TWI413131B - 線纜 - Google Patents

Description

線纜

本發明涉及一種線纜，尤其涉及一基於奈米碳管之線纜。

線纜為電子產業裹較為常用之訊號傳輸線材，微米級尺寸之線纜更廣泛應用在IT產品、醫學儀器、空間設備中。傳統之線纜內部設置有二導體，內導體用以傳輸電訊號，外導體用以屏蔽傳輸之電訊號並且將其封閉在內部，從而使線纜具有高頻損耗低、屏蔽及抗干擾能力強、使用頻帶寬等特性，請參見文獻“Electromagnetic Shielding of High-Voltage Cables”(M.De Wulf,P.Wouters et al.,Journal of Magnetism and Magnetic Materials,316,e908-e901(2007))。

一般情況下，線纜從內至外之結構依次為形成內導體之纜芯、包覆在纜芯外表面之絕緣結構、形成外導體之屏蔽結構和保護結構。其中，纜芯用來傳輸電訊號，先前技術中纜芯材料以銅、鋁或銅鋅合金等金屬材料為主。以金屬材料作為纜芯之線纜，質量及直徑較大，其機械強度尤其為延展性較小，無法滿足某些特定條件，如航天領域、空間設備及超細微線纜之應用。

有鑒於此，提供一具有較好機械強度及延展性之線纜實為必要。

一種線纜，包括至少一纜芯、包覆在纜芯外之至少一絕緣結構、包覆在絕緣結構外之至少一屏蔽結構和包覆在屏蔽結構外之一保護結構，其中，所述纜芯包括一金屬線狀結構及一奈米碳管層，所述奈米碳管層包覆於該金屬線狀結構之表面，所述奈米碳管層為一連續之層狀結構，所述奈米碳管層包括複數奈米碳管，所述複數奈米碳管通過凡得瓦力相連。

一種線纜，包括至少一纜芯、包覆在纜芯外之至少一絕緣結構、包覆在絕緣結構外之至少一屏蔽結構及包覆在屏蔽結構外之一保護結構，其中，所述纜芯包括一金屬線狀結構及至少一奈米碳管膜或至少一奈米碳管線，所述至少一奈米碳管膜或至少一奈米碳管線纏繞於該金屬線狀結構之表面，所述至少一奈米碳管膜或至少一奈米碳管線中大多數奈米碳管通過凡得瓦力首尾相連且擇優取向延伸。

與先前技術相比較，本發明提供之線纜由於纜芯採用纏繞有奈米碳管層之金屬線狀結構，而奈米碳管層中之奈米碳管具有較好之機械強度及延展性，因此，使得所述線纜在較小之直徑及質量下，仍然具有優異之機械強度和延展性，可實現航天領域、空間設備及超細微線纜之應用。

10，20，30‧‧‧線纜

110，210，310‧‧‧纜芯

111‧‧‧金屬線狀結構

112‧‧‧奈米碳管層

120，220，320‧‧‧絕緣結構

130，230，330‧‧‧屏蔽結構

140，240，340‧‧‧保護結構

圖1為本發明第一實施例提供之線纜的截面結構示意圖。

圖2為本發明第一實施例提供之線纜中纜芯之掃描電鏡照片。

圖3為本發明第一實施例提供之線纜中纜芯之結構示意圖。

圖4為本發明第一實施例提供之線纜中奈米碳管拉膜之掃描電鏡照片。

圖5為本發明第二實施例提供之線纜的截面結構示意圖。

圖6為本發明第三實施例提供之線纜的截面結構示意圖。

以下將結合附圖詳細說明本發明實施例線纜之結構及其製備方法。

請參閱圖1，本發明第一實施例提供一種線纜10，該線纜10包括一纜芯110、包覆在纜芯110外之絕緣結構120、包覆在絕緣結構120外之屏蔽結構130和包覆在屏蔽結構130外之保護結構140。其中，上述纜芯110、絕緣結構120、屏蔽結構130和保護結構140為同軸設置。

請參閱圖2及圖3，該纜芯110包括一金屬線狀結構111及一包覆該金屬線狀結構111表面之奈米碳管層112。該金屬線狀結構111為長徑比較大之結構，其具有一定之強度，可起到支撐所述奈米碳管層112之作用。所述金屬線狀結構111之材料可為金、銀、銅、錫及任意組合之合金中之一種，其直徑不限，可根據實際需要製備。一般地，所述金屬線狀結構111之直徑可為4.5奈米至1毫米，優選之，所述金屬線狀結構111之直徑為10微米~100微米。本實施例中所述金屬線狀結構111之材料為金，其直徑為18微米。

所述奈米碳管層112為一連續之層狀結構，所述奈米碳管層112由複數奈米碳管組成，所述奈米碳管層112中之大多數奈米碳管沿 所述金屬線狀結構111之軸向環繞設置於該金屬線狀結構111之表面。具體地，所述奈米碳管層112為由至少一奈米碳管結構沿所述金屬線狀結構111之軸向緊密纏繞而形成之，所述“緊密纏繞”為指奈米碳管層112與所述金屬線狀結構111之表面完全接觸，奈米碳管層112中之奈米碳管包覆在所述金屬線狀結構111之表面；另一方面，由於通常情況下製備之奈米碳管結構具有一定之寬度，並且金屬線狀結構111之延伸長度遠大於所述奈米碳管結構之寬度，因此所述“緊密纏繞”也意味著當具有一定寬度之奈米碳管結構沿所述金屬線狀結構111之軸向纏繞時，所述奈米碳管結構之邊緣部份彼此重疊或緊密並排。優選地，該奈米碳管結構為一自支撐結構，且纏繞包覆於該金屬線狀結構111之整個表面。更優選地，該奈米碳管結構沿該金屬線狀結構111之軸向螺旋纏繞並包覆於該金屬線狀結構111之表面，即所述奈米碳管結構中之大多數奈米碳管基本繞該纜芯110之軸向螺旋狀延伸。所述奈米碳管層112之厚度與奈米碳管結構包覆之方式與層數相關，可為1.5奈米至1毫米，優選的，所述奈米碳管層112之厚度可為1.5微米~20微米，且所述奈米碳管層112之厚度與金屬線狀結構111之直徑之比例為1：60~2：1。本實施例中所述奈米碳管層112之厚度為12微米。

具體地，所述奈米碳管結構由若干奈米碳管組成。所述奈米碳管結構中奈米碳管未經過任何化學修飾或功能化處理，即所述奈米碳管結構為一純奈米碳管結構。而且，所述奈米碳管結構中奈米碳管均勻分佈。具體地，所述奈米碳管結構中若干奈米碳管可無 序排列或有序排列。所謂無序排列為指奈米碳管之排列方向無規則。所謂有序排列為指奈米碳管之排列方向有規則。具體地，當奈米碳管結構包括無序排列之奈米碳管時，奈米碳管相互纏繞或者各向同性排列；當奈米碳管結構包括有序排列之奈米碳管時，奈米碳管沿一方向或者複數方向擇優取向延伸。所謂“擇優取向”為指所述奈米碳管結構中之大多數奈米碳管在一方向上具有較大之取向幾率；即，該奈米碳管結構中之大多數奈米碳管之軸向基本沿同一方向延伸。具體地，所述奈米碳管結構為至少一奈米碳管膜、至少一奈米碳管線或其組合。所述奈米碳管膜或奈米碳管線為奈米碳管組成之純結構，其中奈米碳管未經過任何化學修飾或功能化處理。優選地，所述奈米碳管膜或奈米碳管線為自支撐結構。

所述奈米碳管膜可為奈米碳管拉膜、奈米碳管碾壓膜和奈米碳管絮化膜，本實施例優選為奈米碳管拉膜。

請參閱圖4，所述奈米碳管拉膜為由若干奈米碳管組成之自支撐結構。所述若干奈米碳管沿同一方向擇優取向延伸。該奈米碳管拉膜中大多數奈米碳管之整體延伸方向基本朝同一方向。而且，所述大多數奈米碳管之整體延伸方向基本平行於奈米碳管拉膜之表面。進一步地，所述奈米碳管拉膜中多數奈米碳管為通過凡得瓦力首尾相連。具體地，所述奈米碳管拉膜中基本朝同一方向延伸之大多數奈米碳管中每一奈米碳管與在延伸方向上相鄰之奈米碳管通過凡得瓦力首尾相連。當然，所述奈米碳管拉膜中存在少數隨機排列之奈米碳管，這些奈米碳管不會對奈米碳管拉膜中大 多數奈米碳管之整體取向排列構成明顯影響。所述奈米碳管拉膜不需要大面積之載體支撐，而只要相對兩邊提供支撐力即能整體上懸空而保持自身膜狀狀態，即將該奈米碳管膜置於(或固定於)間隔設置之兩支撐體上時，位於兩支撐體之間之奈米碳管膜能夠懸空保持自身膜狀狀態。

具體地，所述奈米碳管拉膜中基本朝同一方向延伸之複數奈米碳管，並非絕對之直線狀，可適當之彎曲；或者並非完全按照延伸方向上排列，可適當之偏離延伸方向。因此，不能排除奈米碳管拉膜之基本朝同一方向延伸之複數奈米碳管中並列之奈米碳管之間可能存在部份接觸。

具體地，所述奈米碳管拉膜包括複數連續且定向排列之奈米碳管片段。該若干奈米碳管片段通過凡得瓦力首尾相連。每一奈米碳管片段包括複數相互平行之奈米碳管，該複數相互平行之奈米碳管通過凡得瓦力緊密結合。該奈米碳管片段具有任意之長度、厚度、均勻性及形狀。該奈米碳管拉膜中之奈米碳管沿同一方向擇優取向延伸。

所述奈米碳管拉膜可通過從奈米碳管陣列直接拉取獲得。從奈米碳管陣列中拉取獲得所述奈米碳管拉膜之具體方法包括：(a)從所述奈米碳管陣列中選定一奈米碳管片段，本實施例優選為採用具有一定寬度之膠帶或黏性基條接觸該奈米碳管陣列以選定具有一定寬度之一奈米碳管片段；(b)通過移動該拉伸工具，以一定速度拉取該選定之奈米碳管片段，從而首尾相連之拉出若干奈米碳管片段，進而形成一連續之奈米碳管拉膜。該若干奈米碳 管相互並排使該奈米碳管片段具有一定寬度。當該被選定之奈米碳管片段在拉力作用下沿拉取方向逐漸脫離奈米碳管陣列之生長基底之同時，由於凡得瓦力作用，與該選定之奈米碳管片段相鄰之其他奈米碳管片段首尾相連地相繼地被拉出，從而形成一連續、均勻且具有一定寬度和擇優取向之奈米碳管拉膜。

可以理解，通過將若干奈米碳管拉膜平行層疊鋪設，可製備不同面積與厚度之奈米碳管膜。所述奈米碳管拉膜之厚度可為0.5奈米~100微米。當奈米碳管膜包括複數層疊設置之奈米碳管拉膜時，相鄰之奈米碳管拉膜中之奈米碳管之延伸方向形成一夾角α，0°≦α≦90°。所述奈米碳管拉膜之結構及其製備方法請參見2010年7月11日公告，公告號為I327177之中華民國專利說明書。

所述奈米碳管碾壓膜包括均勻分佈之若干奈米碳管，該若干奈米碳管無序、沿同一方向或不同方向擇優取向延伸，該若干奈米碳管之軸向沿同一方向或不同方向延伸。所述奈米碳管碾壓膜中之奈米碳管相互部份交疊，並通過凡得瓦力相互吸引，緊密結合。所述奈米碳管碾壓膜可通過碾壓一奈米碳管陣列獲得。該奈米碳管陣列形成在一基體表面，所製備之奈米碳管碾壓膜中之奈米碳管與該奈米碳管陣列之基體之表面成一夾角β，其中，β大於等於0度且小於等於15度(0°≦β≦15°)。優選地，所述奈米碳管碾壓膜中之奈米碳管之軸向基本平行於該奈米碳管碾壓膜之表面。依據碾壓之方式不同，該奈米碳管碾壓膜中之奈米碳管具有不同之排列形式。該奈米碳管碾壓膜之面積和厚度不限，可根據實際需要選擇。該奈米碳管碾壓膜之面積與奈米碳管陣列之尺寸基本 相同。該奈米碳管碾壓膜厚度與奈米碳管陣列之高度及碾壓之壓力有關，可為1微米~100微米。所述奈米碳管碾壓膜及其製備方法請參見2009年1月1日公開，公開號為TW200900348之中華民國專利申請公開說明書。

所述奈米碳管絮化膜包括相互纏繞之奈米碳管，該奈米碳管長度可大於10厘米。所述奈米碳管之間通過凡得瓦力相互吸引、纏繞等搭接方式，形成網路狀結構。所述奈米碳管絮化膜各向同性。所述奈米碳管絮化膜中之奈米碳管為均勻分佈，無規則排列，形成大量之微孔結構。可以理解，所述奈米碳管絮化膜之長度、寬度和厚度不限，可根據實際需要選擇，厚度可為1微米~100微米。所述奈米碳管絮化膜及其製備方法請參見2008年11月16日公開，公開號為TW200844041之中華民國專利說明書。

當所述奈米碳管結構包括奈米碳管線時，所述奈米碳管線可為一非扭轉之奈米碳管線或扭轉之奈米碳管線。

所述非扭轉之奈米碳管線可包括複數沿該非扭轉之奈米碳管線軸向方向延伸之奈米碳管。非扭轉之奈米碳管線可通過將奈米碳管拉膜通過有機溶劑處理得到。具體地，該奈米碳管拉膜包括複數奈米碳管片段，該複數奈米碳管片段通過凡得瓦力首尾相連，每一奈米碳管片段包括複數相互平行並通過凡得瓦力緊密結合之奈米碳管。該奈米碳管片段具有任意之長度、厚度、均勻性及形狀。該非扭轉之奈米碳管線長度不限，直徑為0.5奈米-1毫米。具體地，可將有機溶劑浸潤所述奈米碳管拉膜之整個表面，在揮發性有機溶劑揮發時產生之表面張力之作用下，奈米碳管拉膜中之 相互平行之複數奈米碳管通過凡得瓦力緊密結合，從而使奈米碳管拉膜收縮為一非扭轉之奈米碳管線。該有機溶劑為揮發性有機溶劑，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿，本實施例中採用乙醇。通過有機溶劑處理之非扭轉奈米碳管線與未經有機溶劑處理之奈米碳管膜相比，比表面積減小，黏性降低。

所述扭轉之奈米碳管線包括複數繞該扭轉之奈米碳管線軸向螺旋延伸之奈米碳管。該奈米碳管線可採用一機械力將所述奈米碳管拉膜兩端沿相反方向扭轉獲得。進一步地，可採用一揮發性有機溶劑處理該扭轉之奈米碳管線。在揮發性有機溶劑揮發時產生之表面張力之作用下，處理後之扭轉之奈米碳管線中相鄰之奈米碳管通過凡得瓦力緊密結合，使扭轉之奈米碳管線之比表面積減小，密度及強度增大。

所述奈米碳管線及其製備方法請參見范守善等人於2002年11月15日申請，2008年11月21日公告，公告號為I303239之中華民國專利說明書；及於2005年12月16日申請，2009年7月21日公告，公告號為I312337之中華民國專利說明書。

需要說明之為，當所述奈米碳管層112由奈米碳管拉膜或非扭轉之奈米碳管線組成時，所述纜芯110由所述金屬線狀結構111及緊密纏繞在該金屬線狀結構111表面之奈米碳管拉膜或非扭轉之奈米碳管線組成，所述奈米碳管層112由若干奈米碳管組成，所述奈米碳管層112中之大多數奈米碳管基本沿所述金屬線狀結構111之軸向螺旋延伸。該若干奈米碳管中之大多數奈米碳管沿該金屬線狀結構111之軸向纏繞於該金屬線狀結構111之表面，且該大多 數奈米碳管與其延伸方向上之相鄰奈米碳管通過凡得瓦力首尾相連。具體地，所述奈米碳管層112中大多數奈米碳管均首尾相連地沿著金屬線狀結構111之軸向螺旋延伸，該大多數奈米碳管中每一奈米碳管之延伸方向與所述金屬線狀結構111之軸向形成一定之交叉角α，0°<α≦90°。該奈米碳管複合線狀結構中大多數之奈米碳管與所述金屬線狀結構111之軸向具有基本相同之交叉角。

當所述奈米碳管層112由奈米碳管絮化膜組成時，所述纜芯110由所述金屬線狀結構111及緊密纏繞在該金屬線狀結構111表面之奈米碳管絮化膜組成，所述奈米碳管絮化膜由若干奈米碳管組成，該若干奈米碳管相互搭接形成網路狀，且沿所述金屬線狀結構111之軸向緊密地、均勻地環繞設置在該金屬線狀結構111之表面。

當所述奈米碳管層112由所述奈米碳管碾壓膜組成時，所述纜芯110由所述金屬線狀結構111及緊密纏繞在該金屬線狀結構111表面之奈米碳管碾壓膜組成。若所述奈米碳管碾壓膜中之奈米碳管無序排列，則所述奈米碳管沿所述金屬線狀結構111之軸向無序地、均勻地、緊密地環繞設置在該金屬線狀結構111表面。若所述奈米碳管碾壓膜中之奈米碳管沿同一方向或複數方向擇優延伸時，沿同一方向擇優取向延伸之奈米碳管與所述金屬線狀結構111之軸向形成相同之交叉角，且該夾角大於0°且小於等於90°；另外，該沿複數方向擇優取向延伸之奈米碳管環繞該金屬線狀結構111緊密排列，且同一延伸方向上之奈米碳管與所述金屬線狀 結構111之軸向基本具有相同之夾角。

當所述奈米碳管層112由扭轉之奈米碳管線組成時，所述纜芯110由所述金屬線狀結構111及緊密無間隙纏繞在該金屬線狀結構111表面之扭轉之奈米碳管線組成。該扭轉之奈米碳管線中之奈米碳管緊密無間隙地沿該金屬線狀結構111之軸向環繞該金屬線狀結構111均勻分佈。

本實施例中所述纜芯110之製備方法主要包括以下步驟：a.提供金屬線狀結構111及奈米碳管結構；及b.將所述奈米碳管結構纏繞於所述金屬線狀結構111之表面。

其中，步驟a中之金屬線狀結構111一般為金屬線或金屬絲。該金屬線狀結構111具有一定之強度，可起到支撐所述奈米碳管結構之作用。所述奈米碳管結構為至少一奈米碳管膜、至少一奈米碳管線狀結構或其組合。所述奈米碳管膜可為奈米碳管拉膜、奈米碳管絮化膜、奈米碳管碾壓膜等。所述奈米碳管線狀結構可為非扭轉之奈米碳管線或扭轉之奈米碳管線。本實施例中奈米碳管結構優選為奈米碳管拉膜。所述奈米碳管拉膜或非扭轉之奈米碳管線可從一奈米碳管陣列中直接拉取獲得。

步驟b可通過下述方法實現：第一種方法，將所述奈米碳管結構一端黏附於所述金屬線狀結構111，旋轉所述金屬線狀結構111，同時控制該金屬線狀結構111做直線運動或控制所述奈米碳管結構做直線運動，使得所述奈米 碳管結構纏繞於該金屬線狀結構111，進而實現連續製備纜芯110。其中，所述奈米碳管結構可不旋轉，也可與該金屬線狀結構111反向旋轉。

第二種方法，將所述奈米碳管結構一端黏附於所述金屬線狀結構111，圍繞該金屬線狀結構111旋轉所述奈米碳管結構，同時控制該金屬線狀結構111沿其軸向做直線運動，從而使得該奈米碳管結構連續不斷地纏繞於該金屬線狀結構111之表面，進而實現連續製備所述纜芯110。

所述絕緣結構120用於電氣絕緣，可選用聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、泡沫聚乙烯組合物或奈米黏土-高分子複合材料。奈米黏土-高分子複合材料中奈米黏土為奈米級層狀結構之矽酸鹽礦物，為由多種水合矽酸鹽和一定量之氧化鋁、鹼金屬氧化物及鹼土金屬氧化物組成，具耐火阻燃等優良特性，如奈米高嶺土或奈米蒙脫土。高分子材料可選用矽樹脂、聚醯胺、聚烯烴如聚乙烯或聚丙烯等，但並不以此為限。本實施例優選泡沫聚乙烯組合物。

所述屏蔽結構130由一導電材料形成，用以屏蔽電磁干擾或無用外部訊號干擾。具體地，所述屏蔽結構130可由多股金屬線編織或用金屬膜卷覆在絕緣結構120外形成，也可由複數奈米碳管線、單層有序奈米碳管膜、多層有序奈米碳管膜或無序奈米碳管膜纏繞或卷覆在絕緣結構120外形成，或可由含有奈米碳管之複合材料直接包覆於絕緣結構120表面。

當所述屏蔽結構130由金屬膜或金屬線構成時，該金屬膜或金屬線之材料可選擇為銅、金或銀等導電性好之金屬或其任意組合之合金。

當所述屏蔽結構130由奈米碳管線、單層有序奈米碳管膜或多層有序奈米碳管膜構成時，該奈米碳管線、單層有序奈米碳管膜或多層有序奈米碳管膜包括複數奈米碳管片段，每個奈米碳管片段具有大致相等之長度且每個奈米碳管片段由複數相互平行之奈米碳管構成，奈米碳管片段兩端通過凡得瓦力相互連接。所述奈米碳管線可通過對奈米碳管膜進行處理獲得。所述奈米碳管線可包括複數繞奈米碳管線軸向螺旋延伸之奈米碳管或包括複數沿奈米碳管線長度方向延伸並首尾相連之奈米碳管。

當所述屏蔽結構130由複合材料構成時，該複合材料可為金屬與奈米碳管之複合或聚合物與奈米碳管之複合。該聚合物材料可選擇為聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、丙烯腈-丁二烯丙烯-苯乙烯共聚物(Acrylonitrile-Butadiene Styrene Terpolymer,ABS)、聚碳酸酯/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(PC/ABS)等高分子材料。將奈米碳管均勻分散於上述聚合物材料之溶液中，並將該混合溶液均勻塗覆於絕緣結構120表面，待冷卻後形成一含奈米碳管之聚合物層。可理解，該屏蔽結構130還可由奈米碳管複合膜或奈米碳管複合線狀結構包裹或纏繞在絕緣結構120外形成。具體地，所述奈米碳管複合膜或奈米碳管複合線狀結構中之奈米碳管有序排列，並且，該奈米碳管表面包覆至 少一層導電材料。進一步地，該屏蔽結構130還可由上述多種材料在絕緣結構120外組合構成。本實施例所述屏蔽結構130之材料優選為奈米碳管線。

所述保護結構140由絕緣材料製成，可選用奈米黏土-高分子材料之複合材料，其中奈米黏土可為奈米高嶺土或奈米蒙脫土，高分子材料可為矽樹脂、聚醯胺、聚烯烴如聚乙烯或聚丙烯等，但並不以此為限。本實施例優選奈米蒙脫土-聚乙烯複合材料，其具有良好之機械性能、耐火阻燃性能、低煙無鹵性能，不僅可為線纜10提供保護，有效抵禦機械、物理或化學等外來損傷，同時還能滿足環境保護之要求。本實施例所述保護結構140之材料優選為奈米蒙脫土-聚乙烯複合材料。

本發明實施例中線纜10之製備方法主要包括以下步驟：

步驟一：提供一纜芯110，並在所述纜芯110表面包覆所述絕緣結構120。

首先，提供一絕緣材料，本發明實施例中，所述絕緣材料為熔融之泡沫聚乙烯組合物；其次，通過一擠壓裝置將所述絕緣材料包覆在所述纜芯110之外表面，冷卻後形成所述絕緣結構120。當所述絕緣結構120為兩層或兩層以上時，可重複上述步驟。

步驟二：在絕緣結構120之外表面包覆所述屏蔽結構130。

首先，提供一屏蔽材料，該屏蔽材料可為一帶狀結構。其次，將該屏蔽材料圍繞所述絕緣材料卷覆，進而形成所述屏蔽結構130。該屏蔽材料可選用一金屬膜、奈米碳管膜或奈米碳管複合膜等 膜狀結構或奈米碳管線、奈米碳管複合線狀結構或金屬線等線狀結構。另外，所述屏蔽材料也可由上述多種材料形成之編織層共同組成，並通過黏結劑黏結或直接纏繞在所述絕緣材料外表面。

本發明實施例中，所述屏蔽材料由複數奈米碳管線組成，該奈米碳管線直接或編織成網狀纏繞在所述絕緣材料外。每個奈米碳管線包括一扭轉之奈米碳管線或非扭轉之奈米碳管線。所述非扭轉之奈米碳管線可為將從奈米碳管陣列中直接拉取獲得之奈米碳管膜通過有機溶劑處理得到，該非扭轉之奈米碳管線包括複數沿奈米碳管線長度方向延伸並首尾相連之奈米碳管。所述扭轉之奈米碳管線可為採用一機械力將所述奈米碳管膜兩端沿相反方向扭轉獲得。該扭轉之奈米碳管線包括複數繞奈米碳管線軸向螺旋延伸之奈米碳管。

優選地，所述帶狀結構之屏蔽材料沿縱向邊緣進行重疊，形成所述屏蔽結構130，以便完全屏蔽纜芯110。所述奈米碳管線、奈米碳管複合線狀結構或金屬線等線狀結構之屏蔽材料可直接或編織成網狀纏繞在絕緣材料之外表面。可以理解，當所述屏蔽結構130為兩層或兩層以上結構時，可重複上述步驟。該採用奈米碳管線形成之屏蔽結構130質量較輕。

步驟三：在屏蔽結構130之外表面包覆所述保護結構140。

首先，提供一保護材料，本實施例優選熔融之奈米蒙脫土-聚乙烯複合材料；其次，將所述保護材料可通過一擠壓裝置包覆到所述屏蔽結構外表面，冷卻後形成所述保護結構140。

請參閱圖5，本發明第二實施例提供一種線纜20，其與第一實施例提供之線纜10之結構基本相同，所述線纜20包括一屏蔽結構230，一保護結構240，其不同在於，所述線纜20包括複數纜芯210(圖5中共顯示七個纜芯)及複數絕緣結構220。所述線纜20中每一纜芯210外均覆蓋一絕緣結構220，且所述覆蓋有絕緣結構220之複數纜芯210彼此平行緊密排列形成一束狀結構，所述屏蔽結構230包覆於所述束狀結構之外表面，所述保護結構240包覆於所述屏蔽結構230之外表面。屏蔽結構230和絕緣結構220之間隙內可進一步填充有絕緣材料。本實施例中所述線纜20包括複數平行緊密排列之纜芯210，可進一步提高所述線纜20之機械強度及韌性。其中，所述每一纜芯210及絕緣結構220、屏蔽結構230和保護結構240之結構、材料及製備方法與第一實施例中之纜芯110、絕緣結構120、屏蔽結構130和保護結構140之結構、材料及製備方法基本相同。

請參閱圖6，本發明第三實施例提供一種線纜30，其與第二實施例提供之線纜20之結構基本相同，所述線纜30包括複數纜芯310(圖6中共顯示五個纜芯)、複數絕緣結構320、一保護結構340，其不同在於，所述線纜30包括複數屏蔽層330。所述線纜30中每一纜芯310之外表面由內向外依次覆蓋一絕緣結構320和一屏蔽結構330，所述複數覆蓋有絕緣結構320及屏蔽結構330之纜芯310彼此平行緊密排列形成一束狀結構，所述保護結構340包覆於所述束狀結構之外表面。本實施例中所述每一屏蔽結構330對各個纜芯310進行單獨之屏蔽，這樣不僅可防止外來因素對纜芯310內 部傳輸之電訊號造成干擾而且可防止各纜芯310內傳輸之不同電訊號間相互發生干擾。其中，每個纜芯310、絕緣結構320、屏蔽結構330和保護結構340之結構、材料及製備方法與第一實施例中之纜芯110、絕緣結構120、屏蔽結構130和保護結構140之結構、材料及製備方法基本相同。

本發明提供之線纜之纜芯為包覆有奈米碳管層之金屬線狀結構，當所述金屬線狀結構為直徑18微米之金絲、奈米碳管層之厚度為12微米時，所述纜芯之延展率可從純金絲時之5%提高到10%。這為由於奈米碳管層緊密包覆於所述金屬線狀結構表面，所述奈米碳管層將施加於纜芯之力較均勻之分散於整個纜芯，並且奈米碳管本身具有較好之韌性，從而能夠提高所述纜芯之抗拉伸能力，也意味著具有所述纜芯之線纜之抗拉伸能力得到進一步之提高。同時，由於奈米碳管具有良好之導電性，因此可進一步提高所述線纜之導電能力。

本發明提供之線纜具有以下優點：首先，由於奈米碳管具有優異之力學性能，且具有中空之管狀結構，因此，該含有奈米碳管之線纜具有比採用純金屬纜芯之線纜更高之機械強度、更輕之質量，尤其為具有更好之延展性，適合特殊領域，如航天領域及空間設備之應用。其次，採用奈米碳管包覆之金屬線狀結構作為纜芯比採用純金屬線作為纜芯具有更好之導電性。再次，由於奈米碳管層可通過直接從奈米碳管陣列中拉取製造，該方法簡單、成本較低。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申 請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

10‧‧‧線纜

110‧‧‧纜芯

111‧‧‧金屬線狀結構

112‧‧‧奈米碳管層

120‧‧‧絕緣結構

130‧‧‧屏蔽結構

140‧‧‧保護結構

Claims (16)

1. 一種線纜，包括至少一纜芯、包覆在纜芯外之至少一絕緣結構、包覆在絕緣結構外之至少一屏蔽結構及包覆在屏蔽結構外之一保護結構，其改良在於，所述纜芯包括一金屬線狀結構及一奈米碳管層，所述奈米碳管層纏繞並包覆於該金屬線狀結構之表面，所述奈米碳管層為一連續之層狀結構，所述奈米碳管層由複數奈米碳管組成，所述複數奈米碳管通過凡得瓦力相連。
2. 如請求項第1項所述之線纜，其中，所述奈米碳管層中之大多數奈米碳管沿所述金屬線狀結構之軸向環繞設置於該金屬線狀結構之表面。
3. 如請求項第2項所述之線纜，其中，所述奈米碳管層中之大多數奈米碳管基本沿所述金屬線狀結構之軸向螺旋延伸。
4. 如請求項第3項所述之線纜，其中，所述大多數奈米碳管中每一奈米碳管與其延伸方向上之相鄰奈米碳管通過凡得瓦力首尾相連。
5. 如請求項第3項所述之線纜，其中，所述大多數奈米碳管中每一奈米碳管之延伸方向與所述金屬線狀結構之軸向形成交叉角α，0°<α≦90°。
6. 如請求項第1項所述之線纜，其中，所述奈米碳管層中之大多數奈米碳管相互搭接成網路狀，且環繞設置於該金屬線狀結構之表面。
7. 如請求項第1項所述之線纜，其中，所述奈米碳管層包覆於該金 屬線狀結構之整個表面。
8. 如請求項第1項所述之線纜，其中，所述奈米碳管層之厚度為1.5微米至10微米。
9. 如請求項第1項所述之線纜，其中，所述奈米碳管層之厚度與纜芯直徑之比例為1：60至2：1。
10. 如請求項第1項所述之線纜，其中，所述奈米碳管層之厚度為12微米，所述金屬線狀結構之直徑為18微米，所述纜芯之延展率為10%。
11. 如請求項第1項所述之線纜，其中，所述之線纜為同軸線纜，該同軸線纜包括由內至外同軸依次設置之一纜芯、包覆纜芯外表面之一絕緣結構、包覆絕緣結構外表面之一屏蔽結構和包覆屏蔽結構外表面之一保護結構。
12. 如請求項第1項所述之線纜，其中，所述之線纜包括複數纜芯、複數分別包覆在每一纜芯外之絕緣結構、包覆絕緣結構外之一屏蔽結構和包覆在屏蔽結構外之一保護結構，所述複數纜芯彼此平行排列。
13. 如請求項第1項所述之線纜，其中，所述之線纜包括複數纜芯、複數分別包覆在每一纜芯外之絕緣結構、複數分別包覆在每一絕緣結構外之屏蔽結構和包覆在屏蔽結構外之一保護結構，所述複數纜芯彼此平行排列。
14. 一種線纜，包括至少一纜芯、包覆在纜芯外之至少一絕緣結構、包覆在絕緣結構外之至少一屏蔽結構和包覆在屏蔽結構外之一保護結構，其改良在於，所述纜芯包括一金屬線狀結構及至少一奈米碳管膜或至少一奈米碳管線，所述至少一奈米碳管膜或至少一 奈米碳管線纏繞於該金屬線狀結構之表面，所述至少一奈米碳管膜或至少一奈米碳管線為由複數奈米碳管組成之純結構，所述至少一奈米碳管膜或至少一奈米碳管線中大多數奈米碳管通過凡得瓦力首尾相連且擇優取向延伸。
15. 如請求項第14項所述之線纜，其中，所述至少一奈米碳管膜或至少一奈米碳管線為自支撐結構。
16. 如請求項第14項所述之線纜，其中，所述至少一奈米碳管膜或至少一奈米碳管線螺旋纏繞於所述金屬線狀結構表面。