CN111522324A - 半导体温控装置的测试方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents

半导体温控装置的测试方法、装置、电子设备及存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种半导体温控装置的测试方法、装置、电子设备及存储介质，通过确定至少一个测试温度点的预设测试参数；并根据预设测试参数控制半导体温控装置运行，采集测试温度点的实际温度值；生成至少包括实际温度值的测试结果。本发明实施例改变了现有技术中需要人工操作测试环节的方式，降低了人工参与程度，提高了调试的效率。

Description

半导体温控装置的测试方法、装置、电子设备及存储介质
技术领域
本发明涉及控制技术领域，尤其涉及一种半导体温控装置的测试方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
半导体温控装置用来在集成电路制造工艺中提供稳定流量、稳定温度的循环液体。在样机测试阶段、量产调试、不同机型数据对比时，都需要进行大量调试及功能验证测试的工作，其中包括各个温度点的EXP调试、不同设备温度曲线对比、空载测试、负载测试、升降温测试等。现有技术中各项测试都需要人工来操作各个环节，自动化程度较低。
鉴于此，提供一种降低人工参与程度、提高自动化程度的半导体温控装置的测试方法及装置是非常有必要的。
发明内容
本发明实施例提供一种半导体温控装置的测试方法及装置，用以解决现有技术中需要人工操作各个测试环节、自动化程度较低的缺陷。
本发明实施例提供一种半导体温控装置的测试方法，包括：
确定至少一个测试温度点的预设测试参数；所述预设测试参数至少包括设定温度值以及运行时间；
根据所述预设测试参数控制所述半导体温控装置运行，采集所述测试温度点的实际温度值；
生成至少包括所述实际温度值的测试结果。
可选地，在所述采集所述测试温度点的实际温度值之后还包括：
基于所述测试温度点的实际温度值，生成实际温度值随时间变化的温度曲线。
可选地，所述半导体温控装置的测试方法还包括：
判断所述测试温度点是否为稳定状态；
如果是，则采集所述半导体温控装置中加热器的输出值；
根据所述输出值调整电子膨胀阀的开度值，以使所述加热器的输出值在预设范围内。
可选地，所述判断所述测试温度点是否为稳定状态包括：
在累计时间内满足以下判断条件时，确定所述测试温度点为稳定状态；
所述判断条件包括：
确定所述测试温度点所在通道的出口目标温度和出口实际温度的差值低于预设第一阈值；
确定所述测试温度点所在通道的回口目标温度和回口实际温度的差值低于预设第二阈值；
获取预设第一时间内采集的出口实际温度中的第一最大值和第一最小值，确定所述第一最大值和第一最小值的差值低于预设第三阈值；
获取预设第二时间内采集的回口实际温度中的第二最大值和第二最小值，确定所述第二最大值和第二最小值的差值低于预设第四阈值。
可选地，在所述根据所述输出值调整电子膨胀阀的开度值，以使所述加热器的输出值在预设范围内之后还包括：
采集调整后所述测试温度点的实际温度值、实际温度值与设定温度值的误差值、加热器的输出值、电子膨胀阀的开度初始值、电子膨胀阀的开度修正值。
可选地，所述根据所述输出值调整电子膨胀阀的开度值，以使所述加热器的输出值在预设范围内包括：
若所述加热器的输出值超过所述预设范围且超出量大于预设第五阈值时，按照第一调整值调整所述电子膨胀阀的开度值；
否则，按照第二调整值调整所述电子膨胀阀的开度值，所述第一调整值大于所述第二调整值。
可选地，所述半导体温控装置的测试方法还包括：
确定负载参数；
根据所述负载参数控制负载装置运行，采集运行过程中出口实际温度的第三最大值和第三最小值；
基于所述第三最大值和所述第三最小值，确定负载控制精度；
优选地，所述基于所述第三最大值和所述第三最小值，确定负载控制精度包括：
确定所述第三最大值与所述设定温度值的差值绝对值，作为第一绝对值；
确定所述第三最小值与所述设定温度值的差值绝对值，作为第二绝对值；
将所述第一绝对值与所述第二绝对值中的较大值确定为负载控制精度。
本发明实施例提供了一种半导体温控装置的测试装置，包括：
确定模块，用于确定至少一个测试温度点的预设测试参数；所述预设测试参数至少包括设定温度值以及运行时间；
采集模块，用于根据所述预设测试参数控制所述半导体温控装置运行，采集所述测试温度点的实际温度值；
生成模块，用于生成至少包括所述实际温度值的测试结果。
本发明实施例提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述任一种所述半导体温控装置的测试方法的步骤。
本发明实施例提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述任一种所述半导体温控装置的测试方法的步骤。
本发明实施例提供的半导体温控装置的测试方法、装置、电子设备及存储介质，通过确定至少一个测试温度点的预设测试参数；并根据预设测试参数控制半导体温控装置运行，采集测试温度点的实际温度值；生成至少包括实际温度值的测试结果。本发明实施例改变了现有技术中需要人工操作测试环节的方式，降低了人工参与程度，提高了调试的效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的半导体温控装置的测试方法的一种具体实施方式示意图；
图2为本发明实施例提供的半导体温控装置的测试方法的界面示意图；
图3为本发明实施例提供的半导体温控装置的测试方法的另一种具体实施方式示意图；
图4为本发明实施例提供的半导体温控装置的测试方法的又一种具体实施方式示意图；
图5为本发明实施例提供的半导体温控装置的测试装置的结构框图；
图6为本发明实施例提供的电子设备的实体结构示意图；
图7为本发明实施例提供的半导体温控装置的测试系统示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供的半导体温控装置的测试方法的一种具体实施方式示意图如图1所示，该方法包括：
步骤S101：确定至少一个测试温度点的预设测试参数；所述预设测试参数至少包括设定温度值以及运行时间；
预设测试参数可以为用户预先设定得到，本步骤中确定预设测试参数可以为直接从存储空间读取已存储的预设测试参数，也可以为接收用户通过人机交互界面输入的预设测试参数，这均不影响本发明的实现。预设测试参数可以包括设定温度值以及测试温度点运行时间，还可以包括测试周期、测试周期数量、测试温度点数量等参数。测试温度点的数量可以为一个或多个，当测试温度点为多个时，可以按照一定顺序依次获取对应的预设测试参数，也可以同时获取全部的预设测试参数。
步骤S102：根据所述预设测试参数控制所述半导体温控装置运行，采集所述测试温度点的实际温度值；
在确定预设测试参数之后，依据预设测试参数控制半导体温控装置运行，例如根据对第一测试温度点设置的设定温度值-20.00℃以及测试温度点运行时间1000s，可以控制半导体温控装置在第一测试温度点按照设定温度值-20.00℃运行1000s，并在运行期间采集该测试温度点的实际温度值，以获知该测试温度点的实际温控情况。
步骤S103：生成至少包括所述实际温度值的测试结果。
在得到实际温度值之后，可以根据该实际温度值生成测试结果，该测试结果可以通过人机交互界面显示给用户，以方便用户直接了解半导体温控装置在对应测试温度点的温控情况。进一步地，本发明实施例在采集测试温度点的实际温度值之后还可以包括：基于所述测试温度点的实际温度值，生成实际温度值随时间变化的温度曲线。相应地，该温度曲线也可以通过人机交互界面显示给用户，使得显示更加直观。本发明实施例还可以针对不同设备生成对应的温度曲线，以此来进行不同设备温控性能的对比，有利于对不同设备性能进行直观快速的判定。
本发明实施例提供的半导体温控装置的测试方法，通过确定至少一个测试温度点的预设测试参数；并根据预设测试参数控制半导体温控装置运行，采集测试温度点的实际温度值；生成至少包括实际温度值的测试结果。本发明实施例改变了现有技术中需要人工操作测试环节的方式，降低了人工参与程度，提高了调试的效率。
本发明实施例中测试温度点可以为多个，预设测试参数可以包括设定温度值、运行时间、测试执行周期、测试温度点数量。如图2本发明实施例提供的半导体温控装置的测试方法的界面示意图所示，本实施例中测试温度点数量为20个，执行周期为1，界面中显示了前10个测试温度点对应的设定温度值、运转时间以及已运转时间，设定温度值和运转时间可以由用户设定得到。
在执行某一测试温度点的测试时，首先接收用户输入的预设测试参数，将预设测试参数写入并运行，运行一次结束后进行周期计数，判断设定的执行周期是否完成，如果是，结束循环并复位，如果否，则返回将预设测试参数写入并运行的步骤，直到满足设定的执行周期完成。对于多个测试温度点，在第一测试温度点执行完成后，进入第二测试温度点的执行程序，以此类推，直到全部测试温度点全部执行结束。
在上述任一实施例的基础上，本发明实施例提供的半导体温控装置的测试方法还可以对空载状态的电子膨胀阀开度值进行自动测试。如图3所示，该过程可以具体包括：
步骤S201：判断测试温度点是否为稳定状态；
判断测试温度点是否为稳定状态的一种具体实施方式可以为：在累计时间内满足以下判断条件时，确定所述测试温度点为稳定状态；
所述判断条件包括：
确定所述测试温度点所在通道的出口目标温度和出口实际温度的差值低于预设第一阈值；
确定所述测试温度点所在通道的回口目标温度和回口实际温度的差值低于预设第二阈值；
获取预设第一时间内采集的出口实际温度中的第一最大值和第一最小值，确定所述第一最大值和第一最小值的差值低于预设第三阈值；
获取预设第二时间内采集的回口实际温度中的第二最大值和第二最小值，确定所述第二最大值和第二最小值的差值低于预设第四阈值。
举例来说，半导体温控装置中设置有多个通道，C1、C2、C3……。设SV1为半导体温控装置C1通道的出口目标温度，PV1为C1通道出口目标温度对应的实际温度，SV2为半导体温控装置C1通道的回口目标温度，PV2为C1通道回口目标温度对应的实际温度，T1对应出口温度，T2对应回口温度。T1a、T2a为2s内每隔0.2s采集的对应温度的最大值，T1b、T2b为2s内每隔0.2s采集的对应温度的最小值。
在累计时间t1内均满足|SV1-PV1|＜预设第一阈值Ta，则确定C1温度稳定；满足|SV2-PV2|＜预设第二阈值Td，则确定T2温度差无负荷；满足T1a-T1b小于预设第三阈值Tc，则确定T1无负荷；满足T2a-T2b小于预设第四阈值Tb，则确定T2无负荷。在C1温度稳定、T2温度差无负荷、T1无负荷、T2无负荷这些条件均满足时，可以确定C1在当前时间点瞬时无负荷，在累计时间t2均满足上述条件时，可以最终得到单个温度点的稳定状态标志C1无负荷，即确定该测试温度点为稳定状态。
步骤S202：如果是，则采集所述半导体温控装置中加热器的输出值；
加热器的输出值Hout表征加热器的输出热量的相对百分比，对应的数值为0-100％。
步骤S203：根据所述输出值调整电子膨胀阀的开度值，以使所述加热器的输出值在预设范围内。
加热器的输出值的预设范围可以根据不同的温度范围设定不同的区域。电子膨胀阀的开度值的调整范围及最大范围也可以根据不同的温度设定不同的调整值。本发明实施例中，当加热器的输出值大于预设范围的上限时，可以减少电子膨胀阀的开度值，反之则增加。一种具体调整方式可以为：若所述加热器的输出值超过所述预设范围且超出量大于预设第五阈值时，按照第一调整值调整所述电子膨胀阀的开度值；否则，按照第二调整值调整所述电子膨胀阀的开度值，所述第一调整值大于所述第二调整值。例如，电子膨胀阀增加或减少时第一调整值可以为2个为多个档位，当加热器的输出值与预设范围的距离更接近时，则采用第二调整值来进行微调。
进一步，本发明实施例还可以包括：
步骤S204：采集调整后所述测试温度点的实际温度值、实际温度值与设定温度值的误差值、加热器的输出值、电子膨胀阀的开度初始值、电子膨胀阀的开度修正值。
在上述任一实施例的基础上，本发明实施例提供的半导体温控装置的测试方法还可以对空载状态的负载进行自动测试。在单个温度运行时，通过控制负载装置的加热器输出实现加载状态，回口温度升高；对应的控制负载装置卸载状态时，回口温度降低，从而测试出口温度的控制精度。如图4所示，该过程可以具体包括：
步骤S301：确定负载参数；
在系统运行时，与负载装置建立通讯，设置负载参数，负载参数包括但不限于：加载时间、加载功率、卸载时间和加载次数。
步骤S302：根据所述负载参数控制负载装置运行，采集运行过程中出口实际温度的第三最大值和第三最小值；
步骤S303：基于所述第三最大值和所述第三最小值，确定负载控制精度；
优选地，所述基于所述第三最大值和所述第三最小值，确定负载控制精度包括：
确定所述第三最大值与所述设定温度值的差值绝对值，作为第一绝对值；
确定所述第三最小值与所述设定温度值的差值绝对值，作为第二绝对值；
将所述第一绝对值与所述第二绝对值中的较大值确定为负载控制精度。
例如，设T1c、T1d为负载测试过程中采集的出口温度的最大值和最小值，然后计算T1c与SV的差值绝对值T1e，即T1e＝|T1c-SV|，T1d与SV的差值绝对值T1f，即T1f＝|T1d-SV|，在T1e和T1f取较大者作为该温度下负载控制精度T1g，即T1g＝max(T1e，T1f)。
可见，本发明实施例能够实现半导体温控装置各个温度点的EXP调试、不同设备温度曲线对比、空载测试、负载测试、升降温测试等功能，利用自动化测试代替人工调试，降低了人工参与程度，提高了调试效率。此外，本发明还能够提高测试的一致性和准确性。
本发明实施例提供的半导体温控装置的测试装置的结构框图如图5所示，该装置具体包括：
确定模块100，用于确定至少一个测试温度点的预设测试参数；所述预设测试参数至少包括设定温度值以及运行时间；
采集模块200，用于根据所述预设测试参数控制所述半导体温控装置运行，采集所述测试温度点的实际温度值；
生成模块300，用于生成至少包括所述实际温度值的测试结果。
进一步地，本发明实施例提供的半导体温控装置的测试装置还可以进一步包括：温度曲线生成模块，用于基于所述测试温度点的实际温度值，生成实际温度值随时间变化的温度曲线。
进一步地，本发明实施例提供的半导体温控装置的测试装置还可以进一步包括：电子膨胀阀测试模块，用于判断所述测试温度点是否为稳定状态；如果是，则采集所述半导体温控装置中加热器的输出值；根据所述输出值调整电子膨胀阀的开度值，以使所述加热器的输出值在预设范围内。
进一步地，本发明实施例提供的半导体温控装置的测试装置还可以进一步包括：负载测试模块，用于确定负载参数；根据所述负载参数控制负载装置运行，采集运行过程中出口实际温度的第三最大值和第三最小值；基于所述第三最大值和所述第三最小值，确定负载控制精度。
优选地，所述基于所述第三最大值和所述第三最小值，确定负载控制精度包括：
确定所述第三最大值与所述设定温度值的差值绝对值，作为第一绝对值；
确定所述第三最小值与所述设定温度值的差值绝对值，作为第二绝对值；
将所述第一绝对值与所述第二绝对值中的较大值确定为负载控制精度。
本实施例的半导体温控装置的测试装置用于实现前述的半导体温控装置的测试方法，因此半导体温控装置的测试装置中的具体实施方式可见前文中的半导体温控装置的测试方法的实施例部分，例如确定模块100、采集模块200、生成模块300分别用于实现上述半导体温控装置的测试方法中步骤S101，S102，S103，所以，其具体实施方式可以参照对应的各个部分实施例的描述，在此不再赘述。
图6示例了一种电子设备的实体结构示意图，如图6所示，该电子设备可以包括：处理器(processor)610、通信接口(Communications Interface)620、存储器(memory)630和通信总线640，其中，处理器610，通信接口620，存储器630通过通信总线640完成相互间的通信。处理器610可以调用存储器630中的逻辑指令，以执行如下方法：确定至少一个测试温度点的预设测试参数；所述预设测试参数至少包括设定温度值以及运行时间；根据所述预设测试参数控制所述半导体温控装置运行，采集所述测试温度点的实际温度值；生成至少包括所述实际温度值的测试结果。
在一种实施例例中，处理器610可以调用存储器630中的逻辑指令，以执行如下方法：基于所述测试温度点的实际温度值，生成实际温度值随时间变化的温度曲线。
在一种实施例例中，处理器610可以调用存储器630中的逻辑指令，以执行如下方法：判断所述测试温度点是否为稳定状态；如果是，则采集所述半导体温控装置中加热器的输出值；根据所述输出值调整电子膨胀阀的开度值，以使所述加热器的输出值在预设范围内。
在一种实施例例中，处理器610可以调用存储器630中的逻辑指令，以执行如下方法：确定负载参数；根据所述负载参数控制负载装置运行，采集运行过程中出口实际温度的第三最大值和第三最小值；基于所述第三最大值和所述第三最小值，确定负载控制精度；
优选地，所述基于所述第三最大值和所述第三最小值，确定负载控制精度包括：确定所述第三最大值与所述设定温度值的差值绝对值，作为第一绝对值；确定所述第三最小值与所述设定温度值的差值绝对值，作为第二绝对值；将所述第一绝对值与所述第二绝对值中的较大值确定为负载控制精度。
此外，本发明还提供了一种半导体温控装置的测试系统，包括上述电子设备、半导体温控装置以及负载装置。如图7本发明实施例提供的半导体温控装置的测试系统示意图，本实施例中电子设备可以具体由人机交互界面和控制系统来实现。其中，人机交互界面提供基本测试参数配置、数据的显示、存储、记录等功能，这里可以是触摸屏，或者是上位组态软件。控制系统主要由温度曲线测试、EXP自动调试、负载测试等功能模块组成，整个功能可以通过PLC控制器实现、也可以通过上位机实现。该控制系统可以通过通讯的方式与半导体温控装置或负载装置的PLC控制器进行数据交换，执行控制系统内的具体算法，从而实现半导体温控装置的自动测试。控制系统可以连接1台半导体温控装置，也可以连接多台装置同时进行测试，这均不影响本发明的实现。
此外，上述的存储器630中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
另一方面，本发明实施例还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以执行上述各实施例提供的传输方法，例如包括：确定至少一个测试温度点的预设测试参数；所述预设测试参数至少包括设定温度值以及运行时间；根据所述预设测试参数控制所述半导体温控装置运行，采集所述测试温度点的实际温度值；生成至少包括所述实际温度值的测试结果。
综上，本发明实施例提供的半导体温控装置的测试方法、装置、电子设备及存储介质，通过确定至少一个测试温度点的预设测试参数；并根据预设测试参数控制半导体温控装置运行，采集测试温度点的实际温度值；生成至少包括实际温度值的测试结果。本发明实施例改变了现有技术中需要人工操作测试环节的方式，降低了人工参与程度，提高了调试的效率。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种半导体温控装置的测试方法，其特征在于，包括：
确定至少一个测试温度点的预设测试参数；所述预设测试参数至少包括设定温度值以及运行时间；
根据所述预设测试参数控制所述半导体温控装置运行，采集所述测试温度点的实际温度值；
生成至少包括所述实际温度值的测试结果。
2.根据权利要求1所述的半导体温控装置的测试方法，其特征在于，在所述采集所述测试温度点的实际温度值之后还包括：
基于所述测试温度点的实际温度值，生成实际温度值随时间变化的温度曲线。
3.根据权利要求1所述的半导体温控装置的测试方法，其特征在于，所述半导体温控装置的测试方法还包括：
判断所述测试温度点是否为稳定状态；
如果是，则采集所述半导体温控装置中加热器的输出值；
根据所述输出值调整电子膨胀阀的开度值，以使所述加热器的输出值在预设范围内。
4.根据权利要求3所述的半导体温控装置的测试方法，其特征在于，所述判断所述测试温度点是否为稳定状态包括：
在累计时间内满足以下判断条件时，确定所述测试温度点为稳定状态；
所述判断条件包括：
确定所述测试温度点所在通道的出口目标温度和出口实际温度的差值低于预设第一阈值；
确定所述测试温度点所在通道的回口目标温度和回口实际温度的差值低于预设第二阈值；
获取预设第一时间内采集的出口实际温度中的第一最大值和第一最小值，确定所述第一最大值和第一最小值的差值低于预设第三阈值；
获取预设第二时间内采集的回口实际温度中的第二最大值和第二最小值，确定所述第二最大值和第二最小值的差值低于预设第四阈值。
5.根据权利要求3所述的半导体温控装置的测试方法，其特征在于，在所述根据所述输出值调整电子膨胀阀的开度值，以使所述加热器的输出值在预设范围内之后还包括：
采集调整后所述测试温度点的实际温度值、实际温度值与设定温度值的误差值、加热器的输出值、电子膨胀阀的开度初始值、电子膨胀阀的开度修正值。
6.根据权利要求3所述的半导体温控装置的测试方法，其特征在于，所述根据所述输出值调整电子膨胀阀的开度值，以使所述加热器的输出值在预设范围内包括：
若所述加热器的输出值超过所述预设范围且超出量大于预设第五阈值时，按照第一调整值调整所述电子膨胀阀的开度值；
否则，按照第二调整值调整所述电子膨胀阀的开度值，所述第一调整值大于所述第二调整值。
7.根据权利要求1至6任一项所述的半导体温控装置的测试方法，其特征在于，所述半导体温控装置的测试方法还包括：
确定负载参数；
根据所述负载参数控制负载装置运行，采集运行过程中出口实际温度的第三最大值和第三最小值；
基于所述第三最大值和所述第三最小值，确定负载控制精度；
优选地，所述基于所述第三最大值和所述第三最小值，确定负载控制精度包括：
确定所述第三最大值与所述设定温度值的差值绝对值，作为第一绝对值；
确定所述第三最小值与所述设定温度值的差值绝对值，作为第二绝对值；
将所述第一绝对值与所述第二绝对值中的较大值确定为负载控制精度。
8.一种半导体温控装置的测试装置，其特征在于，包括：
确定模块，用于确定至少一个测试温度点的预设测试参数；所述预设测试参数至少包括设定温度值以及运行时间；
采集模块，用于根据所述预设测试参数控制所述半导体温控装置运行，采集所述测试温度点的实际温度值；
生成模块，用于生成至少包括所述实际温度值的测试结果。
9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至7任一项所述半导体温控装置的测试方法的步骤。
10.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述半导体温控装置的测试方法的步骤。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112162223A (zh) * 2020-08-20 2021-01-01 中国计量科学研究院 Squid器件电磁参数测试方法、装置和计算机设备
CN113721680A (zh) * 2021-09-01 2021-11-30 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 半导体温控系统负载模拟的方法、装置和电子设备
CN113741583A (zh) * 2021-09-07 2021-12-03 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 半导体温控设备的故障预警方法、装置和电子设备

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001257169A (ja) * 2000-02-01 2001-09-21 Asm America Inc 加工室の温度制御方法、半導体加工装置及びセンサ較正方法
JP2001318702A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Yamatake Corp 制御システム
CN101675347A (zh) * 2007-05-21 2010-03-17 富士通微电子株式会社 半导体装置的测试装置及测试方法
CN105045126A (zh) * 2015-08-17 2015-11-11 惠州莫思特科技有限公司 智能温度控制系统
CN105101554A (zh) * 2015-08-17 2015-11-25 惠州莫思特科技有限公司 自动温度控制系统
CN109140842A (zh) * 2018-09-07 2019-01-04 北京京仪自动化装备技术有限公司 基于过热度控制电子膨胀阀的方法及装置
CN109903345A (zh) * 2019-04-09 2019-06-18 歌尔股份有限公司 深度模组标定方法、标定装置及计算机可读存储介质
CN110187726A (zh) * 2019-05-17 2019-08-30 安徽京仪自动化装备技术有限公司 一种用于半导体温控装置的温度控制算法
CN110926064A (zh) * 2019-12-10 2020-03-27 北京京仪自动化装备技术有限公司 电子膨胀阀的控制方法、装置、电子设备及存储介质

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001257169A (ja) * 2000-02-01 2001-09-21 Asm America Inc 加工室の温度制御方法、半導体加工装置及びセンサ較正方法
JP2001318702A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Yamatake Corp 制御システム
CN101675347A (zh) * 2007-05-21 2010-03-17 富士通微电子株式会社 半导体装置的测试装置及测试方法
CN105045126A (zh) * 2015-08-17 2015-11-11 惠州莫思特科技有限公司 智能温度控制系统
CN105101554A (zh) * 2015-08-17 2015-11-25 惠州莫思特科技有限公司 自动温度控制系统
CN109140842A (zh) * 2018-09-07 2019-01-04 北京京仪自动化装备技术有限公司 基于过热度控制电子膨胀阀的方法及装置
CN109903345A (zh) * 2019-04-09 2019-06-18 歌尔股份有限公司 深度模组标定方法、标定装置及计算机可读存储介质
CN110187726A (zh) * 2019-05-17 2019-08-30 安徽京仪自动化装备技术有限公司 一种用于半导体温控装置的温度控制算法
CN110926064A (zh) * 2019-12-10 2020-03-27 北京京仪自动化装备技术有限公司 电子膨胀阀的控制方法、装置、电子设备及存储介质

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112162223A (zh) * 2020-08-20 2021-01-01 中国计量科学研究院 Squid器件电磁参数测试方法、装置和计算机设备
CN112162223B (zh) * 2020-08-20 2023-09-05 中国计量科学研究院 Squid器件电磁参数测试方法、装置和计算机设备
CN113721680A (zh) * 2021-09-01 2021-11-30 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 半导体温控系统负载模拟的方法、装置和电子设备
CN113741583A (zh) * 2021-09-07 2021-12-03 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 半导体温控设备的故障预警方法、装置和电子设备

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