CN111430520A - 具有n型电子阻挡层的led外延结构及其制备方法和led器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构及其制备方法和LED器件，所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、非掺杂半导体层、复合N型半导体层、多量子阱层、和P型半导体层。所述复合N型半导体层沿外延生长方向依次包括第一N型半导体层、复合N型电子阻挡层和第二N型半导体层。其中所述复合N型电子阻挡层依次包括金属化的粗化层、在所述粗化层表面形成的具有凹凸曲面结构的停顿退火层、在所述停顿退火层上的具有凹凸曲面结构的超晶格层。本发明通过形成具有凹凸精细结构的N型电子阻挡层，来提升电子载流子的横向扩展能力，提升LED发光效率。

Description

具有N型电子阻挡层的LED外延结构及其制备方法和LED器件
技术领域
本发明涉及半导体发光器件领域，具体地涉及一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构及其制备方法和LED器件。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为一种新型节能、环保固态照明光源，具有能效高、体积小、重量轻、响应速度快以及寿命长等优点，使其在很多领域得到了广泛应用。目前LED市场趋于平稳与常规制造化，成本控制成为各制造商家的必需选项，作为LED芯片成本下降最为直接的方式无外乎缩小单颗芯片尺寸来增加产出，但在保持相同设计的情况下，缩小芯片尺寸会同时伴随产品发光亮度的下降。所以如何在单颗芯片大小固定的前提下，通过诸如在LED内形成有利于外量子效率提升的精细结构等方法，来有效提升其发光亮度成为目前各技术从业人员的重点课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构及其制备方法和LED器件，以通过形成具有凹凸精细结构的N型电子阻挡层，来提升电子载流子的横向扩展能力，提升LED发光效率。
本发明提供一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构，所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、非掺杂半导体层、复合N型半导体层、多量子阱层、和P型半导体层；
所述复合N型半导体层沿外延生长方向依次包括第一N型半导体层、复合N型电子阻挡层和第二N型半导体层；
其中所述复合N型电子阻挡层依次包括金属化的粗化层、在所述粗化层表面形成的具有凹凸曲面结构的停顿退火层、在所述停顿退火层上的具有凹凸曲面结构的超晶格层。
作为本发明的进一步改进，所述第二N型半导体层及所述多量子阱层也具有凹凸曲面结构。
作为本发明的进一步改进，所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层为Si掺杂的GaN层，且所述第一N型半导体层掺杂浓度小于所述第二N型半导体层掺杂浓度。
作为本发明的进一步改进，所述第一N型半导体层Si掺杂浓度为1×1019cm-3；所述第二N型半导体层Si掺杂浓度为2×1019cm-3。
作为本发明的进一步改进，所述粗化层为粗化Al层，其厚度范围为10～20nm。
作为本发明的进一步改进，所述超晶格层包含若干个双层组合单元，每个组合单元包含一个Al层和一个设于其上的AlGaN层，组合单元之间依次堆叠，其个数为15～30。
作为本发明的进一步改进，在所述超晶格层中，每层所述Al层的厚度为1nm，每层所述AlGaN层的厚度为2nm，每层所述AlGaN层中Al组分含量范围为10～15％。
作为本发明的进一步改进，所述第一N型半导体层和所述粗化层之间还设有第一过渡层。
作为本发明的进一步改进，所述第一过渡层为AlGaN层，其厚度范围为10～20nm，其Al组分的含量由沿所述第一N型半导体层至所述所述粗化层的方向从0％逐渐变化为15％。
作为本发明的进一步改进，所述超晶格层和所述第二N型半导体层之间还设有第二过渡层。
作为本发明的进一步改进，所述第二过渡层为AlGaN层，其厚度范围为5～8nm，其Al组分含量范围为10～15％。
为解决上述问题，本发明还提供一种LED器件，其特征在于，所述LED器件包括上述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构、N电极和P电极，所述N电极与所述第一N型半导体层欧姆接触连接，所述P电极与所述P型半导体层接触层欧姆接触连接。
为解决上述问题，本发明还提供一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构的制备方法，包括：
在衬底上依次生长非掺杂半导体层和第一N型半导体层；
在所述第一N型半导体层上方生长金属化的粗化层；
对所述粗化层进行退火处理，在其表面形成具有凹凸曲面结构的停顿退火层；
在所述停顿退火层上生长超晶格层，所述超晶格层基于所述停顿退火层的结构形成凹凸曲面结构；
在所述超晶格层上方依次生长第二N型半导体层和多量子阱层，所述第二N型半导体层和所述多量子阱层基于所述超晶格层的结构形成凹凸曲面结构；
在所述多量子阱层上生长P型半导体层。
作为本发明的进一步改进，所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层为掺杂Si的GaN层，且所述第一N型半导体层掺杂浓度小于所述第二N型半导体层掺杂浓度。
作为本发明的进一步改进，在生长所述粗化层之前还包括在所述第一N型半导体层上生长第一过渡层，所述粗化层生长于所述第一过渡层之上。
作为本发明的进一步改进，所述第一过渡层为AlGaN层，其生长温度范围为900～1000℃，生长压力为100torr，生长厚度范围为10～20nm，其Al组分的含量由沿所述第一N型半导体层至所述所述粗化层的方向从0％逐渐变化为15％。
作为本发明的进一步改进，所述粗化层为粗化Al层，其生长温度范围为400～500℃，生长压力为100torr，生长厚度范围为10～20nm。
作为本发明的进一步改进，所述粗化层的退火温度为1000℃，压力为500torr。
作为本发明的进一步改进，所述超晶格层交替生长Al层和AlGaN层，其生长温度范围为900～1000℃，生长压力为100torr，所述超晶格层的交替生长周期数范围为15～30，其中，所述Al层的生长厚度为1nm，所述AlGaN层的生长厚度为2nm，所述AlGaN层中Al的组分范围为10～15％。
作为本发明的进一步改进，在生长所述第二N型半导体层之前还包括在所述超晶格层上生长第二过渡层，所述第二N型半导体层生长于所述第二过渡层之上。
作为本发明的进一步改进，所述第二过渡层为AlGaN层，其生长温度范围为900～1000℃，生长压力为100torr，生长厚度范围为5～8nm，其Al组分的含量10～15％。
本发明的有益效果是：通过在N型GaN层中形成复合N型电子阻挡层，其中具有凹凸曲面结构的超晶格层可实现电子载流子的充分横向扩展传输，以降低电子在LED外延层内迁移速率，从而有效增加电子/空穴在发光区的复合机率。
同时，周期性层叠的超晶格层形成分布布拉格反射(英文：Distribute BraggReflection，简称：DBR)效应结构，从多量子阱层发出的光线在此层经反射变为正面出光，无需经过非掺杂GaN层和衬底尤其是缓冲层的反射，大大减少光线在LED磊晶层内部传输的光衰。
另外，作为主要发光层的多量子阱层由于也形成凹凸曲面结构，在单位体积内的表面积增大，能够大幅提高电子和空穴在该层内的复合几率，从而明显提升LED芯片的发光效率，尤其是适合用于背光领域需求侧向出光的芯粒设计。
附图说明
图1是本发明一实施例中的具有N型电子阻挡层的LED外延结构示意图。
图2是本发明一实施例中的包含具有N型电子阻挡层的LED外延结构的LED器件示意图。
图3是本发明实施例一中的一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构的制备方法流程示意图。
图4是本发明实施例二中的一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构的制备方法流程示意图
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施方式及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
下面详细描述本发明的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
为方便说明，本文使用表示空间相对位置的术语来进行描述，例如“上”、“下”、“后”、“前”等，用来描述附图中所示的一个单元或者特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的装置翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“上方”的单元将位于其他单元或特征“下方”或“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括下方和上方这两种空间方位。
如图1所示，为本发明一实施方式中的具有N型电子阻挡层的LED外延结构，所述LED外延结构从下向上依次包括衬底1、非掺杂半导体层2、复合N型半导体层3、多量子阱层4、和P型半导体层5。
所述衬底1的材质为蓝宝石、碳化硅、硅或上述材料的复合衬底1，也可以为其他常用LED衬底材料。
于本发明的一些实施方式中，所述衬底1上还设有氮化物缓冲层，以减小所述衬底1和半导体层之间的晶格失配，提高外延层的生长质量。
所述复合N型半导体层3沿外延生长方向依次包括第一N型半导体层31、复合N型电子阻挡层32和第二N型半导体层33。
进一步的，所述第一N型半导体层31和所述第二N型半导体层33为Si掺杂的GaN层。所述第一N型半导体层31的Si掺杂浓度小于所述第二N型半导体层33的Si掺杂浓度。位于上层的第二N型半导体层33位于所述多量子阱层4下方，其Si掺杂浓度更大，可以减缓电子从第一N型半导体层31经由所述复合N型电子阻挡层32和所述第二N型半导体层33注入多量子阱层4的速度，以促进电子的横向扩展，提高电子和空穴在多量子阱层4中的复合效率，从而使LED的发光效率得到提高。
具体的，在本实施方式中，所述第一N型半导体层31的Si掺杂浓度为1×1019cm-3；所述第二N型半导体层33的Si掺杂浓度为2×1019cm-3。
更进一步的，所述复合N型电子阻挡层32依次包括金属化的粗化层322、在所述粗化层322表面形成的具有凹凸曲面结构的停顿退火层323、在所述停顿退火层323上的具有凹凸曲面结构的超晶格层324。
具体的，在本实施方式中，所述粗化层322为粗化Al层，其厚度范围为10～20nm，通过在低温条件下生长所述粗化层322，并随后在高温高压的条件下对该层进行退火处理，使内部结构重结晶，在所述粗化层322表面形成不规则的粗糙Al球结构，以形成具有凹凸曲面结构的停顿退火层323，从而为后续外延结构的生长提供一个凹凸曲面结构的基底。
更具体的，所述超晶格层324包含若干个双层组合单元，每个组合单元包含一个Al层3241和一个设于其上的AlGaN层3241，组合单元之间依次堆叠，其个数为15～30。其中，所述Al层3241的厚度为1nm，所述AlGaN层3242的厚度为2nm，所述AlGaN层3242中Al组分含量范围为10～15％。
这里，一方面，由于所述超晶格层324以形成凹凸曲面结构的所述停顿退火层323为基底生长，所以其整体也形成多层层叠的凹凸曲面结构。由于电子载流子沿超晶格层的生长方向的运动会受到约束，更倾向与沿层与层之间的截面横向运动，所以相比较于传统的平面超晶格结构，本发明中的所述超晶格层324在有限空间形成更曲折的界面，使得电子载流子横向扩展传输更加充分，以降低电子在LED外延层内迁移速率，从而有效增加电子和空穴在所述多量子阱层4发光区的复合机率。将所述超晶格层324的层叠周期数限制为15～30，可以保证所述超晶格层324有足够的厚度，利于电子载流子横向扩展，同时，也可控制总层数，简化工艺流程，控制生产成本。
另一方面，由于所述超晶格层324为叠层结构，且所述Al层3241和所述AlGaN层3242的折射率不同，叠层的结构也可形成DBR结构，同时由于其位于所述多量子阱层4的下方，因而从所述多量子阱层4发出的光线在此层经反射变为正面出光，无需经过所述非掺杂半导体层2和所述衬底1尤其是所述缓冲层的反射，大大减少光线在LED磊晶层内部传输的光衰。
在本实施方式中，所述第一N型半导体层31和所述粗化层322之间还设有第一过渡层321。
具体的，所述第一过渡层321为AlGaN层，其厚度范围为10～20nm，其Al组分的含量由沿所述第一N型半导体层31至所述所述粗化层322的方向从0％逐渐变化为15％。
这里，由于AlGaN的晶格常数相对GaN偏小，Al的掺杂不利于GaN长晶质量，通过采用Al组分缓变的所述第一过渡层321，有助于过渡和缓冲不同掺杂层导致的晶格质量变差，降低外延层内界面的位错和应力。
在本实施方式中，所述超晶格层324和所述第二N型半导体层33之间还设有第二过渡层325。
具体的，所述第二过渡层325为AlGaN层，其厚度范围为5～8nm，其Al组分含量范围为10～15％，所述第二过渡层325的厚度大于所述AlGaN层3242的厚度。
这里，通过持续生长一定厚度的AlGaN层来使晶格不匹配减小，提升上方的所述第二N型半导体层33的生长质量，并进而能够有效抑制由于晶格失配所形成的缺陷延伸至所述多量子阱层4，从而进一步保证LED的发光效率。
所述第二N型半导体层33及所述多量子阱层4也基于凹凸曲面结构生长，故也具有凹凸曲面结构。
这里，作为主要发光层的所述多量子阱层4由于形成凹凸曲面结构，在单位体积内的表面积增大，能够大幅提高电子和空穴在该层内的复合几率，从而能明显提升LED芯片的发光效率，尤其是适合用于背光领域需求侧向出光的芯粒设计。
如图2所示，本发明还提供一种LED器件，其包括上述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构、N电极6和P电极7，所述N电极6与所述第一N型半导体层31欧姆接触连接，所述P电极7与所述P型半导体层5欧姆接触连接。
如图3所示，本发明还提供一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构的制备方法，包括步骤：
S10：在衬底1上依次生长非掺杂半导体层2和第一N型半导体层31。
将所述衬底1预处理后放入金属有机物化学气相沉积设备的反应室中生长所述非掺杂半导体层2和第一N型半导体层31，在本发明的一些实施方式中，所述衬底1上还生长一层氮化物缓冲层。所述第一N型半导体层31为掺杂Si的GaN层，掺杂浓度为1×1019cm-3。
S20：在所述第一N型半导体层31上方生长金属化的粗化层322。
在本实施方式中，所述粗化层322为粗化Al层，其生长温度范围为400～500℃，生长压力为100torr，生长厚度范围为10～20nm。
这里，可以理解的是，由于在生长粗化Al层时，生长过程中持续通入NH3，TMAl裂解生长过程中有部分生成AlN，所以所述粗化层322实际为Al和AlN的混合层。
S30：对所述粗化层322进行退火处理，在其表面形成具有凹凸曲面结构的停顿退火层323。
在本实施方式中，所述粗化层322的退火温度为1000℃，压力为500torr。
S40：在所述停顿退火层323上生长超晶格层324，所述超晶格层324基于所述停顿退火层323的结构形成凹凸曲面结构。
在本实施方式中，所述超晶格层324交替生长Al层3241和AlGaN层3242，其生长温度范围为900～1000℃，生长压力为100torr，通过交替通入TMGa，实现所述Al层3241和所述AlGaN层3242的交替生长，所述Al层3241和所述AlGaN层3242的生长周期数范围为15～30。所述Al层3241的生长厚度为1nm，所述AlGaN层3242的生长厚度为2nm，所述AlGaN层3242中Al的组分范围为10～15％。
S50：在所述超晶格层324上方依次生长第二N型半导体层33和多量子阱层4。
所述第二N型半导体层33和所述多量子阱层4基于所述超晶格层324的结构形成凹凸曲面结构，所述第二N型半导体层33掺杂浓度高于所述第一N型半导体层31。所述第二N型半导体层31为掺杂Si的GaN层，掺杂浓度为2×1019cm-3。
S60：在所述多量子阱层4上生长P型半导体层5。
如图4所示，为本发明提供的另一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构的制备方法，其中，图4所示生长方法与图3所示生长方法相同，且图4所示的生长还包括：
S11：在所述第一N型半导体层31上生长第一过渡层321，所述粗化层322生长于所述第一过渡层321之上。
在本实施方式中，所述第一过渡层321为AlGaN层，其生长温度范围为900～1000℃，生长压力为100torr，生长厚度范围为10～20nm，其Al组分的含量由沿所述第一N型半导体层31至所述所述粗化层322的方向从0％逐渐变化为15％。
S41：在所述超晶格层324上生长第二过渡层325，所述第二N型半导体层33生长于所述第二过渡层325之上。
在本实施方式中，所述第二过渡层325为AlGaN层，其生长温度范围为900～1000℃，生长压力为100torr，生长厚度范围为5～8nm，其Al组分的含量10～15％。
上述的一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构的制备方法，各步骤为连续式外延生长方式，量产可实现性强。
综上所述，本发明通过在N型GaN层中形成复合N型电子阻挡层，其中具有凹凸曲面结构的超晶格层可实现电子载流子的充分横向扩展传输，以降低电子在LED外延层内迁移速率，从而有效增加电子/空穴在发光区的复合机率。
同时，周期性层叠的超晶格层形成分布布拉格反射(英文：Distribute BraggReflection，简称：DBR)效应结构，从多量子阱层发出的光线在此层经反射变为正面出光，无需经过非掺杂GaN层和衬底尤其是缓冲层的反射，大大减少光线在LED磊晶层内部传输的光衰。
另外，作为主要发光层的多量子阱层由于也形成凹凸曲面结构，在单位体积内的表面积增大，能够大幅提高电子和空穴在该层内的复合几率，从而明显提升LED芯片的发光效率，尤其是适合用于背光领域需求侧向出光的芯粒设计。
应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (21)

1.一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构，所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、非掺杂半导体层、复合N型半导体层、多量子阱层、和P型半导体层，其特征在于：
所述复合N型半导体层沿外延生长方向依次包括第一N型半导体层、复合N型电子阻挡层和第二N型半导体层；
其中所述复合N型电子阻挡层依次包括金属化的粗化层、在所述粗化层表面形成的具有凹凸曲面结构的停顿退火层、在所述停顿退火层上的具有凹凸曲面结构的超晶格层。
2.根据权利要求1所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述第二N型半导体层及所述多量子阱层也具有凹凸曲面结构。
3.根据权利要求2所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层为Si掺杂的GaN层，且所述第一N型半导体层掺杂浓度小于所述第二N型半导体层掺杂浓度。
4.根据权利要求3所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述第一N型半导体层Si掺杂浓度为1×1019cm-3；所述第二N型半导体层Si掺杂浓度为2×1019cm-3。
5.根据权利要求1所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述粗化层为粗化Al层，其厚度范围为10～20nm。
6.根据权利要求5所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述超晶格层包含若干个双层组合单元，每个组合单元包含一个Al层和一个设于其上的AlGaN层，组合单元之间依次堆叠，其个数为15～30。
7.根据权利要求6所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构，其特征在于：在所述超晶格层中，每层所述Al层的厚度为1nm，每层所述AlGaN层的厚度为2nm，每层所述AlGaN层中Al组分含量范围为10～15％。
8.根据权利要求1所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述第一N型半导体层和所述粗化层之间还设有第一过渡层。
9.根据权利要求8所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述第一过渡层为AlGaN层，其厚度范围为10～20nm，其Al组分的含量由沿所述第一N型半导体层至所述所述粗化层的方向从0％逐渐变化为15％。
10.根据权利要求1所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述超晶格层和所述第二N型半导体层之间还设有第二过渡层。
11.根据权利要求10所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构，其特征在于：所述第二过渡层为AlGaN层，其厚度范围为5～8nm，其Al组分含量范围为10～15％。
12.一种LED器件，其特征在于，包括权利要求1-11任一所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构、N电极和P电极，所述N电极与所述第一N型半导体层欧姆接触连接，所述P电极与所述P型半导体层接触层欧姆接触连接。
13.一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构的制备方法，其特征在于包括：
在衬底上依次生长非掺杂半导体层和第一N型半导体层；
在所述第一N型半导体层上方生长金属化的粗化层；
对所述粗化层进行退火处理，在其表面形成具有凹凸曲面结构的停顿退火层；
在所述停顿退火层上生长超晶格层，所述超晶格层基于所述停顿退火层的结构形成凹凸曲面结构；
在所述超晶格层上方依次生长第二N型半导体层和多量子阱层，所述第二N型半导体层和所述多量子阱层基于所述超晶格层的结构形成凹凸曲面结构；
在所述多量子阱层上生长P型半导体层。
14.根据权利要求13所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构的制备方法，其特征在于：所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层为掺杂Si的GaN层，且所述第一N型半导体层掺杂浓度小于所述第二N型半导体层掺杂浓度。
15.根据权利要求13所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构的制备方法，其特征在于：在生长所述粗化层之前还包括在所述第一N型半导体层上生长第一过渡层，所述粗化层生长于所述第一过渡层之上。
16.根据权利要求15所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构的制备方法，其特征在于：所述第一过渡层为AlGaN层，其生长温度范围为900～1000℃，生长压力为100torr，生长厚度范围为10～20nm，其Al组分的含量由沿所述第一N型半导体层至所述所述粗化层的方向从0％逐渐变化为15％。
17.根据权利要求13所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构的制备方法，其特征在于：所述粗化层为粗化Al层，其生长温度范围为400～500℃，生长压力为100torr，生长厚度范围为10～20nm。
18.根据权利要求17所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构的制备方法，其特征在于：所述粗化层的退火温度为1000℃，压力为500torr。
19.根据权利要求13所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构的制备方法，其特征在于：所述超晶格层交替生长Al层和AlGaN层，其生长温度范围为900～1000℃，生长压力为100torr，所述超晶格层的交替生长周期数范围为15～30，其中，所述Al层的生长厚度为1nm，所述AlGaN层的生长厚度为2nm，所述AlGaN层中Al的组分范围为10～15％。
20.根据权利要求13所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构的制备方法，其特征在于：在生长所述第二N型半导体层之前还包括在所述超晶格层上生长第二过渡层，所述第二N型半导体层生长于所述第二过渡层之上。
21.根据权利要求20所述的具有N型电子阻挡层的LED外延结构的制备方法，其特征在于：所述第二过渡层为AlGaN层，其生长温度范围为900～1000℃，生长压力为100torr，生长厚度范围为5～8nm，其Al组分的含量10～15％。
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