CN111489858B - 耐高温导线及应用该耐高温导线的探测器 - Google Patents

耐高温导线及应用该耐高温导线的探测器 Download PDF

Info

Publication number
CN111489858B
CN111489858B CN201910073721.8A CN201910073721A CN111489858B CN 111489858 B CN111489858 B CN 111489858B CN 201910073721 A CN201910073721 A CN 201910073721A CN 111489858 B CN111489858 B CN 111489858B
Authority
CN
China
Prior art keywords
wire
temperature
boron nitride
resistant
carbon nanotube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910073721.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111489858A (zh
Inventor
杨心翮
柳鹏
吕世伟
周段亮
张春海
高峰
高建东
姜开利
范守善
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University, Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd filed Critical Tsinghua University
Priority to CN201910073721.8A priority Critical patent/CN111489858B/zh
Priority to TW108105004A priority patent/TWI730293B/zh
Priority to US16/448,104 priority patent/US11527336B2/en
Publication of CN111489858A publication Critical patent/CN111489858A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111489858B publication Critical patent/CN111489858B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
    • H01B7/17—Protection against damage caused by external factors, e.g. sheaths or armouring
    • H01B7/29—Protection against damage caused by extremes of temperature or by flame
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D11/00—Component parts of measuring arrangements not specially adapted for a specific variable
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
    • H01B7/17—Protection against damage caused by external factors, e.g. sheaths or armouring
    • H01B7/28—Protection against damage caused by moisture, corrosion, chemical attack or weather
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
    • H01B7/17—Protection against damage caused by external factors, e.g. sheaths or armouring
    • H01B7/29—Protection against damage caused by extremes of temperature or by flame
    • H01B7/295—Protection against damage caused by extremes of temperature or by flame using material resistant to flame

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种耐高温导线，包括一碳纳米管线以及一氮化硼层，该氮化硼层包覆在碳纳米管线的表面，且该碳纳米管线与氮化硼层同轴设置，该耐高温导线在空气中的工作温度能够达到1600K，在真空中的工作温度能够达到2500K。本发明还提供一种使用该耐高温导线的探测器。

Description

耐高温导线及应用该耐高温导线的探测器
技术领域
本发明涉及一种耐高温导线及应用该耐高温导线的探测器，尤其是一种采用氮化硼和碳纳米管线的复合结构的耐高温导线及应用该耐高温导线的探测器。
背景技术
能够承受极高温度的导线对于探测极端环境非常重要，例如在太阳能勘探，火灾现场探测，高温材料加工，航空航天等领域都需要耐高温导线。然而，现有的导线在超高温度下(例如大于800K)时，非常容易发生腐蚀和老化，很难在800K以上正常持续的工作。而且现有的耐高温导线质量比较大，不适用于对质量和体积要求严格的微型设备。
发明内容
有鉴于此，确有必要提供一种耐高温导线，该耐高温导线在800K以上的高温下，不易发生腐蚀和老化，导电率基本不会降低，可以正常持续的工作。而且该耐高温导线的质量非常轻，适用于对质量和体积要求严格的微型设备。
一种耐高温导线，包括一碳纳米管线以及一氮化硼层，该氮化硼层包覆在碳纳米管线的表面，且该氮化硼层与碳纳米管线同轴设置，该耐高温导线在空气中的工作温度能够达到1600K，在真空中的工作温度能够达到2500K。
一种探测器，包括一处理单元，一探测单元以及一耐高温导线，该耐高温导线的两端分别与该处理单元和探测单元电连接，所述耐高温导线包括一碳纳米管线以及一氮化硼层，该氮化硼层包覆在碳纳米管线的表面，且该氮化硼层与碳纳米管线同轴设置，该耐高温导线在空气中的工作温度能够达到1600K，在真空中的工作温度能够达到2500K。
与现有技术相比较，本发明提供的耐高温导线通过将氮化硼包覆在碳纳米管线的表面得到，碳纳米管线具有良好的导电性能，氮化硼具有很好的抗腐蚀，抗烧蚀，以及绝缘性能，将氮化硼层包覆在碳纳米管线的表面可以在保证碳纳米管线导电性的基础上，增加其耐腐蚀性能。进而使得该耐高温导线在空气中的工作温度能够达到1600K，在真空中的工作温度能够达到2500K。而且本发明提供的耐高温导线的质量比较轻，可以适用于对质量和体积要求严格的微型设备。
附图说明
图1为本发明实施例提供的耐高温导线的剖面结构示意图。
图2为本发明实施例提供的非扭转碳纳米管线的扫描电子显微镜照片。
图3为本发明实施例提供的转转的碳纳米管线的扫描电子显微镜照片。
图4为本发明实施例提供的耐高温导线的横截面的扫描电子显微镜照片。
图5为本发明实施例提供的耐高温导线，石墨化的碳纳米管线以及原始碳纳米管线的电阻率随温度的变化曲线。
图6为本发明实施例提供的测试耐高温导线在高温下信号传输能力的示意图。
图7为本发明实施例提供的耐高温导线在高温下信号传输的实验照片。
图8为本实施例提供的耐高温导线在1220℃的空气中电阻随时间的变化曲线。
图9为本发明实施例提供的耐高温导线热电子发射电流随温度的变化曲线。
图10为本发明实施例提供的耐高温导线的电阻随温度的变化曲线。
图11为本发明实施例提供的探测器的结构示意图。
主要元件符号说明
耐高温导线 10
碳纳米管线 12
氮化硼层 14
探测器 20
具体实施方式
请参阅图1，本发明第一实施例提供一种耐高温导线10。该耐高温导线10包括一碳纳米管线12以及一氮化硼层14。所述氮化硼层14包覆在碳纳米管线12的表面，且氮化硼层14与碳纳米管线12同轴设置。所述碳纳米管线12用于导电，所述氮化硼层14起到绝缘和防止碳纳米管线12被氧化和被腐蚀的作用。该耐高温导线10在空气中能够正常工作的最高温度能够达到1600K，在真空中能够正常工作的最高温度能够达到2500K。可以理解，在某些实施例中，所述耐高温导线10也可以仅由碳纳米管线12以及氮化硼层14组成。
优选的，所述氮化硼层14为一连续的氮化硼层，所述碳纳米管线12的表面完全被所述氮化硼层14包覆，没有碳纳米管线裸露在外部。
所述耐高温导线10的直径不限，可以根据实际需要进行相应的调整。优选的，所述耐高温导线10的直径范围为0.15-0.65毫米。更优选的，所述耐高温导线10的直径范围为0.17-0.38毫米。所述耐高温导线10的长度可以根据实际需要进行调整。优选的，所述耐高温导线10的长度范围为15-35毫米。更优选的，所述耐高温导线10的长度范围为19.5-30毫米。本实施例中，所述耐高温导线10的直径为0.21毫米，长度为19毫米。
所述耐高温导线10在空气中的工作温度范围为0-1600K。优选的，所述耐高温导线10在空气中的工作温度范围为500-1600K。更优选的，所述耐高温导线10在空气中的工作温度范围为800-1400K。例如，在某些实施例中，所述耐高温导线10在空气中的工作温度为600K，700K，800K，1000K，1200K，1400K或1500K。所述耐高温导线10在真空中可以正常工作的温度范围为0-2500K。优选的，所述耐高温导线10在真空中的工作温度范围为800-2200K。更优选的，所述耐高温导线10在真空中的工作温度范围为1200-2000K。例如，在某些实施例中，所述耐高温导线10在真空中的工作温度为900K，1000K，1400K，1600K，1800K或1900K。
所述碳纳米管线12包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管之间通过范德华力首尾相连形成一宏观的线状结构。所述碳纳米管线12中的多个碳纳米管为纯净的碳纳米管，具体是指碳纳米管没有经过任何物理和化学修饰，而且碳纳米管基本不含有杂质。所述碳纳米管线12具有良好的柔性和导电性，该碳纳米管线12可以在真空中加热成白炽，所述碳纳米管线12能够在高温中用作导线。可以理解，在某些实施例中，所述碳纳米管线12仅由多个碳纳米管组成。
所述碳纳米管线12可以为非扭转的碳纳米管线或者扭转的碳纳米管线。
具体地，请参阅图2，所述非扭转的碳纳米管线可包括多个沿该非扭转的碳纳米管线轴向方向延伸的碳纳米管。非扭转的碳纳米管线可通过将碳纳米管拉膜通过有机溶剂处理得到。具体地，该碳纳米管拉膜从一超顺排碳纳米管阵列中沿垂直于碳纳米管生长方向拉取得到，该碳纳米管拉膜包括多个碳纳米管片段，该多个碳纳米管片段通过范德华力首尾相连，每一碳纳米管片段包括多个相互平行并通过范德华力紧密结合的碳纳米管。该碳纳米管片段具有任意的长度、厚度、均匀性及形状。具体地，可将挥发性有机溶剂浸润所述碳纳米管拉膜的整个表面，在挥发性有机溶剂挥发时产生的表面张力的作用下，碳纳米管拉膜中的相互平行的多个碳纳米管通过范德华力紧密结合，从而使碳纳米管拉膜收缩为一非扭转的碳纳米管线。该挥发性有机溶剂为乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿。通过挥发性有机溶剂处理的非扭转碳纳米管线与未经挥发性有机溶剂处理的碳纳米管膜相比，比表面积减小，粘性降低。
请参阅图3，所述扭转的碳纳米管线包括多个绕该扭转的碳纳米管线轴向螺旋延伸的碳纳米管。该扭转的碳纳米管线可采用一机械力将所述碳纳米管拉膜两端沿相反方向扭转获得。进一步地，可采用一挥发性有机溶剂处理该扭转的碳纳米管线。在挥发性有机溶剂挥发时产生的表面张力的作用下，处理后的扭转的碳纳米管线中相邻的碳纳米管通过范德华力紧密结合，使扭转的碳纳米管线的比表面积减小，密度及强度增大。
所述碳纳米管线及其制备方法请参见范守善等人于2002年9月16日申请的，2008年8月20日公告的，公告号为CN100411979C的中国专利；以及于2005年12月16日申请的，2009年6月17日公告的，公告号为CN100500556C的中国专利。
所述碳纳米管线12的直径可以根据实际需要进行选择。优选的，所述碳纳米管线12的直径范围为0.05-0.25毫米。由于所述碳纳米管线12的直径如果太大(例如大于0.25毫米)，会导致使用过程中导线发热量增加，在使用时，影响导线的过载性能，而且增加导线的质量；如果碳纳米管线12的直径太小(例如小于0.05毫米)，则会造成通过导线的电流太小，影响导电性能。更优选的，所述碳纳米管线12的直径范围为0.07-0.12毫米。
本实施例中，所述碳纳米管线12为扭转的碳纳米管线，所述碳纳米管线12的直径为0.10毫米，长度为19毫米。
所述氮化硼层14的类型不限，可以为六方氮化硼(H-BN)、菱方氮化硼(R-BN)、立方氮化硼(C-BN)或纤锌矿氮化硼(W-BN)。本实施例中，所述氮化硼层14为H-BN层。该H-BN层可以通过化学气相沉积法沉积在碳纳米管线12的表面。具体地，在高温低压下，向反应炉中通入三氯化硼和氨气一定时间，在碳纳米管线12的表面生成H-BN层。由于H-BN具有超强的共价键，大的带隙和分层结构，所以H-BN材料在高温下具有很好的抗腐蚀，抗烧蚀，以及绝缘性。另外，H-BN具有重量轻，化学惰性，良好的机械性能，高导热性和高温稳定性，而且H-BN与碳纳米管具有很好的相容性，所以将H-BN包覆在碳纳米管线12的表面得到的耐高温导线10在高温下工作时不易被氧化和烧蚀，具有很好的热稳定性。
所述氮化硼层14的厚度优选0.05-0.20毫米。更优选的，所述氮化硼层14的厚度为0.07-0.14毫米。本实施例中，所述氮化硼层14为H-BN层，该H-BN层的厚度为0.055毫米，该H-BN层是在1500℃，低压下，向反应炉中通入三氯化硼和氨气约40分钟，在碳纳米管线12的表面生长而成。
请参阅图4，为本实施例中的H-BN层包覆在碳纳米管线表面形成的耐高温导线的横截面的扫描电子显微镜照片，由图中可以看出，H-BN层与碳纳米管线同轴设置，且H-BN层均匀的包覆在碳纳米管线的表面。
请参阅图5，为本实施例中的H-BN层包覆在碳纳米管线表面形成的耐高温导线的电阻率随温度的变化曲线，石墨化的碳纳米管线以及原始碳纳米管线的电阻率随温度的变化曲线作为对比；其中本实施例中耐高温导线中的碳纳米管线与石墨化的碳纳米管线以及原始碳纳米管线的直径，长度等完全相同。石墨化的碳纳米管线是指将本实施例中的碳纳米管线中的碳纳米管完全被石墨化，原始碳纳米管线是指本实施例中的在沉积氮化硼之前的碳纳米管线。由图中可以看出，在1000K到2000K的温度范围内，本实施例中耐高温导线的电阻率随温度的变化曲线与石墨化的碳纳米管线的电阻率随温度的变化曲线基本一致。但是原始碳纳米管线在1200K到1600K时电阻率随温度增加而降低，在1600K到2000K时电阻率随着温度升高而增加。由图中还可以看，在同一温度下，本实施例中的耐高温导线的电阻率小于原始碳纳管线的电阻率。由此说明本实施例中的耐高温导线，在碳纳米管线表面生长H-BN的过程中，部分碳纳米管发生了石墨化，进而提高了碳纳米管线的导电性。
请参阅图6，为测试本实施例中的H-BN层包覆在碳纳米管线表面形成的耐高温导线在高温下信号传输能力的示意图。耐高温导线的两端分别与CCD相机和LCD显示器连接，采用液化石油气火焰燃烧所述耐高温导线。请参阅图7，当火烧温度达到1200℃时，耐高温导线能够正常传输视频信号。请参阅图8，可以看出，本实施例中的耐高温导线在1220℃的空气中保持20min，耐高温导线的电阻稳定，基本没发生变化。图6-8说明本实施例提供的耐高温导线在1200℃左右的高温下导电性能较好。
请参阅图9，采用Keithley2200源表对本实施中的耐高温导线提供电压以加热该耐高温导线，一金属箔与另一个源表Keithley237连接，该金属箔用于收集通过氮化硼层的热电子发射电子。从图9中可以看出，当温度达到1600K时，所述耐高温导线的热电子发射电流仅为10-7A。说明在高温下，通过外部H-BN层到外部金属箔的热传导很小，耐高温导线的热损失较小，进而说明耐高温导线的有效热传导率较高。请参阅图10，将一碳纳米管膜包覆于本实施中的耐高温导线的外表面上作为探针电极，测试所述耐高温导线的电阻随温度的倒数的变化。由图中可以看出，耐高温导线的电阻Ln(R)随1/T的增加呈线性增加，当温度为1302K时，所述耐高温导线的电阻为6.7×108Ω。由此说明即使在高温下H-BN层依旧保持着良好的绝缘性能。
请参阅图11，本发明第二实施例还提供一种采用上述耐高温导线10的探测器20。该探测器20包括一处理单元，一探测单元以及第一实施例中的所述耐高温导线10，所述耐高温导线10的两端分别与所述处理单元和探测单元电连接。
所述处理单元根据实际需要进行选择，可以为包含处理模块的处理器等。所述处理单元的处理信号可以通过一输出单元输出。所述输出单元可以为一显示器、报警器等。本实施例中，所述输出单元为一LCD显示器。
所述探测单元根据实际需要进行选择，可以为热敏探头、光敏探头、气敏探头、力敏探头、磁敏探头、湿敏探头、声敏探头、放射线敏感探头、色敏探头和味敏探头、视频探头等。本实施例中，所述探测单元为一CCD相机。
该探测器20可进一步包括一电源。该电源可以采用直流电源供电、交流电源供电、电池电池供电等。
本实施例中，所述探测器20在使用时，打开电源，探测单元实时采集探测现场的信息，例如，温度，图像等；该探测单元采集到的信息通过耐高温导线传输到所述处理单元，所述处理单元对该信息进行处理得到处理信号，例如转换成数值信号等；最后所述处理信号通过耐高温导线输出到一输出单元，例如输出到一显示器中进行显示。
该探测器20可以应用于温度超过1000℃的高温环境，例如，帕克太阳能探测器，太阳能勘探，火灾现场探测，高温材料加工，航空航天等领域。
本发明提供的耐高温导线将氮化硼包覆在碳纳米管线的表面，碳纳米管线具有良好的导电性能，柔性和强度，在高温等极端恶劣的环境下也可以应用，但是碳纳米管在超过500℃时很容易发生氧化。氮化硼具有超强的共价键，大的带隙和分层结构，氮化硼具有很好的抗腐蚀，抗烧蚀，以及绝缘性能。因此本发明通过将氮化硼包覆在碳纳米管线的表面得到一耐高温导线，可以在保证耐高温导线导电性的基础上，增加耐高温导线的耐腐蚀性能。进而使该耐高温导线在空气中的正常工作温度能够达到1600K以上，在真空中的正常工作温度能够达到2500K以上。因此，使碳纳米管导线的应用领域得到很大的扩展。而且本发明提供的耐高温导线的质量比较轻，有利于实际操作，可以适用于对质量和体积要求严格的微型设备。另外，氮化硼在高温下依旧保持着良好的绝缘性能。
另外，本领域技术人员还可以在本发明精神内做其它变化，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围内。

Claims (8)

1.一种耐高温导线，其特征在于，由一碳纳米管线以及一氮化硼层组成，该氮化硼层包覆在碳纳米管线的表面且与碳纳米管线直接接触，且该氮化硼层与碳纳米管线同轴设置，该耐高温导线在空气中的工作温度能够达到1600K，在真空中的工作温度能够达到2500K，所述碳纳米管线包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管之间通过范德华力首尾相连形成一宏观的线状结构，且所述碳纳米管线的直径范围为0.05-0.25毫米，所述碳纳米管线中的部分碳纳米管被石墨化。
2.如权利要求1所述的耐高温导线，其特征在于，所述耐高温导线在空气中的工作温度范围为500-1600K。
3.如权利要求1所述的耐高温导线，其特征在于，所述耐高温导线在真空中的工作温度范围为800-2200K。
4.如权利要求1所述的耐高温导线，其特征在于，所述碳纳米管线为扭转的碳纳米管线，该扭转的碳纳米管线包括多个绕该扭转的碳纳米管线轴向螺旋延伸的碳纳米管。
5.如权利要求1所述的耐高温导线，其特征在于，所述氮化硼层为六方氮化硼层。
6.如权利要求1所述的耐高温导线，其特征在于，所述氮化硼层的厚度为0.05-0.20毫米。
7.如权利要求1所述的耐高温导线，其特征在于，所述氮化硼层为一连续的氮化硼层，所述碳纳米管线的表面完全被该连续的氮化硼层包覆。
8.一种探测器，包括一处理单元，一探测单元以及一耐高温导线，该耐高温导线的两端分别与该处理单元和探测单元电连接，其特征在于，所述耐高温导线选自所述权利要求1-7中任一项的耐高温导线。
CN201910073721.8A 2019-01-25 2019-01-25 耐高温导线及应用该耐高温导线的探测器 Active CN111489858B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910073721.8A CN111489858B (zh) 2019-01-25 2019-01-25 耐高温导线及应用该耐高温导线的探测器
TW108105004A TWI730293B (zh) 2019-01-25 2019-02-14 耐高溫導線及應用該耐高溫導線的探測器
US16/448,104 US11527336B2 (en) 2019-01-25 2019-06-21 High temperature resistant wire and detector using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910073721.8A CN111489858B (zh) 2019-01-25 2019-01-25 耐高温导线及应用该耐高温导线的探测器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111489858A CN111489858A (zh) 2020-08-04
CN111489858B true CN111489858B (zh) 2021-12-31

Family

ID=71731554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910073721.8A Active CN111489858B (zh) 2019-01-25 2019-01-25 耐高温导线及应用该耐高温导线的探测器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11527336B2 (zh)
CN (1) CN111489858B (zh)
TW (1) TWI730293B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105097065A (zh) * 2014-04-23 2015-11-25 北京富纳特创新科技有限公司 碳纳米管复合导线
CN205788617U (zh) * 2016-06-17 2016-12-07 无锡圣敏传感科技股份有限公司 传感线缆

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004218144A (ja) * 2003-01-15 2004-08-05 Hitachi Chem Co Ltd 絶縁被覆カーボンファイバー、その製造方法及びそれを用いたコンポジット
CN1696340A (zh) * 2005-05-16 2005-11-16 东南大学 一种化学气相沉积装置及其沉积方法
CN101556839B (zh) 2008-04-09 2011-08-24 清华大学 线缆
TWI345793B (en) * 2008-04-18 2011-07-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Cable
FR2946178A1 (fr) * 2009-05-27 2010-12-03 Arkema France Procede de fabrication d'une fibre conductrice multicouche par enduction-coagulation.
KR101212983B1 (ko) * 2009-10-28 2012-12-17 원광대학교산학협력단 탄소나노튜브 실을 갖는 엑스레이 발생 장치
TWI413131B (zh) * 2010-11-30 2013-10-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 線纜
GB201116670D0 (en) * 2011-09-27 2011-11-09 Cambridge Entpr Ltd Materials and methods for insulation of conducting fibres, and insulated products
CN103730305B (zh) * 2012-10-10 2016-03-09 清华大学 场发射电子源的制备方法
CN103541000B (zh) * 2013-11-06 2016-09-07 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种制备氮化硼单晶的装置及方法
WO2016082138A1 (en) * 2014-11-27 2016-06-02 Dow Global Technologies Llc Composition for electrically insulating polymer-inorganic hybrid material with high thermal conductivity
TWM522449U (zh) * 2015-11-25 2016-05-21 He Da Material Technology Co Ltd 使用奈米材料的訊號與電力傳輸用電纜線結構
CN106934975B (zh) * 2015-12-30 2019-08-16 绵阳市家家安房物联网科技有限公司 一种感应式探测器及其探测方法
CN105669253A (zh) * 2016-01-14 2016-06-15 上海大学 低温低压制备氮化硼涂层的方法
CN205920800U (zh) * 2016-05-06 2017-02-01 无锡市群星线缆有限公司 一种新能源用纳米型耐火电缆
JP6666866B2 (ja) * 2017-02-17 2020-03-18 矢崎総業株式会社 カーボンナノチューブ撚糸電線の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105097065A (zh) * 2014-04-23 2015-11-25 北京富纳特创新科技有限公司 碳纳米管复合导线
CN205788617U (zh) * 2016-06-17 2016-12-07 无锡圣敏传感科技股份有限公司 传感线缆

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CVD 法制备氮化硼陶瓷的化学反应热力学研究;任海涛;《万方》;20180412;第608-611页，图1 *
Electronic, Structural, and Thermal Properties of a Nanocable Consisting of Carbon and BN Nanotubes;A.N.Enyashin;《知网》;20041115;第67-68页 *

Also Published As

Publication number Publication date
TW202044284A (zh) 2020-12-01
US11527336B2 (en) 2022-12-13
CN111489858A (zh) 2020-08-04
TWI730293B (zh) 2021-06-11
US20200243214A1 (en) 2020-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9198232B2 (en) Nanostructure-based heating devices and methods of use
CN101425435B (zh) 场发射电子源及其制备方法
EP2043406B1 (en) Plane heat source
JP4933576B2 (ja) 電界放出型電子源の製造方法
CN101425438B (zh) 一种场发射电子源的制备方法
Yuan et al. Carbon nanoparticles on carbon fabric for flexible and high‐performance field emitters
CN101459019A (zh) 热电子源
JP2009221623A (ja) 繊維状集合体及びその製造方法
CN101425439B (zh) 一种场发射电子源的制备方法
CN101823688A (zh) 碳纳米管复合材料及其制备方法
JP4960398B2 (ja) 電界放出型電子源
CN107402333B (zh) 碳纳米管阵列电学特性的原位测量装置
CN111489858B (zh) 耐高温导线及应用该耐高温导线的探测器
US9696335B2 (en) Hot wire anemometer having twisted carbon nanotube composite wire detecting element
Yang et al. High temperature performance of coaxial h-BN/CNT wires above 1,000° C: Thermionic electron emission and thermally activated conductivity
CN101442848B (zh) 一种局域加热物体的方法
Song et al. Temperature-dependent resistance of carbon nanotube fibers
CN107400872A (zh) 碳纤维膜的制备方法
CN107416793B (zh) 碳纤维膜的制备装置
RU2394306C2 (ru) Устройство для выделения или поглощения тепла
TWI383425B (zh) 熱發射電子源及其製備方法
TW200932665A (en) Thermionic emission device
Patrick Silicon carbide nozzle for producing molecular beams
TWI378229B (en) Ionization gauge
Gao et al. Thermoelectric measurement of multi-walled carbon nanotube bundles by using nano-probes

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant