CN111430444A - 量子点显示面板及其制备方法 - Google Patents

量子点显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111430444A
CN111430444A CN202010361459.XA CN202010361459A CN111430444A CN 111430444 A CN111430444 A CN 111430444A CN 202010361459 A CN202010361459 A CN 202010361459A CN 111430444 A CN111430444 A CN 111430444A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
sub
light
quantum dot
filter layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010361459.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN111430444B (zh
Inventor
翁德志
王杲祯
张涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202010361459.XA priority Critical patent/CN111430444B/zh
Publication of CN111430444A publication Critical patent/CN111430444A/zh
Priority to US17/113,872 priority patent/US11785823B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN111430444B publication Critical patent/CN111430444B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/331Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种量子点显示面板及其制备方法,该量子点显示面板包括:阵列基板;发光层设置在阵列基板的上方,用于提供光源;封装层设置在发光层的上方,用于封装发光层,避免发光层被水汽侵蚀;彩色滤光层设置在封装层的上方,彩色滤光层包括多个像素区域,像素区域中包括多个子像素滤光层,子像素滤光层由量子点材料制成,且量子点材料被激发后产生的光与子像素滤光层的颜色相同;至少一个子像素滤光层的上表面形成有凹面结构。本发明实施例提供的量子点显示面板,提高了量子点显示面板的出光率,提高量子点显示面板的显示效果。

Description

量子点显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种量子点显示面板及其制备方法。
背景技术
量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes;QLED)因其具有亮度高、色域广、寿命长、内量子效率高等优点,被业界公认为最有发展潜力的显示器件。尤其是用量子点打印彩膜基板(Color Filter,CF)可取代偏光片,极大的提高了出光率,同时工艺成本也大大降低,成为未来显示研究的主要方向。
但现有的器件结构中,由于打印彩膜基板的微腔效应,导致光提取率降低,在量子点彩膜基板层产生的光子由于光波导效应,在界面层发生全反射,部分光子被限制在彩膜基板层,造成能量损失,影响显示面板的显示效果。
发明内容
本发明实施例提供一种量子点显示面板及其制备方法、显示装置,旨在改进量子点显示面板的结构,提高量子点显示面板的显示效果。
第一方面,本发明提供一种量子点显示面板,所述量子点显示面板包括:
阵列基板;
发光层,所述发光层设置在所述阵列基板的上方,用于提供光源;
封装层,所述封装层设置在所述发光层的上方,用于封装所述发光层;
彩色滤光层,所述彩色滤光层设置在所述封装层的上方,所述彩色滤光层包括多个像素区域,所述像素区域中包括多个子像素滤光层,所述子像素滤光层由量子点材料制成,且所述量子点材料被激发后产生的光与所述子像素滤光层的颜色相同;至少一个所述子像素滤光层的上表面形成有凹面结构。
可选的,所述量子点显示面板还包括形成在所述彩色滤光层上上的透光层,所述透光层的折射率大于所述彩色滤光层的折射率。
可选的,所述透光层包括透光部,所述透光部与所述子像素滤光层对应设置,所述透光部的下部填充在所述凹面结构内。
可选的,所述彩色滤光层还包括间隔部,所述子像素滤光层为多个,多个所述子像素滤光层通过所述间隔部间隔设置。
可选的,所述子像素滤光层的高度,小于或者等于所述间隔部的高度。
可选的,所述凹面结构为多个,多个所述凹面结构与多个所述子像素滤光层对应设置,多个所述凹面结构的形状相同。
可选的,所述发光层为蓝色光源,所述彩色滤光层上与红色对应的第一子像素滤光层由红色量子点材料制成,与绿色对应的第二子像素滤光层由绿色量子点材料制成,与蓝色对应的第三子像素滤光层对应的子像素滤光层为透明区域。
第二方面,本发明提供一种量子点显示面板的制备方法,所述方法包括:
提供阵列基板;
在所述阵列基板上方制备形成发光层,所述发光层用于提供光源;
在所述发光层上方制备形成封装层,所述封装层用于封装所述发光层;
在所述封装层上方制备形成彩色滤光层,所述彩色滤光层包括多个像素区域,所述像素区域中包括多个子像素滤光层,所述子像素滤光层由量子点材料制成,且所述量子点材料被激发后产生的光与所述子像素滤光层的颜色相同;
在所述子像素滤光层的上表面制备形成凹面结构。
可选的,所述在所述封装层上方制备形成彩色滤光层,包括:
在所述封装层上方制备形成间隔部,所述间隔部包括多个开口,以形成多个间隔区域;
在多个所述开口内制备形成多个子像素滤光层,以形成所述彩色滤光层,所述子像素滤光层通过所述间隔部间隔设置。
可选的,所述方法还包括:
在所述凹面结构内制备透光部,以形成透光层。
有益效果:本发明实施例提供的显示面板,通过在量子点显示面板彩色滤光层的上表面形成凹面结构,改变光线在量子点显示面板彩色滤光层中的出射角度,使得光线在量子点显示面板的彩色滤光层表面发生全反射的概率降低,彩色滤光层内更多的光线可以射出量子点显示面板,大大提高了量子点显示面板的出光率,提高量子点显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的量子点显示面板一实施例结构示意图;
图2为本发明提供的显示面板的制备方法一实施例流程图;
图3为本发明提供的间隔部一实施例结构示意图;
图4为本发明提供的彩色滤光层一实施例结构示意图;
图5为本发明提供的透光层一实施例结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明,给出了以下描述。在以下描述中,为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是,本领域普通技术人员可以认识到,在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中,不会对公知的结构和过程进行详细阐述,以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此,本发明并非旨在限于所示的实施例,而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
量子点材料是指粒径在1-100nm之间的无机半导体纳米晶粒,由于电子和空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射荧光。
本发明实施例提供一种量子点显示面板及其制备方法。以下分别进行详细说明。
如图1所示,为本发明提供的量子点显示面板一实施例结构示意图,该显示面板包括:
阵列基板10。
发光层11,发光层11设置在阵列基板的上方,用于提供光源。
封装层12,封装层12设置在发光层11的上方,用于封装发光层11,避免发光层11被水汽侵蚀。
彩色滤光层13,彩色滤光层13设置在封装层12的上方,彩色滤光层13包括多个像素区域,像素区域中包括多个子像素滤光层,子像素滤光层由量子点材料制成,且量子点材料被激发后产生的光与子像素彩色滤光层的颜色相同。
且至少一个子像素彩色滤光层的上表面形成有凹面结构。
本发明实施例提供的显示面板,通过在量子点显示面板彩色滤光层的上表面形成凹面结构,改变光线在量子点显示面板彩色滤光层中的出射角度,使得光线在量子点显示面板的彩色滤光层表面发生全反射的概率降低,彩色滤光层内更多的光线可以射出量子点显示面板,大大提高了量子点显示面板的出光率,提高量子点显示面板的显示效果。
具体的,请参考图1,本发明提供的显示面板一个实施例中,阵列基板10可以包括:
玻璃基板101;
薄膜晶体管层102,薄膜晶体管层102设置在玻璃基板101上方。
在本发明的一些实施例中,在阵列基板10的上方还可以设置有阴极103、阳极104以及发光层11。而阴极103设置在薄膜晶体管层102上方;发光层11设置在阵列基板10的上方,且位于阴极103和阳极104之间,发光层11用于提供光源;阳极104设置在发光层11的上方。
在一些实施例中,彩色滤光层13设置在阳极104上方,彩色滤光层13包括多个像素区域,而像素区域又包括多个子像素滤光层131;且彩色滤光层13的上表面形成有凹面结构,该凹面结构可以使得光线在彩色滤光层13表面发生全反射的概率降低,使彩色滤光层13内更多的光线可以射出量子点显示面板的表面,大大提高了量子点显示面板的出光率,进而提高量子点显示面板的显示效果。
本发明提供的量子点显示面板,包括有量子点材料制成的彩色滤光层13,彩色滤光层13上包括多个像素区域,而每个像素区域中又包括多个子像素滤光层131,每个子像素滤光层131对应于一种颜色,量子点材料被激发后产生的光与子像素滤光层131对应的颜色相同。由此实现由量子点材料制成的彩色滤光片13能够产生彩色光。
在一些实施例中,像素区域可以包括多个子像素滤光层131,具体的,一个像素区域可以包括三个子像素滤光层131。
在上述实施例的基础上,当采用蓝色背光作为发光光源,即发光层11为蓝色光源时,彩色滤光层13上的像素区域至少排布有红色子像素滤光层R和绿色子像素滤光层G,且红色子像素滤光层R和绿色子像素滤光层G均为量子点材料制备形成,红色子像素滤光层R在背光的激发下发出红光,绿色子像素滤光层G在背光激发下发出绿光。
在上述实施例中,像素区域还可以设置有透明子像素滤光层,而该透明子像素滤光层对应的颜色为背光的颜色,即为蓝色。由于背光选取蓝色,因此像素区域在背光照射下能够呈现红绿蓝以及红绿蓝三原色组成的其他颜色,实现彩色滤光。
在其他实施例中,透明子像素滤光层可以由蓝色子像素滤光层,蓝色子像素滤光层同样为量子点材料制备形成,该蓝色子像素滤光层可以在背光的激发下发出蓝光。
当然,像素区域还可以设置有白色子像素滤光层W,白色字像素滤光层同样为量子点材料,该白色子像素滤光层在背光的激发下发出白光。通过RGBW进行画面显示,有利于提高显示面板的亮度和对比度。
在本发明的一些实施例中,该量子点显示面板还包括透光层30,透光层30设置在彩色滤光层13的上方,且透光层30的折射率大于彩色滤光层13的折射率。
具体的,彩色滤光层13的上表面形成有凹面结构,透光层30设置在该凹面结构中,透光层30可以包括至少一个透光部301。优选的,子像素滤光层131和透光部301可以均为多个,且子像素滤光层131和透光部301的数量相等,即每个子像素滤光层131的上方都设置有透光部301,多个凹面结构与多个子像素滤光层131对应设置。当子像素滤光层131和透光部301均为多个时,凹面结构也为多个,且多个凹面结构的形状可以相同也可以不同。
在一些实施例中,子像素滤光层131的上表面为凹面结构,该凹面结构的弧度和半径随着不同显示面板中子像素滤光层131之间的间距不同而进行改变,该凹面结构可以使得进入子像素滤光层131的光线改变传输路径,使得更多的光线射出子像素滤光层131。而在至少一个子像素滤光层131的凹面结构中设置有透光部301,使得来自发光层11的光线,在进入子像素滤光层131后,一部分光线会从子像素滤光层131中直接射出;由于透光层30的折射率大于彩色滤光层13的折射率,另一部分原本由于在彩色滤光层13发生全反射而损失的光线,也会直接从子像素滤光层131中射出,进一步提高了光线的出光率,提高显示面板的显示效果。
在本发明的实施例中,透光层30设置在彩色滤光层13的凹面结构中,不仅可以避免残留在显示面板内部的气体渗透进入有机发光层腐蚀器件,造成显示异常,还可以避免残留的气体受温度影响收缩/膨胀,影响显示面板寿命。
在一些实施例中,当子像素滤光层131为多个时,显示面板还包括间隔部132,且间隔部132包括多个开口,而多个像素区域通过间隔部132间隔设置,多个子像素滤光层131也通过间隔部132间隔设置,且子像素滤光层131的高度小于或等于间隔部132的高度。间隔部132在间隔子像素滤光层131,遮挡子像素滤光层131之间的空隙外,还可以防止量子点显示面板出现漏光和混色现象。
在一些实施例中,间隔部132可以为井字状结构,即相邻的间隔部132之间形成有开口,而子像素滤光层131形成在开口处。间隔部132的上表面可以为平面。
子像素滤光层131设置在间隔部132的开口处,而透光部301设置在子像素滤光层131的凹面结构内,透光部301的上表面可以为平面或凹面结构,透光部301的上表面与间隔部的上表面的高度差在预设范围内。在本发明的一些实施例中,可以为透光部301的下部填充在凹面结构内。
在一些实施例中,透光部301的上表面与间隔部132的上表面的高度差小于或等于0.2um,即透光部301的上表面高度小于或等于间隔部132的上表面高度。具体的,透光部301的上表面可以为平面,且透光部301的上表面高度与间隔部132的上表面高度相等;或透光部301的上表面最低点与间隔部的上表面高度差可以为0.1um、0.15um、0.2um。
本发明实施例提供的量子点显示面板还包括封装层12,封装层12设置在发光层11的上方,用于封装发光层11,避免发光层11被水汽侵蚀。彩色滤光层13设置在封装层12的上方。封装层12可以为无机层/有机层/无机层交叠设置,这样的封装效果更好。
需要说明的是,上述显示面板实施例中仅描述了上述结构,可以理解的是,除了上述结构之外,本发明实施例显示面板中,还可以根据需要包括任何其他的必要结构,例如空穴注入层、空穴传输层等,具体此处不作限定。
本发明还提供一种显示面板的制备方法,如图2所示,为本发明提供的显示面板的制备方法一实施例流程图,该方法包括步骤20至步骤24,详细说明如下:
20、提供阵列基板。
在一些实施例中,阵列基板可以包括:
玻璃基板101;
薄膜晶体管层102,薄膜晶体管层102设置在玻璃基板101上方。
21、在阵列基板上方制备形成发光层,发光层用于提供光源。
22、在发光层上方制备形成封装层,封装层用于封装发光层,避免发光层被侵蚀。
23、在封装层上方制备形成彩色滤光层,彩色滤光层包括多个像素区域,像素区域中包括多个子像素滤光层,子像素滤光层由量子点材料制成,且量子点材料被激发后产生的光与子像素滤光层的颜色相同。
24、在子像素滤光层的上表面制备形成凹面结构。
本发明提供的量子点显示面板的制备方法,通过在量子点显示面板彩色滤光层的上表面形成凹面结构,改变光线在量子点显示面板彩色滤光层中的出射角度,使得光线在量子点显示面板的彩色滤光层表面发生全反射的概率降低,彩色滤光层内更多的光线可以射出量子点显示面板,大大提高了量子点显示面板的出光率,提高量子点显示面板的显示效果。
在本发明的一些实施例中,步骤21可以包括:在阵列基板上方制备阴极;在阴极上方制备形成发光层,发光层用于提供光源;在发光层上方制备阳极。
在一些实施例中,彩色滤光层可以包括多个子像素滤光层,在封装层上方制备形成彩色滤光层,可以包括:
在封装层上方制备形成间隔部,间隔部包括多个开口;
在多个开口内制备形成多个子像素滤光层子像素滤光层,以形成彩色滤光层,子像素滤光层通过所述间隔部间隔设置。
具体的,彩色滤光层包括多个像素区域,而像素区域又可以包括多个子像素滤光层,在基板上方通过蚀刻法制备间隔部,而制备间隔部的同时,形成多个开口。之后,通过在多个开口内制备子像素滤光层,使间隔部可以将多个子像素滤光层间隔开来,防止漏光或混色。
在一些实施例中,间隔部可以为黑色矩阵。
在封装层上方制备形成间隔部,间隔部包括多个开口,可以包括:
(1)、在封装层上方制备黑色矩阵层;
(2)、对黑色矩阵层进行曝光、显影和蚀刻得到间隔部。
具体的,在基板上当通过涂布的方法制备黑色矩阵层,在制备完成后,利用预设的掩膜版对黑色矩阵层进行曝光、显影和蚀刻得到黑色矩阵,即间隔部,同时在相邻两个间隔部之间形成有开口,间隔部的上表面为平面。如图3所示,为本发明提供的间隔部一实施例结构示意图,间隔部132间隔设置,相邻间隔部132之间形成有开口。
如图4所示,为本发明提供的彩色滤光层一实施例结构示意图。在开口内制备子像素滤光层,以形成彩色滤光层可以包括:在开口处制备子像素滤光层,以形成彩色滤光层,所述彩色滤光层的高度小于所述黑色矩阵的高度。
其中,可以在黑色矩阵的开口处利用喷墨打印技术打印形成多个子像素滤光层,以形成彩色滤光层,彩色滤光层包括多个子像素滤光层。同时在彩色滤光层的至少一个子像素滤光层的上方形成凹面结构,且具有该凹面结构的子像素滤光层的上表面高度要小于黑色矩阵的高度。之后,对喷墨打印制备得到的多个子像素滤光层进行干燥、固化使得彩色滤光层与封装层紧密连接。
需要说明的是,在本发明的实施例中,制备间隔部和彩色滤光层的具体流程和方法可以参考现有技术,此处不做任何限定。
在本发明的一些实施例中,在子像素滤光层的上表面制备形成凹面结构,可以在子像素滤光层的制备完成后,在子像素滤光层的上表面再制备凹面结构。也可以在制备子像素滤光层的同时,就在子像素滤光层的上表面制备形成凹面结构。
在一些实施例中,子像素滤光层高度小于间隔部的高度,在所述彩色滤光层上方制备透光层,包括:在间隔部的开口内制备透光部,以形成透光层。
由于子像素滤光层高度小于间隔部的高度,子像素滤光层的上表面与开口的内壁能够围合形成容纳腔,即在子像素滤光层的上表面形成凹面结构,可以将折射率大于彩色滤光层折射率的透明材料填充至该容纳腔内以形成透光部。
具体的,在该凹面结构中利用喷墨打印技术制备透光部,以形成透光层,并利用UV光进行照射,使得透光层固化。透光层的折射率大于彩色滤光层的折射率,使得来自发光层的光线在进入彩色滤光层后可以尽可能的从彩色滤光层射出,消除光波导效应。如图5所示,为本发明实施例提供的透光部一实施例结构示意图。
透光部设置在子像素滤光层的凹面结构内,透光部的上表面可以为平面或凹面结构,透光部的上表面与间隔部的上表面的高度差在预设范围内。
在一些实施例中,透光部的上表面与间隔部的上表面的高度差小于或等于0.2um,即透光部的上表面高度小于或等于间隔部的上表面高度。具体的,透光部的上表面可以为平面,且透光部的上表面高度与间隔部的上表面高度相等;或透光部的上表面最低点与间隔部的上表面高度差可以为0.1um、0.15um、0.2um等等。
本发明还提供一种显示装置,该显示装置包括如上的量子点显示面板,该量子点显示面板包括:
阵列基板;
发光层,所述发光层设置在所述阵列基板的上方,用于提供光源;
封装层,所述封装层设置在所述发光层的上方,用于封装所述发光层,避免所述发光层被水汽侵蚀;
彩色滤光层,所述彩色滤光层设置在所述封装层的上方,所述彩色滤光层包括多个像素区域,所述像素区域中包括多个子像素滤光层,所述子像素滤光层由量子点材料制成,且所述量子点材料被激发后产生的光与所述子像素滤光层的颜色相同;至少一个所述子像素滤光层的上表面形成有凹面结构。
本发明实施例提供的显示装置,通过在量子点显示面板彩色滤光层的上表面形成凹面结构,改变光线在量子点显示面板彩色滤光层中的出射角度,使得光线在量子点显示面板的彩色滤光层表面发生全反射的概率降低,彩色滤光层内更多的光线可以射出量子点显示面板,大大提高了量子点显示面板的出光率,提高量子点显示面板的显示效果。
本发明提供的显示装置一个实施例中,显示面板中阵列基板还可以包括:
玻璃基板;
薄膜晶体管层,薄膜晶体管设置在玻璃基板上方。
显示面板还包括有阴极,阴极设置在薄膜晶体管层上方;以及阳极,阳极设置在发光层上方。
在上述实施例的基础中,彩色滤光层设置在封装层上方,彩色滤光层包括多个像素区域,像素区域又包括多个子像素滤光层。
且在本发明的一些实施例中,量子点显示面板还包括透光层,透光层设置在彩色滤光片的上方。而透光层包括透光部,子像素滤光层的上表面形成有凹面结构,透光部设置在子像素滤光层的上方,位于凹面结构中。
通过采用如上实施例中描述的显示面板,进一步提升了该显示装置的性能。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见上文针对其他实施例的详细描述,此处不再赘述。
具体实施时,以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现,也可以进行任意组合,作为同一或若干个实体来实现,以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例,在此不再赘述。
以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例,在此不再赘述。
以上对本发明实施例所提供的一种量子点显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种量子点显示面板,其特征在于,所述量子点显示面板包括:
阵列基板;
发光层,所述发光层设置在所述阵列基板的上方,用于提供光源;
封装层,所述封装层设置在所述发光层的上方,用于封装所述发光层;
彩色滤光层,所述彩色滤光层设置在所述封装层的上方,所述彩色滤光层包括多个像素区域,所述像素区域中包括多个子像素滤光层,所述子像素滤光层由量子点材料制成,且所述量子点材料被激发后产生的光与所述子像素滤光层的颜色相同;至少一个所述子像素滤光层的上表面形成有凹面结构。
2.根据权利要求1所述的量子点显示面板,其特征在于,所述量子点显示面板还包括形成在所述彩色滤光层上的透光层,所述透光层的折射率大于所述彩色滤光层的折射率。
3.根据权利要求2所述的量子点显示面板,其特征在于,所述透光层包括透光部,所述透光部与所述子像素滤光层对应设置,所述透光部的下部填充在所述凹面结构内。
4.根据权利要求1所述的量子点显示面板,其特征在于,所述彩色滤光层还包括间隔部,多个所述子像素滤光层通过所述间隔部间隔设置。
5.根据权利要求4所述的量子点显示面板,其特征在于,所述子像素滤光层的高度,小于或等于所述间隔部的高度。
6.根据权利要求1所述的量子点显示面板,其特征在于,所述凹面结构为多个,多个所述凹面结构与多个所述子像素滤光层对应设置,多个所述凹面结构的形状相同。
7.根据权利要求1所述的量子点显示面板,其特征在于,所述发光层为蓝色光源,所述彩色滤光层上与红色对应的第一子像素滤光层由红色量子点材料制成,与绿色对应的第二子像素滤光层由绿色量子点材料制成,与蓝色对应的第三子像素滤光层对应的子像素滤光层为透明区域。
8.一种量子点显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供阵列基板;
在所述阵列基板上方制备形成发光层,所述发光层用于提供光源;
在所述发光层上方制备形成封装层,所述封装层用于封装所述发光层;
在所述封装层上方制备形成彩色滤光层,所述彩色滤光层包括多个像素区域,所述像素区域中包括多个子像素滤光层,所述子像素滤光层由量子点材料制成,且所述量子点材料被激发后产生的光与所述子像素滤光层的颜色相同;
在所述子像素滤光层的上表面制备形成凹面结构。
9.根据权利要求8所述的量子点显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述封装层上方制备形成彩色滤光层,包括:
在所述封装层上方制备形成间隔部,所述间隔部包括多个开口;
在多个所述开口内制备形成多个子像素滤光层,以形成所述彩色滤光层,所述子像素滤光层通过所述间隔部间隔设置。
10.根据权利要求8所述的量子点显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述凹面结构内制备透光部,以形成透光层,所述透光层的折射率大于所述彩色滤光层的折射率。
CN202010361459.XA 2020-04-30 2020-04-30 量子点显示面板及其制备方法 Active CN111430444B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010361459.XA CN111430444B (zh) 2020-04-30 2020-04-30 量子点显示面板及其制备方法
US17/113,872 US11785823B2 (en) 2020-04-30 2020-12-07 Quantum dot display panel and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010361459.XA CN111430444B (zh) 2020-04-30 2020-04-30 量子点显示面板及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111430444A true CN111430444A (zh) 2020-07-17
CN111430444B CN111430444B (zh) 2023-06-02

Family

ID=71554947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010361459.XA Active CN111430444B (zh) 2020-04-30 2020-04-30 量子点显示面板及其制备方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11785823B2 (zh)
CN (1) CN111430444B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111864112A (zh) * 2020-07-22 2020-10-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板
EP4080578A1 (en) * 2021-04-19 2022-10-26 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing display apparatus
WO2022266852A1 (zh) * 2021-06-22 2022-12-29 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制作方法、显示装置

Citations (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001117085A (ja) * 1999-10-15 2001-04-27 Nec Corp カラー液晶表示パネル及びその製造方法
JP2005293946A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機el表示装置
JP2005317228A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Nitto Denko Corp エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2007134153A (ja) * 2005-11-10 2007-05-31 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置、および電子機器
US20070200492A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-30 Eastman Kodak Company Top-emitter OLED device structure and method
US20100110551A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 3M Innovative Properties Company Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer
US20120256562A1 (en) * 2011-04-07 2012-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
CN103227189A (zh) * 2013-04-09 2013-07-31 北京京东方光电科技有限公司 一种量子点发光二极管显示器件及显示装置
CN103236435A (zh) * 2013-04-23 2013-08-07 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光二极管显示装置
US20140027724A1 (en) * 2012-07-25 2014-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
CN104728779A (zh) * 2015-04-21 2015-06-24 张家港康得新光电材料有限公司 发光膜层结构及背光模组
WO2015188474A1 (zh) * 2014-06-12 2015-12-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
CN106206968A (zh) * 2016-08-17 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示器件的像素结构及其制备方法、oled显示器件
CN106229418A (zh) * 2016-08-24 2016-12-14 深圳市华星光电技术有限公司 一种电致发光显示器件及显示装置
US20170125740A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
CN108169957A (zh) * 2018-02-07 2018-06-15 京东方科技集团股份有限公司 彩膜片及其制作方法和彩膜基板
US20180226597A1 (en) * 2017-02-09 2018-08-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
CN109065740A (zh) * 2018-08-10 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
US20180374904A1 (en) * 2017-06-21 2018-12-27 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Oled display device and manufacturing method thereof
US20190137815A1 (en) * 2017-11-03 2019-05-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US20190148460A1 (en) * 2017-11-15 2019-05-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
CN110323354A (zh) * 2019-04-25 2019-10-11 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板及显示装置
CN110491924A (zh) * 2019-08-27 2019-11-22 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板及显示装置
US20200041837A1 (en) * 2019-04-30 2020-02-06 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Quantum dot color filter substrate, display panel and display device
US20200119101A1 (en) * 2018-10-11 2020-04-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Display panel and display apparatus having the same
US20200127056A1 (en) * 2018-08-20 2020-04-23 Wuhan China Star Optpelectronics Technology Co., Ltd. Organic light emitting display panel and method for manufacturing the same

Patent Citations (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001117085A (ja) * 1999-10-15 2001-04-27 Nec Corp カラー液晶表示パネル及びその製造方法
JP2005293946A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機el表示装置
JP2005317228A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Nitto Denko Corp エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2007134153A (ja) * 2005-11-10 2007-05-31 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置、および電子機器
US20070200492A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-30 Eastman Kodak Company Top-emitter OLED device structure and method
US20100110551A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 3M Innovative Properties Company Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer
US20120256562A1 (en) * 2011-04-07 2012-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
US20140027724A1 (en) * 2012-07-25 2014-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
CN103227189A (zh) * 2013-04-09 2013-07-31 北京京东方光电科技有限公司 一种量子点发光二极管显示器件及显示装置
US20150145405A1 (en) * 2013-04-09 2015-05-28 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Quantum dot electroluminescence display device and display apparatus
CN103236435A (zh) * 2013-04-23 2013-08-07 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光二极管显示装置
WO2015188474A1 (zh) * 2014-06-12 2015-12-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
US20160266436A1 (en) * 2014-06-12 2016-09-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, display panel and display device
CN104728779A (zh) * 2015-04-21 2015-06-24 张家港康得新光电材料有限公司 发光膜层结构及背光模组
US20170125740A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
CN106206968A (zh) * 2016-08-17 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示器件的像素结构及其制备方法、oled显示器件
CN106229418A (zh) * 2016-08-24 2016-12-14 深圳市华星光电技术有限公司 一种电致发光显示器件及显示装置
US20180226597A1 (en) * 2017-02-09 2018-08-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
US20180374904A1 (en) * 2017-06-21 2018-12-27 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Oled display device and manufacturing method thereof
US20190137815A1 (en) * 2017-11-03 2019-05-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US20190148460A1 (en) * 2017-11-15 2019-05-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
CN108169957A (zh) * 2018-02-07 2018-06-15 京东方科技集团股份有限公司 彩膜片及其制作方法和彩膜基板
CN109065740A (zh) * 2018-08-10 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
US20200127056A1 (en) * 2018-08-20 2020-04-23 Wuhan China Star Optpelectronics Technology Co., Ltd. Organic light emitting display panel and method for manufacturing the same
US20200119101A1 (en) * 2018-10-11 2020-04-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Display panel and display apparatus having the same
CN110323354A (zh) * 2019-04-25 2019-10-11 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板及显示装置
US20200041837A1 (en) * 2019-04-30 2020-02-06 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Quantum dot color filter substrate, display panel and display device
CN110491924A (zh) * 2019-08-27 2019-11-22 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板及显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111864112A (zh) * 2020-07-22 2020-10-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板
CN111864112B (zh) * 2020-07-22 2022-06-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板
EP4080578A1 (en) * 2021-04-19 2022-10-26 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing display apparatus
WO2022266852A1 (zh) * 2021-06-22 2022-12-29 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制作方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11785823B2 (en) 2023-10-10
CN111430444B (zh) 2023-06-02
US20210343793A1 (en) 2021-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111430444B (zh) 量子点显示面板及其制备方法
US11244985B2 (en) Color film assembly, display substrate and method for fabricating same, and display apparatus
WO2020233291A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板
US20200150327A1 (en) Display panel and display device
US20210408126A1 (en) Color filter cover plate, preparation method thereof, and display panel
CN112233567A (zh) 色彩转化组件及其制作方法、显示面板
CN108628035B (zh) 光致发光设备
KR20200033846A (ko) 풀 컬러 led 표시 패널
KR20120025533A (ko) 다색 발광 유기 el 표시 장치 및 그 제조 방법
CN111261656A (zh) 一种显示面板及其制备方法
CN111415973B (zh) 显示面板及其制备方法
US20230102283A1 (en) Display panel and display device
CN115360314A (zh) 一种显示基板、显示装置和制作方法
KR20180026267A (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조방법
CN114141809A (zh) 一种显示面板的制备方法及显示面板
KR101985606B1 (ko) 저반사 디스플레이 장치
US11402685B2 (en) Display substrate and method for manufacturing the same, and display apparatus
CN111312916A (zh) 显示面板和显示装置
CN112038378B (zh) 彩膜基板及其制作方法、显示面板
CN113193008B (zh) 显示模组及显示装置
CN111933037B (zh) 显示基板及量子点显示面板
US20140077195A1 (en) Organic light-emitting diode package structure and method of manufacturing concavity on substrate
CN216902944U (zh) 显示结构及设备
CN112462552A (zh) 彩膜基板及显示面板
WO2022236841A1 (zh) 滤色器结构及其制备方法、显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant