CN111312155A - 显示装置和信号反转装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置和信号反转装置。信号反转装置包括：基板；氧化物半导体层，位于所述基板上；第一电极，连接到所述氧化物半导体层的一部分；第二电极，连接到所述氧化物半导体层的另一部分；栅极，位于所述氧化物半导体层上或下；金属氧化物膜，位于所述基板上；第一连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的一端；第二连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的相对端，其中，输入信号输入到所述栅极，第一电压施加到所述第一连接电极，所述第二连接电极和所述第一电极彼此电连接或者彼此集成在一起以输出输出信号，并且与所述第一电压不同的第二电压施加到所述第二电极基板。因此，小尺寸信号反转装置具有简单的电路配置。

Description

显示装置和信号反转装置
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2018年12月10日提交的韩国专利申请No.10-2018-0157991的优先权，为了所有目的通过引用的方式将其并入本文，如同在本文完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及显示装置和信号反转装置。
背景技术
随着信息社会的发展，已经开发了各种显示装置，例如照明装置和图像显示装置。
这些各种显示装置可能需要用于反转各种信号的电压电平的构造以用于各种驱动处理。已经以在印刷电路板上制造的电路的形式实现信号反转装置，用于信号反转功能的许多晶体管和电容器使得电路复杂并且必须有许多的各种输入电源。
因此，如果将传统的信号反转装置应用于显示装置，则显示装置中的电路变得复杂并且电路的尺寸变大。另外，还必须有用于将信号反转装置安装在显示装置中的附加制造工艺。
发明内容
本发明提供了一种具有简单电路配置的小尺寸信号反转装置和使用该信号反转装置的显示装置。
本发明还提供了一种可以直接设置在显示面板中的信号反转装置和包括该信号反转装置的显示装置。
本发明还提供了一种包括电路器件的信号反转装置以及包括该信号反转装置的显示装置，所述电路器件具有被设计为具有优异的信号反转性能的特性。
本发明还提供了一种包括电路器件的信号反转装置及包括该信号反转装置的显示装置，所述电路器件具有被设计为具有优异的信号反转性能的结构。
在本发明的一个方面，本发明的实施方式可以提供一种显示装置，包括：显示面板，在所述显示面板中设置有多个子像素，并且对应于所述多个子像素中的每一个设置有扫描线和发光控制线；扫描驱动器电路，被配置为将扫描信号输出到所述扫描线；以及发光控制驱动器电路，被配置为将发光控制信号输出到所述发光控制线。
所述发光控制驱动器电路可包括：电阻器件，电连接在被施加第一电压的第一电压节点和与所述发光控制线电连接的输出节点之间；以及晶体管，电连接在所述输出节点和被施加与所述第一电压不同的第二电压的第二电压节点之间，所述晶体管的导通/截止操作由输入信号控制。
所述输入信号可以是从所述扫描驱动器电路输出的扫描信号。
所述发光控制驱动器电路可将通过反转所述输入信号的电压电平而获得的发光控制信号输出到所述输出节点。
所述第一电压和所述第二电压中的一个可具有与所述发光控制信号的高电平电压相对应的电压值，并且所述第一电压和所述第二电压中的其余一个可具有与所述发光控制信号的低电平电压相对应的电压值。
当所述晶体管是N型晶体管时，所述第一电压可具有高于所述第二电压的电压值。
所述发光控制驱动器电路可被配置为：当所述输入信号是高电平电压时，在所述晶体管导通时将具有与所述第二电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点；当所述输入信号为低电平电压时，在所述晶体管截止时将具有与所述第一电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点。
所述晶体管可以是P型晶体管，所述第二电压具有高于所述第一电压的电压值。
所述发光控制驱动器电路可被配置为：当所述输入信号是高电平电压时，在所述晶体管截止时将具有与所述第一电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点；及当所述输入信号为低电平电压时，在所述晶体管导通时将具有与所述第二电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点。
当所述晶体管导通时，所述电阻器件的电阻值可大于所述晶体管的电阻值，并且当所述晶体管截止时，所述电阻器件的电阻值可小于所述晶体管的电阻值。
所述晶体管可包括：氧化物半导体层；第一电极，连接到所述氧化物半导体层的一部分；第二电极，连接到所述氧化物半导体层的另一部分；以及栅极，被施加所述输入信号。
所述第一电极可电连接到所述输出节点，所述第二电极可电连接到所述第二电压节点，并且对应于所述扫描信号的输入信号可施加到所述栅极。
所述氧化物半导体层可以是N型氧化物半导体层或P型氧化物半导体层。
所述氧化物半导体层可包括氧化铟镓锌，并且铟、镓和锌的组成比可以是1:1:1。
所述电阻器件可包括：金属氧化物膜；第一连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的一端；以及第二连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的相对端。
所述第一连接电极可电连接到所述第一电压节点，所述第二连接电极可电连接到所述输出节点，所述第二连接电极和所述第一电极可彼此电连接或者彼此集成在一起。
所述金属氧化物膜可包括氧化镓锌。
在镓和锌中，镓可具有50％或更高的组成比。
所述电阻器件的金属氧化物膜可具有10Ωcm或更大的电阻率。
所述电阻器件的金属氧化物膜的长度可大于所述电阻器件的金属氧化物膜的宽度。
所述电阻器件的金属氧化物膜的厚度可小于所述晶体管的氧化物半导体层的厚度。
所述扫描驱动器电路和所述发光控制驱动器电路可设置在所述显示面板的非有源区域中，所述显示面板的非有源区域中的设置有所述发光控制驱动器电路的区域范围可小于所述显示面板的非有源区域中的设置有所述扫描驱动器电路的区域范围。
所述多个子像素中的每个子像素可包括：发光器件；驱动晶体管，被配置为向所述发光器件提供驱动电流；扫描晶体管，被配置为将数据电压传送到所述驱动晶体管的栅极节点；以及发光控制晶体管，被配置为控制所述发光器件的发光，其中，所述扫描晶体管的栅极节点可电连接到所述扫描线，所述发光控制晶体管的栅极节点可电连接到所述发光控制线。
根据本发明的另一方面，本发明的实施方式可提供一种信号反转装置，包括：基板；以及位于所述基板上的电阻器件和晶体管，其中所述晶体管包括：氧化物半导体层，位于所述基板上；第一电极，连接到所述氧化物半导体层的一部分并且连接到输出节点；第二电极，连接到所述氧化物半导体层的另一部分并且连接到第二电压节点；和栅极，位于所述氧化物半导体层上或下，其中所述电阻器件包括：金属氧化物膜，位于所述基板上；第一连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的一端并且连接至第一电压节点；第二连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的相对端并且连接至所述输出节点，其中，输入信号输入到所述栅极，第一电压通过所述第一电压节点施加到所述第一连接电极，所述第二连接电极和所述第一电极彼此电连接或者彼此集成在一起以通过所述输出节点输出输出信号，并且与所述第一电压不同的第二电压通过所述第二电压节点施加到所述第二电极。
输入信号可输入到所述栅极，第一电压可施加到所述第一连接电极，所述第二连接电极和所述第一电极可彼此电连接或者彼此集成在一起以输出输出信号，并且与所述第一电压不同的第二电压可施加到所述第二电极。
当在所述氧化物半导体中设置有沟道时，所述金属氧化物膜的电阻值可大于所述晶体管的电阻值，并且当在所述氧化物半导体中没有设置沟道时，所述金属氧化物膜的电阻值可小于所述晶体管的电阻值。
本发明的实施方式提供了一种具有简单电路配置的小尺寸信号反转装置和使用该信号反转装置的显示装置。
此外，本发明的实施方式提供了可以直接设置在显示面板中的信号反转装置和包括该信号反转装置的显示装置。
此外，本发明的实施方式提供了一种包括电路器件的信号反转装置以及包括该信号反转装置的显示装置，所述电路器件具有被设计为具有优异的信号反转性能的特性。
此外，本发明的实施方式提供了一种包括电路器件的信号反转装置及包括该信号反转装置的显示装置，所述电路器件具有被设计为具有优异的信号反转性能的结构。
附图说明
依据以下结合附图的详细描述，本发明的上述和其他方面、特征和优点将更加明显，其中：
图1是示出根据本发明实施方式的信号反转装置的视图；
图2是根据本发明实施方式的信号反转装置的电路；
图3和图4是示出图2的信号反转装置的操作的视图；
图5是根据本发明实施方式的信号反转装置的另一电路；
图6和图7是示出图5的信号反转装置的操作的视图；
图8是示出根据本发明实施方式的信号反转装置的性能的曲线图；
图9是根据本发明实施方式的信号反转装置的横截面结构的视图；
图10是根据本发明实施方式的信号反转装置的平面结构的视图；
图11是用于说明根据本发明实施方式的信号反转装置中包括的晶体管的氧化物半导体层的薄膜的物理特性的视图；
图12和图13是示出了根据本发明实施方式的信号反转装置中包括的电阻器件的薄膜的结构特征和物理特性的视图；
图14是根据本发明实施方式的显示装置的系统图；
图15是根据本发明实施方式的显示装置的子像素电路；
图16是示出根据本发明实施方式的设置在显示面板的非有源区域中的扫描驱动器电路和发光控制驱动器电路的视图；
图17是示出根据本发明实施方式的扫描驱动器电路的视图；
图18是应用了根据本发明实施方式的信号反转装置的发光控制驱动器电路的视图；以及
图19是用于根据应用了根据本发明实施方式的信号反转装置的发光控制驱动器电路，说明边框减小效果的视图。
具体实施方式
通过参考下面结合附图详细描述的本发明的实施方式，本发明的优点和特征以及其实现方法将变得显而易见。然而，本发明不限于以下阐述的实施方式，而是可以以各种不同的形式实现。提供以下实施方式仅是为了完全公开本发明并且向所属领域技术人员告知本发明的范围，本发明仅由所附权利要求书的范围限定。
为了解释本发明的实施方式的附图中示出的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅仅是说明性的，因此本发明不限于所示的内容。在整个本说明书中，相同或相似的附图标记指代相同或相似的元件。此外，在本发明的描述中，当确定对相关公知技术的详细描述不必要地使本发明的主题不清楚时，将省略详细描述。当使用如本文所述的术语“包括”、“具有”、“包含”等时，除非使用了术语“仅”，否则可以添加任何其他部分。
此外，在解释本发明的实施方式的要素时，即使未单独给出明确的指示，它们也应被解释为涵盖公差范围。
此外，当描述本发明的部件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)或(b)等之类的术语。这些术语中的每一个都不用于定义相应部件的本质、顺序或次序，而仅用于将相应部件与其他部件区分开。在描述某个结构元件“连接到”、“耦合到”或“接合到”另一个结构元件的情况下，应解释为某个结构元件直接连接到或直接接触另一个结构元件，以及其他结构元件可以“连接到”、“耦合到”或“接触”这些结构元件。当使用例如“在……上”、“在……上方”、“在……下”、“在……旁”等描述两个部分的位置关系时，除非使用诸如“仅”或“直接”之类的术语，否则一个或多个其他部分可以位于这两个部分之间。
此外，本发明的实施方式中的部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件与另一个部件。因此，当在下文中将构成元件称为第一构成元件时，它可以是本发明的技术构思内的第二构成元件。
此外，本发明的实施方式中的特征(部件)可以部分地或完全地彼此耦合或组合，或者部分地或者可以完全地彼此分离，技术上的各种互锁和驱动是可能的，可以彼此独立地实现或者可以彼此相结合地实现各个实施方式。
在下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方式。
图1是示出根据本发明实施方式的信号反转装置100的视图。
参照图1，根据本发明实施方式的信号反转装置100可以包括电阻器件RD和晶体管TR。
信号反转装置100具有：输入节点IN，输入信号Vin输入到输入节点IN；输出节点OUT，输出信号Vout输出到输出节点OUT；第一电压节点Nv1，第一电压V1输入到第一电压节点Nv1；和第二电压节点Nv2，第二电压V2输入到第二电压节点Nv2。
第一电压V1和第二电压V2具有不同的电压值。例如，第一电压V1可以具有高于第二电压V2的电压值。作为另一示例，第二电压V2可以具有高于第一电压V1的电压值。
电阻器件RD可以电连接在第一电压节点Nv1和输出节点OUT之间。
晶体管TR的导通/截止操作可以由输入信号Vin控制，并且晶体管TR可以电连接在输出节点OUT和第二电压节点Nv2之间。
电阻器件RD包括第一连接电极ER1和第二连接电极ER2。
电阻器件RD的第一连接电极ER1电连接到第一电压节点Nv1。
电阻器件RD的第二连接电极ER2电连接到输出节点OUT。
晶体管TR包括第一电极ET1、第二电极ET2和栅极G。
将输入信号Vin施加到晶体管TR的栅极G。
晶体管TR的第一电极ET1电连接到输出节点OUT。
晶体管TR的第二电极ET2电连接到第二电压节点Nv2。
将输入信号Vin施加到晶体管TR的栅极G。
电阻器件RD的第二连接电极ER2和晶体管TR的第一电极ET1可以彼此电连接或彼此集成。
晶体管TR可以是N型晶体管或P型晶体管。
当晶体管TR截止时，在第一电极ET1和第二电极ET2之间存在具有大电阻值Rch_OFF的电阻分量Rch。即，当晶体管TR截止时，晶体管TR用作一种具有大电阻值Rch_OFF的电阻Rch。
当晶体管TR导通时，在第一电极ET1和第二电极ET2之间存在具有小电阻值Rch_ON的电阻分量Rch。即，当晶体管TR导通时，晶体管TR用作一种具有小电阻值Rch_ON的电阻Rch。
换句话说，当晶体管TR导通时，晶体管TR可以被视为等效于晶体管TR的具有小电阻值Rch_ON的电阻Rch。当晶体管TR截止时，晶体管TR可以被视为等效于晶体管TR的具有大电阻值Rch_OFF的电阻Rch。
当晶体管TR导通时，电阻器件RD的电阻值R可以大于晶体管TR的小电阻值Rch_On；当晶体管TR截止时，电阻器件RD的电阻值R可以小于晶体管TR的大电阻值Rch_OFF。
根据本发明实施方式的信号反转装置100反转(转换)输入信号Vin的电压电平，并输出通过反转电压电平获得的输出信号Vout。电压电平的反转是从高电平到低电平的反转，并且可以意味着将低电平反转为高电平。
图2是根据本发明实施方式的信号反转装置100的电路。图3和图4是示出图2的信号反转装置100的操作的视图。
如图2中所示，当信号反转装置100的晶体管TR是N型晶体管时，第一电压V1可以具有高于第二电压V2的电压值。即，第一电压V1可以是高电位电压VDD，第二电压V2可以是低电位电压VSS。
当晶体管TR导通时，电阻器件RD的电阻值R可以大于晶体管TR的小电阻值Rch_On，并且当晶体管TR截止时，电阻器件RD的电阻值R可以小于晶体管TR的大电阻值Rch_OFF。
参照图3，当输入信号Vin是高电平电压HLVi时，晶体管TR通过施加到栅极G的高电平电压HLVi的输入信号Vin而导通。因此，晶体管TR可以被视为等效于晶体管TR的具有小电阻值Rch_ON的电阻Rch。
因此，图2的电路可以被视为电压分配电路，两个电阻器R和Rch(Rch_ON)串联连接到该电压分配电路(其相当于图2的电路)，如图3所示。
因此，可以通过等式1计算通过电压分配输出到输出节点OUT的输出信号Vout。
[等式1]
Vout＝(VDD-VSS)×Rch_ON/(R+Rch_ON)
为了便于描述，假设例如电阻器件RD的电阻值R是10MΩ(兆欧)，导通的晶体管TR的小电阻值Rch_ON是100KΩ(千欧)，对应于第一电压V1的高电位电压VDD是20V，并且对应于第二电压V2的低电位电压VSS是0V。通过将其插入等式1，可以获得等式2。
[等式2]
Vout＝20V x 100K/(10M+100K)＝20V/101＝约0.198V
因此，输出信号Vout具有低电平电压值LLVo＝0.198V，其类似于与第二电压V2对应的低电位电压VSS。
即，信号反转装置100将具有与第二电压V2对应的低电平电压LLVo的输出信号Vout输出到输出节点OUT。
参照图4，当输入信号Vin是低电平电压LLVi时，晶体管TR通过施加到栅极G的低电平电压LLVi的输入信号Vin而截止。换句话说，晶体管TR可以被视为等效于晶体管TR的具有大电阻值Rch_OFF的电阻Rch。
因此，图2的电路可以被视为电压分配电路，两个电阻器R和Rch(Rch_OFF)彼此串联地连接到该电压分配电路(其相当于图2的电路)，如图4所示。
因此，可以通过等式3计算通过电压分配输出到输出节点OUT的输出信号Vout。
[等式3]
Vout＝(VDD-VSS)×Rch_OFF/(R+Rch_OFF)
为了便于描述，假设例如电阻器件RD的电阻值R是10MΩ(兆欧)，截止的晶体管TR的大电阻值Rch_OFF是1TΩ(万亿欧)，对应于第一电压V1的高电位电压VDD是20V，并且对应于第二电压V2的低电位电压VSS是0V。通过将其插入等式3，可以获得等式4。
[等式4]
Vout＝20V x 1T/(10M+1T)＝约20V
因此，输出信号Vout具有高电平电压值HLVo＝约20V，其类似于与第一电压V1对应的高电位电压VDD。
即，信号反转装置100将具有与第一电压V1对应的高电平电压HLVo的输出信号Vout输出到输出节点OUT。
图5是根据本发明实施方式的另一信号反转装置100的电路。图6和图7是示出图5的信号反转装置100的操作的视图。
如图5中所示，当晶体管TR是P型晶体管时，第二电压V2可以具有高于第一电压V1的电压值。即，第二电压V2可以是高电位电压VDD，第一电压V1可以是低电位电压VSS。
当晶体管TR导通时，电阻器件RD的电阻值R可以大于晶体管TR的小电阻值Rch_On；当晶体管TR截止时，电阻器件RD的电阻值R可以小于晶体管TR的大电阻值Rch_OFF。
参照图6，当输入信号Vin是高电平电压HLVi时，晶体管TR通过施加到栅极G的高电平电压HLVi的输入信号Vin而截止。换句话说，晶体管TR可以被视为等效于晶体管TR的具有大电阻值Rch_OFF的电阻Rch。
因此，图5的电路可以被视为电压分配电路，两个电阻器R(Rch＝Rch_OFF)彼此串联地连接到该电压分配电路(其相当于图5的电路)，如图6所示。
因此，可以通过等式5计算通过电压分配输出到输出节点OUT的输出信号Vout。
[等式5]
Vout＝(VDD-VSS)×R/(R+Rch_OFF)
为了便于描述，假设例如电阻器件RD的电阻值R是10MΩ，截止的晶体管TR的大电阻值Rch_OFF是1TΩ，对应于第一电压V1的低电位电压VSS是0V，并且对应于第二电压V2的高电位电压VDD是20V。通过将其插入等式5，可以获得等式6。
[等式6]
Vout＝20V x 10M/(10M+1T)＝约0V
因此，输出信号Vout具有低电平电压值LLVo＝约0V，其类似于与第一电压V1对应的低电位电压VSS。
即，信号反转装置100将具有与第一电压V1对应的低电平电压值LLVo的输出信号Vout输出到输出节点OUT。
参照图7，当输入信号Vin是低电平电压LLVi时，晶体管TR通过施加到栅极G的低电平电压LLVi的输入信号Vin而导通。因此，晶体管TR可以被视为等效于晶体管TR的具有小电阻值Rch_ON的电阻Rch。
因此，图5的电路可以被视为电压分配电路，两个电阻器R(Rch＝Rch_ON)串联连接到该电压分配电路(其相当于图5的电路)，如图7所示。
因此，可以通过等式7计算通过电压分配输出到输出节点OUT的输出信号Vout。
[等式7]
Vout＝(VDD-VSS)×R/(R+Rch_ON)
为了便于描述，假设例如电阻器件RD的电阻值R是10MΩ，导通的晶体管TR的小电阻值Rch_ON是100KΩ，对应于第一电压V1的低电位电压VSS是0V，并且对应于第二电压V2的高电位电压VDD是20V。通过将其插入等式7，可以获得等式8。
[等式8]
Vout＝20V x 10M/(10M+100K)＝约19.8V
因此，输出信号Vout具有高电平电压值LLVo＝约19.8V，其类似于与第二电压V2对应的高电位电压VDD。
即，信号反转装置100将具有与第二电压V2对应的高电平电压LLVo的输出信号Vout输出到输出节点OUT。
在图2至7中，输出信号Vout的高电平电压HLVi可以与输入信号Vin的高电平电压HLVo相同，但也可以与高电平电压HLVo略有不同。类似地，输出信号Vout的低电平电压LLVi可以与输入信号Vin的低电平电压LLVo相同，但也可以与低电平电压LLVo略有不同。
在图2至7中，输出信号Vout的高电平电压HLVi可以与高电位电压VDD相同，但也可以与高电位电压VDD略有不同。类似地，输出信号Vout的低电平电压LLVi可以与低电位电压VSS相同，但也可以与低电位电压VSS略有不同。
图8是示出根据本发明实施方式的信号反转装置100的性能的曲线图。
如上所述，根据本发明实施方式的信号反转装置100反转输入信号Vin的电压电平，并输出通过反转电压电平获得的输出信号Vout。电压的反转是从高电平到低电平的反转，并且可以包括从低电平到高电平的反转。
在根据本发明实施方式的信号反转装置100中，输出信号Vout的高电平电压HLVi可以与输入信号Vin的高电平电压HLVo相同，但也可以与高电平电压HLVo略有不同。类似地，输出信号Vout的低电平电压LLVi可以与输入信号Vin的低电平电压LLVo相同，但也可以与低电平电压LLVo略有不同。
输出信号Vout的高电平电压HLVi可以与高电位电压VDD相同，但也可以与高电位电压VDD略有不同。类似地，输出信号Vout的低电平电压LLVi可以与低电位电压VSS相同，但也可以与低电位电压VSS略有不同。
由于电阻器件RD的电阻值R和晶体管TR的电阻Rch＝Rch_ON或Rch_OFF引起的电压的分配可能导致电压差。
因此，如何设计电阻器件RD的电阻值R和晶体管TR的电阻Rch＝Rch_ON或Rch_OFF，可以极大地改变信号反转装置100的信号反转性能。
首先，当晶体管TR导通时，电阻器件RD的电阻值R可以大于晶体管TR的小电阻值Rch_On，并且当晶体管TR截止时，电阻器件RD的电阻值R可以小于晶体管TR的非常大的电阻值Rch_OFF。
图8是示出当电阻器件RD的电阻值R被设计为当晶体管TR导通时晶体管TR的小电阻值Rch_ON的10倍、100倍和1000倍时，通过实验获得输入信号Vin和输出信号Vout之间的电压电平反转的实验结果的曲线图。
参照图8，可以识别出，由于电阻器件RD的电阻值R变得大于晶体管TR导通时的晶体管TR的小电阻值Rch_ON，输入信号Vin和输出信号Vout之间的电压电平反转性能趋于改善。
参照图8，可以识别出，由于电阻器件RD的电阻值R被设计为晶体管TR导通时的晶体管TR的小电阻值Rch_ON的约100倍或更大，输入信号Vin和输出信号Vout之间的电压电平反转性能改善为几乎理想的。
因此，当设计电阻器件RD和晶体管TR的结构时，应该设计成使得电阻器件RD的电阻值R变为晶体管TR导通时的晶体管TR的小电阻值Rch_ON的约100倍或更大。
根据本发明实施方式的信号反转装置100的电阻器件RD和晶体管TR可以简单地是电阻部件或晶体管部件，但是当制造具有照明或图像显示功能的显示装置的显示面板时，可以与显示面板上的其他电极或布线一起形成。
因为用于反转信号电平的现有电路或装置包括相当多的晶体管和电容器并且需要各种电源，所以电路或装置的尺寸很大并且难以制造电路或装置。
相比之下，由于根据本发明实施方式的信号反转装置100需要一个电阻器件RD、一个晶体管TR和两个电源V1和V2，因此装置的尺寸小且易于制造。
上面已经在电路方面描述了根据本发明实施方式的信号反转装置100，以下将针对优异的信号反转性能、尺寸减小和制造的容易性来详细描述信号反转装置100的结构和物理特性特征。
图9和图10是根据本发明实施方式的信号反转装置100的横截面结构和平面结构的视图。图11是用于说明根据本发明实施方式的信号反转装置100中包括的晶体管TR的氧化物半导体层OSL的薄膜的物理特性的视图。图12和图13示出了根据本发明实施方式的信号反转装置100中包括的电阻器件RD的薄膜的结构特征和物理特性的视图。
参照图9，晶体管TR和电阻器件RD可以位于基板SUB上。
参照图9和图10，晶体管TR可以包括氧化物半导体层OSL、连接到氧化物半导体层OSL的一部分的第一电极ET1、连接到氧化物半导体层OSL的另一部分的第二电极ET2和栅极G。
第一电极ET1可以电连接到输出节点OUT，并且可以从第一电极ET1输出输出信号Vout。
第二电极ET2可以电连接到第二电压节点Nv2，并且第二电压V2可以施加到第二电极ET2。
如图9中所示，栅极G可以位于氧化物半导体层OSL上，并且可以根据情况位于氧化物半导体层OSL的下方。栅极绝缘膜GI可以位于栅极G和氧化物半导体层OSL之间。
栅极G可以电连接到输入节点IN，输入信号Vin可以施加到栅极G。
当施加到栅极G的输入信号Vin是导通电平电压时，沟道GH可以设置在氧化物半导体层OSL中。当晶体管TR是N型晶体管时，导通电平电压是高电平电压。当晶体管TR是P型晶体管时，导通电平电压是低电平电压。
在氧化物半导体层OS1的未设置沟道CH的部分中，连接到第一电极ET1的部分和连接到第二电极ET2的部分可以是通过等离子体处理或离子注入而变为具有导电性的部分。
参照图9和图10，电阻器件RD可以包括金属氧化物膜MOL、电连接到金属氧化物膜MOL的一端的第一连接电极ER1、以及电连接到金属氧化物膜MOL的相对端的第二连接电极ER2。。
第一连接电极ER1可以电连接到第一电压节点Nv1，并且第一电压V1可以施加到第一连接电极ER1。
第二连接电极ER2可以电连接到输出节点OUT，并且可以从第二连接电极ER2输出输出信号Vout。
电阻器件RD的第二连接电极ER2和晶体管TR的第一电极ET1可以是通过其他连接图案彼此电连接或彼此集成的电极。
施加到电阻器件RD的第一连接电极ER1的第一电压V1可以是与施加到晶体管TR的第二电极ET2的第二电压V2不同的电压电平。
作为示例，施加到电阻器件RD的第一连接电极ER1的第一电压V1可以是高电位电压电平VDD，施加到晶体管TR的第二电极ET2的第二电压V2可以是低电位电压电平VSS。
作为示例，施加到电阻器件RD的第一连接电极ER1的第一电压V1可以是低电位电压电平VSS，施加到晶体管TR的第二电极ET2的第二电压V2可以是高电位电压电平VDD。
在下文中，将参照图9的示例再次描述已经在上面描述的晶体管TR的结构和电阻器件RD的结构，在图9中，晶体管TR具有顶栅结构。
氧化物半导体层OSL和金属氧化物膜MOL设置在基板SUB上。
栅极绝缘膜GI设置在氧化物半导体层OSL上。
栅极G设置在栅极绝缘膜GI上。
绝缘层INS设置在基板SUB上，以覆盖氧化物半导体层OSL、金属氧化物膜MOL、栅极绝缘膜GI和栅极G。
第一电极ET1、第二电极ET2、第一连接电极ER1和第二连接电极ER2设置在绝缘层INS上。
第二电极ET2通过绝缘层INS的第一孔或通过另一图案直接接触氧化物半导体层OSL的另一部分。
第一电极ET1通过绝缘层INS的第二孔或通过另一图案直接接触氧化物半导体层OSL的一部分。
第二连接电极ER2通过第三孔或通过另一图案直接接触金属氧化物膜MOL的相对端。
第二连接电极ER2可以与第一电极ET1一起设置。
第一连接电极ER1通过绝缘层INS的第四孔或通过另一图案直接接触金属氧化物膜MOL的一端。
参照图9，电阻器件RD的金属氧化物膜MOL的厚度T可以小于晶体管TR的氧化物半导体层OSL的厚度Ts。例如，电阻器件RD的金属氧化物膜MOL的厚度T可以是
Figure BDA0002283219560000151
晶体管TR的氧化物半导体层OSL的厚度Ts可以是
Figure BDA0002283219560000152
电阻器件RD的金属氧化物膜MOL可以形成用于高电阻特性的薄膜。
为实现此目的，可以通过用于控制薄膜沉积的薄膜沉积方法例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或原子层沉积(ALD)形成电阻器件RD的金属氧化物膜MOL。
金属有机化学气相沉积(MOCVD)是一种化学气相沉积(CVD)，其通过将源气体排放到高温基板SUB上并在基板SUB的表面上引起沉积反应来形成薄膜，并且是指源气体包括有机金属络合物的情况，是通过在加热后的基板SUB上热分解有机金属气体来生长薄膜的技术。以比使用卤化物气体的CVD低的温度控制MOCVD，可以以原子量级控制薄膜并且可以获得均匀的膜。
原子层沉积(ALD)方法是通过在基板SUB的表面上沉积颗粒来形成薄膜的沉积方法，其中颗粒通过分离并提供反应燃料利用反应气体之间的化学反应而形成，并且原子层沉积(ALD)方法是通过在上面沉积有薄膜的基板SUB上化学沉积一种反应燃料、然后通过在基板上化学沉积第二或第三气体来沉积薄膜的沉积方法。
当使用MOCVD或ALD方法时，与通常的物理气相沉积(PVD)或通常的另一种化学气相沉积(CVD)方法相比，可能薄膜生产率或生长速率较慢，但是由于薄膜的涂敷性质优异，因此可以精细控制薄膜的厚度。即，当使用MOCVD或ALD方法时，可以形成具有优异的阶梯覆盖特性的薄膜。
此外，根据MOCVD或ALD方法，与诸如溅射之类的其他通常沉积方法相比，可以形成具有更优异的厚度均匀性和组成均匀性以及更高密度的薄膜。
通过MOCVD或ALD方法形成的金属氧化物膜MOL可以是非常薄的膜。根据位置通过MOCVD或ALD方法形成的金属氧化物膜MOL的厚度偏差可以非常小。即，金属氧化物膜MOL可以具有优异的厚度均匀性(即，低厚度不均匀性)。例如，表示通过MOCVD或ALD方法形成的金属氧化物膜MOL的厚度不均匀程度的厚度不均匀性(即，不均匀厚度的部分与整个金属氧化物膜MOL的比率)可小于7％，并且作为具体的示例值可以约为3.3％。
通过MOCVD或ALD方法形成的金属氧化物膜MOL可以具有高密度。例如，通过MOCVD或ALD方法形成的金属氧化物膜MOL的密度可以是大于5.8g/m3的高密度，并且作为具体的示例值可以是6.1g/m3。
晶体管TR的氧化物半导体层OSL也可以通过用于控制薄膜沉积的薄膜沉积方法例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或原子层沉积(ALD)形成。
参照图10，电阻器件RD的金属氧化物膜MOL的宽度W可以小于晶体管TR的氧化物半导体层OSL的宽度Ws。
晶体管TR的氧化物半导体层OSL可以是N型氧化物半导体层。例如，N型氧化物半导体层可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的一种或多种。
晶体管TR的氧化物半导体层OSL可以是P型氧化物半导体层。例如，P型氧化物半导体层可以包括CuOx、SnOx和NiOx中的一种或多种。
当晶体管TR的氧化物半导体层OSL是N型氧化物半导体层时，例如，参照图11，氧化物半导体层OSL可以包括IGZO。即，氧化物半导体层OSL可以是基于IGZO的。IGZO的In、Ga和Zn的组成比可以是1:1:1，或者可以具有与该组成比相似的组成比。
图11示出了根据In、Ga和Zn的组成比(浓度)的薄膜的载流子浓度(cm-3)。
参照图11，Zn用作薄膜的框架，In用于增加薄膜的迁移率，Ga起到抑制薄膜的迁移率的作用。
因此，参照图11，随着In的组成比(浓度)增加，薄膜的载流子浓度增加。此外，随着Ga的组成比(浓度)增加，薄膜的载流子浓度降低。
因此，在图11中，当薄膜基于氧化镓锌(GZO)时，薄膜的迁移率抑制特性是主要的，因此它可以有利于形成电阻性薄膜。当薄膜基于氧化铟锌(IZO)时，薄膜的迁移率改善特性是主要的，因此有利于形成高导电率的薄膜。
当晶体管TR的氧化物半导体层OSL包括具有1:1:1的In、Ga和Zn的组成比的IGZO时，氧化物半导体层OSL可以适当地起到改善迁移率和抑制迁移率的作用。因此，晶体管TR可以将导通期间的电阻值Rch_ON和截止期间的电阻值Rch_OFF适当地设置为可以改善信号反转性能的范围。
参照图11，为了使信号反转装置100具有高信号反转性能，在电阻器件RD中起到实际电阻器作用的金属氧化物膜MOL必须具有高电阻特性。
因此，电阻器件RD的金属氧化物膜MOL可以包括有利于形成电阻薄膜的氧化镓锌(GZO)。
在构成金属氧化物膜MOL的GZO的Ga和Zn中，Ga可以实现高电阻特性，使得金属氧化物膜MOL形成为具有50％的组成比，约50％的组成比，或50％或更高的组成比。
图12示出了根据In、Ga和Zn的组成比(浓度)的薄膜的电阻率(Ωcm)。
参照图12，Zn用作薄膜的框架，In用于增加薄膜的迁移率，Ga起到抑制薄膜的迁移率的作用。
因此，参照图12，随着In的组成比(浓度)增加，薄膜的电阻率降低。此外，随着Ga的组成比(浓度)增加，薄膜的电阻率增加。
特别地，在GZO具有50％的Ga浓度的情况下，薄膜的电阻率可以大大增加。金属氧化物膜MOL可具有10Ωcm的电阻率。
因此，由于电阻器件RD的金属氧化物膜MOL包括Ga浓度为50％的GZO，所以电阻器件RD可以具有高电阻特性，其具有10Ωcm的高电阻率，约10Ωcm的高电阻率，或10Ωcm或更高的高电阻率。因此，信号反转装置100可以具有高信号反转性能。
参照图13，示例性地计算电阻器件RD的电阻值R。
图13示出了电阻器件RD的金属氧化物膜MOL的相对两端之间的部分，第一连接电极ER1和第二连接电极ER2连接到该部分。
当金属氧化物膜MOL的长度为L，金属氧化物膜MOL的宽度为W，金属氧化物膜MOL的厚度为T，并且金属氧化物膜MOL的电阻率为ρ时，电阻器件RD的金属氧化物膜MOL的电阻值R可以如等式9中那样计算。在等式9中，A表示金属氧化物膜MOL的横截面面积(W×T)。
[等式9]
R＝ρ×(L/A)＝ρ×(L/WT)＝(o/T)×(L/W)
例如，假设金属氧化物膜MOL的厚度T为
Figure BDA0002283219560000172
并且金属氧化物膜MOL包括Ga浓度为50％的GZO，金属氧化物膜MOL的电阻率ρ为10Ωcm，通过计算电阻器件RD的电阻值R，如下获得等式10。
[等式10]
Figure BDA0002283219560000171
如上所述，电阻器件RD的金属氧化物膜MOL的长度L可以大于金属氧化物膜MOL的宽度W。例如，如果电阻器件RD的金属氧化物膜MOL的长度L是金属氧化物膜MOL的宽度W的两倍(L＝2W)，则电阻器件RD的电阻值R可以是10MΩ。在这种情况下，可以导出上面参照图2到7描述的信号反转性能。
当晶体管TR导通时，即当在氧化物半导体膜MOL中形成沟道CH时，电阻器件RD的金属氧化物膜MOL的电阻值(R＝10MΩ)大于晶体管TR的电阻值(Rch_ON＝100KΩ)。此外，当晶体管TR截止时，即当在氧化物半导体膜MOL中没有形成沟道CH时，电阻器件RD的金属氧化物膜MOL的电阻值R小于晶体管TR的电阻值(Rch_OFF＝1TΩ)。
当制造具有照明或图像显示功能的显示装置的显示面板时，根据本发明实施方式的信号反转装置100可以与其他电极和布线一起设置在显示面板上。
在下文中，将描述应用根据本发明实施方式的信号反转装置100的显示装置。
图14是根据本发明实施方式的显示装置1400的系统图。
参照图14，根据本发明实施方式的显示装置1400可以包括用于显示图像或信息的电子装置，并且还可以包括照明装置和发光装置。
根据本发明实施方式的显示装置1400可以包括显示图像或输出光的显示面板PNL，以及驱动显示面板PNL的驱动电路。
多条数据线DL和多条栅极线GL设置在显示面板PNL中，并且由多条数据线DL和多条栅极线GL限定的多个子像素SP以矩阵类型布置。
在显示面板PNL中，多条数据线DL和多条栅极线GL可以设置为彼此交叉。例如，多条栅极线GL可以布置成多行或多列，并且多条数据线DL可以布置成多列或多行。在下文中，为了便于描述，假设多条栅极线GL设置成多行，并且多条数据线DL设置成多列。
在显示面板PNL中，除了多条数据线DL和多条栅极线GL之外，可以根据子像素的结构设置不同种类的信号布线。可以进一步设置驱动电压布线、参考电压布线或公共电压布线。
显示面板PNL可以是各种类型的显示面板，例如液晶显示(LCD)面板和有机发光二极管(OLED)面板。
根据子像素的结构、显示面板类型(例如，LCD面板或OLED面板)等，设置在显示面板PNL中的信号布线的种类可以不同。在本说明书中，信号布线可以是包括被施加信号的电极的概念。
显示面板PNL可以包括其中显示图像的有源区域A/A以及对应于外围区域并且其中不显示图像的非有源区域N/A。非有源区域N/A称为边框区域。
用于显示图像的多个子像素SP设置在有源区域A/A中。
在非有源区域N/A中，可以设置与数据驱动器DDR电连接的焊盘部分，以及可以设置用于将焊盘部分连接到多条数据线DL的多条数据连线。多条数据连线可以是多条数据线DL延伸到非有源区域N/A的部分，或者是电连接到多条数据线DL的单独的图案。
此外，用于将栅极驱动所必需的电压(信号)通过与数据驱动器DDR电连接的焊盘部分传送到栅极驱动器GDR的栅极驱动相关布线可以设置在非有源区域N/A中。例如，栅极驱动相关布线可以包括用于传送时钟信号的时钟布线、传送栅极电压VGH和VGL的栅极电压布线、以及传送生成扫描信号(栅极信号)所必需的各种控制信号的栅极驱动控制信号布线。与设置在有源区域A/A中的栅极线GL不同，栅极驱动相关布线设置在非有源区域N/A中。
驱动电路可以包括驱动多条数据线DL的数据驱动器DDR、驱动多条栅极线GL的栅极驱动器GDR、以及控制数据驱动器DDR和栅极驱动器GDR的控制器CTR。
数据驱动器DDR可以将数据电压输出到多条数据线DL以驱动多条数据线DL。
栅极驱动器GDR可以将扫描信号输出到多条栅极线GL以驱动多条栅极线GL。在本说明书中，扫描信号也称为栅极信号。
控制器CTR可以提供驱动数据驱动器DDR和栅极驱动器GDR的操作所必需的各种控制信号DCS和GCS，以控制数据驱动器DDR和栅极驱动器GDR的驱动操作。此外，控制器CTR可以将图像数据DATA提供给数据驱动器DDR。
控制器CTR根据在各个帧中实现的时序开始扫描，根据在数据驱动器DDR中使用的数据信号格式转换从外部输入的输入图像数据，输出转换后的图像数据DATA，并根据扫描在适合的时间控制数据驱动。
为了控制数据驱动器DDR和栅极驱动器GDR，控制器CTR从外部(例如，主机系统)接收时序信号，例如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、输入数据使能(DE：数据使能)信号、时钟信号CLK，生成各种控制信号，并将生成的控制信号输出到数据驱动器DDR和栅极驱动器GDR。
例如，为了控制栅极驱动器GDR，控制器CTR输出包括栅极起始脉冲GSP、栅极移位时钟GSC和栅极输出使能信号GOE的各种栅极控制信号GCS。
此外，为了控制数据驱动器DDR，控制器CTR输出包括源极起始脉冲SSP、源极采样时钟SSC和源极输出使能信号SOE的各种数据控制信号DCS。
控制器CTR可以是在通用显示技术中使用的时序控制器，可以是包括时序控制器的控制装置，其进一步执行其他控制功能。
控制器CTR可以由与数据驱动器DDR分开的部件实现，也可以通过集成电路与数据驱动器DDR一起实现。
数据驱动器DDR通过从控制器CTR接收图像数据DATA并将数据电压提供给多条数据线DL来驱动多条数据线DL。数据驱动器DDR也称为源极驱动器。
数据驱动器DDR可以通过各种接口向/从控制器CTR发送/接收各种信号。
栅极驱动器GDR可以顺序地将扫描信号提供给多条栅极线GL，以顺序地驱动多条栅极线GL。
根据控制器CTR的控制，栅极驱动器GDR顺序地将导通电压或截止电压的扫描信号提供给多条栅极线GL。
如果栅极驱动器GDR导通了具体栅极线，则数据驱动器DDR将从控制器CTR接收的图像数据DATA转换为模拟形式的数据电压，并将转换后的数据电压提供给多条数据线DL。
数据驱动器DDR可以位于显示面板PNL的一侧(例如，上侧或下侧)，并且根据情况，取决于驱动方案或面板设计方案，数据驱动器DDR可以位于显示面板PNL的两侧(例如，上侧和下侧)。
栅极驱动器GDR可以位于显示面板PNL的一侧(例如，左侧或右侧)，并且根据情况，取决于驱动方案或面板设计方案，栅极驱动器GDR可以位于显示面板PNL的两侧(例如，左侧和右侧)。
数据驱动器DDR可以被实现为包括至少一个源极驱动器集成电路SDIC。
每个源极驱动器集成电路SDIC可以包括移位寄存器、锁存电路、数模转换器DAC和输出缓存器。根据情况，数据驱动器DDR还可以包括一个或多个模数转换器ADC。
每个源极驱动器集成电路SDIC是带式自动接合(TAB)型或玻璃上芯片(COG)型，并且可以连接到显示面板PNL的接合焊盘或者可以直接设置在显示面板PNL上。根据情况，每个源极驱动器集成电路SDIC可以集成并设置在显示面板PNL中。此外，每个源极驱动器集成电路SDIC可以以膜上芯片(COF)类型实现。每个源极驱动器集成电路SDIC可以安装在电路膜上，并且可以通过电路膜电连接到显示面板PNL中的数据线DL。即，数据驱动器DDR可以以各种类型(TAB、COG、COF等)实现。
栅极驱动器GDR可以包括多个栅极驱动电路GDC。多个栅极驱动电路GDC可以分别对应于多条栅极线GL。
每个栅极驱动电路GDC可以包括移位寄存器和电平移位器。
每个栅极驱动电路GDC是带式自动接合(TAB)型或玻璃上芯片(COG)型，并且可以连接到显示面板PNL的接合焊盘。此外，每个栅极驱动电路GDC可以以膜上芯片(COF)类型实现。每个栅极驱动电路GDC可以安装在电路膜上，并且可以通过电路膜电连接到显示面板PNL中的栅极线GL。此外，每个栅极驱动电路GDC可以以面板内栅极(GIP)类型实现，并且可以内置在显示面板PNL中以直接形成在显示面板PNL中。即，栅极驱动器GDR可以以各种类型(TAB、COG、COF、GIP等)实现。
图15是根据本发明实施方式的显示装置1400的子像素SP的电路。
参照图15，根据本发明实施方式的显示装置1400中包括的显示面板PNL中设置的每个子像素SP可以包括发光器件LD、驱动晶体管DRT、扫描晶体管SCT、发光控制晶体管EMP、感测晶体管SENT和存储电容器Cst。
发光器件LD可以包括阳极电极、阴极电极和在阳极电极与阴极电极之间的发光层。
发光器件LD的阳极电极可以电连接到第二节点N2，并且基础电压EVSS可以施加到发光器件LD的阴极电极。
发光器件LD例如可以是有机发光二极管OLED、发光二极管LED等。
驱动晶体管DRT可以通过向发光器件LD提供驱动电流来驱动发光器件LD。
驱动晶体管DRT的栅极节点可以电连接到第一节点N1，驱动晶体管DRT的源极节点或漏极节点可以电连接到第二节点N2，驱动晶体管DRT的漏极节点或源极节点可以电连接到第三节点N3。
扫描晶体管SCT可以电连接在第一节点N1和数据线DL之间，并且扫描晶体管SCT的导通/截止操作可以由扫描信号SCAN控制。
扫描晶体管SCT的漏极节点或源极节点可以电连接到数据线DL，扫描晶体管SCT的源极节点或漏极节点可以电连接到第一节点N1，扫描晶体管SCT的栅极节点可以电连接到第一栅极线GL。
如果扫描晶体管SCT导通，则可以将通过数据线DL提供的数据电压VDATA传送到驱动晶体管DRT的栅极节点。
感测晶体管SENT可以电连接在第二节点N2和提供参考电压VREF的参考电压线RVL之间，并且感测晶体管SENT的导通/截止操作可以由感测信号SENSE控制。
感测晶体管SENT的漏极节点或源极节点可以电连接到参考电压线RVL，感测晶体管SENT的源极节点或漏极节点可以电连接到第二节点N2，感测晶体管SENT的栅极节点可以电连接到第二栅极线GL。
电连接到扫描晶体管SCT的栅极节点的第一栅极线GL和电连接到感测晶体管SENT的栅极节点的第二栅极线GL可以相同或不同。
电连接到扫描晶体管SCT的栅极节点的第一栅极线GL在下文中称为扫描线SCL。
发光控制晶体管EMT可以电连接在第三节点N3和提供驱动电压EVDD的驱动电压线DVL之间，发光控制晶体管EMP的导通/截止操作可以由发光控制信号EM控制。
发光控制晶体管EMT的漏极节点或源极节点可以电连接到驱动电压线DVL，发光控制晶体管EMT的源极节点或漏极节点可以电连接到第三节点N3，发光控制晶体管EMT的栅极节点可以电连接到第三栅极线GL。
电连接到发光控制晶体管EMT的栅极节点的第三栅极线GL在下文中被称为发光控制线EML。
发光控制晶体管EMT是控制发光器件LD的发光的晶体管，并且可以控制驱动电流是否将流到发光器件LD。
整体上，发光控制晶体管EMT的导通/截止时序可以与扫描晶体管SCT的导通/截止时序相反。即，当扫描晶体管SCT处于导通时段时，发光控制晶体管EMT可以处于截止时段。相反，当扫描晶体管SCT处于截止时段时，发光控制晶体管EMT可以处于导通时段。
存储电容器Cst电连接在第一节点N1和第二节点N2之间，并且起到将相对两端的电压保持预定时间段的作用。
图16是示出根据本发明的实施方式设置在显示面板PNL的非有源区域N/A中的扫描驱动器电路SCDC和发光控制驱动器电路EMDC的视图。
考虑到图15的子像素的结构，栅极驱动器GDR可以包括：扫描驱动器电路SCDC，其将扫描信号SCAN输出到扫描线SCL；以及发光控制驱动器电路EMDC，其将发光控制信号EM输出到发光控制线EML。
如图16所示，栅极驱动器GDR可以以面板内栅极(GIP)类型实现。即，扫描驱动器电路SCDC和发光控制驱动器电路EMDC可以设置在显示面板PNL的非有源区域N/A中。
以此方式，当多个扫描驱动电路SCDC和多个发光控制驱动器电路EMDC设置在显示面板PNL的非有源区域N/A中时，可以增大对应于非有源区域N/A的边框区域的宽度BW。
图17是示出根据本发明实施方式的扫描驱动器电路SCDC的视图。
参照图17，每个扫描驱动器电路SCDC可以包括上拉晶体管Tup、下拉晶体管Tdown和控制开关电路CSC。
控制开关电路CSC是控制与上拉晶体管Tup的栅极节点对应的Q节点的电压和与下拉晶体管Tdown的栅极节点对应的QB节点的电压的电路，可以包括几个开关(晶体管)。
上拉晶体管Tup是通过栅极信号输出节点Nout将对应于第一电平电压(例如，高电平电压VGH)的扫描信号SCAN提供给扫描线SCL的晶体管。下拉晶体管Tdown是通过栅极信号输出节点Nout将对应于第二电平电压(例如，低电平电压VGL)的扫描信号SCAN提供给扫描线SCL的晶体管。上拉晶体管Tup和下拉晶体管Tdown可以在不同的时序导通。
上拉晶体管Tup电连接在施加有时钟信号CLK的时钟信号施加节点Nclk和电连接到扫描线SCL的栅极信号输出节点Nout之间，并且通过Q节点的电压导通或截止。
上拉晶体管Tup的栅极节点电连接到Q节点。上拉晶体管Tup的漏极节点或源极节点电连接到时钟信号施加节点Nclk。上拉晶体管Tup的源极节点或漏极节点电连接到从中输出扫描信号SCAN的栅极信号输出节点Nout。
上拉晶体管Tup通过Q节点的电压导通，并且将具有时钟信号CLK的高电平部分中的高电平电压VGH的扫描信号SCAN输出到栅极信号输出节点Nout。
将输出到栅极信号输出节点Nout的高电平电压VGH的扫描信号SCAN提供给相应的扫描线SCL。
下拉晶体管Tdown电连接在栅极信号输出节点Nout和基础电压节点Nvss之间，并且通过QB节点的电压导通或截止。
下拉晶体管Tdown的栅极节点电连接到QB节点。下拉晶体管Tdown的漏极节点或源极节点电连接到基础电压节点Nvss，并且将对应于静电压(static voltage)的基础电压VSS施加到下拉晶体管Tdown的漏极节点或源极节点。下拉晶体管Tdown的源极节点或漏极节点电连接到从中输出扫描信号SCAN的栅极信号输出节点Nout。
下拉晶体管Tdown通过QB节点的电压导通，并且将低电平电压VGL的扫描信号SCAN输出到栅极信号输出节点Nout。因此，低电平电压VGL的扫描信号SCAN可以通过栅极信号输出节点Nout提供给对应的扫描线SCL。扫描信号SCAN的低电平电压VGL例如为基础电压VSS。
控制开关电路CSC可以包括两个或更多个晶体管，并且可以包括主节点，比如Q节点、QB节点，置位节点S(或称为起始节点)和复位节点R。根据情况，控制开关电路CSC还可以包括输入节点，诸如驱动电压VDD之类的各种电压被输入到该输入节点。
在控制开关电路CSC中，Q节点电连接到上拉晶体管Tup的栅极节点，并且被反复充电和放电。
在控制开关电路CSC中，QB节点电连接到下拉晶体管Tdown的栅极节点，并且被反复充电和放电。
在控制开关电路CSC中，将用于指示开始对应的栅极驱动电路GDC的栅极驱动开始的置位信号SET施加到置位节点S。
施加到置位节点S的置位信号SET可以是从栅极驱动器GDR的外部输入的起始信号VST，并且可以是通过反馈从当前栅极驱动电路GD的在前级的栅极驱动电路GDC输出的扫描信号SCAN而获得的信号(进位信号)。
由控制开关电路CSC施加到复位节点R的复位信号RST可以是用于同时启动所有级的栅极驱动电路GDC的复位信号，并且可以是从另一级(在前级或在后级)输入的进位信号。
控制开关电路CSC响应于置位信号SET对Q节点充电，并且响应于复位信号RST对Q节点放电。控制开关电路CSC可以包括用于在不同时序对Q节点和QB节点充电或放电的反相器电路。
图18是应用了根据本发明实施方式的信号反转装置100的发光控制驱动器电路EMDC的视图。
参照图18，可以通过使用信号反转装置100来实现发光控制驱动器电路EMDC。
即，发光控制驱动器电路EMDC可以是信号反转装置100自身。
可选地，发光控制驱动器电路EMDC可以包括信号反转装置100，并且还可以包括其他装置。例如，发光控制驱动器电路EMDC还可以包括延迟电路，其延迟输入到信号反转装置100的输入信号Vin和从信号反转装置100输出的输出信号Vout。
因为发光控制驱动器电路EMDC是信号反转装置100或包括信号反转装置100，所以发光控制驱动器电路EMDC可以包括：电连接在被施加第一电压V1的第一电压节点Nv1和与发光控制线EML电连接的输出节点OUT之间的电阻装置RD；和晶体管TR，其导通/截止操作由输入信号Vin控制，并且电连接在输出节点OUT和被施加与第一电压V1不同的第二电压V2的第二电压节点Nv2之间。
发光控制驱动器电路EMDC具有：被输入输入信号Vin的输入节点IN；输出输出信号Vout的输出节点OUT；被输入第一电压V1的第一电压节点Nv1；及被输入第二电压V2的第二电压节点Nv2。
电阻器件RD可以电连接在被施加第一电压V1的第一电压节点Nv1和与发光控制线EML电连接的输出节点OUT之间。
晶体管TR的导通/截止操作通过输入信号Vin控制，晶体管TR可以电连接在输出节点OUT和被施加与第一电压V1不同的第二电压V2的第二电压节点Nv2之间。
电阻器件RD包括第一连接电极ER1和第二连接电极ER2。
电阻器件RD的第一连接电极ER1电连接到第一电压节点Nv1。
电阻器件RD的第二连接电极ER2电连接到输出节点OUT。
晶体管TR包括第一电极ET1、第二电极ET2和栅极G。
将输入信号Vin施加到晶体管TR的栅极G。
晶体管TR的第一电极ET1电连接到输出节点OUT。
晶体管TR的第二电极ET2电连接到第二电压节点Nv2。
将输入信号Vin施加到晶体管TR的栅极G。
电阻器件RD的第二连接电极ER2和晶体管TR的第一电极ET1可以彼此电连接或彼此集成。
晶体管TR可以是N型晶体管或P型晶体管。
输入信号Vin可以是从扫描驱动器电路SCDC输出的扫描信号SCAN。
输入信号Vin的精确电压可以稍微变化，但是在信号时序方面，输入信号Vin可以与从扫描驱动器电路SCDC输出的扫描信号SCAN相同。可选地，输入信号Vin可以是稍微暂时延迟扫描信号SCAN的信号。
发光控制驱动器电路EMDC可以将通过反转输入信号Vin的电压电平而获得的发光控制信号EM输出到输出节点OUT。因此，输出信号Vout可以是具有与输入信号Vin的电压电平相反的电压电平的信号。
输出信号Vout可以是这样的信号，其中仅输出信号Vout的电压电平与输入信号Vin的电压电平相反，但输出信号Vout和输入信号Vin的电压以相同的时序在时间上改变。可选地，输出信号Vout可以是这样的信号，其中不仅输出信号Vout的电压电平与输入信号Vin的电压电平相反，而且输出信号Vout和输入信号Vin的电压的变化在时间上稍有延迟。
输入到发光控制驱动器电路EMDC的第一电压V1和第二电压V2中的一个具有与扫描信号SCAN的高电平电压对应的电压值，第一电压V1和第二电压V2中的剩余一个具有与扫描信号SCAN的低电平电压对应的电压值。
包括在发光控制驱动器电路EMDC中的信号反转装置100的晶体管TR可以是N型或P型晶体管。
当包括在发光控制驱动器电路EMDC中的信号反转装置100的晶体管TR是N型晶体管时，第一电压V1可以具有高于第二电压V2的电压值。即，第一电压V1可以是高电位电压VDD，第二电压V2可以是低电位电压VSS。
当包括在发光控制驱动器电路EMDC中的信号反转装置100的晶体管TR是P型晶体管时，第二电压V2可以具有高于第一电压V1的电压值。即，第一电压V1可以是低电位电压VSS，第二电压V2可以是高电位电压VDD。
包括在发光控制驱动器电路EMDC中的信号反转装置100与参照图1至13描述的信号反转装置100相同。
图19是用于根据应用了根据本发明实施方式的信号反转装置100的发光控制驱动器电路EMDC说明边框减小效果的视图。
一般的发光控制驱动器电路包括相当多的晶体管和电容器，并且还需要各种电源。因此，一般的发光控制驱动器电路具有尺寸(范围)非常大的缺点。
然而，如果通过使用根据本发明实施方式的信号反转装置100实现发光控制驱动器电路EMDC，仅需要一个电阻器件RD、一个晶体管TR和两个电源V1和V2，所以可以实现占用很小范围的发光控制驱动器电路EMDC。
如图19所示，发光控制驱动器电路EMDC设置在显示面板中的区域的范围远小于扫描驱动电路SCDC设置在显示面板中的区域的范围。
因此，如图19所示，可以显著减小与非有源区域N/A对应的边框区域。
以上描述和附图仅出于说明性目的提供了本发明的技术构思的示例。本发明所属技术领域的普通技术人员将理解，在不脱离本发明的实质特征的情况下，可以在形式上进行各种修改和改变，例如配置的组合、分离、替换和改变。因此，本发明中公开的实施方式旨在例示本发明的技术构思的范围，本发明的范围不受实施方式的限制。本发明的范围应基于所附权利要求解释为：包含在权利要求书的等效范围内的所有技术思想都属于本发明。

Claims (23)

1.一种显示装置，包括：
显示面板，在所述显示面板中设置有多个子像素，并且对应于所述多个子像素中的每一个设置有扫描线和发光控制线；
扫描驱动器电路，被配置为将扫描信号输出到所述扫描线；以及
发光控制驱动器电路，被配置为将发光控制信号输出到所述发光控制线，
其中，所述发光控制驱动器电路包括：
电阻器件，电连接在被施加第一电压的第一电压节点和与所述发光控制线电连接的输出节点之间；以及
晶体管，电连接在所述输出节点和被施加与所述第一电压不同的第二电压的第二电压节点之间，所述晶体管的导通/截止操作由输入信号控制。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述输入信号是从所述扫描驱动器电路输出的扫描信号。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光控制驱动器电路将通过反转所述输入信号的电压电平而获得的发光控制信号输出到所述输出节点。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电压和所述第二电压中的一个具有与所述发光控制信号的高电平电压相对应的电压值，并且所述第一电压和所述第二电压中的其余一个具有与所述发光控制信号的低电平电压相对应的电压值。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当所述晶体管是N型晶体管时，所述第一电压具有高于所述第二电压的电压值，
所述发光控制驱动器电路被配置为：
当所述输入信号是高电平电压时，在所述晶体管导通时将具有与所述第二电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点；及
当所述输入信号为低电平电压时，在所述晶体管截止时将具有与所述第一电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当所述晶体管是P型晶体管时，所述第二电压具有高于所述第一电压的电压值，
所述发光控制驱动器电路被配置为：
当所述输入信号是高电平电压时，在所述晶体管截止时将具有与所述第一电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点；及
当所述输入信号为低电平电压时，在所述晶体管导通时将具有与所述第二电压相对应的电压值的发光控制信号输出到所述输出节点。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当所述晶体管导通时，所述电阻器件的电阻值大于所述晶体管的电阻值，并且当所述晶体管截止时，所述电阻器件的电阻值小于所述晶体管的电阻值。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述晶体管包括：
氧化物半导体层；
第一电极，连接到所述氧化物半导体层的一部分；
第二电极，连接到所述氧化物半导体层的另一部分；以及
栅极，被施加所述输入信号，
所述第一电极电连接到所述输出节点，所述第二电极电连接到所述第二电压节点，并且对应于所述扫描信号的输入信号施加到所述栅极。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述氧化物半导体层是N型氧化物半导体层。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述氧化物半导体层是P型氧化物半导体层。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述氧化物半导体层包括氧化铟镓锌，并且铟、镓和锌的组成比是1:1:1。
12.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述电阻器件包括：
金属氧化物膜；
第一连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的一端；以及
第二连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的相对端，
其中，所述第一连接电极电连接到所述第一电压节点，所述第二连接电极电连接到所述输出节点，所述第二连接电极和所述第一电极彼此电连接或者彼此集成在一起。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述金属氧化物膜包括氧化镓锌，并且在镓和锌中，镓具有50％或更高的组成比。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述金属氧化物膜具有10Ωcm或更大的电阻率。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述金属氧化物膜的长度大于所述金属氧化物膜的宽度。
16.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述电阻器件的金属氧化物膜的厚度小于所述晶体管的氧化物半导体层的厚度。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述扫描驱动器电路和所述发光控制驱动器电路设置在所述显示面板的非有源区域中，所述显示面板的非有源区域中的设置有所述发光控制驱动器电路的区域范围小于所述显示面板的非有源区域中的设置有所述扫描驱动器电路的区域范围。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的每个子像素包括：
发光器件；
驱动晶体管，被配置为向所述发光器件提供驱动电流；
扫描晶体管，被配置为将数据电压传送到所述驱动晶体管的栅极节点；以及
发光控制晶体管，被配置为控制所述发光器件的发光，
其中，所述扫描晶体管的栅极节点电连接到所述扫描线，所述发光控制晶体管的栅极节点电连接到所述发光控制线。
19.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电阻器件的电阻值为所述晶体管导通时的晶体管的电阻值的100倍或更大。
20.一种信号反转装置，包括：
基板；以及
电阻器件和晶体管，
其中所述晶体管包括：
氧化物半导体层，位于所述基板上；
第一电极，连接到所述氧化物半导体层的一部分并且连接到输出节点；
第二电极，连接到所述氧化物半导体层的另一部分并且连接到第二电压节点；和
栅极，位于所述氧化物半导体层上或下，
其中所述电阻器件包括：
金属氧化物膜，位于所述基板上；
第一连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的一端并且连接至第一电压节点；
第二连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的相对端并且连接至所述输出节点，
其中，输入信号输入到所述栅极，第一电压通过所述第一电压节点施加到所述第一连接电极，所述第二连接电极和所述第一电极彼此电连接或者彼此集成在一起以通过所述输出节点输出输出信号，并且与所述第一电压不同的第二电压通过所述第二电压节点施加到所述第二电极。
21.根据权利要求20所述的信号反转装置，其中，当在所述氧化物半导体中设置有沟道时，所述金属氧化物膜的电阻值大于所述晶体管的电阻值，并且当在所述氧化物半导体中没有设置沟道时，所述金属氧化物膜的电阻值小于所述晶体管的电阻值。
22.根据权利要求20所述的信号反转装置，其中，所述电阻器件的电阻值为所述晶体管导通时的晶体管的电阻值的100倍或更大。
23.根据权利要求20所述的信号反转装置，其中，所述信号反转装置仅包括一个电阻器件和一个晶体管。
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