CN111393027A

CN111393027A - 一种白色晶花熔块、白色晶花装饰陶瓷砖及其制备方法

Info

Publication number: CN111393027A
Application number: CN202010175820.XA
Authority: CN
Inventors: 潘利敏; 杨元东; 覃增成; 王贤超; 程科木
Original assignee: Monalisa Group Co Ltd
Current assignee: Monalisa Group Co Ltd
Priority date: 2020-03-13
Filing date: 2020-03-13
Publication date: 2020-07-10
Anticipated expiration: 2040-03-13
Also published as: CN111393027B

Abstract

本发明公开一种白色晶花熔块、白色晶花装饰陶瓷砖及其制备方法。所述白色晶花熔块的化学成分包括：按质量百分比计，烧失：0.34～0.52%；SiO₂：40.89～42.10%；Al₂O₃：26.46～28.31%；Fe₂O₃：0.09～0.25%；TiO₂：0.12～0.16%；CaO：3.98～4.62%；MgO：1.64～2.28%；K₂O：2.08～3.95%；Na₂O：1.73～2.15%；ZrO₂：3.78～4.45%；CeO₂：6.98～8.01%；ZnO：5.98～7.78%；BaO：2.01～2.78%；PbO：0.83～1.07%；As₂O₃：0.09～1.12%。

Description

一种白色晶花熔块、白色晶花装饰陶瓷砖及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种晶花装饰陶瓷砖，特别涉及一种白色晶花熔块、白色晶花装饰陶瓷砖及其制备方法，属于陶瓷砖生产装饰技术领域。

背景技术

随着生活水平的提高和技术的快速发展，人们对于室内装修也越来越注重，不仅仅对装修材料要求有高质量，还要求其具有观赏的价值。现在市场上釉面装饰砖不乏奇多，但是能让消费者眼前一亮的确实很少，因此开发高附加值的釉面砖将是陶瓷行业新的发展方向。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种白色晶花熔块、白色晶花装饰陶瓷砖及其制备方法。

第一方面，本发明提供一种白色晶花熔块，所述熔块的化学成分包括：按质量百分比计，烧失：0.34％～0.52％；SiO₂：40.89％～42.10％；Al₂O₃：26.46％～28.31％；Fe₂O₃：0.09％～0.25％；TiO₂：0.12％～0.16％；CaO：3.98％～4.62％；MgO：1.64％～2.28％；K₂O：2.08％～3.95％；Na₂O：1.73％～2.15％；ZrO₂：3.78％～4.45％；CeO₂：6.98％～8.01％；ZnO：5.98％～7.78％；BaO：2.01％～2.78％；PbO：0.83％～1.07％；As₂O₃：0.09％～1.12％。

本发明的白色晶花熔块烧制后可呈现白色晶花效果，其晶花自然、细腻，透感晶莹，具有极高的观赏价值，可以提高产品的档次。

较佳地，所述熔块的颗粒级配为：40目以下：15％～17％；40目～60目：44％～49％；60目～80目：26％～28％；80目～100目：6％～8％；100目以上：≤2％。

第二方面，本发明提供一种白色晶花装饰陶瓷砖，包括上述任一项所述的白色晶花熔块形成的釉面层。

较佳地，所述釉面层的厚度为0.35～0.55mm。

较佳地，所述陶瓷砖不包括打印图案。

第三方面，本发明提供一种白色晶花装饰陶瓷砖的制备方法，包括以下步骤：

(1)在陶瓷坯体上依次施面釉、施保护釉；

(2)在步骤(1)所得的陶瓷坯体表面布施上述白色晶花熔块，然后在布施白色晶花熔块的坯体表面布施固定剂；

(3)将步骤(2)所得的坯体烧成、抛光。

在本发明一可选的实施方式中，该固定剂为胶水固定剂。

较佳地，所述面釉的比重为1.42～1.46，施釉量为400～600g/m²。

较佳地，所述保护釉的比重为1.20～1.22，施釉量为250～300g/m²。

较佳地，保护釉的化学组成与白色晶花熔块的化学组成相近。优选地，所述保护釉的化学成分包括：按质量百分比计，IL(烧失)：4.98～5.87％；SiO₂：54.78～58.09％；Al₂O₃：16.89～17.65％；Fe₂O₃：0.15～0.20％；BaO：1.23～1.79％；CaO：5.45～7.30％；MgO：1.98～2.50％；K₂O：3.00～3.50％；Na₂O：2.78～3.32％；SrO：0.67～0.83％；ZnO：3.34～3.92％。

较佳地，所述白色晶花熔块的布施量为800～1000g/m²。

较佳地，所述固定剂的布施量为200～250g/m²。

较佳地，烧成周期为98～110min，最高烧成温度范围为1189～1221℃。

较佳地，步骤(3)中，所述坯体烧成的烧成曲线包括：在升温阶段，第1步以15～20℃/min的速率升温至450～550℃，第2步以30～33℃/min速率升温至600～700℃，第3步以38～40℃/min速率升温至700～1000℃；第4步按照5～8℃/min速率升温至1011～1029℃，保温9～11min；然后以18～22℃/min速率升温至最高烧成温度1189～1221℃，保温4～6min；以及降温阶段，以20～23℃/min降温至1070～1098℃，保温3～5min；之后以70～74℃/min速率降温至850～900℃；以80～85℃/min速率降温至700℃；继续以20～22℃/min降温至585～590℃。一些实施方式中，在第1步以前，由室温以10～12℃/min的速率升温至300～400℃。一些实施方式中，在降温至585～590℃以后，继续降温至300～400℃之后按照80～82℃/min降至室温出窑。

本发明白色晶花装饰陶瓷砖的制备方法无需长时间高温烧制，在稀土元素(例如CeO₂)的良好催化性能作用下，使得熔体能及时析出晶体，因此熔块堆积量无需堆积较多(例如2～3kg/m²)也可获得良好的析晶效果。

附图说明

图1为本发明一实施方式的白色晶花装饰陶瓷砖的砖面效果图；

图2是本发明一实施方式白色晶花的XRD分析图谱；

图3是本发明对比例1的白色晶花装饰陶瓷砖的砖面效果图。

具体实施方式

以下通过下述实施方式进一步说明本发明，应理解，下述实施方式仅用于说明本发明，而非限制本发明。本文中，陶瓷坯体也可以称为砖坯、坯体。白色晶花熔块也可以称为干粒熔块、白色熔块、熔块、结晶熔块、晶花熔块、熔块干粒。另外，如无特别说明，本申请中提及的百分含量均为质量百分含量。

本发明一实施方式公开烧成后呈现白色晶花效果的熔块。

所述熔块的化学组成可包括：按质量百分比计：IL(烧失)：0.34％～0.52％；SiO₂：40.89％～42.10％；Al₂O₃：26.46％～28.31％；Fe₂O₃：0.09％～0.25％；TiO₂：0.12％～0.16％；CaO：3.98％～4.62％；MgO：1.64％～2.28％；K₂O：2.08％～3.95％；Na₂O：1.73％～2.15％；ZrO₂：3.78％～4.45％；CeO₂：6.98％～8.01％；ZnO：5.98％～7.78％；BaO：2.01％～2.78％；PbO：0.83％～1.07％；As₂O₃：0.09％～1.12％。

采用上述熔块化学组成时，Zn、Ca、Ba、Zr以及Mg等在烧制过程中都能析晶，其中ZrO₂、CeO₂、TiO₂等氧化物配位数较高，阳离子场强大，在热处理过程中易从硅酸盐网络中分出来导致分析、析晶，而MgO、K₂O、Na₂O、PbO起到在高温时降低熔体的黏度的作用。

一些实施方式中，本发明白色晶花熔块的软化温度为1018℃～1073℃，在此范围内其熔液黏度为1.03×10⁶～1.57×10⁶Pa·S。这样可以在一定程度上减小扩散阻力，利于粒子定向排列，从而有利于熔体析晶。

图2是本发明一实施方式中得到的白色晶花XRD分析图谱，从图谱中可看出晶花中主要以Zr_0.82Ce_0.18O₂、ZrSiO₄的结晶效果最好。其中，白色晶花的组成可为：ZrSiO₄占43％～44％、Zr_0.82Ce_0.18O₂占37％～38％以及Ce_0.75Zr_0.15O₂占18％～19％。该组成的晶花在视觉效果上呈现以点为分散中心，犹如一朵绽开的莲花。

一些实施方式中，所述熔块可以将原料混合熔制水淬后得到透明玻璃体，再将该透明玻璃体破碎成一定颗粒级配的细小颗粒状釉料。所述原料按照熔块化学组分中重量百分占比含量计算，原料包括石英粉、长石粉、氧化锌、氧化铝粉、钾长石粉、氧化铈、方解石、硫酸钡、硅酸锆以及烧滑石。在白色晶花装饰陶瓷砖的生产过程中，以上原料按照化学组分范围进行配料。

在一些实施例中，所述熔块的颗粒级配为：40目以下：15％～17％；40目～60目：44％～49％；60目～80目：26％～28％；80目～100目：6％～8％；100目以上：≤2％。在此颗粒级配范围内，高温熔融状态时有利于减少析晶的阻力，利于晶体的长大与形成。若颗粒粒径过大，则容易在干粒堆积中存在大量的空隙，从而在烧制后釉面易出现釉坑、缩釉的现象；若颗粒粒径过小，其堆积的密度过大，在高温烧制过程中不利于坯体的气体排出，在釉面易形成鼓包、针眼现象。

在此公开的白色晶花熔块可用于制备白色晶花装饰陶瓷砖。一实施方式中，白色晶花装饰陶瓷砖由下而上依次包括陶瓷坯体层、面釉层、保护釉层、釉面层，该釉面层由本发明公开的白色晶花熔块形成。

一些实施方式中，白色晶花装饰陶瓷砖可以不包括(喷墨)打印图案。白色晶花装饰陶瓷砖中的釉面层晶花自然、细腻，透感晶莹，装饰效果优异，因此白色晶花装饰陶瓷砖无需打印图案即可实现极高的观赏价值。

陶瓷坯体层的厚度可为8～10mm。面釉层的厚度可为0.08～0.10mm。保护釉层的厚度可为0.03～0.05mm。釉面层的厚度为0.35～0.55mm。

以下，示例性说明本发明一实施方式的白色晶花装饰陶瓷砖的制备方法。

首先，制备坯体。坯体可由普通陶瓷基料压制而得。

然后，可将坯体干燥，例如在干燥窑中干燥。干燥时间可为1～1.5h，干燥坯水分控制在0.5％以内。

然后，在坯体上施面釉。由于坯体白度较低，直接布施在坯体上，釉面效果会出现不同的“落脏物”，而面釉的作用在于遮挡坯体。面釉的釉料没有特别限定，可以采用本领域公知的面釉釉料。例如，面釉的化学组成可为：IL(烧失)：4.21～5.09％、SiO₂：48.56～51.42％、Al₂O₃：26.33～29.41％、Fe₂O₃：0.23～0.37％、TiO₂：0.05～0.07％、CaO：0.56～0.78％、MgO：0.20～0.23％、K₂O：5.21～6.32％、Na₂O：2.23～2.58％、P₂O₅：0.18～0.31％、ZrO₂：5.98～6.97％。施面釉方式可为喷釉等。面釉比重可为1.42～1.46，施釉量可为400～600g/m²。

然后，将施面釉的坯体干燥，例如采用小电窑干燥。干燥窑温度控制在110～120℃，保证坯体在喷完面釉后水分能及时蒸发，减少在入窑烧制后由于面釉中含水率过大，在水蒸发过程中由液态转化气态，体积发生膨胀，导致熔块层形成“火山口”的缺陷。

接着，在干燥后的面釉层上施保护釉。保护釉的作用在于减少熔块间的张力，防止熔块层张力过大，形成缩釉；同时为熔块层提供一层平整的熔融面，使得烧制后的熔块层平整度更高。

保护釉的布施方法可以为喷釉。所述保护釉的比重可为1.20～1.22，施釉量可为250～300g/m²。采用这样的施保护釉工艺可以具有较好的雾化效果，较少釉量的同时也获得较平整的釉面效果。而在选取保护釉时，尽可能使保护釉与熔块的化学组成相近。在一可选的实施方式中，所述保护釉的化学成分按重量百分比计可以包括：IL(烧失)：4.98～5.87％；SiO₂：54.78～58.09％；Al₂O₃：16.89～17.65％；Fe₂O₃：0.15～0.20％；BaO：1.23～1.79％；CaO：5.45～7.30％；MgO：1.98～2.50％；K₂O：3.00～3.50％；Na₂O：2.78～3.32％；SrO：0.67～0.83％；ZnO：3.34～3.92％。

白色晶花熔块在烧制过程中，晶体历经着生长与溶解的过程：在高温时，部分析出的晶体开始溶解；而在冷却时，残余的微晶又重新成为了晶核而析出晶体。为了使得烧制过程中，晶核形成以及晶体生长的温度区重合，在保护釉与结晶熔块的化学成分上优选使两者尽可能地接近，面釉层与晶花层相接近，这样可以尽可能减少在烧制过程中由于膨胀系数不同使得釉层各向收缩不一致，避免开裂。

接着，在保护釉层上布施白色晶花熔块。白色晶花熔块的布施方法可为皮带布施。

白色晶花熔块的施加量可为800～1000g/m²。若布施量过多，则釉层厚度增加，在同等烧制条件下，会降低釉层吸收系数，从而导致釉面出现乳浊现象。若布施量若太少，则会降低釉层析晶能力。

白色晶花熔块形成的釉面层的厚度可为0.35～0.55mm。在此范围不仅能保证釉层具有一定的透感，而且有利于降低由于釉层中堆积的干粒量增多，高温熔融状态下对析晶造成的阻力。

然后，在布施白色晶花熔块的表面布施胶水固定剂。

胶水固定剂可由胶水与水按3：1的质量比例混合稀释获得。胶水的材质没有特别限定，可以是本领域公知的胶水。胶水量可为200～250g/m²。采用该胶水量，可以在起到固定熔块层的同时，减少水分的带入，降低入窑炸砖的概率。

可采用喷釉柜来布施胶水。在布施胶水固定剂的过程中，为了保证雾化程度，喷釉柜的喷嘴使用喷洒范围为110°的喷嘴。为了保证熔块不被打散，喷釉柜釉泵压力可以控制在0.2～0.3Mpa。

然后可将所得砖坯干燥，例如采用电窑干燥。干燥窑温度控制在110～120℃，干燥后水分控制在0.5％以内。

然后进行烧成，例如辊道窑低温快烧。烧成周期可为98～110min，最高烧成温度范围可为1189～1221℃。烧成温度过低，使得熔融液粘度大，对晶体生长产生阻力；烧成温度过高，会出现晶核全部被熔掉的现象。

普通陶瓷产品烧成周期基本在70min左右，这不利于釉层气泡排出，导致后期釉层抛光釉面出现大量小毛孔。为了使得釉层中的气体及时排出，减少釉层中包裹气泡存在的数量，本发明将烧成周期延长至98～110min。又，根据坯体及釉层烧成范围，为了防止过烧以及生烧，烧成温度设置在1189℃～1221℃。以上烧成条件有利于晶核形成以及晶体生长的温度区重合，使得晶花形成范围扩大，利于形成大量晶花。

另外，在本发明中，由于该白色晶花体系为硅酸盐晶体，因此此成核最大速度在较低温度下进行，而晶体生长的最大速率是在较高的温度下。为了使得获取最佳的晶体效果，在此烧成温度范围内会把大部分的晶核融掉，只剩下少数的晶核存在，此时降温冷却到生长区，就使得剩下的少数晶核为基础长出更大的晶花。在此过程中要求严格把控烧制温度，在此烧成温度中要求在低于最高烧成温度14～15％(1011～1029℃)的温度下，保温时间为烧成周期的9～10％(9～11min)，以便于熔体具有良好的成核速度，促进形成晶核；之后再快速升温至最高烧成温度，再保温烧成周期的4～6％(4～6min)的烧成时间，促进晶核长大；最后将最高烧成温度降8～10％(1070～1098℃)，尽可能使得晶核形成以及晶体生长的温度区重合，获取最佳的晶花效果。

随后，将烧成的砖坯抛光。抛光可使用树脂模块进行抛光。

烧制后经抛光可获得釉面呈现出一种白色晶花效果的全抛釉面砖，肉眼能看到明显的白色晶花。所得的全抛釉面砖具有喷墨打印、丝网印刷、辊筒印刷等工艺无法实现的晶花效果，其晶花自然、细腻，透感晶莹，具有极高的观赏价值，提高产品的档次。

图1示出本发明一实施方式的白色晶花装饰陶瓷砖的局部图。可以看出其具有白色晶花效果。

下面进一步例举实施例以详细说明本发明。同样应理解，以下实施例只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适的范围内选择，而并非要限定于下文示例的具体数值。

实施例1

步骤1：普通陶瓷基料压制砖坯。

步骤2：干燥窑干燥，干燥时间1h，干燥坯水分控制在0.5％以内。

步骤3：喷面釉，面釉化学组成为：IL(烧失)：4.31％、SiO₂：50.42％、Al₂O₃：29.41％、Fe₂O₃：0.37％、TiO₂：0.07％、CaO：0.71％、MgO：0.20％、K₂O：5.62％、Na₂O：2.58％、P₂O₅：0.26％、ZrO₂：6.05％，面釉比重1.44，施釉量500g/m²。

步骤4：小电窑干燥，干燥窑温度控制在110℃，干燥后水分控制在0.5％以内。

步骤5：喷入保护釉，比重1.21，施釉量280g/m²；其保护釉化学成分按重量百分比计如下：IL：5.31％；SiO₂：56.19％；Al₂O₃：17.50％；Fe₂O₃：0.17％；BaO：1.66％；CaO：6.09％；MgO：2.11％；K₂O：3.42％；Na₂O：2.90％；SrO：0.83％；ZnO：3.82％。

步骤6：布撒白色晶花熔块，其布撒量为900g/m²。所述熔块的化学成分按质量百分比包括：IL：0.34％；SiO₂：40.89％；Al₂O₃：26.46％；Fe₂O₃：0.09％；TiO₂：0.12％；CaO：4.12％；MgO：2.28％；K₂O：2.08％；Na₂O：2.09％；ZrO₂：3.78％；CeO₂：7.04％；ZnO：7.78％；BaO：2.01％；PbO：0.83％；As₂O₃：0.09％。所述熔块的颗粒级配为：40目以下：15％；40目～60目：49％；60目～80目：26％；80目～100目：8％；100目以上：2％。最终由白色晶花熔块获得的有效釉面层的厚度为0.4mm。

步骤7：使用喷釉柜喷洒胶水固定剂。胶水固定剂由胶水与水按照质量比例3：1混合稀释得到，其中胶水购自意达加公司。该胶水固定剂的喷洒量为230g/m²。为了保证雾化程度，要求喷嘴角度为110°，喷釉柜釉泵压力控制在0.25MPa。

步骤8：干燥，采用电窑干燥，干燥窑温度控制在110℃，干燥后水分控制在0.5％以内。

步骤9：辊道窑低温快烧，烧成周期为105min，最高烧成温度为1194℃。实例烧成温度如下：由室温以10℃/min的速率升温至400℃；第1步以15℃/min的速率升温至500℃；第2步以31℃/min速率升温至650℃，第3步以38℃/min速率升温至980℃；第4步以5℃/min的速率升温至1026℃，保温9min；然后以19℃/min速率升温至最高烧成温度1194℃，保温5min；以及降温阶段，以20℃/min降温至1074℃，保温3min；之后以72℃/min速率降温至900℃；以82℃/min速率降温至700℃；继续以20℃/min降温至590℃；降至400℃之后按照80℃/min降至室温出窑。

步骤10：将烧成的半成品在粗抛工艺中，抛光采用金刚砂树脂模块抛光。

所得白色晶花装饰陶瓷砖，能明显看到釉层中的晶花效果(如图1所示)。经国家陶瓷及水暖卫浴产品质量监督检验中心检测，该技术生产的产品质量符合GB/T4100-2015《陶瓷砖》标准附录G、GB6566-2010《建筑材料放射性核素限量》及HJ/T297-2006《环境标志产品技术要求陶瓷砖》标准的要求，耐污性5级(标准要求≥3级)，断裂模数43MPa(标准要求≥35MPa)。

表1步骤10的粗抛抛光参数

表1中的目数是指模块的目数，组数是指模块的组数，压力是指抛光磨头压力。

实施例2

与实施例1基本相同，不同之处在于：

步骤6：布撒白色晶花熔块，其布撒量为800g/m²。所述熔块的化学成分按质量百分比包括：IL：0.44％；SiO₂：41.53％；Al₂O₃：26.78％；Fe₂O₃：0.16％；TiO₂：0.15％；CaO：3.98％；MgO：1.64％；K₂O：2.78％；Na₂O：1.73％；ZrO₂：3.98％；CeO₂：6.98％；ZnO：5.98％；BaO：2.45％；PbO：0.97％；As₂O₃：0.45％。所述熔块的颗粒级配为：40目以下：17％；40目～60目：48％；60目～80目：26％；80目～100目：7％；100目以上：2％。最终由白色晶花熔块获得的有效釉面层的厚度为0.4mm。

步骤7：喷釉柜喷洒胶水固定剂。胶水固定剂由胶水与水按照质量比例3：1混合稀释得到，其中胶水购自意达加公司。该胶水固定剂的喷洒量为200g/m²。为了保证雾化程度，要求喷嘴角度为110°，喷釉柜釉泵压力控制在0.25MPa。

步骤9：辊道窑低温快烧，烧成周期为98min，最高烧成温度为1201℃。该实例烧成温度如下：在升温阶段，由室温以10℃/min的速率升温至400℃，第1步以15℃/min的速率升温至500℃，第2步以33℃/min速率升温至700℃，第3步以40℃/min速率升温至1000℃；第4步按照8℃/min速率升温至1029℃，保温9min；然后以22℃/min速率升温升温至最高烧成温度1201℃，保温6min；以及降温阶段，以23℃/min降温至1081℃，保温3min；之后以74℃/min速率降温至850℃；以85℃/min速率降温至700℃；继续以22℃/min降温至585℃；降至400℃之后按照82℃/min降至室温出窑。

实施例3

与实施例1基本相同，不同之处在于：

步骤6：布撒白色晶花熔块，其布撒量为1000g/m²。所述熔块的化学成分按质量百分比包括：IL：0.52％；SiO₂：41.45％；Al₂O₃：26.46％；Fe₂O₃：0.09％；TiO₂：0.12％；CaO：3.99％；MgO：1.73％；K₂O：2.08％；Na₂O：2.15％；ZrO₂：4.45％；CeO₂：8.01％；ZnO：6.02％；BaO：2.01％；PbO：0.83％；As₂O₃：0.09％。所述熔块的颗粒级配为：40目以下：17％；40目～60目：45％；60目～80目：28％；80目～100目：8％；100目以上：2％。最终由白色晶花熔块获得的有效釉面层的厚度为0.5mm。

步骤7：喷釉柜喷洒胶水固定剂。胶水固定剂由胶水与水按照质量比例3：1混合稀释得到，其中胶水购自意达加公司。该胶水固定剂的喷洒量为250g/m²。为了保证雾化程度，要求喷嘴角度为110°，喷釉柜釉泵压力控制在0.25MPa。

步骤9：辊道窑低温快烧，烧成周期为110min，最高烧成温度为1189℃。实例烧成温度如下：在升温阶段，由室温以10℃/min的速率升温至400℃，第1步以15℃/min的速率升温至500℃，第2步以30℃/min速率升温至600℃，第3步以38℃/min速率升温至1000℃；按照5℃/min速率升温至1011℃，保温11min；然后以18℃/min速率升温升温至最高烧成温度1189℃，保温6min；以及降温阶段，以20℃/min降温至1071℃，保温5min；之后以70℃/min速率降温至850℃；以80℃/min速率降温至700℃；继续以20℃/min降温至590℃；降至400℃之后按照80℃/min降至室温出窑。

对比例1

与实施例1基本相同，区别仅在，所述烧成周期为68min，最高烧成温度为1234℃。具体烧成曲线为：在升温阶段，由室温以27℃/min的速率升温至200℃；以44℃/min的速率升温至700℃；以27℃/min速率升温至998℃；以10℃/min速率升温至1234℃，保温5min；降温阶段：以65℃/min降温至1189℃；74℃/min速率降温至700℃；以25℃/min速率降温至400℃；降至400℃之后按照96℃/min降至室温出窑。

由于烧成周期过短，晶核形成区域与晶体成长区域过窄，晶体会得到足够时间成长；而烧成温度过高，导致熔融液再次反应，产生新的气体。故对比例1获取的晶花呈现点状、炸开式的效果，如图3所示。

Claims

1.一种白色晶花熔块，其特征在于，所述熔块的化学成分包括：按质量百分比计，烧失：0.34%～0.52%；SiO₂：40.89%～42.10%；Al₂O₃：26.46%～28.31%；Fe₂O₃：0.09%～0.25%；TiO₂：0.12%～0.16%；CaO：3.98%～4.62%；MgO：1.64%～2.28%；K₂O：2.08%～3.95%；Na₂O：1.73%～2.15%；ZrO₂：3.78%～4.45%；CeO₂：6.98%～8.01%；ZnO：5.98%～7.78%；BaO：2.01%～2.78%；PbO：0.83%～1.07%；As₂O₃：0.09%～1.12%。

2.根据权利要求1所述的白色晶花熔块，其特征在于，所述熔块的颗粒级配为：40目以下：15%～17%；40目～60目：44%～49%；60目～80目：26%～28%；80目～100目：6%～8%；100目以上：≤2%。

3.一种白色晶花装饰陶瓷砖，其特征在于，包括权利要求1或2所述的白色晶花熔块形成的釉面层。

4.根据权利要求3所述的白色晶花装饰陶瓷砖，其特征在于，所述釉面层的厚度为0.35～0.55mm。

5.根据权利要求3或4所述的白色晶花装饰陶瓷砖，其特征在于，所述陶瓷砖不包括打印图案。

6.一种权利要求3至5中任一项所述的白色晶花装饰陶瓷砖的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在陶瓷坯体上依次施面釉、施保护釉；

（2）在步骤（1）所得的陶瓷坯体表面布施权利要求1或2所述的白色晶花熔块，然后在布施白色晶花熔块的坯体表面布施固定剂；

（3）将步骤（2）所得的坯体烧成、抛光。

7.根据权利要求6所述的白色晶花装饰陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述面釉的比重为1.42～1.46，施釉量为400～600g/m²；优选地，所述保护釉的比重为1.20～1.22，施釉量为250～300g/m²。

8.根据权利要求6或7所述的白色晶花装饰陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述白色晶花熔块的布施量为800～1000g/m²。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的白色晶花装饰陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述固定剂的布施量为200～250g/m²。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的白色晶花装饰陶瓷砖的制备方法，其特征在于，烧成周期为98～110min，最高烧成温度为1189～1221℃。