CN111390770A - 一种oled蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法 - Google Patents

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    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C7/00—Equipment for feeding abrasive material; Controlling the flowability, constitution, or other physical characteristics of abrasive blasts
    • B24C7/0007—Equipment for feeding abrasive material; Controlling the flowability, constitution, or other physical characteristics of abrasive blasts the abrasive material being fed in a liquid carrier

Abstract

本发明公开了一种OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法，涉及OLED面板生产技术领域，本发明包括如下步骤:将蒸镀使用后钽坩埚内表面及外表面的膜层去除，使本体和印记显露出来；根据所述钽坩埚部件的尺寸结构，选取对应的水喷砂设备；依据钽坩埚的精度要求及结构特征，选取对应的砂材和喷砂压力进行水喷砂处理；将经过水喷砂处理钽坩埚进行外观及粗糙度检测；将检测合格后的钽坩埚进行去离子水冲洗。经过本方法处理的坩埚表面具有色泽均匀，表面洁净度高，损耗小，使用寿命高等优点。

Description

一种OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法
技术领域
本发明属于OLED面板生产技术领域，具体涉及一种OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法。
背景技术
钽坩埚由于其纯度高，加热一致性好、优异的热导率和抗热震性等性能，作为OLED(有机发光显示)生产线上蒸发元的主要容器使用，并且由于其化学惰性强，在高温下不易化学反应，因此广泛应用于OLED蒸镀设备中。但在实际的生产过程中，钽坩埚受到蒸镀材料的影响，发生不同程度的本体与蒸镀材料的反应及渗透作用，使其失去金属光泽，呈现出明显的印记。钽坩埚在长期使用的情况下，印记在机台内高温作用下会挥发出来，影响蒸镀材料的纯度，从而影响产品良率的稳定。
发明内容
本发明的目的在于：针对现有技术钽坩埚在长期使用的情况下，印记在机台内高温作用下会挥发出来，影响蒸镀材料的纯度，从而影响产品良率稳定的问题，提供一种OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法。
本发明采用的技术方案如下：
一种OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法，包括如下步骤:
将蒸镀使用后钽坩埚内表面及外表面的膜层去除，使本体和印记显露出来；
根据所述钽坩埚部件的尺寸结构，选取对应的水喷砂设备；
依据钽坩埚的精度要求及结构特征，选取对应的砂材和喷砂压力进行水喷砂处理；
将经过水喷砂处理钽坩埚进行外观及粗糙度检测；
将检测合格后的钽坩埚进行去离子水冲洗。
作为优选,所述砂材的粒径为50～80微米,砂材的材质为三氧化铝或二氧化硅。
作为优选,所述水喷砂处理的具体条件为：所述砂材型号为220#，喷砂压力为3Kg/cm2，砂材和水的比例为1:10，喷嘴距离所述钽坩埚的距离为5～10cm，对所述钽坩埚表面均匀冲扫。
作为优选,本方法还包括水喷砂处理微调步骤：在水喷砂处理步骤中，根据水喷砂对于所述钽坩埚部件的冲扫效果，调整喷砂压力，砂材型号，砂材和水的混合比。
作为优选,所述钽坩埚外观及粗糙度检测具体合格标准为：所述钽坩埚外观呈现出明亮的金属光泽，钽坩埚粗糙度Ra值为0.3～0.8微米。
作为优选,在去离子水冲洗步骤中，同时还配合对钽坩埚部件进行超声波清洗和氮气吹扫。
作为优选,所述膜层去除的具体处理手段为:冲洗、打磨等物理方法或药水浸泡的化学方法。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
1、由于采用有一定速度的砂粒均匀的轰击坩埚表面，能够破坏坩埚表面含杂质的印记残留物，并从坩埚本体上剥离下来，另一方面，由于砂材中含有水份，当沙粒轰击坩埚表面时，能够起到降温作用，有效的防止了坩埚表面因高温被氧化的现象，从而呈现出坩埚本体的金属光泽。水喷砂处理后坩埚表面色泽均匀，表面洁净度高，杜绝了坩埚表面杂质污染蒸发材料的问题。
2、本方案中，采用的是超细砂材，作用坩埚表面时，坩埚表面的Ra在0.5um以内，对坩埚损坏极小。对坩埚损耗小，尺寸一致性好，能有效的增加坩埚的反复清洗次数，提高坩埚使用寿命。
3、砂水比例和喷砂压力均通过设备进行控制，作业人员只需将产品整体喷砂即可，不用繁杂的参数控制，因此作业效率高，作业一致性也较好。清洗作业时操作简单，作业效率高，成本易于控制。
4、采用水砂混合形式作业，不会产生粉尘等染污物。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明的步骤流程示意图；
图中标记：S1-S5表示各个步骤；
图2是钽坩埚处理前对比图；
图3是钽坩埚处理后效果图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：说明书的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明的简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个原件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
一种OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法，包括如下步骤:
将蒸镀使用后钽坩埚内表面及外表面的膜层去除，使本体和印记显露出来；
根据所述钽坩埚部件的尺寸结构，选取对应的水喷砂设备；
依据钽坩埚的精度要求及结构特征，选取对应的砂材和喷砂压力进行水喷砂处理；
将经过水喷砂处理钽坩埚进行外观及粗糙度检测；
将检测合格后的钽坩埚进行去离子水冲洗。
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
本发明较佳实施例提供的一种OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法，包括如下步骤:
将蒸镀使用后钽坩埚内表面及外表面的膜层去除，使本体和印记显露出来；
根据所述钽坩埚部件的尺寸结构，选取对应的水喷砂设备；
依据钽坩埚的精度要求及结构特征，选取对应的砂材和喷砂压力进行水喷砂处理；
将经过水喷砂处理钽坩埚进行外观及粗糙度检测；
将检测合格后的钽坩埚进行去离子水冲洗。
所述砂材的材质为三氧化铝。所述砂材的粒径为50～80微米。
所述水喷砂处理的具体条件为：所述砂材型号为220#(目数)，喷砂压力为3Kg/cm2，砂材和水的比例为1:10，喷嘴距离所述钽坩埚的距离为5～10cm，对所述钽坩埚表面均匀冲扫。
本方法还包括水喷砂处理微调步骤：在水喷砂处理步骤中，根据水喷砂对于所述钽坩埚部件的冲扫效果，调整喷砂压力，砂材型号，砂材和水的混合比。
所述钽坩埚外观及粗糙度检测具体合格标准为：所述钽坩埚外观呈现出明亮的金属光泽，钽坩埚粗糙度Ra值为0.3～0.8微米。
在去离子水冲洗步骤中，同时还配合对钽坩埚部件进行超声波清洗和氮气吹扫。
4、本实施例的工作原理如下：现有技术钽坩埚在长期使用的情况下，印记在机台内高温作用下会挥发出来，影响蒸镀材料的纯度，从而影响产品良率稳定。本方法针对钽坩埚的特性，采用不同的处理方式，首先，由于采用有一定速度的砂粒均匀的轰击坩埚表面，能够破坏坩埚表面含杂质的印记残留物，并从坩埚本体上剥离下来，另一方面，由于砂材中含有水份，当沙粒轰击坩埚表面时，能够起到降温作用，有效的防止了坩埚表面因高温被氧化的现象，从而呈现出坩埚本体的金属光泽；其次，本方法采用的是超细砂材，作用坩埚表面时，坩埚表面的Ra在0.5um以内，对坩埚损坏极小；砂水比例和喷砂压力均通过设备进行控制，作业人员只需将产品整体喷砂即可，不用繁杂的参数控制，因此作业效率高，作业一致性也较好；采用水砂混合形式作业，不会产生粉尘等染污物。
实施例2
本发明另一实施例提供的一种OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法，包括如下步骤:
将蒸镀使用后钽坩埚内表面及外表面的膜层去除，使本体和印记显露出来；
根据所述钽坩埚部件的尺寸结构，选取对应的水喷砂设备；
依据钽坩埚的精度要求及结构特征，选取对应的砂材和喷砂压力进行水喷砂处理；
将经过水喷砂处理钽坩埚进行外观及粗糙度检测；
将检测合格后的钽坩埚进行去离子水冲洗。
所述砂材的材质为二氧化硅。
所述水喷砂处理的具体条件为：所述砂材型号为220#，喷砂压力为3Kg/cm2，砂材和水的比例为1:10，喷嘴距离所述钽坩埚的距离为5cm，对所述钽坩埚表面均匀冲扫。
本方法还包括水喷砂处理微调步骤：在水喷砂处理步骤中，根据水喷砂对于所述钽坩埚部件的冲扫效果，调整喷砂压力，砂材型号，砂材和水的混合比。
所述钽坩埚外观及粗糙度检测具体合格标准为：所述钽坩埚外观呈现出明亮的金属光泽，钽坩埚粗糙度Ra值为0.3微米。
在去离子水冲洗步骤中，同时还配合对钽坩埚部件进行超声波清洗和氮气吹扫。
实施例3
本发明另一实施例提供的一种OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法，包括如下步骤:
将蒸镀使用后钽坩埚内表面及外表面的膜层去除，使本体和印记显露出来；
根据所述钽坩埚部件的尺寸结构，选取对应的水喷砂设备；
依据钽坩埚的精度要求及结构特征，选取对应的砂材和喷砂压力进行水喷砂处理；
将经过水喷砂处理钽坩埚进行外观及粗糙度检测；
将检测合格后的钽坩埚进行去离子水冲洗。
所述砂材的材质为三氧化铝。
所述水喷砂处理的具体条件为：所述砂材型号为220#，喷砂压力为3Kg/cm2，砂材和水的比例为1:10，喷嘴距离所述钽坩埚的距离为10cm，对所述钽坩埚表面均匀冲扫。
本方法还包括水喷砂处理微调步骤：在水喷砂处理步骤中，根据水喷砂对于所述钽坩埚部件的冲扫效果，调整喷砂压力，砂材型号，砂材和水的混合比。
所述钽坩埚外观及粗糙度检测具体合格标准为：所述钽坩埚外观呈现出明亮的金属光泽，钽坩埚粗糙度Ra值为0.8微米。
在去离子水冲洗步骤中，同时还配合对钽坩埚部件进行超声波清洗和氮气吹扫。
实施例4
本发明另一实施例提供的一种OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法，包括如下步骤:
将蒸镀使用后钽坩埚内表面及外表面的膜层去除，使本体和印记显露出来；
根据所述钽坩埚部件的尺寸结构，选取对应的水喷砂设备；
依据钽坩埚的精度要求及结构特征，选取对应的砂材和喷砂压力进行水喷砂处理；
将经过水喷砂处理钽坩埚进行外观及粗糙度检测；
将检测合格后的钽坩埚进行去离子水冲洗。
所述砂材的材质为三氧化铝。
所述水喷砂处理的具体条件为：所述砂材型号为220#，喷砂压力为3Kg/cm2，砂材和水的比例为1:10，喷嘴距离所述钽坩埚的距离为7.5cm，对所述钽坩埚表面均匀冲扫。
本方法还包括水喷砂处理微调步骤：在水喷砂处理步骤中，根据水喷砂对于所述钽坩埚部件的冲扫效果，调整喷砂压力，砂材型号，砂材和水的混合比。
所述钽坩埚外观及粗糙度检测具体合格标准为：所述钽坩埚外观呈现出明亮的金属光泽，钽坩埚粗糙度Ra值为0.5微米。
在去离子水冲洗步骤中，同时还配合对钽坩埚部件进行超声波清洗和氮气吹扫。
如上所述即为本发明的实施例。前文所述为本发明的各个优选实施例，各个优选实施例中的优选实施方式如果不是明显自相矛盾或以某一优选实施方式为前提，各个优选实施方式都可以任意叠加组合使用，所述实施例以及实施例中的具体参数仅是为了清楚表述发明人的发明验证过程，并非用以限制本发明的专利保护范围，本发明的专利保护范围仍然以其权利要求书为准，凡是运用本发明的说明书内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法，其特征在于,包括如下步骤:
将蒸镀使用后钽坩埚内表面及外表面的膜层去除，使本体和印记显露出来；
根据所述钽坩埚部件的尺寸结构，选取对应的水喷砂设备；
依据钽坩埚的精度要求及结构特征，选取对应的砂材和喷砂压力进行水喷砂处理；
将经过水喷砂处理钽坩埚进行外观及粗糙度检测；
将检测合格后的钽坩埚进行去离子水冲洗。
2.如权利要求1所述的OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法，其特征在于，
所述砂材的粒径为50～80微米,砂材的材质为三氧化铝或二氧化硅。
3.如权利要求2所述的OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法，其特征在于，所述水喷砂处理的具体条件为：所述砂材型号为220#，喷砂压力为3Kg/cm2，砂材和水的比例为1:10，喷嘴距离所述钽坩埚的距离为5～10cm，对所述钽坩埚表面均匀冲扫。
4.如权利要求1所述的OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法，其特征在于，本方法还包括水喷砂处理微调步骤：在水喷砂处理步骤中，根据水喷砂对于所述钽坩埚部件的冲扫效果，调整喷砂压力，砂材型号，砂材和水的混合比。
5.如权利要求1所述的OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法，其特征在于，
所述钽坩埚外观及粗糙度检测具体合格标准为：所述钽坩埚外观呈现出明亮的金属光泽，钽坩埚粗糙度Ra值为0.3～0.8微米。
6.如权利要求1所述的OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法，其特征在于，在去离子水冲洗步骤中，同时还配合对钽坩埚部件进行超声波清洗和氮气吹扫。
7.如权利要求1所述的OLED蒸镀设备钽坩埚表面材料残留物的清洗方法，其特征在于，所述膜层去除的具体处理手段为:冲洗、打磨等物理方法或药水浸泡的化学方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111871950A (zh) * 2020-07-27 2020-11-03 安徽富乐德科技发展股份有限公司 一种半导体离子注入装置石墨部件表面处理装置和工艺
CN112718692A (zh) * 2020-12-09 2021-04-30 四川富乐德科技发展有限公司 一种OLED坩埚部品LiF结晶物的清洗方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030203707A1 (en) * 1998-12-04 2003-10-30 Farrow Nigel Richard Method for removing surface coatings
CN201971741U (zh) * 2010-12-28 2011-09-14 济宁润鹏光伏科技有限公司 石英坩埚清洗装置
CN102515555A (zh) * 2011-11-30 2012-06-27 周燕平 一种石英坩埚表面处理方法
CN103056605A (zh) * 2012-11-28 2013-04-24 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 一种高密度钼坩埚的制备方法
CN106363535A (zh) * 2016-08-25 2017-02-01 安徽鼎节能科技有限公司 锅体内壁打磨方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030203707A1 (en) * 1998-12-04 2003-10-30 Farrow Nigel Richard Method for removing surface coatings
CN201971741U (zh) * 2010-12-28 2011-09-14 济宁润鹏光伏科技有限公司 石英坩埚清洗装置
CN102515555A (zh) * 2011-11-30 2012-06-27 周燕平 一种石英坩埚表面处理方法
CN103056605A (zh) * 2012-11-28 2013-04-24 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 一种高密度钼坩埚的制备方法
CN106363535A (zh) * 2016-08-25 2017-02-01 安徽鼎节能科技有限公司 锅体内壁打磨方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111871950A (zh) * 2020-07-27 2020-11-03 安徽富乐德科技发展股份有限公司 一种半导体离子注入装置石墨部件表面处理装置和工艺
CN112718692A (zh) * 2020-12-09 2021-04-30 四川富乐德科技发展有限公司 一种OLED坩埚部品LiF结晶物的清洗方法

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