CN111448336A - 氧化物烧结体、溅射靶及氧化物薄膜 - Google Patents

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Abstract

实施方式的一个方案的氧化物烧结体是包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)、铝(Al)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，各元素的原子比满足下述式(1)～(4)。0.70≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.98 (1)；0.01≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.29 (2)；0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.10 (3)；0.50<In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.90 (4)。

Description

氧化物烧结体、溅射靶及氧化物薄膜
技术领域
公开的实施方式涉及氧化物烧结体、溅射靶及氧化物薄膜。
背景技术
以往，已知有用于形成IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)等氧化物半导体薄膜的溅射靶(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-26389号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，通过以往的溅射靶来形成的氧化物半导体薄膜对于载流子迁移率仍存在改善的余地。
实施方式的一个方案是鉴于上述情况而进行的，目的是提供能够使用于溅射靶来形成的氧化物半导体薄膜的载流子迁移率提高的氧化物烧结体。
用于解决课题的手段
根据实施方式的一个方案的氧化物烧结体，其是包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)、铝(Al)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其中，各元素的原子比满足下述式(1)～(4)。
0.70≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.98 (1)
0.01≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.29 (2)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.10 (3)
0.50<In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.90 (4)
发明效果
根据实施方式的一个方案，能够使所形成的氧化物半导体薄膜的载流子迁移率提高。
附图说明
图1是表示将实施例1～4及比较例2的氧化物半导体薄膜应用于沟道层而得到的TFT元件的结构的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本申请所公开的氧化物烧结体、溅射靶及氧化物薄膜的实施方式进行说明。需要说明的是，本发明不受以下所示的实施方式的限定。
实施方式的氧化物烧结体包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)、铝(Al)、氧(O)和不可避免的杂质，可以作为溅射靶使用。
实施方式的氧化物烧结体的各元素的原子比满足以下的式(1)～(4)。
0.70≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.98 (1)
0.01≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.29 (2)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.10 (3)
0.50<In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.90 (4)
由此，能够使将所述氧化物烧结体用于溅射靶来形成的氧化物半导体薄膜的载流子迁移率提高。
另外，实施方式的氧化物烧结体的各元素的原子比优选满足以下的式(5)～(8)，
0.70≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.97 (5)
0.02≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.29 (6)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.10 (7)
0.50<In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.90 (8)
各元素的原子比更优选满足以下的式(9)～(12)，
0.80≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.97 (9)
0.02≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.19 (10)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.07 (11)
0.51≤In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.80 (12)
各元素的原子比进一步优选满足以下的式(13)～(16)，
0.85≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.97 (13)
0.02≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.14 (14)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.04 (15)
0.51≤In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.70 (16)
各元素的原子比更进一步优选满足以下的式(17)～(20)。
0.90≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.97 (17)
0.02≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.05 (18)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.04 (19)
0.52≤In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.65 (20)
由此，能够使将所述氧化物烧结体用于溅射靶来形成的氧化物半导体薄膜的载流子迁移率进一步提高。
另外，实施方式的氧化物烧结体的各元素的原子比优选满足以下的式(21)～(23)。
0.40≤In/(In+Zn+Sn)≤0.90 (21)
0.05≤Zn/(In+Zn+Sn)≤0.55 (22)
0.05≤Sn/(In+Zn+Sn)≤0.20 (23)
由此，在将所述氧化物烧结体用于溅射靶来形成的氧化物半导体薄膜应用于TFT元件1的情况下，能够以高水平兼顾传递特性和可靠性。
另外，实施方式的氧化物烧结体的各元素的原子比更优选满足以下的式(24)～(26)，
0.40≤In/(In+Zn+Sn)≤0.60 (24)
0.15≤Zn/(In+Zn+Sn)≤0.50 (25)
0.08≤Sn/(In+Zn+Sn)≤0.19 (26)
各元素的原子比更优选满足以下的式(27)～(29)。
0.45≤In/(In+Zn+Sn)≤0.55 (27)
0.25≤Zn/(In+Zn+Sn)≤0.40 (28)
0.12≤Sn/(In+Zn+Sn)≤0.18 (29)
由此，在将所述氧化物烧结体用于溅射靶来形成的氧化物半导体薄膜应用于TFT元件1的情况下，能够以更高的水平兼顾传递特性和可靠性。
另外，实施方式的氧化物烧结体的比电阻优选为10mΩ·cm以下。由此，在将所述氧化物烧结体作为溅射靶使用的情况下，使用廉价的DC电源的溅射成为可能，能够使成膜速率提高。
此外，实施方式的氧化物烧结体的比电阻更优选为5mΩ·cm以下，比电阻进一步优选为3mΩ·cm以下。
实施方式的氧化物烧结体的相对密度优选为95％以上。由此，在将所述氧化物烧结体作为溅射靶使用的情况下，能够使DC溅射的放电状态稳定。此外，实施方式的氧化物烧结体的相对密度更优选为97％以上，相对密度进一步优选为99％以上。
如果相对密度为95％以上，则在将所述氧化物烧结体作为溅射靶使用的情况下，能够在溅射靶中减少空隙，容易防止大气中的气体成分的摄入。另外，在溅射中，变得不易产生以所述空隙作为起点的异常放电、溅射靶的开裂等。
实施方式的氧化物烧结体优选包含红绿柱石型结构的In2O3相。由此，在将所述氧化物烧结体用于溅射靶时，比电阻变低，能够使放电状态稳定。
另外，实施方式的氧化物薄膜是包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)、铝(Al)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物薄膜，各元素的原子比满足上述式(1)～(4)。
由此，能够使氧化物半导体薄膜的载流子迁移率提高。
<氧化物溅射靶的各制造工序>
实施方式的氧化物溅射靶例如可以通过以下所示那样的方法来制造。首先，将原料粉末混合。作为原料粉末，通常为In2O3粉末、Ga2O3粉末、ZnO粉末、SnO2粉末及Al2O3粉末。各原料粉末的平均粒径优选全部为5μm以下，另外，各原料粉末相互的平均粒径之差优选为2μm以下。需要说明的是，原料粉末的平均粒径是利用激光衍射散射式粒度分布测定法测得的累积体积为50容量％时的体积累积粒径D50。
各原料粉末的混合比率按照达到氧化物烧结体中的所期望的构成元素比的方式来适当决定。
各原料粉末也可以在事先进行干式混合。对于所述干式混合的方法没有特别限制，例如可以使用将各原料粉末及氧化锆球放入罐体中进行混合的球磨机混合。作为由像这样地混合的混合粉末制作成型体的方法，例如可列举出注浆成型法、CIP(ColdIsostatic Pressing：冷等静压法)等。接着，作为成型方法的具体例子，对两种方法分别进行说明。
(注浆成型法)
在这里说明的注浆成型法中，通过使用分散介质来制备含有混合粉末和有机添加物的浆料，将所述浆料浇注到模中并除去分散介质，从而进行成型。这里可以使用的有机添加物为公知的粘合剂、分散剂等。
另外，对于制备浆料时使用的分散介质没有特别限制，可以根据目的而从水或醇等中适当选择使用。另外，对于制备浆料的方法也没有特别限制，例如可以使用将混合粉末、有机添加物和分散介质放入罐体中进行混合的球磨机混合。将像这样操作而得到的浆料浇注到模中，除去分散介质而制作成型体。这里可以使用的模为金属模、石膏模、进行加压而进行分散介质除去的树脂模等。
(CIP法)
在这里说明的CIP法中，使用分散介质制备含有混合粉末和有机添加物的浆料，将对所述浆料进行喷雾干燥而得到的干燥粉末填充到模中而进行加压成型。这里可以使用的有机添加物为公知的粘合剂、分散剂等。
另外，对于在制备浆料时使用的分散介质没有特别限制，可以根据目的而从水或醇等中适当选择使用。另外，对于制备浆料的方法也没有特别限制，例如可以使用将混合粉末、有机添加物和分散介质放入罐体中进行混合的球磨机混合。
将像这样操作而得到的浆料进行喷雾干燥，制作含水率为1％以下的干燥粉末，将所述干燥粉末填充到模中并通过CIP法进行加压成型，制作成型体。
接着，将所得到的成型体进行烧成，制作烧结体。对于制作所述烧结体的烧成炉没有特别限制，可以使用陶瓷烧结体的制造中可使用的烧成炉。
烧成温度优选为1300℃～1600℃，更优选为1400℃～1500℃。烧成温度越高，则越可得到高密度的烧结体，另一方面，从抑制烧结体的组织的肥大化来防止开裂的观点出发，优选在上述温度以下进行控制。
接着，将所得到的烧结体进行切削加工。所述切削加工是使用平面磨削床等来进行。另外，切削加工后的表面粗糙度Ra可以通过选定切削加工中使用的磨石的磨粒的大小来适当控制。
通过将切削加工后的烧结体与基材接合来制作溅射靶。对于基材的材质，可以适当选择不锈钢、铜、钛等。对于接合材，可以使用铟等低熔点焊料。
实施例
[实施例1]
将平均粒径为0.6μm的In2O3粉末、平均粒径为2μm的Ga2O3粉末、平均粒径为0.8μm的ZnO粉末、平均粒径为0.8μm的SnO2粉末和平均粒径为0.5μm的Al2O3粉末在罐体中通过氧化锆球来进行球磨机干式混合，制备了混合粉末。
此外，原料粉末的平均粒径是使用日机装株式会社制的粒度分布测定装置HRA来测定。在所述测定时，使用水作为溶剂，以测定物质的折射率2.20进行了测定。另外，对于以下记载的原料粉末的平均粒径也设定为同样的测定条件。
此外，在所述混合粉末的制备时，全部原料粉末中包含的金属元素的原子比按照成为In：Ga：Zn：Sn：Al＝0.46：0.12：0.26：0.13：0.03的方式配合了各原料粉末。
接着，在制备了混合粉末的罐体中，添加相对于混合粉末为0.2质量％的粘合剂、相对于混合粉末为0.6质量％的分散剂和作为分散介质的相对于混合粉末为20质量％的水，进行球磨机混合而制备了浆料。
接着，将所制备的浆料浇注到夹持有过滤器的金属制的模中，进行排水而得到了成型体。接着，将该成型体进行烧成而制作了烧结体。所述烧成是在大气气氛中、烧成温度为1400℃、烧成时间为10小时、升温速度为300℃/小时、降温速度为50℃/小时下进行。
接着，将所得到的烧结体进行切削加工，得到了3片表面粗糙度Ra为1.0μm的宽度210mm×长度710mm×厚度6mm的氧化物烧结体。需要说明的是，在所述切削加工中使用了#170的磨石。
[实施例2～12]
使用与实施例1同样的方法，得到了3片氧化物烧结体。此外，在实施例2～12中，在混合粉末的制备时，全部原料粉末中包含的金属元素的原子比按照成为表1中记载的原子比的方式配合了各原料粉末。
[比较例1]
使用与实施例1同样的方法，得到了3片氧化物烧结体。此外，在比较例1中，在混合粉末的制备时，全部原料粉末中包含的金属元素的原子比按照成为In：Ga：Zn：Sn：Al＝0.49：0.10：0.20：0.10：0.11的方式配合了各原料粉末。
[比较例2]
将平均粒径为0.6μm的In2O3粉末、平均粒径为2μm的Ga2O3粉末和平均粒径为0.8μm的ZnO粉末在罐体中通过氧化锆球进行球磨机干式混合，制备了混合粉末。
此外，在所述混合粉末的制备时，全部原料粉末中包含的金属元素的原子比按照成为In：Ga：Zn＝0.33：0.33：0.33的方式配合了各原料粉末。
接着，在制备了混合粉末的罐体中，添加相对于混合粉末为0.2质量％的粘合剂、相对于混合粉末为0.6质量％的分散剂和作为分散介质的相对于混合粉末为20质量％的水，进行球磨机混合而制备了浆料。
接着，将所制备的浆料浇注到夹持有过滤器的金属制的模中，进行排水而得到了成型体。接着，将该成型体进行烧成而制作了烧结体。所述烧成是在大气气氛中、烧成温度为1400℃、烧成时间为10小时、升温速度为300℃/小时、降温速度为50℃/小时下进行。
接着，将所得到的烧结体进行切削加工，得到了3片表面粗糙度Ra为1.0μm的宽度210mm×长度710mm×厚度6mm的氧化物烧结体。需要说明的是，在所述切削加工中使用了#170的磨石。
此外，在实施例1～12及比较例1、2中，通过ICP-AES(Inductively CoupledPlasma Atomic Emission Spectroscopy：电感耦合等离子体发光分光法)确认了在制备各原料粉末时计量的各金属元素的原子比与所得到的氧化物烧结体中的各金属元素的原子比相等。
接着，对于上述得到的实施例1～12及比较例1、2的氧化物烧结体，进行了相对密度的测定。所述相对密度是基于阿基米德法来测定的。
具体而言，将氧化物烧结体的空中质量除以体积(烧结体的水中质量/测量温度下的水比重)，将相对于理论密度ρ(g/cm3)的百分率的值设定为相对密度(单位：％)。
另外，所述理论密度ρ(g/cm3)是由氧化物烧结体的制造中使用的原料粉末的质量％及密度来算出。具体而言，通过下述的式(30)来算出。
ρ＝{(C1/100)/ρ1+(C2/100)/ρ2+(C3/100)/ρ3+(C4/100)/ρ4+(C5/100)/ρ5}-1 (30)
需要说明的是，上述式中的C1～C5及ρ1～ρ5分别表示以下的值。
·C1：氧化物烧结体的制造中使用的In2O3粉末的质量％
·ρ1：In2O3的密度(7.18g/cm3)
·C2：氧化物烧结体的制造中使用的Ga2O3粉末的质量％
·ρ2：Ga2O3的密度(5.95g/cm3)
·C3：氧化物烧结体的制造中使用的ZnO粉末的质量％
·ρ3：ZnO的密度(5.60g/cm3)
·C4：氧化物烧结体的制造中使用的SnO2粉末的质量％
·ρ4：SnO2的密度(6.95g/cm3)
·C5：氧化物烧结体的制造中使用的Al2O3粉末的质量％
·ρ5：Al2O3的密度(3.98g/cm3)
接着，对于上述得到的实施例1～12及比较例1、2的溅射靶用氧化物烧结体，分别进行了比电阻(体积电阻)的测定。
具体而言，使用三菱化学株式会社制Loresta(注册商标)HP MCP-T410(串联四探针TYPE ESP)，使探针与加工后的氧化物烧结体的表面相接触，以AUTO RANGE模式进行了测定。测定部位设定为氧化物烧结体的中央附近及四个角落合计5处，将各测定值的平均值设定为该烧结体的体积电阻值。
这里，对于上述的实施例1～12及比较例1、2，将含有的各金属元素的原子比和相对密度及比电阻(体积电阻)的测定结果示于表1中。需要说明的是，比电阻(体积电阻)的测定结果表示所制作的各3片氧化物烧结体的测定结果中比电阻(体积电阻)最高的氧化物烧结体所得的值。
[表1]
Figure BDA0002532460410000091
可知：实施例1～12的氧化物烧结体与比较例2相比比电阻小(10(mΩ·cm)以下)。因此，根据实施方式，在将氧化物烧结体作为溅射靶使用的情况下，使用廉价的DC电源的溅射成为可能，能够使成膜速率提高。
接着，通过对上述得到的实施例1～12及比较例1、2的氧化物烧结体的表面使用X射线衍射测定(XRD：X-Ray Diffraction)而得到的衍射峰进行解析，从而对构成相进行了鉴定。
其结果是，在实施例1～12、比较例1的氧化物烧结体中，都观察到了红绿柱石型结构的In2O3相，与此相对，在比较例2的氧化物烧结体中，没有观察到红绿柱石型结构的In2O3相。
接着，由上述得到的实施例1～12及比较例1、2的氧化物烧结体制作了实施例1～12及比较例1、2的溅射靶。所述溅射靶是使用低熔点焊料即铟作为接合材并将上述得到的氧化物烧结体与铜制的基材相接合来制作的。
接着，使用所制作的实施例1～12及比较例1、2的溅射靶，在下述的条件下进行溅射成膜，形成厚度为约100nm的薄膜。
·成膜装置：Tokki株式会社制SML-464(DC溅射装置)
·极限真空度：低于1×10-4Pa
·溅射气体：Ar/O2混合气体
·溅射气体压力：0.4Pa
·O2气分压：10％
·基板：玻璃基板(日本电气硝子株式会社制OA-10)
·基板温度：室温
·溅射功率：3W/cm2
此外，在实施例1～12及比较例1、2中，通过ICP-AES确认了溅射靶中使用的氧化物烧结体中的各金属元素的含有率与所得到的氧化物半导体薄膜中的各金属元素的原子比是相等的。
接着，将所形成的各个溅射薄膜由玻璃基板切取出10mm×10mm见方，在热板上在300℃、1小时、大气中进行后退火后，在下述的条件下进行霍尔效应测定，算出了载流子迁移率。
·测定装置：NANOMETRICS JAPAN LTD.制HL5500PC
·测定方法：范德堡(van der Pauw)法
这里，对于上述的实施例1～12及比较例1、2，将含有的各金属元素的原子比和载流子迁移率的测定结果示于表1中。
根据满足上述的式(1)～(4)的实施例1～12与不满足式(1)～(4)的比较例1、2的比较可知，通过满足式(1)～(4)，能够使所溅射形成的氧化物半导体薄膜的载流子迁移率提高。
进而，根据满足上述的式(17)～(20)的实施例2～4、9、11、12与不满足式(17)～(20)的实施例5、6的比较可知，通过满足式(17)～(20)，能够使所溅射形成的氧化物半导体薄膜的载流子迁移率进一步提高。
接着，通过光刻法制作了以上述的氧化物半导体薄膜作为沟道层40的TFT元件1。图1是表示将实施例1～4及比较例2的氧化物半导体薄膜应用于沟道层40而得到的TFT元件1的结构的剖视图。
TFT元件1的制作如图1中所示的那样，最先在玻璃基板10上使用DC溅射装置形成Cu薄膜作为栅极电极20。接着，使用等离子体CVD装置形成SiOx薄膜作为栅极绝缘膜30。
接着，使用DC溅射装置形成实施例1～4及比较例2的氧化物半导体薄膜作为沟道层40。这里的溅射气体压力为0.4Pa，溅射功率为3W/cm2。
接着，作为蚀刻阻挡层50，使用等离子体CVD装置形成SiOx薄膜。接着，使用DC溅射装置形成Cu薄膜作为源极电极60及漏极电极61。最后，使用等离子体CVD装置形成SiOx薄膜作为保护层70，得到应用了实施例1～4及比较例2的氧化物半导体薄膜的TFT元件1。
接着，对于应用了上述得到的实施例1～4及比较例2的氧化物半导体薄膜的TFT元件1，进行了传递特性的测定。所测定的传递特性为场效应迁移率、SS(SubthresholdSwing；亚阈值摆幅)值及阈电压。另外，传递特性的测定是通过Agilent Technologies株式会社制Semiconductor Device Analyzer B1500A来测定的。
需要说明的是，所谓场效应迁移率是指在MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor；金属-氧化物半导体场效应晶体管)工作的线形区域中由使漏极电压恒定时的漏极电流相对于栅极电压的变化求出的沟道迁移率，值越大则传递特性越良好。
另外，所谓SS值是指将漏极电流提高1位数所需要的栅极电压，值越小则传递特性越良好。此外，所谓阈电压是指在对漏极电极61施加正电压、对栅极电极20施加正负中的任一电压时漏极电流开始流动的电压，值越小则传递特性越良好。
进而，对于应用了上述得到的实施例1～4及比较例2的氧化物半导体薄膜的TFT元件1，进行了可靠性的评价。所述可靠性的评价是通过正偏压温度负载(Positive BiasTemperature Stress：PBTS)测试和负偏压温度负载(Negative Bias TemperatureStress：NBTS)测试来进行的。
在PBTS测试中，测定了在正偏压为+20V、温度为60℃的条件下施加3600秒负载前后的阈电压的偏移量。另外，在NBTS测试中，测定了在负偏压为-20V、温度为60℃的条件下施加3600秒负载前后的阈电压的偏移量。即，PBTS测试及NBTS测试的值越接近零，则施加了负载前后的阈电压的变动越小，可靠性越良好。
这里，对于上述的实施例1～4及比较例2，将TFT元件1的传递特性及可靠性的评价结果示于表2中。
[表2]
Figure BDA0002532460410000131
根据满足上述的式(21)～(23)的实施例1～4与不满足式(21)～(23)的比较例2的比较可知，通过满足式(21)～(23)，在将所形成的氧化物半导体薄膜应用于TFT元件1的情况下，能够兼顾传递特性和可靠性。
另外，根据满足下述的式(31)的实施例3、4与不满足式(31)的实施例1、2的比较可知，通过满足式(31)，在将所形成的氧化物半导体薄膜应用于TFT元件1的情况下，能够使场效应迁移率及SS值提高。
0.55≤In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.65 (31)
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限于上述的实施方式，只要不脱离其主旨则可以进行各种变更。例如，在实施方式中，对于使用板状的氧化物烧结体来制作溅射靶的例子进行了示出，但氧化物烧结体的形状并不限于板状，也可以是圆筒状等任意形状。
进一步的效果、变形例可以由本领域技术人员容易地导出。因此，本发明的更广泛的方案并不限于如以上那样表示且记述的特定的详细内容及代表性的实施方式。因此，在不脱离由所附的权利要求书及其同等物所定义的总体的发明概念的精神或范围的情况下，可以进行各种变更。
符号的说明
1 TFT元件
10 玻璃基板
20 栅极电极
30 栅极绝缘膜
40 沟道层
50 蚀刻阻挡层
60 源极电极
61 漏极电极
70 保护层

Claims (14)

1.一种氧化物烧结体，其是包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)、铝(Al)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其中，各元素的原子比满足下述式(1)～(4)，
0.70≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.98 (1)
0.01≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.29 (2)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.10 (3)
0.50<In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.90 (4)。
2.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其中，各元素的原子比满足下述式(5)～(8)，
0.70≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.97 (5)
0.02≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.29 (6)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.10 (7)
0.50<In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.90 (8)。
3.根据权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其中，各元素的原子比满足下述式(9)～(12)，
0.80≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.97 (9)
0.02≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.19 (10)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.07 (11)
0.51≤In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.80 (12)。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的氧化物烧结体，其中，各元素的原子比满足以下的式(13)～(16)，
0.85≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.97 (13)
0.02≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.14 (14)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.04 (15)
0.51≤In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.70 (16)。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体，其中，各元素的原子比满足下述式(17)～(20)，
0.90≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.97 (17)
0.02≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.05 (18)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.04 (19)
0.52≤In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.65 (20)。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的氧化物烧结体，其中，各元素的原子比满足下述式(21)～(23)，
0.40≤In/(In+Zn+Sn)≤0.90 (21)
0.05≤Zn/(In+Zn+Sn)≤0.55 (22)
0.05≤Sn/(In+Zn+Sn)≤0.20 (23)。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的氧化物烧结体，其中，各元素的原子比满足下述式(24)～(26)，
0.40≤In/(In+Zn+Sn)≤0.60 (24)
0.15≤Zn/(In+Zn+Sn)≤0.50 (25)
0.08≤Sn/(In+Zn+Sn)≤0.19 (26)。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的氧化物烧结体，其中，各元素的原子比满足下述式(27)～(29)，
0.45≤In/(In+Zn+Sn)≤0.55 (27)
0.25≤Zn/(In+Zn+Sn)≤0.40 (28)
0.12≤Sn/(In+Zn+Sn)≤0.18 (29)。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的氧化物烧结体，其相对密度为95％以上。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的氧化物烧结体，其比电阻为10mΩ·cm以下。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的氧化物烧结体，其包含红绿柱石型结构的In2O3相。
12.一种溅射靶，其使用权利要求1～11中任一项所述的氧化物烧结体作为靶材。
13.一种氧化物薄膜，其是包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)、铝(Al)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物薄膜，其中，各元素的原子比满足下述式(1)～(4)，
0.70≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.98 (1)
0.01≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.29 (2)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.10 (3)
0.50<In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.90 (4)。
14.根据权利要求13所述的氧化物薄膜，其中，各元素的原子比满足下述式(5)～(8)，
0.70≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.97 (5)
0.02≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.29 (6)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.10 (7)
0.50<In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.90 (8)。
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