CN111370367A - 一种显示面板及制作方法 - Google Patents

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CN111370367A CN202010226741.7A CN202010226741A CN111370367A CN 111370367 A CN111370367 A CN 111370367A CN 202010226741 A CN202010226741 A CN 202010226741A CN 111370367 A CN111370367 A CN 111370367A
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陈宇怀
黄志杰
苏智昱
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Fujian Huajiacai Co Ltd
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Abstract

本发明公布一种显示面板及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：制作显示面板的内部膜层；在内部膜层上制作凹凸结构，凹凸结构用于将入射到显示面板内的光线形成漫反射。上述技术方案可以改善显示面板的画面显示效果，提高有机发光层发光效率，提高显示面板的使用寿命，提高显示面板的对比度。

Description

一种显示面板及制作方法
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种显示面板及制作方法。
背景技术
随着显示技术的日益发展，各种新型技术不断涌现，透明显示技术因其透明的显示面板这一特性及其独特的应用，越来越受到人们的关注。AMOLED面板其自发光的特性使得在透明显示上拥有更多的可能性，但是由于AMOLED面板电路结构复杂，环境光线的反射势必造成透明的显示面板的对比度进一步下降，而通过在AMOLED封装基板上设置圆偏振片可以过滤环境反射光线，但目前圆偏振片光线透过率不超过50％，面板透明度大幅下降，在画素不显示的情况下无法达到高度透明的效果。如何在不牺牲面板透明度的情况下提高面板的显示效果，需要进一步解决。
发明内容
为此，需要提供一种显示面板及制作方法，解决显示面板透明度不足的问题。
为实现上述目的，发明人提供了一种显示面板，包括如下步骤：
制作显示面板的内部膜层；
在内部膜层上制作凹凸结构，凹凸结构用于将入射到显示面板内的光线形成漫反射。
进一步地，在制作显示面板的内部膜层时，还包括如下步骤：
制作内部膜层中的第一绝缘层，在第一绝缘层表面制作凹凸结构；或者：
制作内部膜层中的第一金属层，在第一金属层表面制作凹凸结构；或者：
制作内部膜层中的第二绝缘层，在第二绝缘层表面制作凹凸结构；或者：
制作内部膜层中的第二金属层，在第二金属层表面制作凹凸结构；或者：
制作内部膜层中的像素定义层，在像素定义层表面制作凹凸结构；或者：
制作内部膜层中的阴极，在阴极表面制作凹凸结构。
进一步地，凹凸结构的制作包括如下步骤：
在内部膜层上涂布光阻，使用具有半透光区的掩膜板对光阻进行图形化，掩膜板还具有透光区或者遮光区；
图形化后，半透光区对应内部膜层上凹凸结构的凹陷区域；
以光阻为掩膜蚀刻半透光区的内部膜层得到凹凸结构。
进一步地，还包括如下步骤：
透光区或者遮光区对应内部膜层上待制作孔处；
以光阻和内部膜层为掩膜蚀刻透光区或者遮光区的内部膜层得到孔。
进一步地，所述显示面板为透明显示面板。
进一步地，在显示面板上盖设有盖板，盖板的一侧设置有减反射膜。
进一步地，所述显示面板包括凹凸结构，所述凹凸结构处在内部膜层的表面，凹凸结构用于将入射到显示面板内的光线形成漫反射。
进一步地，内部膜层包括：第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、像素定义层或者阴极；
在第一绝缘层表面设置有凹凸结构；或者：在第一金属层表面设置有凹凸结构；或者：在第二绝缘层表面设置有凹凸结构；或者：在第二金属层表面设置有凹凸结构；或者：在像素定义层表面设置有凹凸结构；或者：在阴极表面设置有凹凸结构。
进一步地，所述凹凸结构设置在内部膜层表面的投影区。
进一步地，所述显示面板为透明显示面板。
区别于现有技术，上述技术方案通过在显示面板的内部膜层上设置凹凸结构，用于将镜面反射光形成漫反射，可以改善显示面板的画面显示效果，提高有机发光层发光效率，提高显示面板的使用寿命，提高显示面板的对比度。
附图说明
图1为本实施例在基板上镀上第一绝缘层材料的剖面结构示意图；
图2为本实施例使用掩模板对第一绝缘层材料进行图形化的剖面结构示意图；
图3为本实施例所述第一绝缘层上凹凸结构的结构示意图；
图4为本实施例使用半色调掩模板对第一金属层进行图形化的剖面结构示意图；
图5为本实施例所述位于第一金属层凹凸结构上的光阻的结构示意图；
图6为本实施例蚀刻多余的第一金属层的剖面结构示意图；
图7为本实施例去除第一金属层凹陷区域上的光阻的剖面结构示意图；
图8为本实施例所述第一金属层的凹凸结构的剖面结构示意图；
图9为本实施例所述第一栅极和第二栅极的剖面结构示意图；
图10为本实施例制作第二绝缘层的剖面结构示意图；
图11为本实施例制作有源层的剖面结构示意图；
图12为本实施例制作第二金属层的剖面结构示意图；
图13为本实施例制作第三绝缘层的剖面结构示意图；
图14为另一实施例制作第四绝缘层的剖面结构示意图；
图15为本实施例制作阳极的剖面结构示意图；
图16为本实施例使用半色调掩模板对像素定义层材料进行图形化的剖面结构示意图；
图17为本实施例所述像素定义层凹凸结构的剖面结构示意图；
图18为本实施例制作像素定义层的剖面结构示意图；
图19为本实施例在基板上使用掩模板对凸起层进行图形化的剖面结构示意图；
图20为本实施例所述凸起层的结构示意图；
图21为本实施例制作凸起层的结构示意图；
图22为本实施例制作有机发光层的剖面结构示意图；
图23为本实施例制作阴极的剖面结构示意图；
图24为本实施例制作封装盖板和减反射膜的剖面结构示意图；
图25为本实施例所述减反射膜材料的折射率；
图26为本实施例所述减反射膜的折射率；
图27为本实施例所述单层减反射膜和多层减反射膜的反射谱；
图28为本实施例所述光在多层减反射膜和基板上的反射图。
附图标记说明：
1、基板；
2、第一绝缘层；
3、第一金属层；
31、第一栅极；
32、第二栅极；
4、第二绝缘层；
5、第一有源层；
6、第二有源层；
7、第二金属层；
71、第一源极；
72、第一漏极；
73、第二源极；
74、第二漏极；
8、第三绝缘层；
9、阳极；
10、像素定义层；
11、有机发光层；
12、凸起层；
13、阴极；
14、透射窗口；
15、第四绝缘层；
16、封装盖板；
17、减反射膜；
A、凹凸结构；
A1、凹陷区域；
A2、凸起区域；
B、半色调掩模板；
B1、透光区；
B2、半透光区；
B3、遮光区；
C、掩模板；
C1、掩模板的透光区；
C2、掩模板的遮光区。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1至图28，本实施例提供一种显示面板制作方法，该制作方法可以在基板上制作，基板可以为现有制程工艺中常用的玻璃、透明塑料和金属箔等。首先在基板上制作显示面板的内部膜层，而后在内部膜层上制作凹凸结构，凹凸结构用于将入射到显示面板内的光线形成漫反射，可以改善显示面板的画面显示效果，提高有机发光层发光效率，提高显示面板的使用寿命，提高显示面板的对比度。
具体的，包括如下步骤：先制作显示面板的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)结构，TFT可以为顶栅结构、底栅结构、BCE结构、ESL结构(有源层上具有蚀刻阻挡层)或者其它类型的TFT结构，本申请以制作两个BCE结构的TFT为例。在基板上制作第一金属层，第一金属层一般用作TFT的栅极；请参阅图4至图9，在基板上镀上第一金属层材料，在基板上形成第一金属层。第一金属层材料可以是铝、钼、钛、镍、铜、银、铬等导电性优良金属一种或多种，以及具有相似结构的其他合金。然后在第一金属层3上涂布一层光阻，然后使用具有遮光区B3(光线透过率为0％)、透光区B1(光线透过率为100％)和半透光区B2(光线透过率为50％)的半色调掩膜板B对光阻进行曝光和显影。如涂布正性光阻时，遮光区B3对应不显影区，对应凹凸结构中凸起区域A2，半透光区B2对应半显影区，对应凹凸结构中的凹陷区域A1，透光区B1对应显影区，对应待去除的第一金属层的部位。如涂布负性光阻时，遮光区B3对应不显影区，对应待去除的第一金属层的部位，半透光区B2对应半显影区，对应凹凸结构中的凹陷区域A1，透光区B1对应显影区，对应凹凸结构中凸起区域A2。
以涂布正性光阻和使用半色调掩膜板B为例，遮光区B3对应不显影区，并对准第一金属层3上凹凸结构中凸起区域A2，半透光区B2对应半显影区，并对准凹凸结构中的凹陷区域A1，透光区B1对应显影区，并对准待第一栅极31和第二栅极32外侧的区域，结构如图4所示。显影后凹凸结构中的凹陷区域(半显影区)上的光阻厚度比凸起区域(不显影区)上的光阻厚度小，覆盖在待去除的第一金属层(显影区)上的光阻会被显影去除，结构如图5所示。然后可以采用湿法蚀刻的方式去除没有光阻覆盖的待去除的第一金属层(第一栅极和第二栅极二者之外的区域)，结构如图6所示。接着采用灰化处理去除凹凸结构中的凹陷区域A1(半显影区)上的光阻，结构如图7所示。灰化处理后，凸起区域A2(不显影区)上的光阻会有所减薄，但依然会留存并保护下方的第一金属层不被蚀刻。以光阻为掩膜蚀刻凹陷区域(半显影区)的第一金属层，并通过控制蚀刻的时间在第一金属层上形成深度不同的凹陷区域，凹陷区域的深度要浅于第一金属层的厚度，结构如图8所示。最后清除凸起区域(不显影区)上的光阻，形成上表面具有凹凸结构的第一金属层，第一金属层包括第一栅极31和第二栅极32，结构如图9所述。
要说明的是，利用半透光区可以制作内部膜层的凹凸结构，利用透光区或者遮光区的掩模板可以成型内部膜层时并在该内部膜层上制孔或者去除不需要的内部膜层。通过该凹凸结构的制作工艺，可以在第一金属层(第一栅极和第二栅极)或者其它的内部膜层上表面制作一个或多个的凹凸结构，凹凸结构的凹陷区域的截面形状可以为圆形、矩形、菱形或其它形状,而后覆盖在第一金属层的凹凸结构上的内部膜层的下表面自然也为凹凸结构。
当然可以在第一金属层(第一栅极和第二栅极)的全部上表面都制作成凹凸结构，但第一栅极和第二栅极上表面的某些区域处不被环境光线照射到，便无法将镜面反射光优化为漫反射。优选的，凹凸结构设置在第一金属层上的投影区，投影区是可以被入射到显示面板内中的环境光线照射到的区域，所以设置在投影区上的凹凸结构才可以把环境光线形成漫反射。以本申请的两个TFT为例，第一金属层上的投影区位于第一栅极和第二栅极在竖直方向可投影(投影指不被第二金属层的膜层遮挡)到阴极上的区域，如第一漏极与第二源极之间的第一栅极上表面。该投影区可以不被上方的源极/漏极及有源层遮挡住环境光线，环境光入射面板中时，第一漏极与第二源极之间的第一栅极上表面可以将镜面反射光优化为漫反射。如为一个TFT，第一金属层上的投影区为不被第二金属层和有源层遮挡住的区域。
为了把从基板方向入射到显示面板内的环境光线也优化为漫反射，可以在制作第一金属层前在基板上制作第一绝缘层，然后在第一绝缘层上制作凹凸结构，使覆盖在第一金属层的下表面也为凹凸结构，这样便可以将从基板方向入射到显示面板内的环境光也优化为漫反射。请参阅图1至图3，具体的，在基板1上镀上绝缘的材料，可以是无机氧化物或者绝缘性质的化合物，如SiOx、SiNx、氧化钛、氧化铝等材料进行单层镀膜或多层镀膜，或者其他有机绝缘材料，在基板上形成具有绝缘作用的第一绝缘层2，结构如图1所示。
而后可以在第一绝缘层2上表面制作凹凸结构，先在第一绝缘层2上涂布光阻，可以使用具有遮光区(光线透过率为0％)、透光区(光线透过率为100％)和半透光区(光线透过率为50％)的半色调掩膜板对光阻进行曝光和显影。略有差别的是，第一绝缘层一般可以全部覆盖在基板上。所以直接制作凹凸结构部分，不用去蚀刻其它的部分，便可以将半色调掩膜板替换成只具有掩模板的遮光区C2(光线透过率为0％)和掩模板的透光区C1(光线透过率为100％)的掩膜板C对光阻进行曝光和显影。
以涂布正性光阻和使用掩模板C对第一绝缘层上的光阻进行曝光和显影为例，结构如图2所示。掩模板的遮光区C2对准凹凸结构的凸起区域，掩模板的透光区C1对应凹凸结构的凹陷区域。显影后凹凸结构A中的凹陷区域A1上的光阻会被去除，凸起区域A2上的光阻保留，并保护下方的第一绝缘层2不被蚀刻。以光阻为掩膜蚀刻凹陷区域A1的第一绝缘层2，并通过控制蚀刻的时间形成深度不同的凹陷区域A1。第一绝缘层作为缓冲层，可以使覆盖在上面的第一金属层的下表面为凹凸结构，所以第一绝缘层的凹陷区域A1的深度可等于第一绝缘层2的厚度，也可以浅于第一绝缘层2的厚度。最后清除凸起区域A1上的光阻，形成具有凹凸结构A的第一绝缘层2，结构如图3所示。
在第一金属层制作完毕后，在第一金属层上制作具有绝缘作用的第二绝缘层；请参阅图10，具体的，在基板1上镀上绝缘的材料，可以是无机氧化物或者绝缘性质的化合物，如SiOx、SiNx、氧化钛、氧化铝等材料进行单层镀膜或多层镀膜，或者其他有机绝缘材料，在基板1上形成具有绝缘作用的第二绝缘层4。第二绝缘层覆盖第一绝缘层2、第一栅极31和第二栅极32，保护第一栅极31和第二栅极32不与其它金属接触。
为了连接两个TFT，可以在第一栅极上面的第二绝缘层上制作连通第一栅极的孔，该孔作为两个TFT的连接点。制孔的工艺可以是涂布光阻，图形化光阻使得要制孔的部位开口，而后以光阻为掩膜蚀刻第二绝缘层至第一栅极，在第二绝缘层上形成连通第一栅极的孔。而后一个TFT的第二源极或者第二漏极可以通过第二绝缘层上连通第一栅极的孔与另一个TFT连接。
请参阅图10，同样的，也可以在第二绝缘层的上表面制作凹凸结构，使覆盖在第二绝缘层凹凸结构上的内部膜层的下表面也为凹凸结构。优选的，第二绝缘层上的投影区位于第二绝缘层在竖直方向投影(投影指不被第一金属层的膜层遮挡)到基板上的区域和第二绝缘层在竖直方向投影(投影指不被第二金属层的膜层遮挡)到阴极上的区域。第二绝缘层上的投影区为第一栅极与第二栅极之间的区域、第二栅极外远离阳极的一侧区域、第一漏极与第二源极之间的区域。
第二绝缘层制作完毕后，进行第一有源层5和第二有源层6的制作。请参阅图11，具体的，在基板上涂布光阻，图形化光阻使得待制作第一有源层和第二有源层的部位开口，而后镀上有源层所需要的材料，如多晶硅、氧化物半导体、石墨烯、碳纳米管、有机半导体等具有相似性能的其他材料。在第一栅极31上面的第二绝缘层4上形成第一有源层5，在第二栅极32上面的第二绝缘层4上形成第二有源层6，第一有源层5和第二有源层6制作完毕后清除光阻。
第一有源层5和第二有源层6制作完毕后，进行第二金属层的制作，第二金属层一般用足TFT的源漏极；请参阅图12，具体的，在基板上镀上第二金属层材料，在第二绝缘层4上形成第二金属层7。第二金属层材料可以是铝、钼、钛、镍、铜、银、铬等导电性优良金属一种或多种，以及具有相似结构的其他材料。然后在第二金属层7上表面制作凹凸结构，该制作步骤同第一栅极和第二栅极上制作凹凸结构的步骤相同，在此便不赘述。最后在第一有源层上的一侧形成上表面为凹凸结构的第一源极71，在第一有源层上的另一侧形成上表面为凹凸结构的第一漏极72。在第二有源层上的一侧形成上表面为凹凸结构的第二源极73，在第一有源层上的另一侧形成上表面为凹凸结构的第二漏极74，第二源极73通过第二绝缘层上的孔与第一栅极连接。第一源极71、第一漏极72和第一栅极组成一个TFT，第二源极73、第二漏极74和第二栅极组成一个TFT。
优选的，第二金属层(第一源极71、第一漏极72、第二源极73、第二漏极74)上的投影区位于第二金属层在竖直方向不被遮挡并投影到阴极上的区域，分别为第一源极上阳极与第一源极的连接部分外侧、第一漏极上表面、第二源极上表面和第二漏极上表面。
本申请以一种TFT结构为例，当然本申请的TFT结构还可以为顶栅结构或者ESL结构(具有蚀刻阻挡层)等。当然TFT的数量可以为一个，还可以为多个。优选的，凹凸区域设置在投影区，如一个TFT时，第一金属层的投影区为：全部第一金属层下表面，第一金属层上表面不被第二金属层和有源层遮挡住的区域，第二金属层的投影区为上表面不被阳极遮挡住的区域。在制作的过程中，还可以制作金属走线与第二漏极或者其他连接点进行连接。
然后在第一源极、第一漏极、第一有源层、第二源极、第二漏极、第二有源层上制作第三绝缘层(也称作钝化层)，第三绝缘层8依然起到绝缘的作用；请参阅图13，具体的，在基板1上镀上绝缘的材料，可以是无机氧化物或者绝缘性质的化合物，如SiOx、SiNx、氧化钛、氧化铝等材料进行单层镀膜或多层镀膜，或者其他有机绝缘材料，在基板1上形成第三绝缘层8。第三绝缘层8覆盖第一源极71、第一漏极72、第一有源层5、第二源极73、第二漏极74、第二有源层6。然后在第一源极71上面的第三绝缘层8上制作连通第一源极71的孔，制孔的工艺可以是涂布光阻，图形化光阻使得要制孔的部位开口，而后以光阻为掩膜蚀刻第三绝缘层8至第一源极71，在第三绝缘层8上形成连通第一源极71的孔。该孔起到连接第一源极和阳极的作用。
在某些实施例中，在第三绝缘层制作完毕后，会在第三绝缘层上进行第四绝缘层15(也称作平坦层)的制作，第四绝缘层15可以补平基板上因为多个制程造成的高低不平；请参阅图14，具体的，如在第三绝缘层上镀上绝缘的材料，可以是无机氧化物或者绝缘性质的化合物，如SiOx、SiNx、氧化钛、氧化铝等材料进行单层镀膜或多层镀膜，或者其他有机绝缘材料，在第三绝缘层上形成第四绝缘层15。然后在第四绝缘层15上继续制作连通第一源极的孔。
而在本实施例中，为了优化制作工艺，第三绝缘层和第四绝缘层上可结合，通过增加第三绝缘层的厚度也可以充当第四绝缘层的作用。这样便不需要制作第四绝缘层，可以减少一道膜层和光罩。
本实施例以增加第三绝缘层的厚度充当第四绝缘层为例，然后在第三绝缘层上制作透明的阳极9，阳极9作为有机发光层的阳极9；请参阅图15，具体的，在基板上涂布光阻，图形化光阻，即曝光显影使得待制作阳极9的区域开口。而后镀上阳极材料，阳极材料可以是铟锡氧化物(ITO)薄膜材料和碳纳米管等，在第三绝缘层8上形成透明的阳极9，最后清除光阻。阳极9通过第三绝缘层8上连通第一源极的孔与第一源极连接，使得之后覆盖在阳极上的有机发光层与TFT二者之间进行连接。
阳极9制作完毕后，在阳极和第三绝缘层上沉积像素定义层10材料，在阳极和第三绝缘层上形成覆盖阳极和第三绝缘层的像素定义层10，并在阳极上面的像素定义层10上制作连通阳极的孔与凹凸结构。请参阅图16、图17和图18，先在像素定义层10材料上涂布一层光阻，然后使用具有遮光区B3(光线透过率为0％)、透光区B1(光线透过率为100％)和半透光区B2(光线透过率为50％)的半色调掩膜板B对光阻进行曝光和显影。半透光区用于形成凹凸结构的凹陷区域，遮光区或者透光区用于形成连通阳极的孔与凸起区域。
以涂布正性光阻为例，遮光区对应不显影区，对应像素定义层材料上凹凸结构中凸起区域，半透光区对应半显影区，对应凹凸结构中的凹陷区域，透光区对应显影区，对应像素定义层材料上连通阳极的孔的区域。显影后凹凸结构中的凹陷区域(半显影区)上的光阻厚度比凸起区域(不显影区)上的光阻厚度小，覆盖在像素定义层材料上连通阳极的孔上的光阻会被显影去除。然后以光阻为掩膜蚀刻显影区上的像素定义层至阳极，形成孔底为阳极的孔。接着采用灰化处理去除凹凸结构中的凹陷区域(半显影区)上的光阻。灰化处理后，凸起区域(不显影区)上的光阻会有所减薄，但依然会有留存并保护下方的像素定义层材料不被蚀刻。以光阻为掩膜蚀刻凹陷区域(半显影区)的像素定义层材料，并通过控制蚀刻的时间在像素定义层材料形成深度不同的凹陷区域，凹陷区域的深度要浅于像素定义层材料的厚度。最后清除凸起区域(不显影区)上的光阻，形成上表面具有凹凸结构的像素定义层10，并且像素定义层10上还具有连通阳极9的孔，结构如图17和图18所示。
然后在像素定义层凹凸结构中的凸起区域上制作凸起层12；请参阅图19、图20和图21，具体的，在基板上涂布光阻，图形化光阻，使得像素定义层凹凸结构中的凸起区域的部位开口，而后沉积凸起层材料，凸起层材料可选无机材料或者有机材料，在凸起区域上形成具有弧形表面的凸起层，凸起层的整体表面形成微型凹凸形状，最后清除光阻。
然后在像素定义层上连通阳极的孔中制作有机发光层11；请参阅图22，具体的，在基板上涂布光阻，图形化光阻，使得像素定义层10上连通阳极的孔开口，而后蒸镀有机发光层材料，在像素定义层10上连通阳极的孔中形成有机发光层11，最后清除光阻。有机发光层11包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、有机发光层EM、电子传输层ETL、电子注入层EIL。有机发光层11通过像素定义层10上连通阳极的孔与阳极连接。
有机发光层制作完毕后，为了使显示面板具备透明显示面板的功能，在TFT及像素区域的外侧(第一栅极与第二栅极之间外的一侧)制作透射窗口，透射窗口可以让使用者从显示面板的一面看到另一面。透射窗口的底部为第一绝缘层，或者透射窗口孔底还可以是其他膜层。请参阅图23，具体的，可以在基板上涂布光阻，图形化光阻，即曝光显影使得TFT及像素区域的外侧部位开口，而后以光阻为掩模蚀刻像素定义层至第一绝缘层，形成透射窗口，最后清除光阻。以上的该制作透射窗口的方式为一次成型，当然也可以分次制作该透射窗口，如在每个制程进行蚀刻的过程中，对透射窗口进行图形化，而后蚀刻至第一绝缘层，形成透射窗口。
然后进行阴极13的制作，阴极13作为有机发光层的阴极；请参阅图23，具体的，可以在基板上镀上阴极材料，阴极材料可以是透明的铟镓锌氧化物、透明的铟镓锌钛氧化物和镁银合金等具有相似特性的材料。在像素定义层、凸起层和有机发光层上形成覆盖像素定义层、凸起层和有机发光层的阴极13。
本申请在显示面板的内部膜层上制作有凹凸结构，内部膜层如第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、像素定义层和阴极，可以是在这些膜层的一个膜层或者多个膜层上制作凹凸结构。或者，在第三绝缘层、阳极、有机发光层和凸起层等，这些膜层上也可以制作凹凸结构。优选的，在多个内部膜层上制作凹凸结构，多个内部膜层上均设置有凹凸结构可以更好地将环境光线入射到显示面板内中形成的镜面反射光优化为漫反射，使得显示面板在受到环境线干扰时仍具有较高对比度。
在某些实施例中，在阴极上设置有封装盖板16，当环境光线通过封装盖板16入射到显示面板内中时，封装盖板16也会造成镜面折射。于是可以在封装盖板16的一侧或者两侧设置有减反射膜17。具体的，可以是在阴极上制作减反射膜，然后在减反射膜上盖设封装盖板；或者：在阴极上盖设封装盖板16，然后在封装盖板16上制作减反射膜17；或者：在阴极上制作减反射膜17后，在减反射膜上17盖设封装盖板16，继续在封装盖板16上制作减反射膜17。其中，封装盖板16的两侧均设置有减反射膜17的结构如图24所示。
减反射膜17的增透膜材料可选MgF2、GaF2、SiO2、Al2O3、Si3N4、ZrO2、TiO2等，通过化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition，简称CVD)或是物理气相沉积(PhysicalVapor Deposition，简称PVD)进行单层或多层复合镀膜。单层或多层的减反射膜(Anti-Reflection Film)可以进一步减少由于玻璃盖板折射环境光线造成的反光。这些减反射膜的折射率可以减少入射到显示面板内的环境光线的折射，如图25所示。
请参阅图26，折射率是反映光在不同介质中传播速度的参数，通过改变反射波的相位可以有效减少反射损失，而利用光在各界面反射波的相消干涉可以达到减反射的效果。理想的单层减反射膜发生相消干涉必须满足以下两个条件：
(1)
Figure BDA0002427927020000141
(2)ned＝λ/4
式中，ne、na和ns分别表示减反射膜、空气和基板的折射率，ned是减反射膜的光学厚度，λ是入射光在真空中的波长，单位为nm(纳米)。
请参阅图27，基板(标记为GLASS)、典型的单层减反射膜(标记为a，0.25λ-MgF2，折射率为1.38)、双层减反射膜[标记为b，0.25λ-MgF2/(0.25λ-MgF2，折射率为1.69)]和三层减反射膜[标记为c，0.25λ-MgF2/0.5λ-ZrO2(折射率为2.05)/0.25λ-CeF3(折射率为1.64)]的反射谱，x轴表示光的波长(wavelength，单位为nm)，Y轴表示反射率(reflectance)。
再结合图28，多层膜的计算模型为：R＝R01+R12+R23+R34，式中R01表示光入射到第一层减反射膜的反射角，R12表示光入射到第二层减反射膜的反射角，R23表示光入射到第三层减反射膜的反射角，R34表示光入射到基板的反射角，n1、n2、n3、n4分别表示第一层减反射膜、第二层减反射膜、第三层减反射膜和基板的折射率。可见，通过调节每层的反射率和厚度可以获得最小的R,典型的单层、双层和三层干涉型减反射膜的反射图谱如图28所述，虽然单层致密减反射膜的效果不够理想，双层减反射膜在设定波长(λ＝500nm)处的反射率接近于零，但在偏离此波长的区域反射率急剧上升，甚至超过单层减反射膜，而三层优化设计的减反射膜具有更宽的光谱减反射特性。
本实施例提供一种显示面板，所述显示面板由上述显示面板制作方法制得，所述显示面板包括凹凸结构，所述凹凸结构处在内部膜层的表面，凹凸结构用于将入射到显示面板内的光线形成漫反射。
在本实施例中，内部膜层包括：第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层或者第三金属层。在第一绝缘层表面设置有凹凸结构；或者：在第一金属层表面设置有凹凸结构；或者：在第二绝缘层表面设置有凹凸结构；或者：在第二金属层表面设置有凹凸结构；或者：在像素定义层表面设置有凹凸结构；或者：在第三金属层表面设置有凹凸结构。
在本实施例中，内部膜层还包括：第三绝缘层、阳极、有机发光层和凸起层等，这些膜层上也可以进行设置有凹凸结构。
在本实施例中，内部膜层的全部上表面都都可以设置有凹凸结构，但内部膜层上的某些区域处不被环境光线照射到，便无法将镜面反射光线优化为漫反射，所以凹凸结构设置在内部膜层表面的投影区。
如第一金属层；优选的，凹凸结构设置在第一金属层上的投影区，投影区是可以被环境光线照射到的区域，所以设置在投影区上的凹凸结构才可以把环境光线形成漫反射。第一金属层上的投影区位于第一栅极和第二栅极在竖直方向可投影(投影指不被第二金属层的膜层遮挡)到阴极上的区域，如第一漏极与第二源极之间的第一栅极上表面。该投影区可以不被上方的源极/漏极及有源层遮挡住环境光线，环境光入射面板中时，第一漏极与第二源极之间的第一栅极上表面可以将镜面反射光优化为漫反射。
如第二金属层；优选的，第二金属层(第一源极71、第一漏极72、第二源极73、第二漏极74)上的投影区位于第二金属层在竖直方向不被遮挡并投影到阴极上的区域，分别为第一源极上阳极与第一源极的连接部分外侧、第一漏极上表面、第二源极上表面和第二漏极上表面。
在本实施例中，所述显示面板为透明显示面板。在TFT及像素区域的外侧(第一栅极与第二栅极之间外的一侧)设置有透射窗口，透射窗口可以让使用者从显示面板的一面看到另一面。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示面板制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
制作显示面板的内部膜层；
在内部膜层上制作凹凸结构，凹凸结构用于将入射到显示面板内的光线形成漫反射。
2.根据权利要求1所述的一种显示面板制作方法，其特征在于，在制作显示面板的内部膜层时，还包括如下步骤：
制作内部膜层中的第一绝缘层，在第一绝缘层表面制作凹凸结构；或者：
制作内部膜层中的第一金属层，在第一金属层表面制作凹凸结构；或者：
制作内部膜层中的第二绝缘层，在第二绝缘层表面制作凹凸结构；或者：
制作内部膜层中的第二金属层，在第二金属层表面制作凹凸结构；或者：
制作内部膜层中的像素定义层，在像素定义层表面制作凹凸结构；或者：
制作内部膜层中的阴极，在阴极表面制作凹凸结构。
3.根据权利要求2所述的一种显示面板制作方法，其特征在于，凹凸结构的制作包括如下步骤：
在内部膜层上涂布光阻，使用具有半透光区的掩膜板对光阻进行图形化，掩膜板还具有透光区或者遮光区；
图形化后，半透光区对应内部膜层上凹凸结构的凹陷区域；
以光阻为掩膜蚀刻半透光区的内部膜层得到凹凸结构。
4.根据权利要求3所述的一种显示面板制作方法，其特征在于，还包括如下步骤：
透光区或者遮光区对应内部膜层上待制作孔处；
以光阻和内部膜层为掩膜蚀刻透光区或者遮光区的内部膜层得到孔。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的一种显示面板制作方法，其特征在于，所述显示面板为透明显示面板。
6.根据权利要求1所述的一种显示面板制作方法，其特征在于，在显示面板上盖设有盖板，盖板的一侧设置有减反射膜。
7.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括凹凸结构，所述凹凸结构处在内部膜层的表面，凹凸结构用于将入射到显示面板内的光线形成漫反射。
8.根据权利要求7所述的一种显示面板，其特征在于，内部膜层包括：第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、像素定义层或者阴极；
在第一绝缘层表面设置有凹凸结构；或者：在第一金属层表面设置有凹凸结构；或者：在第二绝缘层表面设置有凹凸结构；或者：在第二金属层表面设置有凹凸结构；或者：在像素定义层表面设置有凹凸结构；或者：在阴极表面设置有凹凸结构。
9.根据权利要求7或8所述的一种显示面板，其特征在于，所述凹凸结构设置在内部膜层表面的投影区。
10.根据权利要求7所述的一种显示面板，其特征在于，所述显示面板为透明显示面板。
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