CN111363632A

CN111363632A - 一种常温去蜡清洗剂及其使用方法

Info

Publication number: CN111363632A
Application number: CN201811587377.6A
Authority: CN
Inventors: 胡夕伦; 吴向龙; 闫宝华; 王成新
Original assignee: Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd
Current assignee: Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd
Priority date: 2018-12-25
Filing date: 2018-12-25
Publication date: 2020-07-03

Abstract

一种常温去蜡清洗剂，该清洗剂包括如下质量份数的组分：二乙醇胺5‑20份、油酸钠10‑15份、椰子油二乙醇酰胺1‑10份、乙二醇丁醚1‑5份、硅酸钠5‑10份、水1‑5份、山梨醇5‑30份、椰油醇10‑25份、十二烷1‑5份、十四烷1‑5份。实现了在常温下对LED晶片进行清洗去蜡，无需加热，清洗剂对各种材质的衬底以及各种衬底表面蒸镀材料均无腐蚀和破坏作用，保证了产品的质量。由于不用加热，因此有效避免晶片表面若存在活泼性较大的物质容易与去蜡溶液中某些成分发生化学作用而影响晶片表面结构的现象发生。

Description

一种常温去蜡清洗剂及其使用方法

技术领域

本发明涉及LED制造技术领域，具体涉及一种常温去蜡清洗剂及其使用方法。

背景技术

在LED芯片制作过程中，不论是砷化镓衬底、蓝宝石彻底、硅衬底、碳化硅衬底等均需要进行减薄制程，将衬底厚度由几百微米削减至几十至一百余微米，主要目的是为了增加芯片在使用端的散热性能，避免由于内部持续高热而导致芯片损坏失效。而减薄前，需将晶片固定在特定工件或设备上再进行减薄作业，目前来说，绝大多数芯片厂家依然采用的还是通过传统的粘附手段来固定晶片，其中最多的是通过使用固体蜡加热熔化、降温凝固的方式固定，而较为先进的方法为直接将晶片真空吸附在工件或设备上进行减薄，该方法对设备的投入相比传统方法要高很多，仅有极个别大规模的厂家开始试用。针对传统的固定方法，减薄完毕后需要将工件加热以将蜡熔化后再将晶片取下，晶片粘附面必然会附带蜡的残留，进行减薄后的制作过程前，需将晶片表面粘附的固体蜡清洗去除。常规的除蜡溶液根据成分的不同也存在较大差异，但总体上都需要将溶液加热至一定温度才能将蜡彻底清洗去除，加热的目的在于增强溶液的除蜡能力，防止出现表面残留，但加热也存在另一方面的问题，如晶片表面若存在活泼性较大的物质容易与去蜡溶液中某些成分发生化学作用而影响晶片表面结构，或溶液明显的偏向于酸性或碱性，导致晶片表面结构损伤，影响产品质量。因此，对于LED芯片来说，需采用安全、无腐蚀、清洗能力强的去蜡溶液才能保证去蜡清洗质量。

中国专利文献CN105779151A公开的“一种去蜡清洗液及其制备方法与应用”由非离子表面活性剂、低泡抑泡表面活性剂、分散剂和溶剂组成，配置溶液时需要加热至60-70℃并保温，且使用方法为加热至80℃并超声，主要用于晶片抛光后表面微量的残留蜡清洗，如残留蜡较多、较厚，该方法无法有效去除。

中国专利文献CN108865542A公开的“一种去蜡液及其制备方法与应用”含有无机碱氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸钠、碳酸钾中的至少一种，该成分溶解在清洗液中易对晶片表面铝、ITO等活性层产生腐蚀而影响产品质量，且使用时也需要加热。

中国专利文献CN105623895B公开的“一种LED衬底基片去蜡清洗剂”能在晶片表面形成有机保护膜而防止收到腐蚀和氧化，该发明不能完全确保对晶片表面材料无腐蚀，对于表面蒸镀活性材料的晶片依然不适用，具有一定的选择性。

发明内容

本发明为了克服以上技术的不足，提供了一种在常温下对LED晶片表面的蜡进行清洗，防止对晶片表面结构损伤的常温去蜡清洗剂及其使用方法。

本发明克服其技术问题所采用的技术方案是：

一种常温去蜡清洗剂，该清洗剂包括如下质量份数的组分：二乙醇胺5-20份、油酸钠10-15份、椰子油二乙醇酰胺1-10份、乙二醇丁醚1-5份、硅酸钠5-10份、水1-5份、山梨醇5-30份、椰油醇10-25份、十二烷1-5份、十四烷1-5份。

优选的，上述清洗剂中各组分的质量份数为二乙醇胺5-20份、油酸钠10-15份、椰子油二乙醇酰胺5-10份、乙二醇丁醚3-5份、硅酸钠8-10份、水2-5份、山梨醇15-25份、椰油醇15-25份、十二烷3-5份、十四烷3-5份。

一种使用常温去蜡清洗剂清洗LED晶片的方法，包括如下步骤：

a)将配置好的清洗剂混合后搅拌60-90min，搅拌均匀后常温下静置60-120min；

b)常温下，将待去蜡清洗的LED晶片放入清洗剂中清洗10-60min；

c)将经过清洗剂清洗的LED晶片放入常温的乙醇溶液中清洗5-15min；

d)将经过乙醇溶液清洗的LED晶片放入去离子水中清洗；

e)将经过去离子水清洗后的晶片进行热氮烘干。

优选的，步骤a)中根据权利要求3所述的清洗LED晶片的方法，其特征在于：步骤a)中清洗剂中各组分的质量份数为二乙醇胺5-20份、油酸钠10-15份、椰子油二乙醇酰胺5-10份、乙二醇丁醚3-5份、硅酸钠8-10份、水2-5份、山梨醇15-25份、椰油醇15-25份、十二烷3-5份、十四烷3-5份。

优选的，步骤a)中清洗剂混合后搅拌时间为60-70min，搅拌均匀后常温下静置60-90min。

优选的，步骤b)中清洗时间为15-20min。

优选的，步骤c)中清洗时间为10-15min。

本发明的有益效果是：实现了在常温下对LED晶片进行清洗去蜡，无需加热，清洗剂对各种材质的衬底以及各种衬底表面蒸镀材料均无腐蚀和破坏作用，保证了产品的质量。由于不用加热，因此有效避免晶片表面若存在活泼性较大的物质容易与去蜡溶液中某些成分发生化学作用而影响晶片表面结构的现象发生。

具体实施方式

下面对本发明做进一步说明。

一种常温去蜡清洗剂，该清洗剂包括如下质量份数的组分：二乙醇胺5-20份、油酸钠10-15份、椰子油二乙醇酰胺1-10份、乙二醇丁醚1-5份、硅酸钠5-10份、水1-5份、山梨醇5-30份、椰油醇10-25份、十二烷1-5份、十四烷1-5份。清洗剂中的阴离子表面活性剂为二乙醇胺、油酸钠、硅酸钠，其溶解后提供微弱的碱性环境，具有优良的乳化、渗透、去污功能，可增强溶剂的去蜡能力。非离子表面活性剂为椰子油二乙醇酰胺、乙二醇丁醚，其会改善各组分的相容性，使溶液保持稳定。山梨醇、椰油醇、十二烷、十四烷为本发明的有效去蜡成分，通过其与阴离子和非离子表面活性剂的复配，大大降低表面张力，提高润湿渗透性能和乳化、溶解、增溶等性能，增强溶剂的去蜡效果。更为重要的是该清洗剂可在常温下使用，无须加热，并且对活泼和非活泼性表面无腐蚀和损伤，有效保证了产品的质量。

优选的，清洗剂中各组分的质量份数为二乙醇胺5-20份、油酸钠10-15份、椰子油二乙醇酰胺5-10份、乙二醇丁醚3-5份、硅酸钠8-10份、水2-5份、山梨醇15-25份、椰油醇15-25份、十二烷3-5份、十四烷3-5份。

本发明还涉及一种使用常温去蜡清洗剂清洗LED晶片的方法，包括如下步骤：

b)常温下，将待去蜡清洗的LED晶片放入清洗剂中清洗10-60min；

d)将经过乙醇溶液清洗的LED晶片放入去离子水中清洗；

e)将经过去离子水清洗后的晶片进行热氮烘干。

通过上述步骤在常温下对LED晶片进行清洗去蜡，无需加热，清洗剂对各种材质的衬底以及各种衬底表面蒸镀材料均无腐蚀和破坏作用，保证了产品的质量。由于不用加热，因此有效避免晶片表面若存在活泼性较大的物质容易与去蜡溶液中某些成分发生化学作用而影响晶片表面结构的现象发生。

优选的，步骤b)中清洗时间为15-20min。

优选的，步骤c)中清洗时间为10-15min。

实施例1：

清洗LED晶片的方法为：

a)按照二乙醇胺15份、油酸钠14份、椰子油二乙醇酰胺9份、乙二醇丁醚2份、硅酸钠7份、水5份、山梨醇25份、椰油醇15份、十二烷3份、十四烷5份比例混合后搅拌65min，常温下静置70min；

b)常温下，将待去蜡清洗的晶片放入清洗剂中清洗13min；

c)将清洗后的晶片放入常温乙醇溶液中清洗10min；

d)将清洗后的晶片进行去离子水清洗；

e)将清洗后的晶片进行热氮烘干完成去蜡清洗。

实施例2：

清洗LED晶片的方法为：

a)按照二乙醇胺12份、油酸钠15份、椰子油二乙醇酰胺6份、乙二醇丁醚5份、硅酸钠8份、水5份、山梨醇20份、椰油醇19份、十二烷5份、十四烷5份比例混合后搅拌62min，常温下静置95min；

b)常温下，将待去蜡清洗的晶片放入清洗剂中清洗24min；

c)将清洗后的晶片放入常温乙醇溶液中清洗15min；

d)将清洗后的晶片进行去离子水清洗；

e)将清洗后的晶片进行热氮烘干完成去蜡清洗。

实施例3：

清洗LED晶片的方法为：

a)按照二乙醇胺18份、油酸钠10份、椰子油二乙醇酰胺8份、乙二醇丁醚9份、硅酸钠6份、水3份、山梨醇15份、椰油醇24份、十二烷5份、十四烷2份比例混合后搅拌85min，常温下静置101min；

b)常温下，将待去蜡清洗的晶片放入清洗剂中清洗45min；

c)将清洗后的晶片放入常温乙醇溶液中清洗12min；

d)将清洗后的晶片进行去离子水清洗；

e)将清洗后的晶片进行热氮烘干完成去蜡清洗。

实施例4：

清洗LED晶片的方法为：

a) 按照二乙醇胺7份、油酸钠13份、椰子油二乙醇酰胺10份、乙二醇丁醚5份、硅酸钠5份、水5份、山梨醇29份、椰油醇22份、十二烷1份、十四烷3份比例混合后搅拌60-90min，常温下静置113min；

b)常温下，将待去蜡清洗的晶片放入清洗剂中清洗53min；

c)将清洗后的晶片放入常温乙醇溶液中清洗15min；

d)将清洗后的晶片进行去离子水清洗；

e)将清洗后的晶片进行热氮烘干完成去蜡清洗。

清洗效果对比表格:

对比	清洗剂组成	使用温度	清洗时间	表面残留蜡	表面污染
						对比例1	丙酮	85℃	30min	微量	无
对比例2	二乙醇胺、乙二醇丁醚、硅酸钠、水、十二烷	23℃	42min	有	有
						对比例3	椰子油二乙醇酰胺、山梨醇、油酸钠、硅酸钠、十二烷	22℃	35min	微量	无
实施例1	二乙醇胺15份、油酸钠14份、椰子油二乙醇酰胺9份、乙二醇丁醚2份、硅酸钠7份、水5份、山梨醇25份、椰油醇15份、十二烷3份、十四烷5份	常温	13min	无	无
						实施例2	二乙醇胺12份、油酸钠15份、椰子油二乙醇酰胺6份、乙二醇丁醚5份、硅酸钠8份、水5份、山梨醇20份、椰油醇19份、十二烷5份、十四烷5份	常温	24min	无	无
实施例3	二乙醇胺18份、油酸钠10份、椰子油二乙醇酰胺8份、乙二醇丁醚9份、硅酸钠6份、水3份、山梨醇15份、椰油醇24份、十二烷5份、十四烷2份	常温	45min	无	无
						实施例4	二乙醇胺7份、油酸钠13份、椰子油二乙醇酰胺10份、乙二醇丁醚5份、硅酸钠5份、水5份、山梨醇29份、椰油醇22份、十二烷1份、十四烷3份	常温	53min	无	无

通过上述表格可以看出，本专利的清洗剂不需加热使用，同时具有良好的去除LED晶片表面残留蜡及表面污染物的效果。

Claims

1.一种常温去蜡清洗剂，其特征在于，该清洗剂包括如下质量份数的组分：二乙醇胺5-20份、油酸钠10-15份、椰子油二乙醇酰胺1-10份、乙二醇丁醚1-5份、硅酸钠5-10份、水1-5份、山梨醇5-30份、椰油醇10-25份、十二烷1-5份、十四烷1-5份。

2.根据权利要求1所述的常温去蜡清洗剂，其特征在于，所述清洗剂中各组分的质量份数为二乙醇胺5-20份、油酸钠10-15份、椰子油二乙醇酰胺5-10份、乙二醇丁醚3-5份、硅酸钠8-10份、水2-5份、山梨醇15-25份、椰油醇15-25份、十二烷3-5份、十四烷3-5份。

3.一种使用权利要求1中常温去蜡清洗剂清洗LED晶片的方法，其特征在于，包括如下步骤：

b)常温下，将待去蜡清洗的LED晶片放入清洗剂中清洗10-60min；

d)将经过乙醇溶液清洗的LED晶片放入去离子水中清洗；

e)将经过去离子水清洗后的晶片进行热氮烘干。

4.根据权利要求3所述的剂清洗LED晶片的方法，其特征在于：步骤a)中根据权利要求3所述的清洗LED晶片的方法，其特征在于：步骤a)中清洗剂中各组分的质量份数为二乙醇胺5-20份、油酸钠10-15份、椰子油二乙醇酰胺5-10份、乙二醇丁醚3-5份、硅酸钠8-10份、水2-5份、山梨醇15-25份、椰油醇15-25份、十二烷3-5份、十四烷3-5份。

5.根据权利要求3所述的剂清洗LED晶片的方法，其特征在于：步骤a)中清洗剂混合后搅拌时间为60-70min，搅拌均匀后常温下静置60-90min。

6.根据权利要求3所述的剂清洗LED晶片的方法，其特征在于：步骤b)中清洗时间为15-20min。

7.根据权利要求3所述的剂清洗LED晶片的方法，其特征在于：步骤c)中清洗时间为10-15min。