CN111321370B - 成膜装置、有机el面板的制造系统以及成膜方法 - Google Patents

成膜装置、有机el面板的制造系统以及成膜方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供在使掩模与基板贴紧时，防止掩模的挠曲残留的成膜装置、有机EL面板的制造系统以及成膜方法。成膜装置(100)具备掩模保持部(9)、多个磁铁(30)以及磁轭(29)。掩模保持部保持载置玻璃基板(5)的掩模(6)。磁轭具有安装多个磁铁的主面(291)。磁轭被配置在比由掩模保持部保持掩模的位置靠上方的位置，能够转动以使主面成为水平状态或倾斜状态。多个磁铁分别具有与安装于主面的面相反侧的磁极面。多个磁铁包括在沿主面的规定方向上排列的磁铁组。磁铁组包括以第1间隔相邻地配置且磁极面的磁极彼此不同的第1磁铁对、和以比第1间隔宽的第2间隔相邻地配置且磁极面的磁极相互不同的第2磁铁对。

Description

成膜装置、有机EL面板的制造系统以及成膜方法
技术领域
本发明涉及对基板进行成膜的成膜装置、有机EL面板的制造系统以及成膜方法。
背景技术
在有机EL元件等电子器件的制造中，使玻璃等基板的被成膜面朝下地载置在掩模上，隔着掩模在被成膜面上成膜。膜的品质上，需要使膜厚均匀地成膜，为此，需要使基板与掩模贴紧地成膜。
因此，在专利文献1中记载了通过磁铁的磁力使金属掩模吸引到基板来进行成膜的方法。在该专利文献1中，记载了使板状的磁铁从基板的一侧的端部到相向的端部一部分一部分地接近基板，使金属掩模贴紧于基板的内容。
专利文献1：日本特开2004-152704号公报
但是，伴随着基板的大型化，在将基板载置在掩模上时，由于基板的重量，有时基板和掩模双方成为挠曲成蒜臼形状的状态。这样，若基板以及掩模双方成为挠曲成蒜臼形状的状态，则即使通过专利文献1所记载的方法，有时掩模的挠曲也不会被局部地消除而在基板与掩模之间产生间隙。若在掩模的挠曲残留的状态下进行成膜，则会导致膜厚的偏差，因此要求改善。
发明内容
本发明的目的在于，在使掩模与基板贴紧时，防止掩模的挠曲残留。
用于解决课题的技术方案
本发明的成膜装置，其特征在于，具备：掩模保持部，保持载置基板的掩模；多个磁铁；以及第1构件，具有安装所述多个磁铁的主面，被配置在比由所述掩模保持部保持掩模的位置靠上方的位置，能够转动以使所述主面成为水平状态或倾斜状态，所述多个磁铁分别具有与安装于所述主面的面相反侧的磁极面，所述多个磁铁包括在沿着所述主面的规定方向上排列的磁铁组，所述磁铁组包括：第1磁铁对，以第1间隔相邻地配置，所述磁极面的磁极相互不同；以及第2磁铁对，以比所述第1间隔宽的第2间隔相邻地配置，所述磁极面的磁极相互不同。
发明效果
根据本发明，在使掩模贴紧于基板时，能够防止掩模的挠曲残留。
附图说明
图1是第1实施方式的成膜装置的概略图。
图2(a)是第1实施方式的磁铁单元的俯视图。(b)是沿着(a)的IIB-IIB线的磁铁单元的剖视图。
图3是用于说明第1实施方式中的磁铁组的图。
图4(a)、(b)和(c)是用于说明第1实施方式的成膜方法的一部分的工序的图。
图5(a)和(b)是用于说明第1实施方式的成膜方法的一部分的工序的图。
图6(a)是第2实施方式的磁铁单元的俯视图。(b)是沿着(a)的VIB-VIB线的磁铁单元的剖视图。
图7(a)是第3实施方式的磁铁单元的俯视图。(b)是沿着(a)的VIIB-VIIB线的磁铁单元的剖视图。
图8(a)是第4实施方式的磁铁单元的俯视图。(b)是沿着(a)的VIIIB-VIIIB线的磁铁单元的剖视图。
图9(a)是第5实施方式的磁铁单元的俯视图。(b)是沿着(a)的IXB-IXB线的磁铁单元的剖视图。
图10(a)是第6实施方式的磁铁单元的俯视图。(b)是沿着(a)的XB-XB线的磁铁单元的剖视图。
图11是第7实施方式的制造系统的示意性结构图。
附图标记说明
9、掩模保持部；29、磁轭(第1构件)；30、磁铁；31、磁极面；100、成膜装置；130、磁铁组；131、磁铁对(第1磁铁对)；132、磁铁对(第2磁铁对)；291、主面。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选的实施方式进行说明。但是，以下说明的实施方式仅仅例示性地表示本发明的优选的结构，本发明的范围并不限定于这些结构。另外，以下的说明中的、装置的硬件结构以及软件结构、制造条件、尺寸、材质、形状等，只要没有特别限定性的记载，就不旨在将本发明的范围限定于这些。
[第1实施方式]
图1是第1实施方式的成膜装置100的概略图。成膜装置100是在作为基板的一例的平行平板的玻璃基板5的表面通过真空蒸镀形成所希望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为蒸镀材料，能够选择有机材料、无机材料(例如金属、金属氧化物)等任意的材料。具体而言，能够应用于电子器件(例如有机EL显示装置、薄膜太阳能电池)的制造装置。在本实施方式中，成膜装置100用于在作为被成膜基板的玻璃基板5的表面形成有机薄膜而制造的有机EL元件的制造工序中的成膜工序。另外，图1所示的本实施方式的成膜装置100是蒸镀装置，但并不限定于此，也可以是溅射法、CVD法等使用蒸镀法以外的成膜方法的成膜装置。在图1中，将上下方向设为Z方向、将与Z方向正交的两个方向且相互正交的水平方向设为X方向以及Y方向。
成膜装置100具备装置本体100A和控制装置本体100A的控制部50。装置本体100A具备腔室4和闸阀15，该腔室4具有用于在玻璃基板5上形成成膜材料的成膜空间2，该闸阀15用于将玻璃基板5相对于腔室4内搬入/搬出。另外，装置本体100A具备定位机构1，该定位机构1保持配置于腔室4的内部即成膜空间2的玻璃基板5以及掩模6，进行玻璃基板5与掩模6的相对的定位。另外，装置本体100A具备掩模吸引机构14，该掩模吸引机构14吸引掩模6，使掩模6贴紧于玻璃基板5。在腔室4的成膜空间2中设置有收纳有成膜材料的成膜源(蒸镀源)7。
定位机构1具有设置在腔室4的外部的板10和驱动板10的驱动部11。另外，定位机构1具有设置在腔室4的内部并保持玻璃基板5的基板保持部8、和设置在腔室4的内部并保持掩模6的掩模保持部9。基板保持部8在将玻璃基板5载置到掩模6上之后，从玻璃基板5退避。
在板10上固定有轴12。轴12通过设置在腔室4的上部分隔壁3上的贯穿孔而连续地设置在腔室4的外部和内部。并且，在轴12的下部安装有基板保持部8，能够在成膜空间2中保持玻璃基板5。设置于上部分隔壁3的贯穿孔相对于轴12的外径形成得较大，以使轴12与上部分隔壁3不产生干涉。在腔室4的外部，轴12由固定于板10和上部分隔壁3的波纹管13覆盖。
掩模吸引机构14具有驱动部16和由驱动部16沿Z方向升降驱动的板19。驱动部16和板19被配置在腔室4的外部。
在板19上固定有轴21。轴21通过设置在腔室4的上部分隔壁3上的贯穿孔而连续地设置在腔室4的外部和内部。在轴21的下部设置有由不被磁力吸引的材质、即不是强磁性体的磁性体、例如反磁性体构成的基板推压部17。设置于上部分隔壁3的贯穿孔相对于轴21的外径形成得较大，以使轴21与上部分隔壁3不产生干涉。在腔室4的外部，轴21由固定于板19和上部分隔壁3的波纹管41覆盖。基板推压部17具有在通过驱动部16的驱动而下降时与玻璃基板5接触的、作为第2构件的一个例子的基板推压板20、以及安装于基板推压板20的上表面的抵接块23。
在此，作为成膜品质的主要项目之一，有膜厚的均匀性。例如，在通过成膜形成电极层的情况下，如果膜厚产生偏差，则电极层的电阻值也产生偏差，导致发光不均。为此，需要以使膜厚均匀的方式进行成膜。因此，在本实施方式中，掩模吸引机构14通过磁力来吸引由被磁力吸引的材质、例如强磁性体构成的掩模6，使掩模6贴紧于玻璃基板5。
掩模吸引机构14具有驱动部18、由驱动部18沿Z方向升降驱动的升降单元22、以及以能够转动的方式支承于升降单元22的磁铁单元24。升降单元22和磁铁单元24配置在腔室4的内部，配置在比保持于掩模保持部9的掩模6的位置靠上方的位置。基板推压部17为盒状，在内部配置有升降单元22及磁铁单元24。基板推压部17的底板是基板推压板20。基板推压板20被配置成位于磁铁单元24与玻璃基板5之间。
磁铁单元24具有作为第1构件的磁轭29和安装于磁轭29的多个磁铁30。磁轭29通过沿Y方向延伸的轴25以能够转动的方式支承于升降单元22。磁轭29是具有作为基板侧的面即下表面的主面291、和作为与主面291相反侧的上表面的面292的板状的构件。多个磁铁30安装于磁轭29的主面291。各磁铁30通过自身的磁力而被固定于磁轭29，但也可以进一步通过粘接剂等固定构件被固定于磁轭29。
驱动部18配置在腔室4的外部，固定在板19上。升降单元22与从驱动部18延伸的轴28连接。升降单元22及磁铁单元24被驱动部18通过轴28相对于基板推压部17沿Z方向相对地升降驱动。
轴28通过设置在腔室4的上部分隔壁3上的贯穿孔而连续地设置在腔室4的外部和内部。而且，在轴28的下部安装有升降单元22。设置于上部分隔壁3的贯穿孔相对于轴28的外径形成得较大，以使轴28与上部分隔壁3不产生干涉。在腔室4的外部，轴28被波纹管42覆盖。
在磁轭29的面292上设置有能够与升降单元22卡合/脱离的止动件26和能够与抵接块23卡合/脱离的止动件27。当止动件27与抵接块23分离时，磁铁单元24因自重而绕轴25转动，主面291相对于水平状态倾斜。并且，通过止动件26与升降单元22卡合、即钩挂，从而主面291以相对于水平状态规定的角度保持为倾斜状态。
磁铁单元24、即主面291的倾斜角度由止动件26的Z方向的长度决定。止动件26的Z方向的长度调整自如，能够将磁铁单元24、即主面291的倾斜角度调整为所希望的规定的角度。另外，磁铁单元24通过轴28而下降，从而止动件27抵接于抵接块23。之后，磁铁单元24进一步下降，由此以轴25为中心转动，主面291从倾斜状态成为水平状态。另外，使磁铁单元24转动的机构并不限定于以上说明的机构，也可以利用致动器直接使磁铁单元24转动。
轴12、21以及28由于被波纹管13、41以及42封闭在与腔室4连通的封闭的空间内，因此能够将轴12、21以及28的整体保持为与成膜空间2相同的状态(例如真空状态)。
波纹管13、41以及42优选使用在X方向、Y方向以及Z方向上具有柔软性的波纹管。由此，能够充分减小在波纹管13、41以及42位移时由定位机构1产生的阻力，能够降低位置调整时的载荷。
掩模保持部9在腔室4的内部设置于上部分隔壁3的成膜空间侧的面，掩模6以水平状态被保持。掩模6由被磁力吸附的材质构成，具有掩模箔6A和固定有掩模箔6A的掩模框6B。在掩模箔6A上形成有与成膜图案相应的开口。掩模框6B比掩模箔6A刚性高，以能够支承玻璃基板5，在架设有掩模箔6A的状态下固定于掩模保持部9。掩模6的掩模箔6A通过磁铁单元24接近而被磁力吸引。被磁力吸引了的掩模箔6A与玻璃基板5一起被推压于基板推压板20，由此能够使玻璃基板5与掩模箔6A贴紧。
定位机构1、掩模吸引机构14以及成膜源7的一系列的动作由控制部50控制。控制部50例如能够由具有处理器、存储器、存储装置、I/O等的计算机构成。在该情况下，控制部50的功能通过处理器执行存储于存储器或存储装置的程序来实现。作为计算机，既可以使用通用的个人计算机，也可以使用嵌入式的计算机或PLC(programmable logiccontroller：可编程逻辑控制器)。或者，也可以由ASIC、FPGA那样的电路构成控制部270的功能的一部分或全部。另外，既可以针对每个成膜装置设置控制部50，也可以由1个控制部50控制多个成膜装置。
随着玻璃基板5的大型化，在掩模6上载置有玻璃基板5时，由于玻璃基板5的重量，玻璃基板5及掩模6的中央部分成为挠曲成蒜臼形状的状态。若玻璃基板5的挠曲形状与掩模6的挠曲形状之间存在差异，则在玻璃基板5与掩模6之间产生间隙。
以下，对掩模吸引机构14的磁铁单元24进行具体说明。图2(a)是第1实施方式的磁铁单元24的俯视图。图2(b)是沿着图2(a)的IIB-IIB线的磁铁单元24的剖视图。
在磁轭29的主面291上设置有多个磁铁30。磁轭29的主面291为矩形形状，大小与图1所示的掩模箔6A大致相同。多个磁铁30在沿着主面291的方向且与成为转动中心的假想的轴线L1平行的排列方向A1和与排列方向A1正交的排列方向A2上排列成矩阵状。轴线L1位于轴25的中心。
各磁铁30是永久磁铁，具有磁极为S极或N极的一对磁极面31及32。即，若一对磁极面31及32中的一方的磁极面的磁极为S极，则另一方的磁极面的磁极为N极。在本实施方式中，各磁铁30在俯视时为矩形状，相互相同的大小以及相互相同的磁力。各磁铁30的磁极面32安装于磁轭29的主面291，相反侧的磁极面31朝向外侧地配置。在本实施方式中，多个磁铁30以磁极面31的磁极在规定方向即排列方向A2上交替地成为N极和S极的方式排列。此外，多个磁铁30以磁极面31的磁极在排列方向A1上成为同极的方式排列。由于磁极面31的磁极为S极的磁铁30和磁极面31的磁极为N极的磁铁30在排列方向A2上交替地配置，因此由在排列方向A2上相邻的两个磁铁30形成磁路。另外，在图2(a)中，在排列方向A1上同极的磁铁彼此连结，但并不限定于此，同极的磁铁彼此也可以在排列方向A1上隔开间隔地配置。
在图2(a)及图2(b)中，用网点图示出磁极面31为N极的磁铁，用斜线的阴影图示出磁极面31为S极的磁铁。在图2(a)中由双点划线包围的多个磁铁30中的排列图案的中央部分P1是在图1所示的玻璃基板5以及掩模6中挠曲成蒜臼形状的部分中的与底部对应的部分。
对多个磁铁30中的位于排列方向A1的中央的磁铁组130进行说明。在图2(b)中图示了磁铁组130的截面。多个磁铁30包括位于排列方向A1的中央的磁铁组130。磁铁组130由在排列方向A2上排列的多个磁铁301～3016构成。在图2(b)中，磁铁301、303、305、307、309、3011、3013及3015的磁极面31为S极，磁铁302、304、306、308、3010、3012、3014以及3016的磁极面31为N极。这样，在磁铁组130中，磁极面31的磁极在排列方向A2上以S极和N极交错的方式排列。另外，在磁铁组130中，也可以存在一部分相邻的磁铁的磁极面的磁极为同极的排列。
磁铁组130包括以第1间隔即间隔D1相邻地配置，且磁极面31的磁极相互不同的作为第1磁铁对的磁铁对131。磁铁组130包括以大于间隔D1的第2间隔即间隔D2相邻地配置，且磁极面31的磁极相互不同的作为第2磁铁对的磁铁对132。在磁铁组130中，存在多组第1磁铁对，其一例是由磁铁3010和磁铁3011构成的磁铁对131。磁铁对132是磁铁308以及磁铁309。在本实施方式中，磁铁对131与磁铁对132相邻。
图3是用于说明第1实施方式中的磁铁组130的图。在磁铁对131中，相邻的磁铁3010与磁铁3011的极性处于相反的关系。另外，在磁铁对132中，相邻的磁铁308和磁铁309的极性处于相反的关系。
将由磁铁对131产生的磁通(磁路)设为B1，将由磁铁对132产生的磁通(磁路)设为B2。在图3中，磁通B1和B2由虚线表示。由于磁铁对132中的磁铁308与磁铁309的间隔D2比间隔D1大，因此磁通B2以比磁通B1低的密度且比磁通B1大的范围扩展。因此，虽然磁铁对132比磁铁对131吸引力低，但在比磁铁对132大的范围(即远方)作用有规定力以上的吸引力。因此，基于磁铁对132的磁通B2的吸引力在远方比基于磁铁对131的磁通B1的吸引力强，相反，在附近，比基于磁铁对131的磁通B1的吸引力弱。
如图2(b)所示，磁铁对132优选相对于磁铁对131相对地位于磁铁组130中的中央C1的那侧，在本实施方式中，位于跨越中央C1的位置。并且，在本实施方式中，磁铁对132位于多个磁铁30中的排列图案的中央部分P1(图2(a))。此外，图3所示的磁铁对131与磁铁对132的间隔D3是间隔D1以上且间隔D2以下的范围内的间隔，在本实施方式中，是与间隔D1相同的间隔。即，仅磁铁308与磁铁309的间隔为D2，除此以外的两个磁铁的间隔为D1。
接着，对使用图1所示的成膜装置100在玻璃基板5上成膜的成膜方法进行说明。首先，对将玻璃基板5载置于掩模6的工序进行说明。玻璃基板5保持于图1所示的基板保持部8。通过由驱动部11驱动基板保持部8，进行玻璃基板5与掩模6的位置对合，在掩模6上载置玻璃基板5。在玻璃基板5载置于掩模6上时，玻璃基板5及掩模箔6A因玻璃基板5的重量而挠曲成蒜臼形状。由于玻璃基板5与掩模6进行位置对合，因此玻璃基板5及掩模箔6A的挠曲量在玻璃基板5及掩模箔6A的中央部分成为最大。
当在掩模箔6A上完成玻璃基板5的载置时，在通过驱动部16将基板推压部17的基板推压板20保持为水平状态的状态下，使基板推压部17下降至规定的位置，使基板推压板20与玻璃基板5接触。
接着，对利用掩模吸引机构14使玻璃基板5与掩模箔6A贴紧的工序进行说明。图4(a)、图4(b)、图4(c)、图5(a)及图5(b)是用于说明第1实施方式的成膜方法的一部分的工序的图。在图4(a)、图4(b)、图4(c)、图5(a)及图5(b)中，概略地图示了从开始使磁轭29下降时起直到掩模箔6A与玻璃基板5贴紧为止的工序。另外，在图4(a)、图4(b)、图4(c)、图5(a)及图5(b)中，图示了多个磁铁30中的磁铁组130。另外，在图4(a)、图4(b)、图4(c)、图5(a)及图5(b)中，用箭头示意性地图示了各磁铁30所受到的吸引力。箭头的长度是规定力以上的吸引力波及的范围，箭头的粗细表示该吸引力的强度。
如图4(a)所示，基板推压板20与玻璃基板5接触，但玻璃基板5及掩模6的掩模箔6A为挠曲成蒜臼形状的状态。磁轭29在基板推压板20的上方以倾斜成规定的角度的状态被保持。此时，磁铁单元24被配置成，磁轭29的倾斜方向下端部在X方向以及Y方向上与掩模箔6A的端部一致。另外，磁铁单元24被配置成，图2(a)的多个磁铁30中的排列图案的中央部分P1与在掩模箔6A中挠曲量成为最大的部分对应。
接着，如图4(b)所示，在止动件26与升降单元22卡合的状态、即磁轭29的主面291为倾斜状态的状态下，使升降单元22及磁铁单元24下降。由此，基于位于磁轭29的倾斜方向下端部的附近的磁铁301的吸引力作用于掩模箔6A的X方向的一端部。并且，随着磁铁单元24逐渐下降，按照磁铁302、磁铁303…的顺序，吸引力朝向上端部侧依次作用于掩模箔6A。由此，掩模箔6A从掩模箔6A的X方向的一端部一部分一部分地朝向另一端部逐渐被吸引于磁铁单元24。
此时，掩模箔6A被磁铁单元24吸引，由此玻璃基板5也被掩模箔6A推起，贴紧于基板推压板20。而且，在本实施方式中，基于位于磁轭29的中央部分的磁铁308及磁铁309的磁路形成于远方，因此掩模箔6A的中央部分也被吸引。这样，掩模箔6A的中央部分与玻璃基板5的中央部分贴紧，并且在掩模箔6A的挠曲从一端部到另一端部被推平的同时，掩模箔6A与玻璃基板5的贴紧区域一部分一部分地逐渐地扩大。
在掩模箔6A的挠曲从X方向的一端部朝向另一端部被推平的中途，存在掩模箔6A的中央部分与玻璃基板5的中央部分已经贴紧的情况，但基于位于中央部分的磁铁308和磁铁309的吸引力与其他磁铁相比相对弱。因此，通过进一步使升降单元22下降，如图4(c)所示，被基于周围的磁铁的吸引力推压而消除掩模箔6A的挠曲，掩模箔6A与玻璃基板5贴紧。
如图4(c)所示，在止动件27与抵接块23接触之后，通过进一步使升降单元22下降，如图5(a)所示，止动件26与升降单元22分离，磁轭29以轴25为中心转动。由此，磁轭29的主面291的倾斜角度逐渐变小。对于从掩模箔6A与玻璃基板5的贴紧未完成的中央部到另一端部的部分，掩模箔6A的挠曲也被消除，玻璃基板5与掩模箔6A的贴紧区域逐渐地增加。
通过进一步使升降单元22下降，如图5(b)所示，主面291从倾斜状态成为水平状态。当升降单元22下降到规定的位置而主面291成为水平状态时，掩模箔6A与磁轭29的主面291成为平行的状态。由此，掩模箔6A的整个面与玻璃基板5贴紧。
根据第1实施方式，磁铁对132中的两个磁铁彼此的间隔D2比磁铁对131中的磁铁彼此的间隔D1大。因此，通过磁铁对132的各磁铁，规定力以上的吸引力波及的范围比通过磁铁对131的各磁铁，规定力以上的吸引力波及的范围大。由此，在使掩模6贴紧于玻璃基板5时，基于磁铁对132的各磁铁的吸引力波及到在掩模6中挠曲成蒜臼形状的部分的底部。因此，能够有效地吸引挠曲成蒜臼形状的部分，能够防止掩模6的挠曲残留。
另外，在掩模6中挠曲成蒜臼状的部分是中央部分，因此磁铁对132越靠近掩模6的中央部分越好。因此，磁铁对132优选相对于磁铁对131相对地位于磁铁组130的中央C1的那侧。在第1实施方式中，磁铁对132位于多个磁铁30中的排列图案的中央部分P1。这样，通过在与掩模6的中央部分对应的部位配置磁铁对132，能够更有效地防止掩模6的挠曲残留。
另外，在排列方向A1上与磁铁组130相邻的磁铁组也未图示，但也可以设为与磁铁组130相同的结构。
[第2实施方式]
对第2实施方式的成膜装置进行说明。图6(a)是第2实施方式的磁铁单元的俯视图。图6(b)是沿着图6(a)的VIB-VIB线的磁铁单元的剖视图。在第2实施方式的成膜装置中，磁铁单元的结构与第1实施方式不同，除此以外的结构与第1实施方式相同，对于相同的结构省略说明。以下，对第2实施方式的磁铁单元24A进行具体说明。
在磁轭29的主面291上设置有多个磁铁30A。磁轭29的主面291为矩形形状，大小与图1所示的掩模箔6A大致相同。多个磁铁30A在沿着主面291的方向且与成为转动中心的假想的轴线L1平行的排列方向A1和与排列方向A1正交的排列方向A2上排列成矩阵状。
各磁铁30A是永久磁铁，具有磁极为S极或N极的一对磁极面31A及32A。即，若一对磁极面31A及32A中的一方的磁极面的磁极为S极，则另一方的磁极面的磁极为N极。在本实施方式中，各磁铁30A在俯视时为矩形状，是相互相同的磁力的磁铁。各磁铁30A的磁极面32A安装于磁轭29的主面291，相反侧的磁极面31A朝向外侧地配置。在本实施方式中，多个磁铁30A以磁极面31A的磁极在规定方向即排列方向A1上交替地成为N极和S极的方式排列。另外，多个磁铁30A以磁极面31A的磁极在排列方向A2上成为同极的方式排列。由于磁极面31A的磁极为S极的磁铁30A和磁极面31A的磁极为N极的磁铁30A在排列方向A1上交替地配置，因此由在排列方向A1上相邻的两个磁铁30A形成磁路。此外，在图6(a)中，在排列方向A2上同极的磁铁彼此连结，但并不限定于此，同极的磁铁彼此也可以在排列方向A2上隔开间隔地配置。
在图6(a)及图6(b)中，用网点图示出磁极面31A为N极的磁铁，用斜线的阴影图示出磁极面31A为S极的磁铁。在图6(a)中由双点划线包围的多个磁铁30A中的排列图案的中央部分P2是在图1所示的玻璃基板5以及掩模6中挠曲成蒜臼形状的部分中的与底部对应的部分。
对多个磁铁30A中的位于排列方向A2的中央的磁铁组130A进行说明。在图6(b)中，图示了磁铁组130A的截面。多个磁铁30A包括位于排列方向A2的中央的磁铁组130A。磁铁组130A由在排列方向A1上排列的多个磁铁30A1～30A12构成。在图6(b)中，磁铁30A1、30A3、30A5、30A7、30A9以及30A11的磁极面31A为N极。磁铁30A2、30A4、30A6、30A8、30A10以及30A12的磁极面31A为S极。这样，在磁铁组130A中，磁极面31A的磁极在排列方向A1上以S极和N极交错的方式排列。另外，在磁铁组130A中，也可以存在一部分相邻的磁铁的磁极面的磁极成为同极的排列。
磁铁组130A包括以第1间隔即间隔D21相邻地配置，且磁极面31A的磁极相互不同的作为第1磁铁对的磁铁对131A。另外，磁铁组130A包括以比间隔D21宽的第2间隔即间隔D22相邻地配置，且磁极面31A的磁极相互不同的作为第2磁铁对的磁铁对132A。在磁铁组130A中，第1磁铁对存在多组，其一例是由磁铁30A8以及磁铁30A9构成的磁铁对131A。磁铁对132A是磁铁30A6以及磁铁30A7。在本实施方式中，磁铁对131A与磁铁对132A相邻，其间隔优选为间隔D21以上且间隔D22以下，例如为间隔D21。
如图6(b)所示，磁铁对132A优选相对于磁铁对131A相对地位于磁铁组130A的中央C2的那侧，在本实施方式中，位于跨越中央C2的位置。并且，在本实施方式中，磁铁对132A位于多个磁铁30A中的排列图案的中央部分P2(图6(a))。
根据第2实施方式，磁铁对132A中的两个磁铁彼此的间隔D22比磁铁对131A中的磁铁彼此的间隔D21大。因此，通过磁铁对132A的各磁铁，规定力以上的吸引力波及的范围比通过磁铁对131A的各磁铁，规定力以上的吸引力波及的范围大。由此，在使图1的掩模6贴紧于玻璃基板5时，基于磁铁对132A的各磁铁的吸引力波及到在掩模6中挠曲成蒜臼形状的部分的底部。因此，能够有效地吸引挠曲成蒜臼形状的部分，能够防止掩模6的挠曲残留。
另外，在掩模6中挠曲成蒜臼状的部分是中央部分，因此磁铁对132A越靠近掩模6的中央部分越好。因此，磁铁对132A优选相对于磁铁对131A相对地位于磁铁组130A的中央C2的那侧。在第2实施方式中，磁铁对132A位于多个磁铁30A中的排列图案的中央部分P2。这样，通过在与掩模6的中央部分对应的部位配置磁铁对132A，能够更有效地防止掩模6的挠曲残留。
此外，在排列方向A2上与磁铁组130A相邻的磁铁组也可以是与磁铁组130A相同的结构，在图6(a)中，成为与磁铁组130A相同的结构。
[第3实施方式]
对第3实施方式的成膜装置进行说明。图7(a)是第3实施方式的磁铁单元的俯视图。图7(b)是沿着图7(a)的VIIB-VIIB线的磁铁单元的剖视图。在第3实施方式的成膜装置中，磁铁单元的结构与第1实施方式不同，除此以外的结构与第1实施方式相同，对于相同的结构省略说明。以下，对第3实施方式的磁铁单元24B进行具体说明。
在磁轭29的主面291设置有多个磁铁30B。磁轭29的主面291为矩形形状，大小与图1所示的掩模箔6A大致相同。多个磁铁30B在沿着主面291的方向且与成为转动中心的假想的轴线L1平行的排列方向A1和与排列方向A1正交的排列方向A2上排列成矩阵状。
各磁铁30B是永久磁铁，具有磁极为S极或N极的一对磁极面31B及32B。即，若一对磁极面31B及32B中的一方的磁极面的磁极为S极，则另一方的磁极面的磁极为N极。在本实施方式中，各磁铁30B俯视为矩形状，是相互相同的磁力的磁铁。各磁铁30B的磁极面32B安装于磁轭29的主面291，相反侧的磁极面31B朝向外侧地配置。在本实施方式中，多个磁铁30B以磁极面31B的磁极在规定方向即排列方向A1和排列方向A2上交替地成为N极和S极的方式排列。即，多个磁铁30B以磁极面31B的磁极在N极和S极呈交错状的方式排列。由于磁极面31B的磁极为S极的磁铁30B和磁极面31B的磁极为N极的磁铁30B在排列方向A1及A2上交替地配置，因此由在排列方向A1或排列方向A2上相邻的两个磁铁30B形成磁路。
在图7(a)及图7(b)中，用网点图示出磁极面31B为N极的磁铁，用斜线的阴影图示出磁极面31B为S极的磁铁。在图7(a)中由双点划线包围的多个磁铁30B中的排列图案的中央部分P3是在图1所示的玻璃基板5以及掩模6中挠曲成蒜臼形状的部分中的与底部对应的部分。
对多个磁铁30B中的位于排列方向A1的中央的磁铁组130B进行说明。在图7(b)中，图示了磁铁组130B的截面。多个磁铁30B包括位于排列方向A1的中央的磁铁组130B。磁铁组130B与第1实施方式中说明的磁铁组130的排列相同，包括磁铁对131和磁铁对132。另外，在磁铁组130B中，也可以存在一部分相邻的磁铁的磁极面的磁极成为同极的排列。
因此，根据第3实施方式，与第1实施方式同样，能够有效地吸引在掩模6中挠曲成蒜臼形状的部分，能够防止掩模6的挠曲残留。
另外，在排列方向A1上与磁铁组130B相邻的磁铁组也未图示，但也可以是与磁铁组130B相同的结构。
[第4实施方式]
对第4实施方式的成膜装置进行说明。图8(a)是第4实施方式的磁铁单元的俯视图。图8(b)是沿着图8(a)的VIIIB-VIIIB线的磁铁单元的剖视图。在第4实施方式的成膜装置中，磁铁单元的结构与第1实施方式不同，除此以外的结构与第1实施方式相同，对于相同的结构省略说明。以下，对第4实施方式的磁铁单元24C进行具体说明。
在磁轭29的主面291设置有多个磁铁30C。磁轭29的主面291为矩形形状，大小与图1所示的掩模箔6A大致相同。多个磁铁30C在沿着主面291的方向且与成为转动中心的假想的轴线L1平行的排列方向A1和与排列方向A1正交的排列方向A2上排列成矩阵状。
各磁铁30C是永久磁铁，具有磁极为S极或N极的一对磁极面31C及32C。即，若一对磁极面31C及32C中的一方的磁极面的磁极为S极，则另一方的磁极面的磁极为N极。在本实施方式中，各磁铁30C在俯视时为矩形状，且为彼此相同的大小。各磁铁30C的磁极面32C安装于磁轭29的主面291，相反侧的磁极面31C朝向外侧地配置。在本实施方式中，多个磁铁30C以磁极面31C的磁极在规定方向即排列方向A2上交替地成为N极和S极的方式排列。另外，多个磁铁30C以磁极面31C的磁极在排列方向A1上成为同极的方式排列。由于磁极面31C的磁极为S极的磁铁30C和磁极面31C的磁极为N极的磁铁30C在排列方向A2上交替地配置，因此由在排列方向A2上相邻的两个磁铁30C形成磁路。另外，在图8(a)中，在排列方向A1上同极的磁铁彼此连结，但并不限定于此，同极的磁铁彼此也可以在排列方向A2上隔开间隔地配置。
在图8(a)以及图8(b)中，用网点图示出磁极面31C为N极的磁铁，用斜线的阴影图示出磁极面31C成为S极的磁铁。在图8(a)中由双点划线包围的多个磁铁30C中的排列图案的中央部分P4是在图1所示的玻璃基板5以及掩模6中挠曲成蒜臼形状的部分中的与底部对应的部分。
对多个磁铁30C中的位于排列方向A1的中央的磁铁组130C进行说明。在图8(b)中，图示了磁铁组130C的截面。多个磁铁30C包括位于排列方向A1的中央的磁铁组130C。磁铁组130C由在排列方向A2上排列的多个磁铁30C1～30C18构成。在图8(b)中，磁铁30C1、30C3、30C5、30C7、30C9、30C11、30C13、30C15以及30C17的磁极面31C是S极。磁铁30C2、30C4、30C6、30C8、30C10、30C12、30C14、30C16、以及30C18的磁极面31C为N极。这样，在磁铁组130C中，磁极面31C的磁极在排列方向A2上以S极和N极交错的方式排列。另外，在磁铁组130C中，也可以存在一部分相邻的磁铁的磁极面的磁极成为同极的排列。
磁铁组130C包括作为第1磁力F1的第3磁铁对即磁铁对133C。另外，磁铁组130C包括作为比第1磁力F1弱的第2磁力F2的第4磁铁对即磁铁对134C。磁铁对133C是磁铁30C8以及磁铁30C11。磁铁30C8以及磁铁30C11的磁极面31C的磁极相互不同。磁铁对134C是磁铁30C9以及磁铁30C10。磁铁30C9以及磁铁30C10的磁极面31C的磁极相互不同。磁铁30C9与磁铁30C10在排列方向A2上相邻地配置。磁铁30C8和磁铁30C11隔着磁铁对134C配置。在本实施方式中，在多个磁铁30C中，磁铁30C9以及磁铁30C10以外的磁铁全部是第1磁力。另外，在相邻的磁铁30C12和磁铁30C13中，成为与在第1实施方式中说明的磁铁对131(图3)相同结构的磁铁对135C。磁铁的磁力例如能够用高斯计测定。第2磁力F2优选为第1磁力F1的1/2以下。并且，第2磁力F2优选为第1磁力F1的1/3以下。
这样，在磁铁30C8与磁铁30C11之间配置有磁力弱的磁铁30C9以及磁铁30C10。由磁铁30C8、磁铁30C11和磁铁对133C形成的磁通(磁路)与在第1实施方式中说明的磁铁对132(图3)相同地大范围扩展，规定力以上的吸引力波及到大范围。因此，基于磁铁对134C的磁路的吸引力在远方比基于磁铁对135C的磁路的吸引力强，相反，在附近，比基于磁铁对135C的磁路的吸引力弱。
如图8(b)所示，磁铁对134C位于跨越中央C4的位置。并且，在本实施方式中，磁铁对134C位于多个磁铁30C中的排列图案的中央部分P4(图8(a))。
根据第4实施方式，与第1实施方式同样，通过磁铁对133C的各磁铁，规定力以上的吸引力波及的范围大。由此，在使掩模6贴紧于玻璃基板5时，基于磁铁对133C的各磁铁的吸引力波及到在掩模6中挠曲成蒜臼形状的部分的底部。因此，能够有效地吸引挠曲成蒜臼形状的部分，能够防止掩模6的挠曲残留。
另外，在掩模6中挠曲成蒜臼状的部分是中央部分，因此磁铁对133C越靠近掩模6的中央部分越好。因此，在第4实施方式中，被磁铁对133C夹着的磁铁对134C位于多个磁铁30C中的排列图案的中央部分P4。这样，通过在与掩模6的中央部分对应的部位配置磁铁对134C，能够更有效地防止掩模6的挠曲残留。
此外，在排列方向A1上与磁铁组130C相邻的磁铁组也未图示，但也可以设为与磁铁组130C相同的结构。
[第5实施方式]
对第5实施方式的成膜装置进行说明。图9(a)是第5实施方式的磁铁单元的俯视图。图9(b)是沿着图9(a)的IXB-IXB线的磁铁单元的剖视图。在第5实施方式的成膜装置中，磁铁单元的结构与第1实施方式不同，除此以外的结构与第1实施方式相同，对于相同的结构省略说明。以下，对第5实施方式的磁铁单元24D进行具体说明。
在磁轭29的主面291设置有多个磁铁30D。磁轭29的主面291为矩形形状，大小与图1所示的掩模箔6A大致相同。多个磁铁30D在沿着主面291的方向且与成为转动中心的假想的轴线L1平行的排列方向A1和与排列方向A1正交的排列方向A2上排列成矩阵状。
各磁铁30D是永久磁铁，具有磁极为S极或者N极的一对磁极面31D以及32D。即，若一对磁极面31D、32D中的一方的磁极面的磁极为S极，则另一方的磁极面的磁极为N极。各磁铁30D的磁极面32D安装于磁轭29的主面291，相反侧的磁极面31D朝向外侧地配置。在本实施方式中，多个磁铁30D以磁极面31D的磁极在排列方向A2上成为同极的方式排列。各磁铁30D俯视为矩形状。
在图9(a)及图9(b)中，用网点图示出磁极面31D为N极的磁铁，用斜线的阴影图示出磁极面31D为S极的磁铁。在图9(a)中由双点划线包围的多个磁铁30D中的排列图案的中央部分P5是在图1所示的玻璃基板5以及掩模6中挠曲成蒜臼形状的部分中的与底部对应的部分。
对多个磁铁30D中的位于排列方向A2的中央的磁铁组130D进行说明。在图9(b)中，图示了磁铁组130D的截面。多个磁铁30D包括位于排列方向A2的中央的磁铁组130D。磁铁组130D由在排列方向A1上排列的多个磁铁30D1～30D14构成。在图9(b)中，磁铁30D1、30D3、30D5、30D8、30D9、30D11、以及30D13的磁极面31D是N极，磁铁30D2、30D4、30D6、30D7、30D10、30D12以及30D14的磁极面31D是S极。在磁铁组130D中，也可以存在一部分相邻的磁铁的磁极面的磁极成为同极的排列。在本实施方式中，相邻的磁铁30D6和磁铁30D7的磁极面31D是同极的排列，相邻的磁铁30D8和磁铁30D9的磁极面31D是同极的排列。在磁铁组130D中，除上述以外的相邻的2个磁铁的磁极面的磁极相互不同。另外，在磁铁组130D中，磁极面31D的磁极也可以在排列方向A1上以S极和N极交错的方式排列。
磁铁组130D包括作为第1磁力F1的第3磁铁对即磁铁对133D。另外，磁铁组130D包括作为比第1磁力F1弱的第2磁力F2的第4磁铁对即磁铁对134D。磁铁对133D是磁铁30D6以及磁铁30D9。磁铁30D6以及磁铁30D9的磁极面31D的磁极相互不同。磁铁对134D是磁铁30D7以及磁铁30D8。磁铁30D7和磁铁30D8的磁极面31D的磁极彼此不同。磁铁30D7和磁铁30D8在排列方向A1上相邻地配置。磁铁30D6和磁铁30D9隔着磁铁对134D配置。在本实施方式中，在多个磁铁30D中，磁铁30D7以及磁铁30D8以外的磁铁全部是第1磁力。磁铁的磁力例如能够用高斯计测定。第2磁力F2优选为第1磁力F1的1/2以下。并且，第2磁力F2优选为第1磁力F1的1/3以下。
如图9(b)所示，磁铁对134D位于跨越中央C5的位置。并且，在本实施方式中，磁铁对134D位于多个磁铁30D中的排列图案的中央部分P5(图9(a))。
根据第5实施方式，与第4实施方式同样，能够有效地吸引在掩模6中挠曲成蒜臼形状的部分，能够防止掩模6的挠曲残留。
另外，在掩模6中挠曲成蒜臼状的部分是中央部分，因此磁铁对133D越靠近掩模6的中央部分越好。因此，在第5实施方式中，被磁铁对133D夹着的磁铁对134D位于多个磁铁30D中的排列图案的中央部分P5。这样，通过在与掩模6的中央部分对应的部位配置磁铁对134D，能够更有效地防止掩模6的挠曲残留。
[第6实施方式]
对第6实施方式的成膜装置进行说明。图10(a)是第6实施方式的磁铁单元的俯视图。图10(b)是沿着图10(a)的XB-XB线的磁铁单元的剖视图。在第6实施方式的成膜装置中，磁铁单元的结构与第1实施方式不同，除此以外的结构与第1实施方式相同，对于相同的结构省略说明。以下，对第6实施方式的磁铁单元24E进行具体说明。
在磁轭29的主面291设置有多个磁铁30E。磁轭29的主面291为矩形形状，大小与图1所示的掩模箔6A大致相同。多个磁铁30E在沿着主面291的方向且与成为转动中心的假想的轴线L1平行的排列方向A1和与排列方向A1正交的排列方向A2上排列成矩阵状。
各磁铁30E是永久磁铁，具有磁极为S极或N极的一对磁极面31E和32E。即，若一对磁极面31E和32E中的一方的磁极面的磁极为S极，则另一方的磁极面的磁极为N极。在本实施方式中，各磁铁30E在俯视时为矩形状，且为彼此相同的大小。各磁铁30E的磁极面32E安装于磁轭29的主面291，相反侧的磁极面31E朝向外侧地配置。在本实施方式中，多个磁铁30E以磁极面31E的磁极在规定方向即排列方向A1和排列方向A2上交替地成为N极和S极的方式排列。即，多个磁铁30E以磁极面31E的磁极在N极和S极呈交错状的方式排列。由于磁极面31E的磁极为S极的磁铁30E和磁极面31E的磁极为N极的磁铁30E交替地配置于排列方向A1及A2，因此由在排列方向A1或排列方向A2上相邻的两个磁铁30E形成磁路。
在图10(a)及图10(b)中，用网点图示出磁极面31E成为N极的磁铁，用斜线的阴影图示出磁极面31E成为S极的磁铁。在图10(a)中由双点划线包围的多个磁铁30E的排列图案的中央部分P6是在图1所示的玻璃基板5以及掩模6中挠曲成蒜臼形状的部分中的与底部对应的部分。
对多个磁铁30E中的位于排列方向A1的中央的磁铁组130E进行说明。在图10(b)中图示磁铁组130E的截面。多个磁铁30E包括位于排列方向A1的中央的磁铁组130E。磁铁组130E与在第4实施方式中说明的磁铁组130C的排列相同，包括磁铁对133C、磁铁对134C以及磁铁对135C。
因此，根据第6实施方式，与第4实施方式同样，能够有效地吸引在掩模6中挠曲成蒜臼形状的部分，能够防止掩模6的挠曲残留。
[第7实施方式]
接着，对包括上述实施方式的成膜装置中的任一成膜装置的制造系统进行说明。图11是第7实施方式的制造系统的示意性结构图，例示了制造有机EL面板的制造系统300。
制造系统300具备多台成膜装置100、搬送室1101、搬送室1102、搬送室1103、基板供给室1105、掩模储存室1106、交接室1107、玻璃供给室1108、贴合室1109、取出室1110等。成膜装置100能够用于有机EL面板的发光层、空穴注入层、空穴输送层、电子输送层、电极层等不同的功能层的成膜，因此有时成膜材料、掩模等针对每个成膜装置而不同。各成膜装置100具备在第1～第6实施方式中说明的任一磁铁单元，能够实施第1～第6实施方式中的任一成膜方法。各成膜装置100在将图1所示的玻璃基板5设置于掩模6之后，能够实施隔着掩模6在玻璃基板5上形成成膜图案的成膜方法。
从外部向基板供给室1105供给基板。在搬送室1101、搬送室1102、搬送室1103中配置有作为搬送机构的机器人1120。通过机器人1120进行各室间的基板的搬送。本实施方式的制造系统300所具备的多台成膜装置100中的、至少一台具备有机材料的蒸镀源。制造系统300所包含的多个成膜装置100既可以是相互成膜同一材料的装置，也可以是相互成膜不同材料的装置。例如，在各成膜装置中，也可以蒸镀相互不同的发光颜色的有机材料。在制造系统300中，对从基板供给室1105供给的基板蒸镀有机材料、或者形成金属材料等无机材料的膜，制造有机EL面板。
在掩模储存室1106中，在各成膜装置100中被使用且堆积了膜的掩模通过机器人1120搬送。通过回收搬送到掩模储存室1106的掩模，能够清洗掩模。另外，也能够在掩模储存室1106收纳清洗完毕的掩模，通过机器人1120设置于成膜装置100。
从外部向玻璃供给室1108供给密封用的玻璃材料。在贴合室1109中，通过在成膜后的基板上贴合密封用的玻璃材料来制造有机EL面板。制造出的有机EL面板从取出室1110取出。
这样，上述的成膜装置100能够在制造有机EL元件的制造系统300中适当地实施，但也可以在用于制造除此以外的器件的制造系统中实施。在制造电子器件等时，能够使掩模吸附于基板，提高生产率。
[其他的实施方式]
另外，本发明并不限定于以上说明的实施方式，在本发明的技术思想内能够进行多种变形。
例如，在上述的第1～第7实施方式中，对作为基板的一例为玻璃基板5的情况进行了说明，但作为蒸镀对象的基板的材质并不限定于玻璃，只要是不被磁力吸引的材质即可，可以是任意的材质。
另外，在上述的第1～第3实施方式中，在磁铁单元中的多个磁铁中也可以包含多个第2磁铁对。同样，在上述的第4～第6实施方式中，在磁铁单元中的多个磁铁中也可以包含多个第3磁铁对以及第4磁铁对。
另外，在上述的第1～第3实施方式中说明的磁轭29中，也可以在第2磁铁对的两个磁铁间的位置设置贯穿孔。
另外，在上述的第1～第7实施方式中，由于第1构件是磁轭29，因此能够使基于磁铁的吸引力有效地产生于基板侧，因此优选，但并不限定于第1构件为磁轭29的情况。在第1构件为磁轭29以外的构件的情况下，磁铁通过粘接剂等固定于第1构件即可。

Claims (11)

1.一种成膜装置，其特征在于，
具备：
掩模保持部，保持载置基板的由被磁力吸附的材质构成的掩模；
多个磁铁；以及
第1构件，具有安装所述多个磁铁的主面，被配置在比由所述掩模保持部保持掩模的位置靠上方的位置，所述第1构件能够以所述主面保持倾斜状态下降，通过进一步下降而转动，所述主面成为水平状态，
所述多个磁铁分别具有与安装于所述主面的面相反侧的磁极面，
所述多个磁铁包括在沿着所述主面的规定方向上排列的磁铁组，
所述磁铁组包括：第1磁铁对，以第1间隔相邻地配置，所述磁极面的磁极相互不同；以及第2磁铁对，以比所述第1间隔宽的第2间隔相邻地配置，所述磁极面的磁极相互不同。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述第2磁铁对相对于所述第1磁铁对相对地位于所述磁铁组中的中央的那侧。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
所述第2磁铁对位于所述多个磁铁中的排列图案的中央部分。
4.一种成膜装置，其特征在于，
具备：
掩模保持部，保持载置基板的由被磁力吸附的材质构成的掩模；
多个磁铁；以及
第1构件，具有安装所述多个磁铁的主面，被配置在比由所述掩模保持部保持掩模的位置靠上方的位置，所述第1构件能够以所述主面保持倾斜状态下降，通过进一步下降而转动，所述主面成为水平状态，
所述多个磁铁分别具有与安装于所述主面的面相反侧的磁极面，
所述多个磁铁包括在沿着所述主面的规定方向上排列的磁铁组，
所述磁铁组包括：第3磁铁对，所述磁极面的磁极相互不同，产生第1磁力；以及第4磁铁对，在被所述第3磁铁对夹着的位置相邻地配置，所述磁极面的磁极相互不同，产生比所述第1磁力弱的第2磁力。
5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，
所述第4磁铁对位于所述多个磁铁中的排列图案的中央部分。
6.根据权利要求1或4所述的成膜装置，其特征在于，
所述第1构件是磁轭。
7.根据权利要求1或4所述的成膜装置，其特征在于，
该成膜装置还具备第2构件，该第2构件被配置成，在所述主面处于所述水平状态时，位于所述多个磁铁与保持于所述掩模保持部的掩模上的基板之间，由不是强磁性体的磁性体构成。
8.根据权利要求1或4所述的成膜装置，其特征在于，
所述第1构件能够绕轴线转动，
所述规定方向是与所述轴线正交的方向。
9.根据权利要求1或4所述的成膜装置，其特征在于，
所述第1构件能够绕轴线转动，
所述规定方向是与所述轴线平行的方向。
10.一种有机EL面板的制造系统，其特征在于，
具备多个权利要求1～9中任一项所述的成膜装置，
至少一台所述成膜装置在所述基板上蒸镀有机材料而形成有机薄膜。
11.一种成膜方法，其特征在于，
使用权利要求1～9中任一项所述的成膜装置在所述基板上成膜。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112323037A (zh) * 2020-11-09 2021-02-05 上海兆九光电技术有限公司 镀膜真空室工件旋转装置
KR20230144154A (ko) * 2022-04-06 2023-10-16 삼성디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리 제조 장치 및 이를 이용한 마스크 어셈블리 제조 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05339711A (ja) * 1992-06-05 1993-12-21 Anelva Corp 真空蒸着装置
JP2005008947A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Dainippon Printing Co Ltd スパッタ装置およびスパッタ方法
CN101090994A (zh) * 2005-02-23 2007-12-19 三井造船株式会社 掩模保持机构以及成膜装置
CN101685848A (zh) * 2008-09-25 2010-03-31 株式会社日立高新技术 有机el器件制造装置及其制造方法以及成膜装置及成膜方法
JP2014045137A (ja) * 2012-08-28 2014-03-13 Toyota Motor Corp 半導体製造装置、半導体装置の製造方法
CN106906441A (zh) * 2015-11-25 2017-06-30 佳能特机株式会社 成膜系统、磁性体部以及膜的制造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004152704A (ja) 2002-11-01 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4377453B2 (ja) 2007-11-30 2009-12-02 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
JP2015124394A (ja) 2013-12-25 2015-07-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置に製造方法
JP2016128597A (ja) 2015-01-09 2016-07-14 株式会社ブイ・テクノロジー マグネットシート、それを使用する成膜方法及びタッチパネル
JP2017119905A (ja) 2015-12-29 2017-07-06 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置の製造装置のマスク保持器具、及び、有機ｅｌ表示装置の製造装置
WO2018141367A1 (en) 2017-01-31 2018-08-09 Applied Materials, Inc. Method of processing a substrate and substrate carrier for holding a substrate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05339711A (ja) * 1992-06-05 1993-12-21 Anelva Corp 真空蒸着装置
JP2005008947A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Dainippon Printing Co Ltd スパッタ装置およびスパッタ方法
CN101090994A (zh) * 2005-02-23 2007-12-19 三井造船株式会社 掩模保持机构以及成膜装置
CN101685848A (zh) * 2008-09-25 2010-03-31 株式会社日立高新技术 有机el器件制造装置及其制造方法以及成膜装置及成膜方法
JP2014045137A (ja) * 2012-08-28 2014-03-13 Toyota Motor Corp 半導体製造装置、半導体装置の製造方法
CN106906441A (zh) * 2015-11-25 2017-06-30 佳能特机株式会社 成膜系统、磁性体部以及膜的制造方法

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