CN111477173A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括多个像素。每个像素包括：第一晶体管，所述第一晶体管响应于第一节点的电压控制从第一电源电压线供应到有机发光二极管的电流的量，所述第一电源电压线经由第二节点连接到有机发光二极管；第二晶体管，连接在数据线与第二节点之间，并且第二晶体管包括连接到第一扫描线的第一栅电极；发光线，连接到位于第一电源电压线与有机发光二极管之间的电流路径中的至少一个发光晶体管的栅电极；以及第七晶体管，连接在第二晶体管的至少一个第二栅电极中的一个第二栅电极与发光线之间。因此，可以使包括在多个像素中的每个中的开关晶体管的阈值电压负向偏移。

Description

显示装置
本申请要求于2019年1月24日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0009400号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息技术的发展，已经变得注重将用户与信息连接的显示装置的重要性。响应于此，对诸如液晶显示装置、有机发光显示装置或等离子体显示装置的显示装置的使用正在增加。
显示装置包括用于显示图像的显示面板，并且显示面板包括多个像素，多个像素中的每个是用于显示图像的最小单元。像素电路形成在像素中的每个中，并且像素电路包括诸如驱动晶体管和开关晶体管的晶体管。包括在像素电路中的晶体管的阈值电压设定在特定范围内，如果阈值电压超出该范围，则余像在显示装置上可见，或者在显示装置的一部分上显示的图像异常地显示在其它部分上。
发明内容
本公开的示例性实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括位于包括在多个像素中的每个中的开关晶体管的有源层下方的金属层，并且高电平电压被传输到金属层以使开关晶体管的阈值电压负向偏移。
本公开的另一示例性实施例提供了一种显示装置，其中设置在开关晶体管下方的金属层电连接到发光线，在有机发光二极管的发光不允许时间段期间，高电平电压发光信号被传输到金属层，并且在发光允许时间段期间，金属层浮置，从而降低了显示装置的异常水平条纹的可视性。
本公开的又一示例性实施例提供了一种显示装置，其中设置在开关晶体管下方的金属层连接到高电平电源电压线，并且在图像帧期间，高电平电压连续地传输到金属层，更有效地执行开关晶体管的阈值电压的负向偏移。
根据公开的示例性实施例，提供了一种显示装置。显示装置包括多个像素。每个像素包括：第一晶体管，所述第一晶体管响应于第一节点的电压控制从第一电源电压线供应到有机发光二极管的电流的量，所述第一电源电压线经由第二节点连接到有机发光二极管；第二晶体管，连接在数据线与第二节点之间，并且第二晶体管包括连接到第一扫描线的第一栅电极；发光线，连接到位于第一电源电压线与有机发光二极管之间的电流路径中的至少一个发光晶体管的栅电极；以及第七晶体管，连接在第二晶体管的至少一个第二栅电极中的一个第二栅电极与发光线之间。
根据公开的示例性实施例，提供了一种显示装置。显示装置包括多个像素。每个像素包括：第一晶体管，所述第一晶体管响应于第一节点的电压控制从第一电源电压线供应到有机发光二极管的电流的量，所述第一电源电压线经由第二节点连接到有机发光二极管；第二晶体管，连接在数据线与第二节点之间，并且第二晶体管包括连接到第一扫描线的第一栅电极和至少一个第二栅电极，所述至少一个第二栅电极中的一个第二栅电极连接到第一电源电压线；以及发光线，连接到位于第一电源电压线与有机发光二极管之间的电流路径中的至少一个发光晶体管的栅电极。当发光线的发光信号处于高电平时，发光信号被传输到第二晶体管的所述至少一个第二栅电极中的另一个第二栅电极，并且当发光信号处于低电平时，所述至少一个第二栅电极中的所述另一个第二栅电极浮置。
附图说明
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的示意图。
图2是根据本公开的示例性实施例的显示装置的一个像素的电路图。
图3是根据本公开的示例性实施例的显示装置的一个像素的示意性剖视图。
图4是根据本公开的示例性实施例的显示装置的一帧的时序图。
图5是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的一个像素的示意性剖视图。
图6是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的一个像素的电路图。
图7是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的一个像素的示意性剖视图。
图8是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的一个像素的示意性剖视图。
具体实施方式
参照在下面参照附图详细地描述的示例性实施例，本公开的特征以及实现特征的方法将变得明显。然而，本公开的实施例可以采用许多不同的形式，并且不应该被解释为局限于在此阐述的示例性实施例。
在整个说明书中，同样的附图标记可以指示同样的元件。
在解释构造元件时，即使没有单独描述，也被解释为包括误差范围。
在下文中，将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的示意图。
参照图1，根据实施例，显示装置100包括时序控制器11、数据驱动器12、扫描驱动器13、发光驱动器14以及像素单元15。
根据实施例，时序控制器11根据数据驱动器12的规格向数据驱动器12提供诸如数据的灰度值和控制信号。时序控制器11根据扫描驱动器13的规格向扫描驱动器13提供时钟信号、扫描起始信号等。时序控制器11根据发光驱动器14的规格向发光驱动器14提供时钟信号、发光停止信号等。
根据实施例，数据驱动器12使用从时序控制器11接收的灰度值和控制信号生成数据信号，并且将数据信号传输到数据线D1至Dn。例如，数据驱动器12使用时钟信号对灰度值进行采样，并将与灰度值对应的数据电压作为数据信号传输到数据线D1至Dn。n是自然数。
根据实施例，扫描驱动器13从时序控制器11接收时钟信号、扫描起始信号等，并且生成扫描信号并将扫描信号传输到扫描线S1至Sm。例如，扫描驱动器13将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地传输到扫描线S1至Sm。例如，扫描驱动器13是移位寄存器，并且生成扫描信号，使得均具有导通电平脉冲形状的扫描起始信号在时钟信号的控制下顺序地传输到下一级电路。m是自然数。
根据实施例，发光驱动器14从时序控制器11接收时钟信号、发光停止信号等，并且生成发光信号并将发光信号传输到发光线E1至Eo。例如，发光驱动器14将具有截止电平脉冲的发光信号顺序地传输到发光线E1至Eo。例如，发光驱动器14是移位寄存器，并且生成发光信号，使得均具有截止电平脉冲形状的发光停止信号在时钟信号的控制下顺序地传输到下一级电路。o是自然数。
像素单元15包括多个像素。根据实施例，多个像素中的每个连接到数据线、扫描线和发光线。例如，像素单元15包括连接到第i条扫描线(在下文中称为第一扫描线)Si、第j条数据线(在下文中称为数据线)Dj以及第i条发光线(在下文中称为发光线)Ei的像素PXij。这里，i和j是自然数。
图2是根据本公开的示例性实施例的显示装置的一个像素的电路图。图2示出了图1中的像素PXij的电路。
参照图2，根据实施例，像素PXij包括第一晶体管M1至第七晶体管M7、存储电容器Cst以及有机发光二极管OLED。这里，第二晶体管M2是双栅晶体管。例如，第二晶体管M2具有连接到第一扫描线Si的第一栅电极以及连接到第七晶体管M7的第二栅电极120或者背栅或势垒金属层。
在本示例性实施例中，第一晶体管M1至第七晶体管M7被示出为P型晶体管。因此，在下文中，为了便于描述起见，当施加到晶体管的栅电极的电压处于低电平时，电压电平被称为导通电平，当电压处于高电平时，电压电平被称为截止电平。
本领域技术人员将能够通过利用N型晶体管替换第一晶体管M1至第七晶体管M7中的至少一些来实现本示例性实施例。当栅极-源极电压小于阈值电压(即，负数)时，P型晶体管导通。当栅极-源极电压超过阈值电压(即，正数)时，N型晶体管导通。
根据实施例，第一晶体管M1连接在第二节点N2与第三节点N3之间。第一晶体管M1的栅电极连接到第一节点N1。第一晶体管M1可以响应于第一节点N1的电压而导通或截止。第一晶体管M1被称为驱动晶体管。
根据实施例，第二晶体管M2连接在数据线Dj与第二节点N2之间。第二晶体管M2的第一栅电极连接到第一扫描线Si。第二晶体管M2可以响应于传输到第一扫描线Si的第一扫描信号而导通或截止。第二晶体管M2被称为扫描晶体管或开关晶体管。
根据实施例，第二栅电极120保护第二晶体管M2的有源层，并且可以使第二晶体管M2的阈值电压降低。第二栅电极120设置在第二晶体管M2的下部中并且与第二晶体管M2的有源层叠置。下面将参照图3详细地描述第二栅电极120和第二晶体管M2的设置。
根据实施例，第三晶体管M3连接在第一节点N1与第三节点N3之间。第三晶体管M3的栅电极连接到第一扫描线Si。第三晶体管M3可以响应于传输到第一扫描线Si的第一扫描信号而导通或截止。
根据实施例，第四晶体管M4连接在第一节点N1与初始化电源线VINTL之间。第四晶体管M4的栅电极连接到第二扫描线S(i-1)。第四晶体管M4可以响应于传输到第二扫描线S(i-1)的第二扫描信号而导通或截止。
根据实施例，第五晶体管M5连接在第一电源电压线ELVDDL与第二节点N2之间。第五晶体管M5的栅电极连接到发光线Ei。第五晶体管M5可以响应于传输到发光线Ei的发光信号而导通或截止。
根据实施例，第六晶体管M6连接在第三节点N3与有机发光二极管OLED的阳极电极之间。第六晶体管M6的栅电极连接到发光线Ei。第六晶体管M6可以响应于传输到发光线Ei的发光信号而导通或截止。
根据实施例，第七晶体管M7连接在第二栅电极120与发光线Ei之间。第七晶体管M7的栅电极与第二栅电极120彼此电连接，并且第七晶体管M7可以用作二极管。例如，当发光信号被传输到发光线Ei时，第七晶体管M7导通，并且在其它情况下，第七晶体管M7截止。
根据实施例，存储电容器Cst连接在第一电源电压线ELVDDL与第一节点N1之间。
根据实施例，在有机发光二极管OLED中，有机发光二极管OLED的阳极电极连接到第六晶体管M6的一个电极，有机发光二极管OLED的阴极电极连接到第二电源电压线ELVSSL。
根据实施例，作为高电平电压的第一电源电压(ELVDD)被传输到第一电源电压线ELVDDL，作为低电平电压的第二电源电压(ELVSS)被传输到第二电源电压线ELVSSL，数据信号被传输到数据线Dj，发光信号被传输到发光线Ei，第一扫描信号被传输到第一扫描线Si，第二扫描信号被传输到第二扫描线S(i-1)。传输到第一扫描线Si的第一扫描信号和传输到第二扫描线S(i-1)的第二扫描信号彼此不同。例如，第一扫描线Si是第i条扫描线，第二扫描线S(i-1)是第i-1条扫描线。
图3是根据本公开的示例性实施例的显示装置的一个像素的示意性剖视图。图3是图1和图2中的像素PXij的示意性剖视图，并且未示出除了第二栅电极120、第二晶体管M2、第七晶体管M7以及发光线Ei之外的其它元件。
参照图3，根据实施例，基底111支撑显示装置100的各种构造元件。基底111可以由例如以聚酰亚胺为例的塑料形成，但是实施例不局限于此。
根据实施例，第二栅电极120设置在基底111上。第二栅电极120与第二晶体管M2的有源层131叠置，并且在剖视图中，第二栅电极120的宽度比第二晶体管M2的有源层131的宽度大。第二栅电极120可以由各种金属形成。绝缘层可以设置在基底111与第二栅电极120之间。绝缘层使基底111与形成在绝缘层上的层之间的粘合力增加，并且可以阻挡从下部流出的碱成分等流向绝缘层的上部。绝缘层可以是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层，或者氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层结构，并且实施例不局限于此。然而，可以省略可以设置在基底111与第二栅电极120之间的绝缘层。
根据实施例，第二栅电极120保护第二晶体管M2的有源层131。特别地，当基底111由塑料材料形成时，并且当可以设置在第二栅电极120与基底111之间的绝缘层包括氮化硅(SiNx)时，氢或湿气会从基底111或绝缘层向上扩散，并且损坏第二晶体管M2的有源层131。此外，第二晶体管M2的阈值电压(Vth)会由于由基底111产生的电流下降现象而改变，这会降低显示装置100的可靠性。根据实施例，第二栅电极120设置在第二晶体管M2的有源层131下方并且与有源层131叠置以阻挡氢或湿气扩散出底部，这可以防止发生第二晶体管M2的阈值电压偏移。
根据实施例，缓冲层112设置在第二栅电极120和基底111上。缓冲层112使第二栅电极120与第二晶体管M2的有源层131绝缘。缓冲层112可以是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层，或者氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层结构，但是实施例不局限于此。缓冲层112具有被形成为允许发光线Ei与第二栅电极120接触的接触孔。
根据实施例，第二晶体管M2设置在缓冲层112上。第二晶体管M2是顶栅型共面结构。然而，本公开的实施例不局限于此。
特别地，根据实施例，第二晶体管M2的有源层131设置在缓冲层112上。有源层131由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体形成，但是实施例不局限于此。有源层131包括其中形成沟道的沟道区131a、连接到源电极132的源区131b以及连接到漏电极133的漏区131c。第二晶体管M2的沟道区131a掺杂有例如硼。当第二晶体管M2的沟道区131a掺杂有硼时，第二晶体管M2的阈值电压正向偏移，这可以改善显示装置100的余像。
根据实施例，第一栅极绝缘层113形成在有源层131上。第一栅极绝缘层113可以是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层，或者氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层结构。接触孔形成在第一栅极绝缘层113中，第二晶体管M2的源电极132和漏电极133分别通过接触孔与有源层131的源区131b和漏区131c接触，并且发光线Ei通过接触孔与第二栅电极120接触。
根据实施例，第二晶体管M2的第1-1栅电极134a形成在第一栅极绝缘层113上。第1-1栅电极134a由诸如钼(Mo)的金属形成。第1-1栅电极134a与第二晶体管M2的有源层131的沟道区131a叠置。
根据实施例，第二栅极绝缘层114形成在第1-1栅电极134a和第一栅极绝缘层113上。第二栅极绝缘层114与第一栅极绝缘层113由相同的材料形成，并且可以是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层，或者氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层结构。接触孔形成在第二栅极绝缘层114中，源电极132和漏电极133分别通过接触孔与有源层131的源区131b和漏区131c接触。
根据实施例，第二晶体管M2的第1-2栅电极134b形成在第二栅极绝缘层114上。第1-2栅电极134b与第1-1栅电极134a由相同的材料形成，并且由诸如钼(Mo)的金属形成。第1-2栅电极134b与第二晶体管M2的有源层131的沟道区131a叠置。如此，第二晶体管M2的第一栅电极134a和134b形成双层。然而，本公开的实施例不局限于此，第二晶体管M2的第一栅电极134a和134b可以是单层。
根据实施例，层间绝缘层115形成在第1-2栅电极134b和第二栅极绝缘层114上。层间绝缘层115由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机材料形成，并且可以是单层或多层，但是实施例不局限于此。
根据实施例，第二晶体管M2的源电极132和漏电极133形成在层间绝缘层115上。源电极132和漏电极133通过形成在第一栅极绝缘层113、第二栅极绝缘层114和层间绝缘层115中的接触孔电连接到有源层131。源电极132和漏电极133由导电材料形成，并且源电极132和漏电极133可以通过同一工艺由相同的材料形成，尽管本公开的实施例不局限于此。
根据实施例，发光线Ei形成在第一栅极绝缘层113上。发光线Ei与第二晶体管M2的第1-1栅电极134a和第七晶体管M7的栅电极144由相同的材料形成，并且由诸如钼(Mo)的金属形成。
根据实施例，第七晶体管M7设置在缓冲层112上。特别地，第七晶体管M7具有顶栅型共面结构。然而，本公开的实施例不局限于此。
特别地，根据实施例，第七晶体管M7的有源层141设置在缓冲层112上。有源层141由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体形成，但是实施例不局限于此。有源层141包括其中形成沟道的沟道区141a、连接到第七晶体管M7的源电极142的源区141b以及连接到第七晶体管M7的漏电极143的漏区141c。第七晶体管M7的有源层141与第二晶体管M2的有源层131由相同的材料形成，但是实施例不局限于此。
根据实施例，第一栅极绝缘层113形成在有源层141上，并且第七晶体管M7的栅电极144形成在第一栅极绝缘层113上。第七晶体管M7的栅电极144与第二晶体管M2的第一栅电极134a和134b由相同的材料形成，并且由诸如钼(Mo)的金属形成。第七晶体管M7的栅电极144与第七晶体管M7的有源层141的沟道区141a叠置。
根据实施例，第二栅极绝缘层114和层间绝缘层115顺序地形成在栅电极144和第一栅极绝缘层113上。接触孔形成在第二栅极绝缘层114和层间绝缘层115中，源电极142和漏电极143分别通过接触孔与有源层141的源区141b和漏区141c接触。
根据实施例，第七晶体管M7的源电极142和漏电极143形成在层间绝缘层115上。源电极142和漏电极143通过形成在第一栅极绝缘层113、第二栅极绝缘层114和层间绝缘层115中的接触孔电连接到有源层141。第七晶体管M7的源电极142和漏电极143可以与第二晶体管M2的源电极132和漏电极133通过同一工艺由相同的材料形成，尽管本公开的实施例不局限于此。
根据实施例，第七晶体管M7的源电极142通过形成在第二栅极绝缘层114和层间绝缘层115中的接触孔连接到栅电极144。因此，第七晶体管M7可以用作二极管。
根据实施例，第七晶体管M7连接在第二栅电极120与发光线Ei之间。特别地，第七晶体管M7的源电极142通过形成在缓冲层112、第一栅极绝缘层113、第二栅极绝缘层114和层间绝缘层115中的接触孔电连接到第二栅电极120。第七晶体管M7的漏电极143通过形成在第二栅极绝缘层114和层间绝缘层115中的接触孔电连接到发光线Ei。因此，第二栅电极120通过第七晶体管M7连接到发光线Ei。
根据实施例，平坦化层116设置在第二晶体管M2、第七晶体管M7和层间绝缘层115上。平坦化层116使第二晶体管M2和第七晶体管M7的上部平坦化。平坦化层116可以是如图3中所示的单层，或者可以是多层结构。平坦化层116可以由丙烯酰基类有机材料形成，然而，实施例不局限于此。
在一些示例性实施例中，钝化层形成在第二晶体管M2和第七晶体管M7与平坦化层116之间。也就是说，为了保护第二晶体管M2和第七晶体管M7免受湿气或氧等的渗透，形成覆盖上部的钝化层。钝化层由无机材料形成，并且可以是单层或多层结构，但是实施例不局限于此。可以省略钝化层。
接下来，将参照图4描述在参照图1至图3描述的显示装置100的一个图像帧期间操作的每个信号。
图4是根据本公开的示例性实施例的显示装置的一帧的时序图。图4的时序图示出了传输到图1至图3的显示装置100的一个像素PXij的第i条发光线Ei的发光信号、传输到第一扫描线Si的第一扫描信号、传输到第二扫描线S(i-1)的第二扫描信号、传输到第j条数据线Dj的数据信号以及传输到第二栅电极120的第一电压V1。
首先，根据实施例，在第一时间点t1之前的时间段期间，发光信号处于导通电平。第五晶体管M5和第六晶体管M6响应于发光信号保持在导通状态，并且作为二极管工作的第七晶体管M7切断第二栅电极120与发光线Ei之间的电连接。第二栅电极120在第一时间点t1之前的时间段期间保持浮置状态。第一时间点t1之前的时间段是其中有机发光二极管OLED可以发光的发光允许时间段。
根据实施例，发光信号在第一时间点t1从导通电平变为截止电平。第五晶体管M5和第六晶体管M6响应于发光信号而截止，并且有机发光二极管OLED停止发光。当发光信号变为截止电平时，作为二极管连接的第七晶体管M7导通。如果第七晶体管M7导通，则发光线Ei电连接到第二栅电极120，并且截止电平发光信号被传输到第二栅电极120。截止电平发光信号是高电平电压，并且传输到第二栅电极120的第一电压V1与高电平发光信号电压相同。
根据实施例，当以这种方式将截止电平发光信号传输到第二栅电极120时，第二晶体管M2的阈值电压负向偏移，这可以抑制第二晶体管M2的漏电流的增加。详细地，当没有设置第二栅电极120时，扫描信号周期性地传输到第二晶体管M2的第一栅电极134a和134b，这会使第二晶体管M2的阈值电压正向偏移。如果第二晶体管M2的阈值电压以这种方式正向偏移，则第二晶体管M2的漏电流增加，这会使图像质量劣化。同时，如在本公开的示例性实施例中，如果高电平电压截止发光信号周期性地传输到作为第二晶体管M2的背栅的第二栅电极120，则第二晶体管M2的阈值电压负向偏移，这抑制了漏电流的增加。
根据实施例，在第二时间点t2，第二扫描信号从截止电平变为导通电平。第四晶体管M4响应于第二扫描信号而导通。因此，通过初始化电源线VINTL传输的初始化电压传输到第一节点N1，并且第一晶体管M1的栅电极被初始化电压初始化。
根据实施例，在第三时间点t3，第一扫描信号从截止电平变为导通电平，发光信号处于截止电平，并且数据信号被传输到数据线Dj。第二晶体管M2和第三晶体管M3响应于第一扫描信号而导通，并且第五晶体管M5和第六晶体管M6保持在截止状态。因此，数据信号通过数据线Dj、第二晶体管M2、第一晶体管M1和第三晶体管M3被传输到存储电容器Cst的一个电极，并且存储电容器Cst记录数据信号的数据电压与第一电源电压之间的差。
根据实施例，在第四时间点t4，发光信号从截止电平变为导通电平。第五晶体管M5和第六晶体管M6响应于发光信号而导通，并且第七晶体管M7切断第二栅电极120与发光线Ei之间的电连接。因此，产生使第一电源电压线ELVDDL、第五晶体管M5、第一晶体管M1、第六晶体管M6、有机发光二极管OLED和第二电源电压线ELVSSL连接的电流路径。根据存储在连接到第一晶体管M1的栅电极的存储电容器Cst中的电压的大小来确定流过电流路径的电流的量。第四时间点t4之后的时间段是其中有机发光二极管OLED可以发光的时间段，并且与发光线Ei的电连接被切断的第二栅电极120保持在浮置状态。
在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，与第二晶体管M2的有源层131叠置的第二栅电极120设置在基底111与第二晶体管M2之间，并且第二栅电极120通过用作二极管的第七晶体管M7连接到发光线Ei。因此，在其中高电平电压截止发光信号被传输到发光线Ei的发光不允许时间段期间，发光信号被传输到第二栅电极120。以这种方式，当高电平电压被传输到第二栅电极120时，可以使第二晶体管M2的阈值电压负向偏移。
根据实施例，如果第二晶体管M2的有源层131掺杂有如上所述的硼，则可以使第二晶体管M2的阈值电压正向偏移以减少显示装置100的余像。然而，当用户长时间或在高温环境中使用显示装置100时，第二晶体管M2的阈值电压会进一步正向偏移，并且会在显示装置100中看到水平条纹。即使当水平线旨在在显示装置100的屏幕的一个区域上显示时，另一条水平线也将在显示装置100的另一区域上显示，因此，会在整个显示装置的屏幕上视觉地识别水平条纹。
然而，根据实施例，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，在图像帧的至少一部分(即，发光不允许时间段)期间，高电平电压发光信号被传输到第二栅电极120，并且第二晶体管M2的阈值电压负向偏移。因此，减少了显示装置100的余像，并且即使当在高温下或长时间使用显示装置100时，第二晶体管M2的阈值电压也负向偏移，这可以减少水平条纹的产生。
图5是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的一个像素的示意性剖视图。除了第二栅电极221和222与第二栅电极120不同之外，图5的显示装置200与图1至图4的显示装置100基本上相同，并且将省略其重复描述。
参照图5，根据实施例，第一基底111可以支撑显示装置200的各种构造元件。第一基底111与图1至图4的基底111基本上相同。第2-1栅电极221设置在第一基底111上。第2-1栅电极221与第二晶体管M2的位于第一基底111与第一栅极绝缘层113之间的有源层131叠置。第2-1栅电极221可以由各种金属材料形成。绝缘层可以设置在第2-1栅电极221与第一基底111之间，以使第2-1栅电极221与第一基底111隔离。然而，可以省略绝缘层。接触孔形成在第一基底111中，第2-1栅电极221通过接触孔与第2-2栅电极222接触。
根据实施例，第一缓冲层112设置在第2-1栅电极221和第一基底111上。第一缓冲层112使第2-1栅电极221与第二晶体管M2的有源层131绝缘。第一缓冲层112可以是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层，或者氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层结构，但是实施例不局限于此。
根据实施例，第二基底117设置在第一基底111下方。第二基底117可以支撑位于第二基底117上的显示装置200的各种构造元件，并且与第一基底111由相同的材料形成。例如，第二基底117可以由诸如聚酰亚胺的塑料形成，然而，本公开的实施例不局限于此。
根据实施例，第2-2栅电极222设置在第二基底117上。第2-2栅电极222与第二晶体管M2的有源层131叠置，在剖视图中，第2-2栅电极222的宽度比有源层131的宽度大，并且在剖视图中，第2-1栅电极221的宽度比第2-2栅电极222的宽度大。第2-2栅电极222可以由各种金属材料形成，并且例如与第2-1栅电极221由相同的材料形成。
根据实施例，第二缓冲层118设置在第2-2栅电极222和第二基底117上。第二缓冲层118是使第2-2栅电极222的上表面平坦化的绝缘层，并且有助于将第二基底117和第2-2栅电极222结合到第一基底111。第二缓冲层118与第一缓冲层112由相同的材料形成，并且可以是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层，或者氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层结构，但是实施例不局限于此。接触孔形成在第一基底111和第二缓冲层118中，第2-1栅电极221通过接触孔与第2-2栅电极222接触。
根据实施例，第二基底117、第2-2栅电极222和第二缓冲层118设置在第一基底111下方，并且与第一基底111接触。第二缓冲层118的上表面与第一基底111的下表面接触。
根据实施例，第2-1栅电极221通过形成在第一基底111和第二缓冲层118中的接触孔电连接到第2-2栅电极222。如上所述，第2-1栅电极221通过第七晶体管M7连接到发光线Ei，因此，在其中截止电平发光信号被传输到发光线Ei的发光不允许时间段期间，高电平电压发光信号可以被传输到第2-1栅电极221。在发光不允许时间段期间，高电平电压发光信号也被传输到电连接到第2-1栅电极221的第2-2栅电极222。以这种方式，在每个图像帧的发光不允许时间段期间，高电平电压被传输到第2-1栅电极221和第2-2栅电极222。高电平电压被传输到其的第二栅电极221和222的双层形成在第二晶体管M2的有源层131下方。第二栅电极221和222具有双层结构。因此，可以更有效地执行第二晶体管M2的阈值电压的负向偏移，并且即使当长时间或在高温下使用显示装置200时，也可以进一步减少水平条纹的产生。
图6是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置300的一个像素的电路图。图7是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置300的一个像素的示意性剖视图。除了第二栅电极320连接到第一电源电压线ELVDDL并且不设置第七晶体管M7之外，图6和图7的显示装置300与图1至图4的显示装置100基本上相同，并且将省略其重复描述。
参照图6和图7，根据实施例，第二栅电极320设置在第二晶体管M2下方并与第二晶体管M2的有源层131叠置，并且电连接到第一电源电压线ELVDDL。特别地，第一电源电压线ELVDDL形成在第二栅极绝缘层114上，并且第一电源电压线ELVDDL与第二晶体管M2的第1-1栅电极134a由相同的材料形成。第一电源电压线ELVDDL通过形成在缓冲层112、第一栅极绝缘层113和第二栅极绝缘层114中的接触孔电连接到第二栅电极320。
根据实施例，在每个图像帧期间，第一电源电压通过第一电源电压线ELVDDL传输。第一电源电压是高电平电源电压。第二栅电极320电连接到第一电源电压线ELVDDL，并且在每个图像帧期间连续地传输高电平第一电源电压。
在根据本公开的另一示例性实施例的显示装置300中，与第二晶体管M2的有源层131叠置的第二栅电极320电连接到第一电源电压线ELVDDL。因此，在图像帧期间，高电平第一电源电压可以连续地传输到第二栅电极320。以这种方式，当高电平电压连续地传输到第二栅电极320时，第二晶体管M2的阈值电压负向偏移。如果第二晶体管M2的有源层131掺杂有如上所述的硼，则可以使第二晶体管M2的阈值电压正向偏移以减少显示装置300的余像。然而，当用户长时间或在高温下使用显示装置300时，第二晶体管M2的阈值电压进一步正向偏移，并且会在显示装置300中看到水平条纹。因此，在根据本公开的另一示例性实施例的显示装置300中，在图像帧的整个时间段期间，高电平电源电压连续地传输到第二栅电极320，第二晶体管M2的阈值电压更有效地负向偏移。因此，减少了显示装置300的余像，并且即使当长时间或在高温下使用显示装置300时也可以更有效地减少水平条纹的产生。
根据实施例，图6和图7的显示装置300的第二栅电极320可以具有类似于图5的显示装置200的第二栅电极221和222的双层结构。特别地，在图7的显示装置300中，基底111是第一基底111，并且第二栅电极320是第2-1栅电极221。第二基底117、第2-2栅电极222和第二缓冲层118可以如图5中所示进一步形成在第一基底111下方。第2-2栅电极222与第二晶体管M2的有源层131叠置。形成在第一基底111上的第2-1栅电极221通过形成在第一基底111和第二缓冲层118中的接触孔电连接到第2-2栅电极222。因此，第一电源电压线ELVDDL、第2-1栅电极221和第2-2栅电极222彼此电连接。因此，在图像帧期间，第一电源电压可以连续地传输到第2-1栅电极221和第2-2栅电极222，并且可以通过两层的第二栅电极221和222使第二晶体管M2的阈值电压更有效地负向偏移。
图8是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的一个像素的示意性剖视图。除了第二栅电极421和422与第二栅电极120不同之外，图8的显示装置400与图1至图4的显示装置100基本上相同，将省略其重复描述。
根据实施例，第一基底111支撑显示装置400的各种构造元件。第一基底111与图1至图4的基底111基本上相同。第2-1栅电极421设置在第一基底111上。第2-1栅电极421与第二晶体管M2的位于第一基底111与第一栅极绝缘层113之间的有源层131叠置。第2-1栅电极421可以由各种金属形成。
根据实施例，第一缓冲层112设置在第2-1栅电极421和第一基底111上。第一缓冲层112是使第2-1栅电极421与第二晶体管M2的有源层131绝缘的绝缘层。接触孔形成在第一缓冲层112中，第七晶体管M7的源电极142通过接触孔连接到第2-1栅电极421。第七晶体管M7的漏电极143连接到发光线Ei。当如上所述截止电平发光信号通过发光线Ei传输时，高电平电压发光信号被传输到第2-1栅电极421。因此，可以在每个图像帧的发光不允许时间段期间将高电平电压传输到第2-1栅电极421。由于在发光允许时间段期间，第2-1栅电极421通过第七晶体管M7与发光线Ei电断开，所以第2-1栅电极421可以浮置。
根据实施例，第二基底117设置在第一基底111下方。第二基底117可以支撑位于第二基底117上的显示装置400的各种构造元件，并且与第一基底111由相同的材料形成。例如，第二基底117由诸如聚酰亚胺的塑料形成，尽管实施例不局限于此。
根据实施例，第2-2栅电极422设置在第二基底117上。第2-2栅电极422与第二晶体管M2的有源层131叠置，并且在剖视图中，第2-2栅电极422的宽度比第二晶体管M2的有源层131的宽度大。第2-2栅电极422可以由各种金属材料形成，并且例如与第2-1栅电极421由相同的材料形成。
根据实施例，第二缓冲层118设置在第2-2栅电极422和第二基底117上。第二缓冲层118是使第2-2栅电极422的上表面平坦化并有助于将第二基底117和第2-2栅电极422结合到第一基底111的绝缘层。第二缓冲层118与第一缓冲层112由相同的材料形成，可以是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层，或者是氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的多层结构，但是实施例不局限于此。
根据实施例，第二基底117、第2-2栅电极422和第二缓冲层118在第一基底111下方与第一基底111接触。第二缓冲层118的上表面与第一基底111的下表面接触。
根据实施例，第2-2栅电极422通过形成在第二缓冲层118、第一基底111、第一缓冲层112、第一栅极绝缘层113和第二栅极绝缘层114中的接触孔连接到第一电源电压线ELVDDL。在每个图像帧期间，高电平第一电源电压被传输到第一电源电压线ELVDDL。第2-2栅电极422电连接到第一电源电压线ELVDDL，并且在每个图像帧期间可以连续地传输高电平第一电源电压。
此外，根据实施例，在图8的显示装置400中，第2-1栅电极421和第2-2栅电极422可以以不同于图8中所示的方式连接。特别地，第2-1栅电极421可以连接到第一电源电压线ELVDDL，第2-2栅电极422可以连接到第七晶体管M7，但是第二栅电极的实施例不局限于此。
在根据本公开的另一示例性实施例的显示装置400中，第2-1栅电极421通过第七晶体管M7连接到发光线Ei并且在发光不允许时间段期间接收高电平电压，并且第2-2栅电极422连接到第一电源电压线ELVDDL并且在图像帧期间连续地接收高电平电源电压。因此，在发光不允许时间段期间，由于高电平电压被传输到第2-1栅电极421和第2-2栅电极422，所以可以使第二晶体管M2的阈值电压负向偏移。此外，在发光允许时间段期间，由于高电平电压被传输到第2-2栅电极422，所以第二晶体管M2的阈值电压负向偏移。因此，可以更有效地执行第二晶体管M2的阈值电压的负向偏移，并且即使当长时间或在高温下使用显示装置400时，也可以进一步减少水平条纹的产生。
根据实施例，图8的显示装置400的第2-1栅电极421和第2-2栅电极422中的任一个或两者可以具有类似于图5的显示装置200的第二栅电极221和222的双层结构。特别地，在图8的显示装置400中，类似于图5中所示的方式，第三基底和第三缓冲层可以进一步形成在第一基底111下方，并且第四基底和第四缓冲层可以进一步形成在第二基底117下方。然后，第2-1栅电极421的第二层和第2-2栅电极422的第二层可以分别形成在第三基底与第三缓冲层之间以及第四基底与第四缓冲层之间。接触孔可以穿过第一基底111和第三缓冲层形成，使得第2-1栅电极421可以电连接到其第二层，并且接触孔可以穿过第二基底117和第四缓冲层形成，使得第2-2栅电极422可以电连接到其第二层。
前面的详细描述例证并且解释了本公开的示例性实施例。然而，本公开的实施例可以在与上述实施例不同的各种其它组合、改变和环境中使用，并且可以在本说明书中公开的发明构思的实施例的范围、等同于所描述的公开的范围和/或本领域的技术或知识内进行改变或修改。因此，公开的示例性实施例的前述详细描述并不旨在将公开限制于所公开的示例性实施例。此外，权利要求应被解释为包括其它示例性实施例。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括多个像素，
其中，每个像素包括：
第一晶体管，所述第一晶体管响应于第一节点的电压控制从第一电源电压线供应到有机发光二极管的电流的量，所述第一电源电压线经由第二节点连接到所述有机发光二极管；
第二晶体管，连接在数据线与所述第二节点之间，并且所述第二晶体管包括连接到第一扫描线的第一栅电极；
发光线，连接到至少一个发光晶体管的栅电极，所述至少一个发光晶体管位于所述第一电源电压线与所述有机发光二极管之间的电流路径中；以及
第七晶体管，连接在所述第二晶体管的至少一个第二栅电极中的一个第二栅电极与所述发光线之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述第七晶体管的栅电极和第一电极连接到所述至少一个第二栅电极，并且
其中，所述第七晶体管的第二电极连接到所述发光线。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当所述发光线的发光信号处于高电平时，所述发光信号通过所述发光线被传输到所述第二晶体管的所述至少一个第二栅电极中的所述一个第二栅电极，并且当所述发光信号处于低电平时，所述至少一个第二栅电极中的所述一个第二栅电极浮置。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，在所述有机发光二极管的发光不允许时间段期间，所述高电平的发光信号被传输到所述至少一个第二栅电极中的所述一个第二栅电极。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个第二栅电极中的所述一个第二栅电极包括彼此电连接的两个层并且绝缘层置于所述两个层之间。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个第二栅电极中的另一个第二栅电极连接到所述第一电源电压线。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，在图像帧期间，高电平电压连续地传输到所述至少一个第二栅电极中的所述另一个第二栅电极。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述至少一个第二栅电极中的所述另一个第二栅电极包括彼此电连接的两个层并且绝缘层位于所述两个层之间。
9.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述多个像素中的每个像素还包括：第三晶体管，连接在所述第一节点与第三节点之间，并且所述第三晶体管包括连接到所述第一扫描线的栅电极；以及第四晶体管，连接在所述第一节点与初始化电源线之间，并且所述第四晶体管包括连接到第二扫描线的栅电极，并且
其中，所述至少一个发光晶体管包括：第五晶体管，连接在所述第一电源电压线与所述第二节点之间，并且所述第五晶体管包括连接到所述发光线的栅电极；以及第六晶体管，连接在所述第三节点与所述有机发光二极管之间，并且所述第六晶体管包括连接到所述发光线的栅电极。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二晶体管的有源层具有掺杂的沟道区。
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