20atom/cm3；
(5)去除正面磷掺杂多晶硅绕镀
利用3％质量浓度的氢氧化钾(KOH)单面去除多晶硅，而后用4％质量浓度的HF去除正背面的硼硅玻璃和磷硅玻璃。
(6)钝化
正面氧化铝厚度控制在7nm，对硼掺杂面起到有效的化学钝化作用；及正背面氮化硅钝化在正背面形成良好的场钝化效果；厚度控制在85nm，折射率1.9；
(7)丝网印刷
印刷细栅，正面采用烧穿型银铝浆浆料，背面为非烧穿型银浆浆料。最终经过800℃烧结工艺温度完成成品制作。
对比实施例2
背面SE-N型TOPCon电池：
(1)双面制绒
以N型高少子寿命的单晶硅片作为硅衬底，其电阻率0.8Ω.cm，少子寿命>1ms，于槽式机台里，先采用KOH:H2O2＝1:3进行预清洗2min，温度维持在75℃；而后于KOH:添加剂(同实施例1)＝8:1，温度维持在80℃，时间7min进行快速制绒。减薄量控制在0.55g左右。
(2)硼扩散
在管式低压扩散炉内，利用BCl3:O2＝1:2，沉积温度860℃沉积10min，推进温度980℃进行40min，P++层方阻控制为90ohm，ECV掺杂表面浓度为1-2E19atom/cm3。
(3)去除背面绕镀的硼结
利用链式清洗机HF(氢氟酸):HNO3(硝酸)＝1:4进行刻蚀，形成酸刻蚀面。
(4)背面N++层
在管式LPCVD(低压气相化学沉积)内，氧化硅沉积温度维持在600℃，O2(氧气)2L，时间20min，厚度1.5nm；而后进行本征多晶硅沉积，沉积温度600℃，SiH4(硅烷)流量550sccm，时间40min，压力29mbar，本征多晶硅厚度200nm；而后于低压扩散炉内进行高温退火，沉积温度维持在850℃，LN2(携带POCl3的N2流量)：O2流量＝1：2；低压70mbar，时间30min，高温退火900℃，时间40min；方阻控制在60Ω/□；ECV掺杂表面浓度为5E20atom/cm3；
(5)利用掩膜印刷/喷墨的方式形成细栅图形。
(6)去除正面非掩膜区域的本征多晶硅
利用链式清洗机质量浓度5％HF清洗去除PSG，之后用碱抛光工艺氢氧化钾(KOH)：抛光添加剂＝3:1(同实施例1)，温度维持在75℃，时间约6min，进行多晶硅去除；再进行5％浓度KOH清洗去除蜡印，最后用3％浓度的HF清洗去除背面氧化层。
(7)背面N+层
在管式LPCVD(低压气相化学沉积)内，氧化硅沉积温度维持在600℃，O2(氧气)2L，时间20min，厚度1.5nm；而后进行本征多晶硅沉积，沉积温度600℃，SiH4(硅烷)流量550sccm，时间15min，压力29mbar，本征多晶硅厚度70nm；而后于低压扩散炉内进行高温退火，沉积温度维持在850℃，LN2：O2流量＝1：4；低压70mbar，时间25min，退火温度850℃，时间20min；方阻控制在230Ω/□；ECV掺杂表面浓度为6E19atom/cm3；
(8)去除正面绕镀的多晶硅
利用3％浓度的HF去除绕镀至正面的PSG，而后利用槽式碱抛光工艺氢氧化钾(KOH):抛光添加剂(同实施例1)＝2.5:1，温度维持在75℃时间约3min，进行正面多晶硅去除，最后进行5％浓度HF清洗正背面的硼硅玻璃及磷硅玻璃。
(9)正背面钝化层
正面氧化铝厚度控制在7nm，对硼掺杂面起到有效的化学钝化作用；及正背面氮化硅钝化在正背面形成良好的场钝化效果；厚度控制在85nm，折射率1.9；
(10)丝网印刷
印刷细栅，正面采用烧穿型银铝浆浆料，背面为非烧穿型银浆浆料。最终经过800℃烧结工艺温度完成成品制作。

Claims (9)

1.一种双面选择性发射极高效晶硅电池的制备方法，其特征在于：所述制备方法具体步骤如下：
(1)双面制绒：以n型单晶硅片作为硅衬底，于槽式机台里，先进行碱/双氧水预清洗，而后进行快速制绒，形成较小的绒面结构；
(2)正面遂穿氧化铝层和本征多晶硅及氧化层沉积：正面利用管式低压化学气相沉积的方式形成遂穿超薄氧化铝及本征多晶硅和氧化层，氧化层厚度80-150nm；
(3)利用掩膜印刷/喷墨的方式形成细栅图形；
(4)去除正面非掩膜区域的本征多晶硅：利用酸刻蚀的方式去除非掩膜区域的本征多晶硅，再用碱洗方式去除蜡印，用HF酸洗方式去除(2)中形成的氧化层；
(5)P+及P++层扩散：通过硼掺杂或者旋涂的方式，分别形成了P+层及P++层；
(6)去除背面非掩膜区域的本征多晶硅：利用链式碱洗单面去除绕镀至背面的多晶硅层，而后用HF进行背面的清洗；其中，碱洗采用3-5％质量浓度的氢氧化钾，HF的质量浓度2-5％；
(7)N++层扩散：对背面进行氧化及沉积本征多晶硅，而后进行磷扩掺杂，形成遂穿氧化钝化磷掺杂本征多晶硅层；
(8)再次通过掩膜印刷/喷墨的方式形成背面细栅图形；
(9)背面抛光面形成：利用链式清洗机清洗去除PSG，之后用碱抛光的方式去除多晶硅层并形成光滑的抛光面；再用碱洗去除蜡印，HF酸洗方式去除(7)中形成的氧化层；
(10)N+层形成：对背面的抛光面区域进行低压化学气相沉积的遂穿氧化及本征多晶硅二合一工艺，而后进行P扩散，形成了N+层；
(11)去除正面多晶硅绕镀：利用HF去除绕镀至正面的PSG，用碱抛的方式进行正面多晶硅去除；之后用HF酸洗去除正背面的BSG及PSG，最后采用HCL/O3清洗2min获取较洁净的表面；
(12)钝化层生长：正面氧化铝厚度控制在3-10nm；正背面氮化硅钝化厚度控制在80-90nm，折射率1.8-2.1；
(13)丝网印刷：丝网印刷形成P++、N++finger；正面采用烧穿型银铝浆浆料，背面为非烧穿型银浆浆料，最终经过700-850℃烧结工艺温度完成成品制作；
所述晶硅电池的结构为：以N型高少子寿命的硅片作为基体(1)，正面依次为遂穿氧化铝层(2)，重掺杂硼本征多晶硅形成P++层(3)，轻掺杂硼形成P+层(4)，氧化铝钝化层(8)，氮化硅钝化层(9)，P+finger(11)；背面依次为遂穿氧化重掺杂磷本征多晶硅形成N++层(5)，遂穿氧化层(6)，轻掺杂磷本征多晶硅形成N+层(7)；氮化硅钝化层(10)，N+finger(12)。
2.如权利要求1所述的双面选择性发射极高效晶硅电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中预清洗时，KOH与H2O2的体积比为1:5-1:2，温度维持在65-85℃，时间1.5-4min；快速制绒时，KOH与添加剂的体积比为5:1-9:1，温度维持在70-85℃，时间4-11min；减薄量控制在0.4-0.6g。
3.根据权利要求1所述的双面选择性发射极高效晶硅电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)在管式LPCVD内，氧化铝沉积温度维持在200-300℃，TMA(三甲基铝)：H2O(水气)的体积比为1:1，时间8-15min，厚度1-5nm；而后进行本征多晶硅沉积，沉积温度550-650℃，本征多晶硅厚度400-700nm；550-650℃进行热氧化工艺，O2 20-30L，时间30-90min。
4.根据权利要求1所述的双面选择性发射极高效晶硅电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中酸刻蚀时，HF与HNO3的体积比为1:4-1:2；碱洗时，KOH质量浓度3-5％，酸洗时，HF质量浓度3-5％。
5.根据权利要求1所述的双面选择性发射极高效晶硅电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中通过硼掺杂或者旋涂的方式，分别形成了表面浓度7-9E18 atom/cm3的P+层，方阻控制为150-200ohm及表面浓度1-3E20 atom/cm3的P++层，方阻控制为70-100ohm。
6.根据权利要求1所述的双面选择性发射极高效晶硅电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(7)在管式LPCVD，氧化硅沉积温度维持在550-650℃，O2 1-3L，时间15-30min，厚度1-3nm；而后进行本征多晶硅沉积，沉积温度550-650℃，本征多晶硅厚度150-300nm；而后于低压扩散炉内进行高温退火，沉积温度维持在800-950℃，方阻控制在40-70Ω/□；ECV掺杂表面浓度为4-7E20 atom/cm3。
7.根据权利要求1所述的双面选择性发射极高效晶硅电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(9)中去除PSG采用3-5％质量浓度的HF清洗，碱抛光时，KOH/NaOH与抛光添加剂的体积比为2:1-4:1，温度维持在70-85℃，时间4-8min；碱洗用3-6％质量浓度的KOH/NaOH；酸洗用3-6％质量浓度的HF。
8.根据权利要求1所述的双面选择性发射极高效晶硅电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(10)在管式LPCVD内，氧化硅沉积温度维持在550-650℃，O2 1-3L，时间15-30min，厚度1-3nm；而后进行本征多晶硅沉积，沉积温度550-650℃，本征多晶硅厚度50-100nm；而后于低压扩散炉内进行高温退火，沉积温度维持在800-950℃，方阻控制在180-250Ω/□；ECV掺杂表面浓度为5-9E19atom/cm3。
9.根据权利要求1所述的双面选择性发射极高效晶硅电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(11)中HF质量浓度3-6％，碱抛时，氢氧化钾与抛光添加剂的体积比为1:1-4:1，温度维持在75-85℃，时间2-4min，HCl于臭氧(O3)水中体积浓度0.05-1％。
CN202010258865.3A 2020-04-03 2020-04-03 一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法 Active CN111524983B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010258865.3A CN111524983B (zh) 2020-04-03 2020-04-03 一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010258865.3A CN111524983B (zh) 2020-04-03 2020-04-03 一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111524983A CN111524983A (zh) 2020-08-11
CN111524983B true CN111524983B (zh) 2021-07-27

Family

ID=71902476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010258865.3A Active CN111524983B (zh) 2020-04-03 2020-04-03 一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111524983B (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112201701B (zh) 2020-09-30 2024-05-03 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池和光伏组件
CN112466995A (zh) * 2020-11-23 2021-03-09 宁波尤利卡太阳能股份有限公司 一种perc电池的单晶制绒方法
CN114628545B (zh) * 2020-11-27 2023-07-14 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 碱抛光perc电池制作工艺
CN112670352B (zh) * 2020-12-16 2023-08-01 正泰新能科技有限公司 一种应用于接触钝化电池的钝化结构及其制备方法
CN112670353A (zh) * 2020-12-17 2021-04-16 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种硼掺杂选择性发射极电池及其制备方法
CN113140655B (zh) * 2021-04-01 2024-05-24 常州顺风太阳能科技有限公司 一种背面选择性发射极topcon电池的制备方法
CN113113324B (zh) * 2021-04-07 2024-02-06 捷捷半导体有限公司 一种钝化层制作方法
CN113193081A (zh) * 2021-04-27 2021-07-30 常州顺风太阳能科技有限公司 一种空穴选择性钝化接触电池的制备方法
CN113471305B (zh) * 2021-07-01 2023-05-26 同翎新能源(扬州)有限公司 一种选择性钝化接触结构电池及其制备方法
CN113571411B (zh) * 2021-07-12 2024-04-05 江苏顺风新能源科技有限公司 N型TOPCon太阳能电池的制作方法
CN114141906A (zh) * 2021-11-22 2022-03-04 西安蓝桥新能源科技有限公司 一种用于topcon电池去绕镀的添加剂及其应用
CN114361290B (zh) * 2021-11-30 2022-07-15 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 一种去除TOPCon电池制作的poly-Si绕镀的添加剂及其清洗工艺
CN114497278B (zh) * 2022-01-07 2023-09-22 通威太阳能(眉山)有限公司 基于PECVD的TOPCon电池硼扩SE的制作方法
CN116364794A (zh) 2022-04-11 2023-06-30 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法
CN116722049A (zh) 2022-04-11 2023-09-08 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
CN114975643B (zh) * 2022-06-29 2023-10-03 韩华新能源（启东）有限公司 N-TOPCon光伏太阳能电池制备方法及太阳能电池
CN115172528B (zh) * 2022-07-28 2023-11-10 安徽晶科能源有限公司 一种太阳能电池及其制备工艺、光伏组件
CN115692534B (zh) * 2022-12-14 2023-03-28 浙江晶科能源有限公司 一种太阳能电池及光伏组件
CN116864568B (zh) * 2023-06-30 2024-04-09 淮安捷泰新能源科技有限公司 一种双面SE的TOPcon太阳能电池制备方法
CN116705915B (zh) * 2023-08-04 2023-10-20 常州亿晶光电科技有限公司 一种新型双面TOPCon电池的制备方法
CN116741892B (zh) * 2023-08-16 2023-11-07 常州亿晶光电科技有限公司 一种硼掺杂选择性发射极电池的制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016011140A1 (en) * 2014-07-15 2016-01-21 Natcore Technology, Inc. Laser-transferred ibc solar cells
CN107482079A (zh) * 2016-06-02 2017-12-15 上海神舟新能源发展有限公司 选择性发射结及隧穿氧化高效n型电池制备方法
CN107946405B (zh) * 2017-11-16 2019-10-18 隆基乐叶光伏科技有限公司 一种钝化接触太阳能电池的制作方法
CN109346549A (zh) * 2018-10-23 2019-02-15 上海神舟新能源发展有限公司 N型双面太阳电池及其制备方法
CN110299422B (zh) * 2019-06-28 2021-05-28 天合光能股份有限公司 一种激光硼掺杂选择性发射极TOPCon结构电池及其制备方法
CN110504332A (zh) * 2019-09-04 2019-11-26 韩华新能源（启东）有限公司 一种perc电池的制备方法及双面选择性发射极perc电池
CN110634996A (zh) * 2019-09-27 2019-12-31 浙江晶科能源有限公司 一种钝化结构的制作方法、钝化结构和光伏电池

Also Published As

Publication number Publication date
CN111524983A (zh) 2020-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111524983B (zh) 一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法
CN113972302B (zh) TOPCon电池及其制备方法和电器设备
CN111029438B (zh) 一种n型钝化接触太阳能电池的制备方法
CN116525708B (zh) 正面宽带隙掺杂的联合钝化背接触太阳电池及其制备方法
CN112490304A (zh) 一种高效太阳能电池的制备方法
CN111785809A (zh) 钝化接触电池的制备方法
CN112349802B (zh) 一种铸锭单晶或多晶非晶硅异质结太阳电池的制作方法
CN116705915B (zh) 一种新型双面TOPCon电池的制备方法
WO2024037167A1 (zh) 太阳能电池及其制备方法和光伏组件
CN115394863A (zh) 一种太阳电池及其制备方法
CN116014032A (zh) 太阳电池的制备方法
CN111524999A (zh) 一种遂穿氧化钝化电池的制备方法
CN116666479B (zh) 一种双面发电的高效选择性发射极晶硅电池及其制备方法
CN117673207A (zh) 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件
CN210956692U (zh) Perc电池
CN116314471A (zh) 一种背面se结构制备方法
CN117199186A (zh) 一种N-TOPCon电池的制作方法
CN218160392U (zh) 一种太阳能电池
CN113571411B (zh) N型TOPCon太阳能电池的制作方法
CN115621362A (zh) 一种TOPCon电池的制备方法
CN115692516A (zh) 一种新型topcon电池及其制作方法
CN112071928B (zh) 一种perc电池片的制备方法
CN115020508A (zh) 一种全背接触太阳能电池及其制作方法
CN109802009B (zh) 一种超薄晶体硅双面太阳能电池的制备方法
CN114023636A (zh) 一种硼扩SE结构的高效N型TOPCon电池制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20210126

Address after: Gehu Lake Road Wujin District 213164 Jiangsu city of Changzhou province No. 1

Applicant after: CHANGZHOU University

Applicant after: Changzhou Shunfeng Solar Energy Technology Co.,Ltd.

Address before: Gehu Lake Road Wujin District 213164 Jiangsu city of Changzhou province No. 1

Applicant before: CHANGZHOU University

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant