CN111349889B - 一种黑色绝缘涂层及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

一种黑色绝缘涂层及其制作方法，该涂层包括在基底表面沉积的纯Si层、在Si层上沉积的第一SiC层、在第一SiC层上沉积的第二SiC层、在第二SiC层上沉积的第三SiC层、在第三SiC层上沉积的第四SiC层。方法采用磁控溅射方法沉积涂层，包括：在基底表面沉积纯Si层；以第一流量通入C2H2气，沉积第一SiC层；以第二流量通入C2H2气，沉积第二SiC层，第二流量大于第一流量且逐步递增；以第三流量通入C2H2气，沉积第三SiC层，第三流量在第二流量的基础上逐步递增；以第四流量通入C2H2气，沉积第四SiC层，第四流量在第三流量的基础上逐步递增。相比现有的制作工艺，本发明可以在获得理想黑色涂层的同时，大大提升黑色涂层的绝缘性。

Description

一种黑色绝缘涂层及其制作方法
技术领域
本发明涉及涂层的制作工艺，特别是一种黑色绝缘涂层及其制作方法。
背景技术
磁控溅射可用于涂层制作。磁控溅射镀膜，是在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为Ar气)，永久磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。在电场的作用下，Ar气电离成正离子和电子，靶上加有一定的负高压，从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大，在阴极附近形成高密度的等离子体，Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，以很高的速度轰击靶面，使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。
某些电子产品需要使用具有黑色外观的不锈钢件或陶瓷件，其可以使用磁控溅射工艺制作黑色涂层，工艺过程中通过溅射沉积多层膜层，最终形成一个整体的黑色涂层。现有工艺制作的黑色涂层不能做到每层膜层绝缘。对于实际产品而言，如何使涂层的黑色外观满足要求的同时使涂层达到较高的绝缘性能，是现有技术面临的挑战。
此外，对于需要同时使用具有黑色外观的不锈钢件和陶瓷件的电子产品，还期望保证不锈钢件和陶瓷件各自黑颜色的一致性。虽然可以对不锈钢件和陶瓷件进行同炉镀膜，但是，由于两者材质的不同，不锈钢件导电而陶瓷件不导电，因此，即使采用同炉镀膜的方式，不锈钢件和陶瓷件上的涂层也难以获得一致的黑颜色。
以上背景技术内容的公开仅用于辅助理解本发明的发明构思及技术方案，其并不必然属于本专利申请的现有技术，在没有明确的证据表明上述内容在本专利申请的申请日已经公开的情况下，上述背景技术不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。
发明内容
本发明的主要目的在于克服现有技术的上述缺陷，提供一种黑色绝缘涂层及其制作方法。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种黑色绝缘涂层，包括在基底材料表面沉积的纯Si层、在所述Si层上沉积的第一SiC层、在所述第一SiC层上沉积的第二SiC层、在所述第二SiC层上沉积的第三SiC层、在所述第三SiC层上沉积的第四SiC层，其中，所述第一SiC层的颜色L值在65±2，所述第二SiC层的颜色L值在50±2，所述第三SiC层的颜色L值在42±2，所述第四SiC层的颜色L值在31±2。
一种黑色绝缘涂层制作方法，采用磁控溅射方法沉积涂层，包括以下步骤：
A1、开启Si靶，在基底材料表面沉积纯Si层；
A2、开启Si靶的同时以第一流量通入C2H2气，在所述Si层上沉积第一SiC层；
A3、开启Si靶的同时以第二流量通入C2H2气，在所述第一SiC层上沉积第二SiC层，所述第二流量大于所述第一流量且逐步递增；
A4、开启Si靶的同时以第三流量通入C2H2气，在所述第二SiC层上沉积第三SiC层，所述第三流量在所述第二流量的基础上逐步递增；
A5、开启Si靶的同时以第四流量通入C2H2气，在所述第三SiC层上沉积第四SiC层，所述第四流量在所述第三流量的基础上逐步递增。
进一步地：
步骤A1中，调整Ar气进气量，使气压达到0.3～0.4Pa，偏压设定-50～-100V，开启中频镀膜电源电流沉积纯Si层，Si靶电流为12-25A；
步骤A2中，通入C2H2气的流量40sccm，气压为0.30～0.40Pa，Si靶的靶电流为15-25A，沉积SiC层5-15分钟；
步骤A3中，通入C2H2气的流量从50sccm递增到S1值，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层8～20分钟；其中S1值的取值范围为100～150sccm；
步骤A4中，通入C2H2气的流量从S1值递增到S2值，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层30～40分钟；其中S2值的取值范围为220～280sccm；
步骤A5中，通入C2H2气的流量从S2值递增到S3值，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层10～20分钟；其中S3值的取值范围为240～290sccm。
进一步地：
步骤A1中，调整Ar气进气量，使气压达到0.3～0.4Pa，偏压设定-50～-100V，开启中频镀膜电源电流沉积纯Si层，Si靶电流为12-25A；
步骤A2中，通入C2H2气的流量40sccm，气压为0.30～0.40Pa，Si靶的靶电流为15-25A，沉积SiC层5-15分钟；
步骤A3中，通入C2H2气的流量从50sccm递增到120sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层8～20分钟；
步骤A4中，通入C2H2气的流量从120sccm递增到260sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层30～40分钟；
步骤A5中，通入C2H2气的流量从260sccm递增到270sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层10～20分钟。
进一步地：
步骤A1中，调整Ar气进气量，使气压达到0.3～0.4Pa，偏压设定-50～-100V，开启中频镀膜电源电流沉积纯Si层，Si靶电流为12-25A；
步骤A2中，通入C2H2气的流量40sccm，气压为0.30～0.40Pa，Si靶的靶电流为15-25A，沉积SiC层5-15分钟；
步骤A3中，通入C2H2气的流量从50sccm递增到140sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层8～20分钟；
步骤A4中，通入C2H2气的流量从140sccm递增到280sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层30～40分钟；
步骤A5中，通入C2H2气的流量从280sccm递增到290sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层10～20分钟。
进一步地：
步骤A1中，调整Ar气进气量，使气压达到0.3～0.4Pa，偏压设定-50～-100V，开启中频镀膜电源电流沉积纯Si层，Si靶电流为12-25A；
步骤A2中，通入C2H2气的流量40sccm，气压为0.30～0.40Pa，Si靶的靶电流为15-25A，沉积SiC层5-15分钟；
步骤A3中，通入C2H2气的流量从50sccm递增到100sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层8～20分钟；
步骤A4中，通入C2H2气的流量从100sccm递增到220sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层30～40分钟；
步骤A5中，通入C2H2气的流量从220sccm递增到240sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层10～20分钟。
进一步地：
步骤A1中，调整Ar气进气量，使气压达到0.3～0.4Pa，偏压设定-50～-100V，开启中频镀膜电源电流沉积纯Si层，Si靶电流为12-25A；
步骤A2中，通入C2H2气的流量40sccm，气压为0.30～0.40Pa，Si靶的靶电流为15-25A，沉积SiC层5-15分钟；
步骤A3中，通入C2H2气的流量从50sccm递增到150sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层8～20分钟；
步骤A4中，通入C2H2气的流量从150sccm递增到280sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层30～40分钟；
步骤A5中，通入C2H2气的流量从280sccm递增到290sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层10～20分钟。
进一步地，在步骤A1前还包括以下步骤：
使本底真空达到6.0*10-3～8.0*10-3Pa，通入Ar气，使气压达到0.1～0.2pa，偏压-500～-800V，辉光清洗1～3圈。
进一步地，所述基底材料为陶瓷片或者不锈钢片。
进一步地，所述基底材料包括同炉镀膜的第一基底材料和第二基底材料，所述第一基底材料为陶瓷片，所述第二基底材料为不锈钢片，所述陶瓷片和所述不锈钢片安装在在同一块或不同金属板的表面上，通过所述金属板的表面对所述陶瓷片和所述不锈钢片施加偏压。
进一步地，所述金属板为钢板，所述陶瓷片和所述不锈钢片固定在对应的钢板中间区域，而钢板的四周的尺寸比所述陶瓷片和所述不锈钢片多出2-3mm以上。
本发明具有如下有益效果：
本发明能够在获得理想黑色涂层的同时，使沉积的膜层具有高电阻，从而使黑色涂层具有很好的绝缘性。与现有工艺制作的黑色涂层相比，本发明可以大大提升黑色涂层的绝缘性，每个膜层的电阻等级高于105欧姆，很好地满足产品的绝缘性能要求。而且本发明相对于现有工艺成本更低，工艺操作更简单。本发明可以应用于手机等通讯设备的制作。
进一步地，本发明还能够克服不锈钢与陶瓷上形成的黑色涂层的颜色差异性问题，显著减小同炉陶瓷片与不锈钢片上膜层的颜色差异性，使二者颜色一致，达到无色差的视觉效果。
附图说明
图1为本发明实施例的不锈钢片与陶瓷片的黑色涂层外观示意图。
图2为传统工艺制作的不锈钢片与陶瓷片的黑色涂层外观示意图。
具体实施方式
以下对本发明的实施方式作详细说明。应该强调的是，下述说明仅仅是示例性的，而不是为了限制本发明的范围及其应用。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。另外，连接既可以是用于固定作用也可以是用于电路/信号连通作用。
需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多该特征。在本发明实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
实施例1
设备配置包括一对Si靶、一块比镀膜陶瓷片与钢片更大的四方体钢板(选用陶瓷片尺寸为55mm*90mm*1mm，故选用钢板为60mm*100mm*3mm)、两个专用治具弹簧。
1，基底材料经超声清洗，使用专用治具上架，把陶瓷片或者不锈钢片放在上述钢板上。
2，使用专用治具弹簧卡住陶瓷片或者不锈钢片，使陶瓷片或者不锈钢片刚好在钢板中间，而钢板四周要比所夹陶瓷片或者不锈钢片都多出2-3mm以上。
3，把上述夹了陶瓷片或者不锈钢片的钢板挂在挂杆上放入真空炉体中。
4，本底真空达到6.0*10-3～8.0*10-3Pa，通入Ar气，使气压达到0.1～0.2pa，偏压-500～-800V，辉光清洗1～3圈。
5，调整Ar气进气量，使气压达到0.3～0.4Pa，偏压设定-50～-100V，开启中频镀膜电源电流沉积纯Si层，Si靶电流为12-25A。
6，通入乙炔气，C2H2量40sccm，气压为0.30～0.40Pa，开启Si靶，硅靶电流为18-25A，沉积SiC层5-15分钟。此SiC层主要作为过渡层，颜色较浅，颜色L值在65±2，与底层附着力好，用来连接底层与后一SiC层。
7，通入C2H2气，C2H2量从50sccm递增到120sccm气压为0.3～0.4Pa，开启Si靶，靶电流Si＝18～25A沉积SiC层8～15分钟。此SiC层为过渡层，厚度较薄，颜色比上层稍深，颜色L值在50±2，可以很好的与上下层相附着。
8，通入C2H2气，C2H2量从120sccm递增到260sccm气压为0.3～0.4Pa，开启Si靶，靶电流Si＝18～25A沉积SiC层30～40分钟。此SiC层为过渡层，厚度较厚，颜色较深，颜色L值在42±2，与下层颜色层颜色接近。
9，通入C2H2气，C2H2量从260sccm递增到270sccm气压为0.3～0.4Pa，开启Si靶，靶电流Si＝18～25A沉积SiC层10～20分钟，该层的颜色L值在31±2，镀膜结束。
实施例2
1，基底材料经超声清洗，使用专用治具上架，把陶瓷片或者不锈钢片放在上述钢板上。
2，使用专用治具弹簧卡住陶瓷片或者不锈钢片，使陶瓷片或者不锈钢片刚好在钢板中间，而钢板四周要比所夹陶瓷片或者不锈钢片都多出2-3mm以上。
3，把上述夹了陶瓷片或者不锈钢片的钢板挂在挂杆上放入真空炉体中。
4，本底真空达到6.0*10-3～8.0*10-3Pa，通入Ar气，使气压达到0.1～0.2pa，偏压-600V，辉光清洗1～3圈。
5，调整Ar气进气量，使气压达到0.3～0.4Pa，偏压设定-50～-100V，开启中频镀膜电源电流沉积纯Si层，Si靶电流为15A。
6，通入乙炔气，C2H2量40sccm，气压为0.30～0.40Pa，开启Si靶，硅靶电流为15A，沉积SiC层8分钟，该层的颜色L值在65±2。
7，通入C2H2气，C2H2量从50sccm递增到140sccm气压为0.3～0.4Pa，开启Si靶，靶电流Si＝20A沉积SiC层15分钟，该层的颜色L值在50±2。
8，通入C2H2气，C2H2量从140sccm递增到280sccm气压为0.3～0.4Pa，开启Si靶，靶电流Si＝20A沉积SiC层40分钟，该层的颜色L值在42±2。
9，通入C2H2气，C2H2量从280sccm递增到290sccm气压为0.3～0.4Pa，开启Si靶，靶电流Si＝20A沉积SiC层15分钟，该层的颜色L值在31±2，镀膜结束。
实施例3
1，基底材料经超声清洗，使用专用治具上架，把陶瓷片或者不锈钢片放在上述钢板上。
2，使用专用治具弹簧卡住陶瓷片或者不锈钢片，使陶瓷片或者不锈钢片刚好在钢板中间，而钢板四周要比所夹陶瓷片或者不锈钢片都多出3-5mm以上。
3，把上述夹了陶瓷片或者不锈钢片的钢板挂在挂杆上放入真空炉体中。
4，本底真空达到6.0*10-3～8.0*10-3Pa，通入Ar气，使气压达到0.1～0.2pa，偏压-800V，辉光清洗1～3圈。
5，调整Ar气进气量，使气压达到0.3～0.4Pa，偏压设定-50～-100V，开启中频镀膜电源电流沉积纯Si层，Si靶电流为16A。
6，通入乙炔气，C2H2量40sccm，气压为0.30～0.40Pa，开启Si靶，硅靶电流为18A，沉积SiC层10分钟，该层的颜色L值在65±2。
7，通入C2H2气，C2H2量从50sccm递增到100sccm气压为0.3～0.4Pa，开启Si靶，靶电流Si＝20A沉积SiC层20分钟，该层的颜色L值在50±2。
8，通入C2H2气，C2H2量从100sccm递增到220sccm气压为0.3～0.4Pa，开启Si靶，靶电流Si＝18A沉积SiC层35分钟，该层的颜色L值在42±2。
9，通入C2H2气，C2H2量从220sccm递增到240sccm气压为0.3～0.4Pa，开启Si靶，靶电流Si＝18A沉积SiC层12分钟，该层的颜色L值在31±2，镀膜结束。
实施例4
1，基底材料经超声清洗，使用专用治具上架，把陶瓷片或者不锈钢片放在上述钢板上。
2，使用专用治具弹簧卡住陶瓷片或者不锈钢片，使陶瓷片或者不锈钢片刚好在钢板中间，而钢板四周要比所夹陶瓷片或者不锈钢片都多出4mm以上。
3，把上述夹了陶瓷片或者不锈钢片的钢板挂在挂杆上放入真空炉体中。
4，本底真空达到6.0*10-3～8.0*10-3Pa，通入Ar气，使气压达到0.1～0.2pa，偏压-700V，辉光清洗1～3圈。
5，调整Ar气进气量，使气压达到0.3～0.4Pa，偏压设定-50～-100V，开启中频镀膜电源电流沉积纯Si层，Si靶电流为20A。
6，通入乙炔气，C2H2量40sccm，气压为0.30～0.40Pa，开启Si靶，硅靶电流为25A，沉积SiC层15分钟，该层的颜色L值在65±2。
7，通入C2H2气，C2H2量从50sccm递增到150sccm气压为0.3～0.4Pa，开启Si靶，靶电流Si＝20A沉积SiC层10分钟，该层的颜色L值在50±2。
8，通入C2H2气，C2H2量从150sccm递增到280sccm气压为0.3～0.4Pa，开启Si靶，靶电流Si＝25A沉积SiC层30分钟，该层的颜色L值在42±2。
9，通入C2H2气，C2H2量从280sccm递增到290sccm气压为0.3～0.4Pa，开启Si靶，靶电流Si＝25A沉积SiC层15分钟，该层的颜色L值在31±2，镀膜结束。
经实验测试，本发明实施例1-4的黑色涂层的每一层都具有较高的电阻，均高于105Ω，测得的电阻等级如表1所示。
表1
Figure BDA0002296567070000081
Figure BDA0002296567070000091
将采用本发明实施例1-4制作的钢片、陶瓷片的黑色涂层样品与传统工艺制作钢片、陶瓷片的黑色涂层样品进行颜色比对，颜色性能数据如表2所示。
本发明实施例1-4制作的超黑涂层的颜色更深，亮度L值较低，a值较大(a值表示红绿相，a值越大越红，越负越绿)，b值较大(b值表示黄蓝相，b值越大越黄，越负越蓝)。本发明实施例1-4制作的钢片与陶瓷片的涂层黑色一致性较好。
传统工艺制作的黑色涂层的亮度L值较高，a值较小，b值较小。传统工艺制作的钢片与陶瓷片的涂层黑色一致性较差。
表2
Figure BDA0002296567070000092
Figure BDA0002296567070000101
图1所示为实施例1制作的不锈钢片与陶瓷片的黑色涂层外观示意图(图1中上部为不锈钢片，下部为陶瓷片)。图2为传统工艺制作的不锈钢片与陶瓷片的黑色涂层外观示意图(图2中上部为不锈钢片，下部为陶瓷片)。通过比较可以明显看出，本发明有效地减小了同炉陶瓷片与不锈钢片上膜层颜色差异性，达到了无色差的视觉效果。
本发明的背景部分可以包含关于本发明的问题或环境的背景信息，而不是由其他人描述现有技术。因此，在背景技术部分中包含的内容并不是申请人对现有技术的承认。
以上内容是结合具体/优选的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，其还可以对这些已描述的实施方式做出若干替代或变型，而这些替代或变型方式都应当视为属于本发明的保护范围。在本说明书的描述中，参考术语“一种实施例”、“一些实施例”、“优选实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。尽管已经详细描述了本发明的实施例及其优点，但应当理解，在不脱离由所附权利要求限定的范围的情况下，可以在本文中进行各种改变、替换和变更。

Claims (6)

1.一种黑色绝缘涂层制作方法，采用磁控溅射方法沉积涂层，其特征在于，包括以下步骤：
使本底真空达到6.0*10-3 ～8.0*10-3 Pa，通入Ar气，使气压达到0.1～0.2Pa ，偏压-500～-800V，辉光清洗1～3圈；
A1、开启Si靶，在基底材料表面沉积纯Si层；
A2、开启Si靶的同时以第一流量通入C2H2气，在所述Si层上沉积第一SiC层；
A3、开启Si靶的同时以第二流量通入C2H2气，在所述第一SiC层上沉积第二SiC层，所述第二流量大于所述第一流量且逐步递增；
A4、开启Si靶的同时以第三流量通入C2H2气，在所述第二SiC层上沉积第三SiC层，所述第三流量在所述第二流量的基础上逐步递增；
A5、开启Si靶的同时以第四流量通入C2H2气，在所述第三SiC层上沉积第四SiC层，所述第四流量在所述第三流量的基础上逐步递增；
步骤A1中，调整Ar气进气量，使气压达到0.3～0.4Pa，偏压设定-50～-100V，开启中频镀膜电源电流沉积纯Si层，Si靶电流为12-25A；
步骤A2中，通入C2H2气的流量40sccm，气压为0.30～0.40Pa，Si靶的靶电流为15-25A，沉积SiC层5-15分钟；
步骤A3中，通入C2H2气的流量从50sccm递增到S1值，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层8～20分钟；其中S1值的取值范围为100～150sccm；
步骤A4中，通入C2H2气的流量从S1值递增到S2值，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层30～40分钟；其中S2值的取值范围为220～280sccm；
步骤A5中，通入C2H2气的流量从S2值递增到S3值，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层10～20分钟；其中S3值的取值范围为240～290sccm；
其中，所述基底材料为陶瓷片或玻璃或不锈钢片；所述基底材料包括同炉镀膜的第一基底材料和第二基底材料，所述第一基底材料为陶瓷片或玻璃，所述第二基底材料为不锈钢片，所述陶瓷片和所述不锈钢片安装在同一块或不同金属板的表面上，通过所述金属板的表面对所述陶瓷片和所述不锈钢片施加偏压；所述金属板为钢板，所述第一基底材料和所述第二基底材料固定在对应的钢板中间区域，而钢板的四周的尺寸比所述第一基底材料和所述第二基底材料多出2-3mm以上。
2.如权利要求1所述的黑色绝缘涂层制作方法，其特征在于，
所述第一SiC层的颜色L值在65±2，所述第二SiC层的颜色L值在50±2，所述第三SiC层的颜色L值在42±2，所述第四SiC层的颜色L值在31±2。
3.如权利要求1所述的黑色绝缘涂层制作方法，其特征在于，
步骤A3中，通入C2H2气的流量从50sccm递增到120sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层8～20分钟；
步骤A4中，通入C2H2气的流量从120sccm递增到260sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层30～40分钟；
步骤A5中，通入C2H2气的流量从260sccm递增到270sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层10～20分钟。
4.如权利要求1所述的黑色绝缘涂层制作方法，其特征在于，
步骤A3中，通入C2H2气的流量从50sccm递增到140sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层8～20分钟；
步骤A4中，通入C2H2气的流量从140sccm递增到280sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层30～40分钟；
步骤A5中，通入C2H2气的流量从280sccm递增到290sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层10～20分钟。
5.如权利要求1所述的黑色绝缘涂层制作方法，其特征在于，
步骤A3中，通入C2H2气的流量从50sccm递增到100sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层8～20分钟；
步骤A4中，通入C2H2气的流量从100sccm递增到220sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层30～40分钟；
步骤A5中，通入C2H2气的流量从220sccm递增到240sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层10～20分钟。
6.如权利要求1所述的黑色绝缘涂层制作方法，其特征在于，
步骤A3中，通入C2H2气的流量从50sccm递增到150sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层8～20分钟；
步骤A4中，通入C2H2气的流量从150sccm递增到280sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层30～40分钟；
步骤A5中，通入C2H2气的流量从280sccm递增到290sccm，气压为0.3～0.4Pa，Si靶的靶电流为18～25A，沉积SiC层10～20分钟。
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