CN110455873A - 一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法，包括以下步骤：在MoS2生长过程中，引入与Mo4+离子半径相近的W4+离子，实现对材料空位的填补，改善气体分子在材料表面的吸附/脱附行为。通过水热法合成了W掺杂MoS2材料，并进一步制作出平面叉指型NO2气体传感器。结果表明，W的掺杂使得MoS2气体传感器对NO2气体的响应/恢复行为得到了极大的改善，响应/恢复时间降低了一个数量级，从几百秒降低到几十秒。本发明利用经济有效的水热法实现了空位补偿并且提高了MoS2气体传感器响应/恢复速度，制备过程简单，反应条件对所需仪器要求低、工艺简单、成本低等优点，在室温快速气体检测中的领域中具有巨大的应用前景。

Description

一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法
技术领域
本发明涉及一种半导体气体传感器，特别涉及一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法。
背景技术
随着现代工业的迅速发展，大量的有毒有害气体被排放，环境空气质量问题已经成为人们广泛的关注点。氮氧化物(NO2)是一种典型的空气污染物，对人体健康和环境构成威胁。因此，研制具有快速气体检测、高选择性和高灵敏度的NO2气体传感器以实现对环境中NO2气体的高效检测具有十分重要的意义。
MoS2作为一种高效的NO2气体传感材料，由于不需要加热装置就能在室温下检测NO2而受到广泛的关注。一些理论计算证实NO2以物理吸附的形式吸附在MoS2表面，这意味着NO2对MoS2的吸附和解吸行为是非常短的过程。然而，水热法和其他湿法合成的MoS2在室温下检测气体时，并没有理论预测的快速响应/恢复行为。这是因为水热法合成的MoS2表面存在或多或少的缺陷(如钼空位、硫空位)，并不是理论计算中理想的均匀表面。这些缺陷导致了MoS2与气体分子之间的强化学吸附，使得气态NO2难以从MoS2表面脱附。MoS2因在室温下脱附困难，导致其在室温下的响应/恢复时间较慢，甚至没有恢复，这极大地阻碍了MoS2的实际应用。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法。
发明原理：在MoS2生长过程中，引入与Mo4+离子半径相近的W4+离子，W4+进入晶格后填补了Mo4+缺失产生的空位，达到MoS2均匀表面的目的。通过对MoS2材料中空位的填补实现气敏性能提升。
采用以下技术方案实现：采用水热法合成了W掺杂MoS2材料，包含下述步骤：
步骤1，称取钼酸钠、硫代乙酸铵和钨酸钠置于烧杯中，溶于去离子水中并使用磁力搅拌器搅拌使其分散均匀；
步骤2，在上述混合溶液中加入0.3 g硅酸钠，促进W掺杂MoS2材料的形成；将稀盐酸逐滴滴入上述溶液中，调节透明溶液的pH值为6；
步骤3，将上述均匀溶液转移到聚四氟乙烯内胆中，然后将内胆装入不锈钢反应釜中，并将反应釜密封，放入烘箱中加热反应；
步骤4，待反应釜自然冷却后，将釜内悬浊液取出，进行离心分离操作，得到黑色沉淀，然后将所得的黑色沉淀进行清洗、干燥，得到W掺杂MoS2材料。
上述的一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法，其特征在于：所述W掺杂MoS2材料中Mo与W的摩尔比为1:0~1:3。
上述的一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法，所述步骤3中，其特征在于：所述水热法的生长参数为水热温度200℃，反应时间24小时。
上述的一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法，所述步骤4中，其特征在于：离心分离的转速为3500~7500转每分钟，采用去离子水和无水乙醇对所得的黑色沉淀进行清洗，干燥温度为60℃，干燥时间为4-12小时。
上述一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法，包括基于W掺杂MoS2的室温NO2气体传感器的制备方法，其特征在于，按照以下步骤进行：
步骤1，在带有银/钯叉指电极的氧化铝陶瓷基底上连接外接引脚；
步骤2，将W掺杂MoS2溶于无水乙醇中，然后进行超声分散处理，使溶液分散均匀，得到悬浊液；
步骤3，用胶头滴管吸取步骤2中分散均匀后的悬浊液，然后滴至银/钯叉指电极上形成敏感薄膜，再将器件自然风干，待乙醇蒸发后再将制备好的传感器老化，得到基于W掺杂MoS2的室温NO2气体传感器。
上述的基于W掺杂MoS2的室温NO2气体传感器的制备方法，所述步骤3中，其特征在于：器件自然风干4-8小时，老化时间为12-24小时。
本发明的有益效果在于：
1.本发明提供了一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法，在MoS2生长过程中，引入与Mo4+离子半径相近的W4+离子，实现对材料空位的填补，改善气体分子在材料表面的吸附/脱附行为。相比于纯MoS2材料，W掺杂MoS2材料在室温下对NO2的响应/恢复行为得到了极大的改善，响应/恢复时间降低了一个数量级，从几百秒降低到几十秒。掺W还大幅度的提高了MoS2的响应值和灵敏度。克服了纯MoS2响应/恢复时间超长的缺点，实现了室温下对NO2的精确、高效、快速、稳定检测；
2.本发明利用简单的水热法制备了W掺杂MoS2材料，制备过程简单，反应条件对所需仪器要求低；采用市售的平面叉指电极基底，通过滴涂法制作成传感器，工艺简单，成本低。
附图说明
图1为本发明的实施例中Mo:W摩尔比为1:2的W掺杂MoS2材料的X射线衍射图谱。
图2为本发明的实施例和对比例的光致发光图谱。
图3为本发明的实施例和对比例对NO2浓度曲线的响应图。
图4为本发明的实施例和对比例在25℃对20 ppm NO2响应和恢复时间对比图。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法，其特征在于，在MoS2生长过程中，引入与Mo4+离子半径相近的W4+离子，实现对材料空位的填补。采用水热法合成了W掺杂MoS2材料，并进一步制作出平面叉指型NO2气体传感器。
对比例：
以Mo/W摩尔比例为1:0，1:1和1:3的W掺杂MoS2制作平面叉指型气体传感器，其具体的制作过程如下：
①称取1.21 g钼酸钠（5 mmol）、1.127 g硫代乙酸铵（15 mmol）和0/ 1.65/ 4.95 g 钨酸钠（0/ 5/ 15 mmol）分别置于烧杯中，加入30 mL去离子水，使用磁力搅拌器搅拌25分钟使其溶解；
②将上述混合溶液中加入0.3 g硅酸钠，促进W掺杂MoS2材料的形成；
③将稀盐酸（2 mol/L）逐滴滴入上述溶液中，调节透明溶液的pH值约为6；
④将上述均匀溶液转移到容积为150 mL聚四氟乙烯内胆中，然后将内胆装入不锈钢反应釜中，并将反应釜密封，放入烘箱中加热反应在200℃下加热反应24小时；
⑤待反应釜自然冷却后，将釜内悬浊液取出，在7500转每分钟的转速下离心分离，所得的黑色沉淀前后分别用去离子水和无水乙醇分别清洗3遍，然后在60℃下干燥12小时后，得到不同掺杂比例的W掺杂MoS2材料，记为W0，W1，W3；
⑥将0.1 g W0，W1，W3与3 mL无水乙醇混合，超声分散处理15分钟，使溶液分散均匀；将分散均匀后的悬浊液用胶头滴管滴至银/钯叉指电极上，再将器件自然风干8小时，待乙醇蒸发后再将制备好的传感器老化24小时，得到基于W0，W1，W3的室温NO2气体传感器。
实施例：
以Mo/W摩尔比为1:2的W掺杂MoS2作为敏感材料制作平面叉指型气体传感器，其具体的制作过程如下：
①称取1.21 g钼酸钠（5 mmol）、1.127 g硫代乙酸铵（15 mmol）、和3.30 g 钨酸钠（10mmol）置于烧杯中，加入30 mL去离子水，使用磁力搅拌器搅拌25分钟使其溶解；
②将上述混合溶液中加入0.3 g硅酸钠，促进W掺杂MoS2材料的形成；
③将稀盐酸（2 mol/L）逐滴滴入上述溶液中，调节透明溶液的pH值约为6；
④将上述均匀溶液转移到容积为150 mL聚四氟乙烯内胆中，然后将内胆装入不锈钢反应釜中，并将反应釜密封，放入烘箱中加热反应在200℃下加热反应24小时；
⑤待反应釜自然冷却后，将釜内悬浊液取出，在7500转每分钟的转速下离心分离，所得的黑色沉淀前后分别用去离子水和无水乙醇分别清洗3遍，然后在60℃下干燥12小时后，得到Mo/W掺杂比例为1:2的W掺杂MoS2粉末，记为W2；
⑥在带有银/钯叉指电极的氧化铝陶瓷基底上连接外接引脚；
⑦将0.1 g W2与3 mL无水乙醇混合，超声分散处理15分钟，使溶液分散均匀；
⑧将分散均匀后的悬浊液用胶头滴管滴至银/钯叉指电极上，再将器件自然风干8小时，待乙醇蒸发后再将制备好的传感器老化24小时，得到基于W2的室温NO2气体传感器。
如图1所示，实施例W2的X射线衍射图(XRD)中的特征峰与与标准六角形二硫化钼JCPDS卡(37-1492)的衍射峰有很好的对应关系。XRD分析结果表明，W已经成功地掺杂到MoS2中，没有形成其他材料。
如图2所示，W0-W3缺陷浓度的差异可以通过材料的光致发光强度(PL)来确定。W0在1.77 eV的发射波段表现出较强的PL强度，随着掺W比例的增大，发光强度逐渐减小，然后增大，但发射带不变。不同掺钨比的MoS2的PL光谱强度变化表明，W作为掺杂剂为水热合成的MoS2提供了有效的空位补偿，降低缺陷浓度，其中实施例W2的缺陷最少。
如图3所示，W掺杂可以提高MoS2气体传感器对NO2的响应度，但不是W的掺杂量越多响应越大。在四个不同的掺杂比中, 当Mo/W掺杂比为1:2时响应度最高，在室温下的响应值是纯MoS2的12倍。实施例W2的气敏性能最佳，因此Mo/W比为1:2是纯MoS2的最佳掺杂比，最大限度地提高制备材料对NO2的响应和灵敏度。
如图4(a-b)所示，在20 ppm NO2氛围下，对比例W0（纯MoS2），对NO2的响应和恢复行为较差，响应和恢复时间均超过100 s甚至接近1000 s。与W0相比，W1的响应时间和恢复时间略短，这是由于W对MoS2的补偿。低掺杂浓度限制了对MoS2表面缺陷的补偿，使得W1表面仍有一定数量的Mo空位不能完全补偿。随着W掺杂浓度的增加，通过W对Mo空位的连续补偿，缺陷会逐渐减小。特别是当Mo/W比值增加到1:2 (实施例W2)时，几乎所有的Mo空位都可能被W原子占据，且MoS2表面可能接近理想的无缺陷表面。此时W2的响应/恢复时间大大提高，与W0(纯MoS2)相比，其响应/恢复时间减少了近一个数量级，从数百秒减少到数十秒。随着Mo/W比值的不断增大，W的过量掺杂使得MoS2对NO2的响应和恢复行为变差，W3的响应和恢复时间比W2长。其原因是过量的W原子在补偿了MoS2表面的所有Mo空位后，会挤入间隙通道形成间隙杂质，导致晶格畸变，导致W3产生新的缺陷。上述讨论中缺陷浓度随W掺杂量的变化趋势与之前的PL测量结果一致。需要注意的是，W0或W1在20 ppm NO2浓度下的响应时间均大于恢复时间。相反，W2或W3在每个NO2浓度下的响应时间都小于回收时间，这意味着NO2在材料表面的吸附类型发生了变化（化学吸附转变为物理吸附）。NO2物理吸附在W2的近似理想无缺陷表面占主导地位，这是W2响应/恢复时间最快的主要原因。通过W掺杂实现了对水热法制备的MoS2中的缺陷(Mo空位)进行补偿，进一步获得理论上均匀的表面，实现对NO2的快速响应恢复行为。

Claims (7)

1.一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法，在MoS2生长过程中，引入与Mo4+离子半径相近的W4+离子，W4+进入晶格后填补了Mo4+缺失产生的空位，达到MoS2均匀表面的目的，其特征在于，通过对MoS2材料中空位的填补实现气敏性能提升。
2.根据权利要求1所述的一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法，其特征在于：采用水热法合成了W掺杂MoS2材料，包含下述步骤：
步骤1，称取钼酸钠、硫代乙酸铵和钨酸钠置于烧杯中，溶于去离子水中并使用磁力搅拌器搅拌使其分散均匀；
步骤2，将上述混合溶液中加入0.3g硅酸钠，促进W掺杂MoS2材料的形成；将稀盐酸逐滴滴入上述溶液中，调节透明溶液的pH值为6；
步骤3，将上述均匀溶液转移到容积为150mL聚四氟乙烯内胆中，然后将内胆装入不锈钢反应釜中，并将反应釜密封，放入烘箱中加热反应；
步骤4，待反应釜自然冷却后，将釜内悬浊液取出，进行离心分离操作，得到黑色沉淀，然后将所得的黑色沉淀进行清洗、干燥，得到W掺杂MoS2材料。
3.根据权利要求1所述的一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法，其特征在于：所述W掺杂MoS2材料中Mo与W的摩尔比为1:0～1:3。
4.根据权利要求1所述的一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法，所述步骤3中，其特征在于：所述水热法的生长参数为水热温度200℃，反应时间24小时。
5.根据权利要求1所述的一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法，所述步骤4中，其特征在于：离心分离的转速为3500～7500转每分钟，采用去离子水和无水乙醇对所得的黑色沉淀进行清洗，干燥温度为60℃，干燥时间为4-12小时。
6.根据权利要求1-4中任一项所述一种采用W掺杂改善MoS2气体传感器性能的方法，包括基于W掺杂MoS2的室温NO2气体传感器的制备方法，其特征在于，按照以下步骤进行：
步骤1，在带有银/钯叉指电极的氧化铝陶瓷基底上连接外接引脚；
步骤2，将W掺杂MoS2溶于无水乙醇中，然后进行超声分散处理，使溶液分散均匀，得到悬浊液；
步骤3，用胶头滴管吸取步骤2中分散均匀后的悬浊液，然后滴至银/钯叉指电极上形成敏感薄膜，再将器件自然风干，待乙醇蒸发后再将制备好的传感器老化，得到基于W掺杂MoS2的室温NO2气体传感器。
7.根据权利要求5所述的基于W掺杂MoS2的室温NO2气体传感器的制备方法，所述步骤3中，其特征在于：器件自然风干4-8小时，老化时间为12-24小时。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111398366A (zh) * 2020-04-30 2020-07-10 中国人民解放军陆军防化学院 一种采用钒改善二硫化钼气体传感器的方法及传感设备
CN111398365A (zh) * 2020-04-30 2020-07-10 中国人民解放军陆军防化学院 一种基于二硫化钼的氨气气体传感器及制备方法
CN114577860A (zh) * 2022-01-14 2022-06-03 浙江大学 一种金属氧化物低温氢气敏感材料及其制备方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006015321A2 (en) * 2004-07-30 2006-02-09 Univ Boise State TRANSITION METAL DOPED OXIDE SEMICONDUCTOR HAVING AMBIENT TEMPERATURE FERROMAGNETISM AND METHOD OF DETECTING GAS BY DETECTING CHANGES IN MAGNETIC PROPERTIES
CN104990961A (zh) * 2015-07-23 2015-10-21 吉林大学 一种基于Al掺杂的NiO纳米棒花材料的乙醇气体传感器及制备方法
US20160025695A1 (en) * 2013-04-18 2016-01-28 Korean University Research and Business Foundation Methylbenzene gas sensor using chrome-doped nickel oxide nanostructures and method for producing same
CN106248743A (zh) * 2016-07-15 2016-12-21 天津大学 一种掺金二氧化钒纳米片结构室温ch4气敏传感器的制备方法
CN106994357A (zh) * 2016-01-22 2017-08-01 天津大学 一种钨掺杂的二硫化钼材料及其合成方法
CN107221564A (zh) * 2017-06-05 2017-09-29 国家纳米科学中心 一种层状二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用
CN108190970A (zh) * 2018-01-08 2018-06-22 上海理工大学 一种钴掺杂氧化锌气敏材料的制备方法及其应用
CN108680610A (zh) * 2018-06-13 2018-10-19 湘潭大学 一种基于MoS2-PbS复合材料的室温NO2气体传感器及其制备方法
CN108946814A (zh) * 2018-03-13 2018-12-07 北京航空航天大学 一种三维多级结构锑掺杂单斜wo3的制备及检测no2的方法
US20190030516A1 (en) * 2017-07-25 2019-01-31 Central China Normal University Monatomic metal-doped few-layer molybdenum disulfide electrocatalytic material, preparing method thereof, and method for electrocatalytic nitrogen fixation
CN109467126A (zh) * 2017-09-07 2019-03-15 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种金属元素掺杂二硫化钼薄膜材料及其制备方法
CN109900750A (zh) * 2019-04-04 2019-06-18 中国计量大学 一种提高基于MoS2薄膜场效应晶体管式气体传感器灵敏度的结构设计

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006015321A2 (en) * 2004-07-30 2006-02-09 Univ Boise State TRANSITION METAL DOPED OXIDE SEMICONDUCTOR HAVING AMBIENT TEMPERATURE FERROMAGNETISM AND METHOD OF DETECTING GAS BY DETECTING CHANGES IN MAGNETIC PROPERTIES
US20160025695A1 (en) * 2013-04-18 2016-01-28 Korean University Research and Business Foundation Methylbenzene gas sensor using chrome-doped nickel oxide nanostructures and method for producing same
CN104990961A (zh) * 2015-07-23 2015-10-21 吉林大学 一种基于Al掺杂的NiO纳米棒花材料的乙醇气体传感器及制备方法
CN106994357A (zh) * 2016-01-22 2017-08-01 天津大学 一种钨掺杂的二硫化钼材料及其合成方法
CN106248743A (zh) * 2016-07-15 2016-12-21 天津大学 一种掺金二氧化钒纳米片结构室温ch4气敏传感器的制备方法
CN107221564A (zh) * 2017-06-05 2017-09-29 国家纳米科学中心 一种层状二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用
US20190030516A1 (en) * 2017-07-25 2019-01-31 Central China Normal University Monatomic metal-doped few-layer molybdenum disulfide electrocatalytic material, preparing method thereof, and method for electrocatalytic nitrogen fixation
CN109467126A (zh) * 2017-09-07 2019-03-15 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种金属元素掺杂二硫化钼薄膜材料及其制备方法
CN108190970A (zh) * 2018-01-08 2018-06-22 上海理工大学 一种钴掺杂氧化锌气敏材料的制备方法及其应用
CN108946814A (zh) * 2018-03-13 2018-12-07 北京航空航天大学 一种三维多级结构锑掺杂单斜wo3的制备及检测no2的方法
CN108680610A (zh) * 2018-06-13 2018-10-19 湘潭大学 一种基于MoS2-PbS复合材料的室温NO2气体传感器及其制备方法
CN109900750A (zh) * 2019-04-04 2019-06-18 中国计量大学 一种提高基于MoS2薄膜场效应晶体管式气体传感器灵敏度的结构设计

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HU LONG等: "High Surface Area MoS2/Graphene Hybrid Aerogel High Surface Area MoS2/Graphene Hybrid Aerogel", 《ADV. FUNCT. MATER》 *
JIA LIU等: "First-principles investigations of metal (V,Nb,Ta)-doped monolayer MoS2: Structural stability, electronic properties and adsorption of gas molecules", 《APPLIED SURFACE SCIENCE》 *
XUFAN LI等: "Suppression of Defects and Deep Levels Using Isoelectronic Tungsten Substitution in Monolayer MoSe2", 《ADV. FUNCT. MATER. 》 *
臧道俊等: "基于密度泛函理论的单层MoS2纳米材料气敏性能研究", 《电子科技》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111398366A (zh) * 2020-04-30 2020-07-10 中国人民解放军陆军防化学院 一种采用钒改善二硫化钼气体传感器的方法及传感设备
CN111398365A (zh) * 2020-04-30 2020-07-10 中国人民解放军陆军防化学院 一种基于二硫化钼的氨气气体传感器及制备方法
CN111398365B (zh) * 2020-04-30 2023-08-25 中国人民解放军陆军防化学院 一种基于二硫化钼的氨气气体传感器及制备方法
CN111398366B (zh) * 2020-04-30 2024-01-30 中国人民解放军陆军防化学院 一种采用钒改善二硫化钼气体传感器的方法及传感设备
CN114577860A (zh) * 2022-01-14 2022-06-03 浙江大学 一种金属氧化物低温氢气敏感材料及其制备方法
CN114577860B (zh) * 2022-01-14 2024-01-30 浙江大学 一种金属氧化物低温氢气敏感材料及其制备方法

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