CN111440575A - 芯片封装专用低介电高导热底部填充胶 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于包括低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂。其以该树脂降低基体树脂的介电常数，同时通过增加高导热的填料实现高导热性能，具有低介电、高导热、低CTE、高Tg和高模量的特性，适合在5G移动通讯芯片中作为底部填充胶使用。

Description

芯片封装专用低介电高导热底部填充胶
技术领域
本发明涉及一种低介电含氟苯酚结构的环氧树脂，尤其涉及到一种芯片封装专用低介电高导热底部填充胶。
背景技术
对于芯片封装来讲，底部填充胶是十分关键的封装材料，业界通用的芯片级别底部填充胶的材料供应商有Namics，Hitach，Henkel等，有大量的相关技术专利发明，中国材料供应商如德邦科技，优邦，信友等公司也有相关专利申请，同步推出相关产品。
随着通讯技术的发展，尤其是5G时代的到来，信号传递的数据量越来愈大，5G低时延特性需求更需要低介电及高导热的封装材料才能满足要求。
为了进一步降低介电常数，有发明人对底部填充胶的环氧树脂进行改性，如申请号是201710944980.4，名称是“低介电常数环保型底部填充胶及其制备方法” 的中国发明专利申请，其使用了南京远淑医药YS-HBPA1、日本ADEKA EP-4080E、日本DIC HP-4032D、日本化药NC-7000L、日本三菱YL6121H及日本化药NC-3000中环氧树脂。为了提升高导热效果，申请号是 201910611768.5，名称是“底部填充胶组合物”的中国发明专利申请，其选用二氧化硅球形颗粒。申请号是201510355328.X，名称是“底部填充胶”的中国发明专利申请，其选用Al2O3、AlN、BN、SiC和Si3N4；申请号是201510326082.3，名称是“底部填充胶及其制备方法”的发明专利，其使用了纳米氧化铝、球形纳米氮化硼、球形纳米氮化铝、球形纳米碳化硅、球形纳米氮化硅及球形纳米金刚石粉体，实现了高导热效果。上述专利中发明的底部填充胶虽然在导热性能上有提升，但是无法同时解决低介电和高导热技术问题。随着芯片对低介电和高导热的需求，需要开发低介电和高导热效果的底部填充胶。
发明内容
为了克服现有技术的缺点与不足，本发明的目的是提供一种芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其同时具备低介电及高导热性，可以用于高端芯片的底部填充和散热。
为了达到上述首要目的，本发明的技术方案是这样实现的，其是一种芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于包括低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂，所述低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂的重量比为100：10-50：20-100：50-200：20-50：5-50：0.1-1：50-200：0.5-3。
在本技术方案中，所述低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂的结构式子如下所示，其合成方法为：将2，6二氟苯酚丙烯酸酯、2，6-二甲基苯酚丙烯酸酯及丙烯酸缩水甘油醚溶于溶剂A中，再加入引发剂，在温度为40-80℃下反应2-5小时，通过纯化可得到一种含有氟化聚苯酚的环氧树脂，含有氟化聚苯酚的环氧树脂是低分子量低介电的无规共聚物；2，6二氟苯酚丙烯酸酯、2，6-二甲基苯酚丙烯酸酯、含环氧基单体、溶剂A及引发剂的重量比为：100：20-50：20-50：500-2000：10-20；
Figure DEST_PATH_IMAGE002
其中，R1为CH3或H，x为0-50，y为1-40，z为1-40，n为2-130。
在本技术方案中，所述2，6二氟苯酚丙烯酸酯的结构式子如下所示，其合成方法是：将2，6二氟苯酚溶于溶剂B中，再加入带有双键的丙烯酰氯，在温度为40-80℃下反应2-5小时，通过沉淀法纯化可得到2，6二氟苯酚丙烯酸酯；2，6二氟苯酚、溶剂B和丙烯酰氯的重量比为100：200-1000：20-50；
Figure DEST_PATH_IMAGE004
。
在本技术方案中，所述2，6二甲基苯酚丙烯酸酯的结构式子如下所示，其合成方法是：将2，6-二甲基苯酚溶于溶剂B中，再加入带有双键的丙烯酰氯，在温度为40-80℃下反应2-5小时，通过沉淀法纯化可得到2，6二甲基苯酚丙烯酸酯；2，6二氟苯酚、溶剂B和丙烯酰氯的重量比为100：200-1000：20-50；
Figure DEST_PATH_IMAGE006
在本技术方案中，所述环氧树脂是双酚A类环氧树脂、双酚F环氧树脂、酚醛环氧树脂、脂环族环氧树脂、联苯环氧树脂、萘环结构环氧树脂、氢化型环氧树脂、有机硅环氧树脂中的一种或几种混合物，其分子量为1000-30000之间，卤素含量200ppm以下，金属离子含量在5ppm以下。
在本技术方案中，所述含环氧基单体为甲基丙烯酸缩水甘油醚和丙烯酸缩水甘油醚。
在本技术方案中，所述引发剂为过氧化二异丁酰、过氧化新癸酸异丙苯酯、过氧化二碳酸双（3-甲氧基丁酯）、过氧化二碳酸双（乙氧基己酯）、过氧化新癸酸特戊酯、过氧化新癸酸叔丁酯、过氧化二（2,4-二氯苯甲酰）、过氧化-2-乙基已酸叔丁酯、过氧化异丁酸叔丁酯、过氧化苯甲酸特戊酯、过氧化乙酰丙酮、叔丁基过氧化氢、特戊基过氧化氢、叔丁基过氧化异丙苯、偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈和偶氮二异丁酸二甲酯中的一种或几种混合物。
在本技术方案中，所述固化剂为四氢苯酐、六氢苯酐、甲基丁二酸酐、辛烯基丁二酸酐、十二烯基丁二酸酐‍、甲基纳迪克酸酐、甲基四氢苯酐或甲基六氢苯酐中的一种或几种混合物。
在本技术方案中，所述潜伏性促进剂为十七烷基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基苯基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑、2-苯基-4-苄基-5-羟基甲基咪唑、三苯基膦、乙酰丙酮铝、环烷酸钴、水杨酰肼中的一种或几种混合物；商品化产品如日本四国化成的2MZ、C11Z、C17Z、2E4MZ、2PZ、2PZ-PW、2PZ、2P4MZ、1B2MZ、1B2PZ、12DMZ、2MZ-CN、2E4MZ-CN、C11Z-CN、2PZ-CN、C11Z-CNS、2PZCNS-PW、2MZ-A、2MZA-PW、2MZ-A、C11Z-A、2E4MZ-A、2MA-OK、2MAOK-PW、2PZ-OK、2PHZ或2P4MHZ；日本味之素公司的PN-23、PN-40、PN-H、MY-24或PN-50；日本艾迪科公司的EH-4337S、EH-3293S或EH-4357S；日本旭化成公司的NOVACURE HX-372或 HX-3088。
在本技术方案中，所述稀释剂为丁基缩水甘油醚、苯基缩水甘油醚、苄基缩水甘油醚、十二烷基缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、1，6-己二醇二缩水甘油醚、甲基丙烯酸缩水甘油酯、碳12-14烷基缩水甘油醚或1，2-环己二醇二缩水甘油醚中的一种或几种混合物。
在本技术方案中，所述导热填料为球形氮化硅、球形氧化铝、球形二氧化硅或氮化硼的一种或几种混合物，其粒径为100-1000nm之间。
在本技术方案中，所述的增韧剂为：丁二烯弹性体体系，如商业化的MX137、MX154或MX533系列（日本KANEKA公司）；有机硅改性体系的，如商业化的MX965（日本KANEKA公司）或KMP-605(信越)；橡胶体系，如ATBN或CTBN（日本宇部兴产）；
在本技术方案中，所述硅烷偶联剂双-（γ-三乙氧基硅基丙基）四硫化物、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-（2，3-环氧丙氧）丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基三甲基硅烷、γ-巯丙基三甲基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基) 硅烷、三异硬脂酸钛酸异丙酯、三异硬脂酸钛酸异丙酯复配物、异丙基二油酸酰氧基（二辛基磷酸酰氧基）钛酸酯、异丙基三（二辛基焦磷酸酰氧基）钛酸酯、双(二辛氧基焦磷酸酯基)乙撑钛酸酯、双（柠檬酸二乙酯）二丙氧基锆螯合物或有机锆酸酯偶联剂中的一种或几种混合物。
在本技术方案中，所述消泡剂为有机硅体系的消泡剂为德谦5400、德谦5500、德谦6800、德谦5300、BYK-051、BYK-052、BYK-053、BYK-054、BYK-056、BYK-057、BYK-065、BYK-066N、BYK-067A、BYK-070、BYK-077、BYK-085、BYK-077、BYK-088或BYK-141中的一种或几种混合物。
在本技术方案中，所述溶剂A为环己酮、二氧六环、硝基甲烷、硝基乙烷、硝基苯、氯仿、二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、四氢呋喃、氮甲基吡咯烷酮、甲乙酮、丙二醇单甲醚、二丁醚或二甲苯中的一种或几种混合物。
在本技术方案中，所述溶剂B为四氢呋喃、环己酮、氯仿、二氧六环、乙酸乙酯或甲苯中的一种或几种混合物。
本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
1、本发明申请开发了多官能团的环氧树脂，其中含有低介电的含氟聚苯酚结构和环氧树脂结构，因此该树脂具有低介电功能，同时含有可反应的环氧基团，将该树脂作为一种主体树脂进行底部填充胶的配方设计，可实现底部填充胶的低介电性能。
2、本发明申请加入球形的高导热的氮化硼，三氧化铝等导热填料，一方面可实现底部填充胶的高导热性能，同时还能改善底部填充胶的流动性。
3、本发明申请中苯酚结构为含氟基团，含氟基团可进一步改善介电性能和吸水率性能，因此以此结构为主体制备的底部填充胶适合大尺寸芯片，有利于提升芯片的机械和环境可靠性。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例一
(1)2，6二氟苯酚丙烯酸酯的合成
2，6二氟苯酚丙烯酸酯的结构式如下，其合成方法是：将2，6二氟苯酚溶于四氢呋喃中，再加入带有双键的酰氯物质，在温度为40℃下反应2小时，通过沉淀法纯化可得到2，6二氟苯酚丙烯酸酯。2，6二氟苯酚、溶剂B和丙烯酰氯的重量比为100：200：20；
Figure DEST_PATH_IMAGE007
(2)2，6二甲基苯酚丙烯酸酯的合成
2，6二甲基苯酚丙烯酸酯的结构式如下，其合成方法是：将2，6-二甲基苯酚溶于四氢呋喃中，再加入带有双键的酰氯物质，在温度为40℃下反应2小时，通过沉淀法纯化可得到2，6二甲基苯酚丙烯酸酯。2，6-二甲基苯酚、溶剂B和丙烯酰氯的重量比为100：200：20；
Figure DEST_PATH_IMAGE008
（3）低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂的制备
低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂的结构式子如下所示，其合成方法是：将2，6二氟苯酚丙烯酸酯、2，6-二甲基苯酚丙烯酸酯及丙烯酸缩水甘油醚溶于溶剂A中，再加入引发剂，在温度为40℃下反应2小时，通过纯化可得到一种含有氟化聚苯酚和环氧基团的无规共聚物，该无规共聚物是一种低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂。2，6二氟苯酚丙烯酸酯、2，6-二甲基苯酚丙烯酸酯、丙烯酸缩水甘油醚、溶剂A及引发剂的重量比为：100：20：20：500：10；
Figure DEST_PATH_IMAGE009
其中，R1为CH3，x为0，y为1，z为1，n为2；
所述溶剂A为环己酮；所述丙烯酸缩水甘油醚类单体为甲基丙烯酸缩水甘油醚；所述引发剂为过氧化二异丁酰。
(4)芯片封装专用低介电高导热底部填充胶的制备
将低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂混合在一起即可制备的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂的重量比为：100：10：20：50：20：5：0.1：50：0.5；
所述环氧树脂为双酚A类环氧树脂，其分子量为1000，卤素含量200ppm，金属离子含量5ppm；所述固化剂为四氢苯酐；所述潜伏性促进剂为2-苯基-4-苄基-5-羟基甲基咪唑；所述稀释剂为丁基缩水甘油醚；所述导热填料为：球形氮化硅，其粒径为100nm之间；所述增韧剂为MX137（日本KANEKA公司）；所述硅烷偶联剂为：双-（γ-三乙氧基硅基丙基）四硫化物；所述消泡剂为有机硅体系的消泡剂为德谦5400。
实施例二
(1)2，6二氟苯酚丙烯酸酯的合成
2，6二氟苯酚丙烯酸酯的结构如下所示，其合成方法是：将2，6二氟苯酚溶于二氧六环中，再加入带有双键的酰氯物质，在温度为80℃下反应5小时，通过沉淀法纯化可得到2，6二氟苯酚丙烯酸酯；2，6二氟苯酚、二氧六环和丙烯酰氯的重量比为100：1000：50；
Figure DEST_PATH_IMAGE010
(2)2，6二甲基苯酚丙烯酸酯的合成
2，6二甲基苯酚丙烯酸酯的结构如下所示，其合成方法如下：其合成方法是：将2，6-二甲基苯酚溶于二氧六环中，再加入带有双键的酰氯物质，在温度为80℃下反应5小时，通过沉淀法纯化可得到端双键的含氟聚苯酚；2，6-二甲基苯酚、二氧六环和丙烯酰氯的重量比为100：1000：50；
Figure DEST_PATH_IMAGE011
（3）低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂的制备
低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂的结构如下所示，其合成方法是：将2，6二氟苯酚丙烯酸酯、2，6-二甲基苯酚丙烯酸酯及丙烯酸缩水甘油醚溶于溶剂A中，再加入引发剂，在温度为80℃下反应5小时，通过纯化可得到一种含有氟化聚苯酚和环氧基团的无规共聚物，该共聚物是低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂；其中2，6二氟苯酚丙烯酸酯、2，6-二甲基苯酚丙烯酸酯、丙烯酸缩水甘油醚、溶剂A及引发剂的重量比为：100：50：50：2000：20；
Figure DEST_PATH_IMAGE012
其中，R1为CH3，x为50，y为40，z为40，n为130；
所述溶剂A为二甲苯；所述丙烯酸缩水甘油醚类单体为甲基丙烯酸缩水甘油醚；所述引发剂为过氧化二异丁酰。
(4)芯片封装专用低介电高导热底部填充胶的制备
将低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂均匀混合在一起即可制备得到芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂的重量比为：100：50：100：200：50：50：1：200：3；
所述环氧树脂为双酚F环氧树脂，其分子量为30000，卤素含量100ppm以下，金属离子含量为1ppm；所述固化剂为甲基纳迪克酸酐；所述潜伏性促进剂为日本四国化成的2PZCNS-PW；所述稀释剂为三羟甲基丙烷三缩水甘油醚；所述导热填料为球形氧化铝；所述增韧剂为如商业化的MX965（日本KANEKA公司）；所述硅烷偶联剂为三异硬脂酸钛酸异丙酯；所述消泡剂为有机硅体系的消泡剂为BYK-070。
实施例三
(1)2，6二氟苯酚丙烯酸酯的合成
2，6二氟苯酚丙烯酸酯的结构如下所示，其合成方法是：将2，6二氟苯酚溶于乙酸乙酯中，再加入带有双键的酰氯物质，在温度为50℃下反应4小时，通过沉淀法纯化可得到2，6二氟苯酚丙烯酸酯；2，6二氟苯酚、乙酸乙酯和丙烯酰氯的重量比为100：700：30；
Figure DEST_PATH_IMAGE013
(2)2，6二甲基苯酚丙烯酸酯的合成
2，6二甲基苯酚丙烯酸酯的结构如下所示，其合成方法是：将2，6-二甲基苯酚溶于乙酸乙酯中，再加入带有双键的酰氯物质，在温度为40~80℃下反应2~5小时，通过沉淀法纯化可得到2，6二甲基苯酚丙烯酸酯；2，6-二甲基苯酚、乙酸乙酯和丙烯酰氯的重量比为：100：200~1000：30；
Figure DEST_PATH_IMAGE014
（3）低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂的制备
低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂的结构如下所示，其合成方法是：将2，6二氟苯酚丙烯酸酯、2，6-二甲基苯酚丙烯酸酯及丙烯酸缩水甘油醚溶于溶剂A中，再加入引发剂，在温度为50℃下反应4小时，通过纯化可得到一种含有氟化聚苯酚和环氧基团的无规共聚物，该共聚物是低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂；其中2，6二氟苯酚丙烯酸酯，2，6-二甲基苯酚丙烯酸酯，丙烯酸缩水甘油醚，溶剂A，引发剂的重量比为：100：40：34：1000：30；
Figure DEST_PATH_IMAGE015
其中，R1为H，x为10，y为20，z为20，n为100；
所述溶剂A为四氢呋喃，所述丙烯酸缩水甘油醚类单体为丙烯酸缩水甘油醚，所述引发剂为偶氮二异丁腈。
(4)芯片封装专用低介电高导热底部填充胶的制备
将低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂均匀混合在一起得到芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂的重量比为100：30：60：70：40：40：0.5：100：1；
所述环氧树脂为萘环结构环氧树脂，其分子量为10000，卤素含量100ppm以下，金属离子含量为1ppm；所述固化剂为甲基四氢苯酐；所述潜伏性促进剂为三苯基膦；所述稀释剂为1，6-己二醇二缩水甘油醚；所述导热填料为球形氧化铝，其粒径为500nm；所述增韧剂为KMP-605(信越)；所述硅烷偶联剂为双（柠檬酸二乙酯）二丙氧基锆螯合物；所述消泡剂为BYK-067A。
实施例四
(1)2，6二氟苯酚丙烯酸酯的合成
2，6二氟苯酚丙烯酸酯的结构如下所示，其合成方法是：将2，6二氟苯酚溶于氯仿中，再加入带有双键的酰氯物质，在温度为50℃下反应3.5小时，通过沉淀法纯化可得到2，6二氟苯酚丙烯酸酯；2，6二氟苯酚、氯仿和丙烯酰氯的重量比为100：600：35；
Figure DEST_PATH_IMAGE016
(2)2，6二甲基苯酚丙烯酸酯的合成
2，6二甲基苯酚丙烯酸酯的结构如下所示，其合成方法是：将2，6-二甲基苯酚溶于氯仿中，再加入带有双键的酰氯物质，在温度为65℃下反应3小时，通过沉淀法纯化可得到端双键的含氟聚苯酚；2，6-二甲基苯酚、氯仿和丙烯酰氯的重量比为100：230：40；
Figure DEST_PATH_IMAGE017
（3）低分子量的含氟聚苯酚结构的制备
低分子量的含氟聚苯酚结构的结构式子如下所示，其合成方法是：将2，6二氟苯酚丙烯酸酯、2，6-二甲基苯酚丙烯酸酯及丙烯酸缩水甘油醚溶于溶剂A中，再加入引发剂，在温度为60℃下反应4小时，通过纯化可得到一种含有氟化聚苯酚和环氧基团的无规共聚物，该共聚物是低分子量的含氟聚苯酚结构；2，6二氟苯酚丙烯酸酯、2，6-二甲基苯酚丙烯酸酯、丙烯酸缩水甘油醚、溶剂A及引发剂的重量比为：100：45：30：1000：12；
Figure DEST_PATH_IMAGE018
其中，R1为CH3，x为12，y为20，z为10，n为20；
所述溶剂A为二甲基甲酰胺；所述丙烯酸缩水甘油醚类单体为甲基丙烯酸缩水甘油醚；所述引发剂为过氧化新癸酸特戊酯。
(4)芯片封装专用低介电高导热底部填充胶的制备
将低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂均匀混合在一起得到芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂的重量比为100：30：50：100：30：40：0.8：100：0.9；
所述环氧树脂为氢化型环氧树脂，其分子量为20000之间，卤素含量50ppm以下，金属离子含量为2ppm；所述固化剂为甲基四氢苯酐；所述潜伏性促进剂为2-苯基-4,5-二羟基苯基咪唑；所述稀释剂为甲基丙烯酸缩水甘油酯；所述导热填料为氮化硼，其粒径为1000nm；所述增韧剂为ATBN；所述硅烷偶联剂为异丙基二油酸酰氧基（二辛基磷酸酰氧基）钛酸酯；所述消泡剂为BYK-141。
将实施例一至实施例四制备的底部填充胶进行性能测试，如表1所示。
表1 实施例一至实施例四制备的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶的性能参数
Figure DEST_PATH_IMAGE020
粘度的测试：使用Brookfield旋转粘度计，温度25℃，转子为52#转子，转速为10rpm 下测试的粘度值。
粘接强度的测试：在FR-4上点胶0.5mg胶水，再在其上贴2mm硅芯片，在室温下放置5min，在进行固化，固化之后采用DAGE3800 测试推力，即可得到粘接强度。
导热系数的测定：依据GB/T10294-2008 《绝热材料稳态热阻及有关特性的测定》设计开发，其测量方法为双板防护热板平衡法测量方式，测量过程中，将标准尺寸（表面平整为0.01mm尺寸范围在300×300×5-45mm）的试件（相同的两块）夹紧于热护板和冷板之间。
玻璃化转变温度Tg的测试，采用DSC法测试，样品0.5mg放入设备中，温度从20~200℃，升温速度为10℃/min，得到的曲线中经过分析即可得到Tg数据。
膨胀系数CTE的测试方法，参考标准JISK7197方法，检测温度范围为-50-600℃，温度控制为0.01-100min，TMA范围（灵敏度）：5mm -0.02m，式样尺寸：100mm*25mm。测试仪器参考采用TMA 4000 SE，测试得到的曲线中可获取到 CTE的两个数据，一个是大于Tg点的，一个是小于Tg点的。
模量的测试方法，采用DMA8000动态热机械分析仪，采用拉伸的方法，设置频率为500HZ，升温速度为20-200℃，通过分析测试之后的曲线即可得到25℃下的模量数据。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于包括低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂，所述低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂的重量比为100：10-50：20-100：50-200：20-50：5-50：0.1-1：50-200：0.5-3。
2.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂的结构式子如下所示，其合成方法为：将2，6二氟苯酚丙烯酸酯、2，6-二甲基苯酚丙烯酸酯及含环氧基单体溶于溶剂A中，再加入引发剂，在温度为40~80℃下反应2-5小时，通过纯化可得到一种含有氟化聚苯酚的环氧树脂，含有氟化聚苯酚的环氧树脂是低分子量低介电的无规共聚物；2，6二氟苯酚丙烯酸酯、2，6-二甲基苯酚丙烯酸酯、含环氧基单体、溶剂A及引发剂的重量比为：100：20-50：20-50：500-2000：10-20；
Figure 17234DEST_PATH_IMAGE001
其中，R1为CH3或H，x为0-50，y为1-40，z为1-40，n为2-130。
3.根据权利要求2所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述2，6二氟苯酚丙烯酸酯的结构式子如下所示，其合成方法是：将2，6二氟苯酚溶于溶剂B中，再加入带有双键的丙烯酰氯，在温度为40-80℃下反应2-5小时，通过沉淀法纯化可得到2，6二氟苯酚丙烯酸酯；2，6二氟苯酚、溶剂B和丙烯酰氯的重量比为100：200-1000：20-50；
Figure 796972DEST_PATH_IMAGE002
。
4.根据权利要求2所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述2，6二甲基苯酚丙烯酸酯的结构式子如下所示，其合成方法是：将2，6-二甲基苯酚溶于溶剂B中，再加入带有双键的丙烯酰氯，在温度为40-80℃下反应2-5小时，通过沉淀法纯化可得到2，6二甲基苯酚丙烯酸酯；2，6二氟苯酚、溶剂B和丙烯酰氯的重量比为100：200-1000：20-50；
Figure 192181DEST_PATH_IMAGE003
。
5.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述环氧树脂是双酚A类环氧树脂、双酚F环氧树脂、酚醛环氧树脂、脂环族环氧树脂、联苯环氧树脂、萘环结构环氧树脂、氢化型环氧树脂、有机硅环氧树脂中的一种或几种混合物，其分子量为1000-30000之间，卤素含量200ppm以下，金属离子含量在5ppm以下。
6.根据权利要求2所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述含环氧基单体为甲基丙烯酸缩水甘油醚和丙烯酸缩水甘油醚；其特征在于所述引发剂为过氧化二异丁酰、过氧化新癸酸异丙苯酯、过氧化二碳酸双（3-甲氧基丁酯）、过氧化二碳酸双（乙氧基己酯）、过氧化新癸酸特戊酯、过氧化新癸酸叔丁酯、过氧化二（2,4-二氯苯甲酰）、过氧化-2-乙基已酸叔丁酯、过氧化异丁酸叔丁酯、过氧化苯甲酸特戊酯、过氧化乙酰丙酮、叔丁基过氧化氢、特戊基过氧化氢、叔丁基过氧化异丙苯、偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈和偶氮二异丁酸二甲酯中的一种或几种混合物。
7.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述固化剂为四氢苯酐、六氢苯酐、甲基丁二酸酐、辛烯基丁二酸酐、十二烯基丁二酸酐‍、甲基纳迪克酸酐、甲基四氢苯酐或甲基六氢苯酐中的一种或几种混合物。
8.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述潜伏性促进剂为十七烷基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基苯基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑、2-苯基-4-苄基-5-羟基甲基咪唑、三苯基膦、乙酰丙酮铝、环烷酸钴、水杨酰肼中的一种或几种混合物；商品化产品如日本四国化成的2MZ、C11Z、C17Z、2E4MZ、2PZ、2PZ-PW、2PZ、2P4MZ、1B2MZ、1B2PZ、12DMZ、2MZ-CN、2E4MZ-CN、C11Z-CN、2PZ-CN、C11Z-CNS、2PZCNS-PW、2MZ-A、2MZA-PW、2MZ-A、C11Z-A、2E4MZ-A、2MA-OK、2MAOK-PW、2PZ-OK、2PHZ或2P4MHZ；日本味之素公司的PN-23、PN-40、PN-H、MY-24或PN-50；日本艾迪科公司的EH-4337S、EH-3293S或EH-4357S；日本旭化成公司的NOVACURE HX-372或 HX-3088 。
9.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述稀释剂为丁基缩水甘油醚、苯基缩水甘油醚、苄基缩水甘油醚、十二烷基缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、1，6-己二醇二缩水甘油醚、甲基丙烯酸缩水甘油酯、碳12-14烷基缩水甘油醚或1，2-环己二醇二缩水甘油醚中的一种或几种混合物。
10.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述导热填料为球形氮化硅、球形氧化铝或球形二氧化硅及氮化硼的一种或几种混合物，其粒径为100-1000nm之间。
11.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述的增韧剂为：丁二烯弹性体体系，如商业化的MX137、MX154或MX533系列（日本KANEKA公司）；有机硅改性体系的，如商业化的MX965（日本KANEKA公司）或KMP-605(信越)；橡胶体系，如ATBN或CTBN（日本宇部兴产）。
12.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述硅烷偶联剂双-（γ-三乙氧基硅基丙基）四硫化物、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-（2，3-环氧丙氧）丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基三甲基硅烷、γ-巯丙基三甲基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基) 硅烷、三异硬脂酸钛酸异丙酯、三异硬脂酸钛酸异丙酯复配物、异丙基二油酸酰氧基（二辛基磷酸酰氧基）钛酸酯、异丙基三（二辛基焦磷酸酰氧基）钛酸酯、双(二辛氧基焦磷酸酯基)乙撑钛酸酯、双（柠檬酸二乙酯）二丙氧基锆螯合物或有机锆酸酯偶联剂中的一种或几种混合物。
13.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述消泡剂为有机硅体系的消泡剂为德谦5400、德谦5500、德谦6800、德谦5300、BYK-051、BYK-052、BYK-053、BYK-054、BYK-056、BYK-057、BYK-065、BYK-066N、BYK-067A、BYK-070、BYK-077、BYK-085、BYK-077、BYK-088或BYK-141中的一种或几种混合物。
14.根据权利要求2所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述溶剂A为环己酮、二氧六环、硝基甲烷、硝基乙烷、硝基苯、氯仿、二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、四氢呋喃、氮甲基吡咯烷酮、甲乙酮、丙二醇单甲醚、二丁醚或二甲苯中的一种或几种混合物。
15.根据权利要求3所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述溶剂B为四氢呋喃、环己酮、氯仿、二氧六环、乙酸乙酯或甲苯中的一种或几种混合物。
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