CN111463293A - 支架结构、光传感器结构及制造光传感器结构的方法 - Google Patents

支架结构、光传感器结构及制造光传感器结构的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供支架结构、光传感器结构及制造光传感器结构的方法。光传感器结构包括第一支架组、第二支架组及壳体，第一支架组包括第一固晶支架及第一接线支架，第一固晶支架有第一固晶部承载第一芯片、及第一固晶部沿纵向延伸的第一导电引脚，第一接线支架具有第一接线部、及第一接线部沿纵向延伸的第一传导引脚；第一固晶部的至少一角落形成第一缺口；第二支架组包括第二固晶支架及第二接线支架，第二固晶支架有第二固晶部承载第二芯片、及第二固晶部沿纵向延伸的第二导电引脚，第二接线支架具有第二接线部及第二接线部沿纵向延伸的第二传导引脚；第二固晶部的至少一角落形成第二缺口；壳体包覆第一固晶部、第一接线部、第二固晶部及第二接线部。

Description

支架结构、光传感器结构及制造光传感器结构的方法
技术领域
本发明涉及一种支架结构、光传感器结构及制造光传感器结构的方法，特别是指一种可作为微型光遮断器的光传感器结构、支架结构及制造光传感器结构的方法。
背景技术
光传感器结构包括一发光组件以发射一红外线、及一感光组件以接收反射回来的红外线，透过物体遮蔽光信号而达成光开关的功能。例如可应用于多功能事务机的纸张进出感应、纸张用量感应、纸匣开闭状态…等，以确保多功能事务机的各功能运作正常。
常见光传感器结构的问题在于发光组件的光线直接透过绝缘壳体而泄漏至隔壁的感光组件，导致暗电流(dark current)，进而增大噪声(干扰信号)，甚至导致误动作。此外，绝缘壳体与支架的结合力不足，容易导致绝缘壳体与支架剥离。
发明内容
本发明要解决的技术问题，在于提供一种光传感器的支架结构，能加强光传感器的壳体与支架的结合力。
为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种光传感器的支架结构，其包括一第一支架组、及一第二支架组。所述第一支架组包括一第一固晶支架及一第一接线支架，所述第一固晶支架具有一第一固晶部、及一由所述第一固晶部沿纵长方向延伸的第一导电引脚，所述第一接线支架具有一第一接线部、及一由所述第一接线部沿纵长方向延伸的第一传导引脚；其中所述第一固晶部的至少一个角落形成一第一缺口；所述第二支架组包括一第二固晶支架及一第二接线支架，所述第二固晶支架具有一第二固晶部及一由所述第二固晶部延伸的第二导电引脚，所述第二接线支架具有一第二接线部及一由所述第二接线部沿纵长方向延伸的第二传导引脚：其中所述第二固晶部的至少一个角落形成一第二缺口。
本发明所要解决的技术问题，还在于提供一种光传感器结构在于减少干扰的信号，加强壳体与支架结构的结合力及加强防潮能力。
为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种光传感器结构，其包括一第一支架组、一第一芯片、一第二支架组、一第二芯片及一壳体。所述第一支架组包括一第一固晶支架及一第一接线支架，所述第一固晶支架具有一第一固晶部、及一由所述第一固晶部沿纵长方向延伸的第一导电引脚，所述第一接线支架具有一第一接线部、及一由所述第一接线部沿纵长方向延伸的第一传导引脚；其中所述第一固晶部的至少一个角落形成一第一缺口；所述第一芯片置于所述第一固晶支架的所述第一固晶部；所述第二支架组包括一第二固晶支架及一第二接线支架，所述第二固晶支架具有一第二固晶部及一由所述第二固晶部沿纵长方向延伸的第二导电引脚，所述第二接线支架具有一第二接线部及一由所述第二接线部沿纵长方向延伸的第二传导引脚；其中所述第二固晶部的至少一个角落形成一第二缺口；所述第二芯片置于所述第二固晶支架的所述第二固晶部；所述壳体，包覆所述第一固晶部、所述第一接线部、所述第二固晶部及所述第二接线部。
依据本发明其中一种可行的实施例，所述第二固晶部具有四个角落，且各角落形成一个所述第二缺口，从而所述第二固晶部大致呈十字的形状；其中所述第一固晶部具有四个角落，且各角落形成一个所述第一缺口，所述第一固晶部具有平行于所述纵长方向的二纵向侧边，所述第一固晶部的每一所述纵向侧边形成一侧缺口，从而所述第一固晶部大致呈双十字的形状。
依据本发明其中一种可行的实施方式，所述第一固晶部具有一面对所述第一接线支架的截断侧边，所述第一固晶部的所述截断侧边形成有一第一切口；所述第二固晶部具有一面对所述第二接线支架的截断侧边，所述第二固晶部的所述截断侧边形成有一第二切口。
依据本发明其中一种可行的实施方式，所述第一接线支架具有一第一凸部，所述第一凸部由所述第一接线部局部地朝向所述第二接线支架突出，从而所述第一接线支架呈L形；所述第二接线支架具有一第二凸部，所述第二凸部由所述第二接线部局部地朝向所述第一接线支架突出，从而所述第二接线支架呈L形。
依据本发明其中一种可行的实施方式，所述第一固晶支架的上表面与下表面各具有一相互错开的沟槽，所述第一固晶支架的所述沟槽位于所述第一固晶部与所述第一导电引脚之间，所述第一接线支架的上表面与下表面各具有一相互错开的沟槽，所述第一接线支架的所述沟槽位于所述第一接线部与所述第一传导引脚之间；所述第二固晶支架的上表面与下表面各具有一相互错开的沟槽，所述第二固晶支架的所述沟槽位于所述第二固晶部与所述第二导电引脚之间，所述第二接线支架的上表面与下表面各具有一相互错开的沟槽，所述第二接线支架的所述沟槽位于所述第二接线部与所述第二传导引脚之间。
依据本发明其中一种可行的实施方式，其中所述第一固晶支架还包括一第一贯穿孔，所述第一贯穿孔邻近所述第一固晶支架的所述沟槽；所述第二固晶支架还包括一第二贯穿孔，所述第二贯穿孔邻近所述第二固晶支架的所述沟槽。
依据本发明其中一种可行的实施方式，所述第一导电引脚及所述第一传导引脚各具有一弯折部，从而所述第一导电引脚及所述第一传导引脚各具有一连接部与所述第一固晶部不位于同一平面；所述第二导电引脚及所述第二传导引脚各具有一弯折部，从而所述第二导电引脚及所述第二传导引脚各具有一连接部与所述第二固晶部不位于同一平面。
依据本发明其中一种可行的实施方式，所述壳体形成一第一容置区、一第二容置区及一隔墙，所述第一固晶部外露于所述第一容置区，所述第二固晶部外露于所述第二容置区，所述隔墙位于所述第一容置区与所述第二容置区之间，所述隔墙的顶面的宽度小于所述隔墙的根部的宽度，所述根部邻近所述第一固晶部和所述第二固晶部。
依据本发明其中一种可行的实施方式，所述壳体还包括多个阶梯部，所述多个阶梯部由所述壳体的所述第一容置区与所述第二容置区的底部边缘朝内部延伸，所述多个阶梯部延伸并覆盖局部所述第一固晶部的上表面、所述第二固晶部的上表面、所述第一接线部及所述第二接线部，其中，位于所述隔墙两边的所述阶梯部的相距最大距离的宽度大于所述隔墙的所述根部的宽度。
依据本发明其中一种可行的实施方式，所述隔墙的所述顶面的宽度、所述隔墙的所述根部的宽度、位于所述隔墙两边的所述阶梯部的相距最大距离的宽度的比值为1:1.2:2。
依据本发明其中一种可行的实施方式，所述第一固晶部的顶面形成大致呈十字状的一第一凹沟，所述第二固晶部的顶面形成大致呈十字状的一第二凹沟。
依据本发明其中一种可行的实施方式，还包括一料带边框，所述料带边框连接于所述第一支架组与所述第二支架组，所述料带边框具有一固持凸块朝向所述第一支架组突出、及另一固持凸块朝向所述第二支架组突出。
本发明所要解决的技术问题，在于提供一种制造光传感器结构的方法，其可以减少干扰的信号，加强壳体与支架结构的结合力及加强防潮能力。
为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种制造光传感器结构的方法，包括下列步骤：
冲压步骤，冲压一金属料带以形成一料带边框、一第一支架组与一第二支架组；其中所述第一支架组包括一第一固晶支架及一第一接线支架，所述第二支架组包括一第二固晶支架及一第二接线支架；其中所述料带边框形成有朝内突出的多个固持凸块；
射出成型步骤，将绝缘材料射出成型为一壳体，使所述壳体局部包覆所述第一支架组与所述第二支架组，并形成第一容置区、第二容置区及一位于所述第一容置区与所述第二容置区之间的隔墙，其中所述壳体包覆所述多个固持凸块，所述固持凸块插入所述壳体的侧边；
切割成型步骤，使所述第一支架组以及所述第二支架组与所述料带边框分离；
置晶打线步骤，将第一芯片置于所述第一支架组的所述第一固晶支架，将一第二芯片置于所述第二支架组的所述第二固晶支架，并分别打线连接所述第一芯片于所述第一接线支架、以及连接所述第二芯片于所述第二接线支架；
充填封胶体步骤，充填第一封胶体于所述第一容置区、及第二封胶体于所述第二容置区，将所述壳体由所述料带边框的所述固持凸块分离；以及
分离步骤，将所述壳体由所述料带边框的所述固持凸块推离。
依据本发明其中一种可行的实施方式，在切割成型步骤中，还包括弯折所述第一固晶支架、所述第一接线支架、所述第二固晶支架及所述第二接线支架，分别形成一弯折部。
本发明所要解决的技术问题，还在于提供一种光传感器结构在于减少干扰的信号，加强壳体与支架结构的结合力及加强防潮能力。
为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种光传感器结构，其包括一第一支架组、一第一芯片、一第二支架组、一第二芯片、及一壳体。所述第一支架组包括一第一固晶支架及一第一接线支架，所述第一固晶支架具有一第一固晶部、及一由所述第一固晶部沿纵长方向延伸的第一导电引脚，所述第一接线支架具有一第一接线部、及一由所述第一接线部沿纵长方向延伸的第一传导引脚。所述第一芯片置于所述第一固晶支架的所述第一固晶部。所述第二支架组包括一第二固晶支架及一第二接线支架，所述第二固晶支架具有一第二固晶部及一由所述第二固晶部沿纵长方向延伸的第二导电引脚，所述第二接线支架具有一第二接线部及一由所述第二接线部沿纵长方向延伸的第二传导引脚。所述第二芯片置于所述第二固晶支架的所述第二固晶部。所述壳体形成一第一容置区、一第二容置区及一隔墙，所述第一固晶部外露于所述第一容置区，所述第二固晶部外露于所述第二容置区，所述隔墙位于所述第一容置区与所述第二容置区之间，所述隔墙的顶面的宽度小于所述隔墙的根部的宽度，所述隔墙的根部向外延伸形成多个阶梯部并覆盖局部所述第一固晶部的上表面、所述第二固晶部的上表面、所述第一接线部的上表面及所述第二接线部的上表面，其中位于所述隔墙两边的所述阶梯部的相距最大距离的宽度大于所述隔墙的所述根部的宽度。
本发明具有以下有益效果：本发明的光传感器结构可以防止红外线泄漏，减少暗电流(dark current)的干扰信号，提高信噪比，从而减少干扰信号，降低错误检测情形；再者，本发明的支架结构可以加强壳体与支架结构的结合力。此外，本发明的壳体的结构还能阻挡光线、延伸水气可能入侵的路径长度而有效减缓水气入侵，加强防潮能力，从而延长产品的寿命。
为了能更进一步了解本发明为达成既定目的所采取的技术、方法及功效，请参阅以下有关本发明之详细说明、附图，相信本发明之目的、特征与特点，当可由此得以深入且具体之了解，然而附图仅提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明的光传感器结构的立体图。
图2为本发明的光传感器结构的俯视图。
图3为本发明的光传感器结构的侧视图。
图4为本发明的光传感器的支架结构的俯视图。
图5为本发明的光传感器的支架结构的侧视图。
图6A为本发明的光传感器结构沿着图2的VIA-VIA线的剖视图。
图6B为本发明的光传感器结构沿着图2的VIB-VIB线的剖视图。
图6C为本发明的光传感器结构沿着图2的VIC-VIC线的剖视图。
图7A为本发明的光传感器的冲压支架结构的示意图。
图7B为本发明的光传感器的射出成型壳体的示意图。
图7C为本发明的光传感器的支架结构的切割成型的示意图。
图7D为本发明的光传感器的置晶打线步骤的示意图。
图7E为本发明的光传感器的充填封胶体的示意图。
具体实施方式
请参考图1至图3，为本发明的光传感器结构的立体图、俯视图及侧视图。本发明提供一种光传感器结构，可应用于光遮断器(photo-interrupter)，其包括一第一支架组10、一第一芯片C1、一第二支架组20、一第二芯片C2及一壳体30。壳体30为不透光绝缘胶体，并形成一第一容置区31、一第二容置区32及一隔墙33，隔墙33隔开第一容置区31与第二容置区32。第一芯片C1置于第一容置区31，第二芯片C2置于第二容置区32。第一芯片C1可为一发光二极管芯片，例如不可见光二极管芯片，优选地，可以是红外线二极管芯片(IR LEDChip)，波长约为940nm；第二芯片C2可为光敏晶体管(phototransistor)芯片。第一容置区31充填有可透光的第一封胶体35，第二容置区32充填有可透光的第二封胶体36。图2移除封胶体以方便呈现内部结构。可透光在本实施例的意思是可供红外线通过，因此不限于是无色的透明状，只要具有可供光线透过的效果即可。壳体30的一角落还可形成一辨识部39，本实施例为一缺角。
请参阅图4及图5，为本发明的光传感器的支架结构的俯视图与侧视图。支架结构1F包括第一支架组10与第二支架组20。在本实施例中，第一支架组10与第二支架组20为金属板冲压弯折而成。第一支架组10包括一第一固晶支架10a及一第一接线支架10b。第一固晶支架10a具有一第一固晶部11、及一由第一固晶部11沿纵长方向延伸的第一导电引脚12。所述纵长方向在本实施例中是指引脚的延伸方向，即如图2所示的X轴方向。第一接线支架10b具有一第一接线部13、及一由第一接线部13沿纵长方向延伸的第一传导引脚14。其中第一固晶部11的各个角落各形成一第一缺口112。本实施例的第一固晶部11大致呈矩形而具有四个第一缺口112，但本发明不限制于此。其中，第一芯片C1置于第一固晶支架10a的第一固晶部11。
第一固晶部11具有平行于纵长方向(图4的X轴方向)的二纵向侧边111及一面对第一接线支架10b的截断侧边115，第一固晶部11的每一纵向侧边111形成一侧缺口114，从而第一固晶部11形成类似双十字的形状。在本实施例中，第一缺口112和侧缺口114除了可以减少金属料，还可以增加第一支架组10与壳体30塑料的结合。然而，本实施例也可以省略侧缺口114，第一固晶部11即形成类似十字的形状。
第二支架组20包括一第二固晶支架20a及一第二接线支架20b。第二固晶支架20a具有一第二固晶部21、及一由第二固晶部21沿纵长方向延伸的第二导电引脚22。其中第二芯片C2置于第二固晶支架20a的第二固晶部21。第二接线支架20b具有一第二接线部23及一由第二接线部23沿纵长方向延伸的第二传导引脚24。其中第二固晶部21的各个角落各形成一第二缺口212，本实施例的第二固晶部21大致呈矩形而具有四个第二缺口212，从而第二固晶部21形成类似十字的形状。同样地，第二缺口212可以增加第二支架组20与壳体30塑料的结合。图4及图5的虚线表示壳体30包覆的范围，其包覆第一固晶部11、第一接线部13、第二固晶部21及第二接线部23。
第一导电引脚12及第一传导引脚14各具有一弯折部122、142。第一导电引脚12及第一传导引脚14的自由端各具有一连接部123、143，即引脚焊接部，连接部123、143略低于壳体30的底面，而与第一固晶部11不位于同一平面。第二导电引脚22及第二传导引脚24各具有一弯折部222、242。第二导电引脚22及第二传导引脚24的自由端形成连接部223、243，请参考图5，连接部223、243略低于壳体30的底面，而与第二固晶部21不位于同一平面。
上述双十字形状的第一固晶部11与十字形状的第二固晶部21形成向上凸出的结构，可以加强壳体30与第一支架组10(或第一固晶支架10a)的结合强度、以及与第二支架组20(或第二固晶支架20a)的结合强度。
此外，为了再加强结合强度，第一固晶部11的截断侧边115进一步可再形成一第一切口116，例如呈半圆形的缺口，所述第一切口116面对第一接线支架10b的第一接线部13。类似的安排，第二固晶部21具有一面对第二接线支架20b的截断侧边215，第二固晶部21的截断侧边215形成一第二切口216，例如呈半圆形的缺口，第二切口216面对第二接线支架20b的第二接线部23。
再者，本实施例也加强壳体30与第一接线支架10b以及第二接线支架20b的结合强度。其中第一接线支架10b设有一第一凸部132，第一凸部132由第一接线部13局部地朝向第二接线支架20b突出，从而第一接线支架10b大致呈L形。第二接线支架20b亦可对应设有一第二凸部232，第二凸部232由第二接线部23局部地朝向第一接线支架10b突出，从而第二接线支架20b大致呈L形。借此加强与壳体30塑料几何形状结合性，可避免壳体30与第一接线支架10b的剥离，或壳体30与第二接线支架20b的剥离。
请参阅图4及图5，本实施例为加强光传感器结构的防水气渗入的性能，第一固晶支架10a的上表面与下表面各具有一第一沟槽120，第一固晶支架10a的第一沟槽120位于第一固晶部11与第一导电引脚12之间；第一接线支架10b的上表面与下表面各具有一第二沟槽140，第一接线支架10b的第二沟槽140位于第一接线部13与第一传导引脚14之间。第二固晶支架20a的上表面与下表面各具有一第三沟槽220，第二固晶支架20a的第三沟槽220位于第二固晶部21与第二导电引脚22之间；第二接线支架20b的上表面与下表面各具有一第四沟槽240，第二接线支架20b的第四沟槽240位于第二接线部23与第二传导引脚24之间。如图5所示，第二支架组20上表面的第三与第四沟槽220/240与下表面的第三与第四沟槽220/240可以是相互错开的。请参阅图6C，以第二固晶支架20a上、下表面的第三沟槽220为例，上表面的第三沟槽220与下表面的第三沟槽220彼此错开。当有水气沿着引脚侵入时，该些沟槽(120、140、220、240)可延长水气入侵的路径长度，以加强光传感器结构的信赖性。
如图5所示，补充说明，第一固晶支架10a还包括一第一贯穿孔110，第一贯穿孔110邻近第一固晶支架10a的第一沟槽120。第二固晶支架20a还包括一第二贯穿孔210，第二贯穿孔210邻近第二固晶支架20a的第三沟槽220。本实施例的第一贯穿孔110与第二贯穿孔210为圆形，但并不以此为限。借此，本实施例在弯折第一导电引脚12与第二导电引脚22形成弯折部122、222的过程中，第一贯穿孔110与第二贯穿孔210可以减少弯折引脚时产生应力的问题。此外，壳体30的材料可以穿过第一贯穿孔110与第二贯穿孔210(参图6C)，以加强壳体30与第一固晶支架10a、及第二固晶支架20a的结合强度，还可以避免壳体30与第一固晶支架10a、及第二固晶支架20a的侧向位移及强化引脚焊接部吃锡效果与增加锡量。再者，第一贯穿孔110与第二贯穿孔210也可以提供阻挡水气入侵的功能。
如图4所示，本实施例为了辅助固定芯片，第一固晶支架10a于第一固晶部11的顶面形成大致呈十字状的一第一凹沟118，第二固晶支架20a于第二固晶部21的顶面也形成大致呈十字状的一第二凹沟218。第一与第二凹沟118、218未穿过第一固晶支架10a与第二固晶支架20a。在本实施例中，第一与第二凹沟118、218可大致呈V型沟槽结构，其功能在于可加强固晶结合力并防止固晶胶溢流，以避免影响打线。
请参阅图2及图6A，图6A为本发明的光传感器结构沿着图2的VIA-VIA线的剖视图。第一固晶部11外露于第一容置区31，第二固晶部21外露于第二容置区32，隔墙33位于第一固晶部11与第二固晶部21之间，隔墙33的顶面的宽度W1小于隔墙33的根部的宽度W2，隔墙33的根部邻近第一固晶部11、第二固晶部21。
如图2及图6A及图6B所示，本实施例的壳体30还包括多个阶梯部(steppedportion)312(大约呈口形)、314(大约呈U形)、324(大约呈H形)、326(大约呈突块状)。多个阶梯部(312、314、324、326)由第一容置区31与第二容置区32的底部边缘朝内部延伸。更具体的说，阶梯部312是由第一容置区31底部边缘朝内部延伸并覆盖第一固晶部11的上表面周围而呈一口形环绕的浅杯状结构，而阶梯部314为与阶梯部312同位于第一容置区31内部并彼此连接，阶梯部314延伸覆盖第一接线支架10b的上表面周围而呈U形环绕的结构，阶梯部326是由第二容置区32底部的一侧边朝内部延伸覆盖第二固晶部21的上表面两角落的突块状结构，而阶梯部324为与阶梯部326同位于第二容置区32内部，且阶梯部324延伸覆盖第二接线部23的表面周围、以及相对于阶梯部326的第二固晶部21的另一侧边而呈H形环绕的结构。
如图6A所示，并同时参阅图2，上述位于隔墙33两侧的该些阶梯部是由隔墙33的根部所延伸的，借此形成一“倒T字锥状结构”，如图6A剖面所示。其中位于隔墙33根部两边的阶梯部(312、326)的相距最大距离的宽度W3大于隔墙33的根部的宽度W2，借此壳体30在第一容置区31与第二容置区32内的剖面由顶面向下逐渐缩窄而呈一杯状，此外，沿着隔墙33根部两边的阶梯部(312、326)再向下逐渐缩窄形成如同另一浅杯状，从而使第一容置区31与第二容置区32形成如同高处的上反射杯环绕置于低处的下反射杯的结构。本实施例的此种结构可以增加反射强度，有效减缓水气入侵，及减少固晶部外露的金属面积，增加包覆于支架的塑料而减少剥离的可能性，并强化壳体与支架的结合力。
为了形成上述剖面大致呈倒T字锥状结构的隔墙33，可增加隔墙33靠近根部的厚度。于本实施例中，隔墙33顶面的宽度W1、隔墙33根部的宽度W2、位于隔墙33两边阶梯部(312、326)的宽度W3的比值为例如1:1.2:2，但并不以此数值为限。而此大致呈倒T字锥状结构的优点在于，可以防止红外线泄漏，以减少暗电流(dark current)的干扰信号，提高信噪比(signal-to-noise ratio)。
图6B为本发明的光传感器结构沿着图2的VIB-VIB线的剖视图。如图6B所示，本实施例位于第一接线部13与第二接线部23之间的隔墙33也有相似于图6A的结构。换句说话，该些宽度具有类似的比值，隔墙33向下延伸大致呈倒T字锥状结构，隔墙33顶面的宽度W1、隔墙33根部的宽度W2、位于隔墙33两边阶梯部(314、324)的宽度W3的比值为例如1:1.2:2。但本发明不限制于此。
请再参考图6C，为本发明的光传感器结构沿着第二支架组纵长方向的剖视图。部分的阶梯部324(沿Y轴方向的部分)呈突出状位于第二固晶部21与第二接线部23之间，沿着垂直于第二支架组20的纵长方向横过第二容置区32。此处部分的阶梯部324向左右两侧分别延伸至第二固晶部21的上表面与第二接线部23的上表面，而形成一剖面类似铆钉的形状。借此，强化壳体30与第二支架组20的结合力，并延伸水气可能入侵的路径长度，而有效减缓水气入侵，延长产品的寿命。
本发明还提供一种制造光传感器结构的方法，包含下列步骤：
如图7A所示，为一冲压(stamping)步骤，冲压一金属料带以形成一料带边框50、第一支架组10与第二支架组20；其中第一支架组10包括一第一固晶支架10a及一第一接线支架10b，第二支架组20包括一第二固晶支架20a及一第二接线支架20b；其中料带边框50具有多个固持凸块512、522。
具体说明，图7A为本发明的光传感器的支架结构未裁切的立体图。在制造冲压的过程，可一次形成多个支架结构，而图7A仅以本发明的光传感器的单一个支架结构1F为例。冲压步骤中，由一金属料带冲压或切割形成该料带边框50及第一支架组10与第二支架组20，料带边框50连接第一支架组10与第二支架组20。具体的说，料带边框50含有两个沿着纵长方向的纵向框51、52及两个垂直于纵长方向的横向框53、54。横向框53连接于第一支架组10的第一接线支架10b与第二支架组20的第二接线支架20b。横向框54连接于第一支架组10的第一固晶支架10a与第二支架组20的第二固晶支架20a。此外，料带边框50具有由纵向框51朝向第一支架组10突出的固持凸块512，及另一由纵向框52朝向第二支架组20突出的固持凸块522。固持凸块的数量可以是一个或多个，并不以此为限，其功用在于射出成型(injection molding)过程，可暂时固定壳体30。
如图7B所示，为一射出成型(injection molding)步骤，将不透光的绝缘材料，例如PPS塑料(Polyphenylene Sulfide，聚苯硫醚)、PC塑料(Polycarbonate,聚碳酸酯)、PMMA塑料(Polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)、ABS塑料(AcrylonitrileButadiene Styrene，丙烯腈-苯乙烯-丁二烯共聚物)，射出成型为一壳体30，使壳体30局部包覆第一支架组10与第二支架组20，壳体30包括第一容置区31、第二容置区32、位于第一容置区31与第二容置区32之间的隔墙33及该些阶梯部312、314、326、324，其中壳体30包覆所述多个固持凸块512、522。换句话说，固持凸块512、522插入壳体30的侧边。此结构的优点在于，除了可以减少料带边框50的单位宽度，而提高壳体30于料带边框50内的排列密度，节省成本之外，还可以增加注塑壳体与支架结构1F结合的稳定性。(图7B中，接线部分被遮住。)
如图7C所示，为一切割成型(trimming&forming)步骤，使第一支架组10以及第二支架组20与料带边框50分离；需要时，弯折第一固晶支架10a、第一接线支架10b、第二固晶支架20a及一第二接线支架20b，分别形成一弯折部122、142、222、242(请同时参阅图4。图7C中，弯折部122、222被遮住)。
补充说明，本实施例的第一支架组10与第二支架组20也可以不需要弯折，换句说话，第一固晶支架10a、第一接线支架10b、第二固晶支架20a与第二接线支架20b可以是如图7A的平坦状结构。此种光传感器结构可置于电路板(图略)的镂空部位，例如由电路板的侧边凹陷处或开孔，第一固晶支架10a、第一接线支架10b、第二固晶支架20a与第二接线支架20b水平地焊接于电路板(图略)的表面。
本实施例上述结构的优点在于，本实施例在引脚的弯折过程中，可以减少产生应力，避免壳体30与第一支架组10剥离，或与第二支架组20剥离。此外，上述结构可减少第一支架组10与第二支架组20的金属材料，更轻量化。
如图7D所示，为一置晶打线步骤，将第一芯片C1置于第一支架组10的第一固晶支架10a，第二芯片C2置于第二支架组20的第二固晶支架20a，并分别打线连接所述第一芯片C1于第一接线支架10b、连接所述第二芯片C2于第二接线支架20b。
如图7E所示，为一充填封胶体步骤，充填第一封胶体35于第一容置区31、及第二封胶体36于第二容置区32。
最后，为一分离步骤，用以将完成的光传感器结构由料带边框50分离。由于是通过预插入固持凸块512、522于壳体30的侧边，所以可直接将完成的光传感器结构由料带边框50推出而分离(如图1及图6B所示)，无需经过再次切割。料带边框50只有插入局部的壳体30的侧边，而形成一浅状凹槽，并未延伸至支架组，因此不会造成水气入侵。
本发明的制造方法的优点在于，在切割成型步骤后，再进行置晶打线步骤与充填封胶体步骤，也就是说，置晶与打线是切割成型步骤后，因此在弯折形成弯折部的过程中，不会因应力影响芯片或胶材剥离时水气入侵所造成的信赖性问题。此外，料带边框具有多个固持凸块，可以固持壳体，以提高壳体的排列密度，并且简化制程。
综上所述，本发明的光传感器结构通过大致呈倒T字锥状的隔墙结构，可以防止红外线泄漏，减少暗电流(dark current)的干扰信号，提高信噪比，从而减少干扰信号降低错误检测情形；本发明的支架结构可以加强壳体与支架结构的结合力。此外，本发明的壳体的结构还能阻挡光线、延伸水气可能入侵的路径长度而有效减缓水气入侵，加强防潮能力，从而延长产品的寿命。
以上所述仅为本发明的可行实施例，凡依本发明权利要求书范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (17)

1.一种光传感器的支架结构，其特征在于，包括：
一第一支架组，包括一第一固晶支架及一第一接线支架，所述第一固晶支架具有一第一固晶部、及一由所述第一固晶部沿纵长方向延伸的第一导电引脚，所述第一接线支架具有一第一接线部、及一由所述第一接线部沿纵长方向延伸的第一传导引脚；其中所述第一固晶部的至少一角落形成一第一缺口；及
一第二支架组，包括一第二固晶支架及一第二接线支架，所述第二固晶支架具有一第二固晶部及一由所述第二固晶部沿纵长方向延伸的第二导电引脚，所述第二接线支架具有一第二接线部及一由所述第二接线部沿纵长方向延伸的第二传导引脚；其中所述第二固晶部的至少一角落形成一第二缺口。
2.如权利要求1所述的光传感器的支架结构，其特征在于，其中所述第二固晶部具有四个角落，且各角落形成一个所述第二缺口，从而所述第二固晶部大致呈十字的形状；其中所述第一固晶部具有四个角落，且各角落形成一个所述第一缺口，所述第一固晶部具有平行于所述纵长方向的二纵向侧边，所述第一固晶部的每一所述纵向侧边形成一侧缺口，从而所述第一固晶部大致呈双十字的形状。
3.如权利要求1所述的光传感器的支架结构，其特征在于，所述第一固晶部具有一面对所述第一接线支架的截断侧边，所述第一固晶部的所述截断侧边形成有一第一切口；所述第二固晶部具有一面对所述第二接线支架的截断侧边，所述第二固晶部的所述截断侧边形成有一第二切口。
4.如权利要求1所述的光传感器的支架结构，其特征在于，所述第一接线支架具有一第一凸部，所述第一凸部由所述第一接线部局部地朝向所述第二接线支架突出，从而所述第一接线支架呈L形；所述第二接线支架具有一第二凸部，所述第二凸部由所述第二接线部局部地朝向所述第一接线支架突出，从而所述第二接线支架呈L形。
5.如权利要求1至4中任一项所述的光传感器的支架结构，其特征在于，所述第一固晶支架的上表面与下表面各具有一相互错开的沟槽，所述第一固晶支架的所述沟槽位于所述第一固晶部与所述第一导电引脚之间，所述第一接线支架的上表面与下表面各具有一相互错开的沟槽，所述第一接线支架的所述沟槽位于所述第一接线部与所述第一传导引脚之间；所述第二固晶支架的上表面与下表面各具有一相互错开的沟槽，所述第二固晶支架的所述沟槽位于所述第二固晶部与所述第二导电引脚之间，所述第二接线支架的上表面与下表面各具有一相互错开的沟槽，所述第二接线支架的所述沟槽位于所述第二接线部与所述第二传导引脚之间。
6.如权利要求5所述的光传感器的支架结构，其特征在于，其中所述第一固晶支架还包括一第一贯穿孔，所述第一贯穿孔邻近所述第一固晶支架的所述沟槽；所述第二固晶支架还包括一第二贯穿孔，所述第二贯穿孔邻近所述第二固晶支架的所述沟槽。
7.如权利要求6所述的光传感器的支架结构，其特征在于，所述第一导电引脚及所述第一传导引脚各具有一弯折部，从而所述第一导电引脚及所述第一传导引脚各具有一连接部与所述第一固晶部不位于同一平面；所述第二导电引脚及所述第二传导引脚各具有一弯折部，从而所述第二导电引脚及所述第二传导引脚各具有一连接部与所述第二固晶部不位于同一平面。
8.如权利要求6所述的光传感器的支架结构，其特征在于，所述第一固晶部的顶面形成大致呈十字状的一第一凹沟，所述第二固晶部的顶面形成大致呈十字状的一第二凹沟。
9.如权利要求8所述的光传感器的支架结构，其特征在于，还包括一料带边框，所述料带边框连接于所述第一支架组与所述第二支架组，所述料带边框具有一固持凸块朝向所述第一支架组突出、及另一固持凸块朝向所述第二支架组突出。
10.一种光传感器结构，其特征在于，包括：
如权利要求1至8中任一项所述的光传感器的支架结构；
一第一芯片，置于所述第一固晶支架的所述第一固晶部；
一第二芯片，置于所述第二固晶支架的所述第二固晶部；及
一壳体，包覆所述第一固晶部、所述第一接线部、所述第二固晶部及所述第二接线部。
11.如权利要求10所述的光传感器结构，其特征在于，所述壳体形成一第一容置区、一第二容置区及一隔墙，所述第一固晶部外露于所述第一容置区，所述第二固晶部外露于所述第二容置区，所述隔墙位于所述第一容置区与所述第二容置区之间，所述隔墙的顶面的宽度小于所述隔墙的根部的宽度，所述根部邻近所述第一固晶部和所述第二固晶部。
12.如权利要求11所述的光传感器结构，其特征在于，所述壳体还包括多个阶梯部，所述多个阶梯部由所述壳体的所述第一容置区与所述第二容置区的底部边缘朝内部延伸，所述多个阶梯部延伸并覆盖局部所述第一固晶部的上表面、所述第二固晶部的上表面、所述第一接线部及所述第二接线部，其中，位于所述隔墙两边的所述阶梯部的相距最大距离的宽度大于所述隔墙的所述根部的宽度。
13.如权利要求12所述的光传感器结构，其特征在于，所述隔墙的所述顶面的宽度、所述隔墙的所述根部的宽度、位于所述隔墙两边的所述阶梯部的相距最大距离的宽度的比值为1:1.2:2。
14.一种制造光传感器结构的方法，包括下列步骤：
冲压步骤，冲压一金属料带以形成一料带边框、一第一支架组与一第二支架组；其中所述第一支架组包括一第一固晶支架及一第一接线支架，所述第二支架组包括一第二固晶支架及一第二接线支架；其中所述料带边框形成有朝内延伸突出的多个固持凸块；
射出成型步骤，将绝缘材料射出成型为一壳体，使所述壳体局部包覆所述第一支架组与所述第二支架组，并形成第一容置区、第二容置区及一位于所述第一容置区与所述第二容置区之间的隔墙，其中所述壳体包覆所述多个固持凸块，使所述固持凸块插入所述壳体的侧边；
切割成型步骤，使所述第一支架组以及所述第二支架组与所述料带边框分离；
置晶打线步骤，将第一芯片置于所述第一支架组的所述第一固晶支架，将一第二芯片置于所述第二支架组的所述第二固晶支架，并分别打线连接所述第一芯片于所述第一接线支架、以及连接所述第二芯片于所述第二接线支架；
充填封胶体步骤，充填第一封胶体于所述第一容置区、及第二封胶体于所述第二容置区；以及
分离步骤，将所述壳体由所述料带边框的所述固持凸块推离。
15.如权利要求14所述的制造光传感器结构的方法，其特征在于，在切割成型步骤中，还包括弯折所述第一固晶支架、所述第一接线支架、所述第二固晶支架及所述第二接线支架，分别形成一弯折部。
16.一种光传感器结构，其特征在于，包括：
一第一支架组，包括一第一固晶支架及一第一接线支架，所述第一固晶支架具有一第一固晶部、及一由所述第一固晶部沿纵长方向延伸的第一导电引脚，所述第一接线支架具有一第一接线部、及一由所述第一接线部沿纵长方向延伸的第一传导引脚；
一第一芯片，置于所述第一固晶支架的所述第一固晶部；
一第二支架组，包括一第二固晶支架及一第二接线支架，所述第二固晶支架具有一第二固晶部及一由所述第二固晶部沿纵长方向延伸的第二导电引脚，所述第二接线支架具有一第二接线部及一由所述第二接线部沿纵长方向延伸的第二传导引脚；
一第二芯片，置于所述第二固晶支架的所述第二固晶部；及
一壳体，形成一第一容置区、一第二容置区及一隔墙，所述第一固晶部外露于所述第一容置区，所述第二固晶部外露于所述第二容置区，所述隔墙位于所述第一容置区与所述第二容置区之间，所述隔墙的顶面的宽度小于所述隔墙的根部的宽度，所述隔墙的根部向外延伸形成多个阶梯部并覆盖局部所述第一固晶部的上表面、所述第二固晶部的上表面、所述第一接线部及所述第二接线部，其中，位于所述隔墙两边的所述阶梯部的相距最大距离的宽度大于所述隔墙的所述根部的宽度。
17.如权利要求16所述的光传感器结构，其特征在于，所述隔墙的所述顶面的宽度、所述隔墙的所述根部的宽度、位于所述隔墙两边的所述阶梯部的相距最大距离的宽度的比值为1:1.2:2。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US20050186710A1 (en) * 2004-02-23 2005-08-25 Moyer Vincent C. Integrated circuit package provided with cooperatively arranged illumination and sensing capabilities
CN201222497Y (zh) * 2008-05-07 2009-04-15 必奇股份有限公司 发光二极管导线架结构
CN102347424A (zh) * 2010-07-27 2012-02-08 松下电器产业株式会社 半导体装置、引线架集合体及其制造方法
CN104508845A (zh) * 2012-07-30 2015-04-08 皇家飞利浦有限公司 经强化的led封装及为此的方法
CN106129051A (zh) * 2015-05-07 2016-11-16 亿光电子工业股份有限公司 光学感应装置及光学装置的制造方法
CN106575660A (zh) * 2014-07-25 2017-04-19 赫普塔冈微光有限公司 包括具有彼此光学分离的区域的图像传感器的光电子模块
US20170148963A1 (en) * 2015-11-19 2017-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Bonding wire for semiconductor package and semiconductor package including same
CN107978596A (zh) * 2016-10-24 2018-05-01 光宝光电(常州)有限公司 光感测器模组及其穿戴装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11031350B2 (en) * 2017-12-26 2021-06-08 Stmicroelectronics, Inc. Leadframe with pad anchoring members and method of forming the same
US11081366B2 (en) * 2018-12-05 2021-08-03 Texas Instruments Incorporated MCM package isolation through leadframe design and package saw process

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US20050186710A1 (en) * 2004-02-23 2005-08-25 Moyer Vincent C. Integrated circuit package provided with cooperatively arranged illumination and sensing capabilities
CN201222497Y (zh) * 2008-05-07 2009-04-15 必奇股份有限公司 发光二极管导线架结构
CN102347424A (zh) * 2010-07-27 2012-02-08 松下电器产业株式会社 半导体装置、引线架集合体及其制造方法
CN104508845A (zh) * 2012-07-30 2015-04-08 皇家飞利浦有限公司 经强化的led封装及为此的方法
CN106575660A (zh) * 2014-07-25 2017-04-19 赫普塔冈微光有限公司 包括具有彼此光学分离的区域的图像传感器的光电子模块
CN106129051A (zh) * 2015-05-07 2016-11-16 亿光电子工业股份有限公司 光学感应装置及光学装置的制造方法
US20170148963A1 (en) * 2015-11-19 2017-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Bonding wire for semiconductor package and semiconductor package including same
CN107978596A (zh) * 2016-10-24 2018-05-01 光宝光电(常州)有限公司 光感测器模组及其穿戴装置

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