CN111354759A - 半导体元件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种半导体元件，其包含一半导体叠层，具有一第一型半导体结构、一活性结构以及一第二型半导体结构设于该第一型半导体结构上，该第二型半导体结构具有一掺杂浓度；一第一部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含一电流局限区域；及一第二部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含一第一型重掺杂区域位于该第二型半导体结构中，该第一型重掺杂区域具有一掺杂浓度，其中，该第一型重掺杂区域的该掺杂浓度高于该第二型半导体结构的该掺杂浓度。

Description

半导体元件
技术领域
本发明涉及一种半导体元件，特别是涉及一种具有重掺杂区域的半导体元件。
背景技术
这里的陈述仅提供与本发明有关的背景信息，而不必然地构成现有技术。
常见的发光元件，例如：发光二极管(Light Emitting Diode，LED)或垂直共振腔表面发光激光(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers，VCSEL)，需要额外连接静电防护元件，例如：基纳二极管(Zener Diode)或瞬态抑制二极管(Transient Voltagesuppression)，以避免工作中的静电电压造成发光元件的损毁。举例而言，可以通过封装制作工艺，将发光元件与相对应的静电防护元件配置于同一电路结构，以制造具有抗静电功能的发光组件。
发明内容
有鉴于此，本发明部分实施例提供一种半导体元件。
本发明一实施例的半导体元件包含一半导体叠层，具有一第一型半导体结构、一活性结构以及一第二型半导体结构设于该第一型半导体结构上，该第二型半导体结构具有一掺杂浓度；一第一部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含一电流局限区域；及一第二部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含一第一型重掺杂区域位于该第二型半导体结构中，该第一型重掺杂区域具有一掺杂浓度，其中，该第一型重掺杂区域的该掺杂浓度高于该第二型半导体结构的该掺杂浓度。
以下通过具体实施例配合所附的附图详加说明，当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。
附图说明
图1为本发明一实施例的半导体元件的一俯视示意图；
图2为本发明一实施例的半导体元件沿图1的AA’剖面线的侧视示意图；
图3为本发明另一实施例的半导体元件的侧视示意图；
图4为本发明一实施例的半导体元件的一俯视示意图；
图5为本发明一实施例的半导体元件沿图4的BB’剖面线的侧视示意图；
图6为本发明另一实施例的半导体元件的侧视示意图；
图7为本发明一实施例的半导体元件的一俯视示意图。
符号说明
1 第一型半导体结构
10 活性结构
2 第二型半导体结构
20 第一部分
201a 内轮廓
201b 外轮廓
201 电流局限区域
202 电流导通区域
22 第二部分
24 第一型重掺杂区
241 第一区域
242 第二区域
26 保护层
30 第一导电结构
32 连接导电结构
4 基板
5 第二导电结构
PN1 第一PN界面
PN2 第二PN界面
PN3 第三PN界面
AA’、BB’ 剖面线
D1 出光孔
T 沟槽
具体实施方式
以下将详述本发明的各实施例，并配合附图作为例示。在说明书的描述中，为了使读者对本发明有较完整的了解，提供了许多特定细节；然而，本发明可能在省略部分或全部特定细节的前提下仍可实施。附图中相同或类似的元件将以相同或类似符号来表示。特别注意的是，附图仅为示意之用，并非代表元件实际的尺寸或数量，有些细节可能未完全绘出，以求附图的简洁。
图1为本发明一实施例的半导体元件的一俯视示意图。图2为图1的半导体元件沿AA’剖面线的侧视示意图。请一并参照图1及图2，本发明一实施例的半导体元件包含一半导体叠层，其包含第一型半导体结构1、一活性结构10位于第一型半导体结构1上、以及一第二型半导体结构2位于活性结构10上。半导体元件包含一第一部分20以作为发光区，及一第二部分22以作为静电保护区，因此，第一部分20与第二部分22都具有一部分的第一型半导体结构1、活性结构10及第二型半导体结构2。
在一实施例中，半导体元件为发光二极管(Light Emitting Diode，LED)、垂直共振腔表面发光激光(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers，VCSEL)或边缘发光激光(Edge Emitting Laser，EEL)，但不限于此。本文以第一型及第二型分别指称不同导电型态，若空穴为多数载流子即称为p型，若电子为多数载流子即为称n型，举例而言，第一型半导体结构1的导电型态为n型，且第二型半导体结构2的导电型态为p型半导体，或者，第一型半导体结构1的导电型态为p型，且第二型半导体结构2的导电型态为n型半导体。在部分实施例中，活性结构10包含多个量子阱层(Multiple Quantum Wells)，以增进发光效率，但不以此为限。在一实施例中，第一型半导体结构1、第二型半导体结构2及活性结构10的材料包含三五族化合物半导体，例如可以为AlGaInP、AlGaP、AlInP、GaInP、AlP、GaP、InP、AlGaInAs、AlGaAs、AlInAs、GaInAs、AlAs、GaAs、InAs、InGaAsP、GaAsP、InAsP、GaN、InGaN、AlGaN等化合物。在本揭露内容的实施例中，若无特别说明，上述化学表示式包含「符合化学剂量的化合物」及「非符合化学剂量的化合物」，其中，「符合化学剂量的化合物」例如为三族元素的总元素剂量与五族元素的总元素剂量相同，反之，「非符合化学剂量的化合物」例如为三族元素的总元素剂量与五族元素的总元素剂量不同。举例而言，化学表示式为AlGaInAs即代表包含三族元素铝(Al)、镓(Ga)及铟(In)，以及包含五族元素砷(As)，其中三族元素(铝、镓及铟)的总元素剂量可以与五族元素(砷)的总元素剂量相同或相异。另外，若上述由化学表示式表示的各化合物为符合化学剂量的化合物时，AlGaInAs即代表(Aly1Ga(1-y1))1-x1Inx1As其中，0<x1<1，0<y1<1；AlGaInP即代表(Aly2Ga(1-y2))1-x2Inx2P，其中，0<x2<1，0<y2<1；InGaAsP即代表Inx3Ga1-x3As1-y3Py3，其中，0<x3<1，0<y3<1；AlGaP即代表Alx4Ga1-x4P，其中，0<x4<1。依据活性结构10的材料，可发出峰值波长(peakwavelength)介于700nm及1700nm的红外光、峰值波长介于610nm及700nm之间的红光、峰值波长介于570nm及590nm之间的黄光、峰值波长介于490nm及570nm之间的绿光、峰值波长介于400nm及490nm之间的蓝光或深蓝光、或是峰值波长介于250nm及400nm之间的紫外光。
在本实施例中，第一型半导体结构1与第二型半导体结构2包含多个不同折射率的膜层交互周期性的堆叠，以形成分散式布拉格反射镜(distributed Bragg reflector，DBR)。第一型半导体结构1与第二型半导体结构2可反射活性结构10发射的光，且第一型半导体结构1的反射率大于第二型半导体结构2，使得由活性结构10发射的光可以在两个分散式布拉格反射镜中多次反射以形成同调光后，朝向第二型半导体结构2的方向射出，因此，作为发光区的第一部分20可视为垂直共振腔表面发光激光。在本实施例中，第一型半导体结构1包含多个第一层及多个第二层互相交叠，其中第二层的折射率与第一层的折射率不同，例如：第一层的材料例如为Alm1Ga(1-m1)As，第二层的材料例如为Aln1Ga(1-n1)As，且m1不同于n1；此外，第二型半导体结构2包含多个第三层及多个第四层互相交叠，其中第三层的折射率与第四层的折射率不同，例如：第三层的材料例如为Alm2Ga(1-m2)As，第四层的材料例如为Aln2Ga(1-n2)As，且m2不同于n2。在一些实施例中，上述m1、m2、n1、n2可以介于0与1之间，且包含0与1。
再者，第一部分20还包含一电流局限区域201位于第二型半导体结构2中，用以限制电流的路径，以降低发光区的闸值电流(Ith)。在其他实施例，电流局限区域201可以位于第一型半导体结构1中、第一型半导体结构1及活性结构10之间、或活性结构10及第二型半导体结构2之间。在本实施例中，如图1所示，第一部分20的中心区域被电流局限区域201环绕并定义出电流导通区域202，且电流局限区域201的导电率低于电流导通区域202，使注入第一部分20的电流集中于电流导通区域202中。详言之，电流局限区域201具有一内轮廓201a及一外轮廓201b，内轮廓201a以定义电流导通区域202。此外，外轮廓201b可以作为划分第一部分20以及第二部分22的界线，但第一部分20及第二部分22的分界并不限定以此方式界定。此外，图2的电流局限区域201的厚度仅为例示，在一些实施例中，电流局限区域201的厚度小于第二型半导体结构2的厚度。
电流局限区域201可以通过氧化制作工艺、离子注入(ion implant)等制作工艺形成，举例来说，本实施例的离子注入可以是通过在预定形成电流局限区域201之处注入氢离子(H+)、氦离子(He+)或氩离子(Ar+)来实现。在本实施例中，第一部分20的第二型半导体结构2通过电流局限区域201与第二部分22的第二型半导体结构2物理性隔绝。
请继续参照图1、图2，第二部分22包含一第一型重掺杂区域24位于第二型半导体结构2中。第一型重掺杂区域24与第二型半导体结构2的导电型态相异，使第一型重掺杂区域24与第二型半导体结构2之间具有一第一PN界面PN1，使得第二部分22对第一部分有静电防护效果，详请见后说明。此外，第一型重掺杂区域24与第一型半导体结构1的导电型态相同，且部分的第二型半导体结构2位于第一型重掺杂区24与活性结构10之间。本实施例中的第一型重掺杂区域24以及第一型半导体结构1的导电型态为n型，且第二型半导体结构2的导电型态为p型。举例而言，第一型半导体结构1掺杂例如：硅(Si)离子的掺杂物，第二型半导体结构2掺杂，例如：碳(C)离子的掺杂物，且第一型重掺杂区域24是掺杂，例如：砷(As)离子的掺杂物。在一实施例中，第一型重掺杂区域24的掺杂浓度高于第二型半导体结构2的掺杂浓度，以有效达成静电防护效果，例如：第一型重掺杂区域24的掺杂浓度等于或大于第二型半导体结构2的掺杂浓度的一百倍。
在本实施例中，第二型半导体结构2具有一第一厚度d1，且第一型重掺杂区24具有一第二厚度d2小于第一厚度d1，且第二厚度d2大于或等于一半的第一厚度d1，亦即，第一型重掺杂区24的掺杂深度超过第二型半导体结构2的第一厚度d1的一半。本实施例的第一厚度d1是指第二型半导体结构2远离第一型半导体结构1的一表面至靠近第一型半导体结构1的另一表面之间的最大距离，第二厚度d2指的是第一型重掺杂区24远离第一型半导体结构1的一表面至靠近第一型半导体结构1的另一表面之间的最大距离。
在本实施例中，第一部分20为一发光区，且第二部分22则作为发光区的一静电防护结构。本实施例中，第二部分22的第一型重掺杂区域24的面积小于第一部分20的活性结构10的面积，以使半导体元件中的发光区具有较大的面积，由此增加空间利用率，例如第一部分20中的活性结构10的边长L1可为20mil，而第一型重掺杂区域24的边长L2可为6mil至12mil，详请见图1所示。在另一实施例中，第一部分20的活性结构10的面积可以小于第二部分22的第一型重掺杂区域24的面积。
请参照图2，在一实施例中，半导体元件还包含一基板4，前述的第一型半导体结构1、活性结构10及第二型半导体结构2依序形成于基板4上。基板4可以是生长其上的半导体叠层的成长基板，或是半导体叠层也可以在其他基板(图未示)外延生长后，再通过基板转移制作工艺将上述半导体叠层与基板4接合。本实施例中，半导体元件还包含一第一导电结构30以及一第二导电结构5，第一导电结构30设于第二型半导体结构2上，第二导电结构5设于基板4上且远离第二型半导体结构2，使第一导电结构30及第二导电结构5分别位于活性结构10的相反侧，以形成一垂直式(vertical type)半导体元件。在其他实施例中，半导体元件为一水平式(horizontal type)结构，即第一导电结构30及第二导电结构5是设在活性结构10的同一侧。第一导电结构30连接第一部分20的第二型半导体结构2以及第二部分22的第一型重掺杂区域24，以利用第一型重掺杂区域24实现静电防护的功效。
此外，第一导电结构30具有一出光孔D1，设于第一部分20，且大致对应于电流导通区域202的位置，使光可由出光孔D1自半导体元件射出。第一导电结构30或第二导电结构5的材料包含金属，可以包含但不限于金、铜、镍、钛、铂、铝、锡等金属或上述金属的合金。本实施例的半导体元件包含选择性设置的保护层26介于第一导电结构30与第二型半导体结构2之间，由此避免电流自第一导电结构30直接注入第二部分22的第二型半导体结构2中，进而分散注入第一部分20的第二型半导体结构2的电流，对发光区的发光效率产生影响。
依据上述结构，为了避免受到外界静电电压/电流的损害，可以形成一静电保护区，使发光区与保护区整合于同一半导体元件中。此外，只需一次性外延成长，即可产出兼具静电保护与发光的半导体元件，因此，无需再额外封装任何静电防护元件在发光模块中，具有节省封装空间、降低生产成本以及简化工序的优点及功效。以下说明部分实施例的半导体元件的工作原理。
以下所述的「顺向」及「逆向」是对第一部分20的发光区而言的电流流向。详言之，当第二型半导体结构2的导电型态为p型半导体，第一型半导体结构1的导电型态为n型，且电流方向为第二型半导体结构2往第一型半导体结构1时，第一部分20的发光区属于「顺向」。当第二型半导体结构2的导电型态为p型半导体，第一型半导体结构1的导电型态为n型，且电流方向为第一型半导体结构1往第二型半导体结构2时，第一部分20的发光区属于「逆向」。此外，在上述实施例中，第一型重掺杂区24的导电型态为n型。
正常操作下，外部电源所提供的电流是由第一导电结构30流入第一部分20的第二型半导体结构2，并且流经活性结构10、第一型半导体结构1、基板4至第二导电结构5，使第一部分20被驱动发出光；当有一静电放电(ESD)而产生一顺向静电电流时，第二部分22的静电保护区提供了一电流分流路径，进而使顺向静电电流能够由第二部分22的第一型重掺杂区24流入静电保护区，以对第一部分20达到顺向保护的效果。详言之，顺向静电电流由第一导电结构30流入，并且依序流经第一型重掺杂区24、第一PN界面PN1、第二部分22的第二型半导体结构2、活性结构10、第一型半导体结构1、至第二导电结构5。当有一静电放电(ESD)而产生一逆向静电电流时，电流会流经第二部分22的静电保护区，而不经过第一部分20，因此可对第一部分20达到逆向保护的效果。详言之，逆向静电电流由第二导电结构5流入基板4，并且依序流经第二部分22的第一型半导体结构1、活性结构10、第二型半导体结构2、第一型重掺杂区24至第一导电结构30。当静电放电(ESD)而产生一逆向或顺向电压且该逆向或顺向电压大于一电压阀值时，第二部分22会产生击穿(例如:隧穿击穿)，进而使顺向静电电流或逆向静电电流可流经第二部分22，以对第一部分20达到顺向保护或逆向保护的效果。上述电压阀值可以为在第二部分22产生击穿(例如:隧穿击穿)时的最小电压值。
第一型重掺杂区域24的第二厚度d2可进行设计，且小于第二型半导体结构2的第一厚度d1。换言之，通过控制掺杂深度，可调整第一型重掺杂区24与第一型半导体层2之间的第二型半导体层2的区域厚度，进而控制第二部分22中的电压阀值。在一实施例中，第一型重掺杂区域24的第二厚度d2大于或等于第二型半导体结构2的第一厚度d1的一半厚度，例如但不限于：第二型半导体结构2的第一厚度d1为6μm，且第一型重掺杂区域24的第二厚度d2为3μm。此外，第一型重掺杂区域24及第二型半导体结构2的掺杂浓度可视所欲达到的电压阀值进行设计，在一实施例中，第一型重掺杂区域24的掺杂浓度大于或等于第二型半导体结构2的掺杂浓度50至200倍，此外，若第一型重掺杂区域24与第二型半导体结构25之间的浓度差不够显著，将使第二部分22失去保护第一部分20的效果，在本实施例中，第一型重掺杂区域24的掺杂浓度大于或等于第二型半导体结构2的掺杂浓度一百倍。
由上述说明可知，部分实施例的半导体元件是通过第一型重掺杂区域24，从而形成具有双向静电防护效果的第二部分22，无需额外制造静电防护装置、或另于第二型半导体结构2成长电性相异的半导体结构，以节省元件体积并降低生产成本。
图3为本发明一实施例的半导体元件的侧视示意图。图3与图2具有相同的上视图，且图3为沿图1的AA’剖面线的侧视示意图。本实施例的半导体元件与图2所示的半导体元件大致上具有类似的结构，差异在于本实施例的半导体元件另包含一沟槽T贯穿第二型半导体结构2及活性结构10，使第一型半导体结构1暴露出来。在第二型半导体结构2上通过干式蚀刻(Dry Etching)或湿式蚀刻(Wet Etching)形成沟槽T，接着，通过氧化制作工艺以将预定形成电流局限区域201的区域产生材料氧化，以形成低导电率的电流局限区域201。在此实施例中，沟槽T也可以作为划分第一部分20以及第二部分22的界线且本实施例的电流局限区域201包含氧化铝(Al2O3)。在本实施例中，通过第一部分20及第二部分22之间的沟槽T，使第一部分20的第二型半导体结构2及活性结构10分别与第二部分22的第二型半导体结构2及活性结构10物理性隔绝。
图4及图5分别显示本发明另一实施例的半导体元件的俯视示意图及沿BB’剖面线的侧视示意图。半导体元件包含一第一型半导体结构1、一活性结构10以及一第二型半导体结构2依序堆叠设于基板4上，此外，另包含一第一导电结构30设于第二型半导体结构2上，以及一第二导电结构5设于基板4上且远离第二型半导体结构2。各构件的结构特征、连结关系及相关实施例可参考前述。相较于图2，本实施例的半导体元件的结构差异在于，第一型重掺杂区域24包含相互分离的一第一区域241以及一第二区域242，第一区域241及第二区域242位于第二型半导体结构2中，详言之，第一区域241及第二区域242被第二型半导体结构2环绕，第一区域241及第二区域242的掺杂浓度高于第二型半导体结构2的掺杂浓度。在本实施例中，第一区域241的掺杂浓度与第二区域242的掺杂浓度相同，且由同一道制作工艺形成。
第一导电结构30连接第一部分20的第二型半导体结构2以及第一重掺杂区域24的第一区域241，此外，半导体元件另包含一连接导电结构32位于第二区域242及第二部分22的第一型半导体1上，且覆盖于第二型半导体结构2及活性结构10的侧表面，用以连接第二区域242以及第一型半导体结构1。连接导电结构32与第一导电结构30物理性分离。第一型重掺杂区域24与第二型半导体结构2的导电型态相异；举例而言，第一型重掺杂区域24的第一区域241、第二区域242以及第一型半导体结构1属于n型半导体，第二型半导体结构2属于p型半导体；或者第一型重掺杂区域24的第一区域241、第二区域242以及第一型半导体结构1属于p型半导体，第二型半导体结构2属于n型半导体，因此，第一区域241与第二型半导体结构2之间存在一第二PN界面PN2，且在第二型半导体结构2与第二区域242之间存在一第三PN界面PN3。本实施例的半导体元件包含选择性设置的保护层26，介于第一导电结构30与第二型半导体结构2之间、连接导电结构32与第二型半导体结构2之间及连接导电结构32与活性结构10之间，由此避免连接导电结构32与活性结构10直接连接，也避免连接导电结构32与第二型半导体结构2直接连接。
图6显示本发明再一实施例的半导体元件的侧视示意图。图6与图5具有相同的上视图，且图6为沿图4的BB’剖面线的侧视示意图。相较于图5，本实施例的半导体元件的结构差异在于，通过第一部分20及第二部分22之间的沟槽T，露出部分的第一型半导体结构1，使第一部分20的第二型半导体结构2及活性结构10与第二部分22的第二型半导体结构2及活性结构10物理性隔绝。其他构件的结构特征、连结关系及相关实施例可参考前述。
有关如何在第二型半导体结构中形成第二PN界面PN2及第三PN界面PN3，从而整体构成双向的静电保护的第二部分22，例示实施方式、结构特征及相关实施例已如前述。需说明者，在第二型半导体结构2中形成相互分离的第一区域241以及第二区域242，有助于同时调整电流方向为顺向及逆向时的静电防护部分的电压阀值。在本实施例中，由于第一区域241的掺杂浓度与第二区域242的掺杂浓度及掺杂深度均相同，使顺向及逆向时的电压阀值具有相同的绝对值。详言之，在顺向时，电流于第二部分22首次遇到的PN界面为第二PN界面PN2，故由第一区域241的掺杂浓度、第二半导体结构2的掺杂浓度及/或第一区域241掺杂深度决定第二部分22在顺向时的电压阀值；在逆向时，电流于第二部分22首次遇到的PN界面为第三PN界面PN3，故由第二区域242的掺杂浓度、第二半导体结构2的掺杂浓度及/或第二区域242掺杂深度决定第二部分22在逆向时的电压阀值，而上述的掺杂浓度及掺杂深度均相同，故本实施例的第二部分22在顺向及逆向时的电压阀值具有相同的绝对值。
由于第一型重掺杂区域24的掺杂浓度高于第二型半导体结构2的掺杂浓度，且第一型重掺杂区域24的掺杂浓度高于第一型半导体结构1的掺杂浓度，因此，第一型重掺杂区域24具有相对较低的电阻值，有利于静电电流通过。在本实施例中，当半导体元件受到静电放电(ESD)而产生一逆向静电电流时，图5、图6实施例中的逆向静电电流是自第二导电结构5进入基板4，再通过第一型半导体结构1、连接导电结构32进入第二区域242，再进入第二型半导体结构2及第一区域241，最后到达第一导电结构30，从而有效保护第一部分20免于逆静电电流的损害；反之，当半导体元件接受静电放电(ESD)而产生一顺向静电电流时，也可沿相同的导电通道反向通过第二部分22，以有效保护第一部分20。在一实施例中，连接导电结构32也可贯穿第一型半导体结构1而直接连接基板4，有助于避免静电电流对第一型半导体结构1的影响或损害。
请参照图7，在一实施例中，半导体元件包含相邻的多个第一部分20及多个出光孔D1，各出光孔D1对应于各第一部分20，以形成一发光阵列并发射多道光线。需注意者，纵使半导体元件具有多个出光孔D1，仍只需配置一个第二部分22即可避免多个第一部分20受静电毁损，且第二部分22的面积可以小于第一部分20集合的总体面积，以实现微型化半导体元件的优点及功效。
综合上述，本发明的部分实施例提供一种半导体元件，在原有的半导体结构中，通过第一型重掺杂区域24实现静电防护的优点及功效。同时，可视需求调整第一型重掺杂区域24掺杂浓度及深度，进而有效控制第二部分22的电压阀值。此外，通过半导体制作工艺使第一部分20与第二部分22一体成型，只需一次性成长制作工艺，即可产出兼具双向静电防护功能的半导体元件，因此，无需再额外封装任何静电防护元件在发光模块中，具有节省封装空间、降低生产成本以及简化工序的优点及功效。
上述的半导体元件可应用于感测装置(如脸部、虹膜、指纹辨识等)、光达(LiDAR)装置、光纤通讯装置、激光鼠标、照明装置、医疗装置等，且对应于不同应用需求，半导体元件也可以整合于手机及/或其他穿戴式装置中，如用于扩增实境(Augmented Reality，AR)、虚拟现实(Virtual Reality，VR)的眼镜或头盔等。
以上所述的实施例仅是为说明本发明的技术思想及特点，其目的在使熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，当不能以此限定本发明的专利范围，即大凡依本发明所揭示的精神所作的均等变化或修饰，仍应涵盖在本发明的专利范围内。

Claims (10)

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
半导体叠层，具有第一型半导体结构、活性结构以及第二型半导体结构设于该第一型半导体结构上，该第二型半导体结构具有一掺杂浓度；
第一部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含电流局限区域；及
第二部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含第一型重掺杂区域位于该第二型半导体结构中，该第一型重掺杂区域具有一掺杂浓度，其中，该第一型重掺杂区域的该掺杂浓度高于该第二型半导体结构的该掺杂浓度。
2.如权利要求1所述的半导体元件，还包含导电结构，连接该第一部分以及该第二部分且设于该第一型重掺杂区域上。
3.如权利要求1所述的半导体元件，还包含沟槽，位于第一部分及该第二部分之间。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一型重掺杂区域的该掺杂浓度大于或等于该第二型半导体结构的该掺杂浓度的一百倍。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二型半导体结构具有第一厚度，且该第一型重掺杂区域具有第二厚度小于该第一厚度。
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该第二厚度大于或等于一半的该第一厚度。
7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体叠层包含多个该第一部分。
8.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一型重掺杂区域包含相互分离的第一区域以及第二区域。
9.如权利要求8所述的半导体元件，还包含连接导电结构，电连接该第二区域以及该第二部分的该第一型半导体结构。
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该连接导电结构覆盖于该第二型半导体结构的侧表面。
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