CN111398365B - 一种基于二硫化钼的氨气气体传感器及制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及传感器技术领域，公开了一种基于二硫化钼的氨气气体传感器及制备方法，包括盒体和封装于所述盒体内的传感器元件，所述传感器元件包括从下至上依次排列铺设的基底、阻挡层、以及金叉指电极与二维过渡金属硫化物层形成的叉指电极结构，所述二维过渡金属硫化物层掺杂有钒；所述盒体包括上盒体和下盒体，所述上盒体和下盒体通过拆卸连接组件进行连接。本发明结构设置紧凑，方便组装和拆卸更换，同时检测精度高，响应时间快，误差小。

Description

一种基于二硫化钼的氨气气体传感器及制备方法

技术领域

本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种基于二硫化钼的氨气气体传感器及制备方法。

背景技术

氨气有强烈的刺激气味，轻度吸入氨中毒表现有鼻炎、咽炎、喉痛、发音嘶哑。氨进入气管、支气管会引起咳嗽、咯痰、痰内有血。严重时可咯血及肺水肿，呼吸困难、咯白色或血性泡沫痰，双肺布满大、中水泡音。患者有咽灼痛、咳嗽、咳痰或咯血、胸闷和胸骨后疼痛等。急性吸入氨中毒的发生多由意外事故如管道破裂、阀门爆裂等造成。急性氨中毒主要表现为呼吸道粘膜刺激和灼伤。其症状根据氨的浓度、吸入时间以及个人感受性等而轻重不同。因此，研制具有高选择性、高灵敏度和低检出限的氨气气体传感器以实现对环境中氨气气体的高效检测具有十分重要的意义。

传统的半导体气体传感器多采用ZnO、SnO₂等简单金属氧化物为敏感材料，这些材料虽然在气体传感器领域中已经获得了比较广泛的应用，但仍存在一定的不足，如选择性较差、工作温度高等。在探测易燃易爆气体时，较高的工作温度极易成为一个重大的安全隐患，可能造成目标气体燃烧乃至爆炸的重大后果，从而限制了这类半导体气体传感器的发展。以MoS₂为代表的过渡金属硫族化合物(TMDs)二维材料因其独特的层状结构及对气体分子表现出良好的吸附特性，使其在室温气体传感器领域展现出巨大的应用前景。

近年来，Yue等人系统地研究了不同气体分子吸附对单层MoS₂电学特性的影响。结果显示H₂,O₂,NO,NO₂充当电荷受体，导致P型掺杂；NH₃充当电荷给体，产生n型掺杂.这些重要的发现为MoS₂在气敏传感器方而的应用提供了坚实的理论基础。据此，Late等人应用双层和多层MoS₂晶体管进行气体检测，检测结果发现采用多层MoS₂的晶体管能较好地实现对NO₂,NH₃的高灵敏度检测，并且对NH₃的响应效果正好与NO₂相反。

为此，现有中国发明专利CN 109200748 A公开了一种高灵敏度有毒气体传感器及其制备方法，虽然采用该方法能够实现最低检测限可达0.01ppm，但是在检测过程中响应速度较慢，存在一定的检测误差。另外，采用该气体传感器进行现场检测时，需要就地组装，延长了检测时间，使用较为不便。

因此，亟待提供一种检测精度高，响应时间快，误差较小且组装方便的用于氨气检测的气体传感器。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的首要目的是提供一种基于二硫化钼的氨气气体传感器，检测精度高，响应时间快，误差小。且该气体传感器的结构设置紧凑，方便进行组装及拆卸更换。

本发明的第二目的是提供一种基于二硫化钼的氨气气体传感器的制备方法。

为实现上述首要目的，本发明提供如下技术方案：

一种基于二硫化钼的氨气气体传感器，包括盒体和封装于所述盒体内的传感器元件，所述传感器元件包括从下至上依次排列铺设的基底、阻挡层、以及金叉指电极与二维过渡金属硫化物层形成的叉指电极结构；所述二维过渡金属硫化物层掺杂有钒。

二硫化钼以S—Mo—S的三明治式夹层相迭加。层内S—Mo间以极性键紧密相连。层间，S—S间以分子键相连，范德华-伦敦力的键合力太弱，当受到很小的剪切应力后即能断裂产生滑移。而这样的滑移面在每两个夹心层间就有一个。也就是在1μM厚的二硫化钼薄层内就有399个良好的滑移面，因此二硫化钼与基底材料能够强烈粘附。但是，因二硫化钼固有的低导电性使二硫化钼在半导体传感器的使用过程中，响应时间较长。研究发现，掺杂是半导体器件或集成电路工艺中最重要的工艺环节之一，通过杂质种类的筛选和掺杂水平的调节，实现半导体光电特性的可控。最近，研究发现在非磁性的半导体材料中掺入少量3d族过渡金属元素或4f族稀土金属元素将获得具有铁磁性能的新型功能材料，这种新型半导体材料被称为稀磁半导体(DMS)。由于杂质原子的引入，改变了原有半导体的微观机制，使其在电、磁等方面展现出极其独特的性质，并且由于它兼有半导体和铁磁的性质，即在一种材料中同时应用电子电荷和自旋两种自由度，则易于将半导体的信息处理与磁性材料的信息存储功能融合在一起。

实验发现采用钒掺杂的二维过渡金属硫化物层，显微镜下观察其表面处理更为干净，少有杂质；同时对比未掺杂二维过渡金属硫化物层的实验之后，发现在检测氨气时，对氨气的响应时间较快。

作为优选，所述基底的材料为硅。

作为优选，所述阻挡层的材料为二氧化硅。

作为优选，所述叉指电极结构设置为两种形式，即金叉指电极位于二维过渡金属硫化物层的上方形成表面传感器元件，用于组装成表面传感器元器件，或金叉指电极位于二维过渡金属硫化物层的下方形成中间传感器元件，用于组装成中间传感器元器件。

作为优选，所述二维过渡金属硫化物层的材料为二硫化钼。

进一步的，在上述技术方案的基础上，所述盒体包括上盒体和下盒体，所述上盒体和下盒体通过拆卸连接组件进行连接。采用该技术方案，方便对气体传感器进行组装，并能将上盒体和下盒体分开，取出放置在盒体内的传感器元件，对于有损坏的传感器元件能进行更换。

进一步地，所述上盒体的顶部开设有光源口，且所述盒体的四周开设有通气孔。通过设置该光源口，方便检测过程中光源射入；在四周开均设有通气孔，同一时间内加大检测气体的通入量，快速进行检测。

进一步地，所述下盒体具有容纳传感器元件的中空腔体，所述中空腔体的四周设置有弹性悬臂。设置该弹性悬臂就可以手动将放置在中空腔体内的传感器元件进行固定，不需要额外的预紧工具，方便快捷，代替了现有使用小螺丝将传感器元件固定在传感器箱体的侧壁。

进一步地，所述弹性悬臂包括固定段，连接段和自由端，所述固定段设置于腔体内壁上，所述自由端与传感器元件相抵接，所述连接段用于连接固定段和自由端。

进一步地，所述拆卸连接组件包括连接柱，从下至上依次设置在所述连接柱上的卡盘，弹簧和压板，所述卡盘上向外突出设置有卡凸。

为实现上述第二目的，本发明提供如下技术方案：

一种基于二硫化钼的氨气气体传感器的制备方法，包括如下步骤：

步骤1：制备硅片作为基底，并于硅片上方沉积阻挡层；

步骤2：称取定量的钒粉、硫粉和三氧化钼，然后放入石英舟，在石英舟的上方盖上阻挡层，将石英舟放入单温炉，设定参数进行加热，加热完成取出石英舟，在阻挡层上获得钒掺杂的二硫化钼层；

步骤3：在步骤2钒掺杂的二硫化钼层上方旋涂光刻胶，并对光刻胶进行光刻获得掩模板，再通过掩模板对钒掺杂的二硫化钼层进行刻蚀；

步骤4：清除步骤3的残余光刻胶，利用真空蒸发镀膜工艺，将金属金加热到一定温度，使之蒸发到钒掺杂的二硫化钼层表面凝结成膜，形成所需要的叉指电极；

步骤5：采用可粘双面铜箔将铜电极和叉指电极相连，形成电极引丝；

步骤6：将基底通过支架固定于转接电路板上，再通过盒体封装保护。

进一步的，步骤2中，钒粉、硫粉和三氧化钼的质量比为1：8：2。

具体地说，步骤2为：按照质量比1：8：2称取定量的钒粉、硫粉和三氧化钼，然后放入石英舟，在石英舟的上方盖上阻挡层，将石英舟放入单温炉，设定参数进行加热，加热温度到650℃-850℃，加热时间30min-40min,保温5min-10min,自然冷却至室温，取出石英舟，在阻挡层上获得钒掺杂的二硫化钼层，在加热前一个小时先通入氮气(70sccm)作为保护气体。

进一步的，步骤1为：制备厚度为400μm-500μm的硅片作为基底，并于硅片上方沉积厚度为200μm-250μm的阻挡层。

与现有技术相比，本发明的有益效果如下：

1)本发明的气体传感器可在室温，标准大气压下使用，其最低检测限小于<1ppm，响应速度<10s，定量误差<15％。

2)本发明提供的气体传感器具有操作简单、方便携带。

3)本发明提供的气体传感器的下盒体内壁四周设置有弹性悬臂，弹性悬臂有效替代现有技术中通过固定连接件或者粘接的方式将传感器元件安置于壳体内。且弹性悬臂可以在单一金属铝片上直接切割、冲压及弯折而一体成型，制造方便；并依靠弹性悬臂的形变对传感器元件进行夹紧，简单可靠，使气体传感器的组装更为方便快捷。

4)本发明提供的拆卸连接组件，有效替代了现有技术中用螺钉进行上下壳体的连接，解决了螺钉连接时，需要借助螺丝刀等工具进行安装或拆卸，安装麻烦，拆卸不便的问题。

附图说明

图1为本发明气体传感器的爆炸结构示意图；

图2为本发明气体传感器的结构示意图；

图3为本发明气体传感器的侧视图；

图4为本发明中传感器元件的结构示意图；

图5为本发明中拆卸连接组件的结构示意图；

图6为本发明中下盒体的结构示意图；

图7为本发明中连接孔二的结构示意图；

图8为本发明中钒掺杂的二维过渡金属硫化物层的显微镜下的样貌图；

图9为本发明中传感器元件对氨气的响应曲线图；

图10为本发明中传感器元件与欧姆接触的IV曲线图。

图11为未掺杂钒的二维过渡金属硫化物层的显微镜下的样貌图；

图12为未掺杂钒的传感器元件对氨气的响应曲线图；

图13为未掺杂钒的传感器元件与欧姆接触的IV曲线图。

图中：盒体1，上盒体11，光源口111，通气孔112，连接孔一113，下盒体12，弹性悬臂121，盛放台122，连接孔二123，卡接槽1231，槽口124，拆卸连接组件13，传感器元件2，基底21，阻挡层22，二维过渡金属硫化物层23，金叉指电极24；

弹性悬臂121：固定段1211，连接段1212，自由端1213；

拆卸连接组件13：卡盘131，卡凸1311，弹簧132，压板133，连接柱134，手柄135。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没做出创造性劳动前提下所获得的所其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，当组件被称为“固定于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。当一个组件被认为是“设置于”另一个组件，它可以是直接设置在另一个组件上或者可能同时存在居中组件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

请同时参阅图1-10，本发明提供一种基于二硫化钼的氨气气体传感器，包括盒体1和封装于所述盒体1内的传感器元件2，该传感器元件2包括从下至上依次排列铺设的基底21、阻挡层22、以及金叉指电极24与二维过渡金属硫化物层23形成的叉指电极结构，所述二维过渡金属硫化物层掺杂有钒；二硫化钼纳米层与钒源化合物水热反应合成钒掺杂二硫化钼纳米层，过电位低至-0.160V(相对标准氢电极)。

如图1和图2所示，盒体1包括上盒体11和下盒体12，上盒体11和下盒体12通过拆卸连接组件13进行连接。上盒体11为矩形的铝合金壳体，其顶部开设有光源口111，用于光源照射，且在上盒体11的四周开设有通气孔112，通气孔112的形状为方形细孔，方便检测气体通过。另外在上盒体11的四个顶角处形成有连接台，在连接台上贯穿开设有连接孔一113，连接孔一113的内壁上沿轴向开设有导向槽，供拆卸连接组件13穿过。

如图6所示，下盒体12为矩形的铝合金壳体，其和传感器元件2的结构相适应。且下盒体12具有容纳传感器元件2的中空腔体，传感器元件2安置于中空腔体内，中空腔体的四周设置有弹性悬臂121。本发明设置该弹性悬臂121有效替代现有技术中通过固定连接件或者粘接的方式将传感器元件2安置于壳体内。弹性悬臂121可以在单一金属铝片上直接切割、冲压及弯折而一体成型，制造方便；并依靠弹性悬臂121的形变对传感器元件2进行夹紧，简单可靠，使气体传感器的组装更为方便快捷。

进一步的，为了使本领域技术人员能更好的实施本发明的技术方案，详细对弹性悬臂121进行描述，弹性悬臂121包括固定段1211，连接段1212和自由端1213，固定段1211设置于腔体内壁上于腔体内壁一体成型，自由端1213与传感器元件2相抵接，连接段1212用于连接固定段1211和自由端1213。当传感器元件2与弹性悬臂121相接触安装时，自由端1213向固定段1211靠近，连接段1212相应的发生一定的形变，当传感器元件2装进中空腔体内时，连接段1212恢复形变，自由端1213远离固定段1211，卡紧传感器元件2。

优选，自由端1213向内凹陷形成有容纳传感器元件2的固定槽(图中未示出)，通过采用该技术方案，使自由端1213对传感器元件2进行限位，避免传感器元件2从自由端1213上滑出。

进一步的设计，在弹性悬臂121的下方且位于中空腔体的底面设置有盛放台122，该盛放台122将传感器元件2架起，使传感器元件2与中空腔体的底面有一定的间隙，避免金属壳体对传感器元件2的干扰，影响检测的准确性。同时也使传感器元件2与弹性悬臂121进行更好的接触，使传感器元件2在下盒体12内的卡装更稳固。

另外，在下盒体12的四个角上分别设置有连接凸耳，该连接凸耳上开设有与上述连接孔一113相对应的连接孔二123，连接孔二123的内壁上同样沿轴向开设有导向槽。并且在连接孔二123的下端面向上开设有卡接槽1231，该卡接槽1231与导向槽在连接孔二123的下端面上垂直分布，其卡接槽1231沿轴向的长度小于连接孔二123的深度，能实现对拆卸连接组件13的卡紧限位。除此而外，在下盒体12的底面还开设有供电极引丝穿出的槽口124。

如图5所示，为了使本领域技术人员能更好的实施本发明的技术方案，详细对上述拆卸连接组件13进行描述，设置拆卸连接组件13，有效替代了现有技术中用螺钉进行上下壳体的连接，解决了现有螺钉连接时，需要借助螺丝刀等工具进行安装或拆卸，安装麻烦，拆卸不便的问题。本技术方案设计的拆卸连接组件13包括连接柱134，从下至上依次设置在连接柱134上的卡盘131，弹簧132和压板133，卡盘131上向外突出设置有卡凸1311，其中卡盘131与连接柱134一体设置，弹簧132和压板133均套设在连接柱134上，另外在连接柱134远离卡盘131的一端固定连接有手柄135，手柄135是在弹簧132和压板133套入连接柱134之后，过盈配合安装在连接柱134上。

通过采用上述技术方案，在上盒体11和下盒体12连接时，将连接孔一113和连接孔二123对齐，使得卡凸1311对齐导向槽插入，当连接柱134带着卡盘131插入至连接孔二123的下端面时，弹簧132受挤压收缩，旋转手柄135使卡凸1311远离导向槽的端部，而进入卡接槽1231，弹簧132始终处于被压缩的状态，使得卡凸1311始终位于卡接槽1231内，从而使连接方便且不易松动。压板133的直径大于连接孔一113的直径，弹簧132的一端抵接到压板133上，压板133紧紧贴着连接孔一113的上端面。

优选，上述导向槽和卡接槽1231均为燕尾槽，卡凸1311对应的为燕尾块，使卡凸1311与卡接槽1231的接触面积增大，卡接更牢固。进一步优选，压板133的下端面设置弹性件，起到缓冲的作用；压板133的上端面设置有凸台，给手柄135和压板133之间留有一定的间隙，方便手握手柄135进行操作。

作为优选，所述基底21的材料为硅。进一步优选所述基底21的厚度为300μm-500μm。

作为优选，所述阻挡层22的材料为二氧化硅。进一步优选所述阻挡层22的厚度为200μm-300μm。

作为优选，所述二维过渡金属硫化物层23的材料为二硫化钼，进一步优选所述二维过渡金属硫化物层23的厚度为200μm-300μm。

进一步所述叉指电极结构设置为两种形式，即金叉指电极24位于二维过渡金属硫化物层23的上方形成表面式传感器元件2，或金叉指电极24位于二维过渡金属硫化物层23的下方形成中间式传感器元件2。

本发明提供一种基于二硫化钼的氨气气体传感器的制备方法，具体包括如下步骤：

步骤1：制备厚度为300μm-500μm的硅片作为基底21，并于硅片上方沉积厚度为200μm-300μm的阻挡层22；

步骤2：称取10.2mg钒粉，0.08g硫粉进行研磨，然后和0.02g三氧化钼混合一起放入石英舟，在石英舟的上方盖上阻挡层22，开启管式炉，同时通入氩气，待管式炉升温至650℃时打开管式炉出口端法兰盘，将瓷舟迅速推入管式炉中央热区位置，并封上法兰盘；再以10℃/min的速率将管式炉升温至950℃,恒温处理30min-40min,保温5min-10min；然后，自然冷却到室温，取出石英舟，在阻挡层22上获得钒掺杂的二硫化钼层，在加热前一个小时先通入氩气(70sccm)作为保护气体；

步骤3：在步骤2的钒掺杂的二硫化钼层上方旋涂光刻胶，并对光刻胶进行光刻获得掩模板，再通过掩模板对钒掺杂的二硫化钼层进行刻蚀，获得具有一定形状的钒掺杂的二硫化钼层；

步骤4：清除步骤3的残余光刻胶，利用真空蒸发镀膜工艺，将金属金(Au)加热到一定温度，使之蒸发到钒掺杂的二硫化钼层表面凝结成膜，形成所需要的叉指电极；

步骤5：采用可粘双面铜箔将铜电极和叉指电极相连，形成电极引丝；

步骤6：将基底21通过支架25固定于转接电路板26上，再通过盒体1封装保护。

采用本发明提供的气体传感器进行检测限检测：

在本发明的氨气气体传感器电极引丝两端搭好探针，并将其置于密闭容器中，通过流量计控制密闭容器中的气体浓度，然后先将浓度为0.1ppm的氨气通入密闭容器，气体在密闭容器中的时间保持10-15分钟，在探针两端施加电压，检测通过本发明的气体传感器的电流；若能检测到，则分别将浓度为0ppm、0.01ppm、0.02ppm、0.03ppm、0.04ppm、0.05ppm、0.06ppm、0.07ppm、0.08ppm、0.09ppm的氨气通入密闭容器，在探针两端施加电压，检测通过本发明的气体传感器的电流；

若不能检测到，则将浓度为1.0ppm的氨气通入密闭容器，气体在密闭容器中的时间保持10-15分钟，在探针两端施加电压，检测通过本发明的气体传感器的电流；若能检测到，则分别将浓度为0.20ppm、0.30ppm、0.40ppm、0.50ppm、0.60ppm、0.70ppm、0.80ppm、0.90ppm的氨气通入密闭容器，在探针两端施加电压，检测通过本发明的气体传感器的电流；

若不能检测到，则将浓度为10.0ppm的氨气通入密闭容器，气体在密闭容器中的时间保持10-15分钟，在探针两端施加电压，检测通过本发明的气体传感器的电流；若能检测到，则分别将浓度为2.0ppm、3.0ppm、4.0ppm、5.0ppm、6.0ppm、7.0ppm、8.0ppm、9.0ppm的氨气通入密闭容器，在探针两端施加电压，检测通过本发明的气体传感器的电流；

以此类推，得到氨气的检测极限，小于1.0ppm。另外对比之后发现，通过本发明的气体传感器检测的气体浓度误差较小，具体定量误差<15％。

附图中，图8为本发明中钒掺杂的二维过渡金属硫化物层的显微镜下的样貌图；图9为本发明中传感器元件对氨气的响应曲线图；图10为本发明中传感器元件与欧姆接触的IV曲线图。图11为未掺杂钒的二维过渡金属硫化物层的显微镜下的样貌图；图12为未掺杂钒的传感器元件对氨气的响应曲线图；图13为未掺杂钒的传感器元件与欧姆接触的IV曲线图。

其中，图8和图11进行比较之后，不难发现，钒掺杂的二维过渡金属硫化物层表面的异物较少，较为干净；另外从外观角度看，钒掺杂的二维过渡金属硫化物层的表面有毛毛的感觉，粘附性应该更好。

图9和图11进行比较之后，我们发现，钒掺杂的二维过渡金属硫化物层对氨气的响应时间较快，一般在10s之内就出现响应。

图10和图13对比之后，我们发现，本发明中传感器元件与欧姆接触的IV曲线图趋近于一条直线，它的形态是平滑的，横坐标和纵坐标的数值区间较大；而未掺杂钒的传感器元件与欧姆接触的IV曲线图趋近于一条波浪线，它的形态是不平滑的，横坐标和纵坐标的数值区间较小。因此通过IV曲线的不同形态可以看出掺杂钒的传感器元件的输出电的性能较好。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另明确的规定和限定，术语“安装”、“设有”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型。本发明不受此处所公开的具体实施例的限制，所有落入本申请的权利要求范围内的实施例都属于本发明的保护范围，简而言之，其保护范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.一种基于二硫化钼的氨气气体传感器，包括盒体(1)和封装于所述盒体(1)内的传感器元件(2)，其特征在于：所述传感器元件(2)包括从下至上依次排列铺设的基底(21)、阻挡层(22)、以及金叉指电极(24)与二维过渡金属硫化物层(23)形成的叉指电极结构，所述二维过渡金属硫化物层掺杂有钒；

所述盒体(1)包括上盒体(11)和下盒体(12)，所述上盒体(11)和下盒体(12)通过拆卸连接组件(13)进行连接；

所述下盒体(12)具有容纳传感器元件(2)的中空腔体，所述中空腔体的四周设置有弹性悬臂(121)；

所述弹性悬臂(121)包括固定段(1211)，连接段(1212)和自由端(1213)，所述固定段(1211)设置于腔体内壁上，所述自由端(1213)与传感器元件(2)相抵接，所述连接段(1212)用于连接固定段(1211)和自由端(1213)；

所述拆卸连接组件(13)包括连接柱(134)，从下至上依次设置在所述连接柱(134)上的卡盘(131)，弹簧(132)和压板(133)，所述卡盘(131)上向外突出设置有卡凸(1311)；

所述二维过渡金属硫化物层(23)的材料为二硫化钼。

2.根据权利要求1所述的基于二硫化钼的氨气气体传感器，其特征在于：所述基底(21)的材料为硅。

3.根据权利要求1或2所述的基于二硫化钼的氨气气体传感器，其特征在于：所述阻挡层(22)的材料为二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的基于二硫化钼的氨气气体传感器，其特征在于：所述上盒体(11)的顶部开设有光源口(111)，且所述盒体(1)的四周开设有通气孔(112)。

5.一种权利要求1所述的一种基于二硫化钼的氨气气体传感器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1：制备硅片作为基底(21)，并于硅片上方沉积阻挡层(22)；

步骤2：称取定量的钒粉、硫粉和三氧化钼，然后放入石英舟，在石英舟的上方盖上阻挡层(22)，将石英舟放入单温炉，设定参数进行加热，加热完成取出石英舟，在阻挡层(22)上获得钒掺杂的二硫化钼层；

步骤3：在步骤2钒掺杂的二硫化钼层上方旋涂光刻胶，并对光刻胶进行光刻获得掩模板，再通过掩模板对钒掺杂的二硫化钼层进行刻蚀；

步骤4：清除步骤3的残余光刻胶，利用真空蒸发镀膜工艺，将金属金加热到一定温度，使之蒸发到钒掺杂的二硫化钼层表面凝结成膜，形成所需要的叉指电极；

步骤5：采用可粘双面铜箔将铜电极和叉指电极相连，形成电极引丝；

步骤6：将基底(21)通过支架(25)固定于转接电路板(26)上，再通过盒体(1)封装保护。