CN111351589A - 一种集成于cmos图像传感器的温度传感器及其控制方法 - Google Patents

一种集成于cmos图像传感器的温度传感器及其控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111351589A
CN111351589A CN202010158583.6A CN202010158583A CN111351589A CN 111351589 A CN111351589 A CN 111351589A CN 202010158583 A CN202010158583 A CN 202010158583A CN 111351589 A CN111351589 A CN 111351589A
Authority
CN
China
Prior art keywords
switch
adc
switched
moment
capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010158583.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111351589B (zh
Inventor
袁昕
李婷
曹天骄
陈贵宝
吴龙胜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Microelectronics Technology Institute
Original Assignee
Xian Microelectronics Technology Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Microelectronics Technology Institute filed Critical Xian Microelectronics Technology Institute
Priority to CN202010158583.6A priority Critical patent/CN111351589B/zh
Publication of CN111351589A publication Critical patent/CN111351589A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111351589B publication Critical patent/CN111351589B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K2219/00—Thermometers with dedicated analog to digital converters

Abstract

本发明公开了一种集成于CMOS图像传感器的温度传感器及其控制方法，温度传感器包括温度转电压模块以及单积分型ADC模块；温度转电压模块包括比例电流生成电路，比例电流生成电路将电流源转换成两路具有固定比例的偏置电流，分别输入核心感温模块中两个NPN型双极晶体管的集电极，两个NPN型双极晶体管的基极‑发射极电压分别经过开关电容放大器采样后输入单积分型ADC模块，单积分型ADC模块将采样放大之后的模拟电压值进行量化并输出。本发明温度传感器的控制方法通过采用两次采样两次转换的方法，在不增加电路复杂程度的前提下提高了片上温度传感器的精度。

Description

一种集成于CMOS图像传感器的温度传感器及其控制方法
技术领域
本发明属于传感器领域，涉及一种集成于CMOS图像传感器的温度传感器及其控制方法。
背景技术
温度是影响集成电路工作性能的一个重要参数，尤其是模拟集成电路。在CMOS图像传感器中，环境温度变化会影响环境噪声、器件的暗电流及热噪声等。为了监测芯片内温度对暗电流的影响，以提高系统的可靠性，目前多采用集成式温度传感器。目前CMOS片上温度传感器主要实现方式可分为3大类：电压温度传感器，利用随温度而变的电压电源以及电压ADC将温度信号转换成数字值；频率温度传感器，传感器的输出频率随温度变化发生相应改变；时域温度传感器，延迟发生器生成一个数字脉冲，其延迟随温度变化发生相应改变。
现有集成于CMOS图像传感器的温度传感器电路存在结构复杂且精度不高的问题。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术中集成于CMOS图像传感器的温度传感器检测精度不足的问题，提供一种集成于CMOS图像传感器的温度传感器及其控制方法，在感温模块的输出端两次采样输出电压值，将第一次采样的电压值转换为数字码后取补码，并将得到的补码设置为第二次模数转换过程中数字码的起始值，消除了运算放大器失调电压、电路噪声及模数转换器失调电压的影响，在不增加电路复杂程度的前提下提高片上温度传感器的精度。
为了实现上述目的，本发明有如下的技术方案：
一种集成于CMOS图像传感器的温度传感器，包括温度转电压模块以及单积分型ADC模块；所述的温度转电压模块包括比例电流生成电路，比例电流生成电路将电流源Ibias转换成两路具有固定比例的偏置电流，分别输入核心感温模块中两个NPN型双极晶体管的集电极，两个NPN型双极晶体管的基极-发射极电压分别经过开关电容放大器采样后输入单积分型ADC模块，所述的单积分型ADC模块将采样放大之后的模拟电压值进行量化并输出。
作为本发明的一种优选实施方案，所述的开关电容放大器包括运算放大器，运算放大器的正输入端与共模电平VCM连接，两个NPN型双极晶体管的集电极分别经过第一信号选通开关和第二信号选通开关与第一电容的上极板相连，第一电容的下极板与运算放大器的负输入端相连，运算放大器的负输入端与输出端之间连接反馈开关，与反馈开关相并联的还设置有第二电容；所述运算放大器的输出端分两路连接单积分型ADC模块，两条电路上分别设置有第一输出信号读取开关以及第二输出信号读取开关，第三电容和第四电容的一端分别连接在运算放大器的两条输出电路上，第三电容和第四电容的另一端接地。
作为本发明的一种优选实施方案，第一信号选通开关、第二信号选通开关、反馈开关、第一输出信号读取开关以及第二输出信号读取开关采用NMOS和PMOS互补开关结构。
作为本发明的一种优选实施方案，单积分型ADC模块包括ADC使能信号EN及ADC计数器复位控制信号DIN_RST，当ADC使能信号EN为高时，单积分型ADC模块正常工作；通过配置ADC计数器复位控制信号DIN_RST能够配置单积分型ADC模块各位的初始值。
所述的比例电流生成电路采用共源共栅结构电流镜且采用PMOS输出。
作为本发明的一种优选实施方案，核心感温模块的两个NPN型双极晶体管采用两个尺寸相同的纵向寄生的晶体管，所述两个晶体管的基极和集电极相连、发射极接地电位。
本发明同时还提供了一种所述温度传感器的控制方法，包括以下步骤：
在温度转电压模块的输出端两次采样输出电压值，将第一次采样的电压值转换为数字码后取补码，并将得到的补码设置为第二次模数转换过程中数字码的起始值。
作为本发明控制方法的一种优选方案，在第一时刻，将开关电容放大器的第一信号选通开关、反馈开关以及第一输出信号读取开关从断开状态切换至闭合状态；待第一次采样阶段完成后，将反馈开关在第二时刻重新切换至断开状态，所述的第一输出信号读取开关在第三时刻重新切换至断开状态，第一信号选通开关在第四时刻切换至断开状态，所述的第四时刻晚于第三时刻；在第五时刻，将单积分型ADC模块的ADC使能信号EN切换至高电平，ADC计数器复位控制信号DIN_RST配置为全0，开始第一次模数转换阶段；待第一次模数转换完成后，所述的ADC使能信号EN重新切换为低电平；在第六时刻，将开关电容放大器的第二信号选通开关和第二输出信号读取开关同时切换至闭合状态，待第二次输出电压采样完成后，所述的第二输出信号读取开关在第七时刻切换至断开状态，第二信号选通开关在第八时刻切换至断开状态，所述的第八时刻晚于第七时刻；在第二次模数转换开始时，所述的ADC使能信号EN再次切换至高电平，ADC计数器复位控制信号DIN_RST配置为第一次转换数字码的补码；待第二次模数转换完成后，所述的ADC使能信号EN重新切换为低电平。
相较于现有技术，本发明集成于CMOS图像传感器的温度传感器具有如下有益效果：与其他温度传感器设计相比，本发明的电路结构简单，通过优化时序设计能够提高温度传感器的精度。本发明不需要增加额外的电路结构，由于需要进行两次转换过程，因此一个温度测试周期变长。但由于温度在自然中是一个变化非常缓慢的模拟信号，同时本发明所提供的片上集成温度传感器主要用来检测CMOS图像传感器芯片的环境温度，温度的变化速度也受热传导速度的限制，因此可以采用较长的测试周期来提高温度传感器的线性度。
相较于现有技术，本发明温度传感器的控制方法具有如下的有益效果：通过采用两次采样两次转换的方法，能够消除运算放大器失调电压、电路噪声及模数转换器失调电压等的影响，在不增加电路复杂程度的前提下提高了片上温度传感器的精度。
附图说明
图1本发明集成于CMOS图像传感器的温度传感器电路结构图；
图2本发明所设计控制方法的时序图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明做进一步的详细说明。
参见图1，本发明集成于CMOS图像传感器的温度传感器包括温度转电压模块100以及单积分型ADC模块101，在感温模块中，比例电流生成电路将电流源Ibias转换成两路具有固定比例的偏置电流，分别输入核心感温模块103中两个NPN型双极晶体管的集电极。核心感温模块103利用两个工作在不同电流密度下的双极晶体管，其基极-发射极电压的差值与绝对温度成正比。在不考虑基极电流的影响时，电压的差值是一个与工艺无关、与温度呈线性关系的变化量。核心感温模块103输出的两个基极-发射极电压分别经过开关电容放大器采样后输入单积分型ADC模块，将采样放大之后的模拟电压值进行量化，以便进行数字信号处理。
开关电容放大器包括运算放大器104，运算放大器104的正输入端与共模电平VCM连接，两个NPN型双极晶体管的集电极分别经过第一信号选通开关105和第二信号选通开关106与第一电容110的上极板相连，第一电容110的下极板与运算放大器104的负输入端相连，运算放大器104的负输入端与输出端之间连接反馈开关107，与反馈开关107相并联的还设置有第二电容111；运算放大器104的输出端分两路连接单积分型ADC模块101，两条电路上分别设置有第一输出信号读取开关108以及第二输出信号读取开关109，第三电容112和第四电容113的一端分别连接在运算放大器104的两条输出电路上，第三电容112和第四电容113的另一端接地。第一信号选通开关105、第二信号选通开关106、反馈开关107、第一输出信号读取开关108以及第二输出信号读取开关109采用NMOS和PMOS互补开关结构。比例电流生成电路102采用共源共栅结构电流镜且采用PMOS输出。核心感温模块103的两个NPN型双极晶体管采用两个尺寸相同的纵向寄生的晶体管，两个晶体管的基极和集电极相连、发射极接地电位。单积分型ADC模块101包括ADC使能信号EN及ADC计数器复位控制信号DIN_RST，当ADC使能信号EN为高时，单积分型ADC模块101正常工作；通过配置ADC计数器复位控制信号DIN_RST能够配置单积分型ADC模块101各位的初始值。
参见图2，本发明集成于CMOS图像传感器的温度传感器控制过程如下：
在第一次采样阶段，第一信号选通开关S1、反馈开关S3以及第一输出信号读取开关S4切换至闭合状态，第一电容110上极板采得第一NPN管114的基极—发射极电压，下极板因单位增益负反馈获得与放大器同相端相同的VCM电压。待第一次采样阶段完成后，反馈开关S3、第一输出信号读取开关S4以及第一信号选通开关S1重新切换至关断状态，在此过程中反馈开关S3以及第一输出信号读取开关S4的断开时间稍提前于第一信号选通开关S1，以减少沟道电荷注入对第一电容110产生的误差。在第一次转换阶段，单积分型ADC模块101的ADC使能信号EN切换至高电平，ADC计数器复位控制信号DIN_RST配置为全0，单积分型ADC模块101将第一次采用的模拟电压值VOUT1进行量化得到相应的数字输出码DOUT1。第一次转换阶段完成后，ADC使能信号EN重新切换为低电平。在第二次采样阶段，第二信号选通开关S2和第二输出信号读取开关S5切换至闭合状态，第一电容110的上极板采集得到第二NPN管115的基极－发射极电压，使部分存储在第一电容110上的电荷转移到第二电容111。待第二次采样阶段完成后，第二信号选通开关S2和第二输出信号读取开关S5重新切换至断开状态，在此过程中，第二输出信号读取开关S5的断开时间稍提前于第二信号选通开关S2，以减少沟道电荷注入在第一电容110产生的误差。在第二次转换阶段，单积分型ADC模块101的ADC使能信号EN切换至高电平，此时ADC计数器复位控制信号DIN_RST配置为第一转换阶段数字输出码DOUT1的补码。单积分型ADC模块101将第二次采样的模拟电压值VOUT2进行量化，此时数字输出码DOUT对应的模拟电压值为两次采样电压的差值。待第二次转换阶段完成后，单积分型ADC模块101的ADC使能信号EN重新切换至低电平。
通过采用两次采样两次转换的方法，可以消除运算放大器失调电压、电路噪声及模数转换器失调电压等的影响，在不增加电路复杂程度的前提下提高片上温度传感器的精度。
以上结合具体的优选实施方式对本发明做出了进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施方式仅限于此，对所属技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以设计若干简单的替换，都应当视为属于本发明所提交的权利要求书确定的专利保护范围。

Claims (8)

1.一种集成于CMOS图像传感器的温度传感器，其特征在于：
包括温度转电压模块(100)以及单积分型ADC模块(101)；所述的温度转电压模块(100)包括比例电流生成电路(102)，比例电流生成电路(102)将电流源Ibias转换成两路具有固定比例的偏置电流，分别输入核心感温模块(103)中两个NPN型双极晶体管的集电极，两个NPN型双极晶体管的基极-发射极电压分别经过开关电容放大器采样后输入单积分型ADC模块(101)，所述的单积分型ADC模块(101)将采样放大之后的模拟电压值进行量化并输出。
2.根据权利要求1所述集成于CMOS图像传感器的温度传感器，其特征在于：
所述的开关电容放大器包括运算放大器(104)，运算放大器(104)的正输入端与共模电平VCM连接，两个NPN型双极晶体管的集电极分别经过第一信号选通开关(105)和第二信号选通开关(106)与第一电容(110)的上极板相连，第一电容(110)的下极板与运算放大器(104)的负输入端相连，运算放大器(104)的负输入端与输出端之间连接反馈开关(107)，与反馈开关(107)相并联的还设置有第二电容(111)；运算放大器(104)的输出端分两路连接单积分型ADC模块(101)，两条电路上分别设置有第一输出信号读取开关(108)以及第二输出信号读取开关(109)，第三电容(112)和第四电容(113)的一端分别连接在运算放大器(104)的两条输出电路上，第三电容(112)和第四电容(113)的另一端接地。
3.根据权利要求2所述集成于CMOS图像传感器的温度传感器，其特征在于：所述的第一信号选通开关(105)、第二信号选通开关(106)、反馈开关(107)、第一输出信号读取开关(108)以及第二输出信号读取开关(109)采用NMOS和PMOS互补开关结构。
4.根据权利要求1所述集成于CMOS图像传感器的温度传感器，其特征在于：所述的单积分型ADC模块(101)包括ADC使能信号EN及ADC计数器复位控制信号DIN_RST，当ADC使能信号EN为高时，单积分型ADC模块(101)正常工作；通过配置ADC计数器复位控制信号DIN_RST能够配置单积分型ADC模块(101)各位的初始值。
5.根据权利要求1所述集成于CMOS图像传感器的温度传感器，其特征在于：
所述的比例电流生成电路(102)采用共源共栅结构电流镜且采用PMOS输出。
6.根据权利要求1所述集成于CMOS图像传感器的温度传感器，其特征在于：
所述核心感温模块(103)的两个NPN型双极晶体管采用两个尺寸相同的纵向寄生的晶体管，所述两个晶体管的基极和集电极相连、发射极接地电位。
7.一种基于权利要求1-6中任意一项所述集成于CMOS图像传感器的温度传感器的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
在温度转电压模块(100)的输出端两次采样输出电压值，将第一次采样的电压值转换为数字码后取补码，并将得到的补码设置为第二次模数转换过程中数字码的起始值。
8.根据权利要求7所述的控制方法，其特征在于：在第一时刻，将开关电容放大器的第一信号选通开关(105)、反馈开关(107)以及第一输出信号读取开关(108)从断开状态切换至闭合状态；待第一次采样阶段完成后，将反馈开关(107)在第二时刻重新切换至断开状态，所述的第一输出信号读取开关(108)在第三时刻重新切换至断开状态，第一信号选通开关(105)在第四时刻切换至断开状态，所述的第四时刻晚于第三时刻；在第五时刻，将单积分型ADC模块(101)的ADC使能信号EN切换至高电平，ADC计数器复位控制信号DIN_RST配置为全0，开始第一次模数转换阶段；待第一次模数转换完成后，所述的ADC使能信号EN重新切换为低电平；在第六时刻，将开关电容放大器的第二信号选通开关(106)和第二输出信号读取开关(109)同时切换至闭合状态，待第二次输出电压采样完成后，所述的第二输出信号读取开关(109)在第七时刻切换至断开状态，第二信号选通开关(106)在第八时刻切换至断开状态，所述的第八时刻晚于第七时刻；在第二次模数转换开始时，所述的ADC使能信号EN再次切换至高电平，ADC计数器复位控制信号DIN_RST配置为第一次转换数字码的补码；待第二次模数转换完成后，所述的ADC使能信号EN重新切换为低电平。
CN202010158583.6A 2020-03-09 2020-03-09 一种集成于cmos图像传感器的温度传感器及其控制方法 Active CN111351589B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010158583.6A CN111351589B (zh) 2020-03-09 2020-03-09 一种集成于cmos图像传感器的温度传感器及其控制方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010158583.6A CN111351589B (zh) 2020-03-09 2020-03-09 一种集成于cmos图像传感器的温度传感器及其控制方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111351589A true CN111351589A (zh) 2020-06-30
CN111351589B CN111351589B (zh) 2021-11-12

Family

ID=71196018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010158583.6A Active CN111351589B (zh) 2020-03-09 2020-03-09 一种集成于cmos图像传感器的温度传感器及其控制方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111351589B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112781752A (zh) * 2020-12-30 2021-05-11 海光信息技术股份有限公司 温度检测电路及芯片
CN113532681A (zh) * 2021-07-13 2021-10-22 东南大学 利用电阻热噪声电压测量电阻元件温度的系统及方法
CN113624356A (zh) * 2021-08-12 2021-11-09 上海旻森电子科技有限公司 一种温度检测器中消除运放输入失调影响的电路技术
CN113741612A (zh) * 2021-09-17 2021-12-03 成都微光集电科技有限公司 温度传感器
CN113885610A (zh) * 2021-12-06 2022-01-04 南京芯圣电子科技有限公司 一种温度控制系统、方法、装置、设备及可读存储介质
US20220082450A1 (en) * 2020-09-14 2022-03-17 Nxp B.V. Temperature-to-digital converter
CN115514366A (zh) * 2022-11-15 2022-12-23 灿芯半导体(成都)有限公司 一种温度传感器中单转双驱动电路及其时序控制优化方法
EP4191216A3 (en) * 2021-11-12 2023-09-27 Analog Devices International Unlimited Company Temperature sensor with delta base-emitter voltage amplification and digital curvature correction

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6329868B1 (en) * 2000-05-11 2001-12-11 Maxim Integrated Products, Inc. Circuit for compensating curvature and temperature function of a bipolar transistor
CN101162604A (zh) * 2006-10-12 2008-04-16 海力士半导体有限公司 输出半导体存储设备的温度数据的电路及方法
CN101762336B (zh) * 2009-11-24 2011-08-31 上海贝岭股份有限公司 一种cmos开关电流温度传感器电路及其控制方法
CN109470376A (zh) * 2018-09-17 2019-03-15 芯原微电子(上海)有限公司 Cmos温度传感器及温度检测方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6329868B1 (en) * 2000-05-11 2001-12-11 Maxim Integrated Products, Inc. Circuit for compensating curvature and temperature function of a bipolar transistor
CN101162604A (zh) * 2006-10-12 2008-04-16 海力士半导体有限公司 输出半导体存储设备的温度数据的电路及方法
CN101762336B (zh) * 2009-11-24 2011-08-31 上海贝岭股份有限公司 一种cmos开关电流温度传感器电路及其控制方法
CN109470376A (zh) * 2018-09-17 2019-03-15 芯原微电子(上海)有限公司 Cmos温度传感器及温度检测方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220082450A1 (en) * 2020-09-14 2022-03-17 Nxp B.V. Temperature-to-digital converter
US11674855B2 (en) * 2020-09-14 2023-06-13 Nxp B.V. Temperature-to-digital converter
CN112781752A (zh) * 2020-12-30 2021-05-11 海光信息技术股份有限公司 温度检测电路及芯片
CN113532681A (zh) * 2021-07-13 2021-10-22 东南大学 利用电阻热噪声电压测量电阻元件温度的系统及方法
CN113624356A (zh) * 2021-08-12 2021-11-09 上海旻森电子科技有限公司 一种温度检测器中消除运放输入失调影响的电路技术
CN113741612A (zh) * 2021-09-17 2021-12-03 成都微光集电科技有限公司 温度传感器
EP4191216A3 (en) * 2021-11-12 2023-09-27 Analog Devices International Unlimited Company Temperature sensor with delta base-emitter voltage amplification and digital curvature correction
CN113885610A (zh) * 2021-12-06 2022-01-04 南京芯圣电子科技有限公司 一种温度控制系统、方法、装置、设备及可读存储介质
CN115514366A (zh) * 2022-11-15 2022-12-23 灿芯半导体(成都)有限公司 一种温度传感器中单转双驱动电路及其时序控制优化方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111351589B (zh) 2021-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111351589B (zh) 一种集成于cmos图像传感器的温度传感器及其控制方法
Cho et al. A 10 b, 20 Msample/s, 35 mW pipeline A/D converter
US4539551A (en) Differential voltage amplifier
CN109374144B (zh) 一种能输出pwm信号的温度传感器
CN102809436B (zh) 一种红外线列焦平面读出电路
KR20130048690A (ko) 연속 근사 아날로그-디지털 변환
US7782096B2 (en) Track-and-hold circuit with low distortion
CN112219097B (zh) 具有成对的二极管和反馈回路的温度传感器半导体器件
CN110798220A (zh) 一种温度传感器的模数转换方法及模数转换装置
CN101232286A (zh) A/d转换器
Xu et al. A 1.0-VV/sub DD/CMOS active-pixel sensor with complementary pixel architecture and pulsewidth modulation fabricated with a 0.25-/spl mu/m CMOS process
Peric et al. DCD–the multi-channel current-mode ADC chip for the readout of DEPFET pixel detectors
CN111263090B (zh) 读出电路结构及其工作时序控制方法
CN114726323B (zh) 一种电容反馈跨阻放大器电路、驱动方法、驱动电路
CN115940953A (zh) 一种在模拟域实现cds差值量化操作的sar/ss adc
CN115550581A (zh) 一种像素列读出电路及图像传感器
CN111355907B (zh) 一种用于cmos图像传感器的列级adc及其实现方法
Zhou et al. A low power ROIC with extended counting ADC based on circuit noise analysis for sensor arrays in IoT system
Guo et al. An area-efficient and low-power logarithmic A/D converter for current-mode sensor array
CN113900471B (zh) 一种pa芯片的偏置控制环路
Buckbee et al. An Indirect Time-of-Flight SPAD Pixel With Dynamic Comparator Reuse for a Single-Slope ADC
JP3701037B2 (ja) サンプル・ホールド回路
Di Cataldo et al. An accurate offset-compensated current comparator
Shi et al. Current sensing interface based on noise-shaped pulse width modulation
CN116222823A (zh) 一种探测和读出分离的自校正温度传感器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant