CN111430300A

CN111430300A - Oled阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置

Info

Publication number: CN111430300A
Application number: CN202010242669.7A
Authority: CN
Inventors: 马玲玲; 刘亮亮; 彭利满; 米红玉; 闫晓峰; 高乐
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Priority date: 2020-03-31
Filing date: 2020-03-31
Publication date: 2020-07-17
Anticipated expiration: 2040-03-31
Also published as: CN111430300B

Abstract

本发明公开了一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。该OLED阵列基板的一具体实施方式包括：衬底；形成在衬底上的阳极；围绕并覆盖所述阳极边缘的像素界定层；形成在所述阳极上的OLED发光层；形成在所述像素界定层上的钝化层，所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖被所述像素界定层覆盖的阳极边缘在所述衬底上的正投影；阴极，覆盖所述钝化层和OLED发光层。该实施方式可有效防止在由于工艺原因使阳极发生边缘翘起的情况下，形成尖端放电而导致的暗点不良。

Description

OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术

如图1所示，现有OLED阵列基板的结构为：衬底10；形成在衬底10上的薄膜晶体管层20；形成在薄膜晶体管层20上的平坦化层(PLN)30；形成在平坦化层30上的阳极(Anode)40及围绕并覆盖阳极40边缘的像素界定层(PDL)50；形成在阳极40上的OLED发光层60；形成在像素界定层50上的支撑层(PS)70；覆盖像素界定层50、OLED发光层60及支撑层70的阴极80。其中，阳极40边缘保护层仅有像素界定层50，在阳极40由于工艺原因发生如图2所示的边缘翘起的情况下，由于阳极40边缘翘起使得阳极40边缘与阴极80之间的膜层偏薄，极容易形成尖端放电，从而引发暗点不良，影响显示质量。

因此，需要提供一种新的OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。

为达到上述目的，本发明采用下述技术方案：

本发明第一方面提供了一种OLED阵列基板的制备方法，包括：

在衬底上形成薄膜晶体管层；

在薄膜晶体管层上形成平坦化层；

在平坦化层上形成阳极和像素界定层，其中所述像素界定层围绕所述阳极并覆盖所述阳极的边缘；

在所述阳极上形成OLED发光层；

在所述像素界定层上形成钝化层，其中，所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖被所述像素界定层覆盖的阳极边缘在所述衬底上的正投影；

形成阴极，覆盖所述钝化层和OLED发光层。

采用本发明第一方面提供的制备方法制备的OLED阵列基板，通过加厚阳极边缘的保护层，可有效防止在由于工艺原因使阳极发生边缘翘起的情况下形成尖端放电而导致的暗点不良，保证了显示质量。

可选地，在形成阴极之前，还包括：

在所述像素界定层上形成支撑层，其中，所述阴极覆盖所述支撑层。

可选地，

所述钝化层的厚度小于所述支撑层的厚度。

可选地，

仅在被所述像素界定层覆盖的阳极边缘对应的位置形成所述钝化层。

可选地，

采用镀膜工艺形成所述钝化层。

可选地，

所述钝化层由SiO₂或Si₃N₄形成。

本发明第二方面提供了一种OLED阵列基板，包括：

衬底；

形成在衬底上的阳极；

围绕并覆盖所述阳极边缘的像素界定层；

形成在所述阳极上的OLED发光层；

形成在所述像素界定层上的钝化层，所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖被所述像素界定层覆盖的阳极边缘在所述衬底上的正投影；

阴极，覆盖所述钝化层和OLED发光层。

本发明第二方面提供的OLED阵列基板，通过加厚阳极边缘的保护层，可有效防止在由于工艺原因使阳极发生边缘翘起的情况下形成尖端放电而导致的暗点不良，保证了显示质量。

可选地，还包括：

形成在所述像素界定层上的支撑层，其中，所述钝化层的厚度小于等于所述支撑层的厚度。

可选地，所述钝化层仅形成于被所述像素界定层覆盖的阳极边缘对应的位置。

本发明第三方面提供了一种显示面板，包括本发明第二方面提供的OLED阵列基板。

本发明第四方面提供了一种显示装置，包括本发明第三方面提供的显示面板。

本发明的有益效果如下：

本发明可有效防止在由于工艺原因使阳极发生边缘翘起的情况下形成尖端放电而导致的暗点不良，保证了显示质量。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明：

图1示出现有的OLED阵列基板的截面图。

图2示出现有的OLED阵列基板中阳极发生边缘翘起的截面图。

图3示出本发明实施例提供的OLED阵列基板的截面图。

图4示出本发明实施例提供的OLED阵列基板中阳极发生边缘翘起的截面图。

附图标记：10—衬底；20—薄膜晶体管层；30—平坦化层；40—阳极；50—像素界定层；60—OLED发光层；70—支撑层；80—阴极；90—钝化层；31—开孔。

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。

本发明中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。

需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。因而，例如，下面讨论的第一部件、第一构件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被称为第二部件、第二构件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二部分，而不背离本发明的教导。

在本发明中，除非另有说明，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过相同制备工艺(例如构图工艺等)形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。例如两个或更多个功能层同层设置指的是这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并利用相同制备工艺形成，从而可以简化显示基板的制备工艺。

在本发明中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。

如图3所示，本发明一个实施例提供了一种OLED阵列基板，包括：

衬底10；

形成在衬底10上的薄膜晶体管层20；

形成在薄膜晶体管层20上的平坦化层30；

形成在平坦化层30上的阳极40；

围绕并覆盖所述阳极40边缘的像素界定层50；

形成在所述阳极40上的OLED发光层60；

形成在所述像素界定层50上的钝化层(PVX)90，所述钝化层90在所述衬底10上的正投影覆盖被所述像素界定层50覆盖的阳极40边缘在所述衬底10上的正投影；

形成在所述像素界定层50上的支撑层70；

阴极80，覆盖所述钝化层90、OLED发光层60和支撑层70。

本实施例提供的OLED阵列基板，通过钝化层90加厚阳极40边缘的保护层，即使阳极40由于工艺原因发生如图4所示的边缘翘起的情况也可保证阳极40边缘的保护层厚度，可有效防止在由于工艺原因使阳极40发生边缘翘起的情况下形成尖端放电而导致的暗点不良，保证了显示质量。

在本实施例的一些可选地实现方式中，所述钝化层90的厚度小于等于所述支撑层70的厚度，以使得支撑层70可充分起到支撑作用。

在本实施例的一些可选地实现方式中，所述钝化层90仅形成于被所述像素界定层50覆盖的阳极40边缘对应的位置。这样，使得支撑层70的宽度可以满足要求，从而更好地起到支撑作用。

下面通过几个具体示例对本实施例提供的OLED阵列基板及其制备方法进行说明。

首先，提供衬底10，例如，当阵列基板为柔性阵列基板时，所提供的衬底10可以为聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、热塑性聚酯(PET)等；当阵列基板为刚性基板时，衬底10可以为玻璃、石英等刚性材料。

接着，在衬底10上形成薄膜晶体管层20。

具体地，采用构图工艺在衬底上形成有源层；在有源层上通过沉积等方式形成栅绝缘层；在栅绝缘层上采用构图工艺形成栅极；在栅极上通过沉积等方式形成层间介电层；然后，刻蚀层间介电层以形成暴露有源层的过孔。

在层间介电层中的过孔形成后，形成源极和漏极以及与源极或漏极之一(例如漏极)电连接的信号线。

其中，有源层可以采用多晶硅和金属氧化物等材料，栅绝缘层可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料，层间介电层可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。栅极材料包括铝、钛、钴等金属或者合金材料。在制备时，首先采用溅射或者蒸镀等方式形成一层栅极材料层，然后对栅极材料层进行构图工艺，以形成图案化的栅极。

优选地，在形成有源层之前，在衬底10上形成阻挡层和缓冲层。例如，阻挡层和缓冲层可以整面形成在衬底上。例如，阻挡层可以采用氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等无机绝缘材料，缓冲层也可以采用氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等无机绝缘材料。阻挡层有利于从底部阻挡水、氧进入之后形成的OLED中。缓冲层有利于后续的材料沉积质量。

本实施例对各功能层的材料不做限定，各功能层的材料并不局限于上述示例。以上，完成了薄膜晶体管层20的制作。

本领域技术人员能够理解，上述薄膜晶体管以顶栅结构为例，但本实施例不限于此，底栅结构也包括在本实施例的范围内。

在形成薄膜晶体管的各功能层时，信号引线也同时形成。

例如，在形成源极、漏极和信号线时，利用同一构图工艺形成第一信号引线。由此简化了OLED阵列基板的制备工艺。第一信号引线电连接信号线。例如，可以形成多条信号引线，以分别与数据线、扫描线或者电源线等信号线电连接，以实现布线。

在薄膜晶体管的各膜层形成完成后，形成平坦化层30。具体地，沉积一层平坦化层材料，例如有机材料，厚度为1～3μm左右，覆盖上述各膜层，然后，利用构图工艺，对其进行图案化，在对应上述源极和漏极中的另一个(例如源极)的位置形成开孔31。

接着，在该开孔31中沉积OLED的阳极层金属并图案化，以在平坦化层30上形成阳极40。同时，利用同一构图工艺，在覆盖第一信号引线上方的平坦化层30上形成第二信号引线，第二信号引线通过第一信号引线上方的平坦化层30中的开孔31与第一信号引线电连接。例如，阳极40和第二信号引线的材料包括ITO、IZO等金属氧化物或者Ag、Al、Mo等金属或其合金。

接着，利用构图工艺形成围绕阳极40并覆盖阳极40边缘的像素界定层50。具体地，沉积一层像素界定层材料，例如厚度为1～2μm左右，利用构图工艺形成像素界定层50。例如，像素界定层50的材料可以包括负性光刻胶、聚酰亚胺、环氧树脂等有机绝缘材料。

接着，可以通过喷墨打印或者蒸镀等方式在像素界定层50的开口中的阳极40上形成OLED发光层60。在一个具体示例中，OLED发光层60的材料为有机材料，可根据需求选择可发出某一颜色光(例如红光、蓝光或者绿光等)的发光材料。

接着，采用镀膜工艺在像素界定层50上形成钝化层90，其中，钝化层90在衬底10上的正投影覆盖被像素界定层50覆盖的阳极40边缘在衬底10上的正投影。钝化层90的材料可以采用SiO₂或Si₃N₄。进一步，仅在被像素界定层50覆盖的阳极40边缘对应的位置采用镀膜工艺形成钝化层90，这样，可给在像素界定层50上形成支撑层70留出空间，使得支撑层70的宽度可以满足要求，从而更好地起到支撑作用。另外，钝化层90的厚度小于等于支撑层70的厚度，以使得支撑层70可充分起到支撑作用。

接着，利用构图工艺在像素界定层50上形成支撑层70，支撑层70可以对后续形成在OLED阵列基板上的盖板等结构起到支撑作用，防止盖板等结构产生塌陷等不良现象。

然后形成阴极80。阴极80例如在阵列基板上整面形成，覆盖钝化层90、OLED发光层60和支撑层70。阴极80可通过打印或蒸镀阴极材料形成，阴极的材料可以包括Mg、Ca、Li或Al等金属或其合金，或者IZO、ZTO等金属氧化物，又或者PEDOT/PSS(聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)等具有导电性能有机材料。

本实施例中，根据需要，还可以形成其他必要的功能膜层，例如存储电容，这些膜层可采用常规方法形成，在此不再赘述。

本发明的另一个实施例提供了一种显示面板，包括上述OLED阵列基板。

本发明的另一个实施例提供了一种显示装置，包括上述显示面板。其中，显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本实施例对此不做限定。

需要说明的是，在本发明的描述中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于本领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

Claims

1.一种OLED阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成薄膜晶体管层；

在薄膜晶体管层上形成平坦化层；

在所述阳极上形成OLED发光层；

形成阴极，覆盖所述钝化层和OLED发光层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成阴极之前，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述钝化层的厚度小于所述支撑层的厚度。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

采用镀膜工艺形成所述钝化层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述钝化层由SiO₂或Si₃N₄形成。

7.一种OLED阵列基板，包括：

衬底；

形成在衬底上的阳极；

围绕并覆盖所述阳极边缘的像素界定层；

形成在所述阳极上的OLED发光层；

其特征在于，所述OLED阵列基板还包括：

阴极，覆盖所述钝化层和OLED发光层。

8.根据权利要求7所述的OLED阵列基板，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求7所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述钝化层仅形成于被所述像素界定层覆盖的阳极边缘对应的位置。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求7-9中任一项所述的OLED阵列基板。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示面板。