CN111334299A - 一种刻蚀液及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种刻蚀液及其制备方法，该刻蚀液按照质量百分含量包括以下组分：1～20％双氧水；0.01～5％无机酸；0.01～5％双氧水稳定剂；1～10％pH调节剂；1～10％络合剂；0.01～2％金属缓蚀剂；以及余量水；其中，所述无机酸中至少包括氟类化合物。该刻蚀液能够同时实现源漏极金属电极和金属氧化物膜层的刻蚀，在不影响半导体器件性能下实现了光罩使用数量的减少，降低了材料成本，简化了工艺流程。

Description

一种刻蚀液及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种刻蚀液及其制备方法，属于刻蚀技术领域。

背景技术

随着平板显示行业日趋饱和，各面板企业着重开发新工艺，降低企业生产成本，如缩短面板生产工艺、减少原材料消耗。而成本最高的TFT工艺成为企业降本增效的关键节点，其中最为显著的措施就是减少MASK的使用数量。

以金属氧化物-TFT为例，在刻蚀源漏电极时分别选用不同的刻蚀液对SD层和金属氧化物膜层进行分步刻蚀，无疑增加了MASK的使用数量，难以实现成本的降低。而若只用其中一种蚀刻液对SD层和金属氧化物膜层进行同步刻蚀，例如采用刻蚀SD层的刻蚀液对SD层和金属氧化物膜层进行同步刻蚀，则难以保证对金属氧化物膜层的有效刻蚀，不仅会具有金属氧化物膜层残留，并且还会使刻蚀剖面不可控，从而导致半导体器件的性能受到影响。

发明内容

本发明提供一种刻蚀液，该刻蚀液能够同时实现源漏极金属电极和金属氧化物膜层的刻蚀，在不影响半导体器件性能下减少了光罩使用数量，降低了材料成本，简化了工艺流程。

本发明还提供一种刻蚀液的制备方法，该方法简单易行，能够高效制备得到同时实现源漏极金属电极和金属氧化物膜层的刻蚀且刻蚀效果优异的刻蚀液。

本发明提供一种用于金属/金属氧化物膜层的刻蚀液，按照质量百分含量包括以下组分：

1～20％双氧水；

0.01～5％无机酸；

0.01～5％双氧水稳定剂；

1～10％pH调节剂；

1～10％络合剂；

0.01～2％金属缓蚀剂；

以及余量水；

其中，所述无机酸中至少包括氟类化合物。

如上所述的刻蚀液，其中，按照质量百分含量包括以下组分：

6～15％双氧水；

0.5～5％无机酸；

0.01～2％双氧水稳定剂；

1～4％pH调节剂；

1～5％络合剂；

0.01～2％金属缓蚀剂；

以及余量水。

如上所述的刻蚀液，其中，所述无机酸中包括氢氟酸。

如上所述的刻蚀液，其中，所述氢氟酸的质量百分含量为0.01～1％。

如上所述的刻蚀液，其中，所述双氧水稳定剂选自含有羧基的有机化合物和/或含有氨基的有机化合物。

如上所述的刻蚀液，其中，述含有羧基的有机化合物选自苹果酸、EDTA、羟基乙酸、马来酸、酒石酸以及各自的衍生物中的一种或多种。

如上所述的刻蚀液，其中，所述pH调节剂选自含有氨基的有机化合物。

如上所述的刻蚀液，其中，所述含有氨基的有机化合物包括醇胺类化合物。

如上所述的刻蚀液，其中，所述金属缓蚀剂包括含有杂原子的环状化合物。

本发明还提供上述任一项所述的刻蚀液的制备方法，将双氧水、无机酸、双氧水稳定剂、pH调节剂、络合剂、金属缓蚀剂，水混合，得到所述刻蚀液。

本发明的实施，至少具有以下优势：

1、本发明的刻蚀液，通过组分间的相互协同，能够实现源漏极金属电极和半导体层金属氧化物膜层的同步刻蚀；

2、本发明的刻蚀液，维持了金属层和金属氧化物膜层的刻蚀速率，确保合适的选择比，最终可呈现出满足客户工艺要求的CD loss(单边小于1um)和坡度角(30-60度)，获得了较为平缓的蚀刻剖面；

同时解决了多层共同蚀刻时，不同膜层间常见的裂缝问题；

3、本发明的刻蚀液，即使刻蚀环境中的铜离子的负载达到5000ppm，也能够具有良好的蚀刻稳定性，有利于实现均匀蚀刻以得到可控的电极形状；

4、本发明的刻蚀液，较好的解决了用于刻蚀金属层的刻蚀液在蚀刻时对金属氧化物活性层的干扰问题，完美地解决了目前多数刻蚀液对金属氧化物-TFT电气特性造成的破坏问题，完美的保证了面板的电气特性；

5、本发明的刻蚀液不含磷，对环境较为友好。

附图说明

图1为本发明实施例1-3的蚀刻液在不同铜离子浓度下taper角的变化图；

图2为本发明实施例1-3的蚀刻液在不同铜离子浓度下CD-loss的变化图；

图3a为本发明实施例1的刻蚀液在刻蚀时间为190s时断面的SEM图；

图3b为本发明实施例1的刻蚀液在刻蚀时间为190s时表面的SEM图；

图4a为本发明实施例1的刻蚀液在刻蚀时间为210s时断面的SEM图；

图4b为本发明实施例1的刻蚀液在刻蚀时间为210s时表面的SEM图；

图5a为本发明实施例1的刻蚀液在刻蚀时间为230s时断面的SEM图；

图5b为本发明实施例1的刻蚀液在刻蚀时间为230s时表面的SEM图；

图6a为本发明实施例2的刻蚀液在刻蚀时间为190s时断面的SEM图；

图6b为本发明实施例2的刻蚀液在刻蚀时间为190s时表面的SEM图；

图7a为本发明实施例2的刻蚀液在刻蚀时间为210s时断面的SEM图；

图7b为本发明实施例2的刻蚀液在刻蚀时间为210s时表面的SEM图；

图8a为本发明实施例2的刻蚀液在刻蚀时间为230s时断面的SEM图；

图8b为本发明实施例2的刻蚀液在刻蚀时间为230s时表面的SEM图；

图9a为本发明实施例3的刻蚀液在刻蚀时间为190s时断面的SEM图；

图9b为本发明实施例3的刻蚀液在刻蚀时间为190s时表面的SEM图；

图10a为本发明实施例3的刻蚀液在刻蚀时间为210s时断面的SEM图；

图10b为本发明实施例3的刻蚀液在刻蚀时间为210s时表面的SEM图；

图11a为本发明实施例3的刻蚀液在刻蚀时间为230s时断面的SEM图；

图11b为本发明实施例3的刻蚀液在刻蚀时间为230s时表面的SEM图；

图12a为本发明对比例的刻蚀液在刻蚀时间为190s时断面的SEM图；

图12b为本发明对比例的刻蚀液在刻蚀时间为190s时表面的SEM图；

图13a为本发明对比例的刻蚀液在刻蚀时间为210s时断面的SEM图；

图13b为本发明对比例的刻蚀液在刻蚀时间为210s时表面的SEM图；

图14a为本发明对比例的刻蚀液在刻蚀时间为230s时断面的SEM图；

图14b为本发明对比例的刻蚀液在刻蚀时间为230s时表面的SEM图；

图15为利用本发明实施例1的刻蚀液刻蚀后的剩余膜层的元素分析图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明一方面提供一种刻蚀液，按照质量百分含量包括以下组分：1～20％双氧水；0.01～5％无机酸；0.01～5％双氧水稳定剂；1～10％pH调节剂；1～10％络合剂；0.01～2％金属缓蚀剂；以及余量水；其中，所述无机酸中至少包括氟类化合物。

本发明的刻蚀液用于对上下层叠设置的金属层-金属氧化物层进行同步刻蚀。具体地，本发明的上下层叠设置的金属层-金属氧化物层由上至下依次为铜层、钼合金层(或者钼铌合金层、铌合金层)、金属氧化物膜层。

根据本发明提供的技术方案，通过特定质量含量的各个组分之间的协同，能够使金属层和金属氧化物膜层同时被转化为游离态物质而发生刻蚀，并且刻蚀精度高，最终可呈现出满足客户工艺要求的CD loss和坡度角，获得较为平缓的蚀刻剖面；同时不会出现不同膜层间在同步刻蚀时常见的裂缝问题。

具体地，本发明的刻蚀液中的具有较强氧化性的过氧化氢会与金属铜、金属钼(铌)合金发生氧化反应，使生成对应的金属氧化物，随后，刻蚀液中的其他物质会将金属氧化物转化为游离态的金属离子或者盐类物质；而同时，本发明蚀刻液中的氟类化合物也会对金属氧化物膜层发生腐蚀，使生成游离态的金属氟化物。因此，本发明的刻蚀液能够实现金属层-金属氧化物层的同步刻蚀。

此外，刻蚀环境的温度、金属离子浓度、pH等都会影响刻蚀效果，因此通过双氧水稳定剂、金属离子络合剂、pH调节剂等的添加保证刻蚀液的刻蚀效果，从而使刻蚀液在较高的铜离子浓度、较宽的温度范围内具有良好的蚀刻特性。

例如，pH调节剂用于调节体系的pH值，使得刻蚀液的pH值不会随蚀刻的进行而发生较大范围的波动，提高了双氧水的稳定性；由于金属离子的催化作用，双氧水会快速分解，因此采用金属离子络合剂让游离的金属离子失去催化活性，降低了双氧水的分解速度，同时也降低了双氧水分解导致的温度上升，保证了刻蚀液在较高金属离子浓度条件下仍然保持较高的双氧水浓度，这样可以使得刻蚀液的金属离子负载能力得到较大幅度的提升。

进一步地，本发明的刻蚀液按照质量百分含量包括6～15％双氧水、0.5～5％无机酸、0.01～2％双氧水稳定剂、1～4％pH调节剂、1～5％络合剂、0.01～2％金属缓蚀剂、以及余量水。

在一种实施方式中，无机酸中的氟类化合物可以具体为氢氟酸。

进一步地，氢氟酸在刻蚀液中的质量百分含量为0.01～1％。

除了氢氟酸外，无机酸还包括盐酸、硝酸和硫酸中的至少一种。

本发明的双氧水稳定剂能够用于抑制金属离子对双氧水的催化分解，保持双氧水浓度的稳定，延长刻蚀液的存储和使用寿命。具体地，本发明的双氧水稳定剂选自含有羧基的有机化合物和/或含有氨基的有机化合物。其中，含有羧基的有机化合物包括苹果酸、EDTA、羟基乙酸、马来酸、酒石酸以及各自的衍生物中的一种或多种；有机含氮化合物包括邻苯二胺、邻苯二甲胺、苯基脲以及各自的衍生物中的一种或多种。除此之外，双氧水稳定剂还可以包括硫脲。

本发明的pH调节剂选自含有氨基的有机化合物。

其中，含有氨基的有机化合物包括α,β-二氨基丙酸、α,β-二氨基丁酸等氨基酸，二甲基乙醇胺、异丙醇胺、三乙醇胺等醇胺类化合物，丙二胺、二乙氨基丙胺、2-二氨基丙烷、2-羟基丁二胺等胺类化合物。这些多元弱酸和多元弱碱可以多次电离，能够很好地稳定pH值，使得反应过程中pH值的大幅波动，有利于刻蚀液蚀刻特性的稳定。当然，若刻蚀液中的pH调节剂为上述化合物中的两种或更多种，本发明不特别限定各化合物之间的比例。

本发明的络合剂可以保证即使在高金属离子浓度(尤其是铜离子)的溶液中，依旧能够使催化双氧水分解的游离金属离子保持低浓度状态，从而有利于保持双氧水分解速度始终维持在较低水平。具体地，本发明的络合剂选自丙氨酸，氨基丁酸，氨基丁二酸，谷氨酸，甘氨酸，亚氨基二乙酸，次氮基三乙酸、肌氨酸、精氨酸、天门冬酰胺、天门冬氨酸、半胱氨酸、谷氨酰胺、组氨酸、异亮氨酸、亮氨酸、赖氨酸、甲硫氨酸、鸟氨酸、苯丙氨酸、丝氨酸、苏氨酸、色氨酸、酪氨酸及缬氨酸乙醇胺、1-氨基-2-丙醇以及N,N-二乙基-1,3-丙二胺、丙二酸、丁二酸、苹果酸、柠檬酸、乙酸、草酸及它们的衍生物等中的一种或多种。若刻蚀液中的络合剂为上述化合物中的两种或更多种，本发明不特别限定各化合物之间的比例。

本发明的金属缓蚀剂包括含有杂原子的环状化合物，其中，杂原子包括氮原子、硫原子、氧原子等。由于铜金属的蚀刻速率大于钼铌合金，如果不添加金属缓释剂会导致钼铌层的严重拖尾，造成电性不良。

具体地，本发明的金属缓蚀剂选自环己内胺、2-羟基环戊胺、2-羟基噻吩、3-羟基噻吩、环己内二胺、1-苯基-5-巯基四氮唑、四氮唑、5-氨基四氮唑、苯并三氮唑、2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并咪唑、2-氨基嘧啶、嘧唑、羟基苯并三氮唑、氨基四唑、咪唑、吲哚、吡唑、嘌呤、吡啶、吡咯、吡咯烷等中的一种或多种。若刻蚀液中的金属缓蚀剂为上述化合物中的两种或更多种，本发明不特别限定各化合物之间的比例。本发明优选杂环化合物为金属缓蚀剂。

本发明第二个方面是提供前述刻蚀液的制备方法，包括：将双氧水、无机酸、双氧水稳定剂、pH调节剂、络合剂、金属缓蚀剂，水混合搅拌，得到本发明的刻蚀液。

其中，各个组分在刻蚀液中的质量百分含量与前述相同，此处不再赘述。

具体地，可以先将双氧水与水混合，然后向混合体系中分别加入无机酸、双氧水稳定剂、pH调节剂、络合剂、金属缓蚀剂，其中，本发明对无机酸、双氧水稳定剂、pH调节剂、络合剂、金属缓蚀剂的加入顺序不做限制。

本发明的刻蚀液的制备方法工艺难度较低，能够实现以安全高效的方式获得能够实现金属层和金属氧化物膜层同步刻蚀且具有优异刻蚀精度的刻蚀液。

为了保证刻蚀液中各个组分的溶解性，可以在30-35℃左右混合上述组分，以进一步确保刻蚀液的性能。

本发明第三个方面是提供一种利用上述任一所述的金属/金属氧化物膜层的刻蚀液进行刻蚀的方法，该刻蚀方法能够同步实现金属层和金属氧化物膜层的刻蚀，能够在保证电气性能的基础上实现工艺成本的降低。

以下，通过具体实施例对本发明的刻蚀液进行详细的介绍。

实施例1

本实施例的刻蚀液，按照质量百分含量包括以下组分：

双氧水：13.0％

无机酸：氢氟酸0.10％、硝酸2.60％

双氧水稳定剂：苯基脲0.10％、羟基乙酸0.80％

pH调节剂：三乙醇胺1.20％、2-羟基丁二胺1.0％

络合剂：苹果酸1.50％、丁二酸2.0％

金属缓蚀剂：5-氨基四氮唑0.05％

水：77.65％

将上述组分混合搅拌并维持体系温度在32℃下，得到本实施例的刻蚀液。

实施例2

本实施例的刻蚀液，按照质量百分含量包括以下组分：

双氧水：13.0％

无机酸：氢氟酸0.10％、硝酸2.60％

双氧水稳定剂：苯基脲0.10％、羟基乙酸0.80％

pH调节剂：三乙醇胺2.0％

络合剂：苹果酸2.80％

金属缓蚀剂：5-氨基四氮唑0.05％

水：78.55％

将上述组分混合搅拌并维持体系温度在32℃下，得到本实施例的刻蚀液。

实施例3

本实施例的刻蚀液，按照质量百分含量包括以下组分：

双氧水：13.0％

无机酸：氢氟酸0.10％、硝酸2.60％

双氧水稳定剂：苯基脲0.20％

pH调节剂：2-羟基丁二胺2.0％

络合剂：丁二酸2.80％

金属缓蚀剂：5-氨基四氮唑0.05％

水：79.25％

将上述组分混合搅拌并维持体系温度在32℃下，得到本实施例的刻蚀液。

对比例

本对比例的刻蚀液，按照质量百分含量包括以下组分：

双氧水：13.0％

无机酸：硝酸2.60％

双氧水稳定剂：苯基脲0.20％

pH调节剂：2-羟基丁二胺2.0％

络合剂：丁二酸2.80％

金属缓蚀剂：5-氨基四氮唑0.05％

水：79.35％

将上述组分混合搅拌并维持体系温度在32℃下，得到本对比例的刻蚀液。

试验例1

采用手摇式小型蚀刻机台，利用上述实施例1-3以及对比例中的刻蚀液对玻璃基板表面的由上至下依次层叠设置的金属铜层/钼铌合金层/金属氧化物膜层(5000A/400A/800A)进行刻蚀，刻蚀条件以及刻蚀结果见表1。

表1

表1中“/”表示金属氧化物膜层未被刻蚀因此不涉及裂缝

根据表1可知，实施例1-3中的刻蚀液不仅能够实现金属层和金属氧化物膜层的同步刻蚀，而且刻蚀精度高，可呈现出满足客户工艺要求的CD loss(单边线宽损失)和坡度角。对比例因为金属氧化物膜层未被刻蚀，因此没有符合要求的CD Loss和Taper角度。

试验例2

配制4份实施例1的刻蚀液，向第一份刻蚀液中加入500ppm铜离子后得到1#刻蚀液，向第二份刻蚀液中加入1000ppm铜离子后得到2#刻蚀液，向第三份刻蚀液中加入3000ppm铜离子后得到3#刻蚀液，向第四份刻蚀液中加入5000ppm铜离子后得到4#刻蚀液。

采用手摇式小型蚀刻机台，利用上述1#-4#刻蚀液分别对玻璃基板表面的由上至下依次层叠设置的金属铜层/钼铌合金层/金属氧化物膜层(5000A/400A/800A)进行刻蚀(刻蚀温度为32℃，刻蚀时间为210s)，刻蚀结束后，水洗并干燥刻蚀面，用电子显微镜观察刻蚀结果，刻蚀结果见图1和图2。

同时，对实施例2-3以及对比例的刻蚀液按照上述方法在各自对应温度下进行相同操作，结果见图1和图2。

图1为本发明实施例1-3的蚀刻液在不同铜离子浓度下taper角的变化图。

图2为本发明实施例1-3的蚀刻液在不同铜离子浓度下CD-loss的变化图。

根据图1和图2可知，实施例1-3的刻蚀液在较高的铜离子浓度下依旧内具有良好的蚀刻特性。对比例金属氧化物存在残留(未破膜)，不存在CD loss和Taper状况。

试验例3

采用手摇式小型蚀刻机台，利用上述实施例1-3以及对比例中的刻蚀液对玻璃基板表面的金属铜层/钼铌合金层/金属氧化物膜层(5000A/400A/800A)进行刻蚀(刻蚀温度为32℃)，控制刻蚀时间分别为190s、210s、230s。刻蚀结果见表2。

图3a为本发明实施例1的刻蚀液在刻蚀时间为190s时断面的SEM图，图3b为本发明实施例1的刻蚀液在刻蚀时间为190s时表面的SEM图；图4a为本发明实施例1的刻蚀液在刻蚀时间为210s时断面的SEM图，图4b为本发明实施例1的刻蚀液在刻蚀时间为210s时表面的SEM图；图5a为本发明实施例1的刻蚀液在刻蚀时间为230s时断面的SEM图，图5b为本发明实施例1的刻蚀液在刻蚀时间为230s时表面的SEM图。

图6a为本发明实施例2的刻蚀液在刻蚀时间为190s时断面的SEM图，图6b为本发明实施例2的刻蚀液在刻蚀时间为190s时表面的SEM图；图7a为本发明实施例2的刻蚀液在刻蚀时间为210s时断面的SEM图，图7b为本发明实施例2的刻蚀液在刻蚀时间为210s时表面的SEM图；图8a为本发明实施例2的刻蚀液在刻蚀时间为230s时断面的SEM图，图8b为本发明实施例2的刻蚀液在刻蚀时间为230s时表面的SEM图。

图9a为本发明实施例3的刻蚀液在刻蚀时间为190s时断面的SEM图，图9b为本发明实施例3的刻蚀液在刻蚀时间为190s时表面的SEM图；图10a为本发明实施例3的刻蚀液在刻蚀时间为210s时断面的SEM图，图10b为本发明实施例3的刻蚀液在刻蚀时间为210s时表面的SEM图；图11a为本发明实施例3的刻蚀液在刻蚀时间为230s时断面的SEM图，图11b为本发明实施例3的刻蚀液在刻蚀时间为230s时表面的SEM图。

图12a为本发明对比例的刻蚀液在刻蚀时间为190s时断面的SEM图，图12b为本发明对比例的刻蚀液在刻蚀时间为190s时表面的SEM图；图13a为本发明对比例的刻蚀液在刻蚀时间为210s时断面的SEM图，图13b为本发明对比例的刻蚀液在刻蚀时间为210s时表面的SEM图；图14a为本发明对比例的刻蚀液在刻蚀时间为230s时断面的SEM图，图14b为本发明对比例的刻蚀液在刻蚀时间为230s时表面的SEM图。

表2

根据图3a-图11b以及表2可知，本发明实施例的刻蚀液能够实现金属层和金属氧化物膜层的同步刻蚀，且刻蚀效果优异。

试验例4

采用手摇式小型蚀刻机台，利用上述实施例1的刻蚀液对玻璃基板表面的金属铜层/钼铌合金层/金属氧化物膜层(5000A/400A/800A)进行刻蚀(刻蚀温度为32℃，刻蚀时间为210s)，刻蚀结束后利用清水冲洗刻蚀面后，对剩余膜层进行元素分析确认。

图12为利用本发明实施例1的刻蚀液刻蚀后的剩余膜层的元素分析图。

如图12所示，利用本发明的刻蚀液进行刻蚀后，金属氧化物表面残留的氟离子浓度值小于XPS仪器的最小测量值，可判断氟离子在金属氧化物表面几乎没有残留，因此本发明的刻蚀液不会影响电气特性。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种刻蚀液，其特征在于，按照质量百分含量包括以下组分：

1～20％双氧水；

0.01～5％无机酸；

0.01～5％双氧水稳定剂；

1～10％pH调节剂；

1～10％络合剂；

0.01～2％金属缓蚀剂；

以及余量水；

其中，所述无机酸中至少包括氟类化合物。

2.根据权利要求1所述的刻蚀液，其特征在于，按照质量百分含量包括以下组分：

6～15％双氧水；

0.5～5％无机酸；

0.01～2％双氧水稳定剂；

1～4％pH调节剂；

1～5％络合剂；

0.01～2％金属缓蚀剂；

以及余量水。

3.根据权利要求1或2所述的刻蚀液，其特征在于，所述无机酸中包括氢氟酸。

4.根据权利要求3所述的刻蚀液，其特征在于，所述氢氟酸的质量百分含量为0.01～1％。

5.根据权利要求1所述的刻蚀液，其特征在于，所述双氧水稳定剂选自含有羧基的有机化合物和/或含有氨基的有机化合物。

6.根据权利要求5所述的刻蚀液，其特征在于，所述含有羧基的有机化合物选自苹果酸、EDTA、羟基乙酸、马来酸、酒石酸以及各自的衍生物中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的刻蚀液，其特征在于，所述pH调节剂选自含有氨基的有机化合物。

8.根据权利要求7所述的刻蚀液，其特征在于，所述含有氨基的有机化合物包括醇胺类化合物。

9.根据权利要求1所述的刻蚀液，其特征在于，所述金属缓蚀剂包括含有杂原子的环状化合物。

10.一种权利要求1-9任一项所述的刻蚀液的制备方法，其特征在于，将双氧水、无机酸、双氧水稳定剂、pH调节剂、络合剂、金属缓蚀剂，水混合，得到所述刻蚀液。

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