CN111384122B - 具有高孔径比的电致发光照明装置 - Google Patents
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- CN111384122B CN111384122B CN201911326370.3A CN201911326370A CN111384122B CN 111384122 B CN111384122 B CN 111384122B CN 201911326370 A CN201911326370 A CN 201911326370A CN 111384122 B CN111384122 B CN 111384122B
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 15
- 239000013039 cover film Substances 0.000 claims description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 135
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- -1 ti/Al/Ti) Chemical compound 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
- F21V23/001—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electrical wires or cables
- F21V23/002—Arrangements of cables or conductors inside a lighting device, e.g. means for guiding along parts of the housing or in a pivoting arm
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- H—ELECTRICITY
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
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- H—ELECTRICITY
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
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- F21Y2115/15—Organic light-emitting diodes [OLED]
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- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
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Abstract
本公开涉及一种具有高孔径比的电致发光照明装置。本公开提供了一种电致发光照明装置,该电致发光照明装置包括:基板,其包括发光区域以及围绕发光区域的非发光区域;电源线,其设置在发光区域中并限定开放区域;缓冲层,其覆盖电源线;发光元件,其在缓冲层上设置在开放区域中;链接电极,其在缓冲层上与电源线交叠,并具有连接到发光元件的第一端以及连接到电源线的第二端;钝化层,其在电源线的宽度内沉积,覆盖链接电极;发光层,其覆盖发光区域;以及阴极层,其在发光层上覆盖发光区域。
Description
技术领域
本公开涉及具有高孔径比的电致发光照明装置。特别地,本公开涉及一种包括有机发光元件并具有高孔径比的电致发光照明装置。
背景技术
最近,基于有机发光装置的许多优点和/或长处,已积极地进行了一系列研究以使用有机发光元件作为照明装置或显示装置的光源。例如,应用有机发光元件的面光源和/或点光源被应用于车辆的照明系统,例如内部气氛灯、前照灯、雾灯、伸缩式灯、车灯、数字灯、尾灯、刹车灯、转向信号灯等。
当有机发光元件被应用于照明装置时,有必要具有根据其应用环境抵御可从外部渗入的诸如水分和氧的异物的鲁棒结构。另外,由于有机发光元件本身中发生的光量的损失,发光效率可能劣化。因此,为了将有机发光元件应用于照明装置,有必要开发一种保护元件免受外部环境影响并改进发光效率和孔径比的结构。
发明内容
为了解决上述问题,本公开的目的在于提供一种具有增强的孔径比和改进的发光效率的电致发光照明装置。本公开的另一目的在于提供一种具有增强的稳定性和延长的寿命的高孔径电致发光照明装置。
为了实现上述目的,本公开提供了一种电致发光照明装置,该电致发光照明装置包括:基板,其包括发光区域以及围绕发光区域的非发光区域;电源线,其设置在发光区域中并限定开放区域;缓冲层,其覆盖电源线;发光元件,其设置在缓冲层上的开放区域中;链接电极,其在缓冲层上与电源线交叠,并具有连接到发光元件的第一端和连接到电源线的第二端;钝化层,其在电源线的宽度内沉积,覆盖链接电极;发光层,其覆盖发光区域;以及阴极层,其在发光层上覆盖发光区域。
在一个实施方式中,电源线具有围绕开放区域的网形状;并且开放区域具有多边形形状并以与电源线的宽度对应的预定距离与邻近开放区域分离开。
在一个实施方式中,发光元件包括:第一电极,其比开放区域大;发光层,其沉积在第一电极上;以及第二电极,其在阴极层的区域当中由开放区域限定。
在一个实施方式中,链接电极具有与电源线的中间部分交叠的区段形状;第一端从第一电极延伸;并且第二端通过穿透缓冲层的像素接触孔连接到电源线。
在一个实施方式中,钝化层在发光层下方覆盖整个链接电极和像素接触孔,并覆盖第一电极的外周。
在一个实施方式中,钝化层具有设置在第一电极的外周与开放区域的外周之间的边界,并暴露开放区域。
在一个实施方式中,该电致发光照明装置还包括:布线,其连接到电源线,并且设置在非发光区域处围绕发光区域;第一焊盘,其设置在非发光区域的一侧并且连接到布线;以及第二焊盘,其设置在非发光区域的另一侧并且与布线分离,并且具有连接到阴极层的端部。
在一个实施方式中,阴极层形成在覆盖第二焊盘的端部的缓冲层上,并且通过暴露第二焊盘的端部的焊盘接触孔连接到第二焊盘。
在一个实施方式中,该电致发光照明装置还包括:封装层,其覆盖具有发光元件的发光区域;覆盖膜,其设置在封装层上;以及粘合剂,其将封装层附接到覆盖膜。
根据本公开的电致发光照明装置具有新的结构,其中电源线与阳极电极交叠,不是直接接触,而是隔着绝缘缓冲层层叠。另外,由于通过对阳极层进行构图而形成的短路保护结构被设置为与辅助电源线交叠,所以孔径比可最大化。此外,利用在焊盘区域处不存在阳极层的结构,根据本公开的照明装置的结构适合于柔性照明装置并增强元件的稳定性。
附图说明
附图被包括以提供本公开的进一步理解,并且被并入本申请并构成本申请的一部分,附图示出了本公开的实施方式并与说明书一起用来说明本公开的原理。附图中:
图1是示出根据本公开的一个实施方式的电致发光照明装置的平面图。
图2是示出根据本公开的一个实施方式的电致发光照明装置的发光区域中排列的像素的一个示例的放大平面图。
图3是沿着图1的切割线I-I’和图2的切割线II-II’截取的横截面图,示出根据本公开的一个实施方式的电致发光照明装置的结构。
图4是沿着图1的切割线I-I’和图2的切割线II-II’截取的横截面图,示出根据本公开的另一实施方式的电致发光照明装置的结构。
图5是沿着图1的切割线I-I’和图2的切割线II-II’截取的横截面图,示出根据本公开的另一实施方式的电致发光照明装置的结构。
具体实施方式
现在将详细参照本公开的示例性实施方式,其示例示出于附图中。只要可能,贯穿附图将使用相同的标号来指代相同或相似的部分。在本说明书中,应该注意的是,已经在其它附图中用于表示相似元件的相似标号只要可能就用于元件。在以下描述中,当本领域技术人员已知的功能和配置与本公开的基本配置无关时,其详细描述将被省略。本说明书中所描述的术语应该如下理解。本公开的优点和特征及其实现方法将通过参照附图描述的以下实施方式而变得清楚。然而,本公开可按照不同的形式具体实现,不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反,提供这些实施方式是为了本公开将彻底和完整,并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。此外,本公开仅由权利要求书的范围限定。
附图中所公开的用于描述本公开的实施方式的形状、尺寸、比例、角度和数量仅是示例,因此,本公开不限于所示的细节。相同标号将始终指代相同元件。在以下描述中,当相关已知功能或配置的详细描述被确定为使本公开的重点不必要地模糊时,所述详细描述将被省略。
在使用本说明书中所描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下,除非使用“仅”,否则也可存在另一部分。除非相反指出,否则单数形式的术语可包括多数形式。
在解释元件时,尽管没有明确描述,但该元件被解释为包括误差区域。
在描述位置关系时,例如,当位置顺序被描述为在…“上”、“上方”、“下方”和“旁边”时,除非使用“紧挨”或“直接”,否则可包括其间没有接触的情况。如果提及第一元件被定位在第二元件“上”,则并非意指在图中第一元件基本上定位在第二元件上方。有关对象的上部和下部可根据对象的取向而改变。因此,在图中或在实际配置中,第一元件被定位在第二元件“上”的情况包括第一元件被定位在第二元件“下方”的情况以及第一元件被定位在第二元件“上方”的情况。
在描述时间关系时,例如,当时间顺序被描述为“在~之后”、“随~之后”、“接着~”以及“在~之前”时,除非使用“紧挨”或“直接”,否则可包括不连续的情况。
将理解,尽管本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件相区分。例如,在不脱离本公开的范围的情况下,第一元件可被称为第二元件,类似地,第二元件可被称为第一元件。
应该理解,术语“至少一个”包括与任一个项有关的所有组合。例如,“第一元件、第二元件和第三元件当中的至少一个”可包括选自第一元件、第二元件和第三元件的两个或更多个元件的所有组合以及第一元件、第二元件和第三元件中的各个元件。
如本领域技术人员可充分理解的,本公开的各种实施方式的特征可部分地或全部地彼此联接或组合,并且可不同地彼此互操作并且在技术上驱动。本公开的实施方式可彼此独立地实现,或者可按照互相依赖的关系一起实现。
以下,参照图1和图2,将说明根据本公开的第一实施方式的电致发光照明装置。图1是示出根据本公开的一个实施方式的电致发光照明装置的平面图。图2是沿着图1的切割线I-I’截取的横截面图,示出根据本公开的一个实施方式的电致发光照明装置的结构。在此实施方式中,照明装置是有机电致发光照明装置,但不限于此。
参照图1,根据本公开的电致发光照明装置包括基板SUB、布线RT、电源线PL、阳极层ANO、阴极层CAT、发光元件、第一焊盘和第二焊盘。
作为基础基板(或基层),基板SUB包括塑料材料或玻璃材料。照明装置可具有适合于功能目的的各种形状和性质。因此,优选的是基板SUB具有适合于其功能和目的的特性。例如,基板SUB可由不透明材料形成以在基板SUB的仅一个方向上提供光,或者可由透明材料形成以在基板SUB的两个方向上提供光。在一个示例中,对于底部发射型或双向发射型的情况,优选的是基板SUB由透明材料制成。
在一个示例中,在平面图中,基板SUB可具有矩形形状、各个角以特定曲率半径呈圆形的圆角矩形形状、具有至少5个边的非正方形形状、圆形形状或椭圆形形状。
基板SUB可包括发光区域AA和非发光区域IA。发光区域AA设置在基板SUB的最中间部分中,其可被定义为用于发射光的区域。在一个示例中,在平面图中,发光区域AA可具有矩形形状、圆角矩形形状以及具有至少5个边的非矩形形状。
非发光区域IA设置在基板SUB的外周区域中以围绕发光区域AA,其可被定义为不从其提供光的区域。在一个示例中,非发光区域IA可包括设置在基板SUB的第一侧的第一非发光区域IA1、设置在平行于第一非发光区域IA1的第二侧的第二非发光区域IA2、设置在垂直于第一非发光区域IA1的第三侧的第三非发光区域IA3以及设置在平行于第三非发光区域IA3的第四侧的第四非发光区域IA4。详细地,第一非发光区域IA1可设定在基板SUB的上侧(或下侧),第二非发光区域IA2可设定在基板SUB的下侧(或上侧),第三非发光区域IA3可设定在基板SUB的左侧(或右侧),第四非发光区域IA4可设定在基板SUB的右侧(或左侧)。但不限于此。
布线RT可被布置为围绕基板SUB的边缘/外周。布线RT设置在非发光区域IA处并且可具有围绕发光区域AA的闭合曲线形状(例如,矩形带形状)。布线RT是用于向发光区域AA供应电力的电布线。例如,布线RT可以是用于供应(+)电源电压的线。
电源线PL在发光区域AA中设置为具有网格图案或条带图案。图1示出电源线PL形成为包括具有开放区域的多个网的情况,但不限于此。电源线PL可以是从设置在非发光区域IA中的布线RT到发光区域AA分支/延伸的线,并且在基板SUB的整个表面上均匀地分布。由电源线PL的网/网格形状/图案限定的开放区域被定义为用于提供光的单个/单元发光区域。因此,电源线PL的形状或图案可限定单元发光区域的形状。
阳极层ANO层叠在基板SUB上覆盖发光区域AA。特别地,阳极层ANO可隔着缓冲层(未示出)覆盖布线RT和电源线PL。例如,阳极层ANO可沉积在基板SUB上,使得其表面积等于或大于发光区域AA的表面积。
阴极层CAT层叠在基板SUB上覆盖发光区域AA。阴极层CAT可设置在发光区域AA上以及非发光区域IA的一些部分上。阴极层CAT可形成为具有与发光区域AA相同的表面积或者比发光区域AA略大的面积。
发光元件ED可形成在由电源线PL限定的单元发光区域处。发光元件ED可包括第一电极AE、发光层(图1中未示出)和第二电极(图1中未示出)。第一电极可以是形成为与单元发光区域对应的导电层。例如,第一电极可由诸如铟锡氧化物或铟锌氧化物的透明导电材料制成。发光层沉积在第一电极AE上。第二电极沉积在发光层上。第二电极可以是阴极层CAT的与单元发光区域对应的一些部分,其中,阴极层CAT形成在发光区域AA的整个区域上。
第一焊盘AP可设置在非发光区域IA的一部分上。例如,第一焊盘AP可设置在第一非发光区域IA1的一侧。第一焊盘AP可被制成与布线RT成一体。第一焊盘AP可以是用于向布线RT和电源线PL供应驱动电力的电端子焊盘。
第二焊盘CP可形成在非发光区域IA的另一部分处。例如,第二焊盘CP可设置在具有第一焊盘AP的第一非发光区域IA1的相对侧。第二焊盘CP可形成为与布线RT物理隔离和电隔离的岛形状。第二焊盘CP可由与布线RT、电源线PL和第一焊盘AP相同的材料形成并与布线RT、电源线PL和第一焊盘AP在同一层。然而,第二焊盘CP应该与布线RT分离。第二焊盘CP可以是用于向阴极层CAT供应公共电压的电端子焊盘。例如,阴极层CAT可通过覆盖第二焊盘CP的一些部分的缓冲层(未示出)处形成的焊盘接触孔CH物理连接到第二焊盘CP。
以下,参照图2,将说明设置在发光区域AA处的发光元件ED的结构。图2是示出根据本公开的一个实施方式的电致发光照明装置的发光区域中排列的像素的一个示例的放大平面图。
首先,利用图2,将说明发光元件ED的平面结构。参照图2,发光元件ED可包括第一电极AE和链接电极LE。可通过将透明导电材料沉积在基板SUB上并构图来形成第一电极AE和链接电极LE。即,第一电极AE和链接电极LE可被配置成一体。第一电极AE和链接电极LE可形成为在覆盖发光区域AA的整个表面的缓冲层(未示出)上与电源线PL交叠。
第一电极AE可具有比开放区域OP大的尺寸,以覆盖由电源线PL限定的整个开放区域OP。例如,当开放区域OP具有矩形形状时,第一电极AE可具有与开放区域OP对应的矩形形状并且具有略大于开放区域OP的尺寸。
链接电极LE可形成为与电源线PL交叠。例如,链接电极LE可具有与位于开放区域OP的一侧的电源线PL的中间部分交叠的区段形状。链接电极LE的第一端可连接到第一电极AE。链接电极LE的第二端可连接到电源线PL。在一个示例中,链接电极LE的第二端可通过覆盖电源线PL的缓冲层(未示出)处形成的像素接触孔PH来连接到电源线PL。像素接触孔PH和链接电极LE可设置在电源线PL的区域内。
链接电极LE可以是具有区段形状并将第一电极AE和电源线PL连接的连接器。链接电极LE可以是用于从电源线PL向第一电极AE供应电源电压的通路。作为细线,其可起到电阻的作用。即,当任何单元像素P的第一电极AE处可能发生短路问题时,链接电极LE可控制过量的电流。当电流过多地集中在具有短路问题的像素上时,链接电极LE可向熔丝那样断开,从而可防止短路问题影响邻近像素。
链接电极LE和像素接触孔PH可由钝化层PAS覆盖。图2所示的虚线意指钝化层PAS的边界。钝化层PAS可具有面积比电源线PL所限定的开放区域OP大的孔径。然而,钝化层PAS的孔径具有比第一电极AE小的面积。
发光层(未示出)设置在具有第一电极AE和链接电极LE的基板SUB上覆盖整个发光区域AA。在发光层上,阴极层CAT被沉积为覆盖整个发光区域AA。阴极层CAT的与电源线PL所限定的开放区域OP对应的部分被定义为第二电极(未示出)。结果,由电源线PL限定的开放区域OP具有包括第一电极AE、发光层和第二电极的发光元件ED。
可经由第一焊盘AP供应驱动电压。通过从第一焊盘AP延伸的布线RT向电源线PL供应电源电压。从电源线PL供应的驱动电压通过像素接触孔PH施加到链接电极LE。最后,驱动电压从链接电极LE供应给第一电极AE。
第二焊盘CP的与发光区域AA邻近的一些部分由缓冲层覆盖。第二焊盘CP可经由覆盖第二焊盘CP的缓冲层处形成的焊盘接触孔CH连接到阴极层CAT。公共电压可被供应给第二焊盘CP。公共电压被供应给连接到第二焊盘CP的阴极层CAT,然后施加到第二电极(阴极层CAT的一部分)。
以下,参照图3,将说明根据本公开的电致发光照明装置的横截面结构。由于横截面图可示出平面图中未示出的部分,所以利用图1和图2,可容易地理解照明装置的完整结构。图3是沿着图1的切割线I-I’和图2的切割线II-II’截取的横截面图,示出根据本公开的一个实施方式的电致发光照明装置的结构。沿切割线II-II’截取的横截面图示出沿切割线I-I’截取的单元发光区域的一些部分。
参照图3,根据本公开的电致发光照明装置包括基板SUB、第一焊盘AP、布线RT、电源线PL、第二焊盘CP、缓冲层MB、第一电极AE、钝化层PAS、发光层EL、阴极层CAT、封装层EN和粘合剂(或端面密封)FS和覆盖膜CF。
基板SUB可包括发光区域AA以及围绕发光区域AA的非发光区域IA。作为基础基板(或基层),基板SUB包括塑料材料或玻璃材料。例如,基板SUB可包括不透明或彩色聚酰亚胺材料。基板SUB可包括柔性基板或刚性基板。例如,柔性基板SUB可由玻璃材料制成,可以是厚度为100微米或更小的减薄玻璃基板,或者可以是厚度为100微米或更小的蚀刻玻璃基板。
在基板SUB的上表面上,由金属材料形成第一焊盘AP、布线RT、电源线PL和第二焊盘CP。第一焊盘AP、布线RT和电源线PL被制成彼此连接的一体。第二焊盘CP可被构图以与第一焊盘AP、布线RT和电源线PL分离。
布线RT可形成在非发光区域IA处围绕发光区域AA的外周。电源线PL连接到布线RT,并具有在发光区域AA内具有以矩阵方式排列的多个开放区域OP的网格或网形状。第一焊盘AP和第二焊盘CP可在第一非发光区域IA1内彼此分离开预定距离设置在一侧和另一侧。
缓冲层MB可沉积在基板SUB的具有第一焊盘AP、布线RT、电源线PL和第二焊盘CP的上表面上。在一个示例中,缓冲层MB可包括彼此交替地层叠的多个无机层。例如,缓冲层MB可形成为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)的至少一个无机层交叠地层叠的多层结构。在另一示例中,缓冲层MB可形成为层叠有机层和无机层中的至少两个。
在缓冲层MB上,通过沉积导电材料并进行构图,形成链接电极LE和第一电极AE。这里,导电材料可包括可使光通过的透明导电材料或半透明导电材料。在一个示例中,透明导电材料可包括铟锡氧化物或铟锌氧化物。在其它示例中,半透明导电材料还可包括镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金。
链接电极LE的一端可通过像素接触孔PH连接到电源线PL。第一电极AE可具有比电源线PL之间限定的开放区域OP略大的尺寸。第一电极AE可连接到链接电极LE的另一端。
钝化层PAS沉积在链接电极LE上。钝化层PAS可形成为具有比链接电极LE宽并且比电源线PL窄的宽度。优选的是,钝化层PAS覆盖第一电极AE的外周区域,但不超过电源线PL的宽度。
发光层EL可沉积在钝化层PAS和第一电极AE上。优选的是,发光层EL形成为具有覆盖发光区域AA的整个表面的薄层的一体。例如,发光层EL可包括垂直地层叠的至少两个发光部分以用于辐射白色光。又如,发光层EL可包括第一发光部分和第二发光部分以用于通过将第一颜色光和第二颜色光混合来辐射白光。这里,第一发光部分可包括蓝色发光部分、绿色发光部分、红色发光部分、黄色发光部分和黄绿色发光部分中的任一个以发射第一颜色光。同时,第二发光部分可包括蓝色发光部分、绿色发光部分、红色发光部分、黄色发光部分和黄绿色发光部分当中的任一个,以发射与第一颜色光具有互补关系的第二颜色光。
阴极层CAT沉积在发光层EL上。阴极层CAT可覆盖发光区域AA的整个表面。例如,阴极层CAT可具有比发光层EL略大的面积。另外,一些阴极层CAT可扩展到第二焊盘CP以通过暴露第二焊盘CP的一部分的焊盘接触孔CH连接第二焊盘CP。
阴极层CAT可由具有优异反射性质的金属材料制成。例如,阴极层CAT可包括多层结构,例如铝和钛的层叠结构(即,Ti/Al/Ti)、铝和ITO(铟锡氧化物)的层叠结构(即,ITO/Al/ITO)、APC合金(Ag/Pd/Cu)以及APC合金和ITO的层叠结构(即,ITO/APC/ITO)。或者,阴极层CAT可包括具有银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)或钡(Ba)当中的任一种材料或者两种或更多种的合金材料的单层结构。
在阴极层CAT当中,与第一电极AE交叠(即,与电源线PL所限定的开放区域OP交叠)的一些区域可被定义为第二电极CE。因此,在开放区域OP内依次层叠并彼此面对面接触的第一电极AE、发光层EL和第二电极CE形成为发光元件(或发光二极管)ED。
封装层EN可沉积在具有发光元件ED的基板SUB上。封装层EN可包括单层材料或多层材料。在一个示例中,封装层EN可包括第一无机层、在第一无机层上的有机层以及在有机层上的第二无机层。无机层用于防止诸如水分和氧的异物侵入发光元件ED中。在一个示例中,无机层可包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛等中的至少任一种。无机层可通过化学气相沉积方法或原子层沉积方法来形成。
在一个示例中,有机层可由诸如碳氧化硅(SiOC)、丙烯酸(acryl)或环氧树脂的有机树脂材料形成。有机层可通过诸如喷墨方法或狭缝涂覆方法的涂覆方法形成。
封装层EN可覆盖所有发光区域AA和一些非发光区域IA。然而,优选的是,封装层EN不覆盖第一焊盘AP和第二焊盘CP以暴露它们。
在封装层EN上,可设置或附接覆盖膜CF。覆盖膜CF可以是包括金属材料的厚膜。为了将覆盖膜CF附接到封装层EN,可使用粘合剂FS。优选的是,覆盖膜CF暴露第一焊盘AP和第二焊盘CP。
以下,参照图4,将说明本公开的另一实施方式。图4是沿着图1的切割线I-I’和图2的切割线II-II’截取的横截面图,示出根据本公开的另一实施方式的电致发光照明装置的结构。
根据本公开的另一实施方式的电致发光照明装置的基本结构与上面说明的一个实施方式的基本结构相同或非常相似。差异可在于在横截面图中还包括一些附加层。
参照图4,根据另一实施方式的电致发光照明装置可包括基板SUB、光提取层LL、第一焊盘AP、布线RT、电源线PL、第二焊盘CP、缓冲层MB、第一电极AE、钝化层PAS、发光层EL、阴极层CAT、封装层EN、粘合剂FS和覆盖膜CF。与图3相比,图4示出在基板SUB和布线RT之间还包括光提取层LL。
基板SUB可包括发光区域AA以及围绕发光区域AA的非发光区域IA。在基板SUB的整个表面上,沉积光提取层LL。
光提取层LL可包括具有高电阻的有机材料以及分散在有机材料中的多个光散射颗粒。另外,光提取层LL还可包括具有高折射率的多个颗粒,以将来自发光层EL的光有效地辐射到外部。当从发光层EL生成的光可被阴极层CAT反射并辐射向底侧时,可通过光提取层LL来增强光效率。其它元件与上述实施方式相同,因此可省略重复的说明。
以下,参照图5,将说明本公开的另一实施方式。图5是沿着图1的切割线I-I’和图2的切割线II-II’截取的横截面图,示出根据本公开的另一实施方式的电致发光照明装置的结构。
在本公开的另一实施方式中,如图5所示,光提取层LL沉积在基板SUB上,并且形成由金属材料制成的第一焊盘AP、布线RT、电源线PL和第二焊盘CP。特别地,优选的是,第一焊盘AP、布线RT、电源线PL和第二焊盘CP可包括诸如铜(Cu)的低电阻材料。
诸如铜的材料具有相对低的电阻,以使得它非常适合应用于电源线PL和布线RT。然而,当铜直接沉积在光提取层LL上时,铜层可能被氧化,然后其性质劣化。这可能是因为光提取层LL包括有机材料并且需要热处理加工,以使得此后有较高的可能性铜材料容易地与氧接触。
另外,铜与有机材料的界面粘附性较差,以使得其可容易地剥离。为了防止这些问题,优选的是在光提取层LL上进一步沉积下缓冲层BUF。
下缓冲层BUF可包括与覆盖第一焊盘AP、布线RT、电源线PL和第二焊盘CP的缓冲层MB相同的材料。优选的是,下缓冲层BUF沉积在光提取层LL的整个表面上。
在下缓冲层BUF上,由金属材料形成第一焊盘AP、布线RT、电源线PL和第二焊盘CP。缓冲层MB可沉积在具有第一焊盘AP、布线RT、电源线PL和第二焊盘CP的基板SUB上。因此,第一焊盘AP、布线RT、电源线PL和第二焊盘CP被下缓冲层BUF和缓冲层MB围绕或夹在其间。结果,可防止第一焊盘AP、布线RT、电源线PL和第二焊盘CP的金属材料氧化,这有助于增强装置的寿命。
由于其它元件与参照图3的实施方式相同,所以省略重复的说明。
对于本领域技术人员而言将显而易见的是,在不脱离本公开的精神或范围的情况下,可对本公开进行各种修改和变化。因此,本公开旨在涵盖对本公开的这些修改和变化,只要其落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。根据上述描述,可对实施方式进行这些和其它改变。通常,在以下权利要求中,所使用的术语不应被解释为将权利要求限于说明书和权利要求中所公开的特定实施方式,而是应该被解释为包括所有可能的实施方式以及这些权利要求有权享有的等同物的全部范围。因此,权利要求不由本公开限制。
Claims (9)
1.一种电致发光照明装置,该电致发光照明装置包括:
基板,该基板包括发光区域以及围绕所述发光区域的非发光区域;
电源线,该电源线设置在所述发光区域中并限定开放区域;
缓冲层,该缓冲层覆盖所述电源线;
发光元件,该发光元件在所述缓冲层上设置在所述开放区域中;
链接电极,该链接电极在所述缓冲层上与所述电源线交叠,并且具有连接到所述发光元件的第一端以及连接到所述电源线的第二端;
钝化层,该钝化层在所述电源线的宽度内沉积,覆盖所述链接电极;
发光层,该发光层覆盖所述发光区域;以及
阴极层,该阴极层在所述发光层上覆盖所述发光区域。
2.根据权利要求1所述的电致发光照明装置,其中,所述电源线具有围绕所述开放区域的网形状;并且
其中,所述开放区域具有多边形形状并且以与所述电源线的宽度对应的预定距离与邻近开放区域分离开。
3.根据权利要求1所述的电致发光照明装置,其中,所述发光元件包括:
比所述开放区域大的第一电极;
沉积在所述第一电极上的所述发光层;以及
所述阴极层的区域当中由所述开放区域限定的第二电极。
4.根据权利要求3所述的电致发光照明装置,其中,所述链接电极具有与所述电源线的中间部分交叠的区段形状;
其中,所述第一端从所述第一电极延伸;并且
其中,所述第二端通过穿透所述缓冲层的像素接触孔连接到所述电源线。
5.根据权利要求4所述的电致发光照明装置,其中,所述钝化层在所述发光层下方覆盖整个所述链接电极和所述像素接触孔,并且覆盖所述第一电极的外周。
6.根据权利要求5所述的电致发光照明装置,其中,所述钝化层具有设置在所述第一电极的外周和所述开放区域的外周之间的边界,并且暴露所述开放区域。
7.根据权利要求1所述的电致发光照明装置,该电致发光照明装置还包括:
布线,该布线连接到所述电源线,并且设置在所述非发光区域处围绕所述发光区域;
第一焊盘,该第一焊盘设置在所述非发光区域的一侧并且连接到所述布线;以及
第二焊盘,该第二焊盘设置在所述非发光区域的另一侧并与所述布线分离,并且具有连接到所述阴极层的端部。
8.根据权利要求7所述的电致发光照明装置,其中,所述阴极层形成在覆盖所述第二焊盘的端部的所述缓冲层上,并且通过暴露所述第二焊盘的端部的焊盘接触孔连接到所述第二焊盘。
9.根据权利要求1所述的电致发光照明装置,该电致发光照明装置还包括:
封装层,该封装层覆盖具有所述发光元件的所述发光区域;
覆盖膜,该覆盖膜设置在所述封装层上;以及
粘合剂,该粘合剂将所述封装层附接到所述覆盖膜。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2018-0172872 | 2018-12-28 | ||
KR1020180172872A KR102607781B1 (ko) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | 고 개구율 전계 발광 조명장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111384122A CN111384122A (zh) | 2020-07-07 |
CN111384122B true CN111384122B (zh) | 2023-05-23 |
Family
ID=71123782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911326370.3A Active CN111384122B (zh) | 2018-12-28 | 2019-12-20 | 具有高孔径比的电致发光照明装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11242984B2 (zh) |
KR (1) | KR102607781B1 (zh) |
CN (1) | CN111384122B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102435406B1 (ko) | 2020-07-03 | 2022-08-24 | 현대모비스 주식회사 | 카메라 내장 램프의 비동기 제어 시스템 및 방법 |
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2018
- 2018-12-28 KR KR1020180172872A patent/KR102607781B1/ko active IP Right Grant
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2019
- 2019-12-20 CN CN201911326370.3A patent/CN111384122B/zh active Active
- 2019-12-26 US US16/727,728 patent/US11242984B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3244467A1 (en) * | 2016-05-12 | 2017-11-15 | LG Display Co., Ltd. | Method of manufacturing connection structure connecting cathode electrode to auxiliary cathode electrode and organic light-emitting diode display device using the same |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200082357A (ko) | 2020-07-08 |
KR102607781B1 (ko) | 2023-11-28 |
US20200208821A1 (en) | 2020-07-02 |
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CN111384122A (zh) | 2020-07-07 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |